Capítulo 4

MOSFET
Parte II

Seções 4.6 a 4.7

Livro: Sedra/ Smith - Microeletrônica – 5ª ed.

1
4.6- OPERAÇÃO EM PEQUENOS SINAIS E MODELOS

Tendo aprendido como polarizar o MOSFET para operar como amplificador, vamos
olhar agora a operação em pequenos sinais. Considere o circuito conceitual mostrado
na Figura 4.34. O sinal de entrada a ser amplificado, vgs, que é sobreposto a tensão de
polarização VGS. A tensão de saída instantânea total é tomada no dreno, vD.

iD  I D  id
iD

vD vD  VDD  RDiD

sinal puro vgs

+ tensão de saída instantânea total, vD (cc + sinal)
vGS
cc - cc → polarização
VGS
tensão instantânea total porta-fonte, vGS (cc + sinal)

Figura 4.34 – Circuito conceitual.

2
 4.6.1- O ponto de polarização cc

Consideraremos primeiro as condições de polarização cc fazendo o sinal vgs = 0. O

circuito fica reduzido ao da Figura- 4aa.

1 ,W
ID pode ser obtida : ID  kn VOV 2 VOV  VGS  Vt
2 L

cc

VDD

RD
ID
VD

fazendo o sinal vgs = 0 vgs = 0 cc

VGS

cc
Figura- 4aa – análise cc
Figura 4.34 – Circuito conceitual.
3
 4.6.2- O sinal de corrente no terminal de dreno
Se um sinal vgs for aplicado conforme mostrado na Figura 4.34. A tensão instantânea
total porta-fonte será :
vGS  VGS  vgs
o que resulta em uma corrente de dreno instantânea total iD,

vGS  VGS  vgs

1 ,W 1 ,W
iD  kn (vGS  Vt )2 iD  kn (VGS  vgs  Vt )2
2 L 2 L Figura 4.34

1 ,W
iD  kn [(VGS  Vt )  vgs ]2 1 W
iD  kn, [(VGS  Vt )2  2(VGS  Vt )vgs  vgs2 ]
2 L 2 L

1 ,W 1 W 1 W
iD  kn (VGS  Vt )2  2 kn, (VGS  Vt )vgs  kn, v gs2 Eq. 4.57
2 L 2 L 2 L

4
 1 , W W 1 W
iD  kn (VGS  Vt ) 2  kn, (VGS  Vt )vgs  kn, vgs 2 Eq. 4.57
2 L L 2 L

corrente cc um componente de sinal um componente de sinal

id que é diretamente id que é proporcional ao
proporcional a vgs quadrado de vgs
vgs → sinal de entrada

Este ultimo componente é indesejável, porque representa uma distorção não-linear.

Para reduzir a distorção não-linear introduzida pelo MOSFET, o sinal de entrada deve
ser mantido pequeno , tal que:

1 ,W W
kn vgs2  kn, (VGS  Vt )v gs
2 L L

resultando em: vgs  2(VGS  Vt ) Eq. 4.58

vgs  2VOV Eq. 4.59

VOV é a sobretensão de condução em que o transistor está operando.

5
Se essa condição para pequenos sinais for satisfeita , podemos desprezar o último termo
da Equação 4.57 e expressar iD por despreza
vgs  2VOV
1 , W W 1 W
iD  kn (VGS  Vt ) 2  kn, (VGS  Vt )vgs  kn, vgs 2 Eq. 4.57
2 L L 2 L

corrente cc um componente de sinal um componente de sinal

id que é diretamente id que é proporcional ao
proporcional a vgs quadrado de vgs
vgs → sinal de entrada

1 , W , W
iD  kn (VGS  Vt )  kn
2
(VGS  Vt )v gs
2 L L
ID id

iD I D  id Eq. 4.60

O parâmetro que relaciona id com vgs é a transcondutância gm dada por :

W id W
id  kn, (VGS  Vt )vgs gm   kn, (VGS  Vt ) Eq. 4.61
L vgs L
6
 ou em termos da sobretensão de condução VOV , id W
gm   kn, (VGS  Vt ) Eq. 4.61
vgs L
id W
gm   kn, VOV Eq. 4.62
vgs L
A Figura 4.35 apresenta uma interpretação gráfica da operação para pequenos sinais
do amplificador com MOSFET tipo enriquecimento. Observe que gm é igual à
inclinação da característica iD - vGS no ponto de operação.
1 ,W
iD  kn (vGS  Vt )2
2 L

iD
gm  Eq. 4.63
vGS vGS VGS

A equação 4.63 representa a

definição formal de gm e pode ser
facilmente visto que, por meio dela,
chega-se às equações 4.61 e 4.62.

