Escolar Documentos
Profissional Documentos
Cultura Documentos
Dispositivos Semiconductor
Dispositivos Semiconductor
Apostila
para a disciplina
Dispositivos Semicondutores
1. Introdução.............................................................................................. 3
3. A junção pn .......................................................................................... 15
1. Introdução
Esta apostila não pode nem deve tentar substituir nem as aulas nem os
livros recomendados para a matéria.
[1] S.M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, segunda edição, John Wiley &
Sons, 1981
[2] Sergio M. Rezende, A Física de Materiais e Dispositivos Semicondutores,
Editora da Universidade Federal de Pernambuco, 1996
[3] Richard S. Mueller, Theodore I. Kamins, Device Electronics for Integrated
Circuits, Addison-Wesley, 1993
Determinados temas anexos que são tratados brevemente em sala de
aula, como comportamento transiente e ruído, efeito de avalanche no diodo,
transistor MOSFET sub-micrônico, exemplos e aplicações, bem como fabricação de
dispositivos não estão incluídos nesta primeira versão da apostila.
2. Física e propriedades de
semicondutores
mq 4
En (1)
2 2 40 n 2
2
13,6eV
En (2)
n2
A unidade eV corresponde a energia de um elétron com potencial elétrico
de 1 Volt. A unidade eV é mais apropriada para o mundo atômico que a unidade
convencional da energia, o Joule. A relação entre as unidades é
1 eV = 1,69E-19 J (3)
5
Num átomo com muitos elétrons, os vários elétrons são distribuídos nos
níveis de menor energia possível, obedecendo ao Princípio de Exclusão de Pauli.
Como o elétron é dotado de spin, cada nível de energia comporta dois elétrons com
spins opostos.
baixa. Quando o tubo está completamente cheio, não se observa fluxo de água
mesmo quando uma parte do tubo é levantado.
2.3.1.Semicondutor tipo n
Se o nível ED fica perto do nível EC, é necessário pouca energia para que
um elétron passe do nível ED para o nível EC. À temperatura normal quase todos os
elétrons do nível ED passam para o nível EC e a concentração dos elétrons livres
aumenta sensivelmente.
2.3.2.Semicondutor tipo p
Para que as impurezas tenham o efeito desejado, o nível EA deve ser vazio
para poder aceitar elétrons. Estas impurezas se chamam aceitadores.
Pela pequena distância entre EV e EA, muitos elétrons podem sair da faixa
de valência e atingir o nível EA, aumentando assim a concentração de lacunas
(cargas positivas) na banda de valência.
8
Definimos:
n concentração de elétrons livres,
p concentração de lacunas livres.
1
F(E) (4)
E EF
1 exp
kT
onde
EF energia de Fermi,
k constante de Boltzmann,
T temperatura absoluta
2 E EC
N (E) Mc me 3 2 (5)
2
3
9
onde
Mc constante de valor inteira dependente do tipo do
cristal
me massa efetiva de um elétron.
n( E ) F ( E ) N ( E ) (6)
n F ( E ) N ( E ) dE
EC
(7)
E F EC
n N C exp (8)
kT
onde
2 me kT
32
N C 2 MC (9)
h2
Da mesma maneira é possivel determinar a concentração de lacunas:
EV E F
p NV exp (10)
kT
Multiplicando as equações (8) e (10) obtemos
Eg
np N C NV exp (11)
kT
Como Eg é uma constante, percebemos que o produto das concentrações de
elétrons e lacunas livres à temperatura fixa sempre é uma constante.
10
Definimos:
ni concentração intrínseca de elétrons livres,
pi concentração intrínseca de lacunas livres.
ni = pi (12)
Usando equação (11) chegamos a uma relação muito importante para as
concentrações de cargas livres:
np = ni2 (13)
Usando novamente (11) consegue-se calcular ni:
Eg
ni N C NV exp (14)
kT
A concentração intrínseca cresce com aumento da temperatura.
EC EV kT NV
Ei ln (15)
2 2 NC
Como NC e NV têm valores próximos e kT<<|EC+EV| podemos aproximar
11
EC EV
Ei (16)
2
Isto significa que a energia de Fermi de um semicondutor intrínseco é
situada no centro da banda proibida.
n N A p ND (17)
N N A N N A 4ni 2 N D
1 2
nn 0 (18)
2 D D
se N D N A ni e N D N A .
