DescriodoProcessoMOSdoCCS/UNICAMP JosAlexandreDiniz

OprocessoMOSconsistebasicamentedasetapasqueestoapresentadasnaFigura1.Nos itensposterioresdestecaptulo,asetapassodescritaseexplicadasdetalhadamente.
1.Lminasdesilciodotipon,(100),comresistividadeentre4e6ohm .cm.Lminasparadispositivosmaisumalminateste. Medidasderesistividade(4pontas)eespessura.

6.Remoodofotorresiste

1 1 .Fo to gra vao d eco ntato s,etchd o x id o erem o o do fo to rresiste, fin a liza nd o co m alim p e zaR C A

7.ImplantaoInica
2.LimpezapadroRCAcompleta. 3.Oxidaomida,SiO2,Xox=0,7micron.

a)11B+,E=50keV ,5x1015cm2

1 2 .E vap o rao d ealu m n io

b)31P+,E=50keV,5x1015cm2,nascostasdalmina.
4.Aplicaodofotorresisteeexposioluzultravioleta

1 3 .Fo to gravao d einterco nex eseetchd o alu m n io ,rem o o do fo to rresisteesinteriza o d eco ntato s

8.Recozimentoeoxidaomida

5.EtchdoxidoemsoluodeHF/NH4F

9.Fotogravaodecanalecontatos,etchdoxidoeremoodo fotorresiste,finalizandocomalimpezaRCA

Figura1ProcessopMOSdoCCS/UNICAMPparafabricaodochipteste

1.OSubstratodeSilcio
Otipodedopante,aorientaocristalinaearesistividadedosubstratodeSi,queserutilizado, socaractersticasimportantesnafabricaoenodesempenhodosdispositivos. O tipo de dopante, p ou n, determina os portadores majoritrios, lacunas ou eltrons, respectivamente,presentesnosubstratoequalprocessoMOS,pMOSounMOS,queserempregado. Emlminastipon,executaseoprocessopMOS,enquantoemtipop,onMOS,poisocanaldemodo enriquecimento ou depleo do transistor MOS formado por portadores minoritrios presentes no substrato.DispositivosnMOSapresentammobilidademaiorqueospMOS,poisamobilidadedeeltrons cercadetrsvezesmaiorqueadelacunas.Otipodedopantepodeserdeterminadoporumsistema depontaquenteoupelavisualizaodoformatodosubstrato,comoindicadonaFigura2.

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N<100>

N<111>

180o

P<111>

P<100>

90o Figura2TiposdedopanteseasorientaesCristalogrficasdeSubstratosdeSi,vistosdecima. AFigura2mostraqueaorientaocristalogrficaeotipodesemicondutorpodemserobtidos porinspeovisualdoformatodalmina.Normalmente,paraoSiutilizamse duaspossibilidadede crescimento ou orientao direcional <111> ou <100>. O tipo n ou p de semicondutor pode ser identificado pelapresenaepeloposicionamento doschanfroslaterais. Aorientaocristalogrfica podeinfluirprincipalmentenataxadeoxidaodosubstratoenadensidadededefeitosnoxidodeSi crescidosobrealmina,queoriginamcentrosdearmadilhamentodecargasnoisolante.Estascargas podem responder de forma indesejvel ao campo eltrico aplicado ao dispositvo, reduzindo seu desempenho.xidoscrescidossobrelminascomorientao<100>apresentammenosdefeitosqueos crescidossobresubstratoscomorientao<111>.ParafabricaodoChiptestedoCCSsoutilizadas lminas tipo n,para executar oprocesso pMOS, e com orientao <100>, oque resulta em menos defeitosnosxidoscrescidos. Aresistividadeindicaqualaconcentraodedopantes(portadoresmajoritrios)dosubstrato deSi.calculadapelasexpresses(1)e(2),ondeV/Imedidoemumequipamentodequatropontas, Rs aresistnciadefolhaetaespessuradosubstrato.Quantomaioraresistividademenora concentraodedopantesnalmina.Normalmente,utilizamsesubstratoscomconcentraesdaordem de1014 a1016 cm3,resultandoemcorrespondentesresistividadesde1a22 .cm.Parafabricaodo ChiptestedoCCS,utilizamselminascomvaloresderesistividadeentre4e6.cm,comconcentrao deportadoresdaordemde1015cm3.

