Fundamentos de Electrónica

Transístores de Junção Bipolar

Bipolar Junction Transistor - BJT
Roteiro

 Princípios Fisícos – junção npn e pnp

 Equações aos terminais
 Modelo de pequenos sinais
 Montagens amplificadores de um único canal
 Equação de Ebers-Moll de funcionamento na
região de saturação
 Modelo de alta-frequência

Transístor de Junção Bipolar, Paulo Lopes, ISCTE 2003 2

 Transístor n-p-n
W

n p n

Emissor Colector

Base
Junção base-emissor Junção base-colector

 Semelhante a dois díodos costas com costas, mas,

 Largura de base, W, é muito pequena!
 Três zonas de operação
 Zona de corte – Ambas as junções ao corte
 Zona de activa – Junção B-E ON Junção B-C OFF
 Zona de saturação – Ambas as junções ON

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Funcionamento na Zona Activa
A Junção BE emite electrões que
se deslocam para o colector
Emissor n p n Colector

Ie Ic

Base
I
Junção Polarizada Junção Polarizada
directamente Ib inversamente

 Na zona activa temos a junção BE polarizada inversamente e a

junção BC polarizada inversamente
 Os electrões responsáveis pela condução de corrente na junção
base emissor atravessam a pequena base e são recolhidos no
colector!

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Perfil da Densidade de Portadores
Vbe Vcb
Emissor (n) Colector (n)
O Campo eléctrico
n(x) n p (0) Base (p) remove os electrões
livres
p(x)

Linear já que
I W W << Ld
Largura efectiva de base

 A densidade de electrões livres decresce na base. No colector os

electrões livres são removidos pelo campo eléctrico.
 Como a base tem um comprimento bastante inferior ao comprimento
de difusão este decréscimo é linear.
 A base (tipo-p) é bastante menos dopada que o emissor (tipo-n) logo
a concentração de lacunas é bastante inferior à concentração de
electrões livres.

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Corrente maioritária A tensão Vbe aumenta
com a concentração de
Vbe
Emissor (n) Colector (n)
n p (0)
Vcb electrões livres no
n(x)
Base (p) emissor
p (x)

I
2 v BE
W
n
d n p ( x) n p0  i
n p (0)  n p 0 e vT

iC  in   AE q Dn  NA
dx
2
n p (0) AE q Dn n vBE / vT
AE q Dn
W iC  e i
NAW
 O emissor (tipo-n) é muito mais dopado que a base (tipo-p) donde
resulta que a corrente é maioritariamente formada por electrões
livres, que se deslocam directamente do emissor para o colector!
 O aumento da corrente aumenta a concentração de electrões livres
no emissor que aumenta o valor de Vbe.

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Corrente maioritária
Vbe
Emissor (n) Vcb Colector (n)
n(x) n p (0)
Base (p)
p (x)

I
W

2
AE q Dn n
iC  I S e vBE / vT
IS  i
NAW

 O Transístor na zona activa comporta-se como um

díodo polarizado directamente com uma corrente
de saturação dada por “Is”, mas em que corrente
flúi num terceiro terminal denominado de colector!

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Corrente na base
 A corrente da base tem duas iB  iB1  iB 2
componentes:
 iB1 = Corrente minoritária devido às
lacunas que se deslocam da base para o AE q D p ni2
emissor. Equação equivalente à corrente iB1  evBE / vT
de lacunas de uma junção p-n.
N D Lp
 iB2 = Corrente de reposição dos electrões que se recombinam com as
lacunas ao atravessarem a base.
Tempo médio que um electrão
Carga
Qn demora até se recombinar com
armazenada
iB1  uma lacuna
na base
B
1 1 AE q W ni2 vBE / VT
Qn  AE q  n p (0) W iB 2  e
2 2 B NA

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Ganho de corrente do Transístor
Combinando as equações anteriores
1
iC   iB 
Dp N A W 1 W 2

Dn N D LP 2 Dn B
Temos ainda a
relação de Einstein: Dn B  L2n

 Deve-se notar que:

 Beta aumenta com a diminuição da largura da base

 Beta aumenta com a concentração de impurezas no emissor e

diminui com a concentração de impurezas na base.
 Beta é normalmente considerado constante para um dado
transístor

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Equações para as correntes
Colector

iE  iB  iC iC   iB Ic

iE  iB   iB  (   1) iB

n
Base

Ib

p
iC   iE 


n
Ic  1 Ie

Emissor
Ib
Ie

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Modelos equivalentes (npn)
C C
B

iC  I S evBE /VT iB  iC / 
B
iC  I S evBE /VT
iE  iC / 
E E

C
C
B
iC   iE
B IS iC   iB
iB  e vBE / VT

iE 
IS
e vBE / VT 

E E

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Símbolo

 O símbolo do transístor npn é baseado no

seu modelo equivalente
colector

Ic
emissor
B
Ib
Ie
E
base

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Tecnologia
 Os transístores nos circuitos integrados modernos
são em geral construídos através da adição de
impurezas a uma bolacha de semicondutor.
Transístor planar Transístor vertical
Corte
Contactos vertical Transístor
E B C E B C
metálicos

n n n p n

p
Bolacha de
Silício
Substrato de Silício

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Transístor pnp
W
p n p
Emissor Colector
Base
emissor

