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Revista Cientfica Peridica Telecomunicaes

ISSN 1516-2338

Circuitos Amplificadores de Transimpedncia Integrados a Fotodiodos


A. R. Z. Nascimento1, J. C. J. de Almeida2, E. C. Ferreira1, O. V. A Filho1, A. L .P. Mattei2
1 - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Departamento de Eletrnica e Microeletrnica Campinas - SP 2 - Instituto de Estudos Avanados (IEAv) CTA So Jos dos Campos - SP

Resumo. O trabalho insere-se no processo de capacitao em centrais inerciais strap down utilizando giroscpios a fibra ptica. Neste contexto o enfoque dado deteco e converso da corrente de um fotodiodo acoplado fibra ptica do sensor interferomtrico. So investigadas duas topologias de circuito, uma delas operando no modo de transimpedncia e com alto ganho de converso, e a outra na amplificao seletiva de harmnicas da fotocorrente. Para ambas as configuraes so deduzidos o ganho de converso ou de amplificao da fotocorrente e investigados os principais parmetros envolvidos na relao sinal-rudo. A configurao de transimpedncia destaca-se por alta flexibilidade de implementao, baixa sensibilidade capacitncia parasita do circuito e controle efetivo da estabilidade do circuito de realimentao. A configurao de amplificao seletiva otimiza a relao entre a primeira e a segunda harmnica da fotocorrente detectada e simplifica consideravelmente os circuitos posteriores de condicionamento do sinal interferomtrico. A escolha da topologia de circuito mais adequada est relacionada ao processamento do sinal utilizado. So apresentados os resultados experimentais e um estudo comparativo dos mesmos com as simulaes realizadas. Abstract. This work takes part in the capacitation process in strap down inertial units using fiber optic gyroscopes. In this context, the contents is driven to both detection and conversion of the current generated in the photodiode of the interferometric sensor. Two circuit topologies are investigated, one operating in the transimpedance mode with high conversion gain, and other with selective amplification of the photocurrent harmonics. Expressions are given to the photocurrent gain conversion and amplification and to the signal-noise ratio. The transimpedance configuration has a very flexible implementation, low sensitivity to parasitic capacitances of the circuit, and an effective stability control of the feedback circuit. The selective amplification configuration optimize the relation between the first and the second photocurrent harmonics detected and it also simplifies the conditioning circuits. The choice for a given circuit topology is related with the signal processing used. Experimental results and computational simulations of the circuits are presented.

I. INTRODUO A demodulao de sinais de sensores interferomtricos precedida por uma etapa de deteco e condicionamento da fotocorrente de sada do sensor. A mesma da maior relevncia dada as relaes sinal-rudo e faixa dinmicas envolvidas. O presente trabalho no apenas contribui com a proposta de duas topologias de circuito de deteco, como complementa o desenvolvimento de novas arquiteturas de processamento de sinais de interfermetros de Sagnac. Tais desenvolvimentos visam capacitao em circuitos eletrnicos analgicos e digitais de processamento de sinais interferomtricos. Neste contexto, cada topologia proposta tem uma aplicao especfica arquitetura de demodulao empregada. A natureza espectral da fotocorrente, caracterizada por harmnicas da freqncia de modulao do circuito ptico do sensor, norteou a escolha das topologias propostas. A primeira destina-se converso em tenso de vrias harmnicas da fotocorrente, mantendo contudo um alto ganho de converso. A segunda destina-se amplificao seletiva da primeira harmnica da fotocorrente, otimizando portanto na sua sada a relao entre a primeira e a segunda harmnicas da mesma, devido ao alto ganho de amplificao. No tem II, estuda-se a deteco com fotodiodo e as razes da monitorao da fotocorrente por meio de um amplificador de transimpedncia. No item III estudada a relao sinal-rudo da configurao amplificador de transimpedncia integrado a um fotodiodo. No item IV, analisa-se o ganho e a seletividade de um amplificador de corrente sintonizvel. No item V, so apresentadas as simulaes e os resultados experimentais. Finalizando, as concluses so expostas no item VI. II. FOTODIODO: CIRCUITO, CURVA CARACTERSTICA I-V E MODOS DE OPERAO Na Fig.1 (a) e 1 (b) so ilustradas a curva caracterstica I-V de um fotodiodo e o circuito associado. A corrente total no fotodiodo dada por [1,6]