R S =4, 53

V I

(Resistnciadefolha)

(1) (2)

=R st

(Resistividade)

2.LimpezapadroRCA
Alimpezadaslminasdesilcio,representadasemcortelateralnaFigura3,fundamentalnum processodemicrofabricao.Paragarantirumalimpezaeficaz,comamenorquantidadepossvelde impurezas, seguese um processo padro RCA que consiste na seguinte seqncia de etapas, mergulhandoseaslminasemsoluesde: H2SO4/H2O2 (4:1) em 80C por 10 min: esta soluo denominada "piranha", utilizase para removerprincipalmentequantidadesdegordurapresentesnasuperfciedaslminasdesilcio; HF/H2O(1:10)emtemperaturaambientepor10s:nestaetapadelimpezaremoveseoxidode Si(SiO2)nativonasuperfciedosilcio.Areaoqumicadoprocessoaseguinte:

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SiO2+4HFSiF4+H2O.; NH4OH/H2O2/H2O(1:1:5)em80Cpor10min:nestaetapa,removemseagorduraeosmetais dogrupoIBeIIIB(Cu,Ag,Zn,Cd); HCl/H2O2/H2O (1:1:5) em 80C por 10 min: nesta etapa dissolvemse os ons alcalinos e hidrxidosdeFe+3,Al+3eMg+3dassuperfciesdossubstratos. Entreumasoluoeoutra,aslminassosubmetidasaumenxgecomguaDI(deionizada) 18M.cmpor3min.Asecagemdestaslminasfeitacomjatodenitrognio.Noitem2.3apresentado oprocedimentointeirodelimpezaRCA.

Figura3RepresentaodalminadeSiemcortelateral

2.1MaterialUtilizado.
Omaterialnormalmenteutilizadonalimpezadelminaslistadoabaixo: 3bquersdevidropyrex 1bquerdepolipropileno 1"hotplate" 1barquetadequartzo 1pinadeaoinoxidvel 1pinadepolipropileno 1litrodecidoSulfrico(H2SO4) 1litrodecidoFluordrico(HF) 1litrodeHidrxidodeAmnia(NH4OH) 1litrodecidoClordrico(HCl) 1litrodePerxidodeHidrognio(H2O2) Todaguautilizadadeionizadade18M.cmetodososprodutosqumicosutilizadossode graueletrnico.

Antes do incio da limpeza das lminas, verificase se os recipientes e materiais que sero manipuladosestolimpos.Casocontrrio,ocorreduasetapasdelimpezadestesmateriais:adepr lavagemeaderetiradadegordura.Aetapadeprlavagemaseguinte:osbquers,asbarquetaseas pinassolavadoscomdetergenteapropriado.Outrapossibilidadequeaosinvsdalavagemcom detergente, os bquers e as barquetas, que formam basicamente a parte de vidraria, podem ser mergulhados em uma soluo de gua rgia (HCl/HNO3 (3:1)) com posterior enxge em gua DI (deionizada). Emseguida,executaseaetapade retiradadagorduradosmateriaiscomoseguinte procedimento: FazerumasoluodeH2O+H2O2+NH4OHnaproporode7:2:1; Enxaguarobquercomgua; Verificarvisualmenteseobquerestrealmentelimpo(asgotasdeguadevemescorrerdas paredesdovidro).

2.2.Limpezadosbquers,barquetasepinas.

Embquersseparadosprepareassoluesde:

2.3.ProcedimentoparalimpezadaslminasdeSilcio

(I)H2SO4+H2O2naproporode4:1(soluopiranha); (II)HF+H2Onaproporode1:10(soluopararemoodoxidonativo); (III)NH4OH+H2O2+H2Onaproporode1:1:5(soluopararemoodegorduraemetaisdo grupoIBeIIIB(Cu,Ag,Zn,Cd));

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(IV) HCl + H2O2 + H2O na proporo de 1:1:5 (soluo para remoo de ons alcalinos e hidrxidosdeFe+3,Al+3eMg+3); Comestassoluesdeveseobedeceroseguinteprocedimento: Aqueaassolues80Cno"hotplate"; Mergulhealminapor10minutosnasoluo(I); Enxgeemguacorrentepor3minutosedeixemais3minutosdentrodobquercomgua; Mergulhealminapor30segundosnasoluo(II); Enxgeemguacorrentepor3minutosedepoisdeixeaslminaspormais3minutosdentro dobquercomgua; Mergulhealminapor10minutosnasoluo(III); Enxgenovamenteemguacorrentepor3minutosedepoisdeixeaslminaspormais3 minutosdentrodobquercomgua; Mergulhealminapor10minutosnasoluo(IV); Enxgenovamenteemguacorrentepor3minutosedepoisdeixeaslminaspormais3 minutosdentrodobquercomgua; SequeaslminascomNitrognio(N2); Coloqueaslminasnacaixaparatransportlas; Noexponhaaslminaslimpasaoambientedolaboratrio. IMPORTANTE: Neutralizar todas solues antes de descartar na pia. Utilizar avental e luvas durante qualquermanipulaodeprodutosqumicosedelminas.

