Transporte de Pacote de Ondas em Fios Quânticos Não Ramificados E Ramificados

UNIVERSIDADE FEDERAL DE MATO GROSSO
INSTITUTO DE FÍSICA
PROGRAMA DE PÓS-GRADUAÇÃO EM FÍSICA
TRANSPORTE DE PACOTE DE ONDAS EM FIOS

QUÂNTICOS NÃO RAMIFICADOS E RAMIFICADOS
Alice Regina de Almeida
- Cuiabá -
31 de outubro de 2016
UNIVERSIDADE FEDERAL DE MATO GROSSO
INSTITUTO DE FÍSICA
PROGRAMA DE PÓS-GRADUAÇÃO EM FÍSICA
TRANSPORTE DE PACOTE DE ONDAS EM FIOS

QUÂNTICOS NÃO RAMIFICADOS E RAMIFICADOS
Dissertação apresentada ao programa de pós-graduação

do Instituto de Física da Universidade Federal de Mato
Grosso como parte dos requisitos necessários para
obteção do título de mestre em Física.
Orientador: Prof. Dr. Teldo Anderson da Silva Pereira
Co-orientador: Prof. Dr. Ariel Adorno de Sousa
-Cuiabá -
31 de outubro de 2016
Dados Internacionais de Catalogação na Fonte.
A447t ALMEIDA, ALICE REGINA DE.

TRANSPORTE DE PACOTE DE ONDAS EM FIOS QUÂNTICOS NÃO
RAMIFICADOS E RAMIFICADOS / ALICE REGINA DE ALMEIDA. -- 2016
60 f. : il. color. ; 30 cm.
Orientador: Teldo Anderson da Silva Pereira.

Co-orientador: Ariel Adorno de Sousa.
Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Mato Grosso, Instituto de
Física, Programa de Pós-Graduação em Física, Cuiabá, 2016.
Inclui bibliografia.
1. TRANSPORTE. 2. FIOS. 3. QUANTICOS. 4. SEMICONDUTORES. I.

Título.
Ficha catalográfica elaborada automaticamente de acordo com os dados fornecidos pelo(a) autor(a).
Permitida a reprodução parcial ou total, desde que citada a fonte.

Agradecimentos
À Deus em primeiro lugar por ter me dado capacidade de vencer mais uma etapa na
minha vida prossional, em especial ao meu esposo Reinaldo e ao meu lho Guilherme
pela motivação diária e necessária em todos os momentos, à minha mãe Marlene e ao meu
pai Antonio pelo amor, cuidado e carinho nas horas mais difíceis, aos meus irmãos, Aline
e Alexandre pelo cuidado e apoio.
Ao meu orientador Professor Dr. Teldo Anderson da Silva Pereira que sempre me
motivou e me apoiou diante de tantas adversidades desde a graduação quando fui sua
aluna de iniciação cientica, ao meu coorientador Professor Dr. Ariel Adorno pela sua
contribuição signicativa neste trabalho.
A todos os meus colegas de mestrado, em especial a Patricia, Ana Paula, Renan,
Fabrício, João Paulo e Jeny, nalmente agradeço ao Instituto de Física da UFMT pela
oportunidade e a CAPES pelo apoio nanceiro.
Resumo
Nas últimas décadas a sociedade presenciou um grande salto tecnológico na produção

e miniaturização de dispositivos eletrônicos com impactos signicativos no cotidiano das
pessoas. Este avanço teve por base pesquisas em Física da Matéria Condensada, na qual a
Física de Materiais e Dispositivos Semicondutores tem posição de destaque. Dentro desse
contexto, a descrição Teórica e experimental do transporte de partículas em sistemas de
baixa dimensionalidade, os quais constituem a peça fundamental da construção de um
dispositivo eletrônico, tem grande importância. No presente trabalho, apresentamos uma
pesquisa teórica do transporte de elétrons em sistemas semicondutores formados por os
quânticos obstruídos com barreiras e fendas e os quânticos ramicados por multicanais
para saída de elétrons. O modelo teórico aplicado se baseia na solução numérica da
equação de Schrödinger dependente do tempo, usando a abordagem da aproximação da
massa efetiva, do formalismo matemático da função envelope e a técnica de separação
de operadores denominada split-operator. Os valores da energia cinética dos pacotes de
ondas usados neste trabalho estão no intervalo de 70 à 200 meV. O objetivo é investigar a
dinâmica do transporte de elétrons sob efeito de espalhamento produzido por potenciais
de obstrução e pela geometria do dispositivo. Os os quânticos são formados por materiais
semicondutores com largura de 10 nm, e os potenciais são do tipo connamento ao longo
da direção y e dos tipos barreira simples, fenda simples e dupla ao longo da direção x.
Os os quânticos ramicados são formados por um canal para injeção de elétron e três
canais para saída.
Abstract
In recent decades the society has witnessed a major technological leap in production
and miniaturization of electronic devices, with a signicant impact on people's daily li-
ves. This advance was based on research in Physics of Condensed Matter, in which the
Physics of Semiconductor Materials and Devices has a prominent position. In this con-
text, the theoretical and experimental description of carriers transport in low-dimensional
systems, which are the cornerstone of the construction of an electronic device, is of great
importance. In this work, we present a theoretical research of electron transport in semi-
conductor systems formed by quantum wires blocked by barriers and slits potentials, and
also, branched quantum wires based on multi-channels output for electron. The applied
theoretical model is based on the numerical solution of the time dependent Schrödinger
equation, account for the eective mass approach, the envelope wave function mathe-
matical formalism and technique based on operators separation, namely split-Operator.
The wave packet kinetic energies values range from 70 to 200 meV. We are aiming to
investigate the dynamics of electron transport and scattering eect produced by potential
obstruction and the device geometry. The quantum wires are formed by semiconductor
materials with a 10 nm width, wich the potentials are like-connement potential along
the y direction and simple barrier, single and double slit along the x direction. Branched
quantum wires are formed by one channel for electrons input and for three channels for
electrons output.
Sumário
Agradecimentos iii
Resumo iv
Abstract v
Lista de Figuras vi
Lista de tabelas x
1 Introdução 14
1.1 Nanoestruturas semicondutoras:
Poços, os, anéis, pontos e canais quânticos. . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
2 Modelo teórico 24
2.1 Equação de Schrödinger para um cristal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.2 Aproximação Adiabática . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
2.3 Teoria da Massa Efetiva . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
2.4 Aproximação da Função Envelope . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
2.5 Descrição teórica para propagação de pacote de ondas em nanoestruturas
semicondutoras . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
2.5.1 Técnica de solução da equação de Schrödinger dependente do tempo:
Propagação em Tempo Real . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
3 Fios Quânticos Semicondutores 39

3.1 Descrição teórica do modelo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
3.2 Resultados e Discussões . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
4 Propagação de pacotes de ondas em Fios Quânticos ramicados 49

5 Conclusões e Perspectivas 57
Lista de Figuras
1.1 Campos de estudo multidisciplinares da nanociência. . . . . . . . . . . . . 15
1.2 Escala de comprimento com comparação de dispositivos eletrônicos e exem-
plos de micro-organismos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
1.3 (a) Primeiro transistor criado por John Bardeen, Walter Brattain e Willian
Shockley (b). (c) Protótipo do primeiro circuito integrado. (d) Primeiro
transistor comercializado seguido de sua primeira aplicação (e) um aparelho
auditivo. (f) 4004, primeiro processador fabricado da IBM, utilizado em
calculadoras. (g) 8080, primeiro processador usado em computadores e (h)
processador comercializado atualmente com maior número de transistores,
o Intel Core i7 que possuí 55 milhões de transistores. . . . . . . . . . . . . 17
1.4 (a)Imagem de Micrograa por microscopia eletrônica de transmissão (TEM)
de uma heterointerface AlAs/GaAs retirado da referência [22], (b)Representação
esquemática de uma heterojunção entre dois semicondutores com valores
diferentes de gaps, formando degraus de potencial para o elétron na banda
de condução e para o buraco na banda de valência. . . . . . . . . . . . . . 19
1.5 (Em cima) Morfologia esquemática e (em baixo) densidade de estados para
portadores com diferentes dimensionalidades: (a) bulk, (b) um poço quân-
tico, (c) o quântico e (d) ponto quântico. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
1.6 Perl do potencial de connamento de elétrons em um (a) poço quântico e
(b) o quântico. O potencial de um ponto quântico é idêntico ao perl de
potencial de um o quântico. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
1.7 (A) Imagem de um ponto quântico GaAs obtida por Microscopia de Força
Atômica, (B) Triplo anel concêntrico e (C) Anel/disco quântico [35]. . . . . 22
1.8 (a)Esquema de funcionamento de um MOSFET. (b) Hall Bar [34] . . . . . 23
2.1 (a) Banda de condução e valência devido a aproximação de um grande

número de átomos em um sólido semicondutor.(b) Bandas de energia em
um semicondutor GaAs. As regiões hachuradas mostram os elétrons com
T > 0K . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.2 (a) Estrutura cristalina Zincblend do semicondutor GaAs (b) Primeira zona
de Brillouin com indicação de pontos e direção de alta simetria no espaço
recíproco e (c) Estrutura de bandas de energia. . . . . . . . . . . . . . . . 26
viii
2.3 Grid de discretização para aplicação de derivadas pelo método de diferenças

nitas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
3.1 Pers de potencial para três canais estudados: (a) canal com barreira, (b)
canal com uma fenda e (c) canal com dupla fenda. WB é a largura das
barreiras. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
3.2 Transmissão em função da energia do pacote de ondas, para 3 valores da
largura da barreira WB . As linhas azuis indicam WB = 0.5 nm, linhas
vermelhas indicam WB = 1.0 nm e linhas pretas indicam WB = 2.0 nm,
sendo linhas sólidas a transmissão e linhas tracejadas reexão. . . . . . . . 44
3.3 Corrente de probabilidade em função do tempo para pacote de ondas pro-
pagando a partir do estado fundamental com energia cinética igual a ε1 (li-
nha sólida preta), ε2 (linha tracejada vermelha) e para ε3 (linha pontilhada
azul). A linha traço ponto em verde representa a corrente de probabilidade
em função do tempo, considerando energia cinética igual a ε3 e pacote de
ondas propagado a partir do primeiro estado excitado. . . . . . . . . . . . 45
3.4 (a) Auto-energias de um poço quântico nito em função da largura do canal
(b) Diagrama representando as bandas de energia do estado fundamental
e 1o estado excitado em função do vetor de onda, para um poço quântico
com largura L = 10 nm. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
3.5 Módulo quadrado da função de onda em quatro instantes de tempo dife-
rentes, propagado a partir do estado fundamental com energia cinética ε3 .
A primeira coluna mostra o instante t=300 f s, enquanto que as colunas
seguintes mostram, respectivamente, os instantes t=600 f s, t=1.200 f s e
t=12.600 f s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
4.1 Pers de potencial para os sistemas investigados, compostos por 1 canal de

entrada para injeção do pacote de onda e 3 terminas de saída, os canais
possuem 10 nm de largura inclusive o canal vertical. . . . . . . . . . . . . 50
4.2 Probabilidades de transmissão e reexão em função da energia cinética do
pacote de ondas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
4.3 Módulo quadrado da função de onda em quatro instantes diferentes, pro-
pagado a partir do estado fundamental. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
4.4 Módulo quadrado da função de onda em quatro instantes diferentes, pro-
pagado a partir do primeiro estado excitado. . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
4.5 Corrente de probabilidade em função do tempo para quatro valores de
energia cinética do pacote de onda, sendo eles: Linha sólida preta, 70 meV;
Linha tracejada vermelha, 140 meV; Linha pontilhada azul, 180 meV no es-
tado fundamental; e linha tracejada pontilhada verde, 180 meV propagada
no primeiro estado excitado. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
ix
4.6 Condutância em função da energia do pacote de ondas em cada canal de

saída, sendo a linha sólida preta a condutância no canal de saída T1 , a linha
tracejada vermelha a condutância no canal de saída T2 e a linha traço ponto
azul a condutância no canal de saída T3 , calculado para os quatro sistemas
estudados (a), (b), (c) e (d). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
Lista de Tabelas
1.1 Sistemas de dimensionalidade reduzida e seus respectivos números de graus
de liberdade Dl e de connamento Dc . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
3.1 Parâmetros da liga semicondutora Gax In1−x As. . . . . . . . . . . . . . . . 40

Capítulo 1
Introdução
O estudo de materiais em escala nanométrica ganhou importância signicativa em
meados do século XX. Os nanomateriais levaram ao surgimento de uma nova ciência
multidisciplinar e de grande potencial para a aplicação tecnológica, denominada de na-
nociência. As áreas da nanociência e da nanotecnologia ultrapassaram rapidamente os
limites da academia e da industria, tendo atingido o público em geral e trazendo consigo
profundas transformações de costumes e comportamentos, alimentando tanto a imagina-
ção da indústria quanto da cção cientíca. A Figura 1.1 ilustra o caráter multidisciplinar
da nanociência e os ramos de aplicação tecnológica que surgem desta multidisciplinari-
dade. O prexo nano vem do grego nanós e signica excessiva pequenez. No Sistema
Internacional de unidades, denota um fator de 10−9 , que designa uma parte em um bilhão,
assim as nanociências lidam com sistemas com dimensões da ordem de um bilionésimo
do metro. Nesta escala o número de átomos que contém um determinado material chega
a ser contável. Para melhor ilustrar a ordem de grandeza da escala nano, a Figura 1.2
apresenta uma escala de comprimento de objetos que variam de 1 m à 0.1 nm, com ênfase
para a seção entre 100 nm e 1 nm. A escala de interesse para a nanociência e suas aplica-
ções é de 100 nm até escalas atômicas, aproximadamente 0,2 nm. Este grande interesse
surgiu no nal da década de 1950 quando os primeiros conceitos de nanotecnologia foram
introduzidos por Richard Feynmam em uma palestra intitulada There's plenty of room
at the bottom , que traduzindo para o português signica Há muito espaço na parte de
baixo"[1]. Neste contexto, a física de semicondutores e a nanotecnologia tem se tornado
interconectados.
Desde a fabricação do primeiro transistor em 19471 , até os dias atuais, o estudo dos
materiais semicondutores tem tido um papel fundamental no avanço tecnológico de dispo-
sitivos e equipamentos. Considerado uma das grandes invenções do século XX, o transistor
quando foi construído em uma escala macroscópica, da ordem de dois décimos de um me-
tro, não demorou muito para ter o seu primeiro modelo aperfeiçoado. Avanços na pesquisa
1 O primeiro transistor foi criado por John Bardeen (1908-1991), Walter House Brattain (1902-1987)
e Willian Bradford Shockley (1910-1989) os quais foram contemplados em 1956 pelo prêmio Nobel em
Física.
15
N O TECNOLOGI
NA Cosméticos
A
Lubrificantes
Implantes
Aditivos
Medicamentos
Bio-quimica
Bio-física Moléculas
Catalisadores
Sistemas Medicina
Imunológicos
DNA Polímeros
Biologia Química Lasers

