Energias 5

ISEL
INSTITUTO SUPERIOR DE ENGENHARIA DE LISBOA DEEA Seco de Economia e Gesto
GESTO DE ENERGIA
ENERGIA SOLAR
Cristina Camus Eduardo Eusbio
Maro 2006
INSTITUTO SUPERIOR DE ENGENHARIA DE LISBOA DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELECTROTCNICA E AUTOMAO
GESTO DE ENERGIA
1. INTRODUO
O fsico francs Edmond Becquerel, descreveu a primeira clula fotovoltaica em 1839, que permaneceu como curiosidade cientfica nos 75 anos posteriores. Becquerel descobriu que certos materiais produziam pequenas quantidades de corrente elctrica quando expostos luz. O efeito foi primeiramente estudado em slidos, como o silcio, por Heinrich Hertz, por volta de 1870. Logo aps, clulas de silcio convertiam luz em electricidade, com eficincia variando entre 1 e 2%. Como resultado, o silcio foi adoptado rapidamente no campo emergente da fotografia, para os dispositivos de medio de luz. Os maiores passos para a comercializao das clulas fotovoltaicas foram tomados nos anos 40 e incio da dcada de 50, quando com o processo de Czochralski se desenvolveu silcio altamente puro e cristalino. Em 1954 cientistas da Bell Laboratories, atravs do processo de Czochralski, desenvolveram a primeira clula fotovoltaica de silcio cristalina, com uma eficincia de 4%. Embora tenham sido realizadas algumas tentativas nos anos cinquenta para usar clulas de silcio em produtos comerciais, foi no programa espacial norte-americano que a tecnologia fotovoltaica encontrou a sua principal aplicao. Em 1958, o satlite norteamericano U. S. Vanguard levou uma pequena de clulas fotovoltaicas para gerar energia para o seu rdio-transmissor, o sistema teve grande sucesso que desde ento a tecnologia fotovoltaica faz parte integrante do programa espacial norte-americano. No presente as clulas fotovoltaicas fornecem energia a praticamente todos os satlites de comunicaes, defesa ou pesquisa cientfica.
Fig. 1.1 Clulas fotovoltaicas em satlites
Apesar dos avanos obtidos, os dispositivos fotovoltaicos, ainda em 1970, eram muito caros. No meio da dcada de 70, com a crescente procura de energia e a crise mundial do petrleo, aumentou muito o interesse por este tipo de tecnologia. Desde ento custa de investimentos muito elevados, as clulas fotovoltaicas podem converter 7 a 17% da luz solar por elas recebida em energia elctrica. O custo da energia elctrica de origem fotovoltaica tem assim decrescido nos ltimos anos, estando ainda algo longe de um ponto de rentabilidade razovel.
SECO DE ECONOMIA E GESTO
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As clulas fotovoltaicas so constitudas por materiais semicondutores, normalmente o silcio, ao qual so adicionadas substncias dopantes, por forma a permitir que se verifique o efeito fotovoltaico. Por efeito fotovoltaico entende-se a converso directa da potncia da radiao solar em potncia elctrica em corrente contnua.
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2. APLICAES DOS SISTEMAS FOTOVOLTAICOS

Pequena Potncia (dcimas ou unidades de kW) Relgios, calculadoras, parqumetros, frigorficos mdicos em locais remotos, postos de SOS de autoestradas, etc. Mdia Potncia (dezenas ou centenas de kW) Electrificao rural, abastecimento de cargas domsticas em locais remotos sem rede elctrica, bombagem de guas e irrigao, complemento de abastecimento de locais remotos com ou sem a presena da rede elctrica. Produo descentralizada ligada rede pblica de distribuio de energia. So estas as que mais interessam aos engenheiros electrotcnicos, sistemas fotovoltaicos isolados ou em associao com outros tipos de energias renovveis. Os sistemas ligados rede pblica destinados produo descentralizada de energia, esto ainda longe de serem rentveis, isto quando comparados com as fontes tradicionais de energia ou com as outras energias renovveis. Nas aplicaes de mdia potncia os painis solares podem estar sujeitos a trs tipos de operao diferentes: Sistemas ligados rede, qual entregam toda a energia que lhes possvel produzir. Nesta forma necessrio utilizar um inversor para adequar a ligao entre os painis e a rede pblica (dc/ac). Sistemas isolados, alimentando directamente cargas, neste modo de funcionamento o critrio de dimensionamento a radiao disponvel no ms com menos sol. Tambm neste processo de funcionamento devem existir, baterias de acumulao por forma a garantir o fornecimento de energia quando o recurso no est disponvel. Regulador de carga que efectua a gesto da carga por forma a obter perfis compatveis com a radiao disponvel e capacidade das baterias. Inversor caso existam cargas a alimentar em corrente alternada. Sistemas hbridos, alimentando directamente cargas isoladas em conjunto com outras formas de energia renovvel (elico), podendo tambm existir um grupo diesel para apoio (reserva).
2.1. SITUAO EM PORTUGAL

Em Portugal no ano 2000, a potncia instalada ronda 1 MW, apresentando a seguinte distribuio: 52 % sistemas isolados (rurais)
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20 % servios (telefones SOS, parqumetros, .) 26 % sistemas ligados rede 2% instalaes I & D
A ttulo de exemplo como sistemas ligados rede, apresentam-se: Faro cobertura de um edifcio de servios, ligada rede de distribuio em 1998, com uma potncia de 5 kW. Setbal instalao de 10 kW, propriedade da EDP. Em termos mundiais no final de 2001 existiam cerca de 982 kW de potncia instalada.
2.2. ESTRUTURA DE CUSTOS

So normalmente referidos em /Wp, Watt de pico, potncia de pico valor que corresponde mxima potncia que o painel pode fornecer nas condies de referncia (STC), G=1000 W/m2 e =25 C. No custo acima referido esto includos, os mdulos e respectivas estruturas de suporte, interfaces de ligao constitudas por, baterias, reguladores de carga e inversor. Valores tpicos de investimento: 6 /Wp 10 /Wp sistemas ligados rede sistemas isolados
A repartio dos custos toma normalmente a seguinte composio: 50 % 50 % painis solares interfaces de ligao
Os custos de operao e manuteno so normalmente de 1 ou 2 % do investimento total. Perodo de vida da instalao fotovoltaica normalmente considerado como tendo 20 anos de vida til, com uma taxa de actualizao tpica para este tipo de investimento da ordem dos 7 %. Em Portugal os valores tpicos correspondentes ao nmero de horas de utilizao (ha) da potncia instalada so:
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Zona norte do pas Zona centro do pas Zona sul do pas
1400 h 1500 h 1600 h
Atendendo aos valores de h, indicados como mdios para Portugal absolutamente essencial que os valores de investimento no ultrapassem os 6 /Wp.
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3. CLULA FOTOVOLTAICA
Os materiais capazes de converter a energia contida num foto em tenso e corrente elctricas so os semicondutores. Curiosamente temperatura de 0 K o silcio um isolador perfeito. No existem electres livres para circular pelo material como se verifica nos condutores. Quando a temperatura aumenta alguns electres libertam-se do ncleo e pode haver conduo. Neste caso a condutividade aumenta com a temperatura ao contrrio dos materiais condutores. Nos materiais semi-condutores a energia que um electro deve adquirir para passar da banda de valncia para a banda de conduo para o caso do silcio 1,12 eV (1 eV = 1,6 x 10 -19 J energia que o electro adquire quando lhe aplicada uma tenso de 1V). Assim 1,12 eV a energia que um electro de Si necessita para se libertar das foras electroestticas que o prendem banda de valncia e passar banda de conduo. Ao contrrio da maioria dos outros semi-condutores, o dispositivo fotovoltaico no usa a estrutura dos silcio puro, como nos dodos, por exemplo. Ao invs disso usa uma fina camada de xido transparente. Estes xidos so altamente transparentes e tm alta condutividade elctrica. Camadas anti-reflexo podem ser usadas para cobrir a clula fotovoltaica. Os cristais policristalinos so gros minsculos de material semicondutor. As propriedades do filme policristalino so diferentes das do silcio comum. Este provou estar melhor adaptado criao de um campo elctrico entre dois materiais semicondutores diferentes, a este tipo de interface dado o nome de heterojuno. As clulas policristalinas tm uma estrutura de heterojuno na qual a camada mais externa feita de um material semicondutor diferente da camada interna. A camada externa, normalmente tipo-N, constitui uma janela que permite que toda a luz seja absorvida pela camada tipo-P. A camada policristalina muito fina (da ordem de 0,1 micro). E tem o papel de absorver apenas a energia solar de alto espectro deixando passar uma grande quantidade de fotes com energias da ordem de 2,8 eV ou mais.
Fig. 3.1 Constituio da clula fotovoltaica
Os contactos elctricos so muito importantes para a clula fotovoltaica pois estes permitem a ligao do semicondutor carga externa. O contacto da rea no exposta da
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clula relativamente simples e normalmente consiste numa chapa de alumnio ou metal de molibdnio, o contacto frontal mais complexo. Quando exposta luz solar, a clula fotovoltaica gera corrente elctrica por toda a sua superfcie. Assim, os contactos apenas nas suas extremidades no so suficientes, devido resistncia da parte superior da clula, deste modo, para obter contacto elctrico em toda a superfcie da clula usa-se uma malha de metal, tendo como inconveniente o escurecer das partes activas da clula, reduzindo a sua eficincia de converso. A soluo passa por projectar essa malha de modo que seja o mais fina possvel, que tenha boas propriedades de conduo e que se espalhe por toda a superfcie da clula. Concluindo essa malha deve ter uma espessura suficiente para que exista um bom fluxo de corrente e simultaneamente, deve ser suficientemente fina para no bloquear a passagem da luz solar incidente. A fabricao destas malhas tem um custo elevado, feita depositando-se vapores metlicos numa clula, atravs de uma mscara ou pintada por um mtodo semelhante a uma serigrafia.
Fig. 3.2 Malha condutora de uma clula fotovoltaica
Os condutores transparentes so uma alternativa para os contactos da malha, so formados por um xido transparente como o SnO2. Estes xidos so quase invisveis luz e formam uma boa ponte condutora entre o semicondutor e o circuito externo.
3.1. FUNCIONAMENTO DA CLULA FOTOVOLTAICA

