Departamento de Eletrônica – CEFET-RJ

Laboratório de Eletrônica II
Profa: Dra Milena Faria

Experiência 03

Equipe:

Pedro Senne

Thalita Padua

Taissa Bonguardo
Thiago Nascimento

Tadeu Lourenço

Data: 26/01/2022
 1. Introdução
Este relatório refere-se à segunda aula prática de Eletrônica 2. Tal
atividade trata-se de um experimento referente a um circuito amplificador
utilizando um transistor. O circuito foi montado no software de simulação
MicroCap e foram feitas as devidas medições e plotagens para resposta do
questionário da atividade.

O TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO

O transistor é um dispositivo semicondutor que tem diversas
utilidades e é fundamental para o funcionamento de diversos dispositivos
eletrônicos atuais. O nome bipolar deve-se ao fato de o transistor trabalhar
com duas polarizações. E o termo junção deve-se ao fato de que o transistor
tem o aspector de dois diodos colados por suas partes N ou P.

O interior do transistor é composto de três regiões básicas e da

interação entre tais regiões que o transistor possibilita suas diversas aplicações,
quer seja como um dispositivo amplificador de sinais ou como uma chave, de
acordo com a a sua região de operação.
As três regiões de operação de um diodo são: região ativa, região de
saturação e região de corte, conforme ilustradas no gráfico abaixo chamado de
Família de Curvas do Coletor, que relacioa a tensão coletor-emissor com a
corrente no coletor, sendo cada curva vermelha representando uma respectiva
corrente na base. Podemos ver de forma resumida graficamente que a corrente
no coletor aumenta conforme aumentamos a corrente na base, por isso,
dizemos que o transistor é um dispositivo controlado por corrente. Se
entretanto, a corrente na base for zero, entramos na região de corte. A região
de operação ativa ou de saturação, por sua vez, vai ser determinada pela tensão
entre o coletor e o emissor.

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 Passemos agora a uma análise sucinta das características de cada
modo de operação do transistor.
Na região ativa, o transistor opera como amplificador de sinais. Nesta
região, o emissor está diretamente polarizado e o emissor inversamente
polarizado e o coletor está capturando quase todos os elétrons que o emissor
injeta na base. A corrente na base que representa cada curva vermelha é da
ordem de 10-2 menor que a corrente do coletor, o que faz surgir uma razão que
explicita o ganho de corrente:
Ic
βcc =
IB

Na região de corte, por sua vez, a corrente na base é zero o que vai
fazer com que a corrente no coletor também seja próximo a zero. Ela não zera
completamente devido a corrente reversa dos portadores minoritários e a
corrente de fuga da superfície. Nesta situaçao, o transistor se comporta quase
como uma chave em aberto.
Por último, temos a região de saturação que ocorre quando a
resistência da base é muito baixa, a corrente no coletor é alta e a tensão coletor-
emissor cai para aproximadamente zero. Nesta situação, a corrente no coletor
atinge o seu valor máximo. Também chamado de região ôhmica, podemos
determinar a corrente que leva o transistor a sua impedância máxima pela
seguinte relação:
Vcc
Ic(sat) = ;
Rc

Que nada mais é do que a lei de Ohm aplicada ao resistor do coletor.

A região de saturação e a de corte são muito utilizadas em Sistemas
Digitais em circuitos chamados de Chaveamento.

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1.1. Materiais

• 1 resistor de 820kΩ;
• 1 resistor de 12kΩ;
• 1 resistor de 6,8kΩ;
• 1 resistor de 1 kΩ;
• 1 resistor de 220 Ω;
• 1 BJT BC337 NPN;
• Fonte DC de tensão V1 de 12V;

Imagem: Circuito montado no MicroCap para referência dos nós

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2. Prática respondida

(1) Obtenha as correntes de polarização na base, emissor e coletor e

também as tensões de polarização na base, emissor e coletor.

Temos portanto, conforme a imagem acima:

Corrente na Base 2,06μA

Corrente no Emissor 865,42 μA
Corrente no Coletor 867,47 μA
Tensão na Base 1,51V
Tensão no Emissor 867,47mV
Tensão no Coletor 6,11V
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 (2) Insira um resistor de 220Ω em paralelo com o resistor de R4 e obtenha
a tensão de polarização na base, coletor e emissor.

Realizando a operação solicitada, temos:

Onde vemos que as novas tensões são:

Tensão na Base 982mV
Tensão no Emissor 317,59mV
Tensão no Coletor 380,9mV

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 (3) Discorra sobre o funcionamento do circuito.
Como podemos ver, a prática do laboratório nos mostra o transistor
operando em duas regiões distintas.
Na questão (1), podemos ver que o transistor está operando em sua região
ativa, com a corrente da base controlando a corrente do coletor e obtendo um ganho
na ordem de 420,16 (Quadro amarelo, BETADC).
Quando inserimos na questão (2) o resistor de 220Ω em paralelo com o
resistor de 1kΩ, isso reduziu a tensão coletor-emissor(VCE), trazendo o transistor para
o modo de operação em saturação, reduzindo o seu ganho (BETADC = 32,52).

Interessante notarmos o seguinte. O circuito em questão trata-se de um

circuito por divisor de tensão. Idealmente, a corrente que sai do divisor de tensão que
segue para a base é muito pequena, o que faz com que possamos ignorar essa corrente
e aplicarmos a equação do divisor de tensão ao restante do circuito.

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 Aplicando a equação portanto, temos:
R3
VBB = ∙ VCC
R1 +R3

12000
VBB = ∙ 12 = 1,53V
12000+82000

Que corresponde a aproximadamente a tensão na base na questão (1)

(lembre-se que estamos ignorando a corrente que segue para a base, mas ela existe,
apesar de ser muito pequena).
Portanto, por meio da variação do resistor R1, de 82 kΩ, podemos
controlar a polarização do emissor, ou seja, podemos dizer que os dois circuitos abaixo
são equivalentes.

De forma que, para que possamos controlar a tensão emissor-base,

devemos somente variar o valor da resistência R1, de modo a controlar a tensão na
base.

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3. Bibliografia

• BOYLESTAD, Robert; NASHELSKY, Louis. Dispositivos Eletrônicos e Teoria

dos Circuitos. 11 ed. São Paulo: Pearson Education do Brasil, 2013.

• MALVINO, Albert; Bates, David. Eletrônica – Volume II. 8 ed. Porto Alegre,
2016.