Células
Combustíveis
Sistemas
naturais
Nanociência Semicondutores
Informática Física
Nanoestruturas
Ferramentas Engenharia Quântica

Mundo
virtual
Simuladores Processadores
Materiais
Games Eletrônica
Cerâmicas
Computação
quântica
Chips de Equipamentos
computadores Militares
Figura 1.1: Campos de estudo multidisciplinares da nanociência.
em física do estado sólido, e em especial em semicondutores como silício e germânio, permi-

tiram que os transistores ganhassem rapidamente a industria eletrônica, tomando o lugar
das problemáticas válvulas eletrônicas. Em 1958 Jack Kilby, trabalhando para a empresa
"Texas Instruments", teve a ideia de fabricar o protótipo de um dispositivo, integrando
em um mesmo material, um capacitor, uma resistência e um transistor, como ilustrado na
Figura 1.3(c). Este protótipo viria a ser o primeiro circuito integrado da história. Ainda
na Figura 1.3, é mostrado, além dos criadores do primeiro transistor na Figura 1.3(b),
a evolução do transistor até os dias atuais. Na Figura 1.3(d) temos o primeiro transis-
tor comercializado e na 1.3(e) o seu primeiro uso em um aparelho auditivo. A Figura
1.3(f) mostra o primeiro processador, o intel 4004 que possuía 2.300 transistores, a 1.3(g)
mostra o primeiro processador usado em computadores, o intel 8080 que possuía 6.000,00
transistores, e na 1.3(h) temos o processador corei7 da intel, o processador comercial com
velocidades de processamento extremamente rápidas e desempenho máximo, mesmo nas
tarefas e games com alto gasto de processamento.
Em 1965 o então presidente da Intel, Gordon Earle Moore, publicou um artigo [2]
enfatizando que a miniaturização vinha permitindo dobrar o número de transistores em
16
100nm 1m TV 60
Vírus pol
-1
90nm 10 m
-2
Primeiro
80nm 10 m Transistor
(1cm)
-3
70nm 10 m
(1mm)
Resistor
-4
1/16W
60nm 10 m
Fio de cabelo
-5
50nm 10 m
40nm 10-6m
(1mm)
Folha plástica
-7
30nm 10 m semicondutora orgânica
com transistores
-8
20nm 10 m
-9
Proteinas 10nm 10 m
(1nm) Nanotubo de
1nm -10
10 m Carbono
Fita de
DNA
Figura 1.2: Escala de comprimento com comparação de dispositivos eletrônicos e exem-

plos de micro-organismos
circuitos integrados, sem que os custos de fabricação alterassem, tendência que segundo
Moore, iria se manter por dez anos. Entretanto, em 1975 Moore atualizou a previsão,
profetizando que o número iria dobrar a cada 24 meses, e que esta tendência deveria
continuar, imprimindo na história da eletrônica desta forma à celebre lei de Moore. Nas
últimas décadas o crescimento do número de transistores foi observado a cada 18 meses.
Desde então, temos com o passar dos anos uma crescente miniaturização de componentes
eletrônicos, acompanhada de uma explosão de aplicações tecnológicas, que vão desde
computadores de mão (smartfones, tablets, notebooks), smart tv, supercomputadores,
à veículos de transporte (carros, aviões, etc.), modicando profundamente, e de forma
irreversível, a forma como a sociedade se comunica, se desloca e, principalmente, como se
comporta.
O desenvolvimento de técnicas de crescimento de lmes nos, com alta qualidade, como
crescimento por epitaxia molecular (MBE) [3] e deposição por vapor químico (MOCVD)
[4], tornou possível o grande avanço de dispositivos semicondutores, a partir da década de
70, mantendo a lei de Moore vigente até os dias atuais. Naturalmente, a lei de Moore não
deve continuar indenidamente, tendo em vista que tais processos de litograa irão esbar-
rar em leis físicas, o que deve ocorrer, segundo previsões da indústria de semicondutores,
até o ano de 2020. Os conhecimentos acumulados no decorrer destes anos possibilitaram
integrar grandes quantidades de circuitos sobre um mesmo substrato semicondutor. A
funcionalidade e o benecio do dispositivo estão diretamente relacionados ao número de
circuitos integrados no substrato semicondutor. Com isso, a diminuição das dimensões dos
17
(a) (b) (c)
(d) (e) (f) (h)
(g)
Figura 1.3: (a) Primeiro transistor criado por John Bardeen, Walter Brattain e Willian
Shockley (b). (c) Protótipo do primeiro circuito integrado. (d) Primeiro transistor comer-
cializado seguido de sua primeira aplicação (e) um aparelho auditivo. (f) 4004, primeiro
processador fabricado da IBM, utilizado em calculadoras. (g) 8080, primeiro processador
usado em computadores e (h) processador comercializado atualmente com maior número
de transistores, o Intel Core i7 que possuí 55 milhões de transistores.
dispositivos aumenta o desempenho e reduz o consumo de energia, e esta equação econô-

mica explica a imensa evolução registrada no mercado da eletrônica nas últimas cinco
décadas, valendo-se da tecnologia planar de fabricação de circuitos integrados [5]. Por
outro lado, conforme se miniaturiza os circuitos integrados os transistores cam menores,
passando a ser formados por um número menor de átomos, o que torna cada vez mais
complexo manter integridade de sinais e o controle de correntes de fuga. Desta forma, a
medida que o ano de 2020 se aproxima, a criação de novas gerações de circuitos integrados
torna-se mais desaadores para os cientistas e para a industria de semicondutores.
Novos ramos na pesquisa tem apontado para o uso de materiais bidimensionais (gra-
feno, fósforo negro, seleneto de molibdênio, etc..), nanotubos de carbono e computadores
quânticos. Por outro lado, estruturas semicondutoras de baixa dimensionalidade ainda
vêm sendo intensivamente abordada na literatura, tanto do ponto de vista da física básica
fundamental, voltada para pesquisas acadêmicas, quanto do ponto de vista da aplicação
tecnológica e do mercado industrial. O imenso desenvolvimento de dispositivos ópticos,
eletrônicos e circuitos integrados, impulsionado por uma moderna evolução tecnológica,
é motivado por avanços provenientes de pesquisas multidisciplinares, (que estabelecem
relacionamentos de áreas como física, química, matemática, ciências dos materiais, entre
1.1. NANOESTRUTURAS SEMICONDUTORAS:
POÇOS, FIOS, ANÉIS, PONTOS E CANAIS QUÂNTICOS. 18
outras) e pelo desenvolvimento de novos conceitos sobre dispositivos.

Em especial, a física de semicondutores tem focado em estudos de estruturas com
dimensionalidades reduzidas como poços, os e pontos quânticos, e cujas partículas como
elétrons e buracos possuem nestas nanoestruturas um (dois), dois (um) e três (zero) graus
de connamento (liberdade), respectivamente. O surgimento destas estruturas se deve a
avanços em processos de crescimento de materiais semicondutores, como Si, Ge, AlAs,
GaAs, entre outros, por processos de litograa, o qual possibilita crescimentos epitaxiais
[3] e por evaporação [4] em diferentes geometrias. As propriedades ópticas e eletrônicas
destes sistemas, dependem fortemente das dispersões de energia de elétrons e buracos,
em bandas de energia dos materiais semicondutores que compõe as nanoestruturas. O
connamento surge quando materiais semicondutores, com diferentes estruturas de bandas
de energia são crescidos um sobre o outro, ou sobre óxidos como SiO2 ou óxidos com altas
constantes dielétricas (high-k dielectrics) como Al2 O3 , HfO2 , SrTiO3 , etc..[6].
1.1 Nanoestruturas semicondutoras:

Poços, os, anéis, pontos e canais quânticos.
Os avanços na fabricação e nanoestruturação de composto semicondutores ocorridos
nas últimas duas décadas abriram oportunidades para combinação de diferentes formas de
dispositivos em escala nanométrica [7, 8, 9, 10]. Muitas técnicas e métodos de fabricação
destas nanoestruturas foram criadas neste período, dentre as quais destacam-se o cres-
cimento auto-organizado em uma câmara MBE [11, 12, 13], técnica split-gate usada na
fabricação de canais quânticos estreitos para transporte de elétrons [14]; litograa AFM,
que pode ser usado para criar diferentes nanoestruturas experimentais [15, 16], entre ou-
tros. Os pioneiros no desenvolvimento de semicondutores nanoestruturados, foram Zhores
I. Alferov e Herbet Krömer, agraciados com o prêmio Nobel em Física no ano de 2000
pelo desenvolvimento de heteroestruturas semicondutoras, seguindo o trabalho de R. Tsu
e L. Esaki [17, 18] que deram os primeiros passos em 1970, propondo um estudo sobre
transporte eletrônico em superredes. O primeiro trabalho experimental relacionado com
heteroestruturas foi publicado em 1974 por Esaki e Chang [19], que estudaram proprie-
dades de transporte eletrônico em estruturas periódicas de GaAs/AlAs, preparadas por
MBE, denominadas superredes. O Prêmio Nobel de Física 1973 foi dividido parte por
Leo Esaki e Ivar Giaever, por suas descobertas experimentais referentes a fenômenos de
tunelamento em semicondutores e supercondutores, respectivamente, e a outra metade
por Brian David Josephson, por suas previsões teóricas das propriedades um supercor-
rente através de uma barreira de túnel, em particular os fenômenos que são geralmente
conhecidas como os efeitos de Josephson [20].
Quando se unem dois diferentes materiais semicondutores, algumas propriedades va-
riam com a posição como o espaçamento interatômico, gap de energia, massa efetiva e
constantes dielétricas [21]. O não alinhamento das bandas de energia destes materiais
E
(a) (b) BC
E
BC
AlAs
y
GaAs z
y
z
BV
BV
Figura 1.4: (a)Imagem de Micrograa por microscopia eletrônica de transmissão (TEM)

de uma heterointerface AlAs/GaAs retirado da referência [22], (b)Representação esque-
mática de uma heterojunção entre dois semicondutores com valores diferentes de gaps,
formando degraus de potencial para o elétron na banda de condução e para o buraco na
banda de valência.
na interface da heterojunção se comporta como degraus de potencial que limitam o mo-

vimento de elétrons na banda de condução e buracos na banda de valência, ver Figura
1.4.
Se crescermos uma heteroestrutura de forma a envolver um material do tipo A por
um material do tipo B, o desalinhamento das bandas de energia destes materiais formam
regiões de connamento para elétrons e buracos. O connamento destes portadores pode
ocorrer em uma, duas ou três dimensões, em heteroestruturas denominadas poços (2D),
o (1D) e pontos quânticos (0D), respectivamente. É comum na literatura denominar os
quânticos de nanoos, enquanto que pontos quânticos são também denominados átomos
articiais, pois, assim como em átomos, os estados eletrônicos são quantizados e a carga
total é restrita a um pequeno número inteiro de elétrons [23, 24].
A dimensionalidade destas heteroestruturas está relacionada ao número de graus de
liberdade Dl ou, de forma equivalente, ao número de graus de connamento Dc dos porta-
dores elétrons e buracos. Um quadro resumido de quatro tipos de sistemas semicondutores
Tabela 1.1: Sistemas de dimensionalidade reduzida e seus respectivos números de graus

de liberdade Dl e de connamento Dc .
Sistemas quânticos Dl Dc
Bulk 3 0
Poço quântico 2 1
Fio quântico 1 2
Ponto quântico 0 3
de baixa dimensionalidade é mostrado na Tabela 1.1. Em um semicondutor do tipo bulk

os portadores tem liberdade para se mover em qualquer direção (Dl = 3), não possuindo
nenhum grau de connamento (Dc = 0). No poço quântico, o portador tem seu movi-
mento limitado na direção de crescimento da heteroestrutura (Dc = 1), e dois graus de
liberdade (Dl = 2) no plano do poço quântico. No o quântico, a partícula pode se mover
ao longo do eixo de crescimento do o (Dl = 1) e é connado no plano do o (Dc = 2).
Já em um ponto quântico a partícula é connada em todas as direções (Dc = 3), não
possuindo nenhum grau de liberdade (Dl = 0). Note que na Tabela 1 a relação entre grau
de liberdade e de connamento obedece à equação Dl + Dc = 3.
O connamento espacial dos portadores em semicondutores de baixa dimensionalidade
resulta em uma relação energia-momento diferente, na direção de connamento, que por
consequência, resulta em uma densidade de estado completamente nova, em comparação
com o caso bulk, como pode ser visto na Figura 1.5. A medida que a dimensionalidade
é reduzida, a densidade de estado deixa de ser continua, ou quase-continua, e se torna
quantizada. No caso de pontos quânticos, os portadores ocupam apenas um conjunto
restrito de níveis de energia, como ocorre com elétrons em um átomo, e por esta razão,
pontos quânticos são muitas vezes referidos como átomos articiais. Entretanto, é impor-
tante frisar que em um ponto quântico de semicondutores existem centenas de milhares
de átomos.
Se o movimento dos portadores em um semicondutor é limitado devido à uma redução
da dimensionalidade da ordem do comprimento de onda de de Broglie, efeitos de quanti-
zação da energia são observados. Desta forma, a escala de comprimento dos dispositivos
formados por esses sistemas de dimensionalidade reduzida deve ser da ordem do compri-
mento de onda de de Broglie do portador. O comprimento de onda de de Broglie em um
semicondutor depende da massa efetiva do portador m∗ e da temperatura, na forma [25],
[26]
h h
λ= =√ ∗ . (1.1)
p 3m Kb T
Os efeitos da quantização podem ser importantes mesmo em estruturas com escala da

ordem de 10 a 100 vezes o valor da constante de rede do material.
A Figura 1.6 (a) mostra o perl de um potencial de connamento de elétrons (Banda
de condução) e buracos (Banda de valência) em um poço quântico formado devido ao não
alinhamento das bandas de energias. Na Figura 1.6(b) mostra o perl de connamento em
um o (ou ponto) quântico. Pode-se observar que a diferença entre os gaps dos materiais
é igual a soma dos potencias que connam os portadores:
E g A − E g B = ∆E e + ∆E h (1.2)
Z (a) (b) (c) (d)
D(E) D(E) D(E) D(E)
Ec E E E E
Figura 1.5: (Em cima) Morfologia esquemática e (em baixo) densidade de estados para
portadores com diferentes dimensionalidades: (a) bulk, (b) um poço quântico, (c) o
quântico e (d) ponto quântico.
sendo ∆E e o potencial que conna elétrons, ∆E h o potencial que conna buracos, E g A

o gap do material que forma a barreira da estrutura e E g B o gap do material que forma
a região do poço. A Eq. (1.2) não fornece diretamente os valores de ∆E e e ∆E h . Estes
valores podem ser calculados através das relações:
∆Ee = Qc EgA − EgB

