Unidade 3

Estudo de Caso:
TBJ npn polarizado em conexão
emissor-comum.

1
 Elétrons fluindo do emissor para o coletor

coletor

base

emissor

Maior parte dos elétrons (99%) seguem diretamente para o coletor.

Polarização deste caso: TBJ na região ativa (B-E direta e B-C reversa).
2
 Correntes no transistor

IB IC
 

IE
 

Ganho de Corrente:
3
Fórmulas derivadas

IC
IB
 

IE

   

 
Potência dissipada no transistor:
4
Problema Prático
 Dado:
𝑹𝑪
 
= 200
Calcule: e  𝑹𝑩

 𝑽 𝑹 =𝑽 𝑩𝑩 −𝑽 𝑩𝑬 =𝟐 𝑽 −𝟎 , 𝟕 𝑽 =𝟏, 𝟑 𝑽
𝑩

 
= = 13 µA

 
= (200)(13 µA) = 2,6 mA
 
= 10 V – (2,6 mA)(1 ) = 7,4 V 5
Traçando uma curva do Coletor, para IB = 10 µA (TBJ 2N3904)

1)Variar VBB até obter IB = 10 µA.

IB IC 2)Com IB fixo variar VEC e IC :

 
. Se VEC = 0 então IC = 0.
. Se VEC cresce de 0V a 0.4 V,
IE IC cresce de 0 mA a 1 mA.
(região de saturação).
. Se VEC cresce de 0,4V a 40 V,

ruptura
região ativa IC fica constante em 1 mA
(região ativa).
. Se VEC cresce além de 40 V,
ocorre ruptura do diodo
coletor.
6
região de saturação
 Traçando outras curvas do coletor

7
Problema Prático
Calcular VCE sabendo que:
 
IC = 1 mA, IC
IB
RC = 3,6  

VCC
IE

 
VCE = VCC – ICRC

VCE = 10 V – (1 mA)(3,6 ) = 6,4 V