Rodrigo Lomachinsky --- lista 6

Questão 1: Explique a condução dos materiais em relação a última banda de energia.

Resposta: As propriedades de condução dependem da última banda de energia de energia estar

vazia ou preenchida. A última banda de energia totalmente preenchida se chama banda de
valência, a banda seguinte, conhecida como banda de condução, pode estar vazia ou
semipreenchida e entre elas tem uma faixa proibida chamada Gap.

Nos isolantes temos a banda de condução vazia e um Gap muito grande, aqui os elétrons que
estão na banda de valência precisam ser excitados (ganhar energia) para saltar por cima do Gap
proibido e chegar no nível da banda de condução. Quando os elétrons chegam na banda de
condução eles tem mobilidade, por isso podem participar do processo de condução, contudo, a
questão aqui é que devido ao Gap proibido nos isolantes ser muito grande, precisa de muita
energia para os elétrons poderem fazer esse salto, por isso é mais difícil de acontecer.

Nos semicondutores a banda de condução está vazia e o Gap proibido é pequeno. O processo é o
mesmo do isolante, quando o elétron ganha energia ele migra da banda de valência para a de
condução, saltando por cima do Gap, quando ele chega na banda de condução ele tem
mobilidade, logo pode haver condução. A diferença aqui é que o Gap dos semicondutores é muito
menor do que o dos isolantes, então é preciso de menos energia para o elétron fazer o salto, por
isso é mais fácil desse processo acontecer nos semicondutores do que nos isolantes.

Nos condutores a banda de condução está semipreenchida e não temos um Gap tão grande assim.
Como a banda de condução já está semipreenchida já tem uma quantia de elétrons livres para
circular, além disso, devido a ela já estar parcialmente preenchida e o Gap ser pequeno, pouca
energia é necessária para que os elétrons passem na camada de valência para a de condução,
vemos que um simples campo elétrico ou uma agitação térmica já conseguem fornecer energia
suficiente para que haja essa transição de elétrons. Com vários elétrons capazes de se movimentar
na camada de condução e com uma transição de elétrons que ocorre de maneira simples, a
condução acontece muito facilmente.

Questão 2: O que são semicondutores intrínsecos e extrínsecos?

Resposta: Um semicondutor intrínseco é um semicondutor puro, ou seja, é formado somente pelo

próprio material, sem conter impurezas, por exemplo um semicondutor só feito de silício (só tem
silício na rede cristalina). Os semicondutores extrínsecos são semicondutores que contem
impurezas, geralmente eles passam por um processo de dopagem, onde um elemento novo é
inserido na rede cristalina no material, por exemplo, quando são colocados átomos de Boro em
uma rede cristalina de silício. Um detalhe importante é que a condutividade dos semicondutores
depende muito da sua temperatura, um elemento intrínseco por só conter um tipo de material é
mais estável de se trabalhar, por isso são usados na construção de dispositivos, enquanto que um
material extrínseco por conter impurezas pode causar imprevistos quando ocorre uma variação de
temperatura e assim alterar a condutividade do material.
Questão 3: Explique a transição nos semicondutores de gap direto e indireto (fótons e fônons).

Resposta: Quando estudamos as bandas de energia de um elemento e vemos que o topo da

banda de valência coincide com a base da banda de condução, é aqui, entre eles, que tem a maior
probabilidade de transição de elétrons, chamamos isso de Gap direto. Na transição o elétron
migra de uma banda para outra, quando ele sai da banda de valência e vai para a de condução ele
ganha energia, quando acontece o processo contrário, ele volta da banda de condução para a de
valência, ele provoca a emissão de um fóton (libera energia na forma de luz). Como os
semicondutores de Gap direto possuem apenas emissão e absorção de fótons, eles têm uma
maior eficiência para dispositivos opto-eletrônicos, por exemplo na produção de leds.

Quando estudamos as bandas de energia de um elemento e vemos que o topo da banda de

valência não coincide, no mesmo momento, com a base da banda de condução dizemos que ele
tem um Gap indireto. Na transição nos semicondutores de Gap indireto vemos que quando o
elétron ganha energia (vai da banda de valência para a de condução) ele muda seu estado de
energia e também seu estado de vibração, já que o momentum da partícula é alterado. Na
mudança de estado de energia, a energia consumida está relacionada a produção de fótons, que
vai ocorrer mais tarde, enquanto que na mudança de momento a energia consumida está
relacionada a produção de fônons, que vai ocorrer mais tarde. Quando acontece o processo
contrário (o elétron vai da banda de condução para a de valência), o elétron primeiro emite o
fônon (devido a sua emissão a uma alteração no momentum da partícula, agora ela coincide com
o momentum/estado de vibração do ponto na banda de valência), somente depois disso que ele
emite o fóton (libera energia e volta para o estado de energia do ponto na banda de valência). Os
dispositivos com Gap indireto não são tão eficientes na emissão e absorção de fótons, já que
envolve não somente os fótons, mas também os fônons, eles são bons para a eletrônica, porem
são menos eficientes para a opto-eletrônica (como na produção de leds).