(1.3)
∆Eh = Qv EgA − EgB ,

(1.4)
onde as grandezas Qc e Qv são denominadas band-o-set de condução e band-o-set de

valência, respectivamente. O band-o-set é um parâmetro do material obtido por métodos
experimentos [25, 26, 27]. Ao crescermos uma heterojunção o band-o-set dá o valor da
fração da diferença EgA − EgB que conna elétrons Qc e a fração que conna buracos Qv ,
sendo que Qc + Qv = 1.
Além de poços, os e pontos quânticos outras nanoestruturas tem atraído a atenção de
pesquisadores nos últimos anos, como por exemplo é o caso de anéis quânticos. Os anéis
quânticos são heteroestruturas crescidos por um material semicondutor com diferentes
propriedades, como mostra a imagem de um ponto InAs/GaAs na Figura 1.7, produzida
por microscopia de força atômica. Além de InAs/GaAs outros materiais usados na produ-
ção de anéis quânticos são pontos quânticos de GaAs cobertos por uma camada de AlGaAs,
ou usando InGaN/GaN, AlGaAs/GaAs, InAs/IP entre outros [27, 28, 29, 31, 32, 33]. A
atenção dada a esta nanoestrutura por partes dos pesquisadores se deve ao fato do con-
namento de portadores em uma geometria com o formado de um anel. Do ponto de
(a) (b)
A U(r) B
B DEe A DEe
EgA B A
Eg Eg
B
Eg
DEh DEh
0 -a/2 0 a/2 z 0 r r
Figura 1.6: Perl do potencial de connamento de elétrons em um (a) poço quântico e

(b) o quântico. O potencial de um ponto quântico é idêntico ao perl de potencial de
um o quântico.
vista experimental, avanços em tecnologia na área da litograa tem tornado possível a

fabricação dessas estruturas com alta qualidade e com dimensões bem controladas.
As nanoestruturas tem importantes aplicações em dispositivos eletrônicos, como em
transistores de efeito de campo do tipo MOSFET (Metal-oxide-semiconductor eld eect
transistor : Transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor) ver Figura 1.8. Ou-
tro exemplo representativo do estado-da-arte das nanoestruturas é mostrado na Figura 9.
Trata-se de uma nano estrutura bastante usada para estudar efeito Hall quântico, deno-
minado Hall bar [34]. Tanto em um MOSFET quanto em um Hall bar, o surgimento de
um canal semicondutor desempenha importante papel no transporte eletrônico. Nestes
canais, os portadores de cargas se comportam como um gás de elétrons bi-dimensional
(2DEG: Two dimensional eletrón gas), e o entendimento do comportamento de uma gás
de elétrons em um canal quântico é de fundamental importância para fabricação dos
dispositivos eletrônicos.
Figura 1.7: (A) Imagem de um ponto quântico GaAs obtida por Microscopia de Força
Atômica, (B) Triplo anel concêntrico e (C) Anel/disco quântico [35].
Neste trabalho temos por objetivo estudar propriedades de transporte em canais es-
(a) Fonte Porta Dreno (b)

Camada óxida
L W
GaAs
Figura 1.8: (a)Esquema de funcionamento de um MOSFET. (b) Hall Bar [34] .
treitos. Especicamente, pretendemos investigar o processo de espalhamento de elétrons

em canais com obstruções devido à barreiras de potenciais, e espalhamento em multicanais
quânticos. O modelo teórico usado se baseia na propagação de um pacote de onda gaus-
siano na banda de condução, através da solução numérica da Equação de Schrödinger. O
trabalho está organizado em 5 capítulos que levam à analise do processo de espalhamento
de elétrons em canais quânticos.
No capitulo 2, é apresentado o modelo teórico utilizado no trabalho, abordando a
solução numérica da Equação de Schrödinger dependente do tempo, por meio de aproxi-
mações como: aproximação adiabática, aproximação da função envelope e aproximação da
massa efetiva. A ferramenta matemática que utilizaremos é o método split-operator, que
consiste na separação de operadores quânticos, e permite o cálculo dos estados quânticos
em sistemas de baixa dimensionalidade.
No capítulo 3, é estudado o espalhamento de elétrons, em canais semicondutores, de-
vido à obstrução do tipo barreira e fendas simples e dupla. Formados pela heteroestrutura
Ga0.3 In0.7 As/Ga0.7 In0.3 . As pesquisas tem se direcionado para busca de estudos que pos-
sam proporcionar uma crescente miniaturização dos dispositivos eletrônicos, e os efeitos
do connamento quântico de portadores tornam-se cada vez mais importantes a medida
que as dimensões das estruturas semicondutoras são reduzidas. Os resultados obtidos,
a transmissão e a corrente de probabilidade, mostram que as obstruções no interior do
canal, provocam espalhamento do pacote de onda na região da barreira.
No capítulo 4 é estudado o espalhamento de elétrons em multicanais semicondutores.
A nanoestrutura é formada por um canal de entrada, usado para injeção de elétrons, e
três canais de saída, por onde o elétron é espalhado.
Por m, as conclusões e perspectivas do trabalho são descritas no capítulo 5.
Capítulo 2
Modelo teórico
A compreensão dos mecanismos responsáveis pela corrente elétrica em um material
semicondutor, e por consequência, sua aplicação em nanotecnologia, depende fortemente
do comportamento dos elétrons nestes cristais. Elétrons em um átomo isolado tem esta-
dos quânticos estacionários, caracterizados por níveis de energia discretos e quantizados,
correspondendo aos orbitais atômicos designados por 1s, 2s, 3p, 3d, etc. Quando estuda-
mos um material com muitos átomos, como cristais semicondutores, o problema quântico
torna-se muito mais complexo e depende da interação de cada átomo com os átomos vizi-
nhos. O que acontece é que um átomo causa perturbações nos níveis de energia do outro,
e se temos um grande número de átomos, estes terão um grande número de níveis de ener-
gia próximos uns dos outros, formando bandas de energia quase contínuas. As bandas
de energia têm origem na sobreposição dos níveis de energia dos átomos, quando estes
se agrupam para formar o sólido, e têm uma estrutura que está intimamente relacionada
com o arranjo cristalino do material.
Como consequência do grande número de átomos presentes em um cristal 1023 àtomos/
cm3 e do arranjo periódico destes átomos, formando a estrutura cristalina, os estados ener-
géticos que descrevem o cristal se organizam de forma a produzir faixas contínuas destes
estados, limitados e separados umas das outras por faixas de energias proibidas. As faixas
de energia permitidas são denominadas bandas de energia, enquanto as faixas de energia
proibidas denomina-se GAP de energia, ver a Figura 2.2 (a). Em um cristal semicondutor
com temperatura T = 0K , a última banda de energia abaixo do GAP, denominada banda
de valência, esta completamente cheia de elétrons. Com o aumento da temperatura al-
guns elétrons da banda de valência ganham energia térmica suciente para migrarem para
a banda acima do GAP, denominada banda de condução, a qual a T = 0K não contém
elétrons, ver Figura 2.2(b). Elétrons que migram para a banda de condução deixam na
banda de valência vacâncias denominadas buracos. O modelo de bandas de energia de
materiais cristalinos é exclusivamente teórico, e se faz principalmente por cálculos de pri-
meiros princípios, baseados em DFT "Density Functional Theory"que traduzindo para o
português signica "Teoria do funcional da Densidade", ou aproximações do tipo ligação
forte (Tight binding) [13]. Outros métodos também são usados para calcular bandas de
2.1. EQUAÇÃO DE SCHRÖDINGER PARA UM CRISTAL 25
(a) (b) E(K)
Bc
Banda de condução el
Egap
Energia
ESO
Níveis discretos hh
lh Bv
Banda de valência
So
L G C K
distância entre átomos
Figura 2.1: (a) Banda de condução e valência devido a aproximação de um grande número
de átomos em um sólido semicondutor.(b) Bandas de energia em um semicondutor GaAs.
As regiões hachuradas mostram os elétrons com T > 0K .
energia em cristais e podem ser encontrados na literatura. Em geral, os modelos se ba-

seiam em uma célula unitária do cristal e os cálculos são realizados na primeira zona de
Brillouin. Como exemplo, a Figura 2.2(a) mostra a estrutura cristalina, célula primitiva
da rede direta, do semicondutor arseneto de gálio (GaAs). Em Figura 2.2(c) a estrutura
de bandas é mostrada para diferentes direções do vetor de onda K, e a Figura 2.2(b)
mostra a estrutura octaédrica da primeira zona de Brillouin do GaAs.
2.1 Equação de Schrödinger para um cristal

A estrutura cristalina de um semicondutor consiste de um conjunto innito de íons
localizados nos sítios da rede, ou próximos a estes, e um gás de elétrons que se move
no campo destes íons. As propriedades básicas do cristal semicondutor, como óptica e
de transporte por exemplo, dependem fortemente da dinâmica deste sistema interagente,
formado pelos íons e pelo gás de elétrons. O estudo teórico destas propriedades começa
por calcular a solução da equação de Schrödinger, a qual inclui no operador Hamiltoniano
todas as interações que ocorrem no interior do cristal: interação elétron-elétron, interação
elétron-íon e íon-íon, além de efeitos de spin e relativísticos para alguns casos particulares.
Por outro lado, o elevado número dos termos que descrevem estas interações, somados
aos termos que descrevem a energia cinética dos íons e do gás de elétrons, faz com que a
equação de Schrödinger não tenha uma solução exata. Então, introduzimos aproximações
que permitem encontrar soluções correspondentes a diferentes aspectos do comportamento
2.1. EQUAÇÃO DE SCHRÖDINGER PARA UM CRISTAL 26
Banda de valência GAP Banda de condução

(a) (c)
As 6
Ga
4
2
0
Energia eV
-2
kz -4
(b)
C -6
w
D w -8
L
G L D C
C D
S -10
k ky
kx -12
L L G D C K S G
vetor de onda K
Figura 2.2: (a) Estrutura cristalina Zincblend do semicondutor GaAs (b) Primeira zona
de Brillouin com indicação de pontos e direção de alta simetria no espaço recíproco e (c)
Estrutura de bandas de energia.
do cristal: movimento eletrônico, movimento iônico, e suas interações com perturbações

incluindo campos externos estáticos e oscilantes. A equação de Schrödinger que descreve o
estado de n elétrons, com coordenadas eletrônicas r1 , r2 , ..., rn , e N íons, com coordenadas
iônicas R1 , R2 , ..., RN , é dada por
ĤΨ(r1 , r2 , ...., rn , R1 , R2 , ..., RN ) = EΨ(r1 , r2 , ...., rn , R1 , R2 , ..., RN ), (2.1)
sendo Ĥ o operador Hamiltoniano que descreve todas as interações e energia cinética,
n n n
X ~2 2 X ~2 2 X 1 e2
H=− ∇i − ∇i +
i
2mi i
2Mi i<j=1
4πε0 |ri − rj |
N n,N
X 1 Zi Zj e2 X 1 ZI e2
+ − . (2.2)
i<j=1
4πε0 |Ri − Rj | i,j
4πε0 |Ri − rj |
2.2. APROXIMAÇÃO ADIABÁTICA 27
Nesta equação, o Hamiltoniano não contém termos que descrevem efeitos relativísticos e
de spin. O primeiro termo na Eq. (2.2) representa o operador de energia cinética dos
elétrons, sendo que a soma se estende sobre todas os elétrons de massa mi e coordenada
ri ; o segundo termo representa o operador de energia cinética dos íons, e a soma se
estende sobre todos os íons com massa Mi e coordenada Ri ; o terceiro termo representa
a energia potencial de interação coulombiana elétron-elétron para i < j ; o quarto termo
representa a energia potencial de interação coulombiana íon-íon, para i < j ; o quinto e
último termo representa a energia potencial de interação coulombiana elétron-íon. Cada
soma se estende à aproximadamente 1023 partículas por cm3 , de forma que a equação
como se apresenta em (2.2) não possui solução analítica e/ou numérica, devido a sua
complexidade, para sistemas cristalinos e moleculares. Para contornar este problema é
necessário aplicar aproximações que simplicam a Eq. (2.2) diminuindo o número de
termos de interação e de energia cinética.
2.2 Aproximação Adiabática
Também conhecida como aproximação Born-Oppenheimer, a aproximação adiabática

desacopla a dinâmica dos elétrons da dinâmica dos núcleos, levando em consideração o
fato de que a energia cinética dos elétrons é muito maior que a energia cinética dos núcleos,
devido a diferença entre as massas destas partículas ser mi ≈ 1.8 × 10−3 Mk e a velocidade
dos elétrons ser bem maior que a velocidade dos núcleos.
A aproximação adiabática considera que a função de onda do sistema pode ser ex-
pressa como um produto de uma função de onda eletrônica que depende das coordenadas
(r1 , r2 , ..., rn ) e uma função de onda iônica que depende das coordenadas (R1 , R2 ..., RN )
na forma
Ψ(r, R) = ψ(r)ϕ(R), (2.3)
onde Ψ(r) é a autofunção eletrônica, que depende da coordenada r dos elétrons. Subs-
tituindo a função Ψ(r, R) da Eq. (2.3) e o Hamiltoniano Ĥ da Eq. (2.2) na equação
de autovalores (2.1), podemos desacoplar as coordenadas eletrônicas r das coordenadas
iônicas R. Desta forma, a função de onda ψ(r, R) que descreve o estado dos elétrons,
satisfaz a equação de Shcrödinger
2.3. TEORIA DA MASSA EFETIVA 28
n,N
" n n
#
X ~2 2
X 1 e2 X 1 ZI e2
− ∇i + − ψ(r, R)
i=1
2mi i<j=1
4πε0 |ri − rj | i,I
4πε0 |RI − ri |
= E0 (R)ψ(r, R), (2.4)
onde Ee é a energia total dos elétrons, ou seja, auto-valores eletrônicos que dependem das
coordenadas r e R. A função Ψ(R) é autofunção iônica e satisfaz a equação de Schrödinger
" N
#
X ~2
− ∇i 2 + φ(R) Ψ(R) = EΨ(R), (2.5)
i=1
2M i
sendo:
N
X 1 ZI Zj e2
φ(R) = Ee + (2.6)
I<j
4πε0 |Ri − Rj |
o termo que descreve o potencial de interações ion-ion e a energia total Ee dos elétrons.
Essa aproximação tem efeito apenas sobre os íons. Agora queremos encontrar aproxima-
ções que descrevem o comportamento dos elétrons de coordenada r . A coordenada R é
arbitrária mas o potencial de interação elétron-íon é considerado um potencial periódico,
com a periodicidade da rede cristalina. Ainda assim, o número de termos do Hamiltoniano
da Eq. (2.2) é extremamente grande. Mesmo eliminando todos os termos corresponden-
tes à energia cinética dos íons e a interação entre os mesmos, desacoplando o movimento
dos elétrons do movimento dos íons, a solução numérica da equação de Schrödinger é
totalmente inviável, fazendo com que tenhamos que aplicar outras aproximações.
2.3 Teoria da Massa Efetiva

Mesmo desacoplando o movimento eletrônico do iônico o problema de se resolver a
Equação de Schrödinger para a parte eletrônica envolve um número muito grande de ter-
mos. Consideramos então que os elétrons sejam partículas indistinguíveis e independentes
(aproximação do elétron independente) [36], e que cada elétron se move sob inuência de
um potencial médio Vcr(r) , o qual descreve as interações elétron-íons [37]. O movimento
de um único elétron pode ser descrito por meio da equação de Schrödinger
p2

+ Vcr (r) ψn,k (r) = En,k ψn,k (r). (2.7)
2m0
Em redes cristalinas o movimento eletrônico é convenientemente descrito por um pa-

cote de ondas, composto por auto-estados ψn,k (r) de um cristal sem perturbação, e estes
estados são conhecidos como estados de Bloch [38]. A função de onda que descreve um
estado de Bloch é escrita como
ψnk (~r) = eik·r unk (r), (2.8)
onde eik·r é a função de onda de Bloch, que tem a periodicidade da rede cristalina (unk (r) =
unk (r + R)), e descreve o comportamento da função de onda dentro de uma célula unitária.
Substituindo a eq. (2.8) na eq. (2.7), temos que
~2 2 ~2 k 2

Hun,k (r) = − ∇ + Vcr (r) + k · p un,k (r) = En (k)un,k (r).
~
+ (2.9)
2m0 2m0 m0
Se considerarmos o centro da zona de Brillouin, ponto Γ(k = 0) como ponto de re-

ferência, a solução para a Eq. (2.9) formará um conjunto completo de funções un,0 (r),
com n = 1, 2, 3, .... Este procedimento permite que a função de onda seja calculada para
qualquer k 6= 0, a partir de uma combinação linear das funções de Bloch.
∞
un,k (r) = cn,n0 un0 ,0 (r),
X
(2.10)
n0
onde o coeciente cnn0 é conhecido como função envelope [36].