iT = i d i p

(1)

onde id a corrente circulando no fotodiodo devida aplicao de uma tenso positiva e ip a corrente fotogerada.
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Do exposto, evidencia-se a dependncia altamente no-linear da tenso e p com o fluxo e e tal fato sugere a medida da corrente i p com e p 0 , mantendo

praticamente constante. Isto implica em RL

praticamente nulo, ou seja, numa reta de carga mais vertical que a indicada na Fig. 1 (b). Tal condio obtida com a montagem indicada na Fig. 2, onde temse uma impedncia de carga ZL( ) expressa por

Z L ( ) =

Z R ( ) Ama ( )

(4)

Figura 1: (a): Representao das correntes e tenso de um fotodiodo, (b) Curva caracterstica I-V.

condio Z R ( ) 0 .

onde Z R ( ) e Ama ( ) so a impedncia de realimentao e o ganho em malha aberta do amplificador operacional, respectivamente. H que se enfatizar que, com o aumento de tem-se um decrscimo de Ama ( ) e portanto uma degradao da

Na mesma representamos vrios nveis de intensidade do fluxo de energia luminosa incidente e definido por

e =

ip r

(2)
Figura 2: Amplificador de transimpedncia para a monitorao da fotocorrente.

onde r a responsividade do diodo ao fluxo, expressa em A/W. Da Fig.1 (a), nota-se que para e p 0 , o diodo fica polarizado reversamente, resultando iT = i p e a corrente medida nos terminais a prpria fotogerada. A regio restrita a e p > 0 move a linha de carga para o terceiro quadrante e caracteriza a operao no modo fotocondutivo. Para e p > 0 , o diodo se torna polarizado e opera no modo fotovoltaico, onde id 0 , e portanto iT = id i p , e a caracterstica I-V torna-se menos linear medida em que e p aumenta. Sem a aplicao de uma tenso de polarizao direta ao fotodiodo, tem-se id = i p , e nesta condio e p funo apenas de i p . Assim, para uma variao linear de e , h uma variao logartmica de e p , ou seja, a tenso de sada do fotodiodo ser

Esta configurao caracteriza um amplificador de transimpedncia cuja tenso de sada

v s = Z R i p
III. ANLISE DE RUDO DO FOTODIODO E AMPLIFICADOR DE TRANSIMPEDNCIA

(5)

A anlise a seguir fundamenta-se em [1,2,3] cujos resultados nortearam as dedues ora apresentadas. A Fig. 3 mostra os diversos ganhos envolvidos na anlise da relao sinal/rudo de um amplificador operacional.

r e e p = Vt n I D

(3)

onde Vt tenso trmica da juno, e ID a corrente de escuro ou corrente de saturao reversa do diodo, caracterizada por e = 0 . A no-linearidade inerente equao acentuada pela variao de r com e p . Como e p no-nulo, a reta de carga situa-se no quarto quadrante.

Figura 3: Ganhos do amplificador de transimpedncia: malha aberta, transimpedncia e rudos de tenso e corrente.
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A curva superior mostra o ganho em malha aberta do amplificador, cuja freqncia de ganho unitrio dada por fu. A curva central representa o ganho de transimpedncia Z R ( ) , que o mesmo para a fotocorrente ip e para os geradores de corrente de rudo shot do fotodiodo e de entrada do amplificador. A mesma apresenta um polo na freqncia

onde q a carga elementar do eltron 1,6 10 19 C , Id a corrente de escuro do diodo, I p a componente dc da fotocorrente devida luz incidente e B a faixa de passagem do fotodiodo. H que se notar que embora o modo fotocondutivo implique em correntes de escuro da ordem de 10 a 30nA (para tenses reversas de 10 a 20Vdc), a contribuio do rudo shot devido esta corrente desprezvel em relao da corrente I p , a qual apresenta valores de at 10A. O gerador de rudo trmico devido ao resistor de realimentao do fotodiodo, cujo valor rms dado por

f pf =

1 2RR C R

(6)

onde RR e CR so, respectivamente, a resistncia e a capacitncia de realimentao do amplificador. A curva inferior indica o ganho para os geradores de tenso de rudo, e dada pela relao 1 ( ) , onde ( ) o fator de realimentao. A mesma delimitada por duas assntotas, onde a primeira tem amplitude unitria e apresenta um zero na freqncia