3.OxidaomidadeCampoparaIsolaodeDispositivos

SubstratodeSitipon Figura4RepresentaodalminadeSiemcortelateralcomxidodecampocrescido. AoxidaomidarealizadacolocandoseaslminasdeSinofornotrmicoconvencionalem altatemperaturade1000CeemambientedeH2O (vapor) e de O2.Estaetapaexecutadapara formaodoxidodeSidecampo,queisolaumdispositivodooutronalmina.AFigura4representao xidodeSicrescidosobreosubstratodeSi.Paraisso,aespessuradoxidodecampodevesermaior que0.5m. Paracontroledoprocesso,cliveumalminatesteem4partesdenominadasT1,T2,T3e T4.Coloqueasjuntocomaslminasinteirasondeseroconfeccionadososdispositivos.Comestas amostrastestepodesefazerasmedidasdeespessuradoxido. OprocedimentodeoxidaomidanoCCS/UNICAMPoseguinte: UtilizeoFornodePenetraodeFsforoemtemperaturade1000C; ExecuteaentradadabarquetadequartzocomaslminasnofornoemambientedeN2,com fluxode1l/min,porumtempomaiorque3min; DeixeaslminasnesteambientedeN2por10min; DesliguealinhadeN2 ,liguealinhade O2 ,comfluxode1l/min,edeixeaslminasneste ambientepor10min(oxidaoseca); Ligueosistema deborbulhadorO2/H2O,comaproximadamente63gotasdeH2O/min,para manteraslminasemambientemidopor180min(oxidaomida); DesligueosistemadeborbulhadorO2/H2O,liguealinhadeN2,comfluxode1l/min,edeixeas lminasnesteambientepor10min(recozimentodoxidocrescido);

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ExecuteasadadabarquetadequartzocomaslminasdofornoemambientedeN2,comfluxo de1l/min,porumtempomaiorque3min; Observaes:Aespessuraesperadadoxidodaordemde0.8m.

4.ProcessoFotolitogrficodoPrimeiroNveldeMscara paraObtenodeFonte/Dreno
Afotolitografiaaetapadeprocessoexigidaparagravarpadresdeumamscara paraosubstrato ondefabricadoochip.AFigura5mostrabasicamenteoprocessofotolitogrfico.Utilizandosedeum sistemadespinneremaltavelocidadederotao,maiorque3000rpm,porcentrifugaoespalhase sobreacamadadoxidoumaresinafotoresistiva,queumlquidoorgnicopolimrico,denominado fotorresiste.Esteresistecolocadoemumaestufaemtemperaturadeaproximadamente100Cpara secar.AFigura5(a)mostraarepresentaodofotorresisteespalhadosobreoxidodecampo.Esta resina polimerizada no solvel em certos solventes, denominados reveladores. Executase a despolimerizaoporluzultravioletaquepassaatravsdasaberturasdamscaraquecontmopadro asertransferidoaosubstrato,comorepresentadonaFigura5(b).Aparteopacadamscaraevitaa exposio luz ultravioleta das regies do substrato que sero posteriormente processadas. Para removerapartedoresistedespolimerizada,utilizaseosolventerevelador.

xidodeSi Substrato
(a)