Os casos de interesse e que serão estudados neste trabalho, são focados em elétrons de
condução, os quais situam-se distante da banda de valência, exceto para semicondutores
de gap estreito, os quais não serão investigados aqui. Desta forma, podemos simplicar
nosso modelo considerando um modelo de banda simples. A função de onda de um estado
excitado do elétron na banda de condução é formado por uma função de Bloch e a função
envelope correspondente. Assim, o Hamiltoniano k · p é expandido em um elemento básico
dado pela Eq. (2.11)
~2 k 2
hun,0 |Hkp | un,0 i = En,0 + (2.11)
2m∗i
Este modelo leva a uma forma de dispersão da energia, que ocorre no modelo equi-
valente de elétrons livre, na região da banda de condução próximo ao ponto k = 0, com
formato aproximadamente parabólico. Entretanto, a curvatura difere da parabolicidade
de dispersão do modelo de elétrons livres e depende especicamente da composição e
estrutura do semicondutor. Esta curvatura é introduzida por meio de um parâmetro em-

pírico denominado massa efetiva do elétron, m∗e , a qual pode ser calculada aplicando a
teoria de perturbação ao Hamiltoniano k · p.
Neste caso o Hamiltoniano não perturbado é dado por
~
H0 = − ∇2 + Vcr (r), (2.12)
2m0
e a perturbação é representada pelo Hamiltoniano
~2 2 ~2
H0 = − k + k · p. (2.13)
2m0 2m0
A energia En,k , leva em consideração correções até a segunda ordem, dada por:
" α 2 #
X ~2 k 2 1 2 X Pn,n 0

En,k = En,0 + − + 2 , (2.14)
α=x,y,z
2 m0 m0 n0 En,0 − En0 ,0
onde Pn,n
α
0 representa um parâmetro empírico determinado por experimentos ou através
de cálculos de primeiros princípios (ab − initio). Os termos entre colchetes são denidos
como o inverso da massa efetiva
α 2
1 1 2 X Pn,n0
= + , (2.15)
m∗ m0 m20 n0 En,0 − En0 ,0
de forma que a energia obedece a equação
~2 k 2
En (k) = En,0 + . (2.16)
2m∗
de modo que o Hamiltoniano associado a energia descrita na Eq. (2.16) é dado por
p2
H= (2.17)
2m∗
Portanto, para um cristal periódico innito, a função envelope da banda de condução é

uma onda plana descrita de acordo com o teorema de Bloch Eq. (2.8). Do ponto de vista
da cinemática, a aceleração do elétron de bloch é denida pela equação
∂ vk 1 ∂ ∂E(k)

1 ∂
ak = = ∇~k E(k) ≡ , (2.18)
∂t ~ ∂t ~ ∂t ∂k
onde usamos a relação vk = ∇k wk = ~1 ∇k E(k), ou seja, a velocidade do elétron no estado k

é dada pelo gradiente da banda de energia no espaço-K (espaço recíproco). Pelo princípio
fundamental da dinâmica, podemos reescrever a aceleração na forma:
1 ∂ 2 E(k)
ak = 2 Fext , (2.19)
~ ∂ k∂ k
sendo p = ~k e F = dp/dt = ~dk/dt . Comparando a Eq. (2.19) com a 2a Lei de Newton

obtemos:
−1
∂ 2 E(k)

F=~ 2
a, (2.20)
∂ki ∂kj
de forma que a massa efetiva pode ser expressa por
∂ 2 E(k)
−1
∗
m ij
=~ . (2.21)
∂ki ∂kj
A Eq. (2.21) dene um tensor de massa efetiva para uma banda eletrônica, cujas
componentes são
1 1 ∂ 2 E(k)
= (2.22)
mij ~ ∂ki ∂kj
Assim, um elétron de Bloch excitado por um campo de forças externo comporta-se como
se possuísse uma massa anisotrópica, diferente da massa de repouso do elétron m0 . A
massa efetiva incorpora todas as informações da estrutura da rede que leve à banda de
energia E(k). Para alguns cristais complexos, componentes não diagonais do tensor massa
efetiva são diferentes de zero. Assim, um campo elétrico aplicado em uma certa direção
do cristal pode causar aceleração eletrônica em uma direção diferente. Na maior parte dos
semicondutores o tensor massa efetiva é diagonal. Em especial, nos cristais isotrópicos, o
tensor se reduz a uma massa escalar:
~2
m∗ = (2.23)
∂ 2 E(k)/∂k 2
A banda de valência é geralmente formada por três ramos denominados buraco leve,
buraco pesado e spin-orbita, devido as suas diferentes massas efetivas, como pode ser
2.4. APROXIMAÇÃO DA FUNÇÃO ENVELOPE 32
visto na Figura 2.2b. As expressões teóricas obtidas para a massa efetiva dos elétrons
também se aplicam aos buracos, e em geral, seus valores dependem da estrutura cristalina,
da periodicidade da rede, e da composição química do material. Na aproximação de
massa efetiva, os elétrons (buracos) na banda de condução (valência) de um material são
considerados como partículas livres, onde a inuência de qualquer potencial externo é
adicionado ao Hamiltoniano efetivo, e interações com outros elétrons e íons de rede são
considerados introduzindo o conceito de massa efetiva.
2.4 Aproximação da Função Envelope
A aproximação de Função Envelope é um formalismo matemático que possibilita utili-

zar a aproximação da massa efetiva para investigar o comportamento de elétrons e buracos
em um cristal, quando este está sujeito a alguma perturbação. Essa perturbação pode
se dar quando houver defeitos na rede, impurezas ou átomos dopantes, ou surgir devido
a junção de camadas de materiais diferentes, ação de campos elétricos e/ou magnéticos
externos ou campos internos provenientes de distorções da rede dependente do tempo [13]
[39].
A aproximação da função envelope se torna importante porque usamos a aproximação
da massa efetiva para considerar um cristal de tamanho innito. Entretanto quando
levamos em consideração que o sistema é limitado pelo tamanho do cristal, o elétron
também é connado nos limites da heteroestrutura, o que se dá pelo potencial V (r) [37],
o Hamiltoniano usado na função envelope é
p2
H= + V (r). (2.24)
2m∗
Uma grande vantagem de se utilizar as aproximações da massa efetiva e da função enve-

lope, é a simplicidade para incluir efeitos de connamento adicionais na descrição teórica
do movimento de elétrons e buracos, tais como campos elétricos ou magnéticos. Esta
tarefa é muitas vezes reduzida a introdução de um termo de potencial no Hamiltoniano
da eq. (2.24). Além disso, este formalismo facilita a solução da equação de Schrödinger
por meio de técnicas numéricas de discretização por diferenças nitas [36] [40].
2.5. DESCRIÇÃO TEÓRICA PARA PROPAGAÇÃO DE PACOTE DE ONDAS EM NANOESTRUTURAS
SEMICONDUTORAS 33
2.5 Descrição teórica para propagação de pacote de on-

das em nanoestruturas semicondutoras
Partículas como elétrons e buracos, connadas em sistemas de baixa dimensionali-
dade, tem seus movimentos completamente quantizados. Portanto, o estudo dos ní-
veis de energia e os correspondentes estados quânticos destas partículas é de funda-
mental importância para compreensão das propriedades ópticas, eletrônicas e de trans-
porte destas nanoestruturas. Isto fez com que um grande número de métodos numéricos
[25, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49] fossem desenvolvidos em diferentes aproximações,
tendo por objetivo encontrar os estados quânticos das nanoestruturas.
A teoria da massa efetiva, descrita na seção anterior, é a aproximação mais comum
aplicada na literatura, em investigações que envolvem nanoestruturas de semicondutores,
tendo em vista a periodicidade do potencial de uma rede cristalina em um semicondutor,
usando a aproximação da massa efetiva, a determinação dos estados quânticos reside no
cálculo da função de onda envelope. A solução da equação de Schrödinger que determina
os estados quânticos connados, requer condições de contorno relacionadas ao tamanho
do sistema. Portanto, o tratamento da equação de Schrödinger no espaço real é mais
adequada do que o tratamento no espaço de representação do momento.
Nesta seção apresentamos um método numérico para resolver a equação de Schrödinger
de forma consistente com a aproximação da massa efetiva e com o formalismo da função
envelope, para nanoestruturas semicondutoras. O método é particularmente interessante
no cálculo de estados espacialmente connados, usando coordenadas do espaço real, em-
bora possa ser modicado para lidar em coordenadas do espaço do momento, em sistemas
que envolvem condições periódicas de contorno. O método permite o cálculo de estados
excitados, inclusão de interações entre portadores e tratamento de campos externos de-
pendente ou independente do tempo. O método numérico que iremos descrever deriva
a partir do método de diferenças nitas no espaço, aplicado para propagar a função de
onda em um passo innitesimal no tempo. O operador de evolução temporal é escrito de
forma a separar a ação do operador de energia cinética do operador de energia potencial,
método ”split − operator”. O esquema de propagador de evolução temporal pode ser
usado também considerando o tempo como um número complexo, de forma que o método
evolua uma função de onda inicial arbitrária para o estado fundamental do sistema. Este
método pode ser extendido para calcular estados excitados bem como estados de muitas
partículas [50].
A evolução temporal de pacote de ondas possibilita, além da obtenção do espectro de
energia, cálculo da condutividade elétrica e óptica, densidade local de estados, etc. Tra-
balhos recentes da literatura vem aplicando técnicas de propagação de pacotes de ondas
para estudar oscilações de níveis de energia e coeciente de transmissão de elétrons devido
à aplicação de campos magnéticos, efeito Aharanov Bohm [55, 51, 53], e também para
descrição teórica de experimentos de microscopia [54], interação de elétrons com impu-
SEMICONDUTORAS 34
rezas em poços quânticos [56], estudos de correntes de tunelamento entre os quânticos
dobrados [31], entre outros. Chaves e colaboradores [30] expandiram em 2015 a técnica
de split-operator para estudo de sistemas onde interações spin-orbita e efeitos Zeeman
tem importante papel. Outro exemplo de aplicação interessante foi publicado por Sousa e
colaboradores em 2013 [51], que mostraram a baixa eciência de transmissão de elétrons
devido à adição de um canal extra a um anel quântico conectado em um canal de entrada,
alinhado com um canal de saída de elétrons, ver Figura (1.7). Foi mostrado neste trabalho
a equivalência entre a baixa eciência da transmissão devido ao acréscimo de um canal
extra ao anel e o Paradoxo de Braess. Em escala nanométrica, onde efeitos quânticos são
relevantes, o equivalente quântico do Paradoxo se deve à fenômenos de espalhamento e
interferência do pacote de onda.
Além da técnica split-operator, outras técnicas tem sido desenvolvidas para o cálculo
de propagação de ondas em estruturas quânticas [57, 58, 59, 60, 61]. A maior parte des-
tas técnicas são baseadas na aproximação de um operador de evolução temporal com o
objetivo de se aplicar em situações práticas, por meio de ferramentas numéricas e compu-
tacionais. Neste trabalho optamos pela técnica de split-operator porque quando aplicada
em sistemas cujo potencial se extende em um plano (x, y), e é invariante com o tempo,
apresenta baixo custo computacional, além de ter simples implementação.
2.5.1 Técnica de solução da equação de Schrödinger dependente
do tempo: Propagação em Tempo Real
Com a aproximação da massa efetiva, a determinação dos estados quânticos consiste no

cálculo da parte das funções de onda que variam lentamente, as funções de onda envelope,
as quais são dadas por versões multi-bandas da equação de Schrödinger como resultado da
aproximação da perturbação K·P para simplicar a estrutura de banda. O método split-
operator resolve as derivadas pelo método de diferenças nitas no espaço real, aplicando a
propagação de funções de onda em passos de tempo innitesimais. Para isto escrevemos o
operador evolução temporal como uma soma de exponenciais, e a questão é obter o cálculo
da soma de dois exponenciais que não comutam. Uma resposta exata não é possível, mas
podemos obter aproximações.
A evolução temporal de uma partícula que se move em uma nanoestrutura semicon-
dutora pode ser descrita a partir da equação de schrödinger dependente do tempo
i~∂ψ(r, t)
− = Ĥψ(r, t) (2.25)
∂t
sendo ψ(r, t) a função de onda, que depende da posição r e do tempo t. O operador

Hamiltoniano Ĥ é escrito em termos da soma de operadores
p̂2
Ĥ = + Û (r), (2.26)
2m
SEMICONDUTORAS 35
onde p̂ = −i~∇ é o operador momento e Û (r) o operador energia potencial, que descreve
o potencial de connamento de portadores em nanoestruturas. A solução formal para Eq.
2.25 pode ser escrita na forma
Rt
− ~i H∆t
ψ(~r, t) = e 0 ψ(~r, 0) (2.27)
Para um tempo ∆t pequeno podemos escrever a Eq. (2.27)
ψ(~r, t) = e−iH∆t/~ ψ(~r, 0). (2.28)
ou
ψ(~r, t) = U (r, t)Ψ(r, 0) (2.29)
onde U (r, t) é o operador de evolução temporal
U (~r, t) = e−i(T +V )∆t/~ (2.30)
sendo T = p2 /2m∗ o operador de energia cinética, que na representação espacial é escrito

como T = −~2 ∇2 /2m∗ onde m∗ , é a massa efetiva do portador. O operador (2.30) não
pode ser resolvido exatamente de forma que se faz necessário aplicar aproximações para
envolver a função de onda. Uma forma de contornar este problema é escrever o operador
exponencial como um produto de exponenciais.
Este procedimento é conhecido como método de split-operator,
2 /2~m∗
e−iH∆t/~ = e−i(T +V )∆t/~ = e−ip e−iV ∆t/~ + erro. (2.31)
∞
xn
Expandindo o exponencial em série de potência: ex = obtemos
P
n!
n=0
∆t2 ∆t2
erro = (T V − V T ) 2 = [T, V ] 2 ≈ O(∆t2 ) (2.32)
2~ 2~
Podemos melhorar a aproximação, e diminuir o erro reescrevendo a Eq. (2.31) como
e−i(T +V )∆t/~ = e−iV ∆t/2~ e−iT ∆t/~ e−iV ∆t/2~ + O(∆t3 ) (2.33)
SEMICONDUTORAS 36
de forma que a Eq. (2.28) pode ser reescrita para o caso unidimensional, como:
2 ∆t/2~m∗
ψ(~r, t) ' e−iV ∆t/2~ e−ip e−iV ∆t/2~ ψ(x, 0) (2.34)
A função de onda e o potencial são representados em uma grid conforme mostrado

