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Material Teórico
Dispositivos Semicondutores Controlados
e Retificadores Mono Controlados por Tiristores
Revisão Textual:
Prof. Esp. Claudio Pereira do Nascimento
Dispositivos Semicondutores Controlados
e Retificadores Mono Controlados por Tiristores
• Introdução;
• TRIAC;
• DIAC;
• Circuitos de Disparo (Gatilhamento);
• Gerador de Pulsos Sincronizado com a Alimentação;
• Análise de Blocos e Funcionamento.
OBJETIVO DE APRENDIZADO
• Estudar o funcionamento dos tiristores.
Orientações de estudo
Para que o conteúdo desta Disciplina seja bem
aproveitado e haja maior aplicabilidade na sua
formação acadêmica e atuação profissional, siga
algumas recomendações básicas:
Conserve seu
material e local de
estudos sempre
organizados.
Aproveite as
Procure manter indicações
contato com seus de Material
colegas e tutores Complementar.
para trocar ideias!
Determine um Isso amplia a
horário fixo aprendizagem.
para estudar.
Mantenha o foco!
Evite se distrair com
as redes sociais.
Seja original!
Nunca plagie
trabalhos.
Não se esqueça
de se alimentar
Assim: e de se manter
Organize seus estudos de maneira que passem a fazer parte hidratado.
da sua rotina. Por exemplo, você poderá determinar um dia e
horário fixos como seu “momento do estudo”;
No material de cada Unidade, há leituras indicadas e, entre elas, artigos científicos, livros, vídeos
e sites para aprofundar os conhecimentos adquiridos ao longo da Unidade. Além disso, você tam-
bém encontrará sugestões de conteúdo extra no item Material Complementar, que ampliarão sua
interpretação e auxiliarão no pleno entendimento dos temas abordados;
Após o contato com o conteúdo proposto, participe dos debates mediados em fóruns de discus-
são, pois irão auxiliar a verificar o quanto você absorveu de conhecimento, além de propiciar o
contato com seus colegas e tutores, o que se apresenta como rico espaço de troca de ideias e de
aprendizagem.
UNIDADE Dispositivos Semicondutores Controlados
e Retificadores Mono Controlados por Tiristores
Introdução
Nesta unidade trataremos dos dispositivos semicondutores controlados e retifi-
cadores mono controlados por tiristores. Iniciaremos falando dos dispositivos se-
micondutores e logo em seguida trataremos de sua larga aplicação no mundo da
eletrônica de potência.
Ao passar dos anos, em 1970 uma grande gama de novos componentes semi-
condutores de potência foram lançados no mercado, como os diodos de potência,
tiristores, transistores bipolares, MOSFETs de potência, IGBT, entre outros.
Ânodo A Ânodo A
P
J1
N
J2
Gatilho
G
P
J3
Gatilho
N
G
Cátodo K Cátodo K
Figura 1 – SCR com suas camadas e junções | Figura 2 – Símbolo eletrônico do SCR
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Como foi possível observar, o SCR (tipo de tiristor) funciona como uma chave
eletrônica, que pode ser acionada pelo terminal do Gate e desligado retirando-se
a alimentação do Anodo, este processo de ligar e desligar o SCR é chamado de
comutação, que pode ocorrer de duas formas como segue:
SCRs de frequência de rede: são conhecidos por “phase control SCRs”, bas-
tante utilizados em retificadores controlados e como chave eletrônica CA. Devemos
levar em consideração na hora de um projeto os parâmetros mais importantes
como capacidades de tensão e corrente e a queda de tensão direta. Este tipo de
SCR pode ser encontrado para operar em tensões de até 5-12kV e correntes de até
3-4kA. Estes dados podem ser encontrados nas folhas de dados do componente
na internet.
SCRs rápidos: são também conhecidos por “inverter type SCRs”, foram pro-
jetados para utilização em choppers e inversores, pois possuem um tempo de co-
mutação reduzido (2 a 50µs). Apesar desta característica, este tipo de tiristor é
rapidamente substituído pelo IGBT e MOSFET de potência devido à performance
muito superior.
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e Retificadores Mono Controlados por Tiristores
TRIAC
Anode 2
(MT2)
Gate
Anode 1
(MT1)
Figura 3 – Simbologia eletrônica do TRIAC
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O TRIAC – “Thyristor AC” pode ser interpretado como dois SCRs ligados
invertidos um ao outro, trabalhando como um SCR para corrente alternada.
O TRIAC possui três terminais de carga MT1, MT2 e Gate (MT = “Main
Terminal”), ele apresenta um “problema” que é sua capacidade de dv/dt (Máxi-
ma taxa de crescimento da corrente) muito baixa, entre 5 a 20V / µs, enquanto
o SCR está entre 100 a 1000 V/ µs e trabalham com correntes de no máximo
aproximadamente 40 Arms.