NC nn 0
E F E C kT ln kT ln Ei (19)
ND ni
E F Ei
n ni exp (20)
kT
12
Ei E F
p ni exp (21)
kT
Num semicondutor tipo n, o nível de Fermi é acima do nível intrínseco e
num semicondutor tipo p o nível de Fermi é abaixo do nível intrínseco.
B
E (22)
t
D
H Jcond Jtot (23)
t
D ( x, y, z) (24)
B 0 (25)
B 0 H (26)
D ( r , t ) S (t t ) E ( r , t ) dt (27)
13
A equação (27) fica reduzida a D=E para frequências abaixo da ordem dos
1012Hz. E e D são o campo elétrico e a indução elétrica; H e B são o campo magnético
e a indução magnética; e são a permissividade e a permeabilidade; (x,y,z) é a
densidade de carga e J é a densidade de corrente. Entre as seis equações acima, a
mais importante para o tema desta disciplina é a equação de Poisson (24).
J p q p pE qDpp (29)
Jcond Jn J p (30)
n kT n
Jn qn nE + qDn qn nE + (31)
x q x
p kT p
J p q p pE qDp q p pE (32)
x q x
Estas equações são válidas para campos elétricos fracos. Para fortes
campos, os termos nE e pE devem ser substituídos pela velocidade de saturação vs.
n n E F Ei
(33)
x kT x x
O campo elétrico é dado por
V 1 Ei
E( x ) (34)
x q x
inserindo (33) e (34) em (31),
E E E
J n n n i n F n i (35)
x x x
No equilíbrio a corrente é nula, então o gradiente do nível de Fermi
também deve ser nulo, ou seja, o nível de Fermi é constante.
EF
J n nn 0 (36)
x
2.4.3.Equações de continuidade
n 1
Gn U n Jn (37)
t q
p 1
Gp U p J p (38)
t q
onde Gn e Gp são a taxa de geração de elétrons e lacunas causadas por
influência externa como excitação ótica com fótons de alta energia ou ionização por
impacto com campo elétrico muito forte. A taxa de recombinação de elétrons num
semicondutor p é Un e pode ser aproximado pela expressão (np-npo)/n, onde np é a
densidade de portadores minoritários, npo a densidade de portadores minoritários em
equilíbrio e n a duração de vida dos elétrons. Uma expressão similar vale para
lacunas.
n p n p n po E n p 2np
Gn n p n n E Dn (39)
t n x x x2
pn pn pno E pn 2 pn
Gp pn p pE Dp (40)
t p x x x2
3. A junção pn
Assim temos:
q N A ; x p x 0
( x) q N D ; 0 x xn (41)
0 ; outros x
A zona entre -xp<x<xn não contem cargas livres. Por isso ela se chama
zona de depleção.
E ( x)
(42)
x S
NA
q x xp ; xp x 0
S
E ( x) N (43)
E q D x;0 x x
m
S n
ND NA
onde Em q xn q xp
S S
V
E( x ) (44)
x
q NA
2
2 x x p ; x p x 0
V ( x) S
q ND (45)
V
bi
2 S
x x n ; 0 x xn
2
onde
17
Vbi
q
2 S
N A x p 2 N D xn 2 (46)
Vbi Ei E F Ei E F (47)
x x p x xn
ou
kT N A kT N D kT N A N D
Vbi ln ln ln (48)
q ni q ni q ni 2
Comparando as equações (46) e (48) obtemos a largura W da zona de
depleção:
2 S N A N D 2 S kT N A N D N A N D
W xn x p Vbi ln (49)
q N A ND q2 N A ND ni 2
A zona de depleção não contem cargas livres e então não conduz a corrente
elétrica. Ela atua como um isolador entre dois condutores, formando um capacitor
cuja capacitância por área pode ser calculada a partir de W:
dQ S
C' (50)
dV W
Quando se aplica uma tensão externa ao dispositivo, ela se subtrai do
potencial interno Vbi. Assim a largura da zona de depleção e a capacitânica são
modificadas:
2 S 1 1
W V V (51)
q N A N D bi
12
2 1 1 1
C' (52)
q S N A N D Vbi V
18
2) a aproximação de Boltzmann
As diferenças de concentrações de cargas livres tem relação exponencial
com a diferença de níveis de energia correspondente.