Figura 2.3. O primeiro passo do processo de propagação é multiplicar cada ponto da grid
da função de onda inicial ψ(x, 0) pela exponencial e−iV ∆t/2~ , gerando uma nova função
η(x, ∆t) = e−iV ∆t/2~ ψ(r, 0). O passo seguinte consiste em aplicar o termo relacionado com
o operador de energia cinética sobre a função η(x, ∆t)
2 ∆t/2~m∗
ξ(x, ∆t) = e−ip η(x, ∆t) (2.35)
Para lidar com o termo que contém o operador de energia cinética, consideramos
σ = −ip2 ∆t/2~m∗ , de forma que
2 ∆t/2~m∗
e−ip = eσ∆t (2.36)
−σ∆t/2 −1 −σ∆t/2 σ∆t
= (e ) e e
= (e−σ∆t/2 )−1 eσ∆t/2
−1
(σ∆t) 2
(σ∆t) 2

= 1− + O ∆t + ... 1+ + O ∆t + ...
2 2
−1
σ∆t σ∆t
' 1− 1+
2 2
substituindo o valor de σ :
−1
ip2 ∆t ip2 ∆t

−ip2 ∆t/2~m∗
e ' 1+ 1− (2.37)
4~m∗ 4~m∗
Esta aproximação mantém o operador unitário e o erro introduzido é da mesma ordem

do erro introduzido na Eq. (2.33), ou seja O(∆t3 ). Substituindo na Eq. (2.35)
−1
ip2 ∆t ip2 ∆t

ξ(x, ∆t) = 1+ 1− η(x, ∆t) (2.38)
4~m∗ 4~m∗
ou, aplicando a operação inversa, usando p̂ = −i~∂/∂x
∆t ~2 ∂ 2 ∆t ~2 ∂ 2

1+i ξ (x, ∆t) = 1 − i η (x, ∆t) (2.39)
~ 4m ∂x2 ~ 4m ∂x2
SEMICONDUTORAS 37
Figura 2.3: Grid de discretização para aplicação de derivadas pelo método de diferenças
nitas
Usamos agora o método numérico de diferenças nitas para resolver as derivadas da Eq.
(2.39), considerando que
∂ 2 ψ(x) ψi−1 − 2ψi + ψi+1

2
≈ (2.40)
∂x h2
sendo h (= xi+1 − xi = xi − xi−1 ) a distância entre dois pontos da grid, que é uniforme
para toda a grid.
A Eq. (2.40) é a derivada central de segunda ordem, que é obtida a partir da composi-
ção entre derivadas de primeira ordem a direita e a esquerda, usando o método numérico
de diferenças nita. A denição da discretização a direita da derivada primeira da função
ψ(x) é escrita como
∂ψ(x) ψi+1 − ψi
= , (2.41)
∂x h
enquanto a denição de discretização à esquerda é escrita como
∂ψ(x) ψi − ψi−1
= . (2.42)
∂x h
Usando a Eq. (2.40) a Eq. (2.39) pode ser escrita como
ip2 ∆t

1− ξ = ξi + β(ξi−1 − 2ξi + ξi+1 ) (2.43)
4~m∗
ip2 ∆t

1+ η = ηi − β(ηi−1 − 2ηi + ηi+1 ) (2.44)
4~m∗
com β = i~∆t/4m∗ h2 de forma que a Eq. (2.39) ca
− βξi−1 + (1 + 2β) ξi − βξi+1 = −βηi−1 + (1 − 2β) ηi + βηi+1 (2.45)

SEMICONDUTORAS 38
esta equação tem a forma de uma matriz tridiagonal, e desde que o lado direito desta
equação seja conhecido, a inversão da matriz fornece a função ξ(x). Esta aproximação
pode ser aplicada com diferentes condições de contorno, periódica ou não. Se o sistema a
ser estudado for nito, como é o caso dos sistemas investigados nesta dissertação, usamos
condições de contorno para sistemas nitos, de forma que a Eq. (2.45) pode ser escrita
como:
  
1 + 2β −β 0 0 0 ξ1
 −β 1 + 2β −β 0 0   ξ2 
  
.. .. ..  . 
  ..  =


 0 . . . 0  
−β 1 + 2β −β   ξN −1 
  
 0 0
0 0 0 −β 1 + 2β ξN
  
1 − 2β β 0 0 0 η1
β 1 − 2β β 0 0   η2 
  

.. .. ..  . 
  .. 


 0 . . . 0   (2.46)
β 1 − 2β
  
 0 0 β   ηN −1 
0 0 0 β 1 − 2β ηN
Neste caso nas extremidades do sistema a função de onda deve ser nula, ou seja, ξ0 =
ξN +1 = 0. Realizando este processo repetidamente, a cada passo no tempo ∆t, uma função
de onda inicial ψ (x, 0) pode ser evoluída para um estado nal ψ (x, t). Este é o principal
ponto do método numérico, a evolução de uma matriz tridiagonal é facilmente obtida
por meio de subrotinas disponíveis na literatura. Para implementação em linguagem do
Fortran, a diagonalização da matriz pode ser feita por meio da subrotina TRIDAG, que
é de fácil implementação, usada para sistemas nitos e de livre acesso na internet, que
pode ser também encontrada na Referência [52].
Capítulo 3
Fios Quânticos Semicondutores
Nanoestruturas semicondutoras de baixa-dimensionalidade, em que o connamento
quântico pode ser controlado de forma a proporcionar propriedades ópticas e eletrônicas
desejáveis, têm estado na vanguarda da evolução da física do estado sólido por mais de
quatro décadas [62]. Os efeitos do connamento quântico de portadores tornam-se cada
vez mais importantes a medida que as dimensões das estruturas semicondutoras são redu-
zidas. Da mesma forma, a geometria da estrutura, que em princípio não era considerada
como uma característica importante, têm grande inuência nas propriedades de conna-
mento e transporte eletrônico [63]. A eciência no transporte de elétrons em sistemas
semicondutores de baixa dimensionalidade e de variadas geometrias, é alvo de intensa
pesquisas hà vários anos [64, 65, 66, 67, 68, 69]. Os estudos levaram a um maior controle
do movimento eletrônico sob diferentes aspectos: i. Efeitos de campos externos (cam-
pos magnéticos e elétricos estáticos ou dependentes do tempo); ii. inuência de diferentes
pers de potenciais; iii. interações devido à defeitos e/ou impurezas [67]. O foco principal
das pesquisas tem voltado para a busca por materiais e geometrias que consigam produzir
dispositivos cada vez menores, ecientes e com baixo consumo de energia. Por outro lado,
a redução nas dimensões provoca correntes indesejáveis no interior do dispositivo. Neste
sentido, o uso de canais 2D em dispositivos tem mostrado bons resultados no controle de
parâmetros importantes para o desempenho do MOSFET fabricado em nanoescala.
Do ponto de vista experimental, os aprimoramentos das técnicas de crescimentos, como
AFM (Atomic Force Microscopy : Microscopia de Força Atômica) e técnica de split-gate
em MBE, tem permitido a fabricação em nanoescala de canais semicondutores estreitos.
Do ponto de vista teórico, em escala nanométrica, o transporte de elétrons é de grande
interesse, e um grande número de novos fenômenos foram preditos e observados nos anos
recentes [70, 71, 72].
Neste capítulo faremos um estudo teórico das propriedades de transporte em canais
quânticos semicondutores, abordando cálculos das probabilidades de transmissão, densi-
dade de corrente e condutividade nestes sistemas. O modelo teórico usado é baseando
na solução da Equação de Schrödinger dependente do tempo através do método de split-
operator e técnicas numéricas de discretização, mostradas no Capítulo 2. Este modelo é
3.1. DESCRIÇÃO TEÓRICA DO MODELO 40
Tabela 3.1: Parâmetros da liga semicondutora Gax In1−x As.
Gap Eg (eV ) 0.36 + 0.63x + 0.43x2

m∗e /m0 0.023-0.037x+0.03x2
m∗lh /m0 0.026-0.056x
m∗hh /m0 0.41-0.1x
consistente com a aproximação da massa e efetiva e com o formalismo da função envelope.
3.1 Descrição teórica do modelo

Os sistemas que estudamos neste capítulo são baseados em canais semicondutores
formados pelos materiais InGaAs e InAlAs, Em que o valor da massa efetiva e o potencial
de connamento são, respectivamente, me = 0.041m0 e 600 meV. O potencial muda
abruptamente de zero dentro dos canais para 600 meV fora do canal, conforme mostra a
interface entre a região azul e branca na Figura 3.1.
Neste trabalho, investigamos especicamente espalhamento de elétrons, o qual é si-
mulado por meio de um pacote de ondas injetado na região do canal. O pacote de ondas
se propaga da esquerda para a direita no plano (x, y), com energia cinética ε. É possível
estudar o espalhamento de buracos (leve e pesado), alterando os valores da massa efetiva e
do potencial de connamento. Esses parâmetros podem ser obtidos através das equações
relacionadas na Tabela 3.1. Em todos os casos investigados, o canal possui 10 nm de
largura, dentro de um sistema com dimensões de 420×420 nm. Ao longo da direção y o
canal possui estados discretos equivalentes aos estados estacionários de um poço quântico
InGaAs/InAlAs, denido pela equação
~2 kx2
En (kx ) = En(y) + (3.1)
2m∗e
(y)
Nesta equação me é a massa efetiva do elétron e as auto-energias En
= hφn (y)| H |φn (y)i
são numericamente calculadas para um potencial de connamento Ve (= 600 meV). O
método para cálculo das auto-energias pode ser baseado na discretização numérica da
equação de Schrödinger independente do tempo, ou na solução numérica da equação
dependente do tempo. O pacote de onda é representado por uma combinação de uma
função Gaussiana com uma onda plana
" #
(x − x0 )2
Ψ(x, y) = exp ik0 x − φ0 (y) (3.2)
2σ 2
p
sendo k0 = 2me ε/~ o vetor de onda correspondente a energia cinética ε. A função φ0 (y)
7.5 (a)
WB
5.0
y (nm)
2.5
0 L=10 nm
-2.5
-5.0
-7.5
7.5 (b)
WB
y (nm) 5.0
2.5 nm
2.5
0 5 nm
-2.5
2.5 nm
-5.0
-7.5
7.5 (c)
WB
5.0
y (nm)
2.5 2.0 nm
0
-2.5 2.0 nm
-5.0
-7.5
-100 -75 -50 -25 0 25 50 75 100

x (nm)
Figura 3.1: Pers de potencial para três canais estudados: (a) canal com barreira, (b)
canal com uma fenda e (c) canal com dupla fenda. WB é a largura das barreiras.
é a função de onda do estado fundamental na direção y e σ é a largura do pacote de ondas

na direção x .
As probabilidades de transmissão e reexão são calculadas através da integração nu-
mérica da densidade de corrente em pontos especícos da grid do sistema, sendo que a
reexão é calculada no lado esquerdo do canal e a transmissão no lado direito. Assim as
expressões de transmissão e reexão são dadas respectivamente por:
Z ∞ Z +∞
T = dt dyJx (xR , y, t) (3.3)
0 −∞
Z ∞ Z +∞
R=− dt dyJx (xL , y, t) (3.4)
0 −∞
A componente x da corrente de probabilidade é dada pela equação

~ ∗ ∂ ∂ ∗
Jx (x, y, t) = ψ ψ−ψ ψ (3.5)
2me i ∂x ∂x
As integrais (3.3) e (3.4) são numericamente calculadas para um longo intervalo de

tempo, de forma que todo o pacote de ondas possa passar pelo ponto onde Jx é calculado.
As probabilidades de transmissão e reexão são cuidadosamente observadas de forma que
a soma R + T = 1 seja obtida com tolerância de erro da ordem de 0.1%, o que demonstra
que existe uma boa precisão dos resultados numéricos obtidos neste trabalho. A densidade
de corrente que passa pelo canal, em função do tempo, é denida por
Z∞
JT (xi , y, t) = Jx (xi , y, t)dy (3.6)
−∞
Com a nalidade de evitar reexões nas extremidades do canal, introduzimos o po-

tencial imaginário proposto por Manolopoulos [73]. Este potencial é do tipo absorvente,
cujo efeito é zerar a função de onda quando esta se propaga na região onde o potencial
de Manolopoulos é denido. A equação que descreve este potencial é escrita por
4 4
Vim = −iEmin (ax − bx3 ) + 2 − (3.7)
(c − x) (c + x)2
onde os coecientes a, b e c são, respectivamente, denidos por
16
a=1− (3.8)
c3

17
b = 1 − 3 /c2 (3.9)
c
Z∞ √ √
dz
c= = 2k 1/ 2 (3.10)
(1 + z 2 )3/4
0
sendo k denido a partir de uma integral elíptica com argumentos K(k) = F (π/2) [74],
resultando em c = 2. 62206. Emin é a energia mínima a ser considerada para o elétron, e
pode ser escrita como
2
~2

c
Emin = (3.11)
2me 2(x2 − x1 )δ
3.2. RESULTADOS E DISCUSSÕES 43
para um potencial absorvente localizado entre as posições x1 e x2 . δ é um parâmetro de

precisão que dene o quanto do pacote de ondas é reetido em x1 . A variável x é denida
p
por x = 2kmin δ/(x − x1 ), onde kmin = 2m∗ Emin /~2 .
3.2 Resultados e Discussões