Figura 4.35 – Operação para pequenos sinais do amplificador com MOSFET tipo
enriquecimento. 7
4.6.3 - O ganho de tensão
No circuito da Figura 4.34, podemos expressar a tensão de dreno instantânea total
vD como v V  R i
D DD D D onde: i  I  i
D D d

Na condição de pequenos sinais, temos:

vD  VDD  RD ( I D  id ) vD  VDD  RD I D  RDid )

Que pode ser reescrita como: VD vd

cc sinal
vD  VD  RDid
Logo, o componente do sinal da tensão de dreno será dado por:
id
vd  id RD   gmvgs RD onde: gm  Eq. 4.61
vgs

Que indica que o ganho de tensão é dado por:

vd
vd   gmvgs RD Av    gm RD Eq. 4.65
vgs

O sinal menos indica que o sinal de saída vd está 1800

defasado em relação ao sinal de entrada vgs . Isso é
Figura 4.34 ilustrado na Figura 4.36, que mostra vGS e vD .
8
Ver Figura 4.36 (próxima página) :

Supõe-se que o sinal de entrada (vgs) tenha uma forma de onda triangular com
uma amplitude muito menor que 2(VGS - Vt ), ou seja vgs<< 2VOV , que é a
condição para pequenos sinais na Eq. 4.58, a fim de garantir uma operação
linear. Para uma operação na região de saturação o tempo todo, o valor mínimo
de vDS (vDSmin) não deve ser menor que o valor correspondente de vGS - Vt , e o
valor máximo de vDS (vDSmax) não deve ser maior que VDD ; caso contrário, o FET
entrará no corte e os picos da forma de onda do sinal de saída serão ceifados.

vgs  2(VGS  Vt ) Eq. 4.58

condição para pequenos sinais
para garantir uma operação linear
vgs  2VOV Eq. 4.59

vDS min  vGS max  Vt

condição para operação
na região de saturação
vDS max  VDD
Fig. 4.34
9
 tensão de pico Vˆ 2VOV
Vˆ
0 tensão de pico a pico
0V

vDS max  VDD

vd
Av    gm RD
condição mínima de vgs
vDS para manter a
operação na região de
saturação

vDS min  vGS max  Vt cc

Figura 4.36 - As tensões instantâneas vGS e vDS para o circuito da Fig. 4.34
10
4.6.4 – Separando a análise cc e a análise de sinal.

Vimos que, com a aproximação para pequenos sinais, os valores de sinal são
sobrepostos aos valores cc. Isso significa que a análise e o projeto podem ser
muito simplificados, separando–se os cálculos da polarização cc dos cálculos para
pequenos sinais. Isto é, uma vez que o ponto de operação estável cc tenha sido
estabelecido e todos os valores cc calculados, podemos estão executar a análise
de sinal ignorando os valores cc.
VDD

RD
ID
VD

fazendo o sinal vgs = 0 vgs = 0 cc

VGS
análise cc
cc
Circuito conceitual.

condição para pequenos sinais

vgs  2(VGS  Vt ) vgs  2VOV
para garantir uma operação linear
11
VOV
4.6.5- Modelos equivalentes de circuitos para pequenos sinais

