CAPÍTULO 3

TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES

Cap. 3 1

Nota: Na resolução dos problemas consideraram-se as equações de Ebers-Moll ou

derivadas

⎛ UE ⎞ ⎛ UC ⎞
I E = I ES ⎜ e UT − 1⎟ − α R I CS ⎜ e UT − 1⎟
⎜ ⎟ ⎜ ⎟
⎝ ⎠ ⎝ ⎠

⎛ UE ⎞ ⎛ UC ⎞
I C = −α F I ES ⎜ e − 1⎟ + I CS ⎜ e UT − 1⎟
U T
⎜ ⎟ ⎜ ⎟
⎝ ⎠ ⎝ ⎠

⎛ UC ⎞
I C = β F I B + I CE 0 ⎜ e UT − 1⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠

⎛ UC ⎞
I C = −α F I E + I CB 0 ⎜ e UT − 1⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠

⎛ UC ⎞
I E = β R I B + I EC 0 ⎜ e UT − 1⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠

⎛ UC ⎞
I E = −α R I C + I EB 0 ⎜ e UT − 1⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠

onde
IC IC
UC UB

IB IB
UE IE UE IE

(pnp) (npn)

Nos apontamentos teóricos da disciplina as equações anteriores devem ser alteradas, uma vez
que as correntes I C e I B foram tomadas com os sentidos contrários aos apresentados. Com
efeito, tomaram-se os sentidos para as correntes que lhes correspondem quando o transístor
está na zona activa directa. Assim, as equações anteriores são equivalentes às dos
apontamentos teóricos se os sinais de I C e I B forem trocados.
Cap. 3 2

Problema TBJ1
Considerar o circuito da figura, que contém um transistor bipolar de junções com os seguintes
valores:
UC disr
= 30 V ; PC max = 5 W ; β F = 50

UC
IC
IB
UCE

R = 100 Ω
UE
EC EB = 20 V
EC = 40 V
EB
RE
U

IE

a) Calcular os valores das correntes e tensões indicadas. Desprezar o valor de I C 0 e supor que

U E << EB . Calcular as potências postas em jogo nos diferentes elementos do circuito e a

relação entre elas.

b) Calcular o mínimo valor que pode tomar RE , explicando quais as razões físicas associadas
à limitação considerada.

c) Para o caso indicado no esquema, haverá algum perigo para o transistor se se interromper o
circuito de base?

d) Admitindo que EB sofre uma variação ∆EB << EB e EC se mantém constante, calcular o

valor de ∆U ∆EB .

Resolução
a) Da análise das malhas do circuito obtém-se:

EB − U E = RE I E (1)
Cap. 3 3

I E = − ( I B + IC ) (2)

U C = EB − EC (3)

U CE = U C − U E (4)

U = − RE I E (5)

Das equações do transistor:

I C = β F I B + I CE 0 ⎡⎣exp (U C U T ) − 1⎤⎦ (6)

De (1), desprezando U E face a EB , tem-se: I E = 200 mA . De (3) tem-se U C = −20 V . O

transistor está a funcionar na região activa directa.

De (6) tem-se I C ≅ β F I B . De (2) e (6) obtém-se I C = −196 mA e I B = −4 mA . De (5)

tem--se U = −20 V .

PEB = EB I B = 0,08 W PEC = EC I C = 7,84 W

PRE = − I EU = 4 W Ptr = U E I E + I CU C ≅ I CU C = 3,92 W

Pfor = PEB + PEC = 7,92 W Pdis = PRE + Ptr = 7,92 W

b) U C I C ≤ 5 W ⇒ I C ≤ 250 mA

U C = −20 V e I E = − I C − I B ≅ − I C ⇒ I E ≤ 250 mA

I E RE = EC + U CE = 20 V ⇒ RE ≥ 80 Ω ⇒ REmin = 80 Ω

A limitação está associada ao facto de a potência máxima posta em jogo no transistor ser
de 5 W. Ultrapassar este valor pode conduzir, por exemplo, a uma migração dos átomos de
impurezas dadoras (aceitadoras) para a zona de tipo p (n), com consequências irreparáveis
para o dispositivo.

c) I B = 0 ⇒ I C = − I CE 0 ⇒ I E = I CE 0

U CE = − EC + RE I E ≅ − EC ⇒ U CE > U CEdisr
Cap. 3 4

Assim se se interromper o circuito de base a junção colectora entra em disrupção. A

equação (6) deixa de ser válida, sendo a corrente de colector limitada pelo circuito exterior.
Nestas condições:

U CE = U CEdisr ⇒ I E RE = U CE + EC = 10 V ⇒ I E = 100 mA e I C = −100 mA

A potência posta em jogo no transistor é neste caso:

Ptr ≅ U C I C = 3 W < PC max

Conclui-se que a interrupção do circuito de base não envolve perigo para o transistor.

d) Nestas condições:

EB + ∆EB − (U E + ∆U E ) − RE ( I E + ∆I E ) = 0 ⇒ ∆EB − ∆U E − RE ∆I E = 0

U + ∆U = − RE ( I E + ∆I E ) ⇒ ∆U = − RE ∆I E

Desprezando ∆U E obtém-se:

∆EB = −∆U ⇒ ∆U ∆EB ≅ −1

Cap. 3 5

Problema TB2

É dado o circuito da figura onde E1 = 15 V, E2 = 20 V e R = 150 Ω . Os dados do transistor a

300 K são os seguintes:

β F = 200 ; I CE 0 = 10 µA ; U CE disr
= 30 V ; Pmax = 1 W

U E = 0, 4 V para I E = 100 mA

a) Calcular as correntes e tensões indicadas na figura.

b) Calcular os valores de ∆U 0 ∆E1 e de ∆E1 ∆I B , supondo que ∆E1 é uma variação da

tensão E1 sendo ∆E1 << E1 e que ∆U 0 e ∆I B são as correspondentes variações de U 0 e

I B . Considerar E2 constante.

c) Calcular o valor máximo que E2 pode tomar supondo E1 constante, de modo que não
sejam excedidos os limites de funcionamento do transistor.
UC
IC
IB
UCE

UE
E2

E1
R
U

IE

Resolução

a) Das equações do transistor sendo U C = U CB e U E = U EB :

I C = β F I B + I CE 0 ⎡⎣exp (U C U T ) − 1⎤⎦ (1)

Cap. 3 6

I E = I ES ⎡⎣exp (U E U T ) − 1⎤⎦ − α R I CS ⎡⎣ exp (U C U T ) − 1⎤⎦ (2)

Das equações do circuito:

E1 = U E + RI E (3)

U C = − E2 + E1 (4)

I E = − I B − IC (5)

De (4) tem-se U C = −5 V . Deste modo, utilizando (1) é-se conduzido a I C ≅ β F I B − I CE 0 .

De (3), desprezando U E face a E1 (junção emissor-base polarizada directamente) tem-se

De (1), (3) e (5) tem-se:

I C ≅ −99,5 mA e I B ≅ −0,5 mA

Sendo U 0 = − RI E ⇒ − E1 = −15 V . De (2) e para os valores dados (U E = 0, 4 V ,

I E = 0,1 A e U CE = −5 V ) podemos concluir que:

I E ≅ I ES exp (U E U T ) (7)

o que nos permite calcular I ES . Obtém-se I ES ≅ 20,8 nA .

Os valores de U E e das correntes podem ser determinados a partir das equações (3) e (7),
uma vez que o transistor está na zona activa directa. Por um processo iterativo obtém-se:

I E ≅ 97,3 mA e U E ≅ 0,399 V .

b) Desprezando ∆U E em face de ∆E1 obtém-se:

∆U 0 ≅ −∆E1 ⇒ ∆U 0 ∆E1 ≅ −1

Nessas condições:

∆E1 = R∆I E = − R (1 + β F ) ∆I B ⇒ ∆E1 ∆I B = − R (1 + β F ) = −30 kΩ

c) Para que o transistor não entre na saturação deve verificar-se a seguinte condição:

U C = − E2 + E1 < 0 ⇒ E2 > 15 V

Sendo I E ≅ 100 mA teremos I C ≅ −99,5 mA e para que o transistor não exceda a potência

máxima:
Cap. 3 7

U C > −10 V ⇒ − E2 + E1 > −10 ⇒ E2 < 25 V

Como para E2 = 25 V se tem U CE < U CE disr

, a junção colectora não entra em disrupção (o

que invalidaria as equações 1 ou 2), este valor corresponde efectivamente ao máximo valor
de E2 para o qual a potência máxima do transistor não é excedida.
Cap. 3 8

Problema TB3
Considerar o circuito da figura onde T é um transistor bipolar de junções de germânio com os
seguintes parâmetros a 300 K:

β F = 100 ; I CE 0 = 1 µA ; Pmax = 50 mW
U BE = 0,3 V para I E = 10 mA e U C = 10 V

UC
IC RC
IB
UCE

UBE E2
RB
IE

U0

RB = 100 kΩ ; RC = 3 kΩ ; E2 = 10 V

a) Calcular o valor das correntes e tensões indicadas e a potência posta em jogo no transistor
quando:
a1) U 0 = 10 V
a2) U 0 = 0 V

b) Determinar, para U 0 = 10 V , o valor mínimo de RC para que não seja excedida a potência
máxima no transistor.

c) Desenhar um esquema correspondente ao indicado, utilizando um transistor MOSFET, de

modo a obter um funcionamento idêntico ao referido em a). Indicar justificadamente, qual
o tipo e as características a exigir para esse transistor.