Os sistemas investigados nesta dissertação consistem em estruturas quânticas planares,
em que o movimento de elétrons está restrito a um canal de largura L = 10 nm. A
dimensão total da estrutura é de 420×420 nm e o potencial de absorção tem a largura de
42 nm, xo nas extremidades esquerda e direita da grid. Três tipos distintos de obstruções
são consideradas no centro do canal: i. barreira simples; ii. fenda simples; iii. fenda dupla.
As barreiras colocadas no interior dos canais tem espessuras WB = 0.5, 1.0 e 2.0 nm, ver
Figura 3.1 (a). No caso da fenda simples, o canal é reduzido para uma largura de 5 nm,
Figura 3.1 (b), enquanto que na fenda dupla o canal é reduzido para dois canais com
larguras de 2 nm, Figura 3.1 (c). Aqui por diante, iremos nos referir a estes sistemas
pelas suas respectivas letras (a), (b) e (c).
O pacote de ondas é propagado da direita para esquerda com energia cinética ε va-
riando entre 70 e 200 meV. A Figura 3.2 mostra os coecientes de transmissão (linhas
sólidas) e reexão (linhas tracejadas) em função da energia cinética do pacote de ondas,
para três diferentes larguras WB das barreiras: 0.5 nm (linhas azuis), 1.0 nm (linhas ver-
melhas) e 2.0 nm (linhas pretas). Os grácos na Figura 3.2 (a), (b) e (c) correspondem
respectivamente as transmissões através do canal dos sistemas (a), (b) e (c). Uma visão
geral dos resultados da transmissão mostrados na Figura 3.2 indica, como é esperado, que
a probabilidade de transmissão aumenta com o aumento da energia cinética do pacote
de ondas, independente do sistema considerado. Por outro lado, as probabilidades de
transmissões diminuem com o aumento da largura da barreira.
No caso especíco do sistema (a), a largura da barreira afeta fortemente a probabi-
lidade de transmissão. Para uma barreira de largura pequena, WB = 0.5 nm, a proba-
bilidade de transmissão é maior que 80%, enquanto que para barreiras largas, WB = 2.0
nm, a probabilidade de transmissão varia entre 10 e 25%, o que indica que para barreiras
largas a maior parte do pacote de ondas é reetido, enquanto que para barreiras estreitas
a maior parte do pacote de ondas é transmitido por efeito túnel. No sistema (b), a redução
da largura do canal para metade do seu valor inicial, não afetou signicativamente o valor
da probabilidade de transmissão. Em barreiras estreitas, a probabilidade de transmissão
diminui em torno de 2% para baixos valores de ε, enquanto que para barreiras largas a
probabilidade de transmissão tem uma redução entre 20%, para baixos valores de ε, e 5%
para valores elevados de ε. No sistema (c), o canal se reduz para 2 fendas estreitas com
2.0 nm de espessura em cada fenda. Diferente do que ocorre com a fenda simples, a fenda
dupla afeta de forma mais signicativa a probabilidade de transmissão, quando a largura
WB está acima de 1.0 nm, enquanto que para barreiras estreitas a transmissão é pouco
(a)
(b)
(c)
Figura 3.2: Transmissão em função da energia do pacote de ondas, para 3 valores da

largura da barreira WB . As linhas azuis indicam WB = 0.5 nm, linhas vermelhas indicam
WB = 1.0 nm e linhas pretas indicam WB = 2.0 nm, sendo linhas sólidas a transmissão e
linhas tracejadas reexão.
afetada. Pode se observar que para a barreira larga WB = 2.0 nm, a transmissão chega a
ser menor do que a reexão para ε < 110 eV.
A Figura 3.3 mostra os resultados para a densidade de corrente de probabilidade
em função do tempo. A sequência dos grácos plotados na Figura 3.3 (a), (b) e (c)
correspondem, respectivamente aos sistemas (a), (b) e (c) mostrados na Figura 3.1. Os
grácos da primeira coluna a esquerda correspondem à WB = 0.5 nm, enquanto que as
duas colunas seguintes correspondem à WB = 1.0 e 2.0 nm, respectivamente. Os resultados
foram plotados no gráco de forma que cada linha corresponde a um valor especico de
energia cinética do pacote de ondas propagado a partir do estado fundamental: ε1 = 70
meV (linha preta sólida), ε2 = 140 meV (linha tracejada vermelha), ε3 = 180 meV (linha
pontilhada azul). A linha traço-ponto verde representa o pacote de ondas com energia ε3
propagado a partir do primeiro estado excitado.
t (fs) x 10
Figura 3.3: Corrente de probabilidade em função do tempo para pacote de ondas propa-
gando a partir do estado fundamental com energia cinética igual a ε1 (linha sólida preta),
ε2 (linha tracejada vermelha) e para ε3 (linha pontilhada azul). A linha traço ponto em
verde representa a corrente de probabilidade em função do tempo, considerando energia
cinética igual a ε3 e pacote de ondas propagado a partir do primeiro estado excitado.
As correntes de probabilidade na Figura 3.3, demostram concordância com as pro-

babilidades de transmissão da Figura 3.1, com relação a dependência da corrente de
probabilidade com a energia ε. Quanto maior for a energia cinética do pacote de onda
maior será o pico de corrente de probabilidade que é calculada na saída do canal, e menor
será o tempo que o pacote de ondas gasta para sair do canal. A densidade de corrente
de probabilidade é pouco afetada para barreiras com largura WB = 0.5 nm. No sistema
(a) ocorre uma grande redução da densidade de corrente com o aumento da largura WB ,
enquanto que nos sistemas (b) e (c) o estreitamento do canal pouco afeta a densidade de
corrente.
Para entender melhor a contribuição de cada sub-banda de energia no processo de
transporte de elétrons em canais semicondutores, a Figura 3.4 (a) mostra um canal semi-
GaAs
InGaAs
Figura 3.4: (a) Auto-energias de um poço quântico nito em função da largura do canal
(b) Diagrama representando as bandas de energia do estado fundamental e 1o estado
excitado em função do vetor de onda, para um poço quântico com largura L = 10 nm.
condutor GaAs/InGaAs com largura L=10 nm, na direção y. Os auto-estados de um poço

quântico, com potencial de connamento Ve = 600 meV é mostrado na Figura 3.4 (b).
Apenas três estados estão ligados ao poço: estado fundamental E0 = 58.09 meV, primeiro
estado excitado E1 = 226.68 meV e segundo estado excitado E2 = 479.01 meV. Na Figura
3.4 (c) os auto estados do poço são mostrados em função da largura L do poço. Na Figura
3.4 (d) o diagrama esboça as bandas de energia E(kx ) em função do vetor de onda kx . As
linhas horizontais traço-ponto, indicam os valores médios da energia cinética do pacote
de ondas ε1 e ε3 , acrescida da energia do estado fundamental, para um poço com L = 10
nm.
A energia cinética nos permite calcular a inuência da sub-banda no espalhamento do
pacote de ondas. O vetor de onda kx permitido para cada energia cinética ε, em diferentes
sub-bandas, depende da largura L do poço quântico. Para L = 10 nm, apenas os vetores
(1) (2) (y) (y)
de ondas k3 e k3 são permitidos para as sub-bandas E1 e E2 , respectivamente, veja a
Figura 3.4 (b). No caso especíco deste trabalho, a mais alta energia cinética foi escolhida
de forma a cobrir as duas primeiras sub-bandas de energia do canal quântico, de forma
(y)
que o mínimo da sub-banda E2 encontra-se em torno da energia cinética ε3 . Para um
pacote de onda gaussiano, a função de onda inicial é uma distribuição de vetores de onda
(i)
kx em torno de kx , que leva a uma distribuição de energia ∆E , como ilustrado na Figura
3.4 (b). A distribuição de energia do pacote de ondas é denida por ∆E = ~2 k0 ∆k/me ,
√
onde ∆k = 2 2ln2/σx [75].
Um pacote de ondas que inicia a propagação a partir do estado fundamental com vetor
(1)
de onda k3 tem distribuição de energia ∆E1 maior que a distribuição de energia ∆E2
de um pacote de onda que inicia a propagação a partir do primeiro estado excitado com
(2)
vetor de onda k3 . Como consequência, a corrente de probabilidade para um pacote de
ondas que se propaga com energia cinética ε3 a partir do primeiro estado excitado tem
baixa intensidade quando calculada na saída do canal, conforme mostra a linha verde
traço-ponto na Figura 3.3.
40 t=300 fs t=600 fs t=1.200 fs t=12.600 fs

20
y (nm)
0
-20
-40
40
20
y (nm)
0
-20
-40
40
20
y (nm)
0
-20
-40
-40 -20 0 20 40 -40 -20 0 20 40 -40 -20 0 20 40 -40 -20 0 20 40
x (nm) x (nm) x (nm) x (nm)
Figura 3.5: Módulo quadrado da função de onda em quatro instantes de tempo diferentes,
propagado a partir do estado fundamental com energia cinética ε3 . A primeira coluna
mostra o instante t=300 f s, enquanto que as colunas seguintes mostram, respectivamente,
os instantes t=600 f s, t=1.200 f s e t=12.600 f s.
Efeitos de temperatura sobre o transporte de elétrons podem ser levados em considera-

ção multiplicando a probabilidade de transmissão pela derivada da distribuição de energia
de Fermi e integralidade sobre a energia. Assim, haverá um intervalo de energia em torno
do nível de Fermi dependente da temperatura que contribui de forma ecaz para a con-
dução total da corrente. Por outro lado, nossos cálculos não levam em consideração onda
plana, a qual está associada a uma energia xa ε, de forma que os resultados aqui apre-
sentados não descrevem situações com temperatura zero. O pacote de ondas gaussiano
que usamos em nosso cálculo numérico produz uma distribuição gaussiana do momento,
ou de forma equivalente, uma combinação de ondas planas com diferentes energias. Por-
tanto, os cálculos de transmissão apresentados aqui estão relacionados à resultados com
temperatura diferente de zero, onde a espessura do pacote de ondas no espaço reciproco
está relacionado à espessura da distribuição de energia e, consequentemente, desempenha
o papel da temperatura. Entretanto, encontrar a relação exata entre temperatura e o
pacote de ondas é uma tarefa não trivial e não faz parte dos interesses deste trabalho.
Aqui, nos limitaremos a estudar qualitativamente o processo de espalhamento de pacote
de ondas em canais quânticos estreitos.
A Figura 3.5 mostra o módulo quadrado da função de onda em quatro instantes
distintos: 300, 600, 1.200 e 12.600 f s, respectivamente nas colunas da esquerda para a
direita. Neste cálculo usamos barreiras com largura Wc = 1 nm e pacotes de ondas com
energia ε3 , propagado a partir do estado fundamental. Para o sistema (a), ao incidir na
barreira o pacote de onda se espalha, parte do pacote é reetido e parte é transmitido por
efeito túnel para a região à direita da barreira. É possível observar no instante t = 12.600
f s, que o espalhamento muda o vetor de onda de forma que o pacote passa a se propagar
no primeiro estado excitado. Nos sistemas (b) e (c) o pacote de ondas é pouco reetido.
Nesses dois sistemas, o espalhamento provocado pelas fendas não altera o vetor de onda
do pacote, e o pacote permanece propagando no estado fundamental.
Em conclusão, neste capítulo estudamos espalhamento de pacotes de ondas em canais
quânticos semicondutores com obstruções do tipo barreira e fendas simples e dupla. O
método empregado consiste na solução da equação de Schrödinger dependente do tempo,
sendo consistente com a teoria da massa efetiva e com formalismo da função envelope. Os
resultados obtidos mostram que as obstruções no interior do canal provocam espalhamento
do pacote de onda na região da barreira. A transmissão e a corrente de probabilidade
são fortemente dependentes da energia cinética ε do pacote de ondas e da largura WB
da barreira. Os resultados obtidos neste trabalho podem servir de referência tanto para
estudos de interesse acadêmico quanto para estudos experimentais. O método aplicado
aqui ainda possui fôlego para uma vasta aplicação em estudos de sistemas semicondutores
de baixa dimensionalidade, tais como estudos em canais quânticos envolvendo interações
do tipo: i. elétron-impureza; ii. elétron-fótons; iii. elétron-elétron; iv. efeito de campos
externos, magnético e elétrico, estático ou dependente do tempo.
Capítulo 4
Propagação de pacotes de ondas em
Fios Quânticos ramicados
Dispositivos mesoscópicos de baixa dimensionalidade são sistemas em que o movi-
mento de elétrons é connado em uma camada bidimensional de um semicondutor. Os
elétrons, com densidade da ordem de 10−11 cm−2 , ocupam estados permitidos acima do
nivel de Fermi EF , o qual pode ser ajustado através de campos externos. Do ponto de
vista experimental, as propriedades do sistema são obtidas a partir de contato metálico
que chegam até a camada eletrônica. Em baixas temperaturas, a corrente através do
sistema é medida como função da diferença de potencial nos contatos. A descrição quân-
tica do circuito completo é um desao ainda em aberto, e alternativas para estudo de
transporte eletrônico tem se baseado em sistemas abertos, onde o contato para injeção
de elétrons surge a partir de reservatórios externos. A determinação de condições de con-
torno corretas para os contatos eletrônicos também consiste em um grande desao que
envolve problemas ainda sem solução em casos de partículas interagentes. Do ponto de
vista teórico, propriedades de transporte em sistemas mesoscópicos, com baixa tempera-
tura e corrente, é comunente descrito por métodos não interagentes. Esta simplicação
se sustenta por considerar que apenas elétrons com energia próximo à energia de Fermi
participam do transporte eletrônico.
A corrente que surge através do dispositivos, devido a pequenas variações no potencial
em um dos contatos, pode ser obtida quantitativamente por métodos que calculam a pro-
babilidade de transmissão entre o contato da fonte e o contato do dreno no dispositivo.
Dispositivos com geometrias irregulares, precisam de métodos numéricos para estudar o
processo de transporte eletrônico, e o objetivo deste capítulo é estudar transporte ele-
trônico em dispositivos mesoscópicos com diferentes geometrias em escala nanométrica.
O comportamento de elétrons nesta escala é domínio da mecânica quântica, e efeitos de
difração e espalhamento quântico ocorrem devido a geometria dos dispositivos, afetando
de forma signicativa as propriedades de transporte nestes dispositivos. A investigação
do comportamento eletrônico é baseada na solução numérica da equação de Schrödinger
dependente do tempo, através do método de propagação de pacote de ondas, já descrito
50
Figura 4.1: Pers de potencial para os sistemas investigados, compostos por 1 canal de
entrada para injeção do pacote de onda e 3 terminas de saída, os canais possuem 10 nm
de largura inclusive o canal vertical.
em capítulos anteriores.
Os dispositivos consistem em quatro sistemas mesoscópicos cuja geometria é formada
por um canal para injeção de elétrons, (pacote de ondas) e três canais de saída, os quais
produzem espalhamento do pacote de ondas. A Figura 4.1 mostra os quatro dispositivos
usados neste trabalho. A diferença entre os sistemas está no alinhamento do canal de
entrada com os canais de saída. O material que compõe a região do canal é o semicondutor
InGaAs, enquanto a região fora do canal é formado pelo semicondutor GaAs. Conforme
mostrado na Figura 4.1 (a), os contornos dos sistemas são suavizados para evitar que
surgem estados ligados no interior do canal. Os dispositivos consistem em estruturas
planares quânticas em que o movimento de elétrons é obrigado a estar no plano (x, y), cuja
dimensão é de 420 x 420 nm. O potencial de absorção tem a largura de 420 nm, xo nas
extremidades esquerda e direita da grid. As probabilidades de transmissão e reexão são
calculadas através da integração numérica da densidade de corrente em pontos especícos
da grid do sistema, sendo que a reexão é calculada no canal de entrada e as transmissões
nos canais de saída. Os pontos onde a reexão e a transmissão são calculadas estão
indicados pelas letras R, T1 , T2 e T3 na Figura 4.1. As equações de transmissão e reexão
são as mesmas denidas pelas equações (3.3) e (3.4), e os erros observados na soma de R
+ T, também apresentam valores da ordem de (0.1%).
51
0.6 T1 0.8
T2
T3
0.7
0.4
R
0.2 0.1
Transmissão
0.0
0.0
0.4 0.6
0.3 0.4
0.2 0.2
0.1 0.0
80 100 120 140 160 180 80 100 120 140 160 180
(meV) (meV)
Figura 4.2: Probabilidades de transmissão e reexão em função da energia cinética do