NT =

4 KTB R sh

(11)

f zR =

1 2R R (C D + C R )

(7)

onde CD a capacitncia do fotodiodo, e a segunda tem uma amplitude expressa por

onde K a constante de Bolztsmann 1,38 10 23 J/K e T a temperatura absoluta em graus Kelvin. Os geradores de rudo de corrente e tenso intrnsecos ao amplificador so caracterizados por densidades espectrais de tenso com a freqncia, que no caso do amplificador operacional utilizado (OPA 655 da BurrBrown) so representadas na Fig. 5.

kC = 1 +

CD CR

(8)

e apresenta plos nas freqncias fpf e fi , sendo este ltimo dado pela interseo com a curva do ganho de malha aberta Ama ( ) do amplificador. Sendo fi

fi =

fuCR CR + Cd

(9)

A seguir so identificados na Fig. 4 os diversos geradores de corrente e tenso de rudo [3,4] devido ao amplificador operacional, ao fotodiodo e impedncia de realimentao Z R ( ) .

Figura 5: Densidades espectrais dos geradores de rudo de tenso e de corrente do amplificador OPA 655.

As mesmas so convertidas em densidades espectrais 2 de potncia dadas respectivamente por eina ( ) e


2 ena ( ) .

Figura 4: Geradores de corrente e de tenso de rudo do fotodiodo e do amplificador de transimpedncia.

2 2 f ena = K ei ce + 1 f
1

(12)

O rudo shot devido a corrente de escuro e componente dc da fotocorrente, com valor rms
I sh = 2q I p + I d B

f 2 ina = K i2 ci + 1 f
1

(13)

(10)
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O ganho de tenso de rudo do amplificador de transimpedncia


1 Ama ( ) 1 (14) = Atr ( ) = 1 + A ( ) ( ) 1 ma 1+ Atr ( ) ( )

rudo. Esta condio de operao se aplica somente para a amplificao de sinais interferomtricos. IV. CIRCUITOS DE TRANSIMPEDNCIA DE ALTO GANHO No condicionamento de sinais interferomtricos, para uma dada faixa de passagem, muitas vezes se faz necessria a sntese de circuitos de transimpedncia de alto ganho. No entanto, o aumento de RR pode levar o circuito a uma condio de oscilao, caso as curvas dos ganhos de malha aberta e de rudo de tenso do amplificador se interceptem nas regies de 20dB/dcada e +20dB/dcada, respectivamente. Nesta condio tem-se que o ganho de malha Ama ( ) ( ) = 1 e a defasagem na malha de realimentao = 360. Assim, h que se evitar tal estado do circuito pelo controle da capacitncia de realimentao CR. No entanto, existe um valor mnimo para tal valor imposto pela capacitncia parasita da montagem; o que degrada a preciso de Z R ( ) com nveis reduzidos de capacitncia de realimentao. Dentre as topologias de realimentao propostas para minimizar ou controlar esta limitao, optou-se pelas realimentaes em T capacitiva e resistiva, indicadas na Fig.6.

O valor rms da tenso de rudo na sada do amplificador devido ao geradores de tenso de rudo na entrada resulta em
BeqA

E Rs1 =
onde

A ( )
tr 0

e 2 ra ( )d

(15)

BeqA =1,57fp , a faixa de passagem do

amplificador de transimpedncia para fontes de tenso de rudo, sendo fp a freqncia de intercesso do ganho de tenso de rudo com a curva do ganho de malha aberta do amplificador operacional. O valor rms da tenso de rudo na sada do amplificador devido aos geradores de corrente de rudo na entrada do amplificador e devido resistncia shunt do fotodiodo dado por

E Rs =
2

BeqA

Z R ( ) i 2 ra ( )d
2

(16)

O valor rms da tenso de rudo na sada do amplificador devido ao rudo trmico do resistor de realimentao expresso por

E Rs = 4 KTRR Beq
3

(17)

Figura 6: Circuito de Transimpedncia com realimentao Z R ( ) : T capacitiva (a) e resistiva (b).

