Índice

INTRODUÇÃO...........................................................................................................................2

O TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO UNIPOLAR.........................................................3

TIPOS DE TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO................................................................4

JFET (transistor de efeito de campo de junção).........................................................................4

MOSFET ( FET de Metal-Óxido-Semicondutor )......................................................................5

Parâmetros do MOSFET..............................................................................................................6

MOSFETs com Simetria Complementar (CMOS)......................................................................7

CIRCUITOS DIGITAIS QUE EMPREGAM LOGICA CMOS.................................................7

CIRCUITOS DIGITAIS COM MOSFET...................................................................................8

REGIÕES DE OPERAÇÃO DO MOSFET................................................................................9

REGIÃO DE CORTE..................................................................................................................9

REGIÃO DE TRIODO (ou região linear)...................................................................................9

RESISTENCIA LINEAR............................................................................................................9

REGIÃO DE SATURAÇÃO: quando VGS > VT e VDS > VGS – VT...................................10

AMPLIFICADOR DE ALTO GANHO....................................................................................11

CONCLUSÄO...........................................................................................................................12

BIBLIOGRAFIA.......................................................................................................................13
INTRODUÇÃO

Os transistores podem ser classificados de acordo com o tipo de portador de carga utilizado para
transporte de corrente. Sob esse ponto de vista, existem dois tipos de transistores: os bipolares e
os unipolares. Neste presente trabalho esta abordado os transístores unipolares ou por outra
transístor de efeito de campo (FET – field effect transistor). Utilizando uma linguagem clara e
objectiva espero de maneira a facultar ou tornar mais explicito a compreesão deste trabalho ao
leitor.

Page 2
O TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO UNIPOLAR

O transístor de efeito de campo (FET – field effect transistor) é um dispositivo semicondutor

cuja corrente de operação depende do campo elétrico aplicado no seu terminal de controle,
diferentemente do transistor bipolar, cuja corrente que flui entre o emissor e o coletor é
controlada por corrente injetada no terminal base.

O FET tem diversas vantagens sobre o transistor bipolar:

1. Sua operação depende apenas do fluxo de portadores majoritários. São, portanto, dispositivos
unipolares (trabalham apenas com um tipo de portador de carga) e por isso recebe também, o
nome de transistor unipolar;

2. São relativamente imunes à radiação;

3. Possuem uma grande resistência de entrada, tipicamente da ordem de megaohms;

4. Apresentam menor ruído comparado aos transistores bipolares;

5. Eles não apresentam tensão residual (tensão de offset) para corrente de dreno nula;

6. Apresentam estabilidade térmica.

A desvantagem do FET é o seu pequeno produto ganho × faixa de passagem (bandwidth) em

comparação ao transistor bipolar.

Page 3
TIPOS DE TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO

Existem dois tipos de transistor de efeito de campo: o FET de junção (JFET – junction field
effect transistor) e o FET de porta isolada (IGFET – insulated-gate field effect transistor) mais
comumente chamado MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor).

JFET (transistor de efeito de campo de junção)

JFET canal P: portadores são lacunas

O JFET opera no modo de depleção, isto é, uma tensão aplicada no terminal porta pode remover
os portadores de carga presentes no canal N. O canal N contém elétrons livres em quantidade
suficiente para suportar o fluxo de corrente. Se a tensão da porta se tornar negativa, os elétrons
livres serão empurrados para fora do canal N, pois cargas iguais se repelem. Isto deixa o canal
com poucos elétrons livres e a sua resistênciaaumentará várias vezes, reduzindo assim a corrente
entre dreno e fonte. Na realidade, se a tensão no terminal porta se tornar negativo, o dispositivo
pode ser desligado e nenhuma corrente fluirá. Existem algumas diferenças importantes entre
transistores bipolares e unipolares, a principal delas é que o transistor bipolar é controlado por
corrente, e o transistor unipolar é controlado por tensão.

O JFET é o mais simples tipo de transistor dentre todos eles e tem pequeno uso atualmente, em
função das melhores características do MOSFET. Sua aplicação é restrita aos circuitos discretos,
nos quais é utilizado tanto como amplificador como chave. Nos circuitos integrados as suas
aplicações estão limitadas aos estágios de entrada diferencial de alguns amplificadores
operacionais para os quais deseja-se uma alta impedância de entrada em comparação aos
transistores bipolares.

Page 4
MOSFET ( FET de Metal-Óxido-Semicondutor )

A diferença básica entre os MOSFETs tipo acumulação e depleção está no canal, ou seja, no
modo acumulação para se formar o canal, deve-se aplicar uma tensão de porta-fonte; no modo
depleção o canal já é formado (fabricado), e a tensão porta-fonte controla a largura do mesmo.

Page 5
Parâmetros do MOSFET

Alguns dos parâmetros mais úteis especificados são:

· Cox – Capacitância do óxido

· Vt - Tensão de corte (estrangulamento) porta-fonte. A tensão porta-fonte, abaixo da qual,

a corrente no canal dreno-fonte é nula. Nos catálogos dos fabricantes, denotada por
V GS (OFF )ou V t

· gm - a transcondutância. O valor de gm diz quanto a corrente AC mudará quando se

aplica uma tensão porta- fonte AC. gmé medido em Siemens (S).

Page 6
Normalmente também são fornecidos pelos fabricantes vários outros parâmetros relacionados
com a capacitância do dispositivo, tensão de ruído, tempos para ligar e desligar e potência de
operação.

