Teoria dos dispositivos semicondutores – lista 9 – Rodrigo Lomachinsky

Resposta da questão 11:

Vemos aqui um transistor de junção “pnp”, ele possui uma a camada “p” grande chamada de
condutor, uma fina camada “n” que fica no meio do dispositivo e é chamada de base e em cima dela
uma camada “p” mais fina que é o emissor. Como o emissor está conectado no semicondutor do
tipo “p”, ele emite buracos que passam pela região “n” (a base), onde controlamos efetivamente o
dispositivo e atinge a outra região “p” (o coletor). A junção “p-n” do emissor com a base (que tem
tensão “Veb”) está diretamente polarizada, ou seja, a tensão positiva está ligada ao “p” e a tensão
negativa está ligada ao “n”. Enquanto isso, a outra junção “p-n”, a do coletor com a base (que tem
tensão “Vcb”) está reversamente polarizada, ou seja, a tensão positiva está ligada ao “n” e a tensão
negativa está ligada ao “p”. Já que a primeira junção é diretamente polarizada, então os buracos da
região “p” são acelerados em direção a região “n” e os elétrons da região “n” são acelerados na
direção da região “p”, mas como a base (região “n”) é muito estreita, a grande maioria dos buracos
que são injetados nela não conseguem recombinar com os elétrons presentes na região “n” e
acabam seguindo em frente e atingindo a outra região “p”, onde encontram um potencial que os
empurra em direção a saída, formando a corrente “IC”. Se a base fosse muito larga, a corrente de
entrada em “p” (os buracos que se movimentam, ou seja, a corrente “IE”) ia acabar saindo por baixo
e formando a corrente de base “IB” (importante ressaltar que a corrente IB no desenho representa
o caminho oposto da movimentação de elétrons, ou seja, os elétrons entram na base e a corrente
IB sai), porém como a base é muito estreita a maior parte da corrente de entrada “IE” do emissor
acaba passando para formar a corrente “IC” do coletor. Sobre as outras correntes no sistema,
podemos falar que:

-Corrente I1: como a junção do emissor está diretamente polarizada, a corrente I1são os buracos
do emissor que serão injetados na base.

-Corrente I3: uma pequena quantidade de buracos que chegam na base através da corrente I1
sofrem recombinação (são poucos porque a base é estreita). Esses buracos que sofrem
recombinação vão descer (essa é a corrente I3) para se encontrarem com os elétrons que estão
subindo (corrente I6).

-Corrente I6: elétrons que chegam na base e sobem para se recombinar com os buracos que
compõem a corrente I3.

-Corrente I2: devido a base ser estreita, a maior parte dos buracos que foram a corrente I1 acabam
passando pela base e chegando no coletor, formando a corrente I2, que também é uma corrente
de buracos. Como a junção do coletor esta reversamente polarizada, então a tensão na base é maior
que a tensão no coletor, por isso esses buracos são acelerados pelo coletor e formam a corrente de
coletor IC.

-Corrente I7: é a resposta da base a junção diretamente polarizada com o emissor, ou seja, a
corrente I7 é uma corrente de elétrons. Os elétrons são injetados na base (o movimento contrário
é a corrente IB), alguns elétrons recombinam com os buracos, como é o casso da corrente I6,
outros, como a junção com o emissor é diretamente polarizada, são injetados no emissor, como é o
caso da corrente I7.

-Corrente I4 e I5: como a junção da base com o condutor está reversamente polarizada, buracos
saem da base (de “n”) e vão para o coletor (para “p”), formando a corrente I4, ao mesmo tempo
temos elétrons saindo da região “p” (o coletor) e sendo injetados na região “n” (a base), formando
a corrente I5. As correntes I4 e I5 são as que compõem a corrente reversa de saturação da junção
“p-n” da base com o coletor.

Como a maior parte dos buracos que compõem a corrente I1 (por consequência são os buracos de
IE) atingem a corrente de coletor, IC, dizemos que: IC =∝∗ IE, com “∝” sendo o fator de
transferência de corrente. Outra equação importante para esse sistema é: IE = IC + IB, já que a
soma das correntes que entra no sistema tem que ser igual a soma das correntes que saem.
∝
Juntando essas duas equações vamos chegar em: IC = 1−∝ ∗ 𝛽, ou seja, IC = β ∗ IB, com “β” sendo
o fator de amplificação da corrente. Essa última equação mostra uma das funções desse transistor,
o de amplificação da corrente, ele pega uma corrente IB, menor e ao multiplica-la por “β” aumenta
seu valor, ou seja, a amplificando e transformando na corrente IC (assim temos o amplificador, ou
região ativa, região onde faz ocorre a amplificação). Vale ressaltar que um bom transistor tem “∝”
igual a aproximadamente 1, nos dando um “β” grande, um “β” grande quer dizer que vamos ter
uma grande amplificação da corrente.