O valor rms da tenso total de rudo na sada do amplificador obtido por

En

Total

= Es2 + Es2 + Es2


1 2

(18)

Nota-se que um aumento do ganho de converso est associado a um maior valor da resistncia de realimentao RR , o que implica num aumento da tenso total de rudo na sada do amplificador proporcionalmente

RR . Portanto a relao sinal-

rudo S/N do amplificador de transimpedncia integrado ao fotodiodo aumenta com a utilizao de: valores elevados do resistor de realimentao, pois tem-se S/N RR , amplificadores de transimpedncia com geradores de rudo com as menores densidades espectrais de tenso e de corrente possveis, fotodiodos operando no modo fotocondutivo o que implica na diminuio de Cd e portanto do fator de amplificao 1+ Cd/CR para as tenses de

A montagem em T capacitiva permite sintonizar capacitncias com precises de fraes de pico Farad, pois o divisor capacitivo impe uma tenso menor C1. Isto equivale a uma capacitncia bem menor na entrada inversora do amplificador, e consequentemente a fotocorrente circula quase que totalmente pelo resistor de realimentao. A montagem em T resistiva, por outro lado, permite a sntese de amplificadores de alto ganho substituindo o resistor de realimentao RR da configurao bsica por um divisor de tenso implementado com resistores de valores bem menores. Assim, substitue-se RR por um resistor de realimentao equivalente R fEQ dado por

R fEQ = R fT + R1 + R fT R1 / R2
Se fizermos RfT>>R1, a equao acima se reduz

(19)

R Req = 1 + 1 R fT R 2

(20)
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Portanto, a tenso de sada es ser

R es = I p 1 + 1 R fT R 2

(21)

Assim, para um dado ganho, a resistncia RfT R utilizada reduzida pelo fator 1 + 1 e a R2 capacitncia de realimentao equivalente amplificada da mesma forma, tornando a sntese de circuitos de alto ganho menos sensvel capacitncia parasita da montagem. Uma desvantagem desta configurao o aumento dos ganhos de tenso de rudo e de offset. Em sinais interferomtricos amplifica-se a componente ac da fotocorrente e portanto h de se controlar apenas o ganho de tenso de rudo em altas freqncias, o que possvel se respeitarmos a relao

aplicaes, justifica-se a sntese de circuitos de amplificao de corrente, sintonizados nestas harmnicas. A Fig. 8 ilustra um amplificador de corrente implementado com dupla realimentao, sendo que na negativa utiliza-se um circuito ressonante paralelo e na positiva um circuito ressonante srie.

R1 E R 1 R2 3ER
s1 s 3T

Figura 8: Circuito de amplificador de corrente com dupla sintonia.

(22) Esta topologia permite que as freqncias das ressonncias sejam a mesma ou distintas, obtendo-se, respectivamente, a amplificao seletiva de uma nica ou de duas harmnicas da fotocorrente. No caso de amplificao de uma nica harmnica, o ganho de corrente Acs expresso por

onde, seguindo a conveno adotada para a configurao clssica (18), ERs 3T o valor rms da tenso de rudo na sada do amplificador de transimpedncia T resistivo devido ao rudo trmico do resistor R fT , pois R fT >>R1. Nesta condio, para amplificadores FET, o valor rms da tenso total de rudo na sada do amplificador expresso aproximadamente por ER s1T , correspondendo ao valor rms da tenso de sada devida amplificao dos geradores de rudo de tenso da entrada do amplificador. Portanto, a situao indicada na Fig. 3 modificada para a da Fig. 7.