Resolução

a1) Com U 0 = 10 V a junção emissor-base está polarizada directamente. Nessas condições:

I B = (U 0 − U BE ) RB ≅ U 0 RB = 0,1 mA
Cap. 3 9

As equações de Ebers-Moll para o transistor npn podem ser obtidas das equivalentes para
o transistor pnp por um dos processos seguintes: ou mantemos as equações e mudamos os
sentidos de referências das correntes (que passam a sair) e das tensões (que deixam de ser
referenciadas à base), ou mantemos os sentidos de referência e trocamos os sinais de I C ,

I B , I E , U C e U E nas equações. Optámos pela segunda solução. Duas situações são

possíveis nas condições do problema: o transistor na região activa directa

(U CB = U C > 0 ) ou na saturação (U CB = U C < 0 ) . Consideremos por hipótese o 1º caso.

Da equação do transistor:

− I C = −β F I B + I CE 0 ⎡⎣exp ( −U C U T ) − 1⎤⎦ ≅ −β F I B − I CE 0 ⇒ I C ≅ 10 mA

Da análise do circuito:
U C = U CE − U BE ≅ U CE = EC − RC I C = −20 V

o que não confirma a hipótese. O transistor está na saturação. Nessas condições:

U CE ≅ 0 ⇒ I C ≅ EC RC = 3,33 mA

Da equação:
− I C = −β F I B + I CE 0 ⎡⎣ exp ( − U C UT ) − 1⎤⎦ (1)

obtém-se U C = −0, 288 V . A partir da equação de Ebers-Moll:

− I E = I ES ⎡⎣exp ( − U E U T ) − 1⎤⎦ − α R I CS ⎡⎣ exp ( − U C U T ) − 1⎤⎦ (2)

e dos dados do problema (U E = −0,3 V para I E = −10 mA e U C = 10 V ) obtém-se

− I E = I ES ⎡⎣exp ( −U E UT ) − 1⎤⎦ + α R I CS ≅ I ES exp ( −U E U T ) ⇒ I ES ≅ 97 nA

βF
Como α R I CS = α F I ES = I ES ≅ I ES e I E = − I B − I C = −3, 43 mA , tem-se usando
1 + βF
(2):

3, 43 × 10−3 ≅ I Es ⎡⎣exp ( −U E UT ) − 1 − exp ( −U C U T ) + 1⎤⎦ .

Atendendo a que U C ≅ −0, 228 V tem-se U E ≅ 0, 28 V . Nessas condições:

Ptr = I EU E + I CU C ≅ 0, 201 mW

Nota: Os valores determinados para U E e U C permitir-nos-iam inicializar um processo

iterativo que nos conduziria a valores mais aproximados para as coordenadas do ponto de
Cap. 3 10

funcionamento em repouso do transistor.

a2) U 0 = 0

Atendendo à característica estacionária de entrada de uma montagem de emissor-comum

I B = I B (U BE )U , o ponto de funcionamento em repouso corresponde ao ponto P da
CE

figura seguinte.
IB

U CE >> 0

Recta de declive
−1 RB
UBE
P

Corte
Zona activa directa

O transistor está a funcionar na zona activa directa (U BE > 0 e U CE > 0 ) mas muito

próximo da fronteira com a região de corte (representada na figura pela parte tracejada da
característica). No corte seria necessário aplicar uma tensão U 0 < 0 . Na zona de

funcionamento considerada as correntes são obtidas de:

− I E = I ES δ ( −U EP ) − α R I CS δ ( −U CP ) ≅ I ES δ ( −U EP ) + α R I CS

− I C = I CS δ ( −U CP ) − α F I ES δ ( −U EP ) ≅ − I CS − α F I ES δ ( −U EP )

I B = − I C − I E ≅ I ES (1 − α F ) δ ( −U EP ) + I CS ( α R − 1)

sendo δ ( −U ) = exp ( −U UT ) − 1 .

