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Universidade Lúrio
Faculdade de Engenharia Aula 1
Licenciatura em Engenharia Informática
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Estrutura 1
Estrutura 4/16/2019
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Uma vez que: 𝑋𝑐 = e 𝑋𝑐 = 𝑅 então 𝑅 =
2𝜋𝑓𝑐 2𝜋𝑓𝑐
Figura 1 Figura 2
Onde: Onde:
Xc = Reatância capacitiva em ohms Fc= Frequência de corte em hertz
F = Frequência em hertz Vs= Tensão de saída em volte
R=Resistencia em ohms Ve= Tensão de entrada em volte
C= Capacitor/capacitância em farad L=Indutor em henry
𝜋 = 3,14 (constante)
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máxima.
Resumindo, em baixas frequências o sinal de saída (Vs)
terá maior amplitude, e no caso de frequências mais altas,
o sinal de saída (Vs) terá baixa amplitude.
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Estrutura 2
Estrutura 4/16/2019
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Estrutura 3
Estrutura 4/16/2019
Dados Formula/Resolução
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R1=1.2kΩ Fc=2𝜋𝑅𝐶
1
1 𝑅2
C= 0.02μ𝐹 Fc=
2𝜋∗1.2∗0.02
𝐹𝑐 = 2𝜋𝑅𝐶 e Av = 1 + 𝑅1 Fc=? Fc=6,634kHz
Caraterística de circuito passa baixo
Portanto, a partir desta frequência o sinal é atenuado no
circuito.
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Caraterística de circuito passa Alto Portanto, as frequências a baixo de 1.5kHz seriam atenuadas.
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Estrutura 4
Estrutura 4/16/2019
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𝐹𝑐 = 𝐹𝑐 =
2𝜋𝑅3 𝐶3 2𝜋𝑅4 𝐶4
𝑅22 𝑅2
Av = +2 +1
𝑅12 𝑅1
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Trabalho Independente
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Estrutura 5