Eletrônica Analógica e Digital

Prof.: Flávio da Silva Vitorino Gomes

Introdução aos Semicondutores

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 Introdução

Antes de entrarmos no assunto propriamente dito, é

necessário fazermos algumas considerações sobre o
material de que são feitos alguns dos mais importantes
componentes eletrônicos, tais como: diodos e
transistores entre outros; este material é conhecido
como semicondutor.

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 Introdução

Os semicondutores são uma classe especial de ele-

mentos cuja condutividade está entre a de um bom
condutor e a de um isolante.
Os três semicondutores mais frequentemente usados
na construção de dispositivos eletrônicos são Ge, Si e
GaAs.
Silício germânico e gás acenico

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 Bandas de Energia

– Um átomo é formado por elétrons que giram ao redor do

núcleo (prótons e nêutrons).
– O número de elétrons, prótons e nêutrons é diferente para
cada tipo de elemento químico.

Figura 1 - Modelo atômico de Niels Bohr 5

 Bandas de Energia

– A quantidade de elétrons da última camada define

quantos deles podem se libertar do átomo em função
da absorção de energia externa ou se esse átomo
pode se ligar a outro através de ligações covalentes.

Figura 2 - Elétron Livre e Banda de condução

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Bandas de Energia

– Os elétrons da banda de valência são os que têm mais

facilidade de sair do átomo.
• Eles têm uma energia maior
• Por causa da distância ao núcleo ser grande, a força de atração é
menor (menor energia externa)
– A região entre uma órbita e outra do átomo é denominada
banda proibida, onde não é possível existir elétrons.
– O tamanho da banda proibida na última camada de elétrons
define o comportamento elétrico do material.

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Bandas de Energia

Figura 3 - Isolantes, Condutores e Semicondutores

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Bandas de Energia

– Material isolante: banda proibida grande exigindo do

elétron muita energia para se livrar do átomo.
– Material condutor: um elétron pode passar
facilmente da banda de valência para a banda de
condução sem precisar de muita energia.
– Material semicondutor: um elétron precisa dar um
salto pequeno. Os semicondutores possuem
características intermediárias em relação aos dois
anteriores. 9
Definição – Materiais

– Condutor é qualquer material que sustenta um fluxo

de carga, quando uma fonte de tensão com
amplitude limitada é aplicada através de seus
terminais.
– Isolante é o material que oferece um nível muito
baixo de condutividade sob pressão de uma fonte de
tensão aplicada.
– Um semicondutor é, portanto, o material que possui
um nível de condutividade entre os extremos de um
isolante e um condutor. 10
Definição – Materiais

– A classificação dos materiais em condutor,

semicondutor ou isolante é feita pelo seu valor de
resistividade (ρ).
– A Tabela I apresenta os valores de resistividades
típicos dos materiais.
Tabela I – Valores de resistividade típicos

Condutor Semicondutor Isolante

1.72x10-6 Ω-cm (Cobre) 50 Ω-cm (Germânio) 1012 Ω-cm (Mica)
2.82Ω-cm (Alumínio) 50x10³ Ω-cm (Silício)
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 Classificação

• De maneira geral quanto à condução de

corrente elétrica classifica-se: Condutores,
Semicondutores e Isolantes;
• Os materiais sólidos podem ser classificados
quanto à distribuição atômica da estrutura:
Cristais (silício), Policristais e Amorfos.
• Ex.: cristal isolante é o sal - NaCl
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 Classificação

• Semicondutor intrínseco é encontrado na natureza e

a concentração de portadores de carga positiva é
igual à concentração de portadores de carga
negativa.

Mais utilizados: Silício (Si) e Germânio (Ge) 13

 Classificação

• À temperatura ambiente, elétrons são “arrancados”

da estrutura cristalina, formando elétrons livres e
lacunas.

1 Å = 10-10 m 14
 Classificação

• Semicondutores extrínsecos ou dopados são

semicondutores intrínsecos onde
introduzimos uma impureza para
controlarmos as características elétricas do
semicondutor
• Ex. Silício, germânio podem ser dopados com
fósforo (P), arsênio (As) ou antimônio (Sb).
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Classificação

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 Características

• A condutividade elétrica de um semicondutor

ou isolante é altamente dependente das
condições ambientais, tais como temperatura,
radiação luminosa, pressão, campo magnético
e pureza do material etc.
• Em um semicondutor puro, para que os
portadores se tornem livres, as cargas devem
ser ativadas (Ex.: calor).
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 Dopagem

• A introdução de dopantes no material faz com

que surjam íons no material, devido à não
neutralização dos átomos doadores e
aceitadores.

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 Semicondutor
Tipo P

• Quando se introduz um átomo de uma

impureza trivalente este possui somente três
elétrons para completar as ligações
covalentes, logo uma das ligações covalentes
do silício ficará incompleta.
• Ex.: Alumínio, Boro, Gálio, Índio.