Acs =

Z RP Z RS

=
f = fs

Rp Rs

(23)

onde Rp e Rs so, respectivamente, as resistncias dos circuitos ressonantes paralelo e srie e fs a freqncia de sintonia. Na hiptese do fator de qualidade Qp do circuito ressonante paralelo ser muito maior que o do circuito ressonante srie, resulta que o fator de qualidade efetivo do circuito dado por Qef Qp. Nesta condio se torna possvel a sntese de circuitos de alto Q, Qef >50, com a utilizao de indutores da ordem de centenas de micro Henry e capacitores da ordem de centenas de pico Farad, flexibilizando a obteno de indutores com ncleos de ferrites de alto Q e de capacitores com dieltrico de baixas perdas. Assim, a seletividade do amplificador sintonizado ajustada atravs do Qef expresso por

Qef = Q p = 2f s R p C p
Figura 7: Ganhos do amplificador de transimpedncia com realimentao T resistiva.

(24)

V. AMPLIFICADORES DE CORRENTE SINTONIZADOS A corrente de sada de um sensor interferomtrico a fibra ptica contm harmnicas da freqncia de modulao do circuito ptico do sensor. Dependendo do processamento do sinal a ser utilizado, conveniente a amplificao seletiva de harmnicas da freqncia fundamental da fotocorrente. Em tais

onde Rp e Cp so respectivamente os valores da resistncia e da capacitncia do circuito ressonante paralelo. A seletividade do circuito pode ser controlada independentemente em cada circuito ressonante, tornando-o bem flexvel ao ajuste de tal parmetro. A relao sinal-rudo em relao da configurao de transimpedncia, aumenta pelo fator

B eqA Beqs

, onde Beqs a faixa de passagem


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equivalente de rudo do amplificador sintonizado.

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IV. SIMULAES E RESULTADOS EXPERIMENTAIS A caracterizao em freqncia dos circuitos foi realizada utilizando-se um interfermetro ptico polarimtrico [5]. O interfermetro intensifica o rudo de partio de modos de um diodo laser multimodo e gera um sinal com intensidade constante e freqncia de corte de 100MHz. Assim, a medida da resposta em freqncia dos circuitos de fotodeteco realizada focando-se o sinal ptico da sada do interfermetro na rea ativa do fotodetector. Na experimentao utilizou-se um fotodiodo no modo fotovoltaico de modo a minimizar o gerador de rudo de corrente shot, no caso devido somente corrente de escuro, pois com o sinal ptico do experimento no existe a componente I p da fotocorrente. O ganho de transimpedncia foi fixado em 105, a faixa de passagem do sinal em 900kHz tanto na configurao de transimpedncia clssica como na de realimentao com T resistivo. Nos circuitos foram utilizados: fotodiodo BPX-65 da Centronic, inc. cujas caractersticas principais so: NEP 10 13W Hz , (Vr=0V, 900nm), Cd=15pF; 3,5pF(Vr=0V; 20V, 900nm), Id=1nA (Vr=20V), Rsh=100M e r=0,5A/W. amplificador operacional, OPA655, da Burr-Brown, cuja freqncia de ganho unitrio da ordem de 400MHz e as densidades espectrais de tenso e de corrente de rudo esto indicadas na fig. 5 (a) e (b). Nas condies acima o ganho de tenses de rudo, na configurao de transimpedncia clssica, apresenta uma assntota de alta freqncia com valor de 1+Cd/CR10, e um polo superior na freqncia de 20MHz. A seguir so apresentados as simulaes e os resultados experimentais para as seguintes condies: configurao de transimpedncia clssica com RR=100k e CR=1,8pF (correspondendo a um capacitor de 1,2pF e uma capacitncia parasita de 0,6pF), para a qual so apresentadas as curvas de tenso total de sada, experimental e simulada, bem como as das densidades espectrais de rudo de tenso e corrente, respectivamente na sada e na entrada do circuito:
-44 -46 -48 -50 -52

Nota-se uma tenso total de rudo de 303nV e 3,99V respectivamente nas freqncias de 100kHz e 1MHz, escolhidas por representarem os extremos da faixa de passagem do sinal amplificado. Aplicando o modelo matemtico adotado obtm-se um valor de 355Vrms para a tenso total de rudo na sada do amplificador, o que implica numa corrente mnima de 3,5nArms; detectvel na sua entrada para uma relao S/N = 0dB. configurao de transimpedncia com realimentao T resistiva com Req=100k e Ceq=39pF, para a qual so apresentadas as curvas da tenso total de sada, experimental e simulada, bem como as das densidades espectrais de rudo de tenso e corrente, respectivamente na sada e na entrada do circuito:

-44 -46 -48

Intensidade (dBm)

-50 -52 -54 -56 -58 -60 -62 -64 -66 -68

Intensidade (dBm)

-54 -56 -58 -60 -62 -64 -66 -68

Resistor R R = 100k Capacitor C R = 1.8pF

Resistores: R fT= 5.1k , R 1= 47 e R 2= 2.2 Capacitor: 39pF

100k

1M

100k

1M

Freqcia (Hz)

Freqncia (Hz)

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No caso para as freqncias de 100kHz e 1MHz tem-se os seguintes valores de tenses de rudo: 2,21V e 6,39V. Nesta configurao, segundo o mesmo modelo obtm-se um valor de 0,9mVrms para a tenso total de rudo na sada do amplificador, o que implica numa corrente mnima de 9nArms; detectvel na sua entrada para uma relao S/N=0dB, e a nova faixa de passagem equivalente de rudo. Evidencia-se portanto a amplificao da tenso do rudo de entrada, o que condiz com a previso terica dada no observncia de (22), pois R1/R2=20 quando deveria ser menor que 4,5. configurao de amplificador de corrente, com sintonias srie e paralela em f = 103 kHz, Qef = 60 e fator de amplificao igual a 1100, para a qual so apresentadas as curvas de tenso total de sada, experimental e simulada, bem como as das densidades espectrais de rudo de tenso e de corrente, respectivamente na sada e na entrada do circuito:

Nota-se para a freqncia de ressonncia uma tenso de 85V na sada do circuito e uma corrente mnima detectvel na entrada da ordem de 12pArms, considerando a nova faixa de passagem de rudo. Estes resultados s foram possveis pela utilizao de amplificadores FET e de indutores com ferrites de alto Q. VII. CONCLUSES Foi apresentado a proposta de duas topologias de circuito de deteco, que complementa o desenvolvimento de novas arquiteturas de processamento de sinais interferomtricos. Estudou-se a deteco com fotodiodo e as razes da monitorao da fotocorrente por meio de um amplificador de transimpedncia. Foram estudadas as relaes sinalrudo das configuraes de amplificador de transimpedncia, clssica e T resistiva, integradas a um fotodiodo e analisou-se o ganho e a seletividade de um amplificador de corrente sintonizvel. Os resultados experimentais apresentaram uma boa concordncia com os das simulaes corroborando a validade do modelo matemtico adotado para ambas as configuraes. A experimentao evidenciou na configurao T resistiva uma amplificao da densidade espectral de tenso de rudo em alta freqncia. No entanto, esta amplificao est em conformidade com a previso terica, o que significa que a mesma pode ser reduzida at um limite em que ainda existam as vantagens da configurao T resistiva. Os resultados obtidos com o amplificador de corrente sintonizado apresentaram uma excelente concordncia com os simulados em termos de seletividade, fator de amplificao e corrente mnima detectvel. Portanto, as propostas apresentadas ampliam as opes de circuitos de amplificao e
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-56 -60 -64 -68 -72 -76

Intensidade (dBm)

-80 -84 -88 -92 -96 -100 -104 -108

Ressonncia srie-paralela em 103 kHz Q ef = 60


100k

Freqncia (Hz)

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converso da fotocorrente de sada de sensores interferomtricos a fibra ptica.

REFERNCIAS [1] J. Graeme, Photodiode Amplifiers, Mc Graw Hill , NY, 1996. [2] J. C. J . de Almeida, Tcnicas de Processamento de Sinais em Girmetros a Fibra ptica para Sistemas de Navegao Inercial , Tese de Mestrado, UNICAMP, 1996. [3] S. Franco, Design with Operational Amplifiers and Analog Integrated Circuits, Mc Graw Hill, NY, 1988. [4] Noise Analysis of Fet Transimpedance Amplifiers, AB 076, and Photodiode Monitoring with OP AMPS, AB 075, Applications Handbook, BurrBrown, 1994. [5] A. L. P. Mattei et al, Frequency Response Characterization of Photodetection Circuits using mode partition noise method, a ser submetido para publicao. [6] Application of Silicon Photodiodes, Optoelectronic Components Catalog, UDT Sensors, Inc. 1997.