As correntes são todas desprezáveis. Com U EP muito próximo de zero, como se vê pela

figura, tem-se:

U CE ≅ EC = 10 V

A potência posta em jogo no transistor é desprezável porque as correntes I E , I C e I B o

são também.
Cap. 3 11

b) Para que a potência posta em jogo no transistor ultrapasse a potência máxima, o transistor
ou se encontra na zona activa directa ou na situação de disrupção do colector. Com efeito,
no corte as correntes são praticamente nulas e na saturação as tensões são desprezáveis.
Admitamos que o transistor está na região activa directa. Nessas condições:

U CE = EC − RC I C < 0 ⇒ RC < EC I C (3)

I C ≅ β F I B = β F U 0 RB (4)

De (3) e (4) obtém-se:

EC RB
RC < = 1 kΩ
β FU 0

1 kΩ representa o valor máximo da resistência de colector para que o transistor esteja na

região activa directa.

Para que a potência posta em jogo no transistor seja inferior a Pmax deve verificar-se:

50 × 50−3
I CU CE < 50 × 10−3 e U CE = EC − RC I C ⇒ EC − RC I C < ⇒ RC > 500 Ω
IC

500 Ω representa o valor mínimo da resistência de colector de modo a garantir que a

potência máxima do transistor não seja excedida.

Zona para a qual Zona Activa Saturação

P > Pmax Directa

0 500 1000 RC ( Ω )

c) Atendendo à polaridade da bateria EC tem-se U DS > 0 , o que nos obriga à utilização de

um MOSFET de canal n. Interessa que o transistor esteja ao corte com U 0 = U GS = 0 e

com corrente de dreno positiva para U 0 = U GS = 10 V . Então o valor da tensão gate-fonte

de limiar, U GS lim , deverá estar compreendido entre 0 e 10 V. O MOSFET de canal n

deverá ser de enriquecimento (U GS lim > 0 ) .

Cap. 3 12

Problema TB4

Considerar a montagem da figura, que inclui um transistor bipolar de junções com as

seguintes características a T = 300 K :

β F = 50 ; β R = 10 ; I CE 0 = 0,5 mA ; U Cdisr = −15 V ; PCmax = 500 mW

RC U1
RB

UC

E
IB

IE

E = 20 V ; RC = 1,5 kΩ

a) Calcular RB que garante que I B = −0, 2 mA . Calcular os valores das correntes e tensões

assinaladas na figura. Considerar U E << E .

b) Supondo válidas as características estacionárias, calcular ∆U1 ∆U E , onde ∆U E é uma

pequena variação de U E e ∆U1 a correspondente variação de U1 .

c) Se pretender substituir o transistor de junções por um transistor de efeito de campo,

indicar, justificadamente, qual o tipo a escolher.

Resolução

a) Desprezando U E tem-se:

RB I B ≅ − E ⇒ RB ≅ 100 kΩ
Cap. 3 13

Considerar a equação do transistor:

I C ≅ β F I B + I CE 0 ⎡⎣exp (U C UT ) − 1⎤⎦

Admitir por hipótese que o transistor está a funcionar na região activa directa
(U C << −UT ) . Nessas condições:
I C ≅ β F I B − I Ce0 ≅ −10,5 mA ⇒ I E = − I B − I C ≅ 10,7 mA ⇒ U C = − E − RC I C ≅ −4, 25 (V)

Confirma-se portanto a hipótese. Nessas condições:

U1 = RC I C ≅ −15,75 (V)

b) Considerar a equação de Ebers-Moll e o facto de o transistor se encontrar na zona activa

directa:

I E = I ES ⎡⎣ exp (U E U T ) − 1⎤⎦ − α R I CS ⎡⎣ exp (U C U T ) − 1⎤⎦ ≅ I ES exp (U E UT )

Na equação anterior desprezou-se 1 em face de exp (U E U T ) e ainda a influência da

tensão de colector na corrente de emissor.

Por diferenciação obtém-se:

⎡ ⎛ ∆U E ⎞ ⎤
∆I E = I ES exp (U E UT ) ⎢ exp ⎜ ⎟ − 1⎥
⎣ ⎝ UT ⎠ ⎦

Se ∆U E << UT obtém-se:

∆U E
∆I E ≅ I ES exp (U E UT )
UT

Ou, atendendo a que I ES exp (U E U T ) ≅ I E 0 (corrente de emissor correspondente ao

funcionamento em repouso), obtém-se:

∆I E
∆U E = U T
IE0

βF ∆U1 β RC I E 0 U1
∆U1 = RC ∆I C = − RC ∆I E ⇒ =− F ≅ ≅ −605,8
1 + βF ∆U E 1 + β F UT UT
Cap. 3 14

c)