E Fn Ei
n ni exp (53)
kT
Ei E Fp
p ni exp (54)
kT
Ei E Fn E Fp
Definimos: q , n q , e p q (ver transparência T5) para
19
escrever
q n
n ni exp (55)
kT
p ni exp
q p (56)
kT
O produto pn passa a ser:
E Fn E Fp
pn ni 2 exp (57)
kT
ou:
pn ni 2 exp
q p n (58)
kT
Para polarização direta temos EFp-EFn>0 e pn>ni2 e para polarização
reversa EFp-EFn<0 e pn<ni2.
n p np np0 E n p 2np
Gn n p n n E Dn (59)
t n x x x2
Para o lado p, sem campo elétrico, ela se apresenta como:
np np0 2np
0 Dn (60)
n x2
Precisamos de duas condições de contorno para resolver esta equação. A
primeira condição de contorno é:
n p ( x ) n p0 (61)
kT n
Jn qn nE ((26))
q x
n q n q n qn n
ni exp (62)
x kT kT x kT x x
e substituímos o campo elétrico pelo gradiente do potencial obtendo
kT qn n
J n qn n qn (63)
x q kT x x
n
Jn qn n (64)
x
Supomos que a densidade de corrente não varia dentro da junção, mas
sabemos que a concentração de elétrons varia de várias ordens de grandeza. Isso
somente é possível se o gradiente do potencial p aproxima se de zero na mesma
proporção que n aumenta. Isso significa que p é praticamente constante. Para n
vale o mesmo raciocínio. Em consequência podemos escrever que
V p n (65)
V
n p p p ni 2 exp (66)
kT
ni 2 V
np exp (67)
pp kT
Com p p ( x x p ) p p0 e n p 0 p p 0 ni 2 ,
qV
n p ( x x p ) n p 0 exp (68)
kT
Assim a solução de equação (60) é dada por:
21
qV x xp
n p n p 0 n p 0 exp 1 exp (69)
kT Ln
onde Ln Dn n .
n p qDn n p 0 qV
J n qDn exp 1 (70)
x Ln kT
x x p
pn qDp pn 0 qV
J p qDp exp 1 (71)
x x xn
Lp kT
onde Lp Dp p .
qV
J Jn J p J S exp 1 (72)
kT
qDp pn 0 qDn n p 0
com J S
Lp Ln
4. O transistor bipolar
A invenção do transistor bipolar no ano 1947 por uma equipe dos Bell
Laboratories representa um dos maiores avanços na elétrônica porque era o
primeiro dispositivo semicondutor ativo que substituia a válvula triodo.
Com estes três contatos, o transistor pode ser usado dentro de um circuito
elétrico em três configurações: base comum, emissor comum e coletor comum (ver
transparência T7). Pela maior facilidade, usaremos a configuração de base comum
para derivar as características do transistor bipolar.
2 n( x ) n( x ) n E
0 ; x xE (73)
x2 DE E
2 p ( x ) p( x ) p B
0;0 x W (74)
x2 DB B
2 n ( x ) n ( x ) nC
0 ; x xC (75)
x2 DC C
23
n( x ) nE (76)
qV
n( x E ) nE nE exp EB 1 (77)
kT
qV
p(0) pB pB exp EB 1 (78)
kT
qV
p(W ) pB pB exp CB 1 (79)
kT
qVCB
n( xC ) nC nC exp 1 (80)
kT
n( x ) nC (81)
p(W ) p B p(0) p B e W LB
x L p(W ) p B p(0) p B eW LB
x L
p( x ) p B e B e B
2 sinh(W LB ) 2 sinh(W LB ) (82)
para 0 x W
x xE
nE n( x E ) nE exp L ; x x E
n( x ) E
(83)
xC x
nC n( xC ) nC exp ; xC x
LC
p( x) n( x)
JE J p Jn qDB qDE (84)
x 0 x x E x x 0 x x x E
D p 1 D n qV D p 1 qV
JE q B B q E E exp EB 1 q B B exp CB 1 (85)
LB tanh(W LB ) LE kT LB sinh(W LB ) kT
24
p( x) n( x)
JC J p Jn qDB qDC (86)
x W x xC x x W x x xC
D p 1 D n qV D p 1 qV
JC q B B q C C exp EB 1 q B B exp CB 1 (87)
LB sinh(W LB ) LC kT LB tanh(W LB ) kT
I B AJ E AJ C (88)
I C
0 hFB (89)
I E
I pE I pC I C
0 T M (90)
I E I pE I pC
25
J p ( x W ) 1
T (91)
J p ( x 0) cosh(W LB )
Para W<LB/10, 0.995<T<1, ou seja, 0 ,
1
J p ( x W ) n E DE LB
1 (92)
J E p B DB L E
I C
0 hFE (93)
I B
Nota que 0 e 0 são ligados por
0
0 (94)
1 0
então,
pB DB LE 1 p 1 N 1
hFE B E (95)
1 nE DE LB tanh(W L B ) nE W N B W
Assim podemos ver que um bom transistor com alto fator de amplificação
deve ter W pequeno e dopagem forte no emissor.