engenharia eltrica e de tcnicos em eletrnica. Possui publicaes em congressos nacionais e internacionais e diversos trabalhos de consultoria em instrumentao eletrnica de preciso. e-mail: juliano@ieav.cta.br

Elnatan Chagas Ferreira graduou-se em Fsica na Universidade Federal do Cear em 1981. Obteve os ttulos de Mestre em Engenharia Eltrica em 1984 e Doutor em Engenharia Eltrica em 1991, ambos pela UNICAMP. professor assistente doutor desde 1991 e chefe do DEMIC/FEEC/UNICAMP desde 1996. Vem desenvolvendo trabalhos de pesquisa e orientando alunos de ps-graduao nas reas de Eletrnica de Instrumentao; Sensores e Condicionamento de Sinais; Projeto de CI para Conversores Analgico-Digital; CAD para Sistemas Microcontrolados. e-mail: elnatan@fee.unicamp.br

Antonio Ricardo Zaninelli do Nascimento graduouse em Fsica em 1996 na Universidade Estadual de Londrina. Atualmente vem desenvolvendo trabalho de ps-graduao em Sensores pticos para Avinica, sendo este o tema de sua tese de mestrado, que baseada em deteco do sinal interferomtrico de um giroscpio a fibra ptica. Este trabalho est sendo realizado em conjunto entre Universidade Estadual de Campinas e o Instituto de Estudos Avanados (IEAv), do Centro Tcnico Aeroespacial (CTA) de So Jos dos Campos, SP. e-mail: zanineli@fee.unicamp.br

Jos Carlos Juliano de Almeida doutorando em Engenharia Eltrica no Departamento de Microeletrnica da Universidade Estadual de Campinas. Recebeu o ttulo de Mestre em Engenharia Eltrica, em 1996, pelo Departamento de Telecomunicaes da UNICAMP e Engenheiro Eletricista (opo Eletrnica) pela Universidade do Vale do Paraba. pesquisador do Instituto de Estudos Avanados, do Centro Tcnico Aeroespacial, desde abril de 1992, atuando na rea de deteco e processamento de sinais de sensores interferomtricos a fibra ptica. No mesmo Centro, foi pesquisador do Instituto de Aeronutica e Espao, de 1973 a 1992, tendo atuado nas reas de desenvolvimento de sensores magnticos e de sistemas e instrumentao embarcada de telemetria e telecomando para veculos espaciais. Tem participado intensamente na formao e orientao de alunos de mestrado e graduao em

Osas Valente de Avilez Filho graduou-se em Engenharia Eltrica em 1974 na Universidade de Braslia. Obteve os ttulos de Mestre de Engenharia Eltrica em 1978 e Doutor em Engenharia Eltrica em 1986, ambos pela UNICAMP. professor livre docente desde 1986 no DEMIC/FEEC/UNICAMP. Vem desenvolvendo trabalhos de pesquisa e orientando alunos de ps-graduao nas reas de Projeto Eletrnico; Ampllificadores de udio; Aplicaes em RF; Eletrnica de Giroscpio; Eletrnica de Equipamentos Industriais; Sensores e Transdutores; Aplicaes com Microcotroladores; Instrumentao de Medidas. e-mail: oseas@fee.unicamp.br

Andr Luis Pierre Mattei recebeu o ttulo de Mestre em Cincias em 1998 na rea de Microondas e Eletroptica do Curso de Engenharia Eletrnica e Computao do Instituto Tecnolgico de Aeronutica, So Jos dos Campos, SP. engenheiro eletrnico pelo Instituto Tecnolgico de Aeronutica. pesquisador da Diviso de Fotnica do Instituto de Estudos Avanados do Centro Tcnico Aeroespacial, So Jos dos Campos, SP, desde fevereiro de 1997. Sua rea de atuao a de pesquisa em sensores a fibra ptica e possui publicaes em congressos nacionais e internacionais. e-mail: mattei@ieav.cta.br
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