Rodrigo Lomachinsky – Teoria dos dispositivos semicondutores – lista 7

Resposta da questão 4:

a) Quando a banda de valência possuir maior abertura, ou seja, ela tem a menor derivada, ela
é mais pesada, enquanto que a banda de condução vai ter uma abertura menor, logo ela
será mais leve, isso basicamente nos diz que a massa da banda de valência será maior que
a massa da banda de condução (Mv>Mc). Nos orientando pela formula do nível de Fermi,
vemos a expressão “log Mv/Mc”, como Mv>Mc isso tem que dar o logaritmo de um número
maior que 1 e todo logaritmo de um número maior que 1 é positivo. Já que obtivemos um
número positivo nessa expressão, vemos que o nível de Fermi (Ef) aumenta (ele não está
mais na metade do caminho entre a banda de valência e a de condução, seguindo Ec+Ev/2,
ele vai ser somado com três quartos de Kb vezes T vezes o log obtido), ou seja, o nível de
Fermi sobe, se aproximando da base da banda de condução (do Ec).

b) Quando a banda de condução possuir a maior abertura, ou seja, ela tem a menor derivada,
ela é mais pesada, enquanto que a banda de valência vai ter uma abertura menor, logo ela
será mais leve, então nesse caso teremos Mc>Mv. Nos orientando pela formula do nível de
Fermi, vemos a expressão “log Mv/Mc”, como Mc>Mv, isso dará o logaritmo de um número
menor que 1 e todo logaritmos de um número menor que 1 é negativo. Já que obtivemos
um número negativo nessa expressão, vemos que o nível de Fermi (Ef) diminui (ele não está
mais na metade do caminho entre a banda de valência e a de condução, seguindo Ec+Ev/2,
ele vai sofre uma subtração do valor de três quartos de Kb vezes T vezes o log obtido), ou
seja, o nível de Fermi desce, se aproximando do topo da base de valência (do Ev).

Resposta da questão 5:

a) Quando o semicondutor é dopado por impurezas doadoras (tipo n) o nível de energia de

impureza é localizado próximo ao fundo da banda de condução (logo abaixo do Ec e acima
do Ef). Nesse caso esse nível de energia costuma ser chamado de nível de energia doador,
já que os elétrons nele são facilmente excitados para a banda de condução. Para
entendermos melhor isso, vamos ver o processo de dopagem com impurezas doadoras. As
impurezas doadoras são da família 5 na tabela periódica e são capazes de doar elétrons para
a banda de condução, assim a concentração de elétrons (n) aumenta em relação a
concentração de buracos (p). Quando analisamos um sistema em que foi implementando
uma impureza doadora vemos que ela fica representada em uma esquematização como
uma linha no estado de energia (o nível de energia da impureza), essa linha vai estar cheia
de elétrons que ela vai doar para a banda de condução (justamente por isso ela se encontra
mais próxima da banda de condução). Basicamente, quando o sistema recebe energia, esses
elétrons no nível de energia da impureza vão ser excitados e vão migrar para banda de
condução, gerando assim um novo elétron na banda de condução sem criar um buraco na
banda de valência (já que esse elétron veio do material dopante, não da banda de valência).
Um efeito desse processo é o nível de Fermi subir, se aproximando da banda de condução.
 b) Quando o semicondutor é dopado por impurezas aceitadoras (tipo p) o nível de energia de
impureza é localizado próximo ao topo da banda de valência (logo acima do Ev e abaixo do
Ef). Nesse caso esse nível de energia costuma ser chamado de nível de energia aceitador, já
que ele aceita elétrons da banda de valência. Para entendermos melhor isso, vamos ver o
processo de dopagem com impurezas aceitadoras. As impurezas aceitadoras são da família
3 da tabela periódica e são capazes de receber elétrons da banda de valência, assim a
concentração de buracos (p) aumenta em relação a concentração de elétrons (n). No caso,
o estado de energia das impurezas aceitadoras é um estado vazio, ou seja, ele não está
cheio de elétrons, como é o caso do estado de energia das impurezas doadoras, ele está
vazio justamente para poder ser preenchido com elétrons da banda de valência (por isso
ele se encontra próximo a ela). Basicamente, aqui, quando você excita o material, os
elétrons vão migrar da banda de valência do semicondutor para o estado vazio que pertence
a impureza aceitadora. Com isso, geramos buracos na banda de valência sem gerar elétrons
na banda de condução, já que os elétrons excitados da banda de valência vão parar no
estado vazio da impureza, uma consequência disso é que o nível Fermi desce, se
aproximando da banda de valência.

Resposta da questão 6:

a) Podemos dizer que a passagem da corrente de condução em um semicondutor é

basicamente o deslocamento médio de portadores de carga, que ocorre devido a presença
de um campo elétrico. Nesse caso, os buracos vão se deslocar na direção da corrente e os
elétrons na direção contraria, com isso, vemos que a corrente total (ou a densidade de
corrente) é formada pela condutividade de elétrons mais a condutividade de buracos, com
isso multiplicado pelo campo elétrico (já que a corrente depende do campo). Vemos que
em um semicondutor em forma de barra que possui um cabo metálico ligando uma de suas
faces a outra, por onde passa corrente elétrica, ocorre a criação dos pares elétron-buraco
em uma das interfaces (com os buracos se movimentando no sentido da corrente e os
elétrons no sentido oposto) e na outra interface ocorre a recombinação dos pares (os
elétrons que vem do cabo se encontram com os buracos que percorriam a barra).
b) Podemos dizer que a passagem da corrente de difusão em um semicondutor se dá quando
os portadores de cargas são criados não uniformemente no material, o gradiente de
concentração resultante disso produz o movimento desses portadores. Se temos uma barra
semicondutora e eu começo a injetar buracos nela, esses buracos começam a se difundir no
semicondutor, é essa difusão que provoca uma concentração de buracos (p) diferente da
concentração encontrada quando o material semicondutor está em equilíbrio. A medida
que você injeta portadores em uma determinada região, você produz o deslocamento de
cargas e você tem com isso a corrente de difusão (também podemos notar o decaimento
da concentração de cargas, que ocorre de forma exponencial e depende da variação da
concentração de portadores e de características do material semicondutor, como seu
comprimento de difusão).