Resiste xidodeSi Substrato

(b) Figura5RepresentaodalminadeSiemcortelateralcomxidodecampocrescido.Representaseem(a)o fotorresisteespalhadosobreoxidoeem(b)adespolimerizaodoresistepelaexposioluzultravioletapara transfernciadepadrodamscaraparaoxido. Paraoinciodafotolitografia,estandoalminalimpaeaumidadedoambienteabaixode50%, espalhasesobreaamostraopromotordeadernciadoresiste,denominadoHMDS,emumspinnerem altavelocidadederotaode7000rpmpor40segundos.Emseguida,umacamadadefotorresiste aplicadasobrealminacomoHMDSespalhado.Paraisso,depositasealgumasgotasdefotorresiste (AZ1350J)sobrealmina,espalhaseofotorresisteatravsdospinneremaltavelocidadederotaode 7000rpmpor40segundos,colocasealminanaestufaparasecagemeadernciadofotorresiste.Aps a aderncia do resiste, colocase a lmina e a mscara em uma fotoalinhadora com fonte de luz ultravioleta.Nafotoalinhadora,alinhaseamscaraealminaatravsdosistemaptico,eacionasea exposioaosraiosultravioleta(UV)dosubstratocomresiste,emumapotnciade9mW.cm2durante 20 segundos, despolimerizandoas regies expostas. A revelao do resiste executada atravsda imersodaslminasemsoluoMF312/H2O(1:1)por 60s.Parafinalizar,colocaseaslminasna estufaem90Cpor30minparaendurecimentodoresistenorevelado.

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5.RemoodoxidoparaObtenodaFonte/Dreno
Resiste xidodeSi Substrato
Figura6RepresentaodalminadeSiemcortelateralcomxidodecamporemovidonasreassemproteodo resiste. ComorepresentadonaFigura6,aetapadefotolitografiautilizadapararemoverseletivamente oxidodealgumasregies,queseroprocessadasposteriormenteparaaobtenodafonte/drenodo transistorMOS.Executasearemoodoxidomergulhandoseaslminasemumasoluotampo ("Buffer")deHFeNH4F.Paracontroledaremoodoxidocolocasejuntonestasoluoasamostras testeT3eT4comxidocrescidosobreossubstratos.Estasoluocorrioxidodesilcioaumataxa de100nm/minenoreagenemcomoresisteenemcomosubstratodeSi.Verificasequeoxidoest totalmenteremovidoquandoestasreasnaslminassemresistedeproteoouasamostrastesteT3e T4apresentarsetotalmentesecasquandoretiradasdasoluoBuffer.Apsaretiradadoxido,retira seacamadaprotetoradefotorresistecomacetona.AFigura7mostraalminasemacamadaprotetora defotorresistesobreoxidoeasreasexpostasdosubstrato.

xidodeSi Substrato
Figura7RepresentaodalminadeSiemcortelateralsemacamadaprotetoradefotorresistesobreo xidoeasreasexpostasdosubstrato.

6.ImplantaodeonsdeBoroedeFsforoparaObtenodaFonte/Drenoede ContatohmicoMetalSemicondutornaBasedoSubstrato,Respectivamente.

xidodeSi Substrato
(a)

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(b) Figura8RepresentaodalminadeSiemcortelateralcomxidodecampocrescidoprotegendoasreasdo substratoquenodevemserimplantadas.Representaseem(a)aimplantaodeBoroparaformaodefonte/dreno dotransistorMOSeem(b)aimplantaodeFsforoparaobtenodecontatohmicometalsemicondutornabasedo substrato. Utilizase aimplantaodeonsparadopagem dotipon,comFsforo,oup,comBoro,em substratosdeSi.AFigura8mostraem(a)aimplantaodeBoroparaformaodefonte/drenodotipo p+ do transistor MOS e em (b) a implantao de Fsforo para obteno de contato hmico metal substratotipon+nabasedosubstrato.OxidodeSiservecomocamadaprotetoracontraaimplantao deons(Figura8)nosubstrato. Oprocessodeimplantaoinicapermitecontrolarosseguintesparmetros: i)aenergiafornecida(pelocampoeltrico)aoons,quedeterminaaprofundidademdiade penetraoemumadeterminadaestruturaatmica; ii)acargatotalimplantada(dose),quefornecidapelacorrentedofeixe; iii)aespciequmicaimplantada,queselecionadaporumespectrmetrodemassa; iv)acontaminaomnimadosubstrato,queestabelecidapeloaltovcuo(108 Torr)exigido nascmarasdeimplantaoepelaexecuodoprocessamentoemtemperaturaambiente(processo frio); v)auniformidadelateraleadefinioespacialdaregioimplantada,quesomonitoradaspelo sistemaautomticodevarreduradofeixeinicosobreoalvo(sistemaxycomlenteseletrostticas). Destamaneira,oprocessoformacamadasimplantadascomcontroleprecisodauniformidade, da definio espacial, da contaminao e do perfil de distribuio dos ons que depende da dose implantadaedaenergiadofeixeinico.Umavezqueaseleodoonfeitaporumespectrmetrode massa,nonecessriaautilizaodefontesdemateriaisdealtapureza,paraageraodeons.No processopMOSdoCCS,paraimplantaodeonsdeBoroedeFsforoempregaseasfontesdeNitreto deBoro(BN)edeFluoretodeFsforo(PF5),respectivamente.Aimplantaoinicarealizadaemum implantadorGA4204EATON.SoimplantadosonsdeBoro,paraformaoderegiesp+nasreasde fonteedreno,edeFsforonascostasdalmina,paraobtenodecontatohmicometalsubstratotipo n+nabasedosubstrato.ParacontroleasamostrasT3eT4tambmsoimplantadas.Osparmetrosde implantaoso: ons11B+,comenergiade50keVecomdosede5x1015cm2paraasregiesp+; ons31P+comenergiade50keVecomdosede5x1015cm2,paraasregiesn+nascostasda lmina. Alminacolocadanoportasubstratodoimplantadoremngulode7 comofeixeegirada sobreseuprprioeixode20,paraevitaracanalizaodeonsdentrodosubstratosemicondutor.

