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(2000)

Andr Garcia

1.

Radiao Sncrotron

2.

Espectro de Absoro

3.

EXAFS

4.

XMCD

HISTRICO General Eletric Synchrotron Accelerator (1946)

Anunciado em 1947 por Frank Elder, Anatole Gurewitsch, Robert Langmuir e Herb Pollock. Descoberta por acidente . Radiao indesejada nos colisores.

FUNCIONAMENTO

Cargas eltricas aceleradas radiao eletromagntica. Eltrons so defletidos por dipolos magnticos luz sncrotron tangente trajetria.

LUZ SNCROTRON

Luz intensa (~1020 fotons/s/mm2/mrad2/0 ,1%BW). Cerca de 1012 vezes mais intensa do que uma mquina de raio-x convencional Luz polarizada: plano polarizada no plano da rbita, elipticamente polarizada fora do plano.

RAIO-X

Onda eletromagntica da faixa de energia aproximada de 300 a 30.000 eV. Raio-x moles: 300 a 3.000 eV utilizados para estudo das transies na borda L dos metais de transio (transies 2p 3d ou 4s) ou borda M dos lantandeos (transies 3d 4s ou np). Raio-x duros: 3.000 a 30.000 eV estudo das bordas K dos metais de transio 3d (1snp) ou bordas L dos lantandeos (2p5d ou 6s).

INTERAO DOS FTONS COM A MATRIA

Espalhamento:

Elstico (Rayleigh) Inelstico (Compton)

Absoro:

Efeito fotoeltrico. Produo de pares

COEFICIENTE DE ABSORO

Decaimento exponencial de intensidade de um feixe de raio-x com a espessura x do material. I = I0e- x mede a probabilidade de absoro de um fton por unidade de comprimento.

COEFICIENTE DE ABSORO

depende do material e uma funo da energia do fton. a soma das probabilidades de interao por efeito fotoeltico (FE), espalhamento Compton (E) e formao de pares (PR). O produto x chamado absortncia. Um grfico que mede a absortncia em funo da energia do fton chamado de espectro de absoro.

Borda de absoro

Sesso de choque de absoro em funo da energia do fton para o chumbo

EFEITO FOTOELTRICO

Na faixa de raio-x a interao dominante a de efeito fotoeltrico. O fton absorvido e sua energia utilizada para elevar um eltron de um estado ligado para o contnuo de estados disponveis.

O EFEITO: Diferena na seo de choque de absoro de raio-x circularmente polarizado esquerda e direita em amostras magnetizadas na direo de propagao do feixe.

Acoplamento do momento angular do fton com o spin do eltron atravs da interao spin-rbita (efeito Fano).

MODELO DE DOIS PASSOS

Acoplamento spinpolariza os eltrons. Eltrons spin-polarizados so excitados para estados desocupados na banda de valncia acima do nvel de Fermi. Banda de valncia atua como um detector de eltrons spin-polarizados.

Modelo de dois passos assimetria da banda de valncia devido a magnetizao

VANTAGENS DA TCNICA:

Seletiva ao elemento borda de absoro. Possvel separao das contribuies de momentos magnticos associados parte orbital e parte de spin atravs de regras de somas.

MONTAGEM EXPERIMENTAL

Raio-X mole. Deteco por corrente ou modo transmisso. Campo magntico varivel (polarizao da luz constante).

EXAFS (Extended X-Ray Absoption Fine Structure)

A tcnica do EXAFS surgiu da observao de oscilaes no espectro de um material que se encontra em um estado condensado. (estrutura fina de absoro de Raio-X)

O livre caminho mdio dos eltrons em um meio condensado depende da energia e praticamente independe do material, seguindo uma curva universal. Na regio onde EXAFS (50 a 1000 eV) o livre caminho mdio do fotoeltron e de apenas alguns A, o que confere a tcnica sua caracterstica de sonda local.

EXAFS
As oscilaes de EXAFS tm origem na interferncia entre a funo de onda do foto-eltron criado no processo de absoro, e a poro dessa funo de onda retro espalhada pelos vizinhos do tomo absorvedor. Essa interferncia modula a probabilidade de se encontrar o fotoeltron no material, que se repete como uma modulao tambm no coeficiente de absoro.

EXAFS Para fotoeltrons com energias entre 30 e 1000 eV (intervalo tpico de um espectro de EXAFS), o livre caminho mdio e sempre menor que algumas dezenas de angstroms. Esse fato faz de EXAFS uma tcnica de caracterizao estrutural sensvel apenas a vizinhana do tomo absorvedor (primeiros vizinhos).