RD
RG
E
D
G UDS
S
UGS

No circuito da figura tem-se U GS < 0 e U DS < 0 . Excluem-se assim o JFET e o MOSFET

de canal n pois com U DS < 0 não seria possível levar os transistores à saturação (não é

possível estrangular o canal do lado do dreno nessas condições). Exclui-se também o JFET
de canal p pois nessas condições haveria corrente de gate (tratamento unidimensional do
dispositivo não seria possível), além de que o controlo da largura do canal através de U GS

seria muito fraco. Resta o transistor MOSFET de canal p. Caso este seja de
empobrecimento (U GS lim > 0 ) não existem restrições a fazer. Se for de enriquecimento

(U GS lim < 0 ) deve utilizar-se um transistor com tensão gate-fonte de limiar de módulo

inferior à tensão aplicada. As soluções possíveis são:

RD RD
RG RG
E E
G B G B

S S

(U GS lim qualquer ) (U GS lim > U GS = − E )

Cap. 3 15

Problema TB5

É dado o circuito da figura contendo um transistor npn de germânio a 300 K com as seguintes
características:

β F = 200 ; I CE 0 = 1 µA ; U Cdisr = 30 V ; PC max = 100 mW ; U E = −0,3 V para

I E = −10 mA

a) Determinar as correntes e tensões indicadas.

b) Calcular o valor de ∆U CE ∆EB supondo que ∆EB << EB e que EC é constante.

Determinar ainda entre que limites de EB é válido o resultado obtido.

c) Calcular os novos valores de a) se RB for infinito (circuito de base interrompido). Qual o

máximo valor de RB que permite manter o transistor na zona activa directa?

IC RC
UC
IB RB

EC
EB
UE
UCE
IE

EC = 40 V ; EB = 20 V ; RC = 5 kΩ ; RB = 1,3 MΩ

Resolução

a) Desprezando U E face a EB (junção emissora directamente polarizada) tem-se:

I B ≅ EB RB = 15, 4 µA

Hipótese: transistor na zona activa directa (U E < 0 e U C > 0 )

− I C = −β F I B + I CE 0 ⎡⎣exp ( − U C U T ) − 1⎤⎦ ≅ −β F I B − I CE 0
Cap. 3 16

Obtendo-se sucessivamente:

I C ≅ 3,1 mA ; I E = − I B − I C ≅ −3,12 mA ; U CE = EC − RC I C ≅ U C ≅ 24,6 V

Confirma a hipótese.

Para o cálculo de U E pode partir-se de:

− I E = I ES ⎡⎣exp ( − U E U T ) − 1⎤⎦ − α R I CS ⎡⎣ exp ( − U C U T ) − 1⎤⎦

Uma vez que o transistor está na zona activa directa tem-se:

− I E ≅ I ES exp ( − U E U T ) ⇔ 10−2 ≅ I ES exp ( 0,3 0,026 ) ⇒ I ES ≅ 97 nA

Podem obter-se os valores de I E e de U E a partir do conjunto de equações:

− I E ≅ I ES exp ( −U E UT ) = 97 exp ( − U E U T ) ( nA )

I E = − I B − IC

U CE = EC − RC I C = U C − U E ≅ U C

b)

∆U CE = − RC ∆I C e ∆EB = RB ∆I B e ∆I C = β F ∆I B ⇒

∆U CE R ∆I R
⇒ = − C C = − C β F = −0,77
∆E B RB ∆I B RB

O resultado anterior pressupõe o transistor a funcionar na zona activa directa. Com efeito,
desprezou-se ∆U E e considerou-se ∆I C = β F ∆I B . Para tal devem verificar-se as seguintes

condições:

U E < 0 ⇒ EB > 0

RC
U C > 0 ⇒ − EC + RC I C < 0 ⇒ EC < β F EB ⇒ EB < 52 V
RB

Para que o resultado seja válido deverá verificar-se 0 < EB < 52 (V) .

c) I B = 0 ⇒ I C = I CE 0 = 1 µA ⇒ U CE = EC − RC I C ≅ 40 V > U CEdisr

O transistor está a funcionar na zona de disrupção do colector, pelo que as equações de

Ebers-Moll ou derivadas não são válidas. Nesse caso tem-se:
Cap. 3 17

U CE = U CEdisr = 30 V ⇒ I C RC = EC − U CE = 10 ⇒ I C = 2 mA

A potência posta em jogo no transistor é P = I CU C = 60 mW < Pmax

RB = ∞ ⇒ I B = 0 ⇒ I C = − I E = 2 mA ; U CE = 30 V

Para que o transistor se mantenha na zona activa directa:

U CE < 30 V ⇒ I C RC = EC − U CE > 10 ⇒ I C > 2 mA ⇒ I B ≅ I C β F > 0,01 mA

ou sendo EB ≅ RB I B é-se conduzido à condição RB < EB I B = 2 MΩ .