No funcionamento de uma clula fotovoltaica aplicado o princpio da fsica que defende que toda a matria composta por tomos, tomos que por sua vez so compostos por protes carregados positivamente e electres carregados negativamente e neutres. O igual nmero de electres e protes torna o tomo electricamente neutro. O tomo de silcio tem 14 electres, dos quais 4 se situam na banda de valncia podendo ser compartilhados, so estes 4 electres que ao serem partilhados, vo ter um papel determinante na criao do efeito fotovoltaico. Quando os fotes provenientes da radiao solar incidem na clula, os que so absorvidos colidem com os tomos de silcio libertando os seus electres de valncia, que adquirindo energia abandonam a sua posio, originado uma lacuna, que vir mais tarde
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a ser ocupada por outro electro dando-se assim origem a um par electro-lacuna. O electro ter a seguir tendncia para voltar para a sua banda de valncia perdendo a energia adquirida. Para se obter o efeito fotovoltaico necessrio criar um campo elctrico que puxe os electres para um lado e as lacunas para outro e assim haver corrente elctrica. Para criar um campo elctrico no interior de uma clula fotovoltaica, so intercalados dois semicondutores separados tipo P (semi-condutor dopado com uma substncia com 3 electres de valncia na ltima camada electrnica, normalmente o Boro) e tipo N (semicondutor dopado com uma substncia com 5 electres de valncia na ltima camada electrnica, normalmente o Fsforo). Embora ambos os materiais sejam electricamente neutros, o silcio tipo-N tem mais um electro na camada de valncia que o silcio puro e o tipo P, tem menos um electro na camada de valncia que o silcio puro, pelo que da juno de ambos, d-se origem a uma juno P-N associada qual surge um campo elctrico. Deste modo, ao intercalar os dois semicondutores os electres com origem nas impurezas do semicondutor tipo-N flem para o semicondutor tipo P, originando lacunas no primeiro, atravs do fluxo de electres e lacunas, os dois semicondutores comportamse como uma bateria e criam um campo elctrico na juno P-N. este campo elctrico que faz saltar os electres para a superfcie e os disponibiliza ao circuito elctrico exterior (corrente elctrica), no mesmo instante, as lacunas movem-se na direco oposta, ou seja para a superfcie positiva onde as esperam os electres para se recombinarem dando assim origem a um processo contnuo.
p -+ -+ -+ -+ -+ -+ -+ -+ -+ - + - + + + + + + + -
n + + + + + + + + + + +
- + - + - + - + - + - + -+ - + - +
+ +
p -+ -+ -+ -+ -+ -+ -+ -+ -+ - + -
+ + + + + + + + -
n + + + + + + + + + + + p n
id
- + - + -+ - + -+ -
Vd
Fig. 3.3 Movimento dos electres num tomo (juno P-N)
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Quando um foto com mais do que 1,12 eV de energia absorvido por uma clula fotovoltaica um electro passa para a banda de conduo deixando uma lacuna na banda de valncia, criando-se assim o chamado par electro-lacuna. Quando estas cargas moveis atingem a vizinhana da juno, o campo elctrico da regio de contacto empurra as lacunas para o lado p e os electres para o lado n. Os electres do lado n flem atravs da carga at ao lado p onde se recombinam com as lacunas. A conveno para I ao contrrio. f n n p p
Fig. 3.4 Movimento dos electres Efeito fotovoltaico
carga
Podemos assim considerar o circuito equivalente para uma clula fotovoltaica apresentado na fig. 3.5 que consiste numa fonte de corrente em paralelo com um dodo real. Este circuito ir ser estudado em detalhe no captulo 4. I I V
Isc
Id
Fig. 3.5 Circuito equivalente de uma clula fotovoltaica
3.2. RENDIMENTO MXIMO DA CLULA

Os fotes so caracterizados por duas grandezas: - Os seus comprimentos de onda ou frequncias - A sua energia Estas grandezas relacionam-se do seguinte modo c= E=h=hc/
(3.1) (3.2)
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Onde
c = 3 x 108 m/s a velocidade da luz a frequncia em Hz. o comprimento de onda em m E a energia do foto em J h = 6,626 x 10-34 J s a constante de Plank.
Exemplo 3.1 Qual ser o mximo comprimento de onda que deve ter um foto para criar um par electro-lacuna no silcio? Qual a frequncia mnima que lhe corresponde.
hc 6,626 x10 34 ( Js) x3x10 8 (m / s ) = = 1,11x10 6 m E 1,12(eV ) x1,6 x10 19 ( J / eV )
= 1,11 m
= c/ = 2,7 x 10 14 Hz Todos os fotes com > 1,11 m correspondem a energia desperdiada, apenas servem para aquecer a clula. Os fotes com < 1,11 m tm energia a mais para excitar um electro para a banda de conduo e toda a energia a mais do 1,12 eV tambm desperdiada.
E (eV) 3 2 1 Energia perdida Energia perdida 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6
(m)
Fig. 3.6 Relao entre comprimento de onda e energia para o Si
Sabemos que o Sol emite radiao de diferentes comprimentos de onda. Analisando o espectro solar verifica-se que apenas cerca de 49,6% de toda a energia disponvel da radiao solar pode ser convertida em energia elctrica para uma clula de silcio.
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Fig. 3.7 Espectro solar. Fonte: www.vicphysics.org/
Pode-se escolher um material semicondutor com uma banda de energia mais estreita. Se a banda de energia for mais estreita existe um grande nmero de fotes que conseguem excitar os electres para a banda de conduo no entanto grande parte da energia desses fotes perdida. Se a banda de energia for larga s um pequeno nmero de fotes consegue excitar os electres mas a energia dos mesmos j no se perde tanto e leva a maiores tenses. Existe portanto um trade-off na escolha do material semicondutor. Um material com banda de energia estreita origina maior corrente. Um material com banda de energia larga origina maior tenso. Como P = V.I deve-se escolher o material que maximize P. Semicondutor Banda de energia (eV) Comprimento de onda (m) Si 1,12 1,11 GaAs 1,42 0,87 CdTe 1,5 0,83 InP 1,35 0,92
Quadro 3.1 Banda de energia e comprimento de onda para diferentes tipos de material fotovoltaico
Como j foi referido o rendimento terico da clula fotovoltaica afectado pala largura da banda de energia do material semicondutor e atinge valores inferiores a 50%. Este valor ainda mais reduzido devido a factores vrios: Apenas metade a dois teros da tenso da banda de energia da clula se consegue obter aos seus terminais; Alguns electres e lacunas voltam a recombinar-se antes de terem contribudo para a passagem de corrente; Alguns fotes no so absorvidos pela clula ou porque so reflectidos ou porque passam atravs dela; A resistncia interna da clula tambm dissipa alguma potncia.
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3.3.
PRINCIPAIS TIPOS DE CLULAS FOTOVOLTAICAS
As clulas mono-cristalinas representam a primeira gerao. O seu rendimento elctrico relativamente elevado (aproximadamente 16%, podendo subir at cerca de 23% em laboratrio), mas as tcnicas utilizadas na sua produo so mais complexas e consequentemente mais caras. Por outro lado, necessria uma grande quantidade de energia para o seu fabrico, devido exigncia de utilizar materiais em estado muito puro e com uma estrutura de cristal perfeita.
Fig. 3.8 Painel fotovoltaico de clulas mono-cristalinas
As clulas poli-cristalinas tm um custo de produo inferior por necessitarem de menos energia no seu fabrico, mas apresentam um rendimento elctrico inferior (entre 11 e 13%, obtendo-se at 18% em laboratrio). Esta reduo de rendimento causada pela imperfeio do cristal, devido ao seu sistema de fabrico.
Fig. 3.9 Painel fotovoltaico de clulas poli-cristalinas
As clulas de silcio amorfo so as que apresentam o custo mais reduzido, mas em contrapartida o seu rendimento elctrico tambm o mais reduzido (aproximadamente 8 a 10%, ou 13% em laboratrio). As clulas de silcio amorfo so pelculas muito finas, o que permite serem utilizadas como material de construo, tirando ainda o proveito energtico.
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Fig. 3.10 Painel fotovoltaico de clulas de silcio amorfo
No quadro seguinte representa-se o rendimento elctrico tpico dos diferentes tipos de clulas fotovoltaicas, este rendimento traduz a converso da energia proveniente dos fotes em energia elctrica, que vo gerar uma corrente elctrica que vai alimentar os circuitos exteriores.
Clulas Solares Mono-cristalinas Poli-cristalinas Silcio amorfo
Rendimento tpico (%) 12 15 11 14 6-7
Mximo registado em aplicaes (%) 22,7 15,3 10,2
Mximo registado em laboratrio (%) 24,0 18,6 12,7
Quadro 3.2 Rendimento elctrico dos vrios tipos de clulas fotovoltaicas (fonte BP Solar)
Na rea dos novos materiais, os desenvolvimentos so constantes. O silcio, material cuja utilizao era consensual, comea cada vez mais a ser substitudo. Uma das razes desta substituio o custo da sua transformao, tarefa suja e tecnologicamente complexa. Alm disso, a sua performance degrada-se consideravelmente com a idade. H tambm quem continue a investir no silcio, embora utilizando tcnicas de transformao mais baratas. Mas o futuro passa pela descoberta de novos materiais, mais baratos e eficientes. Prova disso o facto de todos os grandes fabricantes de clulas fotovoltaicas terem j abandonado o silcio e entrado no negcio dos novos materiais. Os materiais mais promissores so o Disselnio de ndio e Cobre e o Telridio de Cadmium. A BP, lder mundial no fabrico de clulas fotovoltaicas optou pelo Telridio de Cadmium, que, embora no seja o material mais promissor, bastante mais fcil de utilizar e tem menos problemas associados. Esta tecnologia foi desenvolvida na Universidade da Califrnia do Sul. Existem tambm em desenvolvimento clulas com mltiplas junes sendo cada tipo para capturar diferentes comprimentos de onda do espectro solar. Os fotes mais energticos
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so capturados pelas camadas do topo e os restantes passam para a camada seguinte sendo capturados pela prxima juno e assim sucessivamente, capturando cada juno os fotes mais energticos que consegue deixando os restantes para a camada seguinte.
3.4.
CARACTERIZAO DA LOCALIZAO DE UM EMPREENDIMENTO SOLAR
Na escolha de um local para a instalao de um empreendimento de energia solar temos que maximizar o rendimento obtido pela clula fotovoltaica. Rendimento esse que depende essencialmente da radiao e da temperatura da clula, como tal, devemse conhecer os nveis de radiao solar tpicos da regio onde se pretende implementar o empreendimento. A capacidade de produo dos mdulos varia com a radiao solar sendo um factor eliminatrio na seleco do local da instalao da central. Na figura 4.7 apresenta-se a quantidade total de radiao, assim como a insolao (valores mdios anuais no nosso pas (fonte, Instituto do Ambiente).
Fig. 3.11 Mapa da radiao e insolao solar global em Portugal continental (fonte Instituto do Ambiente).
A radiao de um local medida com um aparelho denominado de piranmetro
Fig. 3.12 Piranmetro

