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UFABC Universidade Federal do ABC Fundamentos de Eletrnica

Prtica 05 AMPLIFICADOR DE PEQUENOS SINAIS

Prof. Dr. Roberto Jacobe Rodrigues

Turma Diurno Grupo: Fernando de Oliveira Petrecca Marcelo Rodrigues da Silva Thiago Delgado Moyss

INTRODUO
No transistor de juno bipolar ou TJB, o controle da corrente coletor-emissor feito injetando corrente na base. O efeito transistor ocorre quando a juno coletor-base polarizada reversamente e a juno base-emissor polarizada diretamente, isto permite com que uma pequena corrente de base suficiente para estabelecer uma corrente entre os terminais de coletor-emissor. Esta corrente ser to maior quanto maior for a corrente de base, de acordo com o ganho. O transistor amplificador operacional tem que ser projetado de maneira que seu ponto quiescente se localize no centro da curva na regio ativa ( regio de operao), de maneira a fornecer a maior potncia para o sada. O problema da polarizao estabelecer uma corrente continua constante no emissor (ou no coletor). Esta corrente deve ser bem determinada e insensvel s variaes de temperatura, valor de , etc. Este fato resulta do facto de o funcionamento do transistor como amplificador ser altamente influenciado pelo valor de corrente de polarizao. Uma maneira de tornar o ganho menos sensvel a temperatura montar um circuito divisor de tenso na base do transistor permitindo assim uma maior estabilidade do sistema em relao a temperatura. Para as aproximaes de pequenos sinais que ser desenvolvido neste experimento temos que manter a amplitude do sinal suficientemente pequena, de modo que a operao fique restrita ao segmento quase linear de curva exponencial de iC bE . Aumentar a amplitude do sinal leva o corrente de coletor a ter componentes relacionadas no linearmente com bE, estes sinais devem ser muito menores do que a tenso trmica no transistor. Nesta situao o transistor se comporta como uma fonte de corrente controlada por tenso, a porta de entrada desta fonte controlada est entre a base e o emissor e a porta de sada entre o coletor e o emissor.

OBJETIVO
Verificar a polarizao em emissor comum com divisor de tenso na base, verificar a amplificao de sinais, verificar o efeito do capacitor entre emissor e a referncia e obter os valores das impedncias de entrada e de sada.

EQUIPAMENTOS MATERIAIS E COMPONENTES

Equipamentos 02 01 01 01 01 01 01 Multmetro Portteis com adaptador jacar em ambas as pontas de prova Osciloscpio com duas pontas de prova Gerador de Funes com cabo BNC/jacar Fonte de tenso continua varivel Protoboard Par de cabos banana/banana Par de cabos banana/jacar

Componentes 01 01 01 01 01 01 01 01 02 02 Transistor BC547B Resistor 100. Resistor 330. Resistor 470. Resistor 1k. Resistor 1,2k. Resistor 5,6k. Resistor 10k. Capacitor Eletroltico de 1F, 50 volts. Capacitor Eletroltico de 100F, 50 volts.

RESULTADOS Inicialmente montou-se o circuito ilustrado na figura 1 a fim de avaliar as condies de polarizao do transistor, conferindo seu efeito de amplificador de sinais para o caso da aplicao de um transistor com divisor de tenso.

Figura 1: Circuito de polarizao do transistor montado na etapa inicial deste experimento. Utilizando um multmetro mediu-se as correntes no emissor (IE), base (IB) e coletor (IC), assim como mediu-se a tenso entre a base e o emissor (V BE) e entre o coletor e o emissor (VCE). Estes dados (e outros valores de tenso, tal como VC) obtidos para esta etapa do experimento encontram-se na tabela 1 a seguir:

Tabela 1: Dados experimentais obtidos para a etapa inicial deste experimento, referente figura 1. IB IE VBE VR2 VR1 IC (mA) VCE (V) (A) (mA) (V) (V) (V) 34,2 2,83 2,841 0,681 5,93 1,939 9,31 VCECORTE VC (V) VE (V) (V) 1,26 4,116 11,249 ICSAT (mA) 13