percebemos que o ganho de corrente é muito grande e que a corrente aumenta com
VCE. A saturação pouco expressiva em configuração emissor comum é devido a uma
diminuição da largura efetiva de base e um aumento de 0 com VCE e se chama de
efeito Early. A tensão VA onde se encontram as tangentes das curvas é chamada de
tensão de Early.
I I
F R
I I
E C
E II R NI F C
IB
B
IE IF I IR (96)
IC I R N I F (97)
27
qV
I F I F 0 exp EB 1 (98)
kT
qV
I R I R 0 exp CB 1 (99)
kT
qV qV
I E I F 0 exp EB 1 I I R 0 exp CB 1 (100)
kT kT
qV qV
I C N I F 0 exp EB 1 I R 0 exp CB 1 (101)
kT kT
Quatro parâmetros são necessários para o modelo Ebers-Moll de um
transistor: IR0, IF0, N, e I.
5. O capacitor MOS
q m q E g 2
N A ni exp (102)
kT
Além desta condição, supomos que o isolador é perfeito e não contém carga
armazenada. Assim não pode ter fluxo de corrente através do dispositivo e o nível de
Fermi no semicondutor é sempre constante.
qN A ;0 x W
( x) (103)
0;outrosx
A equação de Poisson leva facilmente ao potencial em função de x:
29
2
x
S 1 (104)
W
qN AW 2
onde S
2 S
2 S
W 2B (105)
qN A
V=Vi+S=Vi+2B (106)
onde Vi é a diferença de potencial no óxido dada por
t ox
Vi QS (107)
ox
Como no início da inversão forte QS=qNAWm da equação (105), obtemos a
tensão de limiar VT necessária para entrar no regime de inversão forte.
tox
VT QS 2B (108)
ox
2 S qN A 2B
tox
VT 2B (109)
ox
1
C (110)
1 1
Cox C D
Para uma espessura constante do óxido tox, a capacitância por área Cox é
constante. A capacitância por área CD é dada por
31
QS
CD (111)
S
e depende da polarização V. A característica capacitância-tensão da
estrutura MOS é mostrada na curva (a) da transparência T16. Explicamos a curva
(a) da esquerda para direita, temos o regime de acumulação onde a capacitância
total é perto da capacitância do óxido. Quando a zona de depleção começa se formar,
a capacitância total diminui, passa por um mínimo e volta crescer quando as cargas
de inversão são formadas. Nota que o aumento de capacitância depende da
facilidade dos elétrons de acompanhar o sinal AC aplicado. Isso acontece somente
para baixas frequências (<100 Hz) para quais a geração/recombinação de elétrons
ocorre suficientemente rápido. Para frequências mais altas, a capacitância
permanece baixa, curva (b).
6. Transistor MOSFET
2 S
Wm 2 B V ( y) (112)
qN A
onde V(y) varia de VS para y=0 até VD para y=L. A carga total no
semicondutor passa a ser
ox
QS VG 2B V ( y ) (114)
tox
e a carga livre disponível para conduzir corrente é então,
Qn QS QB (115)
1
dR dy (116)
W n Qn ( y )
A corrente ID é igual para 0<y<L,
33
dV dV
ID Wn Qn ( y) (117)
dR dy
Integrando dos dois lados temos,
L VD
I
0
D dy Wn Qn ( y ) dV
0
(118)
ID
W ox V
n VG 2B D VD
L t ox 2
2
3
32 32
2 S qN A VD 2B 2B
(119)
W ox V
ID n VG VT D VD (120)
L tox 2
Esta característica pode ser vista na transparência T20, onde percebemos
curvas parabólicas para VD pequeno. Quando a parábola atinge um máximo, o
MOSFET entra em saturação e a corrente ID é independente de VD:
n ox VG VT
W 2
I Dsat (121)
L t ox
Neste capítulo determinamos a característica de corrente do transistor
MOSFET com canal tipo n, o NMOS. As características do transistor com canal tipo
p, o PMOS são equivalentes para polarizações inversas.