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3.5.
COLOCAO DOS PAINIS SOLARES
3.5.1. INCLINAO SOLAR Devido inclinao do eixo da terra, o sol no atinge a terra sempre com a mesma inclinao para a mesma hora do dia.
Solestcio de 21 de Jun. Equincio de 21 de Mar. 152 Mkm 147 Mkm Equincio de 21 de Set.
Solestcio de 21 de Dez.
Fig. 3.13 Posio da Terra relativamente ao Sol ao longo do ano
O ngulo formado entre o plano do equador e uma linha que parte do centro do sol at ao centro da terra chamado ngulo de inclinao solar e calcula-se da seguinte maneira:
= 23.45 sen
360 (n 81) 365
n= 1, 2, . . . , 365
(3.3)
21 de Jun N 23,45
21 de Mar 21 de Set
-23,45 21 de Dez Fig. 3.14 ngulo de inclinao solar
Este conhecimento d-nos uma noo de qual a melhor inclinao para colocar um painel solar com o objectivo de maximizar a radiao solar por ele atingida. Normalmente este coloca-se com uma inclinao igual da latitude do local.
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L L=Latitude Fig. 3.15 Colocao de um painel segundo a latitude do local
No hemisfrio Norte significa que os painis so colocados virados para sul. Se quisermos aproveitar mais radiao no Inverno devemos coloc-lo com uma inclinao maior do que L e no Vero com uma inclinao inferior a L. 3.5.2. POSIO SOLAR A QUALQUER HORA DO DIA A localizao do sol a qualquer hora do dia pode ser descrita em termos do ngulo de altitude e o ngulo do seu azimute s (o ndice s significa relativo ao sol), que o ngulo compreendido entre a projeco do Sol sobre o plano do horizonte e a mesma projeco ao meio dia local.
s>0
s s<0 W
Fig. 3.16 Posio do Sol segundo os ngulos de altura e azimute
As seguintes equaes permitem-nos calcular os ngulos de altitude e azimute s.
sen = cos L cos cos H + sen L sen
(3.4)
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sen S =
cos sen H cos
(3.5)
Onde H o chamado ngulo horrio. Este ngulo representa o nmero de graus que a terra tem de girar at chegar ao meio-dia do seu meridiano local. H= 15 x nmero de horas que faltam at ao meio dia solar
15/h
Meridiano local H
Fig. 3.17 ngulo horrio
Exemplo 3.2 Calcule os ngulos e s em Lisboa (Latitude 38 ) no solestcio de Junho s 15:00. n = 172
= 23,45 sen ( 360 / 265 ( n-81) ) = 23.45