Do ponto de vista de sinal, o FET se comporta como uma fonte de corrente controlada
por tensão. Recebe vgs entre porta e fonte e proporciona uma corrente gmvgs no
terminal de dreno (id). Com Ri muito alta, idealmente infinita. A Figura 4.37 representa a
operação do FET para pequenos sinais e é, portanto, o modelo para pequenos sinais ou
modelo equivalente de circuito para pequenos sinais .
Modelo -híbrido Parâmetros do modelo - gm
(transcondutância) e ro
ig=0 id
gm  kn, (W / L)VOV
G D
+
vgs gmvgs ro
- g m  2k n ´(W / L) I D
S is
2I D
Figura 4.37- Modelo para pequenos sinais para o gm 
MOSFET, incluindo o efeito da modulação do VOV
comprimento do canal, modelado pela resistência de
saída ro = VA / ID . VA
ro  VOV  VGS  Vt
ID
condição para pequenos sinais para
Os parâmetros gm e ro dependem
garantir uma operação linear:
do valor da corrente de
vgs  2(VGS  Vt ) vgs  2VOV polarização ID (dependem do
ponto de polarização). 12
VOV
4.6.7- O modelo equivalente T - pag. 180
Por meio de uma simples transformação de circuito, é possível desenvolver um modelo
equivalente alternativo para o MOSFET. O desenvolvimento de tal modelo, é conhecido
como modelo T.
Parâmetros do modelo
Modelo T do MOSFET
gm (transcondutância) e ro
id
D gm  kn, (W / L)VOV
i
g m  2k n ´(W / L) I D
ig=0 ro
G
+ 2I D
i gm 
vgs VOV
1/gm VOV  VGS  Vt
-
VA
S is ro 
ID
1 Os parâmetros gm e ro dependem do
 v gs  i  0 → i  g m v gs
gm valor da corrente de polarização ID
(dependem do ponto de polarização) .
Figura 4.40- (a) O modelo T do MOSFET
com a resistência entre fonte e dreno ro .
13
 Modelos id
D
ig=0 id
G D i
+ ig=0 ro
vgs gmvgs ro G
+ i
- vgs
1/gm
S is -
S is
Modelo  é mais apropriado para Modelo T é mais apropriado para usar
usar quando não existe nenhuma quando existe uma resistência (RS ou
resistência ligada em série com o Rsig ou RL) ligada em série com o
terminal fonte (S) do MOSFET, na terminal fonte do MOSFET , na
análise de sinal. análise de sinal.

Parâmetros
2I D
gm  kn (W / L)VOV
,
ou g m  2k n ´(W / L) I D ou gm 
VOV
VA
ro  VOV  VGS  Vt
ID
14
 Exemplo 4.10 – pag. 179 - estudar

VDD =

ii
↘
0 Modelo  é mais apropriado para usar
quando não existe nenhuma
ii resistência ligada em série com o
terminal fonte (S) do MOSFET, na
análise de sinal.
nenhuma resistência

Na análise de sinal em frequências médias ou frequências de interesse:

•o transistor é substituído por seu modelo de circuito equivalente mais apropriado ( ou T)
•as fontes de tensão cc ( VDD e VSS ) são substituídas por curtos-circuitos
•a fonte de corrente cc constante ( I ) é substituída por um circuito aberto.
•os capacitores são substituídos por curtos-circuitos

15
 No circuito da Figura 4.38(a):
• VDD = 0 (fonte de tensão cc substituída por curto-circuito)
• transistor é substituído por seu modelo 
• capacitores são substituídos por curtos-circuitos

↘ ii Considere ii << gmvgs i + ii = gmvgs

i
i = gmvgs - ii
gmvgs
como ii << gmvgs i ≈ gmvgs

vo  i(ro / / RD / / RL )

ro // RD // RL vo   gmvgs (ro / / RD / / RL )

Figura 4.38 – Exemplo 4.10: (a) circuito do amplificador; (b) modelo equivalente de circuito.

16
4.7.2- Caracterizando amplificadores – MOSFET - pag. 185
Apresentaremos um conjunto de parâmetros e circuitos equivalentes que
empregaremos na caracterização e comparação de amplificadores transistorizados.
Algumas considerações :
Amplificadores unilaterais → o sinal é unidirecional, isto é , o sinal só circula da
entrada para a saída. Não existe dependência para o amplificador unilateral, ou seja
Rin não depende de RL e Rout não depende de Rsig ; desta forma temos que:
Rin = Ri e Rout = Ro

Amplificadores não unilaterais → são amplificadores que apresentam uma estrutura

de realimentação interna que faz que Rin dependa de RL. Por outro lado, a
realimentação interna também faz que a Rout dependa de Rsig ; desta forma temos
que: Rin ≠ Ri e Rout ≠ Ro.

Os parâmetros Ri , Ro , Avo, Ais e Gm são inerentes (pertinentes; próprio) ao

amplificador, isto é, eles não dependem de Rsig e RL.

Em contraste, Rin , Rout , Av , Ai , Gvo e Gv podem depender tanto de Rsig como de RL .

