EIII

MOSFET: Revisão
Contacto de dreno/fonte Contacto da Porta Contacto de fonte/dreno
Polisilício
(drain/source) (gate) (source/drain)
Contacto de
substrato
SiO2
Metalização
Tox

n+ n+ p+
Lmin

p- LD Substrato
Oxido fino

• Não há diferença física entre o dreno e a fonte. A

menor tensão dos dois define a fonte.
Lmin< 90nm
•O polisilício permite o fabrico de MOSFETs com o
Tox< 2nm
canal bem alinhado com a porta (processo auto-
alinhado).
FEUP VGT
MOSFET 1

EIII
MOSFET: Revisão
G
• Símbolos

D/S S/D

n+ n+

p-
A corrente de porta é diminuta
(~10-17A), no entanto as capacidades
parasitas acoplam o sinal da porta aos
sinais de dreno e/ou fonte. B
O substrato (B) normalmente é ligado à tensão mais baixa do
circuito. Desta forma, o transístor estará rodeado de junções
inversamente polarizadas que o isolam electricamente de outros
MOSs, prevenindo que surjam correntes entre transístores através
FEUP do substrato . VGT
MOSFET 2

1
 EIII
MOSFET: Modos de operação básicos

1. Região de acumulação: Vg<<0

- Com Vg<<0 há acumulação de
lacunas na região de substrato por
baixo do oxido fino da porta.
- Na região de acumulação forma-se + + + +
n+ n+
um canal com densidade de lacunas
p+. p-
- Mesmo que as tensões de dreno (Nota: Há também

e/ou fonte cresçam, não há condução

região de depleção em Região de depleção
n+, mas como ND>>
(iões-, não disponíveis
possível (à parte as correntes de NA, em p- a sua
extensão é muito para condução)
fugas, e para níveis de tensão abaixo menor) Vg<<0
da tensão de breakdown).
Vs>0 IDS≅0 VD>0

FEUP VGT
MOSFET 3

EIII
MOSFET: Modos de operação básicos
2. Região de Depleção/Inversão Vg> 0
- Um Vg positivo actua de uma forma
capacitiva para colocar uma igual
variação de carga, Q+ e Q-, na porta e à - -
- -
superfície do substrato, respectivamente. n+ n+
As lacunas serão repelidas, sendo
possível encontrar um Vg que induza uma p-
situação de depleção (ausência de cargas
móveis na região de substrato por baixo
da porta). Portanto, a corrente será nula Canal invertido Região de depleção (iões-,
não disponíveis para
nesta circunstância. condução)
- Com Vg a aumentar, o campo eléctrico - Se Vg é tal que a concentração de electrões no
nas regiões de dreno e fonte faz deslocar canal é inferior à de p-: transístor opera na região
cargas destas regiões para o substrato, de inversão fraca ou sublimiar. Se Vg é tal que a
fazendo inverter a polaridade do canal concentração do canal (n) iguala ou se torna
tornando-se assim do tipo n. superior a p-: transístor opera na inversão forte.
À tensão Vgs, para o qual se torna verdade a
inversão forte, chama-se tensão de limiar (Vt).
FEUP VGT
MOSFET 4

2
 MOSFET: modelo eléctrico simples – Inversão forte
EIII

• As tensões no MOSFET são sempre referenciadas ao

substrato.

VS≡VSB D
VGD
VD≡VDB IDS
VG≡VGB VDS
VGS≡VGB-VSB G B
VDS≡VDB-VSB
VGS
VGD≡VGB-VDB S

• O modelo é representado por um conjunto de equações que relacionam IDS

com as restantes tensões no transístor. São portanto relações formais que
pretendem prever o comportamento físico do dispositivo.

FEUP VGT
MOSFET 5

EIII
Modelo de carga laminar
• Este é o modelo mais simples e corresponde à assunção de que o canal de
inversão tem uma profundidade infinitesimal.
dR
L e W são o comprimento e largura do
canal, respectivamente IDS
S
• A corrente é devida a duas
componentes: difusão e deriva. Embora D w →0
neste modelo se considerem campos
eléctricos fracos, na inversão forte são
suficientemente elevados para que só se
considere a componente de deriva.
dx L
• Notar que: R = ρ L , então RL=W =ρ/h. Ou
• Condutividade do canal por quadrado: W ⋅h
1
σ s = µ nQn (x) = seja, a resistência de um quadrado é independente
ρs do valor de L e W (h é constante para cada
Mobilidade dos electrões material.
(lacunas no canal de tipo p)
FEUP Isto é válido para o polisilício, regiões n+(p-)...
VGT
MOSFET 6