H = 15 x ( - 3 ) = - 45 sen = cos L cos cos H + sen L sen = 0.7562 sen s = cos sen H / cos = -0,991
= 49,13 s = -82,5
3.5.3. RADIAO INCIDENTE A radiao disponvel superfcie terrestre divide-se em trs componentes: Directa: A que vem directamente desde o disco solar Difusa: A proveniente de todo o cu excepto o disco solar (nuvens) Reflectida: A proveniente da reflexo no cho e dos objectos circundantes.
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Se tivermos painis regulveis a radiao que os atinge ser sempre a directa e a difusa. No caso de termos painis fixos em determinada direco teremos tambm algumas vezes radiao reflectida. A radiao solar que chega terra depende, como j vimos, do dia do ano em que nos encontramos. Uma expresso usada a seguinte: I0 = SC [ 1 + 0,034 cos (360 n / 365 ) ] Onde SC = 1,353 kW/m2 a constante solar Ao passarem na atmosfera os raios solares so em grande parte absorvidos de modo que menos de metade da radiao que chega atmosfera atinge a superfcie da Terra. A seguinte expresso d a radiao incidente num plano normal ao dos raios incidentes: IB = A e-km
B
W/m2
(3.6)
(3.7)
Onde A = 1160 + 75 sen [ 360 / 365 (n-275) ] k = 0,174 + 0,035 sen [ 360 / 365 (n-100) ] m = 1/ sen
W/m2
(3.8) (3.9) (3.10)
Exemplo 3.3 Calcule a radiao incidente em Lisboa ao meio dia Solar (latitude 38) no dia 21 de Maio. n = 141
= 90 - L +
=20,1
W/m2
= 72,1
A = 1160 + 75 sen [ 360 / 365 (n-275) ] = 1104 m = 1/ sen = 1,051 IB = A e-km = 897,5
B
k = 0,174 + 0,035 sen [ 360 / 365 (n-100) ] = 0,197 W/m2
3.5.3.1. RADIAO DIRECTA Como vimos, quando o cu est limpo relativamente fcil calcular a radiao directa que atinge um painel superfcie terrestre colocado perpendicularmente direco dos raios solares. Se o painel no estiver colocado perpendicularmente direco dos raios incidentes a radiao funo do ngulo de incidncia .
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Fig. 3.18 ngulo de incidncia da radiao solar sobre um painel
IBC = IB cos
(3.11)
O ngulo de incidncia funo da orientao do painel e dos ngulos de altura e azimute solar e S. N
S
S
Fig. 3.19 Determinao do ngulo de incidncia da radiao solar sobre um painel
cos = cos cos (S - C) sen + sen cos
(3.12)
Exemplo 3.4 Calcular a radiao directa incidente num painel colocado em Lisboa a 21 de Maio ao meio dia solar considerando a cu limpo e radiao incidente 897, 5 W/m2 (exemplo 4). O painel est colocado com um ngulo de elevao de = 52 e dirigido C=20 sudeste. ngulo de incidncia n = 141 L = 38 = 23,45 sen ( 360 / 265 ( n-81) ) = 20,1 sen = cos L cos cos H + sen L sen = 0.7562 sen s = cos sen H / cos = -0,991 cos = cos cos (S - C) sen + sen cos =0,813454 Radiao directa IBC = IB cos = 730 W/m2
= 72,1 s = 0 = 35,6
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3.5.3.2. RADIAO DIFUSA A radiao difusa muito mais difcil de estimar. Os modelos usados para a determinar consideram que esta depende da radiao directa. Considerando C o factor de difuso a radiao difusa pode ser calculada pela formula: IDH = C IB C = 0,095 + 0,04 sen [ 360 / 365 (n 100) ] (3.13) (3.14)
O que interessa de facto saber quanto desta radiao difusa atinge o painel. A expresso seguinte calcula esse valor para um painel colocado a um ngulo de altura .
IDC = C IB (1+cos )/2
B
(3.15)
3.5.3.3. RADIAO REFLECTIDA Existem vrios modelos para calcular a radiao reflectida. O modelo mais simples considera a existncia de uma rea horizontal com um ndice de refleco onde se encontra colocado o painel. A radiao reflectida incidente num painel colocado a um ngulo de altura .
IRC = ( IBH + IDH ) ( 1 cos ) / 2 IRC = IB ( sen + C ) ( 1 cos ) / 2
B
(3.16) (3.17)
Quando o painel est na horizontal = 0 e portanto IRC = 0 3.5.4. PAINIS ORIENTADOS As expresses acima indicadas aplicam-se quando os painis esto fixos numa mesma posio durante todo o ano. No entanto, para se poder aproveitar melhor a radiao solar podem-se colocar painis que se orientem no sentido de receber os raios solares sempre na perpendicular. A orientao dos painis pode ser feita segundo dois eixos ou apenas um. A orientao segundo dois eixos faz um maior aproveitamento da radiao conduzindo obviamente a uma maior produo de energia elctrica mas torna o sistema muito mais caro e com maiores custos de manuteno.
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E-W N-S
IBC = IB
= 90
Fig. 3.20 Painel orientvel segundo dois eixos
As expresses para as radiaes directa, difusa e reflectida sero: IBC = IB IDC = C IB (1+cos(90- )/2 IRC = IB ( sen + C ) ( 1 cos(90 - ) / 2 (3.18) (3.19) (3.20)
A orientao segundo um eixo mais simples, e feita no sentido E-W . E-W
=L
Fig. 3.21 Painel orientvel segundo um eixo
As expresses para as radiaes directa, difusa e reflectida sero: IBC = IB cos IDC = C IB (1+cos(90- +) )/2 IRC = IB ( sen + C ) ( 1 cos(90 - +) ) / 2 (3.21) (3.22) (3.23)
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GESTO DE ENERGIA
Para alm das condies, meteorolgicas atrs referidas, os mdulos devero estar suficientemente afastados de qualquer objecto que projecte sombra sobre eles no perodo de melhor radiao (habitualmente das 9 s 17 horas) no dia mais curto do ano. A eq. 3.24 permite calcular a distncia mnima (em metros) a que um objecto poder estar dos mdulos por forma a de que no projecte sombra sobre os mesmos durante o Inverno, trs horas antes e trs horas depois do meio dia solar.
Fig. 3.22 Factor de espaamento.
Com base na latitude do lugar da instalao obtm-se da fig. 3.20, o factor de espaamento. Assim, a distncia mnima a que poder estar localizado um objecto ser:
Distncia = Fe ( H 0 H m )
em que:
( m)
(3.24)
Fe factor de espaamento obtido da fig. 3.20; H0 altura do objecto; Hm altura em relao ao nvel do solo em que se encontram instalados os mdulos;
Fig. 3.23 - Esquema de colocao dos painis.

GESTO DE ENERGIA
A orientao ptima de um painel fixo no obvia. Na prtica recomenda-se que sejam orientados de modo a que a sua parte frontal fique virada para o Sul geogrfico (ou Norte, quando no hemisfrio Sul). Quando o Sol alcanar o ponto mais alto da sua trajectria (meio dia), a sua posio coincide com o Sul geogrfico. Para conseguir um melhor aproveitamento da radiao solar incidente, os mdulos devero estar inclinados em relao ao plano horizontal num ngulo que variar com a latitude do local da instalao. recomendada a adopo dos seguintes ngulos de inclinao:
ngulo de inclinao dos painis Inverno Vero Latitude do local + 15 Latitude do local - 15
Quadro 3.3 ngulo de inclinao dos painis.
Este o ngulo de inclinao que geralmente maximiza a radiao solar no plano em que os painis fotovoltaicos se encontram instalados em funo da estao do ano. Geralmente os painis so instalados segundo a inclinao de Vero, dado ser o Vero a estao do ano que melhor rentabiliza a instalao fotovoltaica devido ao maior nmero de horas de exposio solar e fraca ocorrncia de nuvens.
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GESTO DE ENERGIA
4. MODELO MATEMTICO
A clula fotoelctrica pode ser esquematizada atravs de um modelo matemtico que a descreve como um circuito elctrico equivalente.
4.1.
MODELO SIMPLIFICADO
O circuito elctrico equivalente pretende simbolizar a clula fotovoltaica como um dodo de trs parmetros, que alimenta carga. O modelo representado na figura 4.1 esquematiza a clula fotovoltaica. A fonte de corrente Is, representa a corrente gerada pelo feixe de radiao luminosa constituda por fotes, esta corrente elctrica unidireccional constante para uma dada radiao incidente. A corrente ID, representa a troca de electres na juno P-N que pode ser representada por um dodo, devido a ser uma corrente interna unidireccional, que depende da tenso V aos terminais da clula.
Fig. 4.1 - Esquema equivalente clula fotovoltaica
A corrente no dodo, Id traduzida pela expresso:

I d = I 0 (e
V mVT
1)
( A)
(4.1)
Id Corrente unidireccional I0 Corrente inversa mxima de saturao do dodo V Tenso aos terminais da clula m factor de idealidade do dodo (dodo ideal m=1, dodo real m>1) O potencial trmico, VT
VT =
KT q
(V )
(4.2)
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GESTO DE ENERGIA
K constante de Boltzman (1,38 x 10-23 J/K) T temperatura absoluta da clula em Kelvin (0 C = 273,16 K) q carga elctrica do electro (1,6 x 10-19 C) A corrente que se fecha pela carga Z, :
I = Is Id
( A)
(4.3)
I = I s I 0 (e
V mVT
1)
( A)
(4.4)
4.1.1. ESTUDO DE PONTOS DE FUNCIONAMENTO Existem dois pontos de funcionamento da clula fotovoltaica.
Curto-circuito exterior V=0 Id = 0 I = Is = Icc (4.5)
A corrente de curto-circuito, Icc, o valor mximo da corrente de carga, igual corrente gerada por efeito fotovoltaico. O seu valor caracterstico da clula, sendo um dado fornecido pelo fabricante para as condies,STC,- Standard Temperature Conditions. As condies STC a considerar so radiao incidente de 1000 W/m2 e temperatura da clula 25C.
Circuito aberto V = Vca I=0