O valor máximo de RB que garante o funcionamento na zona activa directa é RBmax = 2 MΩ .

Cap. 3 18

Problema TB6

Considerar o transistor bipolar npn na montagem seguinte:

URC
IC

UC RC
IB RB

EC
EB
UE UCE
IE

EC = 50 V ; EB = 10 V ; RB = 10 kΩ ; β F = 100 ; β R = 10

U Edisr = 3 V ; U Cdisr = 30 V ; Pmax = 0,5 W ; I CB 0 = 0,1 µA

a) Dimensionar o intervalo de valores que RC pode tomar de forma a que não seja excedida a

potência máxima do transistor. Para o valor de RC que conduz à potência máxima, calcular

o valor das correntes e tensões indicadas na figura.

b) Representar graficamente a potência posta em jogo no transistor em função de RC quando

esta tomar os valores no intervalo definido em a). Indicar nesse gráfico as diferentes zonas
de funcionamento do transistor, bem como os valores de RC que as separam.

c) Indicar, justificadamente, como seriam alterados os resultados da alínea a) se, no circuito

da figura, se trocassem os terminais de emissor e de colector.

Resolução

a) I CU CE < Pmax ⇒ I C ( EC − RC I C ) < Pmax (*)

I B ≅ EB RB ⇒ I B ≅ 1 mA
Cap. 3 19

Admitindo como hipótese o funcionamento na zona activa directa tem-se:

I C ≅ β F I B = 100 mA

Substituindo em (*) obtém-se:

RC > 450 Ω

Note-se que é na região activa directa ou na situação de alguma das junções se encontrar
em disrupção que a potência no transistor pode atingir o valor máximo admissível uma vez
que as tensões são desprezáveis na saturação e as correntes são desprezáveis no corte .

Para RC = 450 Ω tem-se I B = 1 mA e I C = 100 mA pelo que:

U CE = EC − RC I C = 5 ≅ U C

o que confirma a hipótese de região activa directa. Nessas condições:

U RC = − I C RC ≅ −45 V ; I E = − I B − I C ≅ −101 mA

b) A junção colectora entra em disrupção quando U CE = 30 V , ou seja I C RC = 20 V , o que

corresponde para I C = 100 mA a um valor de RC = 200 Ω , ou seja, fora do intervalo

definido em a). Enquanto estiver na zona activa directa tem-se I C = 100 mA , pelo que:

P ≅ I CU C ≅ I C ( EC − RC I C ) = A − BRC

sendo A e B duas constantes positivas. Na zona activa directa P tem um andamento

praticamente linear com RC . Por outro lado, na saturação:

ECE ≅ 0 ⇒ EC ≅ RC I C ⇒ RC ≅ 500 Ω e portanto P ≅ 0 .

Pmax

∫∫
450 500 RC (Ω)

Zona activa Saturação

directa
Cap. 3 20

c) Trocando os terminais do emissor e do colector o transistor passaria a funcionar em

princípio na zona activa inversa. Nesse caso:

I B ≅ EB RB = 1 mA ⇒ I E ≅ β R I B = 10 mA

A potência posta em jogo no transistor é neste caso sempre inferior ao valor máximo. Com
efeito na região activa inversa:

( I EU E )max ≅ 10U Edisr = 0,03 < Pmax

No entanto, atendendo a que U Edisr < U Cdisr a polarização inversa da junção emissora é

atingida mais facilmente do que em a). Nestas condições:

U CE ≅ −3 V ⇒ I E = ( EC + U CE ) RC = 47 RC

No limiar da disrupção da junção emissora/região activa inversa tem-se:

I E = 10 mA e U CE = −3 V ⇒ RC = 4700 kΩ

Na disrupção para que a potência se encontre abaixo do valor máximo permitido deve
verificar-se a seguinte condição:

I EU E ≅ 3I E < Pmax ⇒ I E < 166,7 mA ⇒ RC > 282 Ω

Por outro lado, no limiar da saturação/região activa inversa tem-se:

U CE ≅ 0 e I E ≅ 10 mA ⇒ RC ≅ EC I E ≅ 5000 Ω

Em resumo:

0 < RC < 282 Ω P > Pmax (destruição do transistor)