Ainda sobre o funcionamento desse transistor, podemos falar sobre seus 4 modos operantes:
polarizado diretamente, polarizado reversamente, corte e saturação. O modelo que estudamos
agora é o que está polarizado diretamente, com a junção “p-n” do emissor com a base polarizada
diretamente e a junção “p-n” do coletor com a base polarizada reversamente. No modo de operação
polarizado reversamente, a junção emissor-base fica polarizada reversamente e a junção coletor-
base fica polarizada diretamente (o posto do modo anterior), o que acontece nesse caso é devido a
região “p” do emissor ser muito menor que a região “p” do coletor e ela estar muito dopada, ela
emite buracos muito bem, mas não tem uma boa capacidade de coletar buracos. Na pratica, o “β”
no transistor polarizado reversamente fica muito pequeno, ou seja, a corrente sofre uma baixa
amplificação. O corte é quando as 2 junções estão reversamente polarizadas, então tanto na relação
base-emissor quanto na relação coletor-base, quem tem a maior tensão é a base, com isso as
correntes que vão fluir serão as correntes reversas de saturação, ou seja, a corrente que vai sair do
emissor e se transformar na do coletor é muito baixa, ou talvez ela nem chegue no coletor (na
pratica se comporta como uma chave fechada). A saturação é quando as 2 junções estão
diretamente polarizadas, por isso praticamente toda corrente injetada no emissor vai passar para o
coletor. Basicamente teremos uma corrente de base elevada com muita corrente fluindo do emissor
para o coletor, como se fosse uma chave aberta. Em resumo, se eu quero uma boa amplificação de
corrente no meu transistor eu uso ele com polarização direta, para chaveamento com chave fechada
eu uso o dispositivo em corte e para chaveamento com chave aberta eu uso o dispositivo saturado.
Resposta da questão 12:
Os transistores de efeito de campo são usados da mesma forma que os transistores bipolares para
a amplificação e chaveamento, a diferença é que os transistores de efeito de campo são controlados
por uma tensão de entrada (ou seja, é o campo elétrico que faz esse controle), não por uma
corrente. Nesses dispositivos o controle é feito por portadores majoritários, logo tem uma resposta
em frequência melhor do que o de junção polarizada.

No caso do transistor JFET para explicarmos seu funcionamento vamos tomar como base um de
canal “n”, ou seja, que tem junção “p-n-p”. No canal, ou seja, na região “n” eu coloco 2 acessos (2
contatos elétricos, mais especificamente 2 contatos ôhmicos), um deles é a fonte (fonte de elétrons,
emite elétrons) e o outro o dreno (drena elétrons), o canal “n” liga diretamente a fonte ao dreno.
Estamos lidando com um canal que é um semicondutor com dopagem “n”, onde os 2 acessos estão
ligados, quando aplicamos uma diferença de potencial “Vd” entre o dreno e a fonte vai haver
passagem de uma corrente elétrica “Id” (a fonte vai emitir elétrons porque é um semicondutor tipo
“n”, se o canal fosse de um semicondutor tipo “p” ele iria emitir buracos). Os elétrons se movem
por deriva da fonte para o dreno, enquanto o sentido convencional da corrente é o oposto, o valor
desta corrente é determinado pela tensão “Vd” e também pela resistência do canal, que por sua vez
depende da concentração de impurezas, com comportamento e da área efetiva da seção reta do
canal. Esta área pode ser controlada pelo tamanho das regiões de depleção das junções “p-n” entre
as portas e o canal, uma vez que nestas não existem elétrons de condução. Como a espessura da
região de depleção depende da tensão reversa na junção, a corrente de dreno “Id” varia com a
tensão entre a porta e a fonte “Vp”, ou seja, podemos dizer que a variação de corrente “Id” é
controlada pela tensão “Vp”.