0 = I s I 0 (e
V
V mVT
1)
Is = (e mVT 1) I0
(4.6)
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GESTO DE ENERGIA
I V ln s + 1 = ca I 0 mVT I Vca = mVT ln s + 1 I0
(V )
(4.7)
A tenso em vazio Vca o maior valor que a tenso toma aos terminais da clula, o seu valor caracterstico da clula e fornecido pelo fabricante para condies standard de radiao e temperatura.
4.1.2.
POTNCIA ELCTRICA, RENDIMENTO E FACTOR DE FORMA
V mVT P = V I = V I cc I 0 (e 1)
(4.8)
A potncia mxima obtm-se para dP/dV = 0, ento igualando a zero e derivando a expresso temos:
V dP V I cc I 0 (e mVT 1) = 0 dV V V mV mV mVT T I cc I 0 e 1 + V I 0 e T = 0 2 ( mVT )
(4.9)
(4.10)
V V V mVT mVT Icc + I 0 1 e + e mVT
=0
(4.11)
A soluo da equao acima indicada, estando na forma implcita em V, s pode ser obtida recorrendo ao uso de mtodos iterativos por exemplo, Newton-Raphson. O ponto de potncia mxima, corresponde a:
Pmax = Vmax I max
(W )
(4.12)
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GESTO DE ENERGIA
Se tivermos em conta a expresso 4.11, teremos que V = Vmax e Imax. Nas condies de referncia teremos: V = Vrmax ; I = Irmax e P = Prmax
Sendo os valores de Vrca ; Ircc e Prmax caractersticos da clula e sempre fornecidos pelo fabricante, normalmente a maioria dos fabricantes tambm fornece os valores de Vrmax e Irmax . De acordo com o exposto o rendimento da clula fotovoltaica, ser:
r Pmax = A Gr r
(4.13)
Prmax Potncia mxima (W) Gr Radiao incidente (W/m2) A rea da clula (m2) Para outro ponto de funcionamento da clula teremos:
Pmax A G
(4.14)
Factor de Forma da clula fotovoltaica:
FF =
r Pmax r r Vca I cc
(4.15)
Para clulas do mesmo tipo os valores de Vrca e Ircc so praticamente constantes, mas a forma da curva I V pode variar consideravelmente. Os painis em uso comercial apresentam factores de forma que variam entre 0,7 e 0,85.
4.1.3. APLICAO DO MODELO Na situao mais comum os fabricantes de clulas fotovoltaicas fornecem os valores de Vrca, Ircc e Prmax , nestas condies podemos definir o factor de idealidade do dodo, m e a corrente inversa de saturao Ir0.
V
I = I s I (e
r 0
mVTr
1)
(4.16) (4.17)
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em curto-circuito
r I = I s = I cc
GESTO DE ENERGIA
em circuito aberto
I 0r =
r I cc
r Vca
(4.18)
(e mVT 1)
r
Se utilizarmos as expresses indicadas e substituirmos na corrente I, que percorre a carga do modelo, tem-se que:
I =I
r cc
r I cc
r Vca
(e
1)
mVTr
1)
(4.20)
(e
mVTr
V r (e mVT 1) r I = I cc 1 V r ca mVTr 1) (e
(4.21)
Se considerarmos que os termos:

V
r Vca
mVTr
>> 1
e mVT >> 1
r
Teremos:
V mVTr e r I = I cc 1 V r ca r e mVT V Vca r 1 e mVT I =I
r
(4.22)
r cc
(4.23)
Pela expresso acima indicada podemos observar que, m, factor de idealidade , constitui um parmetro de ajuste da curva caracterstica corrente-tenso. No caso de dispormos dos valores de Vrmax e Irmax, fornecidos pelos fabricantes das clulas, podemos considerar, trs pontos de funcionamento do circuito, circuito aberto, curto-circuito e potncia mxima, todos nas condies de referncia STC.
r Vca
0 = I sr I 0r (e mVT 1)
r
em circuito aberto em curto circuito
r I sr = I cc r r I max = I sr I 0 (e
r Vmax mVTr
1)
ponto de potncia mxima

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GESTO DE ENERGIA
Se na expresso de Irmax substituirmos o valor de Irs de Ir0, obtidos atravs dos pontos de funcionamento em circuito aberto e em curto-circuito, temos:
Vmax Vca r r = I cc 1 e mVT
r r
r I max
(4.24)
onde podemos observar, o valor do factor de idealidade explicitando-o na expresso acima indicada.
m=
r r Vmax Vca Ir VTr ln 1 max r I cc
(4.25)
Assim obtido o valor do factor de idealidade do dodo, podemos obter o valor da corrente inversa de saturao, nas condies de referncia atravs das equaes correspondentes aos pontos de circuito aberto e curto-circuito.
I 0r = (e
r I cc
r Vca
( A) 1)
(4.26)
mVTr
Problema 1 Considere a clula fotovoltaica, que equipa o mdulo BP 585U, o qual em condies STC, apresenta as caractersticas abaixo indicadas:
Potncia mxima (Pmax) Prmax = 2,36 W Tenso potncia mxima (Vmp) Vrmax = 0,5 V Corrente potncia mxima (Imp) Irmax = 4,72 A Corrente de curto-circuito (Isc) Ircc = 5,0 A Tenso de circuito aberto (Voc) Vrca = 0,614 V Dimenses (comp. x larg.) = 125 x 125 mm
Pretende-se calcular as grandezas caractersticas do mdulo: a) b) c) d) Rendimento mximo e o factor de forma Os parmetros caractersticos, m, I0 e Is, em condies STC. Trace as caractersticas I V e P V do mdulo fotovoltaico Determine os valores mximos de tenso, corrente e potncia do mdulo.
Resoluo a) A rea do mdulo, rendimento e o factor de forma

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GESTO DE ENERGIA
A = c l = 125 125 = 15625mm 2 = 0, 015625m 2

r Pmax 2,36 = = = 0,15104 = 15,1% r 0, 015625 1000 A G r
FF =
r Pmax 2,36 = = 0, 769 r r Vca I cc 0, 614 5, 0
b)
Factor de idealidade do dodo, corrente inversa de saturao e corrente na carga. Em condies STC.
m=
r r Vmax Vca r I max r VT ln 1 r I cc
, temos de calcular VrT, em condies STC
KT 1,38 1023 (273,16 + 25) VT = = = 25, 716 103 (V ) 19 q 1, 6 10

0,5 0, 614 = 1,53797 4, 72 3 25, 716 10 ln 1 5, 0
m=
corrente inversa de saturao,Ir0, Tira-se da equao 4.26
I 0r = 9,0522 10 7
corrente na carga, Is
r I s = I cc = 5, 0 ( A)
( A)
c) Caracterticas I V e P V Da equao 4.4, em condies STC, teremos:
1,5380V,025716 1 ( A) I = 5,0 9,0522 10 e

7
A Fig. 4.2 apresenta a caracterstica tenso/corrente da clula

GESTO DE ENERGIA
CURVA TENSO-CORRENTE
6 5 Corrente (A) 4 3 2 1 0 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 Tenso (V)
Fig. 4.2 Caracterstica tenso-corrente da clula
Sendo P=IxV. Determina-se a caracterstica Tenso/Potncia da clula representada na Fig.4.3.
CURVA TENSO-POTNCIA
2,5 2 Potncia (W) 1,5 1 0,5 0 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 Tenso (V)
Fig. 4.3 Caracterstica tenso potncia da clula
d) Valores mximos de tenso, corrente e potncia De acordo com a expresso 4.11, tem-se, nas condies de referncia:
Vmax r Vmax 5,0 + 9,0522 10 1 + e 1,5380, 025716 1 = 0 1,538 0,025716
r
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GESTO DE ENERGIA
Utilizando o mtodo Newton-Raphson e considerando para Vrmax o valor de arranque de 0,6 (V)
r Vmax = 0,51 (V )
Corrente Irmax =4,64 (A) Potncia mxima da clula, Prmax=2,366 (W)

P
4.2. MODELO SIMPLIFICADO DE DUAS RESISTNCIAS

Na fig. 4.4 est representado o modelo da clula fotovoltaica , com duas resistncias Rs e Rp, que representam a resistncia do circuito at aos contactos exteriores, responsvel pela queda de tenso no interior da clula e a resistncia de fugas do circuito, respectivamente.
Fig. 4.4 - Esquema equivalente clula fotovoltaica, modelo de duas resistncias
De forma semelhante apresentada no modelo simplificado tem-se para a Corrente I que percorre a carga:
V Rp = I s I 0 (e mVT 1) ( A) R p + Rs + Z R p + Rs + Z
I = ( Is ID )
Rp
(4.27)
4.3. MODELO DE DOIS DODOS

Trata-se de um modelo mais completo para eleborar o estudo da clula fotovoltaica, este modelo apresenta como resultado, valores correctos para o estudo da clula, dos 3 apresentados o mais fivel. Embora faa parte da gama de modelos que no incluem a correco do ngulo de incidncia solar.
GESTO DE ENERGIA
Apresenta como desvantagem o facto de no permitir o dimensionamento de uma instalao apenas com os dados fornecidos pelos fabricantes nos catlogos de painis solares.
Fig. 4.5 - Esquema equivalente clula fotovoltaica, modelo de dois dodos
A corrente na carga obtida atravs da expresso:

IR IR Vm+V s Vm+V s V + IRs 1 T 2 T I = I s I 01 e ( A) 1 I 02 e 1 Rp
(4.28)
4.4. INFLUNCIA DA TEMPERATURA E DA RADIAO INCIDENTE

A radiao solar e a temperatura da clula so factores que influenciam de forma determinante o funcionamento da clula fotovoltaica, apresenta-se de seguida a forma como as grandezas caractersticas da clula fotovoltaica so afectadas pela temperatura e radiao (G e ). De forma sucinta podemos afirmar que os painis solares aumentam a sua eficincia com o aumento da radiao solar e vice-versa no caso da temperatura. 4.4.1.
TEMPERATURA DA CLULA
Com o aumento da temperatura da clula, a:
A potncia de sada da clula decresce. A tenso em vazio, Vca, decresce. A corrente de curto-circuito, Icc, varia muito pouco (desprezvel). A corrente inversa de saturao, I0, varia.
O efeito da diminuio da tenso de circuito aberto, Vca, da clula pode ser observado na fig. 4.6, constata-se tambm um ligeiro aumento da corrente de curto-circuito, Icc, que como j referimos pode ser desprezado.
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GESTO DE ENERGIA
Fig. 4.6 Variao da tenso com a temperatura da clula
4.4.2.
RADIAO INCIDENTE
Com o aumento da radiao solar incidente, na clula, a:
A potncia de sada da clula aumenta. A tenso em vazio, Vca, varia muito pouco (desprezvel). A corrente de curto-circuito, Icc, varia linearmente. A corrente inversa de saturao, I0, varia.
Observa-se na fig. 4.7, a influncia da radiao incidente no valor da corrente
Fig. 4.7 Variao da corrente com a radiao solar
PGINA 35 DE 52
GESTO DE ENERGIA
4.5. CORRENTE INVERSA MXIMA DE SATURAO