7.RecozimentoparaAtivaodeDopantesImplantadoscomPosteriorOxidao midaparaFormaodexidonaRegiodeFonte/Dreno
O recozimento psimplantao para reconstruo das camadas implantadas e ativao dos dopantesnasregiesn+ep+(Figura9).Realizaseorecozimentoemfornoconvencional,emambiente deN2,comtemperaturade10000Cetempode20min.Aoxidaomidaposteriorrealizadaparaa formaodexidonaregiop+deFonte/Dreno.Realizaseaoxidaotambmemfornoconvencional,

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em ambiente de O2, com temperatura de 10000C e tempo de 100 min. O procedimento para o recozimentopsimplantaocomposterioroxidaomidasimilaraomostradonoitem3.Anica diferenaquedepoisdaentradadaslminasnofornoconvencionalaoinvsdedeixarossubstratos emambientedeN2 por10min,aumenteestetempopara20minparaaexecuodorecozimento.O restantedoprocedimentoomesmojapresentado.Paracontroledosprocessoscolocasejuntocom aslminas,ondeestosendofabricadososdispositivos,asamostrastestesT1,T2,T3eT4.Obtmsea medidadeespessuradoxidocrescidosobreoscacosT1eT3.RemovesecomsoluoBufferdeHF oxidocrescidosobrecacoT4.MedesenomesmocacoT4,aresistnciadefolhaRseaprofundidade dejunodacamadaimplantadaXj.AmedidadeRsfeitapeloequipamentodequatropontascom descritonoitem1.ParaamedidadeXj,desbastasemecanicamentealminatesteecomumlquido reveladorobtmseocontrastedeimagem(verificadaporummicroscpioptico)entreapartedopadae anodopada,comomostraaFigura10.Oresultadoesperadoparaaregiop+ dafonte/drenoda ordemde1,4m.

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xidodeSi Substrato Figura9RepresentaodalminadeSiemcortelateralsubmetidaaorecozimentoparaativaodedopantes implantadoscomposterioroxidaomidaparaformaodexidonaregiop+deFonte/Dreno

Figura10RanhurafeitaparamedirprofundidadedejunoXj

8.ProcessoFotolitogrficodoSegundoNveldeMscaraparaDefiniodasreas dePortaedeContatosMetlicosdeFonte/Dreno.RemoodoxidodeCampo sobreaFonte/DrenoseguidadaRemoodoFotorresiste,Finalizandocoma LimpezaRCA.

Fonte/Dreno Porta xidodeSi

Substrato Figura11RepresentaodalminadeSiemcortelateralsubmetidaaoprocessofotolitogrficodosegundonvelde mscaraparadefiniodasreasdeportaedecontatosmetlicoscomposteriorremoodoxidodafonte/dreno seguidodaremoodofotorresiste, finalizandocomalimpezaRCA. Oprocessofotolitogrficodosegundonveldemscarafeitoparaaaberturanosubstratodas regies de contatos metalsemicondutor de fonte/dreno e de porta, como mostra a Figura 11. O procedimentodesteprocessofotolitogrficoomesmoapresentadonoitem4.Paraaaberturadestas regiesnosubstrato,removeseoxidodecampocrescidosobreafonte/drenocomsoluo"Buffer"de HF,seguidodaremoodofotorresistecomaslminasmergulhadasemacetona,finalizandocomuma limpeza RCA completa. Os procedimentos destas etapas j foram descritos nos items 5 e 2, respectivamente.