Se: RL =  → Rin = Ri e Rsig = 0 → Rout = Ro
17
 Tabela 4.3- Parâmetros característicos dos amplificadores

Resistência de entrada
ii
vi vi
→ Rin  e Ri 
vi ii ii R  
vsig L
com carga sem carga
Rin
Resistência de saída
ix ix

vsig = 0 vx vx
vi = 0

Rout Ro
aplica-se uma aplica-se uma
fonte ix ou vx fonte ix ou vx
v v
Rout  x Ro  x
ix v  0 ix v 0
sig i 18
 4.7.2- Caracterizando amplificadores – MOSFET - cont...

Tabela 4.3- Parâmetros característicos dos amplificadores

vo vo
Ganho de tensão Avo  e Av 
vi R   vi com carga
L

vo vo
Ganho total (global) de tensão Gvo  e Gv 
v sig com carga
RL   v sig

i
Ais  o io
Ganho de corrente
ii R  0 e Ai 
L ii

i
Transcondutância de curto circuito Gm  o
vi R  0
L
19
 4.7- AMPLIFICADORES MOS DE ESTÁGIO SIMPLES - pag. 184

Nesta seção, analisaremos as diversas configurações empregadas no projeto para

amplificadores com MOS discreto. O efeito de corpo não será considerado em
circuitos discretos, porque a fonte do MOSFET está normalmente ligada ao substrato.

Configurações:
O amplificador fonte comum (FC) - pag. 189
O amplificador fonte comum com resistência de fonte - pag. 193
O amplificador porta comum (PC) - pag. 195
O amplificador dreno comum (DC) ou seguidor de fonte - pag. 196

4.7.1 - A estrutura básica

A Figura 4.42, Exercício 4.30, mostra o circuito básico que será utilizado para
implementar as diversas configurações de amplificadores MOS na forma de circuito
discreto nos exercícios das próximas seções.

20
4.7.1 - A estrutura básica
Exercício 4.30
(a) Obtenha VOV, VGS, VG, VS e VD. ID = I = 0,5 mA k’(W/L) = 1 mA/V2 Vt = 1,5 V
RG = 4,7 M RD = 15 k I = 0,5 mA
Região de saturação vGD  Vt
↓
1 ,W 2 2I D VOV  0 RD = 15 k
I D  kn VOV → VOV  
2 L W
k, n
L
IG = 0
VOV  VGS  Vt → VGS  VOV  Vt 

I = 0,5 mA
Como IG = 0 → VG = 0 V RG = 4,7 M

VGS  VG  VS  0  VS → VS  VGS
Figura 4.42 – Estrutura básica
VDD  RD I D  VD  0 → VD  VDD  RD I D
Polarização utilizando fonte de corrente
constante
21
 Exercício 4.30
(b) Calcule os valores de gm e ro, suponha que VA = 75V.

gm 
2I D VOV  VGS  Vt VA
ro 
VOV ID
gm = 1 mA/V ro = 150 kΩ

Modelo  Figura E4.30

G D
+
vgs gm = 1 mA/V
ro
gmvgs ro = 150 kΩ D
-
i
S 1/gm = 1 kΩ
ro = 150 kΩ ro
G
Modelo  é mais i
apropriado para ser usado
1/gm
quando não existe
Modelo T é mais apropriado para ser usado
nenhuma resistência
quando existe uma resistência (RS ou Rsig S
ligada em série com o
ou RL) ligada em série com o terminal fonte Modelo T
terminal fonte (S) do
(S) do MOSFET , na análise de sinal.
MOSFET, na análise de
sinal.
22
 4.7.3- O amplificador fonte comum (FC) - pag. 189
Amplificador FC baseado no circuito básico da Figura 4.42.
Capacitor de acoplamento Atua como um curto circuito para sinal em
Atua como um curto circuito todas as frequências de interesse ao mesmo
para sinal em todas as tempo que bloqueia cc.
frequências de interesse ao ↙ Capacitor de acoplamento
mesmo tempo que bloqueia cc.
↘ 1
XC 
jC

↖ Capacitor de passagem
Atua como um curto circuito para sinal
em todas as frequências de interesse.
Figura 4.43(a) (estabelece um terra para sinal).

Na análise de sinal em frequências médias ou frequências de interesse:

•o transistor é substituído por seu modelo de circuito equivalente mais apropriado ( ou T)
•as fontes de tensão cc ( VDD e VSS ) são substituídas por curtos-circuitos
•a fonte de corrente cc constante ( I ) é substituída por um circuito aberto.
•os capacitores são substituídos por curtos-circuitos

23
Exercício 4.32 – pag. 191

Considere o amplificador FC baseado no circuito analisado no Exercício 4.30.

