Semicondutores

 Classificação de Materiais
 Definida em relação à condutividade elétrica

 Materiais condutores
 Facilita o fluxo de carga elétrica

 Materiais isolantes
 Dificulta o fluxo de carga elétrica
Semicondutores
 Resistividade (r)
RA
r    cm
l
 Oposição ao fluxo de carga elétrica.

 Condutor (Cobre): r  10-6 .cm

 Isolante (Mica): r  10+12 .cm
Semicondutores
 Materiais semicondutores

 Resistividade típica:
r  50  10+3 .cm
 Silício (Si):
 Germânio (Ge): r  50 .cm

 Nível de condutividade intermediária entre

isolantes e condutores.
Semicondutores
 Dos estudos de química...

 Última camada:
 Camada de valência

 Átomos com 4 elétrons nesta camada são chamados

átomos tetravalentes (carbono, silício e germânio).
Semicondutores
 Estrutura atômica
 Cristalina chamados tetravalentes
 Elétrons livres
– sensíveis à ddp aplicada
 Existe aproximadamente:
 1,5  10+10 elétrons livres em 1 cm3 (Si Intrínseco)
 2,5  10+13 elétrons livres em 1 cm3 (Ge Intrínseco)
 Semicondutores
6

 Temperatura, Luz e Impurezas

 Aspropriedades elétricas dos semicondutores

são afetadas por variação de temperatura,
exposição a luz e acréscimos de impurezas.
Semicondutores
Semicondutores
 Portadores de Carga
 Maus condutores no estado intrínseco

 Temperatura >>
 Elétrons livres >>
 Resistência <<

 Coeficiente de temperatura negativo!

 Níveis de Energia
9

 Energia necessária para conduzir:

Banda de
condução
Banda de
Elétrons condução
livres
Banda
proibida

Lacunas Banda de
Valência
Banda de
Valência

isolante semicondutor condutor

Materiais Extrínsecos
 Dopagem do Tipo P e N
 Aplicação de impurezas (cuidadosamente) para
controlar a condutividade do material a partir de
fontes elétricas, térmicas ou luminosas.

 Formar Material do Tipo N

 Impureza pentavalente: Fósforo, Arsênio e Antimônio

 Formar Material Tipo P

 Impureza trivalente: Boro, Alumínio e Gálio
 Material Tipo N
 Introduz um elétron “livre”
Elétron
“livre”

Silício

elétron
Antimônio
(Sb)

Dopante
pentavalente

Material continua neutro: nº protons núcleo = nº elétrons órbita

Material Tipo P
 Introduz uma “lacuna”

Buraco
livre Silício

elétron
Boro (B)

Dopante
trivalente

Material continua neutro: nº protons núcleo = nº elétrons órbita

Efeito na Banda de Energia
 Material Tipo N
 Dopagem 1 parte em 10 milhões
 Elétron inserido necessita de menos energia para se
tornar condutor

 Portadores Majoritários
 Elétrons (-) no Material Tipo N

 Portadores Minoritários
 Lacunas (+) no Material Tipo P
Diodo
 Estruturalmente temos:
 Material P  íons receptores + “lacunas” livres
 Material N  íons doadores + elétrons livres

Material p Material n
+ + + - - -
- - - + - + +
+ + +
- + - -
+ - - +- -
- + + +
+ + -
- + + - + - - + -
- - - + + +
Diodo
 A Junção do material do tipo P com o material
do tipo N produz o Diodo.

Material p Material n
+ + + - - -
- - - + - + +
+ + + +
- + - - - - +- -
- + + +
+ + -
- + + - + - - + -
- - - + + +
Diodo
 Próximo à junção, os elétrons livres do material
do tipo N migram para as “lacunas” livres do
material do tipo P (atração elétrica).

Material p Material n
+ + + - - -
- - - + - + +
+ + + +
- + - - - - +- -
- + + +
+ + -
- + + - + - - + -
- - - + + +
Diodo
 Forma-se então uma zona de depleção onde há
apenas íons negativos e positivos fixados pela
estrutura cristalina.

Material p Material n
+ + - -
- - - + - + +
+ + +
- + - - - +- -
- + + +
+ + -
- + + - - + -
- - - + + +
Diodo
 Forma-se um campo elétrico que impede esse
movimento E

Tipo N Tipo P
 O tamanho da zona de depleção depende:
 Do material intrínseco (Si, Ge)
 Da quantidade de impurezas
Diodo
 Aplicando uma tensão (polarização reversa)
 Elétrons são atraídospara potencial positivo
 “Lacunas” são atraídas para potencial negativo

Material p Material n
+ + - -
- - - + - + +
+ + +
- + - - - +- -
- + + +
+ + -
- + + - - + -
- - - + + +
Diodo
 Aumento da zona de depleção, impedindo elétrons
livre alcançarem “lacunas” livres através dessa zona.
 Presença de corrente reversa (saturação) – Is
 Devido a impurezas – minoritárias – dos materiais.

Material p Material n
+ + - -
- - - + + +
+ + -
+ - + - - - +- -
- + + +
+ -
- + + - - + -
+ - - - + + +
Is
Diodo
 Aplicando uma tensão (polarização direta)
 Elétrons são afastados pelo potencialnegativo
 “Lacunas” são afastados pelo potencial positivo

Material p Material n
+ + - -
- - - + - + +
+ + +
- + - - - +- -
- + + +
+ + -
- + + - - + -
- - - + + +
 Diodo
 Redução da zona de depleção, facilitando elétrons
livre alcançarem “lacunas” livres através dessa zona.
 Pouca energia para que elétrons e “lacunas” livres
cruzem a junção (corrente Imajoritários)

Material p Material n
+ + + - - -
- - - + - + +
+ + + + -
- + - - - - + -
- + + +
+ + -
- + + - + - - + -
- - - + + +
Imajoritários Is
Diodo
 Note que existe uma tensão mínima aplicada
pela bateria/fonte que consegue “zerar” a zona
de depleção (potencial de junção).
 Vjunção = 0,7 V
 Silício

 Germânio  Vjunção = 0,3 V

 Quando polarizado diretamente

 o diodo conduzirá corrente quando a tensão
direta aplicada for maior que o potencial de junção.
 Vdireta > Vjunção.
Referências

 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

 Boylestad & Nashelsky