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9.OxidaoSecaparaCrescimentodoxidoFinodePorta
xidodePorta xidodeCampo Substrato Figura12RepresentaodalminadeSiemcortelateralsubmetidaaoprocessodeoxidaosecaparacrescimento doxidofinodeportacom75nmdeespessura. Executase esta etapa para o crescimento do xido de Si de porta, que forma a estrutura principaldodispositivometalxidosemicondutor.AFigura12representaoxidodeSicrescidosobreo substratodeSi.Paraisso,aespessuradoxidodeportadevesermenorque100nm.Realizasea oxidaosecacolocandoseaslminasdeSinofornotrmicoconvencionalemaltatemperaturade1000 Ceemambienteoxidantecomcloro.Apresenadocloronamisturanaformadetricloroetileno,TCE, neutraliza osonsalcalinos,comooNa+,quepodemestarpresentesnoambientedeprocessoeso cargasmveisnosxidodeSi.Estascargasrespondemrapidamenteedescontroladamenteaocampo aplicadonaregiodeportadosdispositivosMOS,danificandoos.Portanto,empregaseocloropara manterocontroledecontaminantesnoambienteoxidante.Paracontroledoprocesso,coloqueoscacos T1,T2eT3juntocomaslminasinteirasondeseroconfeccionadososdispositivos.ComoscacosT1, T2 e T3 podese medir as espessuras dos xidos da regio de porta , de fonte/dreno e de campo, respectivamente. OprocedimentodeoxidaosecanoCCS/UNICAMPoseguinte: UtilizeoFornodeOxidaocomlinhasecundriadeO2+TCEemtemperaturade1000C; ExecuteaentradadabarquetadequartzocomaslminasnofornoemambientedeN2,com fluxode1l/min,porumtempomaiorque3min; DeixeaslminasnesteambientedeN2por5min; DesliguealinhadeN2 ,liguealinhaprincipalde O2,comfluxode1l/min,edeixeaslminas nesteambientepor5min(oxidaosecasemcloro); DesliguealinhaprincipaldeO2eliguealinhasecundriadeO2+TCE,comaproximadamente 1%deTCEnamistura,paramanteraslminasemambienteoxidantecomcloropor30min(oxidao secacomcloro); DesliguealinhasecundriadeO2+TCEeliguealinhaprincipaldeO2,paramanteraslminas emambienteoxidantesemcloropor5min(oxidaosecasemcloro); Ligue a linha de N2 , com fluxo de 1l/min, e deixe as lminas neste ambiente por 30 min (recozimentodoxidocrescido); ExecuteasadadabarquetadequartzocomaslminasdofornoemambientedeN2,comfluxo de1l/min,porumtempomaiorque3min; Oxidofinotambmcrescesobrearegioexpostadefonte/dreno,comomostraaFigura12.A espessuraesperadadoxidodeportadaordemde75nm.

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10.ProcessoFotolitogrficodoTerceiroNveldeMscaraparaDefiniodasreas deContatosMetlicosdePortaedeFonte/Dreno.RemoodoxidoFinosobrea Fonte/DrenoseguidadaRemoodoFotorresiste,FinalizandocomaLimpezaRCA.

Fonte/Dreno comxidoremovido

Porta xidodeSi Substrato

Figura13RepresentaodalminadeSiemcortelateralsubmetidaaoprocessofotolitogrficodoterceironvelde mscaraparadefiniodasreasdecontatosmetlicosdeportaedefonte/dreno,composteriorremoodoxido finosobreafonte/dreno,seguidodaremoodofotorresiste,finalizandocomalimpezaRCA. Utilizandoseaterceiramscara,executaseafotogravaodoslocaisdeaberturadoscontatos metlicos de porta e de fonte/dreno. O procedimento deste processo fotolitogrfico o mesmo apresentado no item 4. Para a abertura destas regies no substrato, removese o xido de campo crescidosobreafonte/drenocomsoluo"Buffer"deHF, seguidodaremoodofotorresistecomas lminas mergulhadas em acetona, finalizando com uma limpeza RCA completa. Os procedimentos destasetapasjforamdescritosnositens5e2,respectivamente.