(a) Desenhe o circuito equivalente para pequenos sinais mais apropriado
(b) Calcule Rin , Avo e Rout considerando ou não a presença de ro . Para calcular Rout
desenhe o circuito completo para demonstrar o método.
(c) Calcule G v com ro.
(d) Se vsig for uma senóide de 0,4 V pico a pico, qual o sinal de saída vo?
RG = 4,7 M

curto circuito RD = 15 k

curto circuito I = 0,5 mA

circuito aberto
curto circuito
Figura 4.43(a)
24
 Exercício 4.32 – pag. 191
(a) Desenhe o circuito equivalente para pequenos sinais mais apropriado.

Solução: frequências médias (de interesse)

curto
circuito
curto
circuito

Rsig vo

S RD RL
vsig RG
curto
circuito Rout
Rin
circuito
aberto

25
análise de sinal ignorando os valores cc

Rsig vo

RD RL
vsig RG
Rout
Rin

i
G D
ro
+ G
vgs ro i
gmvgs
- 1/gm

S
S

Modelo  é mais apropriado quando Modelo T é mais apropriado quando

não existe nenhuma resistência
ligada em série com o terminal
fonte (S) do MOSFET, na análise de
sinal.
existe uma resistência (RS ou Rsig ou RL)
ligada em série com o terminal fonte
(S) do MOSFET, na análise de sinal.
26
G D
D vo
+ Rsig
vgs ro G
gmvgs
- RD RL
S
vsig RG
S

Rout
Rin

Mosfet substituído pelo modelo π

Figura 4.43
27
(b) Cálculo de Rin , Avo e Rout considerando ou não a presença de ro . Para calcular Rout
desenhe o circuito completo para demonstrar o método.

gm vgs

+
vo
-

Rin

28
Cálculo de Rin Rin é a resistência vista na entrada do circuito.

gm vgs
←
i r= i i
+
vo
-
Rin
ii  ir  i g ↖
0
Rsig
+
vsig ii
vi Rin
-

vi vi
(b) Rin  Com e sem r →  v  i R  0 → R   RG
ii →
o i i G in
ii
Rin = RG = 4,7 M
29
Cálculo de Avo gm vgs

+
vo
-

v gs  vi ro / / RD RL = ∞
sem carga
vo
Avo  Com ro
vi RL   vgs  vi

vo  gmvgs (ro / / RD )  0 vo   gmvgs (ro // RD )   gmvi (ro // RD )

v
Av o  o   g m (ro // RD ) Rsig= 100k
vi R   RG = 4,7 M
L
RD= 15 k
RL= 15 k
vo vo
Avo  A
Sem ro → v o    g m RD
vi R   gm = 1mA/V
vi RL   L ro = 150 k
30
 Cálculo de Rout
Rout é a resistência vista na saída do circuito.
Para calcular Rout desenhe o circuito completo para demonstrar o método.

v Faz vsig = 0 circuito completo para demonstrar o método

Rout  x ig = 0
ix vsig 0
Rsig
G D
ix
+ +
vsig= 0 ii=0 ro RD
vi RG vgs gmvgs vx
↗
- -
S
Tire RL ↗
Aplique vx
vsig  0 → vi  vgs  0 → gmvgs  0 fonte de corrente aberta Encontre ix

v
Com ro → vx  ix (ro // RD )  0 Rout  x  ro // RD
ix v  0
sig

Sem ro → Rout  v x  RD
ix v sig 0
31
(c) Cálculo de G v com ro.
Rsig= 100 k +
vo
vo
Gv  -
vsig

v gs  vi ro / / RD / / RL

+
vo  gmvgs (ro / / RD / / RL )  0 vo   gmvgs (ro // RD // RL ) vi
-
Determinando vgs
Rsig vgs  vi
vi
+ Rin   RG
Rin ii
Divisor de tensão → v gs  vi  vsig vsig ii
vi Rin
Rin  Rsig Rin = RG = 4,7 M
-

vo Rin ro = 150 k
Gv    gm (ro // RD // RL ) → Gv  7V / V
vsig Rin  Rsig RD= 15 k
RL= 15 k
gm = 1mA/V
ro / / RD / / RL (150 / /15 / /15)k  7,143k
32
Ex. 4.32- cont...

vsig
vo
+
Vsigpp vi
t
t
Vopp
-
Rin
v gs  vi ro / / RD / / RL

(d) Se vsig for uma senóide de 0,4 V pico a pico, qual o sinal de saída vo?