A tabela a seguir, tabela 2, trs os valores tericos esperados para os principais valores acima e compara-os com os valores experimentais encontrados. Observa-se que o Real Modo Indireto o valor de corrente obtido quando utilizado os valores de

tenso sobre o coletor e sobre o emissor, desprezando os efeitos adjacentes do multmetro para medio de corrente. Tabela 2: Valores tericos e experimentais obtidos das principais medies realizadas. Teric Real Modo Real o Indireto VBE (V) 0,7 0,681 0,002 IE (A) 0,014 0,0412 8 0,002 IC (A) 0,0138 0,0126 8 0,001 ICSAT (A) 0,0279 3 VCE (V) 6 5,93 Os valores tericos foram calculados atravs da aplicao do Teorema de Thvenin na malha de entrada (figura 2), assim como aplicando as seguintes aproximaes e expresses:

Figura 2: Aplicao do Teorema de Thvenin para determinao de IC e IE no transistor TBJ com divisor de tenso.

Aproximaes vlidas para o caso onde:

E considerando que o ponto Quiescente (Q) se encontra no meio da linha de carga. Percebe-se pela tabela 2 que os valores encontrados experimentalmente conferem com os valores tericos, com pequeno desvio. Observa-se que as correntes IC e IE medidas diretamente com o multmetro foram detentoras de grande erro, porm ao obtermos estas correntes de maneira indireta, ou seja, atravs da aplicao da Lei de Ohm usando os valores de tenso e resistncia obtidos experimentalmente, os valores foram coerentes com o esperado terico o que nos indica que o multmetro na funo de corrente alterava e influenciava a corrente do circuito, possivelmente devido sua resistncia interna que causou uma diviso da corrente. As variaes entre os valores tericos e experimentais possivelmente devido as aproximaes dos clculos assim como da sensibilidade dos equipamentos, considerando que os clculos so efetuados considerando uma idealizao, no aplicando os valores reais das resistncias e no levando em considerao os efeitos de sensibilidade dos equipamentos. O ganho (CC) pode ser obtido atravs da seguinte relao:

Sendo assim, o valor experimental de CC foi de:

Para valores prximos de 2 mA, o data sheet do componente indica um ganho na faixa entre 200 e 400. Portanto, o valor medido em laboratrio encontra-se na faixa de ganho esperada. O Ponto Quiescente (Q) pode ser obtido atravs da determinao de dois pontos da reta, dados pelas equaes a seguir:

O valor de IC,SAT obtido quando colocamos R2 em curto isto a corrente que flui em Ic mxima. O valor de VCE, CORTE obtido experimentalmente quando se abre o terminal da base do transistor, cortando a corrente que atravessa RC e RB. A Reta de Carga se encontra na figura 3 a seguir (utilizando os valores experimentais).

Figura 3: Reta de Carga obtida para o experimento 1 com a indicao do ponto Quiescente (Q). A corrente IC pode ser obtida atravs da aplicao da equao da reta fornecida na figura 3, aplicando para a varivel x o valor de 5,93 (V) , resultando em um IC,Q de 0,014261 A. Este valor se aproxima do valor terico encontrado atravs da equao 4 e confere com os dados obtidos na tabela 2. A tabela 3 abaixo rene os valores de IC,Q obtidos atravs destes 3 mtodos, de modo a facilitar a visualizao dos resultados obtidos. Tabela 3: Diferentes valores de IC,Q obtidos atravs da teoria, experimentalmente e com auxlio da reta de carga. Teric Experimental Atravs da Reta de o (medido) Carga IC,Q (A) 0,0138 0,0126 0,014261 Caso a resistncia R2 fosse de 470 ao invs de 1,2 k, aplicando as aproximaes e expresses apresentadas acima, ou seja, atravs do Teorema de Thvenin auxiliando nos clculos, assim como as demais aproximaes consideradas ao longo desta anlise, obtm-se o novo valor de IC,Q para caracterizar a o novo ponto Q (aplicao das equaes de 1 at 5). Observa-se que a reta de carga no se altera, ponto o ponto de IC,SAT e VCE,CORTE se mantm os mesmos, logo, apenas o ponto Q deslocado. A tabela 4 apresenta o resultado obtido:

Tabela 4: Novas coordenadas do Ponto Q para uso de R2 no valor de 470 . IC,Q Equao da Reta de VCE,Q (A) Carga (V) IC,Q = -0,0023.VCE,Q + 0,0175 4,526 0,0279

AMPLIFICADOR DE PEQUENOS SINAIS


Foi montado o circuito indicado na figura 4 para um amplificador de pequenos sinais.

Figura 4: Amplificador de pequenos sinais Na entrada e foi aplicado um sinal CA com VPP= 50mV e freqncia f=1kHz. Nestas condies, a carga RE pode ser desconsiderada, pois toda a tenso no emissor ir cair sobre o capacitor CE , j que o sinal alterando ir carregar e descarregar o capacitor. Os valores medidos das tenses de entrada e sada, e o ganho calculado foram: e 51,2 mV s 3,84 V Ganho(s/ e) 75

Em seguida, o mesmo teste foi realizado, mas retirando o capacitor C E do circuito. Os dados obtidos foram os seguintes: e 52,0 mV s 162 mV Ganho(s/ e) 3,11

Sem o capacitor, nota-se uma perda muito grande da amplificao do sinal. Em seguida ento foi recolocado o capacitor no seguido e foi adicionada uma carga R L em srie com o capacitor C2 na sada e foram obtidos os seguintes valores: e 51,2 mV s 3,84 V Ganho(s/ e) 75

Os resultados obtidos so os mesmos sem a carga RL no circuito, isto por que a carga RL no faz a menor diferena, pois est em paralelo com o capacitor, que na frequncia de operao tem uma impedncia muito baixa (equivalente a um curto), e devido ao fato da corrente seguir o caminho de menor resistncia torna RL praticamente sem efeito no circuito. Para verificar a influncia da tenso e da freqncia do sinal de entrada no ganho, os dois parmetros foram variados e foi observado o efeito na sada. Em ambos os testes, o capacitor CE estava no circuito e a carga RL no foi colocada. Aumentando a tenso de pico a pico para 120mV e mantendo a freqncia em 1kHz, os valores observados foram os seguintes: e 120mV s 8,20 V Ganho(s/ e) 68,33

Em seguida, mantendo a tenso em 120mVpp e aumentando a freqncia para 13kHz, obteve-se os seguintes valores: e 120 mV s 9,40 V Ganho(s/ e) 78,33

Com o aumento da tenso de entrada o circuito sai da regio linear da curva exponencial de Ic x bE , diminuindo desta forma a tenso de sada e consigo o ganho de tenso do circuito. Porm se mantermos a situao e aumentarmos a frequncia diminumos a impedncia do capacitor o que na prtica significa curto circuitar os terminais de RE o que causa um aumento no ganho em relao a situao anterior.

CONCLUSO

Atravs deste experimento foi possvel compreender um pouco mais do funcionamento do transistor amplificador de pequenos sinais com divisor de tenso verificar sua regio de atividade bem como compreender a influencia dos capacitores nestes projetos. Concluiu-se que mesmo existindo idealizaes nos modelos e erros implcitos ao experimentalismo que a teoria e a prtica esto de acordo com o esperado, neste experimento.

BIBLIOGRAFIA
BOYLESTAD, Robert L.; NASHELSKY, Louis. Dispositivos eletrnicos: e teoria de circuitos. 8 ed. So Paulo: Pearson Prentice Hall, 2004. MALVINO, Albert; BATES, David J.. Eletrnica: Volume 1.7 ed So Paulo

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