pacote de ondas.
A Figura 4.2 mostra os resultados dos calculos das probabilidades de transmissão e

reexão em função da energia cinética do pacote de ondas. A linha preta sólida representa
a transmissão através do canal de saída T1 , a linha vermelha tracejada é a transmissão no
canal T2 e a linha azul traço-ponto é a transmissão no canal de saída T3 . O coeciente de
reexão R é indicado pela linha verde pontilhada. A disposição dos grácos (a), (b), (c)
e (d) obedecem às respectivas disposições dos dispositivos na Figura 4.1.
No sistema mostrado na Figura 4.1 (a), a propagação do pacote de onda no canal T1
é favorecida devido ao alinhamento deste canal com o canal de entrada. A propabilidade
de transmissão T1 tem um crescimento assintótico com o aumento da energia cinética do
pacote, variando de 60% para mais de 80% com uma variação da energia cinética entre 70 e
200 mev. Por outro lado, o espalhamento do pacote de onda provocado pelo acoplamento
do canal de entrada com os canais de saída produz reexão de aproximadamente 30%
do pacote incidente, para valores intermediários da energia cinética ε, além da baixa
transmissão através dos canais T2 e T3 , menor que 10 % em relação ao pacote incidente.
No sistema (b), o canal está alinhado com uma barreira de potencial, ao longo da direção
x, o que favorece um maior espalhamento do pacote de ondas. O pacote espalhado tem
probabilidade de reexão maior que as probabilidades de transmissões, devido a esta
geometria do potencial.
52
A probabilidade de reexão é da ordem de 40 a 50 %, enquanto que a transmissão

por T1 é mais favorecida em relação as transmissões T2 e T3 , as quais tem probabilidades
menores que 20 % para qualquer valor da energia cinética do pacote de onda. Os sistemas
(c) e (d) tem em comum o alinhamento do canal de entrada com o canal de saída T2 , o que
favorece em ambos os casos, a transmissão por este canal. As transmissões T1 e T3 ocorrem,
devido ao espalhamento do pacote de onda, com a mesma probabilidade devido à simetria
da geometria do potencial em relação ao eixo x, para y = 0. A geometria do potencial
no sistema (c), em comparação com o sistema (d), favorece mais a transmisão. Menos
que 5% do pacote de ondas é reetido no sistema (d), e a probabilidade de transmissão
através dos canais T1 e T3 chegam à 20%, conforme pode ser observado na Figura 4.2 (d).
Os efeitos quânticos de difração e espalhamento do pacote de onda é mostrado nas
Figuras 4.3 e 4.4. Os grácos apresentam o módulo quadrado da função de onda em
quatro diferentes instantes da propagação: t1 = 400 fs, t2 = 900 fs, t3 = 1.900 fs e t4 = 2.200
fs. Na Figura 4.3 o pacote de onda inicia a propagação, da direita para a esquerda, a
partir de uma banda de energia do estado fundamental, enquanto que na Figura 4.4 a
propagação é simulada a partir do primeiro estado excitado. Em ambos os casos, a energia
cinética do pacote de onda é ε3 = 180 meV. O pacote de onda ao se propagar a partir do
primeiro estado excitado, tem vetor de onda menor que o vetor de onda do pacote que
se propaga a partir do estado fundamental, que tem distribuição de energia ∆E1 maior
que a do pacote de onda que inicia a propagação a partir do primeiro estado excitado,
como consequência, o pacote se propaga mais rápido no estado fundamental do que em
estados excitados conforme pode ser observado nas Figuras 4.3 e 4.4, para t = 400 f s.
Quando propagado a partir do estado fundamental a junção do canal de entrada com os
canais de saída espalha o pacote de onda para o primeiro estado excitado, nos três canais
de saída dos sistemas (a), (b) e (c) apenas nos canais T1 e T3 , no sistema (d). O pacote
de ondas não se espalha para a terceira banda de energia do semicondutor. O mínimo
desta banda, corresponde a um estado de energia E2 = 499 meV, ver Figura 3.5, ou seja,
299 meV acima do valor da energia cinética do pacote de ondas mais energético usado
neste trabalho, de forma que nossos resultados não apresentam espalhamento do pacote
de ondas para a terceira banda de energia.
Para melhor entender a dinâmica do pacote de ondas nos dispositivos, a Figura 4.5
apresenta o cálculo para a corrente de probabilidade através dos canais de saída em função
do tempo. A geometria do dispositivo tem inuência na propagação do pacote de ondas,
conforme já descrito, e o efeito do espalhamento devido a geometria do potencial pode
ser observado também nos resultados obtidos do cálculo da corrente de probabilidade. As
oscilações na corrente de probabilidade nos terminais de saída, ocorrem devido ao processo
de espalhamento do pacote de ondas. A dependência com a energia cinética ocorre na
proporção inversa, ou seja, o pacote de ondas com a menor energia cinética ε = ε1 é o mais
espalhado pelo potencial, conforme mostram as oscilações das linhas sólidas pretas, da
corrente de probabilidade, na Figura 4.5. Por outro lado os resultados mostram também,
53
40
y (nm)
20
0
-20
-40 t1= 400 fs t2= 900 fs t3= 1.900 fs t4= 2.200 fs
40
y (nm)
20
0
-20
-40
40
y (nm)
20
0
-20
-40
40
y (nm)
20
0
-20
-40
-40 -20 0 20 40 -40 -20 0 20 40 -40 -20 0 20 40 -40 -20 0 20 40
Figura 4.3: Módulo quadrado da função de onda em quatro instantes diferentes, propa-
gado a partir do estado fundamental.
que o pico de corrente ocorre mais rapidamente comforme a energia cinética aumenta,
como consequência da alta velocidade de Fermi. O transporte da corrente de probabilidade
se dá com maior intensidade através do canal de saída que é alinhado com o canal de
entrada, conforme mostrado nas Figuras (a) T1 , (b) T2 e (d) T2 .
No sistema (b), a barreira de potencial, alinhada com o canal de entrada, produz maior
espalhamento do pacote de ondas, que pode ser visto através das oscilações de corrente de
probabilidade e pelas probabilidades de transmissão, na Figura 4.2. quando propagado
a partir do primeiro estado excitado, a corrente de probabilidade leva mais tempo para
sair dos canais, devido à baixa velocidade de propagação estar associada à um vetor de
onda menor. No sistema (d) o ângulo de alinhamento (30o ) dos canais T1 e T3 com o
canal de entrada favorece o transporte, de forma que a corrente de probabilidade passa
pelo sistema sem oscilações.
Do ponto de vista de uma aplicação prática, é importante descrever o comportamento
da condutância para diferentes valores da energia cinética. Neste trabalho, a condutância
é calculada como um caso particular do formalismo de Landauer [76, 77], descrito em
termos da soma das transmissões em multibandas de energia, representadas pelo índice
n.
54
40
y (nm)
20
0
-20
-40 t1= 400 fs t2= 900 fs t3= 1.900 fs t4= 2.200 fs
40
y (nm)
20
0
-20
-40
40
y (nm)
20
0
-20
-40
y (nm)
20
0
-20
-40
-40 -20 0 20 40 -40 -20 0 20 40 -40 -20 0 20 40 -40 -20 0 20
Figura 4.4: Módulo quadrado da função de onda em quatro instantes diferentes, propa-
gado a partir do primeiro estado excitado.
X (n)
Gl (ε) = G0 Tl (ε) (4.1)
n
onde o índice l(= 1, 2, 3) refere-se ao canal de saída, onde a condutância é calculdada, por
meio das transmissões T1 , T2 e T3 . O quantum de condutância G0 (= 2e2 /h) é usada aqui
(n)
como unidade de condutividade elétrica, e as transmissões Tl são calculdadas ajustando
o pacote de ondas com o índice n da banda de energia. A propagação do pacote de
ondas com energia menor que 165 meV ocorre apenas na banda de energia do estado
fundamental. Quando a energia cinética passa de 165 meV. O pacote de ondas se espalha
para o 1o estado excitado, propagando-se em duas bandas. Este efeito é obsevado no
cálculo da condutância a qual apresenta um salto no valor G/G0 em torno de ε= 165
meV, conforme mostrado na Figura 4.6. As condutâncias G1 (linha preta sólida). G2
(linha tracejada vermelha) e G3 (linha traço-ponto azul) são calculadas por meio das
transmissões T1 , T2 e T3 , respectivamente.
A equação (4.1) descreve exatamente a condutância à temperatura 0K, a partir de
probabilidades de transmissão calculadas com ondas planas e com energia ε. Por outro
lado, para temperaturas diferente de zero, o cálculo de condutância tem que levar em
consideração a energia de Fermi, cuja derivada da distribuição deve ser multiplicada pela
55
Figura 4.5: Corrente de probabilidade em função do tempo para quatro valores de energia
cinética do pacote de onda, sendo eles: Linha sólida preta, 70 meV; Linha tracejada
vermelha, 140 meV; Linha pontilhada azul, 180 meV no estado fundamental; e linha
tracejada pontilhada verde, 180 meV propagada no primeiro estado excitado.
probabilidade de transmissão, e integrada sobre a energia, de forma que haverá um in-

tervalo de energia, em torno da energia de Fermi que contribuirá efetivamente para o
cálculo de condutância no dispositivo. Por outro lado, nossos cálculos consideram uma
distribuição gaussiana, que pode ser interpretada como uma combinação de ondas pla-
nas de diferentes energias ε, de forma que os resultados apresentados aqui para o cálculo
de condutância estão relacionados com temperatura diferente de zero. A relação entre
a temperatura e o pacote de onda não é o foco deste trabalho. O comportamento da
condutância com a energia, como mostrado na Figura 4.6 está em concordância com os
cálculos da transmissão mostrados na Figura 4.2.
Por m, neste capítulo estudamos propriedades de transporte em dispositivos semicon-
dutores mesoscópicos, através de técnicas de propagação de pacote de ondas. O método
usado é consistente com a solução da equação de Schrödinger dependente do tempo, por
meio de operadores de propagação temporal e do método de separação dos operadores T
e U (split operator ). Os resultados mostram que a geometria dos dispositivos alteram a
56
(a) (c)
0.8
0
0.6
G/G
T
1
0.4
T
2
0.2 T
3
(b) (d)
0.8
0
0.6
G/G
0.4
0.2
90 120 150 180 90 120 150 180
(meV) (meV)
Figura 4.6: Condutância em função da energia do pacote de ondas em cada canal de

saída, sendo a linha sólida preta a condutância no canal de saída T1 , a linha tracejada
vermelha a condutância no canal de saída T2 e a linha traço ponto azul a condutância no
canal de saída T3 , calculado para os quatro sistemas estudados (a), (b), (c) e (d).
condutância nos terminais de saída, mas não possuem conrmação experimentais disponi-
veis na literatura. Por outro lado, espera-se que a possível publicação dos resultados aqui
apresentados possam servir de motivação para realização de trabalhos experimentais. Do
ponto de vista teórico, o controle do transporte através dos canais pode ser investigado
através de aplicação de campo externos e interação com potenciais de pontas de AFM e
STM, o que gera perspectivas futuras para continuidade deste trabalho.
Capítulo 5
Conclusões e Perspectivas
Neste trabalho, nós utilizamos a técnica Split − operator , que é consistente com a
teoria da massa efetiva e com formalismo da função envelope, para resolver a equação
de Schödinger dependente do tempo, am de investigar o transporte e as propriedades
eletrônicas de nanoestruturas semicondutoras. Estas nanoestruturas consistem em Fios
quânticos com barreiras e Fios quânticos ramicados por meio de canais .
No Capítulo três investigamos as propriedades eletrônicas de um pacote de ondas,
formado pela combinação de uma função gaussiana com uma onda plana que é propa-
gado através de três diferentes Fios quânticos, formados por canais semicondutores com
obstruções (barreira simples, fenda simples e fenda dupla). O pacote de ondas, reetido e
transmitido através de barreiras, possibilita um estudo sobre o espalhamento de elétrons
em diferentes sub-bandas de energia. Nossos resultados mostram que a transmissão e a
corrente de probabilidade são fortemente dependentes da energia cinética ε do pacote de
ondas e da largura WB da obstrução no interior do o.
O Capítulo 4 foi destinado ao estudo teórico do espalhamento de um pacote de ondas
em os quânticos ramicados em multicanais. Os resultados mostram que a geometria
dos dispositivos alteram signicativamente os cálculos da probabilidade de transmissão,
corrente de probabilidade e condutância nos terminais de saída.
Acreditamos que os resultados apresentados neste trabalho, assim como a técnica
utilizada, podem servir como referência para trabalhos futuros em sistemas de baixa di-
mensionalidade. O controle do transporte de elétrons nos sistemas propostos aqui, podem
ser investigados, por exemplo, por meio de interação com campos externos e potenciais
que simulam pontas AFM e STM. Outros problemas também podem ser pesquisados por
meio das técnicas aqui apresentadas, como por exemplo:
1. Interação elétron-elétron em sistemas de baixa dimensionalidade [78];
2. Propriedades ópticas e interação elétron-fóton [79];
3. Efeito de campos externos: elétrico e magnético;
4. Efeito de interação com pontas AFM e STM.

Referências Bibliográcas
[1] R. P. Feynman, Caltech Engineering and Science, 23, February (1960).
[2] G. E. Moore, Electronics 38, N. 8, (1965).
[3] J. R. Arthur, Surface Science 500, 189 (2002).
[4] P. M. Petro and S. P. DenBaars, Superlattices and Microstructures, 15, no 1 (1994).
[5] G. D. Wilk, R. M. Wallace and J. M. Anthony, J. App. Phys. 89, 5243 (2001).
[6] G. Ribes, J. Mitard, M. Denais, S. Bruyere, F. Monsieur, C. Parthasarathy, E. Vincent
e G. Ghibaudo, IEEE transactions on device and materials reliability, 5, NO. 1, (2005).
[7] A. B. Balantekin, Rev. Mod. Phys. 70, 77 (1998).

[8] D. Gammon, Nature 405, 899-900 (2000).
[9] S. S. Mao, Int. J. of Nanotechnology 1, 42 (2004).
[10] P. Jakubczyk Phys. Rev. B 86, 075142 (2012).
[11] S. Dai, Y. Wu, T. Sakai, Z. Du, H. Sakai and M. Abe, Nanos. Res. Lett., 5,1272
(2010).
[12] Y. Cohin, O. Mauguin, L. Largeau, G. Patriarche, F. Glas, E. Søndergard, e J.

