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O efeito foteltrico, fotoeltrico ou, ainda, fotovoltaico, relatado por Edmond Becquerel, fsico francs, em 1839, consiste no surgimento

de uma diferena de potencial nos extremos de uma estrutura de material semicondutor, produzida pela absoro da luz incidente. A clula foteltrica, ou fotovoltaica, a unidade fundamental do processo de converso. Em 1954, nos laboratrios Bell, foi produzida a primeira clula solar de silcio, que rapidamente atraiu o interesse do programa espacial norte-americano, devido sua vantajosa relao entre potncia e unidade de peso. Com o aperfeioamento nas aplicaes espaciais, a tecnologia fotovoltaica espalhou-se para as aplicaes terrestres (PATEL apud SHAYANI, 2006). Apresenta-se, a seguir, um breve relato, feito por Severino (2008), que, recordando alguns aspectos relativos constituio da matria, permite o entendimento do modo de operao de uma clula fotovoltaica. Os elementos qumicos possuem prtons e nutrons concentrados no ncleo do tomo e eltrons que permanecem em rbitas de diferentes nveis de energia ao redor do ncleo: a permanncia nas rbitas mais internas, mais prximas do ncleo, exige menos energia dos eltrons que a permanncia nas rbitas mais externas. Cada tomo do elemento silcio, cujo nmero atmico 14, possui 14 eltrons distribudos em trs rbitas ao redor do seu ncleo, sendo dois eltrons na rbita mais interna, oito eltrons na rbita intermediria e quatro eltrons na rbita mais externa. Os eltrons da rbita mais externa do tomo interagem com os tomos vizinhos, formando estruturas slidas. Cada tomo faz uma ligao covalente com cada um de outros quatro tomos vizinhos, permitindo que os quatro tomos passem a ter suas rbitas externas completas, com oito eltrons cada, formando uma estrutura cristalina. Cada uma dessas ligaes covalentes entre os eltrons de diferentes tomos pode ser quebrada se um dos eltrons receber energia externa suficiente para se afastar mais do seu respectivo ncleo, livrando-se da atrao deste. Com isso, o eltron deixa a banda de valncia, em que no pode se movimentar livremente, passando para a banda de conduo. A sada do eltron da banda de valncia deixa uma lacuna eltrica, o que cria o par eltron-lacuna, originado a partir do aumento da energia do eltron. Se esse eltron livre, com bastante energia, fosse direcionado para um circuito eltrico, seria, ento, criada uma corrente eltrica. Porm, na situao em tela, em que o material composto apenas por tomos de silcio, isso no ocorre, pois o eltron livre imediatamente associa-se a uma lacuna originada pela sada de outro eltron, ocasio em que perde energia, deixa a banda de conduo e retorna banda de valncia sem dirigir-se a uma carga externa. A energia perdida pelo eltron transformada em calor e dissipada. Ento, para que se produza a desejada corrente eltrica, necessrio que haja um processo que acelere os eltrons livres para fora do material, para um circuito externo. Isso pode ser realizado com a aplicao de um campo eltrico. O material das clulas fotovoltaicas preparado de forma a possuir um campo eltrico permanente, que gerado por meio da adequada dopagem do material semicondutor (SHAYANI, 2006). Quando tomos com cinco eltrons de ligao na ltima camada de valncia, como, por exemplo, o fsforo, so adicionados ao silcio, que possui apenas quatro eltrons nessa situao, a estrutura cristalina constituda da seguinte forma: quatro eltrons do fsforo unem-se a quatro tomos de silcio vizinhos, enquanto o quinto eltron do fsforo no realiza nenhuma ligao, permanecendo ligado ao seu tomo de origem por meio de uma ligao bastante fraca, de pouca energia. Se este eltron receber pouca energia trmica, disponvel mesmo temperatura ambiente, a ligao dele com o ncleo quebrada, e ele liberado e direcionado para a banda de conduo. Nesse caso, o fsforo um material dopante doador de eltrons, denominado dopante n; essa dopagem denominada dopagem do tipo n. Em outra configurao, se forem adicionados ao silcio tomos com apenas trs eltrons na ltima camada de valncia, como, por exemplo, o boro, uma das ligaes com os quatro tomos de silcio vizinhos no ser realizada, restando uma lacuna. De modo anlogo ao caso anterior, com pouca energia trmica, um eltron vizinho pode passar a esta posio, criando,

no local de sua sada, uma nova lacuna, fazendo com que a lacuna se desloque de um local para outro. Sendo assim, o boro um material dopante que aceita eltrons, denominado dopante p; essa dopagem denominada dopagem do tipo p. Mesmo com dopagem, o silcio continua com carga neutra, pois a quantidade de eltrons e de prtons a mesma. Entretanto, quando o silcio do tipo n posto em contato com o silcio do tipo p, os eltrons livres do material com dopagem do tipo n preenchem as lacunas do material com dopagem do tipo p. Logo, a camada do tipo n, que cedeu eltrons, fica positivamente carregada; a camada do tipo p, que recebeu eltrons, fica negativamente carregada. Essas cargas aprisionadas do origem a um campo eltrico permanente que dificulta a passagem de mais eltrons da camada n para a camada p. Este processo alcana equilbrio quando o campo eltrico forma uma barreira de potencial capaz de impedir o fluxo dos eltrons livres remanescentes no lado n. Est criada a juno pn. Nessa situao, o efeito foteltrico pode ocorrer. Quando um eltron da camada p recebe energia externa suficiente do fton da luz solar incidente na juno pn, ele move-se para a banda de conduo e cria o par eltron-lacuna. O campo eltrico existente fora o deslocamento desse eltron para a camada n, no permitindo o seu retorno, e, simultaneamente, repele a lacuna para o extremo oposto da camada p. Criada a condio de circulao de corrente eltrica no interior do material semicondutor dopado, a simples colocao de contatos eltricos nas duas extremidades do material permite tenso eltrica existente entre elas originar corrente eltrica, que produzir os efeitos desejados na carga externa.