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Andr Garcia
1.
Radiao Sncrotron
2.
Espectro de Absoro
3.
EXAFS
4.
XMCD
Anunciado em 1947 por Frank Elder, Anatole Gurewitsch, Robert Langmuir e Herb Pollock. Descoberta por acidente . Radiao indesejada nos colisores.
FUNCIONAMENTO
Cargas eltricas aceleradas radiao eletromagntica. Eltrons so defletidos por dipolos magnticos luz sncrotron tangente trajetria.
LUZ SNCROTRON
Luz intensa (~1020 fotons/s/mm2/mrad2/0 ,1%BW). Cerca de 1012 vezes mais intensa do que uma mquina de raio-x convencional Luz polarizada: plano polarizada no plano da rbita, elipticamente polarizada fora do plano.
RAIO-X
Onda eletromagntica da faixa de energia aproximada de 300 a 30.000 eV. Raio-x moles: 300 a 3.000 eV utilizados para estudo das transies na borda L dos metais de transio (transies 2p 3d ou 4s) ou borda M dos lantandeos (transies 3d 4s ou np). Raio-x duros: 3.000 a 30.000 eV estudo das bordas K dos metais de transio 3d (1snp) ou bordas L dos lantandeos (2p5d ou 6s).
Espalhamento:
Absoro:
COEFICIENTE DE ABSORO
Decaimento exponencial de intensidade de um feixe de raio-x com a espessura x do material. I = I0e- x mede a probabilidade de absoro de um fton por unidade de comprimento.
COEFICIENTE DE ABSORO
depende do material e uma funo da energia do fton. a soma das probabilidades de interao por efeito fotoeltico (FE), espalhamento Compton (E) e formao de pares (PR). O produto x chamado absortncia. Um grfico que mede a absortncia em funo da energia do fton chamado de espectro de absoro.
Borda de absoro
EFEITO FOTOELTRICO
Na faixa de raio-x a interao dominante a de efeito fotoeltrico. O fton absorvido e sua energia utilizada para elevar um eltron de um estado ligado para o contnuo de estados disponveis.
O EFEITO: Diferena na seo de choque de absoro de raio-x circularmente polarizado esquerda e direita em amostras magnetizadas na direo de propagao do feixe.
Acoplamento do momento angular do fton com o spin do eltron atravs da interao spin-rbita (efeito Fano).
Acoplamento spinpolariza os eltrons. Eltrons spin-polarizados so excitados para estados desocupados na banda de valncia acima do nvel de Fermi. Banda de valncia atua como um detector de eltrons spin-polarizados.
VANTAGENS DA TCNICA:
Seletiva ao elemento borda de absoro. Possvel separao das contribuies de momentos magnticos associados parte orbital e parte de spin atravs de regras de somas.
MONTAGEM EXPERIMENTAL
Raio-X mole. Deteco por corrente ou modo transmisso. Campo magntico varivel (polarizao da luz constante).
A tcnica do EXAFS surgiu da observao de oscilaes no espectro de um material que se encontra em um estado condensado. (estrutura fina de absoro de Raio-X)
O livre caminho mdio dos eltrons em um meio condensado depende da energia e praticamente independe do material, seguindo uma curva universal. Na regio onde EXAFS (50 a 1000 eV) o livre caminho mdio do fotoeltron e de apenas alguns A, o que confere a tcnica sua caracterstica de sonda local.
EXAFS
As oscilaes de EXAFS tm origem na interferncia entre a funo de onda do foto-eltron criado no processo de absoro, e a poro dessa funo de onda retro espalhada pelos vizinhos do tomo absorvedor. Essa interferncia modula a probabilidade de se encontrar o fotoeltron no material, que se repete como uma modulao tambm no coeficiente de absoro.
EXAFS Para fotoeltrons com energias entre 30 e 1000 eV (intervalo tpico de um espectro de EXAFS), o livre caminho mdio e sempre menor que algumas dezenas de angstroms. Esse fato faz de EXAFS uma tcnica de caracterizao estrutural sensvel apenas a vizinhana do tomo absorvedor (primeiros vizinhos).