Vopp → tensão de saída pico a pico

Vopp Vsigpp→ tensão da fonte de sinal pico a pico
Gv 
Vsigpp Vsigpp = 0,4 V
Gv  7V / V Gv =7V/V

Vopp  Gv Vsigpp → Vopp  7 x0,4  2,8V

33
4.7.4- O amplificador fonte comum com resistência de fonte - pag. 193
Normalmente, é benéfico inserir uma resistência RS no terminal de fonte (S) do
amplificador fonte comum. Podemos utilizar RS para controlar a amplitude do sinal vgs
e, portanto, assegurar que vgs não se torne grande demais (vgs << 2VOV ) a ponto de
originar uma distorção não linear.

Exercício 4.33 - pag. 193

Ver Exercício 4.32
Vsigpp = 3 x 0,4 V = 1,2 V
Vopp = 2,8 V

Vopp
Gv 
Vsigpp
Determine RS
Rsig= 100k
RG = 4,7 M
RD= 15 k
RL= 15 k
gm = 1mA/V
ro = 150 k Figura 4.44
análise de sinal ignorando os valores cc
34
4.33- (a) Desenhe o circuito equivalente para pequenos sinais mais apropriado.
Modelo T é o mais
Modelo T apropriado para este caso,
Solução: porque existe uma
D
Modelo  resistência RS ligada em
i série com o terminal fonte
G D
+ ro (S) do MOSFET
G
vgs ro
gmvgs i
- Não inclua ro para D
1/gm
não complicar a G
S
S análise. S
ro = ∞
D
+
RL vo
i RD
ii ig = 0 -
Rsig G
Rout
+ + + i
vsig vgs
vi RG 1/gm
-
vi - S vgs é apenas uma fração de vi
Rin RS 1 / gm
- vgs  vi
1 / g m  Rs
35
4.33- (b) Determine RS
D
+
RL vo
i RD
ii ig = 0 -
Rsig G
Rout vo  i( RD // RL ) (1)
+ + + i
vsig vgs
vi RG 1/gm
-
vi - S

Rin RS
-

vi  i(1 gm  RS )  0
Vsigpp = 1,2 V
Vopp = 2,8 V (do problema 4.32)

Vopp 2,8 Vopp

Gv    2,33V / V Gv   2,33V / V
Vsigpp 1,2 Vsigpp

Calcular a expressão de Gv = vo / vsig

36
Cálculo da expressão de Gv = vo / vsig D
+
vo  i( RD // RL ) (1)
RL vo
i RD
ii ig = 0 -
Rsig G
Cálculo de i : Rout
+ + + i
vi  i(1 gm  RS )  0 vsig
vi RG vgs 1/gm
-
vi - S
vi
i (2) Rin
1 g m  RS -
RS

Cálculo de vi :
Rin Rsig Rin
Div. Tensão: vi  vsig (3) vi  vsig
Rin  Rsig + Rin  Rsig
vsig ii
vi Rin
Rin  1 
(3) em (2) i  vsig   (4) -
Rin  Rsig  1 g m  RS 
Cálculo de Rin
vi
vi  ii RG  0 Rin   RG Rin = RG = 4,7 M
ii
37
 Rin  1  vi
(4) i vsig   Onde Rin   RG e
Rin  Rsig  1 gm  RS  ii
Vopp ↓
(1) vo  i( RD // RL ) Gv   2 ,33V / V
Vsigpp

gm = 1 mA/V
(4) em (1)
1/gm = 1 k

  Rin = RG = 4,7 M
RG 1
vo   vsig  ( RD // RL ) RD= 15 k
RG  Rsig  1 gm  RS  RL= 15 k

vo RG  1  RD / / RL
Gv    ( RD // RL )
vsig RG  Rsig  1 g m  RS  (15 / /15)k  7,5k

Vopp ↓ RG  1  ↓
  ( RD // RL )  2 ,33 → RS = 2,15 kΩ
Vsigpp RG  Rsig  1 gm  RS 
38
4.33- (c) Determine Rout . Para calcular Rout desenhe o circuito completo para demonstrar o
método.
D
Solução: +