Nas aplicações em que seja necessário controlar cargas indutivas, onde existe
um atraso da corrente em relação a tensão, devemos ter cuidado especial, pois
quando a corrente cai abaixo da corrente de manutenção IH e o TRIAC bloqueia,
teremos nos terminais do TRIAC um dado valor de tensão. Se esta tensão subir
muito rápido, o TRIAC retoma o estado de condução e o controle é perdido, para
evitar este transtorno devemos utilizar um “snubber” (circuito RC série ligada aos
terminais do TRIAC, na Figura 5).
Snubber
Gate
Fase
240 VAC
Carga Fase
Figura 5 – TRIAC com snubber ligado em paralelo
DIAC
O DIAC é um dispositivo comutador de dois terminais e três camadas conforme
mostrado na Figura 6, juntamente com seu símbolo.
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Anode 1 Anode 1
P n
or or
n P
P n
Anode 2
Anode 2
O DIAC possui seus dois terminais ligados em duas regiões P, ele funciona da
mesma forma quando polarizados nos dois sentidos. Quando aplicamos ao DIAC
uma tensão baixa, uma das junções no sentido inverso é polarizada, mas pouca
corrente circula pelo DIAC. À medida que a tensão vai aumentando, a corrente
circulante aumenta até que é atingida a tensão de ruptura da junção que está pola-
rizada inversamente. A partir deste ponto, o DIAC entra em condução e sua resis-
tência cai, ocorrendo a circulação de uma corrente intensa pelo DIAC, conforme
podemos observar na Figura 7. O disparo ocorre com a polarização em qualquer
quadrante (sentido), pois as duas junções são iguais. Para que o DIAC deixe de con-
duzir a tensão, precisa chegar a 0V.
+I
F
A2
10mA
A1 IBO
–V IB +V
0,5V BO VBO
VF
5..10V 30..40V
–I F
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podemos observar na figura 8. Em um circuito de um dimmer, a tensão de disparo
do DIAC está entre 27 e 37 com correntes bastante pequenas entre 10 e 20 mA.
POT
ENTRADA CARGA
2 1
1 2
R1
D1
C1 DIAC
CARGA
R1
RV1
B2
E Q1
UJT
U1
S6010LS3
C1 B1
R2
Figura 9 – Circuito de disparo do SCR utilizando o UJT, conhecido como circuito de relaxação
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CARGA
RZ Vl
V1 RV1 R2
100k
VSINE
Q1 U1
UJT S6010LS3
VZ DZ VE 1k
B1 D VTH
C
100nF
1N44007
TRANS F0 HF 4/4
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Disparo Através do Circuito Integrado TCA 780/785
Devido à grande evolução tecnológica, ocorrida no período entre as décadas de
70 e 80, e a necessidade da diminuição dos circuitos eletrônicos, foram criados
os circuitos integrados TCA 780 e o TCA 785 (Figura 11), capaz de atender a
maioria das aplicações industriais no ramo de eletrônica e controle de potência.
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8 9 10 11 6 13 12
CB CR TENSÃO DE VC C12
RR CONTROLE
16 U1
R1
5 vs 14
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VSYNC Q1 4
V11 Q1 15
6
Q2 2
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INHIBIT Q2 3
D1 D2 L QU
12 C12 7
10 QZ
C10
9 R9 8
GND VREF
1 TCA785
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Os circuitos internos são alimentados por uma fonte interna de 3,1V, regulada
pelo próprio TCA785, a partir da tensão de alimentação (Vs), que está também dis-
ponível no pino 8, podendo ser filtrada por C8 para reduzir a ondulação na tensão,
o circuito integrado pode ser alimentado com tensões entre 8V a 18V.
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Material Complementar
Indicações para saber mais sobre os assuntos abordados nesta Unidade:
Livros
Robótica
CRAIG, J. J. Robótica. 3. ed. São Paulo: Pearson, 2012. (e-book)
Eletrotécnica Geral: Teoria e Exercícios Resolvidos
FRANCISCO, F. Eletrotécnica Geral: Teoria e Exercícios Resolvidos. 2. ed.
São Paulo: Ed. Manole, 2006. (e-book)
Projetos de Circuitos Analógicos
FRANCO, S. Projetos de Circuitos Analógicos. 1. ed. New York: Ed. McGraw
Hill, 2016. (e-book)
MATLAB com Aplicações em Engenharia
GILAT, A. MATLAB com Aplicações em Engenharia, 4. ed. Porto Alegre: Ed.
Bookman, 2006. (e-book)
Análise de Circuitos
MARIOTTO, P. A. Análise de Circuitos. 1. ed. São Paulo Ed. Prentice-Hall,
2003, (e-book)
Análise de Circuitos Elétricos
MARIOTTO, P. A. Análise de Circuitos Elétricos. 2. ed. São Paulo: Ed. Prentice
Hall, 2003. (e-book)
Vídeos
TRIAC e DIAC - Tiristores - O que são e como funcionam! Parte 2
https://youtu.be/GBxwM8ROV7k
Controle de potência AC com TRIAC e Arduino - Parte 1
https://youtu.be/h5QpmV4AqAk
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Referências
AHMED, A. Eletrônica de Potência. São Paulo: Ed. Pearson Prentice Hall, 2009.
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