3
 EIII
Modelo de carga laminar: Tríodo
VGS

• Considerando o canal uniforme entre

o dreno e a fonte, podemos definir
uma capacidade total Cgb, entre a
porta e o canal de inversão, como: V(x) dx L
ε (L − LD )W Vch(x) x
Cgb = ox
tox x
• É mais comum designar-se esta
capacidade por Cox, e o seu valor por VDS
unidade de àrea é:
• Resistência e tensão incrementais:
ε ox
Cox' = ⇒ Cox = Cox' ⋅ W ⋅ L dx I
tox dR = ρ s ⇔ dV (x ) = I DS ⋅ dR = DS dx
• Carga por unidade de área no canal: W Wµ nQn

 ' W 
VDS
2

Qn (x ) = −C 'ox (VG − VCH ( x ) − VT ) = −C 'ox (VGS − V ( x) − VT )  I DS = µn Cox  (VGS − VT )VDS − 
 L  2 

• Manipulando e integrando: VGS ≥ VT

Região linear ou de tríodo (VGS − VT ) ≥ VDS

FEUP VGT
MOSFET 7

EIII
Modelo de carga laminar: Saturação
• Conforme VDS aumenta, a densidade de carga junto ao
dreno diminui, de facto:
Qn (L ) = Cox' (VG − VD − VT ) = Cox' (VGS − VDS − VT ) = Cox' ((VGS − VT ) − VDS )

Vch(L)

• Se VDS=VGS-VT então Qn(L)=0, ocorre o pinch-off. A partir daqui pode-se,

numa aproximação de primeiro grau, afirmar que a carga total no canal é
constante. Portanto basta substituir VDS=VGS-VT na equação de IDS em tríodo,
resultando na seguinte equação:
 1 ' W
 I DS = 2 µ nCox L (VGS − VT )
2


Região de saturação VGS ≥ VT
(V − V ) ≤ V
 GS T DS

FEUP  VGT
MOSFET 8

4
 EIII
Modelo de carga laminar: Modulação de canal
VDS

W
I DS = µ nCox' (V − VT )2 Lelect = L − ∆L
Lelect GS
(VGS − VT )
∆L
• Variação de IDS com VDS? (Largura da região de
depleção.)
∂I DS 1 ∂∆L
I DS 2ε si 2ε si
∂VDS Lelect ∂VDS ∆L ≅ V +φ = V − (VGS − VT ) + φ0
qN A Dcanal 0 qN A DS
Implante
λ - Modulação de canal Substrato
N N 
φ0 = Vt ln A 2 D 
I DS = µ nCox'
W
( (
(V − VT )2 1 + λ VDS − VDSsat
L GS
))  ni 
Potencial de contacto da junção PN
2ε si Nota: Considera-se ∆L como sendo a extensão correspondente à
qN A depleção na região p- pois ND>>N A
λ=
2 L VDS − (VGS − VT ) + φ 0
FEUP VGT
MOSFET 9

EIII
Modelo de carga laminar: Efeito de corpo

• O aumento da tensão de fonte em

relação ao substrato faz alargar a
região de depleção, encurtando a
VT = VTo + γ ( VSB + 2φ F − 2φ F )
profundidade do canal, e portanto 2qN Aε si
γ =
menor será a carga total no canal. Cox'
Quer isto dizer que IDS diminui
com o aumento de VSB.
• A diminuição de corrente é
reflectida por uma alteração na φF – Potencial de Fermi: Define-
tensão de limiar.
se como o potencial de contacto
entre o material extrínseco e o
intrínseco. N 
φ F = Vt ln  A ou D

 ni 
FEUP VGT
MOSFET 10

5
EIII
MOSFET: Capacidades Parasitas


Óxido Óxido

  fino Grosso (FOX)
até 40.tox
CGB/2

CGB|ov=2C’oxW dLef=CGBO.Lef


 
Lef=L-2Ld
L Channel
Ld Stop – NA+
W S Lef
D Wef

CSB|ov=Cbottom + Csw =
CGS|ov=C’oxWefLd=CGSO.Wef Cj LS.Wef +CJSW(2 LS+ Wef)
CGD|ov=C’oxW efLd=CGDO.Wef Em princípio CSB=CDB