Ie
base  O emissor injecta lacunas na base que
passam directamente para o colector.
 As equações são em tudo semelhantes
Ib às do transístor npn.
Ic

colector

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Modelos equivalentes (pnp)
E
E

iE  iC /  iC  I S evEB /VT
B
iB  iC / 

iC  I S evEB /VT B
C

E E
IS
iE  e vEB / VT IS
B
 iB  evEB / VT iC   iB

iC   iE C
B
C

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Funcionamento na Zona Activa
npn pnp
Ic
Ib VEB Ie
VCE
VEC

VBE
Ie Ib Ic

VCE  0.2V JBE ON

VEC  0.2V JCB ON

iC  I S e vBE / VT
iC  I S e vEB / VT

   /(   1) iC   iB iC   iE
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Zona de Saturação
 A junção Base-Colector começa a conduzir para Vbc=0.5V
donde resulta que na entrada na zona de saturação
podemos considerar Vce=0.2
Modelo para o transístor na zona de saturação

C
C Modelo simplificado
0.5V
B C
0.2V
0.2V
B 0.7V
B
0.7V
E
E E

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Curvas Características dos Transístores
Q1
2N3903 V2
12V

 Zona Activa I1
50uA

Ib=60uA

Ib=20uA

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Zona Activa Inversa
 Zona Activa Inversa
 O transístor é um dispositivo aproximadamente simétrico, de tal
forma que se trocarmos o emissor com o colector obtemos um
novo dispositivo, que continua a funcionar como um transístor.
 No entanto o colecto é em geral menos dopado que o colector,
donde resulta que o novo  (R) é bastante mais pequeno.
 Trocar o emissor com o colector corresponde utilizar um valor
de VCE negativo.

Ie
VEC  0.2V JBC ON
Ib
VCE
iE  I S e vEB / VT

VBE Ic iE   R iB iE   R iC

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Curvas Características

 R  

Zona activa

Zona saturação

Zona activa
inversa

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O Efeito da Temperatura
Sensibilidade á Temperatura

 Vbe varia cerca de 1,2

–2mV/ºC para valores
semelhantes de Ic 1

 Beta do transístor
0,8
tipicamente aumenta
com a temperatura 0ºC

Ic (A)
0,6 27ºC
60ºC
0,4

Q1
2N3903 V2 0,2
12V

V1
0
1V
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1
Vbe (V)

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Efeito de Early
Mesmo na zona activa existe uma Q1
2N3903 V2
12V

pequena dependência de Ic com Vce. Tal I1

50uA

deve-se a uma diminuição da largura

efectiva da região de base, devido ao
alargamento da região de depleção da
junção CE. Efeito de Early.
 vce 
ic  I S e vBE / vT
1  
 VA 
Tensão de
Early

VA

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Aproximação de pequenos sinais
Modelo 
Modelo T
C C
B
+ r iC  gm. vBE
v
- iC  gm. v B
iC   iE
E iC   . iB re
IC
gm  E
VT VT  gm 
IC
r  
iB gm VT
VTr
re  
 iB
Nota: v  vBE

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Incorporando o efeito de Early
Modelo  aumentado

C ro modela o efeito de Early.

B
Pode ser considerado
+ r como a resistência de
v rO
saída da fonte de corrente.
-

E
VA
rO 
IC

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Polarização
 Polarização: escolha do ponto de funcionamento em repouso
com uma fonte de tensão.
 Como regra de polegar é usual distribuir a tensão igualmente
por Rc, Vce e Re: I R  V  I R
C C CE E E
R2
VCC
VB  VCC RB  R1 // R2
VCC R1  R2
VB  VBE
IE 
RE  RB /(   1)
VB Rc
Rc
R1

Rb
Para que IE seja insensível a
variações de temperatura e de 
devemos ter
Equivalente de
VBB  VBE
R2
VB
Re
Thévenin Re
IE 
RE  RB /(   1) RE

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Polarização
 A polarização com duas
fontes de tensão permite
reduzir o consumo, etc…
VCC
 Polarização com uma fonte de
corrente permite aumentar a
impedância vista da base, etc…

VCC VCC

VEE  VBE
IE 
RE  RB /(   1)
Rc

R1 Rc
Rb

I E1  I E 2 
Re VCC  VEE  VBE
R1
IC   I E
VEE
VEE

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