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 Semicondutor
Tipo N

• Quando se introduz um átomo de uma

impureza pentavalente este possui cinco
elétrons para completar as ligações
covalentes, sendo que um elétron excedente
torna-se livre para se conduzir.
• Ex.: Antimônio, Arsênio, Fósforo

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Portadores de Carga

• O portador de carga negativa é o elétron,

partícula esta muito conhecida e estudada.
• O portador de carga positiva é a lacuna que na
realidade é a posição deixada pelo elétron na
estrutura cristalina. Ou seja, é um "vazio" que
se comporta como uma carga positiva.

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Portadores de Carga

• Material do Tipo n: elétron é o portador

majoritário e a lacuna é o portador minoritário;
• Material do Tipo p: a lacuna é o portador
majoritário e o elétron é o portador minoritário.
• Os materiais dos Tipos n e p representam os
blocos básicos de construção de dispositivos
semicondutores!
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 Revisão

• A passagem da corrente elétrica em um meio

depende da aplicação de um campo elétrico e
da existência de portadores livres (usualmente
elétrons) neste meio.
• Em metais como cobre ou a prata densidade
de portadores livres (elétrons) é da ordem de
1023/cm3, e nos semicondutores é da ordem
de 108 a 109 /cm3.
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 Revisão

• Nos condutores e isolantes a densidade de

portadores livres é uma propriedade do
material, enquanto que nos semicondutores é
função das impurezas adicionadas a um
material intrinsecamente isolante.

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 Portadores:
elétrons e lacunas

• Átomos de materiais com 4 elétrons em sua

camada mais externa permitem o
estabelecimento de ligações muito estáveis,
por meio do compartilhamento dos elétrons
externos pelos átomos vizinhos (ligação
covalente).

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 Portadores:
elétrons e lacunas

• Em qualquer temperatura acima do zero

absoluto (-273ºC), algumas destas ligações são
rompidas produzindo elétrons livres.
• A ionização térmica gera o mesmo número de
elétrons e lacunas.

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 Semicondutores
dopados

• Quando se faz a adição de materiais com 3 ou 5

elétrons em sua camada de valência à estrutura de
um semicondutor, os átomos vizinhos terão suas
ligações covalentes ou incompletas ou com excesso
de elétrons.
• Respectivamente produz-se os materiais
semicondutores tipo P ou tipo N, permanecendo o
material eletricamente neutro.

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 Semicondutores
dopados

• Quando há excesso de lacunas, estas são ditas

portadores majoritários e os elétrons são os
portadores minoritários, em um semicondutor
tipo P.
• Quando da dopagem, as propriedades de
ionização térmica não são afetadas.

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 Semicondutores
dopados

Silício puro Silício Tipo N Silício Tipo P

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 Recombinação

• Uma vez que a densidade de portadores é

determinada apenas pelas propriedades do
material e pela temperatura, é necessário que
exista algum mecanismo que faça a
recombinação do excesso de portadores
gerados a partir da ionização térmica.

30
 Recombinação

• Recombinação pelo material semicondutor;

• Recombinação pelo material da impureza;
• Recombinação por imperfeição cristalina –
não necessidade de se realizar as 4 ligações
covalentes.

31
 Recombinação

• Tempo de vida de um portador é o tempo

médio necessário para que o elétron ou a
lacuna seja “neutralizada” por meio de uma
ligação covalente.
• Quando ocorre um significativo aumento da
temperatura do semicondutor, tem-se um
aumento do tempo de recombinação do
excesso de portadores. 32
 Recombinação

• Baixa dopagem: aumenta o tempo de

recombinação  aumenta o tempo de
comutação;
• Alta dopagem: aumenta a taxa de
recombinação  aumento da queda de
tensão de condução.
• Pode-se controlar a recombinação criando-se
zonas deformadas no semicondutor.
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 Correntes
de deriva e difusão

• Quando um campo elétrico for aplicado a um

material semicondutor, as lacunas e os
elétrons se movimentarão em sentidos
opostos (corrente de deriva);
• Esta corrente depende da mobilidade dos
elétrons e das lacunas.

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 Correntes
de deriva e difusão

• Quando existem regiões adjacentes com

diferentes concentrações de portadores,
ocorre a movimentação dos portadores
denominada difusão.

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Propriedades físicas

• Maior área  maior capacidade de condução

de corrente;
• Maior comprimento  maior capacidade de
suportar tensões;

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 Referências

SEDRA, Adel S. e SMITH, Kenneth C.. Microeletrônica. . OXFORD UNIVERSITY

PRESS. 2004. – Capítulos 1 e 3.

R. L. Boylestad e L. Nashelsky. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos. 8a.

Edição. Pearson Education do Brasil. 2004. – Capítulo 1.

37
 Obrigado!

Professor: Flavio da Silva Vitorino Gomes

flavio@cear.ufpb.br