Agora, vamos analisar mais profundamente como isso acontece. Como dito, a corrente na situação
descrita se move do dreno para a fonte (caminho oposto a movimentação dos elétrons), mas quem
é que controla essa corrente? Em cada uma das áreas de dopagem “p” temos um terminal que é
chamado de porta, se aplicarmos nas portas um potencial “Vp” que é menor que o potencial na
fonte (que tem a parte menor do potencial entre fonte e o dreno, o “Vd”), vamos ter uma junção
“p-n” reversamente polarizada. Na região “p-n” reversamente polarizada ocorre a formação, ou
mais especificamente, o aumento da região de depleção, uma região de carga espacial, ou seja, uma
região com baixa condutividade. Ou seja, nós controlamos o tamanho da região de depleção com a
tensão nas portas, com o aumento da tensão nas portas a região de depleção vai aumentando até
que chega um momento em que as 2 regiões de depleção se tocam (uma sendo a região de depleção
do contato do “n” com o “p” da esquerda no desenho e a outra sendo a região de depleção do
contado do “n” com o “p” da direita no desenho). A região que elas se tocam é chamada de região
crítica, com isso eu tenho o fechamento do canal por completo e esse fechamento é feito pelo
campo elétrico da região de depleção. Resumindo, podemos dizer que crescemos a região de
depleção aumentando o campo elétrico, ou seja, aumentando/variando o potencial nas portas (mais
especificamente a diferença de potencial entre a porta e a fonte), de tal modo que fechamos o canal
e agora a corrente que passa é muito pequena, ou pode até mesmo não passar mais corrente. Com
isso podemos dizer que o controle da corrente é feito pela tensão nas portas e as 2 junções “p-n”
são reversamente polarizadas (é um dispositivo que tem baixo consumo de potência).
Resposta da questão 13:
O transistor MOSFET tem uma característica particular, o canal que conduz a corrente (o canal de
condução ente a fonte e o dreno) é induzido no substrato por uma tensão aplicada na ponte, cujo
contato é isolado do semicondutor por uma cama de óxido, através do fenômeno da inversão. Em
outras palavras, nesse dispositivo eu continuou tendo a fonte, o dreno e a porta (além da presença
de mais um acesso, o substrato), mas, no caso, a porta está isolada do semicondutor por uma
camada de óxido isolante. Quando eu aplico no dispositivo uma tensão entre a fonte e o dreno,
como eles estão conectados ao “n” a fonte é de elétrons, logo será tensão negativa na fonte e a
tensão positiva no dreno, a corrente flui, na imagem, no sentido horário e os elétrons no sentido
anti-horário. Como vemos na imagem, existem uma região “p” separando as duas regiões “n”, então
não tem como a corrente, nem os elétrons, saírem de uma região “n” (a da fonte) e migrarem para
a outra região “n” (a do dreno), mas então como funciona a condução?

Para isso, vamos aplicar uma tensão positiva na porta, que vai fazer com que os buracos da região
“p” que ela está conectada se afastem e os elétrons sejam atraídos para essa região. A partir de uma
determinada tensão na porta é criada uma camada de inversão, ou seja, mesmo ali sendo uma
região no semicondutor tipo “p”, a concentração de elétrons vai ser tão grande por causa da tensão
positiva na porta, que vai formar um canal entre a fonte e o dreno, por onde a corrente vai poder
fluir do dreno para fonte (ou seja, os elétrons vão poder migrar da fonte para o dreno), isso acontece
mesmo com a porta sendo totalmente isolada por causa do isolante óxido no meio. Mesmo com a
porta não estando em contato direto como semicondutor “p” é possível atingir, para uma tensão
crítica, a camada de inversão, que é o canal por onde passa a corrente no transistor. Explicando
melhor, a tensão crítica é a tensão onde ocorre a inversão, que por sua vez é o processo onde o
semicondutor tipo “p” tem seus buracos varridos/tirados e os poucos elétrons que ele tem vão se
juntar, assim o semicondutor tipo “p” começa a se comportar quase como um semicondutor tipo
“n”, por isso ele pode conectar as duas regiões “n”. Vemos que nesse transistor nós formamos um
canal do tipo “n”, ou seja, a camada de inversão é de formação do canal, porém existe MOSFETs
que esse canal já existe. Nesses casos o transistor apresenta uma camada “n” fina ligando as 2 áreas
“n” e nós destruímos essa camada “n” com a tensão aplicada na porta, ou seja, nós podemos
construir a camada de inversão tanto com o intuito de construir um canal quanto de retirar um canal
existente. Podemos perceber que a corrente que vai passar pela porta, devido a porta ser isolada, é
uma corrente muito pequena, próxima do zero, isso quer dizer que o controle desse dispositivo é
feito com uma baixa corrente, ou seja, o controle desse transistor é feito pelo campo elétrico
produzido pelo potencial aplicado na porta. Por fim, só para completar, o terminal “S”, que vem de
substrato, fica conectado a uma região de metal abaixo da região do semicondutor tipo “p” e a
tensão que nós aplicamos na porta é em relação a esse terminal substrato (na maioria das aplicações
o substrato está aterrado).