282 < RC < 4700 Ω ⇒ Transistor na disrupção da junção emissora

4700 < RC < 5000 Ω ⇒ Transistor na zona activa inversa

RC > 5000 Ω ⇒ Transistor na saturação

Cap. 3 21

Problema TB7

Admitir que o transitor utilizado na montagem da figura seguinte possui as seguintes

especificações a 300 K:

β F = 100 ; Pmax = 500 mW ; U Cdisr = −40 V

URC
IC

RC
UC
IB RB
UCE
EC
EB
UE

RE URE

IE

EB = 5 V ; EC = 10 V ; RE = 100 Ω ; RC = 1 kΩ

a) Calcular RB de modo a que U CE = EC 2 . Calcular as correntes e tensões indicadas na

figura.

b) Calcular ∆U RE ∆E1 e ∆U RC ∆E1 na aproximação quase-estacionária, com ∆U RE  U RE

e ∆U RC  U RC para uma variação ∆E1  E1 , e supondo constantes os restantes

parâmetros do circuito.

c) Considerar I C = β F I B . Partindo do ponto de funcionamento correspondente diga, justifica-

damente, se faria aumentar ou diminuir E1, E2 , RC , RB , RE e β F se pretendesse por

modificação de apenas um deles de cada vez:

c1- levar o transistor à saturação;
c2- baixar a potência posta em jogo no transistor.

Resolução

a) I C RC − I E RE + U CE = EC
Cap. 3 22

U CE = EC 2

Sendo U CE = 5 V o transistor está na zona activa directa. Deste modo I C ≅ β F I B e

portanto:

I C ≅ 4,54 mA ; I B ≅ 45, 4 µA ; I E = − I C − I B ≅ − I C

Da análise do circuito de entrada tem-se:

EB = RB I B − U E − RE I E

desprezando U E face a EB (junção emissora directamente polarizada) tem-se:

RB = ( EB + RE I E ) I B = 100 kΩ

U RE = − I E RE ≅ 0, 454 V

U RC = − RC I C = −4,54 V

b) O problema pode ser resolvido a partir do circuito para componentes incrementais, onde se
traduz a variação ∆EB por um sinal eb . Estando o transistor na zona activa directa a

resistência rπ é responsável pela queda de tensão incremental ube e é dada por:

βF βF
rπ = = UT = 572 Ω
gm IC

eb = ⎡⎣ RB + rπ + (1 + β F ) RE ⎤⎦ ib

u RE = (1 + β F ) RE ib

uRC = −β F RC ib

ib RB
B C

α F ib
rπ ube
~ eb
RC

RE
Cap. 3 23

u RE
=
(1 + β F ) RE ≅ 0,09
eb ⎡⎣ RB + rπ + (1 + β F ) RE ⎤⎦

u RC β F RC
= ≅ −0,9
eb ⎡⎣ RB + rπ + (1 + β F ) RE ⎤⎦

O procedimento é idêntico ao adoptado na resolução do problema TB5-b), por exemplo,

desde que se considere ube = −ube = −∆U E ≅ 0 . Corresponde a desprezar rπ face a

RB + (1 + β F ) RE , o que se verifica ser uma boa aproximação.

c) RB = β F RC e EB − RB I B + U CB + RC I C − EC = 0 ⇒ U CB = EC − EB > 0

O transistor está na zona activa directa.

U CE ≅ U CB = EC − EB = EC 2

Verifica-se que para valores constantes de EC , RC e RE o ponto de funcionamento em

repouso varia com EB e RB , sendo máxima a potência posta em jogo no transistor quando

U CE ≅ EC 2 .

P ≅ U CE I C ≅ ⎡⎣ EC − ( RC + RE ) I C ⎤⎦ I C

⎛ dP ⎞
P = Pmax ⇔ ⎜ ⎟ = 0 ⇒ EC − 2 ( RC + RE ) I C = 0 ⇒
⎝ dI C ⎠
EC
⇒ IC = ⇒ U CE = EC − ( RC + RE ) I C = EC 2
2 ( RC + RE )

IC

E2
RC + RE

P I B = EC ⎡⎣ RC + RE (1 + β F ) ⎤⎦

UCE
E2/2 E2
Cap. 3 24

O ponto de funcionamento em repouso é dado pela intersecção da curva característica de

saída, correspondente a um dado valor de I B , e a recta de carga resultante da análise da

malha de saída do circuito. Para levar o transistor à saturação teremos de fazer tender U CE

para zero, ou seja, aumentar EB , diminuir EC ; aumentar RC ; diminuir RB ou diminuir

β F . Como U CE é praticamente independente de RE a sua alteração não retira o transistor

da zona activa directa ( U CE praticamente fixo de valor EC 2 ).