Método→ Rout  v x RL vo
i RD
ii ig = 0 -
ix v sig  0 Rsig G
Rout
+ + + i
vsig vgs
vi RG 1/gm
Faz vsig = 0 vi -
- S
Tire RL
Rin RS
- Aplique vx
Encontre ix

circuito completo para demonstrar o método

D
00
ix i 0
0V i i RD vx (1 / gm)  RS
Rsig ↓ g=0 0V
G
↙ i = 0 → fonte de corrente aberta
+ + i
vsig = 0 ii=0 v =0 vgs Rout
i RG 1/gm
- - S vx
Rout   RD
RS ix vsig 0
39
 4.7.5 - O amplificador porta comum (PC) - pag. 195

Amplificador fonte comum (FC)

Figura 4.45(a)- amplificador porta comum

40
 Exercício 4.34 – pag. 195
(a) Desenhe o circuito equivalente para pequenos sinais mais apropriado.

VDD = 0
Rsig entra em
I=0 i D
serie com ←
terminal de
fonte (S) , na i
análise de ig= 0
D G
sinal .
G ii ↑
ii
→ S i
S +→ i =-i
vi i
- Modelo T é o mais
apropriado para este
D
caso, porque existe
i uma resistência Rsig
ro ro = ∞ ligada em série com
G
Figura 4.45(a) o terminal fonte (S)
i Não inclua ro para
vi do MOSFET.
1/gm não complicar a Rin 
análise. ii
S
41
(b) Obtenha : Rin , Rout , Avo , Av e Gv .
vi vo vo vo
Rin  v
Rout  x Avo  Av  Gv 
ii ix vi RL  vi vsig
vsig 0
↗
Respostas: Rin = 1k ; Rout = 15k ; Avo = +15 V/V ; Av = +7,5 V/V ;
Gv = +7,14 V/V (50) ; Gv = +3,15 V/V (1k) ; Gv = +0,68 V/V (10k) ; Gv = + 0,07 V/V(100k)
corrigir no livro
v
Como calcular Rout → circuito completo para demonstrar o método Rout  x
↓ ix vsig 0
i
Para calcular Rout : ← D

ix
Faz vsig = 0 → ii = 0 → i = 0 RD vx Tire RL
ig = 0 i Aplique vx
00
i 0 G Encontre ix
(1 / gm)  Rsig +
1/gm Rout
vgs
i = 0 → fonte de corrente aberta Rsig vx
S ii = - ii = 0 Rout 
+ ix vsig 0
vsig = 0 ii=0 v =0 i = - ii = 0
i

-
42
4.7.6 - O amplificador dreno comum (DC) ou seguidor de fonte pag. 196

D
G

Amplificador fonte comum (FC)

Figura 4.46(a)- amplificador

dreno comum

43
 Exercício 4.35 – pag. 196
(a) Desenhe o circuito equivalente para pequenos sinais mais apropriado.
Modelo T é o mais
apropriado para este G D
D
caso, porque existe
uma resistência RL i S
ligada em série com o ro
G
terminal fonte (S) do i
MOSFET.
1/gm

ro // RL

Como ro // RL redesenhe o circuito para facilitar a análise.

44
(b) Obter : Rin , Avo , Av , Rout com e sem ro . Obtenha Gv considerando o efeito de ro.

vi vo vx vo
Rin  v
Avo  o Av  Rout  Gv 
ii vi vi ix vsig 0 vsig
RL 

Rsig= 1 M
RG = 4,7 M
RL= 15 k
gm = 1mA/V ii +
ro = 150 k
1/gm = 1 k +
v
vo i
- -
Cálculo de Rin
RL // ro
v
vi  ii RG  0 Rin  i  RG
ii
Rin não depende de RL  Rin = Ri , a razão para isso é a corrente nula de porta.
45
Cálculo de Av
gm = 1mA/V
com ro ro = 150 k
1/gm = 1 k
ii + Rsig= 1 M
RG = 4,7 M
+ RL= 15 k
v
vo i
- -

Divisor de tensão
RL // ro
RL // ro
vo  vi
( RL // ro )  1/ g m
vo ro
v RL // ro Avo  
Av  o  vi 
ro  1 g m
vi ( RL // ro )  1/ g m RL