A corrente inversa de saturao pode ser calculada, tendo em conta as propriedades do material de que a clula fabricada, por exemplo o silcio.
I 0 = DT e
3
m 'VT
( A)
(4.29)
onde: I0 corrente inversa mxima de saturao do dodo D constante hiato do silcio (1,12 eV) m factor de idealidade equivalente
m' =
m NSM
(4.30)
m factor de idealidade NSM n de clulas ligadas em srie T temperatura da clula em (K) VT potencial trmico em (V)
A corrente inversa de saturao, em quaisquer condies de funcinamento, pode ser obtida custa da corrente inversa de saturao em condies STC.
m 'VTr
I = DT e
r 0 r3
( A)
(4.31)
Realizando o quociente entre as expresses apresentadas, obtemos para a corrente inversa de saturao, a expresso
T m ' r V I 0 = I r e VT T ( A) T r 0
(4.32)
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GESTO DE ENERGIA
4.6. VARIAO DA CORRENTE DE CURTO-CIRCUITO

A corrente de curto-circuito da clula fotovoltaica, no varia praticamente com a temperatura da clula, apresentando uma variao linear com a radiao solar incidente.
r G I cc = I cc r ( A) G
(4.33)
Problema 2 Considere a clula fotovoltaica indicada no problema 1, com uma rea de 100 cm2 e uma potncia de pico de 1,4 Wp. Trace as curvas I-V parametrizadas em funo de: a) Temperatura da clula (25, 50 e 75 C), considerando a radiao constante e igual radiao de referncia Gr = 1000 W/m2. b) Radiao incidente (1000, 700, 450, 300 e 100 W/m2), considerando a temperatura de referncia r = 25 C. Resoluo a) Vamos conforme j referido admitir que a corrente de curto circuito, Icc, se mantm constante. Das expresses 4.2, 4.32 e 4.4, para = 25C, =50 C e =75C temos o seguinte quadro com o resumo dos valores calculados: (Nota: como nos estamos a referir a uma clula m = m)
Temperatura VT I0 25 0,0257163 50 0,02787255 75 0,0300288
9,05221E-07 1,03059E-05 8,41313E-05
Quadro 4.1 Variao de VT e I0 com a temperatura
No grfico apresentado na fig. 4.8 so apresentadas em simultneo as curvas I-V, para os trs nveis de temperatura pretendidos (25, 50 e 75 C).
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GESTO DE ENERGIA
CURVAS TENSO-CORRENTE
6 5 Corrente (A) 4 3 2 1 0 0 0,2 0,4 Tenso (V) 0,6 0,8 25C 50C 75C
Fig. 4.8 Variao da tenso com a temperatura da clula =25, 50 e 75 C
b)
A corrente de curto-circuito varia linearmente com a radiao incidente, pela anlise da expresso, nas condies de temperatura constante 25 C, VrT e Ir0, so constantes s o valor de Icc vai variar, por exemplo para a radiao incidente de 300 W/m2 300 r G I cc = I cc r = 5 = 1,5 ( A) G 1000
Onde a expresso que permite traar as curvas, I-V, toma a forma:

V 1,5380,025716 e I = I cc 9,0522 10 1 ( A) 7
CURVAS TENSO-CORRENTE
6 5 Corrente (A) 4 3 2 1 0 0 0,2 0,4 Tenso (V) 0,6 0,8 1000 750 450 300 100
Fig. 4.9 Variao da corrente com a radiao incidente

GESTO DE ENERGIA
Problema 3 Continuando com os dados do problema 2, para cada uma das condies de temperatura e radiao estudadas, obtenha o respectivo valor de potncia mxima. a) Variao da potncia mxima com a temperatura da clula mantendo-se a radiao de referncia de 1000 W/m2.
r I cc = 5 ( A) , no varia com a temperatura
Em primeiro lugar vamos obter o valor de Vmax, o qual como j vimos s pode ser obtido por recurso a mtodos iterativos a partir da equao 4.11. O valor de Imax obtm-se pela expresso 4.4 e Pmax pela expresso 4.8.
G=1000 25 50 75 Vt (V) 2,5716E-02 2,7873E-02 3,0029E-02 Io(A) 9,05221E-07 1,03059E-05 8,41313E-05 Icc (A) 5 5 5 Vmax (V) 0,510 0,456 0,403 Imax (A) 4,640 4,570 4,486 Pmax (W) 2,366 2,084 1,806
Quadro 4.2 Variao da potncia mxima da clula com a temperatura
Na fig.4.10 observamos percentualmente o decrscimo da potncia da clula fotoelctrica com o aumento da temperatura da clula.
VARIAO POTNCIA/TEMPERATURA
120 25 C 100 50 C 75 C
P/Pmax (%)
80 60 40 20 0
Temperatura ( C)
Fig. 4.10 Variao da potncia com a temperatura
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GESTO DE ENERGIA
b) Variao da potncia mxima com a radiao incidente para a temperatura de referncia de 25 C. O resumo dos valores calculados esto no quadro seguinte:
=25C 1000 750 450 300 100
Vt (V) 2,5716E-02 2,5716E-02 2,5716E-02 2,5716E-02 2,5716E-02
Io(A) 9,05221E-07 9,05221E-07 9,05221E-07 9,05221E-07 9,05221E-07
Icc (A) 5 3,75 2,25 1,5 0,5
Vmax (V) 0,510 0,499 0,481 0,466 0,425
Imax (A) 4,640 3,475 2,079 1,383 0,457
Pmax (W) 2,366 1,735 0,999 0,644 0,195
Quadro 4.3 Variao da potncia mxima da clula com a radiao
Verifica-se no grfico seguinte que a potncia mxima diminui acentuadamente quando a radiao solar incidente baixa; A diminuio da potncia mxima com o aumento de temperatura no to acentuada.
VARIAO POTNCIA/RADIAO
120 1000 100 750
P/Pmax (%)
80 60 40 20 0
450 300 100
Radiao (W/m2)
Fig. 4.11 Variao da potncia com a radiao incidente
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GESTO DE ENERGIA
5. SISTEMAS FOTOVOLTAICOS
5.1. MDULOS E PAINEIS
A potncia mxima de uma clula no excede os 2W, o que insuficiente para a maioria das aplicaes. Assim, as clulas tm de ser agrupadas em srie e em paralelo formando mdulos. O nmero de clulas de um mdulo determinado pelas necessidades de tenso e corrente da carga a alimentar. Os mdulos podem tambm ser associados em srie e em paralelo para obter mais potncia, formando painis.
Fig. 5.1 Clulas, mdulos e painis
Os modelos dos mdulos fotovoltaicos so idnticos ao apresentado para a caracterizao de uma clula. Os parmetros do mdulo podem resumir-se assim: i) Parmetros constantes
m=
r r Vmax Vca r I max r VT ln 1 r I cc
(5.1)
ii)
Parmetros que dependem da radiao

