Aula 6 - Tiristores e Transistores

de Potência
Tiristores
 Tiristores
• Tiristores são dispositivos que podem ser considerados como diodos
controláveis. Tiristores, assim como diodos, estão disponíveis para tensões
e correntes nominais muito elevadas, o que os torna atraentes para uso
em aplicações que requerem altos níveis de potência.
• O nome tiristor se aplica a qualquer chave de estado sólido construída a
partir de quatro camadas alternadas PNPN, podendo ter dois, três ou
quatro terminais e conduzir em uma ou duas direções.
Aplicações
 Diodo de Quatro Camadas
Unilateral
• O estudo dos tiristores deve começar pelo dispositivo que
origina toda a família, o diodo de quatro camadas ou diodo
Shockley (não confundir com o diodo Schottky, com duas
camadas e usado para altas frequências). A Figura mostra
estrutura, e curva característica.
• Com polarização reversa o diodo comporta-se como um
diodo comum, apresentando altíssima resistência. Se a
tensão reversa exceder a tensão de breakdown (UBK), o diodo
será́ destruído.
• Com polarização direta o diodo apresenta alta resistência
enquanto a tensão for menor do que um valor chamado de
tensão de breakover (UBO).
• Quando a tensão no dispositivo atingir esse valor, o
dispositivo conduz bruscamente, dizemos então que houve o
disparo. Após disparar, a tensão cai para aproximadamente
1V e voltando a cortar quando a tensão (corrente) de anodo
cair abaixo de um valor chamado de tensão (corrente) de
manutenção, UH (IH).
• Para explicar o disparo da estrutura de quatro camadas usamos o
modelo com dois transistores, um NPN e outro PNP, como na figura a
seguir. O dispositivo pode ser imaginado como mostrado, com dois
transistores, um PNP ligado ao anodo e outro NPN ligado ao catodo. As
conexões entre os dois são tais que aparece uma realimentação
positiva.
• A corrente de anodo pode ser determinada em função dos ganhos de
corrente dos transistores da, resultando a expressão a seguir:

em que α1 e α 2 são os ganhos de corrente dos transistores e ICBO a corrente

de fuga com o emissor aberto.
• Da expressão anterior concluímos que, para baixos valores de corrente
(corte), como os valores dos ganhos são também baixos, a corrente de
anodo tem valor próximo da corrente de fuga; dizemos que o dispositivo
está cortado (comportamento de chave aberta).
• Quando a tensão aplicada se aproxima da tensão de disparo (U BO),
os valores dos ganhos aumentam e exatamente para U = U BO a
soma tende para 1, ocorrendo o disparo. Esse mecanismo de
disparo é por tensão. Caso seja injetada uma corrente em um
terceiro terminal, o disparo pode ocorrer com valores de tensão
bem abaixo da tensão de breakover (UBO).
• Qualquer mecanismo que provoque um aumento interno de
corrente pode disparar a estrutura de quatro camadas, dentre eles
temos:
Aumento de temperatura

Incidência de radiação luminosa (LASCR - SCR ativado por luz)

Taxa de variação de tensão (dv/dt)

Injeção de corrente (SCR)

  O Retificador Controlado de Silício (SCR)

• É basicamente o diodo de quatro camadas com o terceiro terminal

de controle (porta) para injeção de corrente e controlar o disparo
(daí o nome Retificador Controlado de Silício - SCR em inglês). A
Figura mostra a construção física (simplificada), o símbolo e a
curva característica.
• O SCR tem três regiões de operação: bloqueio reverso, bloqueio
direto e a condução após o disparo.
  As Regiões de Operação
• O SCR tem três regiões de operação, consideradas a seguir, com
IG = 0.
• O anodo é negativo em relação ao catodo, e nessas condições o SCR
comporta-se exatamente como um diodo comum. Se a tensão reversa
aumentar além da tensão de breakdown (UBK), o SCR será́ destruído
pelo efeito avalanche.
• O anodo é positivo em relação ao catodo, mas a tensão não é
suficiente para disparar o SCR. Para disparar o SCR com o gate aberto
(IG = 0).
• É necessário que a tensão de anodo atinja um valor chamado de
tensão de breakover (UBO). Se UA for menor do que UBO, o SCR
continuará cortado.
• Quando a tensão de anodo atingir o valor UBO, o SCR dispara, isto é, a
corrente de anodo passa bruscamente de zero para um valor
determinado pela resistência em serie com o SCR. A tensão no SCR cai
para um valor baixo (0,5V a 2V dependendo da corrente), e nessas
condições o SCR tem comportamento de chave fechada, mas com
dissipação de potencia. A intensidade da corrente é dada por:
• O SCR só volta a cortar quando a tensão de anodo (corrente de
anodo) cair abaixo de um valor chamado de tensão (corrente) de
manutenção, UH (I) H cujo valor depende do SCR.
• Por exemplo:
 TIC106 tem IH  0,5mA,
 TIC116 tem IH  15mA.
• O disparo pode ser justificado da mesma forma feita para o diodo
de quatro camadas através do modelo com dois transistores. A
diferença é que, com a presença do gate, a injeção de corrente
permitirá controlar o disparo da estrutura de quatro camadas, maior
a corrente injetada, menor a tensão de anodo necessária para
disparar a estrutura de quatro camadas.
• Se for injetada uma corrente na porta (IG), será́ possível disparar o
SCR com tensões de anodo bem menores do que UBO. Quanto
maior a corrente de porta injetada, menor a tensão de anodo
necessária para disparar o SCR, por isso o nome diodo controlado.
 Exemplo de SCR Comercial
• Após o disparo, o gate perde o controle sobre o SCR, isto é, após
o disparo o gate pode ser aberto ou curto-circuitado ao catodo
que o SCR continua conduzindo. O SCR só́ volta ao corte quando
a corrente de anodo cair abaixo da corrente de manutenção (IH).
• A tensão máxima que pode ser aplicada entre anodo e catodo no
sentido direto com IG = 0, como vimos, é chamada de UBO, mas
muitas vezes é designada de VDRM. Essa informação muitas vezes
vem codificada no corpo do SCR, por exemplo:
• Outra informação importante é a máxima tensão reversa que pode ser
aplicada sem que ocorra breakdown. Ela é designada por VRRM, tipicamente
tem o mesmo valor de VDRM.
• Os valores de corrente também devem ser conhecidos, I T, é a máxima corrente
que o SCR pode manipular e pode ser especificada em termos de valor
continuo ou eficaz (RMS) e depende da temperatura e do angulo de condução
(ϴF). Por exemplo, o TIC 106 pode conduzir uma corrente uma corrente
contínua de até 5A.

• A corrente de gate necessária para disparar o SCR é designada IGT e pode ser
da ordem de µA no caso do TIC 106. Os SCRs são encontrados em diversos
tipos de encapsulamento, dependendo da corrente. No caso mais comum o
SCR tem encapsulamento TO-220.
• A tabela seguinte mostra alguns limites importantes do
modelo 106 obtidos de um data sheet.
  Circuito de disparo
• Em muitas aplicações, devido à necessidade de isolamento
elétrico entre o circuito de comando e o de potência, o
sinal de disparo deve ser isolado por meio de algum
dispositivo como, por exemplo, transformadores de pulso
ou acopladores óticos.
• Disparo CC
• Disparo CA
• Disparo Sinais Pulsados
Transistores de
Potência
 Introdução
Curvas características
Equações
Exercícios:
Exercícios