11.EvaporaodeAlumnioparaaFormaodeContatosMetlicosdePortaede Fonte/Dreno

FilmedeAl Fonte/Dreno

Porta xidodeSi

Substrato Figura14RepresentaodalminadeSiemcortelateralsubmetidaaoprocessodeevaporaodeAlumnioparaa formaodecontatosmetlicosdeportaedefonte/dreno Paraformaodecontatosmetlicosdeportaedefonte/dreno,evaporaseumacamadadeAlde1m sobretodaalmina(Figura14).NoCCS/Unicamp,executaseaevaporaointroduzindoseaslminas emumacmaradealtovcuocomumsistemadefeixedeeltrons,queusadoparafundirafonte metlica, quesedesejadepositarsobreosubstrato.AfontemetlicautilizadadeAlcomgraude purezade99,999%.Apressodebaseparainiciaroprocessodaordemde5x107Torr,queobtida atravsdeumsistemadevcuoacopladoquecontm duasbombasdevcuodotiposmecnicae difusora.Duranteaevaporao,apressodeaproximadamente5.105Torr.

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12.ProcessoFotolitogrficodoQuartoNveldeMscaraparaCorrosodeAlumnio. FormaodeContatosMetlicosdePortaedeFonte/DrenoedeInterconexo MetlicadeDispositivos.

ContatodeAl Fonte/Dreno

Contato/Porta xidodeSi

Substrato Figura15RepresentaodalminadeSiemcortelateralsubmetidaaoprocessofotolitogrficodoquartonvelde mscaraparacorrosodeAlumnio,obtendoseaformaodecontatosmetlicosdeportaedefonte/drenoede interconexometlicaentredispositivos. Utilizandoseaquartamscara,executaseafotogravaodoslocaisentreoscontatos,ondeofilmede Aldeveserremovidoparasesepararoscontatoseasinterconexes(Figura15).Oprocedimentodeste processofotolitogrficoomesmoapresentadonoitem4.Apsafotogravao,executasearemoo doAlmergulhandoseaslminasemsoluodecidoOrtoFosfrico+AcidoNtrico(9,5:0,5).Ataxade corrosodoAlnestascondiesde300nm/min.Emseguida,executasearemoodofotorresistecom aslminasmergulhadasemacetona,comodescritoanteriormente.

13.EvaporaodeAlparaFormaodeContatoMetliconasCostasdoSubstrato. SinterizaodosContatosdeAl.

ContatodeAl Fonte/Dreno ContatodeAl Base

Contato/Porta xidodeSi Substrato

Figura16RepresentaodalminadeSiemcortelateralsubmetidaaoprocessoevaporaodeAlparaformaode contatosmetliconascostasdosubstratocomposterior sinterizaodoscontatosdeAl. Paraformaodecontatosmetlicosdebase,evaporaseumacamadadeAlde1msobreas costasdalmina(Figura16).Oprocedimentodeevaporaojfoidescritonoitem11.Paraterminaros dispositivos,executaseoprocessodesinterizao.NoprocessodesinterizaodoscontatosdeAl, executase o recozimento das estruturas metal/semicondutor ou metal/xido/semicondutor em baixa temperaturadeaproximadamente4500CeemambienteinertedeN2 edeH2.Estaetapaservepara reestruturarascamadasereduzirosdefeitosnasinterfacesdasestruturas,quepodemtersidogerados durante a evaporao. Estes defeitos podem ser cargas superficiais de ligaes incompletas nas interfaces. Estas ligaes incompletas so saturadas pelo hidrognio presente no ambiente. No CCS/UNICAMP,afontedehidrognionoambientedesinterizaoovapordguaquearrastadodo borbulhadorparadentrodofornopelogsN2. OprocedimentodesinterizaodecontatosdeAlnoCCS/UNICAMPoseguinte: UtilizeoFornodesinterizaodecontaosdeAlemtemperaturade440C;

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ExecuteaentradadabarquetadequartzocomaslminasnofornoemambientedeN2,com fluxode1l/min,maisvapordguaporumtempomaiorque3min; DeixeaslminasnesteambientedeN2maisvapordguapor30min; ExecuteasadadabarquetadequartzocomaslminasdofornoemambientedeN2,comfluxo de1l/min,maisvapordguaporumtempomaiorque3min. Finalizadaafabricao,aprximaetapaadacaracterizaoeltricadosdispositivos.

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