r G I cc = I cc r ( A) G Parmetros que dependem da temperatura
(5.2)
iii)
T m ' V r V I 0 = I r e T T ( A) T r 0
(5.3)
iv)
Tenso mxima
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GESTO DE ENERGIA
e
v) Corrente mxima
Vmax mVT
Vmax 1 + mV T
I 1 cc = 0 I0
(5.4)
I max
Vmax = I cc I 0 e mVT 1 ( A)
(5.5)
vi)
Potncia mxima
Pmax = Vmax I max
(W )
(5.6)
Problema 4 Considere o mdulo fotovoltaico BP-585, com as seguintes caractersticas constantes do catlogo: Potncia mxima Tenso mxima Corrente mxima Corrente de curto circuito Tenso de circuito aberto Temperatura normal de funcionamento mero de clulas em srie Comprimento Largura Pmax Vmax Imax Icc Vca NOCT NSM C L 85W 18V 4,72A 5A 22,1V 45C 36 1,204 m 0,537 m
Quadro 5.1 Caractersticas do mdulo fotovoltaico BP-585
Calcule os parmetros caractersticos m, I0 e Is, o factor de idealidade equivalente m, o rendimento mximo e o factor de forma. Soluo: semelhana do problema 1 excepto porque se trata agora de um mdulo de 85W em vez de uma clula. O quadro 5.2. resume os resultados numricos obtidos. Factor de idealidade Factor de idealidade equivalente Corrente de curto circuito Corrente inversa de Saturao Rendimento mximo Factor de Forma m m Icc I0 r FF
55,312 1,536 5 (A) 8,9413E-07 (A) 13,15% 76,92%
Quadro 5.2 Parmetros do mdulo fotovoltaico BP-585
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GESTO DE ENERGIA
Problema 5 Considere o mdulo fotovoltaico BP-585 do problema anterior e calcule Pmax para as condies tpicas de funcionamento: G=800 W/m2 e c=45C. Soluo: Icc (800) = 4 A VT(45C) = 0,02744 V I0 (45C) = 6,45421E-06 A Vmax = 16,45 V Imax = 3,663 A Pmax = 60,4 W
5.2.
SISTEMAS LIGDOS REDE
Em sistemas ligados rede de energia elctrica o sistema entrega rede a mxima potncia que produz em cada instante. Neste caso ter-se- que incluir um MPPT (Maximum Power Point Tracker) conversor electrnico DC-DC cujo objectivo colocar o painel no seu ponto de tenso que corresponde potncia mxima gerada e um inversor para converter potncia gerada em DC para AC.
5.2.1. MPPT Este dispositivo electrnico introduzido no circuito de carga com o objectivo de colocar o sistema fotovoltaico a operar no ponto de potncia mximo. A chave deste conversor DCDC poder converter tenses DC de um nvel para outro e colocar a tenso aos terminais da clula no seu valor mximo para as condies de radiao e carga. Com este sistema de toda a convenincia obter a tenso correspondente potncia mxima por um processo rpido. De notar que o clculo dessa tenso feito por recurso a mtodos iterativos pois tem de se resolver uma equao no linear. Podemos, no entanto deduzir uma expresso simplificada para o clculo da tenso correspondente potncia mxima. Considerando que a corrente mxima varia com a radiao segundo uma lei idntica da corrente de curto-circuito
I max =
G r I max Gr
(5.7)
A partir da equao 5.5 e substituindo as equaes 5.2 e 5.3 fica

GESTO DE ENERGIA
(I
r max
r cc
3 1 1 Vmax G m VTr VT mVT r T 1 e = I 0 r e Gr T
(5.8)
Considerando que
Vmax mVT
>> 1 (V )
Vmax
r r r ( I cc I max ) G G = mVT ln 1 1 I r T T r 3 e m VTr VT 0
(5.9)
A potncia mxima vir assim,
Pmax = Vmax I max
r r ( I cc I max ) G G r = mVT ln 1 1 I r T T r 3 e m VTr VT 0
G G r
r I max
(W )
(5.10)
Problema 6 Considere o mdulo fotovoltaico BP-585 do problema anterior e calcule Pmax para as condies tpicas de funcionamento: G=800 W/m2 e c=45C a partir da expresso 5.10. Soluo: Vmax = 15,87 V Imax = 3,776 A Pmax = 59,92 W Como se pode verificar por comparao com os resultados do problema 5 o erro inferior a 1%.
5.2.2.
INVERSOR
Em aplicaes ligadas rede de energia elctrica necessrio um inversor para fornecer rede (AC) a energia produzida pelo mdulo fotovoltaico.
GESTO DE ENERGIA
O rendimento do conjunto MPPT+Inversor dado por:
PAC Vmax I max
(5.11)
5.2.3.
ESTIMATIVA DA ENERGIA PRODUZIDA
A equao (5.10) d-nos o valor da potncia mxima produzida pelo painel como uma funo da temperatura da clula e da radiao incidente. As restantes grandezas que aparecem na expresso so tiradas dos catlogos dos fabricantes dos painis. Assim, para calcular uma estimativa da energia produzida pelo painel temos partida de dispor de uma estimativa da radiao incidente e da temperatura da clula.
5.2.3.1. RADIAO Os dados de radiao de determinado local so normalmente obtidos por medies realizadas habitualmente no plano horizontal usando um piranmetro ou ainda no plano de inclinao a que vo ser colocados os painis.
5.2.3.2. TEMPERATURA Os dados da temperatura da clula no esto disponveis, apenas dispomos de dados da temperatura ambiente. No entanto a temperatura da clula pode-se relacionar com a temperatura ambiente e com a radiao incidente atravs da seguinte expresso:
c = a +
Em que:
G ( NOCT 20) 800
(5.12)
Qc Temperatura da clula (C) Qa Temperatura ambiente (C) G Radiao solar incidente (W/m2) NOCT Temperatura normal de funcionamento da clula. Valor dado pelo fabricante e que representa a temperatura atingida pela clula nas condies normais de funcionamento Qa=20C e G=800W/m2.
5.2.3.3. ENERGIA PRODUZIDA A energia durante um intervalo de tempo considerado (t)ser calculada a partir da expresso:
GESTO DE ENERGIA
E = Pmax (G, )t (Wh)
(5.13)
Problema 7 A partir dos dados da radiao incidente (Fig. 5.2) e da temperatura ambiente (Fig. 5.3), calcule a temperatura mdia obtida mensalmente pelo mdulo fotovoltaico BP-585 e uma estimativa da energia anualmente produzida por este mdulo bem como a utilizao anual da potncia instalada. Considere o rendimento do conjunto MPPT e inversor igual a 90%.
RADIAO SOLAR INCIDENTE

350,0 300,0 301,2 310,4 260,1 219,5 169,6 116,3 81,3 133,6 88,9 64,1 272,7 209,3
Radiao (W/m2)
250,0 200,0 150,0 100,0 50,0 0,0 Jan Fev Mar
Abr
Mai
Jun
Jul
Ago
Set
Out
Nov
Dez
Meses
Fig. 5.2 Radiao mdia mensal incidente em painis fixos com inclinao igual latitude
TEMPERATURA AMBIENTE
35,0 30,0 25,0 20,0 15,0 10,0 5,0 0,0 Jan Fev Mar Abr Mai Jun Jul Ago Set Out Nov Dez 8,1 10,5 15,4 17,9 29,5 23,0 33,2 31,8 26,6 17,9 11,9 8,5
Temperatura (C)
Meses
Fig. 5.3 Temperatura mdia mensal ambiente
PGINA 46 DE 52
GESTO DE ENERGIA
Soluo
Meses G(W/m2) a (C) c (C) Jan 81,3 8,1 10,8 Fev 116,3 10,5 14,5 Mar 169,6 15,4 21,1 Abr 219,5 17,9 25,3 Mai 260,1 23,0 31,8 Jun 301,2 29,5 39,7 Jul 310,4 33,2 43,7 Ago 272,7 31,8 41,0 Set 209,3 26,6 33,6 Out 133,6 17,9 22,4 Nov 88,9 11,9 14,9 Dez 64,1 8,5 10,7 VT(V) 0,0245 0,0248 0,0254 0,0257 0,0263 0,0270 0,0273 0,0271 0,0265 0,0255 0,0248 0,0245 I0(A) 1,88101E-07 2,83875E-07 5,88622E-07 9,27319E-07 1,79623E-06 3,90803E-06 5,70907E-06 4,41158E-06 2,15837E-06 6,81486E-07 2,97744E-07 1,84032E-07 Vmax (V) 15,86 15,99 15,86 15,81 15,44 14,89 14,56 14,62 14,94 15,39 15,57 15,55 Imax (A) 0,38 0,55 0,80 1,04 1,23 1,42 1,46 1,29 0,99 0,63 0,42 0,30 Pmax (W) 6,08 8,77 12,69 16,38 18,95 21,18 21,33 18,83 14,76 9,70 6,53 4,71
Quadro 5.3 Resumo dos resultados obtidos
Meses Jan Fev Mar Abr Mai Jun Jul Ago Set Out Nov Dez
Pmax (W) 6,08 8,77 12,69 16,38 18,95 21,18 21,33 18,83 14,76 9,70 6,53 4,71
NDM 31 28 31 30 31 30 31 31 30 31 30 31
E(Wh) 4074,0 5306,6 8499,8 10612,2 12689,6 13722,7 14279,5 12605,6 9563,3 6496,6 4232,7 3152,2
Quadro 5.4 Calculo da Energia mensalmente produzida
A energia anualmente produzida por este mdulo ser, para estas condies de radiao e temperatura:
E = 0.9 Pmax (G , ) 24 NDM = 105234,9 (Wh)
A utilizao anual da potncia instalada ser calculada pelo quociente entre a energia produzida anualmente e a potncia de pico do mdulo. ha = 1238 horas
PGINA 47 DE 52
GESTO DE ENERGIA
5.2.4.
ESTIMATIVA RPIDA DA ENERGIA PRODUZIDA
Pode-se tambm fazer uma estimativa ultra rpida da energia anualmente produzida. Esta faz-se desprezando o efeito da temperatura e considerando que o valor mdio da potncia mxima anual directamente proporcional radiao mdia anual.
Pmax =
G med r Pmax Gr
(5.14) (5.15)
E a = 8760 Pmax = 8760 Gmed r A (Wh)
Onde Gmed a radiao mdia anual em (W/m2) A a rea do mdulo em (m2)
Problema 8 Determine uma estimativa rpida da energia anualmente produzida pelo mdulo BP-585 dos problemas anteriores. Gmed =185.6 W/m2 A = 0,65 m2 r = 13,15% Ea = 0.9 x 8760 x 185.6 x 0.1315 x 0.65 =125073 Wh Comparando este valor com os 105234,9 Wh obtidos no problema anterior verificamos a existncia de um erro de quase 20% em excesso.
5.3. SISTEMAS ISOLADOS