FEUP VGT
MOSFET 11

EIII
MOSFET: Capacidades
G
S D
Cgd
Cdb

Cgso Cgdo
Cox Cgs Csb Cgb
CBC
Cjsb Cjdb
Sobreposição nos extremos da porta

Capacidade Corte Linear / Tríodo Saturação / Pêntodo

W.L.C’ox+CGDOW
Cgd CGDO.W 1 CGDO.W
2
Cdb Cjdep Cjdep Cjdep
Cgb C’ox.W.Lef+CGBO.L CGBO.L CGBO.L
Cgs CGSO.W 1
W.L.C’ox+CGSOW
2
W.L.C’ox+CGSOW
2 3
Csb Cjdep Cjdep Cjdep
FEUP VGT
MOSFET 12

6
EIII
MOSFET: Capacidades

.MODEL CMOSN NMOS LEVEL=3 TOX=3.0500E-08 [m] LD=1.0000E-07 [m] UO=670.9 [cm2/V]
+ CGDO=1.6983E-10 [F/m] CGSO=1.6983E-10 [F/m] CGBO=2.0013E-10 [F/m]
+ CJ=2.9258E-04 [F/m2] MJ=5.2218E-01 CJSW=1.2774E-10 [F/m] MJSW=1.0000E-01
+ PB=9.7901E-01 [V]

cj. AD CJSW .PD ' ε ox 3,97 × 8,85.aF / µm

C jdep = + C ox = =
MJ MJSW TOX TOX
 V DB   V 
1 +  1 + DB 
 PB   PBSW 

FEUP VGT
MOSFET 13

EIII
MOSFET: Capacidades

C
Acumulação Inversão forte
Depleção

Capacidade de Capacidade de
má qualidade razoável qualidade

VT VGS

C = Cox' ⋅ W ⋅ L

FEUP VGT
MOSFET 14

7
EIII
Modelos: Sumário
O transístor MOS – Vgs> Vt Vds < Vgs - Vt
região linear Óxido da porta
- +
L
porta Vd
fonte
- corrente - dreno
+ Lef +I
d
Substracto p

β – factor de ganho do transístor Em SPICE

Kn(p) – transcondutância intrínseca do processo KP
mn(p) – mobilidade superficial UO
VT – tensão de limiar de condução (VSB=0) VTO
C’ ox – capacidade unitária do óxido ( = eox / tox) TOX
eox = 3.97 x 8,85 aF/µm
FEUP VGT
MOSFET 15

EIII
Modelos: Sumário
O transístor MOS – região de saturação
1
I D = β (VGS − VT )2 (1 + λVDS ) Vgs> Vt
2 - + Vds = Vgs - Vt

porta Vd
Vds = tensão de pintch-off
corrente
fonte dreno
Id

porta Vds > Vgs - Vt

Óhmica,
linear
fonte dreno
saturação Id

Em SPICE
λ – coeficiente de modulação do canal LAMBDA
FEUP VGT
MOSFET 16

8
EIII
SPICE – modelo nível 1

Na região linear: Vgs > Vt e Vds < Vgs - Vt

W  Vds 
I DS = KP. . Vgs - Vt - .Vds(1 + λ.Vds )
L ef  2 

Na região de Saturação Vgs > Vt e Vds > Vgs - Vt

KP W
.(Vgs - Vt ) .(1 + λ .Vds )
2
IDS = .
2 Leff
kT  Na 
KP = µ.C'ox φp = ln 
Vt = Vt 0 + γ ( (2φp - Vbs ) − 2φp ) q  ni 

2ε s Na
γ= εox
Leff = L - 2Xjl C'ox C'ox =
tox

FEUP VGT
MOSFET 17

EIII
SPICE – modelo nível 1
SíMBOLO SPICE DESCRIÇÃO UNIDADES

Vt VTO Vt para vbs=0 V

KP KP Transcondutância A/V2
γ GAMMA Efeito de corpo V1/2
PHI Potencial de superfície em inversão
2φf V
LAMBDA Modulação de canal
λ V-1
TOX Espessura de Óxido m
tox
NSUB Dopagem de Substrato
Nb cm-3
LD Difusão lateral
Xjl m
UO Mobilidade de superfície
µo cm2/V.s