Harmand, Nano Lett., 13, 2743 (2013).
[13] T. Ihn, Semiconductor Nanostructures Quantum States and Electronic Transport,
(2010).
[14] H. U. Baranger e A. Douglas Stone, Physical Review Letters, 63, 4 (1989).

[15] M. D. Seta, G. Capellini, and F. Evangelisti, Phys. Rev. B 77, 045431 (2008).
[16] A. Fuhrer, S. Lüscher, T. Ihn, T. Heinzel, K. Ensslin, W. Wegscheider, and M.
Bichler, Nature (London), 413 822 (2001).
[17] L. Esaki e R. Tsu, Superlattice and negative conductivity in semiconductors, IBM

Res. Note, RC-2418, (1969).
REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS 59
[18] L. Esaki e R. Tsu, Superlattice and negative dierential conductivity in semicon-

ductors, IBM J. Res. Develop., 14, pp. 6165, (1970).
[19] L. Esaki and L. L. Chang, Phys. Rev. L., 33, pg 495, (1974).
[20] B. D. Josephson,Rev. Mod. Phys. 46, 251 (1974).
[21] S. M. Rezende, Materiais e Dispositivos eletrônicos,(2004).
[22] M. K. Hudait, M. Clavel, P. Goley, N. Jain e Y. Zhu, Scientic Reports 4, Article

number: 6964 (2014).
[23] R. C. Ashori, Nature 379, 413 (1996).

[24] P. Hawrylak, Phys. Rev. B, 60, N.8 (1971).
[25] L.-W. Wang, Phys. Rev. B 49, 10154 (1994).
[26] L. Yang, J. RWatling, R. CWilkins, M. Boric J. R Barker, A. Asenov e S. Roy,
Semic. Sci. Tech. 19, 1174 (2004).
[27] E. Herbert Li, Phys. E 5, 215 (2000).
[28] T. Kuroda, T. Manoa, T. Ochiaia, S. Sanguinettic, T. Noda, K. Kuroda, K. Sakoda,
G. Kidoa e N. Koguchia; Phys. E 32, 46 (2006).
[29] T. Kuroda, T. Mano, T. Ochiai, S. Sanguinetti, K. Sakoda, G. Kido e N. Koguchi;
Phys. Rev. B 72, 205301 (2005).
[30] A. Chaves, G. A. Farias, F. M. Peeters, R. Ferreira, Commun. Comput. Phys. 17,
850 (2015).
[31] A. A. Sousa, A. Chaves, T. A. S. Pereira, G. A. Farias, F. M. Peeters. Quantum

tunneling between bent semiconductor nanowires. J. App. Phys. , 118, p. 174301,
(2015).
[32] H. W. Choi, C. W. Jeon, C. Liu, I. M. Watson, M. D. Dawson, P. R. Edwards, R.

W. Martin, S. Tripathy e S. J. Chua; Appl. Phys. Let. 86, 021101 (2005).
[33] D. Granados e J. M García, Appl. Phys. Let. 82, 2401 (2003).
[34] M. L. Roukes, A. Scherer, S. J. Allen, Jr.,H. G. Craighead, R. M. Ruthen, E. D.
Beebe e J. P. Harbison, Phys. Rev. Let. 59, 26 (1986).
[35] http://lness.como.polimi.it/dante.php., acessado em 28/06/2016.
[36] Ashcroft, Neil W and Mermin, N. David, Solid State Physics, publishing Thomson
Learning (1976).
[37] A. A. Sousa. Fios Quânticos Core-Shell com Efeito de Potencial de Carga Imagem,
Dissertação de Mestrado (2012).
[38] M. S. Dresselhaus, Solid State Physics, Part I, Transport Properties of Solids, (2001).
[39] G. Bastard, Wave Mechanics applied to semiconductor heterostructure, (1991).
[40] M. Born and J. R. Oppenheimer, Ann. Phys. 84, 457 (1927).

[41] M. D. Feit, J. A. Fleck, Jr., and A. Steiger, J. Comput. Phys. 47, 412 (1982).
[42] G. B. Ren and J. M. Rorison, Phys. Rev. E 69, 036705 (2004).
[43] D. M. Sullivan e D. S. Citrin, J. Appl. Phys. 97, 104305 (2005).
[44] O. Stier and D. Bimberg, Phys. Rev. B 55, 7726 (1997).
[45] G. Grosso, L. Martinelli, and G. Pastori Parravicini, Phys. Rev. B, 51, 13033 (1995).
[46] H. Chu and Y.-C. Chang, Phys. Rev. B 39, 10861 (1989).
[47] E. R. Davidson, Comput. Phys. 7, 519 (1993).
[48] S. Glutsch, D. S. Chemla, and F. Bechstedt, Phys. Rev. B 54, 11592 (1996).
[49] M. Rieth, W. Schommers, and S. Baskoutas, Int. J. Mod. Phys. B 16, 4081 (2002).
[50] M. Degani,M. Z. Maialle, Numerical Calculations of the Quantum States in Semi-
conductor Nanostructures, J. Comp. and Theor. Nanos., 7, 454473, (2010).
[51] A. A. Sousa, A. Chaves, G. A. Farias, F. M. Peeters, Phys. Rev. B 88, 245417 (2013).
[52] W. A. Press, S. A. Teukolsky, W. T. Vetterling and B. P. Flannery, Numerical Re-

cipes in Fortran 77: The Art of Scientic Computing (Cambridge University Press,
Cambridge) (1992).
[53] B. Szafran, F. M. Peeters and S. Bednarek, Phys. Rev. Lett. 70, 125310 (2004).
[54] M. D. Petrovic, F. M. Peeters, A. Chaves and G. A. Farias, J. Phys. Condens. Matter
25, 495301 (2013).
[55] L. G. G. V. D. Silva, S. E. Ulloa, A. O. Govorov Phys. Rev. B 70, 155318.
[56] T. A. S. Pereira, A.A SOUSA, M.H Degani, G.A. Farias, Dielectric mismatch and
shallow donor impurities in GaN/HfO2 quantum wells. Phys. E, Low-Dimensional
Systems and Nanostructures, 66, p. 81, (2014).
[57] U. Peskin, R. Koslo, N. Moiseyev, J. Chem. Phys. 100, 8849 (1994).
[58] A. Alvermann and H. Fehske, J. Comp. Phys. 230, 5930 (2011).
[59] L. Pierantoni, D. Mencarelli, T. Rozzi, IEEE transactions on microwave theory and

techiques, 57, NO. 5, (2009).
[60] H. Tal Ezer and R. Koslo, J. Chem. Phys. 81, 3967 (1984).
[61] H. Fehskea, J. Schleedea, G. Schuberta, G. Welleinb, V. S. Filinovc and Alan R.
Bishopd, Phys. Lett. A 373, Issue 25, (2009).
[62] S. Harrison, M. P. Young, P. D. Hodgson, R. J. Young e M. Hayne, Phys. Rev. B
93, 085302 (2016).
[63] W. E. BUHRO,V. L. COLVIN, Nature materials, 2 (2003).
[64] H. EHRENREICH,PHYSICAI REVIEW l20, NUMBER 6 DECEMBER 15, 1960.
[65] D. L. Rode and S. Knight, Phys. Rev. B 3, NUMBER 8 (1971).
[66] H. Shichijo and K. Hess, Phys. Rev. B 23, NUMBER 8 (1981).
[67] C. W. J. Beenakker e H. Van Houten, Solid State Physics, no 44, 1-228 (1991).
[68] E. R. Racec, U. Wulf, Phys. Rev. B, 64, 115318 (2001).
[69] A. A. Sousa, A. Chaves, T. A. S.Pereira, G. A. Farias e F. M. Peeters, J. App. Phys.
118, 174301 (2015).
[70] M. T. Björk, B. J. Ohlsson, C. Thelander, A. I. Persson, K. Deppert, L. R. Wallen-

berg, and L. Samuelson, Appl. Phys. Lett. 81, 4458 (2002).
[71] T. D. Stanescu, R. M. Lutchyn, S. Das Sarma, Phys. Rev.B 90, 085302 (2014).
[72] Z. Barticevic, P. Vargas, M. Pacheco e D. Altbir, Phys. Rev. B 68, 155306 (2003).
[73] D. E. Manolopoulos, J. Chem. Phys. 117, 9552 (2002).
[74] I. S. Gradshteyn and I. M. Ryzhik, Table of integrals, series, and products, 7th ed.
(Academic, San Diego), Sec 8.1 eq. 8.112 (2007).
[75] A. Chaves, G. A. Farias, F. M. Peeters, and B. Szafran, Phys. Rev.B 80, 125331
(2009).
[76] R. Landauer, IBM J. Res. Dev. 1, 223 (1957)

[77] M. Büttiker, Phys. Rev. Lett. 57, 1761 (1986).
[78] C. M. Puetter, S. Konabe, Y. Hatsugai, K. Ohmori, K. Shiraishi, App. Phys. Express
6, 065201 (2013).
[79] M. H. Degani, M. Z. Maialle, P. F. Farinas, N. Studart, J. App. Phys. 110, 104313
(2011)

Transporte de Pacote de Ondas em Fios Quânticos Não Ramificados E Ramificados

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UNIVERSIDADE FEDERAL DE MATO GROSSO

TRANSPORTE DE PACOTE DE ONDAS EM FIOS

Alice Regina de Almeida

TRANSPORTE DE PACOTE DE ONDAS EM FIOS

Dissertação apresentada ao programa de pós-graduação

A447t ALMEIDA, ALICE REGINA DE.

Orientador: Teldo Anderson da Silva Pereira.

1. TRANSPORTE. 2. FIOS. 3. QUANTICOS. 4. SEMICONDUTORES. I.

Permitida a reprodução parcial ou total, desde que citada a fonte.

Nas últimas décadas a sociedade presenciou um grande salto tecnológico na produção

3 Fios Quânticos Semicondutores 39

4 Propagação de pacotes de ondas em Fios Quânticos ramicados 49

2.1 (a) Banda de condução e valência devido a aproximação de um grande

2.3 Grid de discretização para aplicação de derivadas pelo método de diferenças

4.1 Pers de potencial para os sistemas investigados, compostos por 1 canal de

4.6 Condutância em função da energia do pacote de ondas em cada canal de

3.1 Parâmetros da liga semicondutora Gax In1−x As. . . . . . . . . . . . . . . . 40

Biologia Química Lasers

Ferramentas Engenharia Quântica

Figura 1.1: Campos de estudo multidisciplinares da nanociência.

em física do estado sólido, e em especial em semicondutores como silício e germânio, permi-

Figura 1.2: Escala de comprimento com comparação de dispositivos eletrônicos e exem-

(a) (b) (c)

(d) (e) (f) (h)

dispositivos aumenta o desempenho e reduz o consumo de energia, e esta equação econô-

outras) e pelo desenvolvimento de novos conceitos sobre dispositivos.

1.1 Nanoestruturas semicondutoras:

Figura 1.4: (a)Imagem de Micrograa por microscopia eletrônica de transmissão (TEM)

na interface da heterojunção se comporta como degraus de potencial que limitam o mo-

Tabela 1.1: Sistemas de dimensionalidade reduzida e seus respectivos números de graus

de baixa dimensionalidade é mostrado na Tabela 1.1. Em um semicondutor do tipo bulk

Os efeitos da quantização podem ser importantes mesmo em estruturas com escala da

Z (a) (b) (c) (d)

D(E) D(E) D(E) D(E)

sendo ∆E e o potencial que conna elétrons, ∆E h o potencial que conna buracos, E g A

∆Ee = Qc EgA − EgB

∆Eh = Qv EgA − EgB ,

onde as grandezas Qc e Qv são denominadas band-o-set de condução e band-o-set de

Figura 1.6: Perl do potencial de connamento de elétrons em um (a) poço quântico e

vista experimental, avanços em tecnologia na área da litograa tem tornado possível a

(a) Fonte Porta Dreno (b)

Figura 1.8: (a)Esquema de funcionamento de um MOSFET. (b) Hall Bar [34] .

treitos. Especicamente, pretendemos investigar o processo de espalhamento de elétrons

(a) (b) E(K)

energia em cristais e podem ser encontrados na literatura. Em geral, os modelos se ba-

2.1 Equação de Schrödinger para um cristal

Banda de valência GAP Banda de condução

do cristal: movimento eletrônico, movimento iônico, e suas interações com perturbações

ĤΨ(r1 , r2 , ...., rn , R1 , R2 , ..., RN ) = EΨ(r1 , r2 , ...., rn , R1 , R2 , ..., RN ), (2.1)

sendo Ĥ o operador Hamiltoniano que descreve todas as interações e energia cinética,

2.2 Aproximação Adiabática

Também conhecida como aproximação Born-Oppenheimer, a aproximação adiabática

Ψ(r, R) = ψ(r)ϕ(R), (2.3)

= E0 (R)ψ(r, R), (2.4)

2.3 Teoria da Massa Efetiva

Em redes cristalinas o movimento eletrônico é convenientemente descrito por um pa-

ψnk (~r) = eik·r unk (r), (2.8)

Se considerarmos o centro da zona de Brillouin, ponto Γ(k = 0) como ponto de re-

onde o coeciente cnn0 é conhecido como função envelope [36].

estrutura do semicondutor. Esta curvatura é introduzida por meio de um parâmetro em-

e a perturbação é representada pelo Hamiltoniano

de forma que a energia obedece a equação

Portanto, para um cristal periódico innito, a função envelope da banda de condução é

4 Propagação de pacotes de ondas em Fios Quânticos ramicados 49

4.1 Pers de potencial para os sistemas investigados, compostos por 1 canal de

Figura 1.4: (a)Imagem de Micrograa por microscopia eletrônica de transmissão (TEM)

sendo ∆E e o potencial que conna elétrons, ∆E h o potencial que conna buracos, E g A

onde as grandezas Qc e Qv são denominadas band-o-set de condução e band-o-set de

Figura 1.6: Perl do potencial de connamento de elétrons em um (a) poço quântico e

vista experimental, avanços em tecnologia na área da litograa tem tornado possível a

treitos. Especicamente, pretendemos investigar o processo de espalhamento de elétrons

onde o coeciente cnn0 é conhecido como função envelope [36].

Portanto, para um cristal periódico innito, a função envelope da banda de condução é

enquanto a denição de discretização à esquerda é escrita como

com β = i~∆t/4m∗ h2 de forma que a Eq. (2.39) ca

Com a nalidade de evitar reexões nas extremidades do canal, introduzimos o po-

onde os coecientes a, b e c são, respectivamente, denidos por

Figura 4.2: Probabilidades de transmissão e reexão em função da energia cinética do

A probabilidade de reexão é da ordem de 40 a 50 %, enquanto que a transmissão

[18] L. Esaki e R. Tsu, Superlattice and negative dierential conductivity in semicon-

[22] M. K. Hudait, M. Clavel, P. Goley, N. Jain e Y. Zhu, Scientic Reports 4, Article