MOSFETs com Simetria Complementar (CMOS)

É bastante comum, principalmente em circuitos digitais, conectar transistores MOS tipo P e tipo
N internamente a um dispositivo complementar ou CMOS. Uma entrada positiva desliga o MOS
tipo P, liga o tipo N, com a saída caindo para 0 V. Uma entrada de valor baixo ligará o
dispositivo MOS tipo P e desligará o tipo N, com a tensão de saída subindo até +VDD. . A maior
parte dos circuitos integrados de baixa potência é construída com o emprego de chaves CMOS.

CIRCUITOS DIGITAIS QUE EMPREGAM LOGICA CMOS

A utilização de FETs como dispositivos lógicos tem diversas vantagens sobre os dispositivos
baseados em transistores bipolares, particularmente devido à alta resistência do terminal porta
(G). Este fato acarreta em baixa dissipação de energia, da ordem de 1 mW/porta. Quando um
FET canal p é utilizado complementarmente a um FET canal n, apenas uma fonte é necessária,
daí o nome de semicondutores de óxido metálico complementares CMOS (Complementary
Metal Oxide Semiconductor).

Page 7
CIRCUITOS DIGITAIS COM MOSFET

As mais comuns aplicações de dispositivos MOS são digitais, como por exemplo, portas lógicas
e registradores ou conjuntos de memórias. Devido às capacitâncias parasitas localizadas de porta
para dreno, porta para fonte e substrato, os circuitos MOSFET são mais lentos que os circuitos
bipolares correspondentes. Contudo, a baixa dissipação de potência e a alta densificação na
fabricação tornam os dispositivos MOS muito convenientes e econômicos para muitas aplicações
em baixa velocidade.

Os circuitos digitais com MOSFET consistem somente em FETs e nenhum outro componente,
tais como diodos, resistores ou capacitores.

Page 8
REGIÕES DE OPERAÇÃO DO MOSFET

A operação de um MOSFET pode ocorrer em três diferentes regiões, dependendo das tensões
aplicadas sobre seus terminais. Para o transístor NMOS os modos são:

REGIÃO DE CORTE

Quando VGS < VT VGS é a tensão entre a porta (gate) e a fonte (source) e VT é a tensão de
threshold (limiar) de condução do dispositivo. Nesta região o transístor permanece desligado e
não há condução entre o dreno e a fonte.

REGIÃO DE TRIODO (ou região linear)

Quando VGS > VT e VDS < VGS – VT onde VDS é a tensão entre dreno e fonte. O transistor é
ligado, e o canal que é criado permite o fluxo de corrente entre o dreno e fonte. O MOSFET
opera como um resistor, controlado pela tensão na porta. A corrente do dreno para a fonte é,

μ n C ox W
I D= (2(V GS −V t h )V DS −V 2DS )
2 L

RESISTENCIA LINEAR

Se V DS for suficientemente pequeno para desprezar o termo temos uma V 2DS relação linear entre a
corrente e a tensão V DS constituindo-se, portanto em um resistor linear com valor controlado pela
tensão na porta V GS .

Page 9
 W
I D =μn Cox (V −V t h )V DS
L GS

REGIÃO DE SATURAÇÃO: quando VGS > VT e VDS > VGS – VT

O transístor fica ligado e um canal é criado permitindo o fluxo de corrente entre o dreno e a
fonte. A corrente de dreno é agora relativamente independente da tensão de dreno e é controlada
somente pela tensão da porta de tal forma que:

V GS =V T +
√ ID
K

Page
10
AMPLIFICADOR DE ALTO GANHO

Observando-se a curva Vi xVo, do circuito inversor, verifica-se que na realidade, podemos ter
um amplificador de ganho muito elevado, para tensões de entrada em torno de VDD/2. Com esta
característica é possível, portanto, se construir um amplificador de alto ganho para pequenos
sinais, calculando-se os resistores R1 e R2 de forma que o amplificador fique polarizado em
VDD/2, ou seja, muito próximo do ponto onde ocorre a transição na saída.

Page
11
CONCLUSÄO

Chegado neste momento, damos por terminado o nosso trabalha que teve como tema o transístor
de efeito de campo (FET – field effect transistor), e conclui - se nesse trabalho, que transitor
unipolar é um dispositivo semicondutor cuja corrente de operação depende do campo elétrico
aplicado no seu terminal de controle e tem dois tipos: o FET de junção (JFET – junction field
effect transistor) e o FET de porta isolada (IGFET – insulated-gate field effect transistor) mais
comumente chamado MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor).

Page
12
BIBLIOGRAFIA

DIEFENDERFER, A.J. Principles of electronic instrumentation. Philadelphia, PA: Sauders

College Publishing, 1979.

HOROWITZ, P., HILL, W. The art of electronics. New York: Cambridge University Press,
1993.

MALMSTADT, H.V., ENKE, C.G. Electronics for scientists: principles and experiments for
those who use instruments. New York: W.A. Benjamin, 1962.

MILLMAN, J. & HALKIAS, C.C. Electronic devices and circuits (International student edition).
Tokyo: McGraw-Hill Kogakusha, 1967.

SCHULER, C.A. Electronics principles and applications. New York: McGraw-Hill, 1985.

SEDRA, A.S., SMITH, K.C. Microeletrônica. São Paulo: Makron Books, 2000.

REZENDE, S.M. A física de materiais e dispositivos eletrônicos. Recife, PE: Editora

Universitária da UFPE, 1996.

Page
13