Uma análise gráfica parece ser particularmente elucidativa. As figuras seguintes mostram o
sentido em que se desloca o ponto de funcionamento em repouso quando varia cada um
dos parâmetros. A seta corresponde ao sentido da evolução para uma variação crescente do
parâmetro.

IC IC IC

P’
P P
P’
P P’

UCE UCE UCE

(EB) (EC) (RC)

IC IC IC

P’ P’
P
P P
P’

UCE UCE UCE

(RB) (βF) (RE)

Como se demonstrou atrás, para uma recta de carga fixa, a variação da corrente de base
provoca uma alteração do ponto de funcionamento em repouso e da potência posta em jogo
no transistor, sendo esta máxima quando U CE = EC 2 . Assim, qualquer variação de EB ,

RB e β F (aumento ou diminuição) provocará uma diminuição da potência posta em jogo

Cap. 3 25

no transistor. Os outros factores provocam uma alteração da recta de carga. A análise

gráfica permite rapidamente concluir que para diminuir a potência posta em jogo no
transistor se deve diminuir EC , aumentar RC ou aumentar RE . Neste último caso existe

variação simultânea da característica de saída e da recta de carga. No entanto, e como se

viu, U CE permanece praticamente constante. Diminuir a potência corresponderá assim a

diminuir a corrente de colector. Atendendo a que:

I C ≅ ( EC − U CE ) ( RC + RE )

a diminuição da potência é obtida à custa do aumento de RE .

Cap. 3 26

Problema TB8

Considerar o circuito da figura (a) onde U1 é a tensão da figura (b). Desprezar as quedas de

tensão das junções directamente polarizadas.

U1 EC
iB
RB EC = 20 V
(a)
UC RE = 1 k Ω
iE iC

RE UCE

U1
U M = 150 V
UM

T t (b)
T/2
−UM

a) Calcular RB de forma a que U C = −25 V quando U1 = −75 V . Representar iB (t ) e U CE (t )

para 0 ≤ t ≤ T 2 .

b) Para U1 = −75 V calcular ∆U CE ∆U1 com ∆U1  U1 na aproximação quase-estacionária.

c) Calcular a potência posta em jogo no transistor quando U1 = −150 V e o terminal da base

está em aberto.

β F = 100 ; β R = 5 ; I CE = 10 µA ; U Cdisr = 100 V ; U Edisr = 25 V

Resolução

a) EC = RB I B − U C ⇒ RB I B = EC + U C = −5 V
Como U C < 0 e U E > 0 o transistor está na zona activa directa.

βF
RE I E ≅ −U1 + RB I B = 70 V ⇒ I E ≅ 70 mA ⇒ I C = − I E − I B ≅ − I E ≅ −70 mA
βF + 1
Cap. 3 27

I B ≅ I C β F = −0,7 mA ⇒ RB ≅ 7 kΩ

U CE (t ) = RE iE (t ) + U1 (t ) − EC ≅ − (1 + β F ) RE iB (t ) + U1 (t ) − EC (1)

iB (t ) ≅
EC + U CE (t )
⇒ iE (t ) ≅ −
(1 + β F ) E − (1 + β F ) U (t ) (2)
C CE
RB RB RB
De (1) e (2) obtém-se:
U1 (t )
U CE (t ) = − EC + (3)
⎡ RE ⎤
⎢1 + R (1 + β F ) ⎥
⎣ B ⎦
Substituindo (3) em (2) obtém-se:

EC + U CE (t )
iB (t ) =
RB

UCE(t) iB(t) (mA)

T/4 T/2 T/4 T/2
t T

−10/7

−20

−29,8

b) De (3) obtém-se:
∆U1 ∆U CE 1
∆U CE = ⇒ = ≅ 0,067
RE ∆U1 1 + RE 1 + β
1+ (1 + βF ) ( F)
RB RB
c) Com a base em aberto tem-se:

I C = I CE 0 ⎡⎣ exp (U C UT ) − 1⎤⎦ ≅ − I CE 0 (4)

U CE = − EC + U1 − RE I C ≅ −170 < U Cdisr ⇒ U CE = U Cdisr = −100 V

O transistor está com a junção colectora em disrupção o que invalida a equação (4). A
corrente de colector é assim obtida de:

U CE = − EC + U1 − RE I C = −100 ⇒ I C = −70 mA = − I E

A potência posta em jogo no transistor é dada por:

P = U C IC = 7 W