Nos sistemas isolados o primeiro passo determinar uma estimativa das cargas a ser satisfeitas pelo sistema. Uma primeira deciso saber se as cargas sero alimentadas em DC ou AC (poupando no primeiro caso no inversor). Outra deciso importante a incluso ou no de um gerador de suporte. Dado que a energia fotovoltaica s produzida durante o dia, quando h sol, necessrio um mtodo de armazenamento para as horas em que no h sol nos sistemas isolados. A maneira mais usual usando baterias. A energia armazenada numa bateria tipicamente medida na unidade Ah (amphora) para determinada tenso nominal e determinado tempo de utilizao. Por exemplo, uma bateria de 12 V especificada para trabalhar durante 10 horas com 200 Ah de
GESTO DE ENERGIA
capacidade pode dar uma corrente de 20 A durante 10 horas. Entregar uma energia de 12x20x10=2400 Wh. Assim, para dimensionar um sistema isolado partimos de uma estimativa da energia diariamente consumida pela instalao. Seguidamente escolhemos a tenso apropriada para o sistema fotovoltaico de acordo com a potncia mxima que esperamos consumir de acordo com a seguinte tabela. Potncia < 1200 W 1200 2400 W 2400 4800 W Tenso 12 V 24 V 48 V
Quadro 5.3 Relao entre a potncia mxima e a tenso para um sistema isolado
Em terceiro lugar deve-se converter a carga diria total para Ah a partir da relao Carga total (Ah) = Carga total (Wh) / tenso do sistema (V) De seguida analisam-se os dados da radiao global no local da instalao para decidir para que dados se vai dimensionar o sistema. Normalmente escolhem-se para o dimensionamento de sistemas isolados os dias do ms mais desfavorvel em termos de radiao. Escolhem-se os painis. De seguida estabelecem-se os dias de armazenamento necessrio e calcula-se a capacidade das baterias a instalar. Capacidade (Ah)= carga total (Ah/dia) x n dias armazenamento
Problema 9 Um sistema de converso de energia, constitudo por painis fotovoltaicos e baterias, destinado a abastecer uma pequena vivenda isolada. Considere os seguintes aparelhos e as respectivas potncias instalados: Equipamento Frigorfico Lmpadas TV Antena Satlite Microondas Maq.Lavar Total P[W] Horas/dia 500 4 240 5 70 3 20 3 1000 0.1 500 0.2 E[Wh] 2000 1200 210 60 100 100 3670
PGINA 49 DE 52
GESTO DE ENERGIA
So conhecidos os seguintes dados do projecto:
Radiao mdia solar recebida por unidade de superfcie no ms mais desfavorvel (Janeiro) 108 kWh/m2/ms. A radiao solar mnima diria (por unidade de superficie nunca inferior a 80% da radiao solar mdia diria recebida por unidade de superfcie no ms mais desfavorvel. O conjunto de perdas devidas a: o Disperso das caractersticas dos mdulos; o Funcionamento em ponto diferente do ponto de potncia mxima; igual a 17% da energia fornecida pelos painis As perdas das baterias so iguais a 20% da energia fornecida pelas baterias.
Determine a rea dos painis a colocar se estes forem do tipo do BP-585 que temos vindo a estudar. Calcular tambm o nmero de mdulos a instalar e ainda a capacidade das baterias necessria para 2 dias de armazenamento. Em primeiro lugar calcula-se a energia diria a fornecer em DC. Como no temos dados sobre o inversor vamos considerar um rendimento de 85%. Carga DC = 3670/0,85 = 4318 Wh / dia Vamos considerar uma tenso de 24 V Carga = 4318/24 = 180 Ah /dia Capacidade das baterias = 180 x 3 /0,8 = 675 Ah Para dimensionar o painel consideramos a radiao mdia correspondente ao ms mais desfavorvel 108 kWh/m2/ms. Sabendo que o dia mais desfavorvel nunca receber menos de 108/30X0,8 = 4,8 kWh/m2/dia. Calculmos, no problema 4 o rendimento mximo do painel (13%). Assim, a energia diria fornecida pelo painel nas condies de radiao mais desfavorvel 4,8 x 0,13 = 0,624 kWh/m2 Como devemos considerar ainda mais 17% de perdas relativamente energia fornecida pelos painis, a energia fornecida ao sistema ser de 624 x 0,83 = 518Wh/m2 A energia diria necessria para o sistema ser: 4318 x 3 /0,8 = 16193 Wh Sero assim necessrios 16193/518 = 31.3 m2 de painis aproximadamente 48 mdulos. Considere que cada mdulo custa O inversor O regulador de carga As baterias Suportes por cada 2 mdulos 500 euros (vida til 20 anos) 1300 euros 260 euros 1800 euros (vida til 6 a 7 anos) 60 euros
Calcular o investimento necessrio e o custo mdio actualizado do kWh fornecido.

GESTO DE ENERGIA
O investimento total inicial ser: 27360 euros Considerando dom =1%, n=20 anos i=7% e que as baterias sero substitudas no fim do 7 e do 14 ano. O investimento total actualizado ser: 27360 + 1800/1,077 +1800/1,0714 = 29179 euros A energia anualmente fornecida ser: 3670 x 365 = 1440 kWh 29179 + 291,79 k a O custo mdio actualizado ser: ca = = 2,12 euro/kWh 1440 k a Mais de 2 euros por kWh.
PGINA 51 DE 52
GESTO DE ENERGIA
Bibliografia:
Gilbert M. Masters, Renewable and Efficient Electric Power Systems, Wiley-Interscience,2004 Rui de Castro, Introduo Energia Fotovoltaica, Energias Renovveis e Produo Descentralizada, IST, 2004 D. Yogi Goswami,Frank Kreith, Jan F. Kreider, Principles of Solar Engineering,Taylor & Francis,1999
PGINA 52 DE 52

Energias 5

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Fig. 1.1 Clulas fotovoltaicas em satlites

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2. APLICAES DOS SISTEMAS FOTOVOLTAICOS

2.1. SITUAO EM PORTUGAL

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20 % servios (telefones SOS, parqumetros, .) 26 % sistemas ligados rede 2% instalaes I & D

2.2. ESTRUTURA DE CUSTOS

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Zona norte do pas Zona centro do pas Zona sul do pas

1400 h 1500 h 1600 h

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Fig. 3.1 Constituio da clula fotovoltaica

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Fig. 3.2 Malha condutora de uma clula fotovoltaica

3.1. FUNCIONAMENTO DA CLULA FOTOVOLTAICA

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Fig. 3.3 Movimento dos electres num tomo (juno P-N)

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Fig. 3.5 Circuito equivalente de uma clula fotovoltaica

3.2. RENDIMENTO MXIMO DA CLULA

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hc 6,626 x10 34 ( Js) x3x10 8 (m / s ) = = 1,11x10 6 m E 1,12(eV ) x1,6 x10 19 ( J / eV )

Fig. 3.6 Relao entre comprimento de onda e energia para o Si

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Fig. 3.7 Espectro solar. Fonte: www.vicphysics.org/

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PRINCIPAIS TIPOS DE CLULAS FOTOVOLTAICAS

Fig. 3.8 Painel fotovoltaico de clulas mono-cristalinas

Fig. 3.9 Painel fotovoltaico de clulas poli-cristalinas

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Fig. 3.10 Painel fotovoltaico de clulas de silcio amorfo

Clulas Solares Mono-cristalinas Poli-cristalinas Silcio amorfo

Rendimento tpico (%) 12 15 11 14 6-7

Mximo registado em aplicaes (%) 22,7 15,3 10,2

Mximo registado em laboratrio (%) 24,0 18,6 12,7

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CARACTERIZAO DA LOCALIZAO DE UM EMPREENDIMENTO SOLAR

A radiao de um local medida com um aparelho denominado de piranmetro

Fig. 3.12 Piranmetro

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COLOCAO DOS PAINIS SOLARES

Fig. 3.13 Posio da Terra relativamente ao Sol ao longo do ano

360 (n 81) 365

-23,45 21 de Dez Fig. 3.14 ngulo de inclinao solar

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L L=Latitude Fig. 3.15 Colocao de um painel segundo a latitude do local

Fig. 3.16 Posio do Sol segundo os ngulos de altura e azimute

As seguintes equaes permitem-nos calcular os ngulos de altitude e azimute s.

sen = cos L cos cos H + sen L sen

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