Parâmetros de efeitos parasitas

Is IS Corrente de Saturação da Junção A

Js JS Densidade de Corrente de Saturação da Junção A/m2
φJ PB Potencial da junção V
Cj CJ Capacidade por área para Vbs=0 F/m2
Mj MJ Coeficiente de graduação da junção --
Cjsw CJSW Capacidade de perímetro por metro para Vbs=0 F/m
Mjsw MJSW Coeficiente de graduação da junção no perímetro --
FC FC Coeficiente de junção polarizada directamente --
Ccbo CGBO Capacidade entre Porta e corpo F/m
Cgdo CGDO Capacidade entre Porta e Dreno F/m
Cgso CGSO Capacidade entre Porta e Fonte F/m
Rd RD Resistência do Dreno Ω
Rs RS Resistência da Fonte Ω
Rsh RSH Resistência superficial entre fonte e dreno Ω
FEUP VGT
MOSFET 18

9
EIII
SPICE – modelo nível 2
Na região linear:
KP W  Vds  2  3 
3

IDS = . . Vgs - Vfb - 2φf - .Vds − γ (Vds - Vbs + 2φf )2 − (− Vbs + 2φf )2  
1 − λ.Vds Leff  2  3  
A tensão de limiar pode ser calculada a partir dos parâmetros físicos através da equação:
q.Nss kT   Na   N D, poly   Potencial de contacto
Vt0 = φ ms - + 2φf + γ 2φ f onde: φms = − ln  + ln   entre porta e substrato
C'ox q   ni   ni  
Na região de Saturação:
1
IDS = I D,sat ID,sat é calculado pela expressão de IDS na região linear fazendo Vds=Vd,sat
1 − λ Vds
 2 
VD, sat = Vgs - Vfb - 2φp + γ 2  1 - 1 + 2 ( Vgs - Vfb)  φp=φf
γ 
 
Na região de Inversão fraca:
Cd = Capacidade de depleção
nkT qNfs Cd
VON = V t + n =1+ +
q C'ox C'ox
 
Efeito da redução da mobilidade com o aumento de Vg
(Vgs - Von ). q 
 Ue
nkT   εs Uc .tox 
Ids = Ion.e  
KP'= KP  
 ε ox Vgs − Vt − Ut .Vds 
Ion=Ids em inversão forte, para Vgs=Von
O termo em parêntesis é limitado a 1
FEUP VGT
MOSFET 19

EIII
SPICE – modelo nível 2

SÍMBOLO SPICE DESCRIÇÃO UNIDADES

Vt para vbs=0 V
Vt VTO
Transcondutância A/V2
KP KP
γ GAMMA Efeito de corpo V1/2
PHI Potencial de superfície em inversão V
2 φf
LAMBDA Modulação de canal V-1
λ
TOX Espessura de Óxido m
tox
NSUB Dopagem de Substrato cm-3
Nb
NSS Densidade de estados de superfície cm-2
Nss
NFS Densidade de estados rápidos de superfície cm-2
Nfs
NEFF Coeficiente de carga total de depleção --
Neff
XJ Profundidade da junção metalúrgica m
Xj
LD Difusão lateral m
Xjl
TPG Tipo do material do gate* --
Tpg
UO Mobilidade
µo cm2/V.s
UCRIT Campo eléctrico crítico para mobilidade
Uc V/cm
UEXP Coeficiente exponencial para mobilidade
Ue
Coeficiente do campo transversal
--
Ut UTRA
Máxima velocidade de deriva de portadores --
vmax VMAX
Xqc Fração de carga no canal atribuída ao dreno m/s
XQC
δ DELTA Efeito da largura na tensão de limiar --
--

FEUP VGT
MOSFET 20

10
EIII
SPICE – modelo nível 3
Na região linear:
W   1 + Fb  
IDS = KP. . Vgs - Vt -  .Vds .Vds
Leff   2  

Fb =
γ .Fs
+ Fn εs.δ .π
Fn = Efeito de canal curto (W)
2 2φp - Vbs 4.C'ox.W
σ representa empiricamente a dependência
Vt = Vfb + 2φp - σ .Vds + γ .Fs 2φp - Vbs + Fn(2φp - Vbs) de Vt com Vds

8.15x1021 Xj  Xjl + Wc  Wp Xjl

σ =η η - parâmetro ETA Fs = 1 -  . 1 - −
C'ox.L3eff Leff  Xj  Xj + Wp Xj

No caso de não ser dado o valor de Kp

µs µ
µeff = µs =
µs.Vds 1 + θ (Vgs - Vt) + θVbs
1+
vmax.Leff
É usado o mesmo modelo do nível 2 para inversão fraca

FEUP VGT
MOSFET 21

11