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Nilberto H. Medina
Instituto de Física da Universidade de São Paulo
Diciembre de 2006
Roteiro
Interação da radiação com a matéria
Partículas Carregadas
Radiação Eletromagnética
Detectores de Radiação
Detectores a gás
Cintiladores
Semicondutores
Filtros Anti-Compton
Espectrômetros de raios gama
Exemplos
Eletrônica Lenta
pré-amplificadores, amplificadores
Eletrônica Rápida
discriminador de tempo, coincidências
Interação de Partículas Carregadas com a Matéria
dE
S e (v ) S n (v )
dX
Interação de Radiação com a Matéria
• Efeito Fotoelétrico
Raios –X ou Raios g de baixa energia
Elétron ligado
Materiais de alto Z (maior absorção) s~Z4.5
• Espalhamento Compton
h
h ´
h
1 2
(1 cos )
mo c
Casos extremos 180o
0o
0o h ´ h
h Borda
180o h ´
2h Compton
1
mo c 2
• Produção de pares
h>1.02 MeV
Massa de repouso do elétron moc2=511keV
Absorção de Fótons
nregistrado
Absoluta: abs
nemitido
4 4d 2
int abs abs 2
nregistrado
Intrínseca: nincidente
a
a 2
2
nregistrado d
Relativa: rel det . padrão
n registrado
Eficiência relativa de detectores de germânio hiperpuro
600
soma dos detectores
400
Eff(1 2 3 4 )
200
0
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000
E(keV)
• Contador Geiger-Mueller
Número de eventos – independente da energia
• Contador Proporcional
Medida da energia da partícula
• Câmara de Ionização
Monitores de radiação (dose)
Contador Geiger-Mueller
Avalanche de Townsend
Curvas características
BGO = Bi4Ge3O12
Mecanismo de Cintilação (orgânicos)
t~ns
t 107s
Luz visível
Energia
BANDA DE
CONDUÇÃO
BANDA DE BANDA DE
VALÊNCIA VALÊNCIA
ISOLANTE SEMICONDUTOR
Tipo-n Tipo-p
Junção pn
+ -
+ -
Polarização reversa
Radiação g -> Zona de Depleção
Produção de pares elétrons-buracos (portadores)
Junção assimétrica
1 par elétron-buraco: 3 eV em semicondutores
30 eV em detectores a gás
100 eV em cintiladores
Propriedades dos semicondutores Ge e Si.
Característica Si Ge
Número atômico 14 32
Peso atômico 28.09 72.60
Isótopos estáveis 28-29-30 70-72-73-74-76
Densidade – g/cm3 2.33 5.32
Átomos/cm3 4.96 × 1022 4.41 × 1022
Constante dielétrica (300K) 12 16
Largura do gap – eV 1.115 0.665
Densidade de portadores intrínsecos 1.5 × 1010 2.4 × 1013
Resistividade intrínseca (300K) – .cm 2.3 × 105 47
Mobilidade eletrônica (300K) – cm2/V.s 1350 3900
Mobilidade dos buracos (300K) – cm2/V.s 480 1900
Detector grande
Detectores pequenos
Detector de dimensões intermediárias
Efeitos dos materiais em torno do detector
Espectro de raios g de uma fonte de 137Cs
NaI(Tl)
662 keV
Contagens
Retroespalhamento
Borda
Compton
Espectro de raios g de uma fonte de 60Co
NaI(Tl)
Retroespalhamento
1173 keV
1332 keV
Borda
Compton
Espectro de raios g de uma fonte de 60Co.
Canal
Filtro Anti-Compton
Conclusões
Interação da radiação com a matéria
Detectores de radiação
Detectores a gás
Cintiladores
Semicondutores
Bibliografia