Transstor

Transistores com diferentes encapsulamentos. esquerda um transistor de sinal em encapsulamento TO-92. direita um transistor de alta potncia em encapsulamento metlico TO-3. O transistor um componente eletronico que comeou a popularizar-se nadcada de 1950, tendo sido o principal responsvel pela revoluo da eletrnica na dcada de 1960. So utilizados principalmente como amplificadores e interruptores de sinais eltricos. O termo vem de transfer resistor (resistor/resistncia de transferncia), como era conhecido pelos seus inventores. O processo de transferncia de resistncia, no caso de um circuito analgico, significa que aimpedncia caracterstica do componente varia para cima ou para baixo da polarizao pr-estabelecida. Graas a esta funo, a corrente eltrica que passa entre coletor e emissor do transistor varia dentro de determinados parmetros prestabelecidos pelo projetista do circuito eletrnico. Esta variao feita atravs da variao de corrente num dos terminais chamados base, o que, consequentemente, ocasiona o processo de amplificao de sinal. Entende-se por "amplificar" o procedimento de tornar um sinal eltrico mais fraco num mais forte. Um sinal eltrico de baixa intensidade, como os sinais gerados por um microfone, injetado num circuito eletrnico (transistorizado por exemplo), cuja funo principal transformar este sinal fraco gerado pelo microfone em sinais eltricos com as mesmas caractersticas, mas com potncia suficiente para excitar os alto-falantes. A este processo todo d-se o nome de ganho de sinal.

Inveno
O transistor de silicio e germanio foi inventado nos Laboratrios da Bell Telephone por Bardeen e Brattain em 1947 e, inicialmente, demonstrado em 23 de Dezembro de 1948, por JOHN BORDEEN, Walter Houser Brattain e William Bradford Shockley, que foram laureados com o Nobel de Fsica em 1956. Ironicamente, eles pretendiam fabricar um transistor de efeito de campo (FET) idealizado por Julius Edgar Lilienfeld antes de 1925, mas acabaram por descobrir uma amplificao da corrente no ponto de contato do transistor. Isto evoluiu posteriormente para converter-se no transistor de juno bipolar (BJT). O objetivo do projeto era criar um dispositivo compacto e barato para substituir as vlvulas termoinicas usadas nos sistemas telefnicos da poca.

Os transistores bipolares passaram, ento, a ser incorporados a diversas aplicaes, tais como aparelhos auditivos, seguidos rapidamente por rdios transistorizados. Mas a indstria norte-americana no adotou imediatamente o transistor nos equipamentos eletrnicos de consumo, preferindo continuar a usar as vlvulas termoinicas, cuja tecnologia era amplamente dominada. Foi por meio de produtos japoneses, notadamente os rdios portteis fabricados pela Sony, que o transistor passou a ser adotado em escala mundial. No houve muitas mudanas at ento. Nessa poca, o MOSFET (Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor Transistor de Efeito de Campo formado por Metal, xido e Silcio) ficou em segundo plano, quase esquecido. Problemas de interface inviabilizavam a construo dos MOSFETs. Contudo, em 1959, Atalla e Kahng, da Bell Labs, fabricaram e conseguiram a operao de um transistor MOS. Nessa poca, os transistores MOS eram tidos como curiosidade, devido ao desempenho bastante inferior aos bipolares. A grande vantagem dos transistores em relao s vlvulas foi demonstrada em 1958, quando Jack Kilby, da Texas Instruments, desenvolveu o primeiro circuito integrado, consistindo de um transistor, trs resistores e um capacitor, implementando um oscilador simples. A partir da, via-se a possibilidade de criao de circuitos mais complexos, utilizando integrao de componentes. Isto marcou uma transio na histria dos transistores, que deixaram de ser vistos como substitutos das vlvulas e passaram a ser encarados como dispositivos que possibilitam a criao de circuitos complexos, integrados. Em 1960, devido a sua estrutura mais simples, o MOS passou a ser encarado como um dispositivo vivel para circuitos digitais integrados. Nessa poca, havia muitos problemas com estados de impurezas, o que manteve o uso do MOS restrito at o fim da dcada de 60. Entre 1964 e 1969, identificou-se o Sdio Na como o principal causador dos problemas de estado de superfcie e comearam a surgir solues para tais problemas. No incio da tecnologia MOS, os transistores PMOS foram mais utilizados, apesar de o conceito de Complementary MOS (CMOS) j ter sido introduzido por Weimer. O problema ainda era a dificuldade de eliminao de estados de superfcie nos transistores NMOS. Em 1970, a Intel anunciava a primeira DRAM, fabricada com tecnologia PMOS. Em 1971, a mesma empresa lanava o primeiro microprocessador do mundo, o 4004, baseado em tecnologia PMOS. Ele tinha sido projetado para ser usado em calculadoras. Ainda em 1971, resolviam-se os problemas de estado de superfcie e emergia a tecnologia NMOS, que permitia maior velocidade e maior poder de integrao. O domnio da tecnologia MOS dura at o final dos anos 70. Nessa poca, o NMOS passou a ser um problema, pois com o aumento da densidade dos CIs, a tecnologia demonstrou-se insuficiente, pois surgem grandes problemas com consumo de potncia (que alta nesse tipo de tecnologia). Com isso, a tecnologia CMOS comeava a ganhar espao. A partir da dcada de 80, o uso de CMOS foi intensificado, levando a tecnologia a ser usada em 75% de toda a fabricao de circuitos, por volta do ano 2000.