46
Cálculo de Gv gm = 1mA/V
com ro ro = 150 k
Rin
v 1/gm = 1 k
Gv  o
vsig
Rsig= 1 M
RG = 4,7 M
RL= 15 k

Av
Rsig
Divisor de tensão
v o v i v o vi v +
Gv    Av i ii Rin
v sig vi vi v sig v sig vsig vi Rin vi  vsig
Rin  Rsig
-
vo v RL / / ro Rin vi Rin
Gv   Av i  
vsig vsig ( RL / / ro )  1/ g m Rin  Rsig vsig Rin  Rsig

v RL // ro vi
Onde: Av  o  Rin   RG
vi ( RL // ro )  1/ g m ii
47
Cálculo de Rout vx
Rout 
ix vsig 0

ig = 0 i
Rsig
G
+ + i
vsig = 0 ii=0 v =0 vgs
i RG 1/gm
- S i
- ix
ix
iro vx
ro

Tire RL Rout
Aplique vx
Encontre ix
vx
Rout 
ix vsig  0

48
Pelo circuito percebemos que ro está em paralelo com o circuito no terminal S

ig = 0 i
Rsig
G
+ + i
vsig = 0 ii=0 v =0 RG vgs 1/gm
i
- S i Tire RL
- Aplique vx
ix ix
Encontre ix
iro vx
corrente ix divide no nó S ro

Rout

49
Como ro está em paralelo com o circuito no terminal S, para facilitar o cálculo de Rout
tiramos ro e calculamos R’out e depois determinamos Rout .

Onde : Rout = ro // R’out

Para facilitar o cálculo de Rout :

vx
1º) Tira ro e calcula R’out '
Rout 
i ,x vsig 0

2º) Depois calcula Rout Rout  Rout

'
// ro

50
 Cont... Rout : D

0V
Primeiro determine R’out
ig = 0 i
Rsig
G
 v x  i x, 1 gm  0 + + i
vsig = 0 ii=0 v =0 vgs 1/gm i = -i’x
i RG
- i’x
- S
i’x
vx 1
Rout  ,
'
 i’x
vx
ix vsig 0
gm

Tira ro R’out
Cálculo de Rout
vx
1 R'
 ,
Rout  Rout // ro 
'
// ro out
ix
gm vsig 0

Rout não depende de Rsig  Rout = Ro , a razão para isso é a corrente nula de porta
51
Esses são os exercícios mínimos recomendados das seções do Capítulo 4
Parte II – freq. médias

Lista de Exercícios das seções do Capítulo 4 - Parte II

SEÇÃO EXEMPLOS EXERCÍCIOS PROBLEMAS
4.6 a 4.6.5
4.6.6 4.10
4.6.7 e 4.6.9 4.24, 4.25 4.37, 4.39, 4.40, 4.42
4.7 e 4.7.1 4.30
4.7.2 4.11
4.7.3 4.32 4.43
4.7.4 4.33
4.7.5 4.34 4.44
4.7.6 4.35 4.45, 4.46, 4.47

Livro: Sedra/ Smith - Microeletrônica – 5ª ed.

---------------------------------------------------------------------------------------

52
Problemas 4.37 – pag. 230

Figura 4.34

Problemas 4.39 – pag. 230

53
Problemas 4.40 – pag. 231

Figura P4.40

54
Problemas 4.42 – pag. 231

1
XC 
jC

C=∞ Figura P4.42

55
 Modelo  Modelo T
D
G D
+ i
vgs ro ro
gmvgs
- G
i
S 1/gm
gm  kn, (W / L)VOV Modelo T é mais
S
apropriado quando
Modelo  é mais
apropriado quando g m  2k n ´(W / L) I D existe uma resistência
(RS ou Rsig ou RL) ligada
não existe nenhuma 2I D
gm  em série com o
resistência ligada em
VOV terminal fonte (S) do
série com o terminal
VA MOSFET, na análise de
fonte (S) do MOSFET, ro  sinal.
na análise de sinal. ID

VOV  VGS  Vt

1 , W
ID  kn VOV 2
2 L
56
Problemas 4.43 – pag. 231

Figura 4.43(a)

57
Problemas 4.44 – pag. 231

Figura 4.45(a)

58
Problemas 4.45 – pag. 232

Figura 4.46(a)

59
Problemas 4.46 – pag. 232

Figura P4.46

60
Problemas 4.47 – pag. 232

Figura P4.47

--------------------------------------------------------------
61