Ps graduandos: Arquimedes Luciano Maycon Raul Hidalgo

Contemplar aspectos conceituais fundamentais para desenvolvimento e apoio do estudo de caso

O que nanotecnologia Quais os seus objetivos Mtodos de trabalho Principais tendncias ou aplicaes

Manipulao tomo por tomo na escala entre ~0,1 a 100 nanmetros

Criao e uso de estruturas e dispositivos que tenham suas propriedades e funes definidas pelo tamanho

Modificam a maneira de pensar a tecnologia Alteram os processos produtivos de vrios setores industriais
NANOTECNOLOGIA

BIOTECNOLOGIA

TECNOL. DA INFORMAO

1960 1970 1980 1990 2000 2010 2020

 Sntese controlada de blocos de construo (building blocks) como nanoparticulas, nanotubos, nanofibras, etc.

Arranjo dos blocos de construo para formar materiais nanoestruturados (polmeros, cermicas, metais, semicondutores, biomateriais, etc)

Novas e incomuns propriedades fsicas e qumicas ausentes para o Mesmo material quando de tamanho microscpico ou macroscpico so observadas nessa nova escala nanomtrica; Efeitos qunticos mais marcantes flutuaes de campo eletromagntico levando a atrao ou repulso; Efeitos de superfcie mais intensos mais tomos dispersos em uma mesma relao de volume. Catalisadores mais eficientes.

Caractersticas
Propriedades ticas, eletrnicas, magnticas e de reatividade profundamente alteradas
Efeito quntico o pequeno nmero de tomos, provoca limitaes no movimento dos eltrons (confinamento quntico) novas propriedades fsicas em amostras nanoscpicas como por ex. cor e condutividade eltrica Efeito de superfcie maior relao superfcie/volume interfere nas propriedades qumicas, como por ex. na reatividade

Aumento da funcionalidade pelo controle das arquiteturas moleculares Habilidade de construo de materiais e produtos

Fonte: www.mesaplus.utwente.nl/ fon/general_information/

Construo de materiais em escala nanomtrica

De baixo para cima (bottom-up)

A partir dos tomos e molculas Processo de auto-organizao ou autoagrupamento Deposio lenta e controlada de tomos sobre uma superfcie

Nanostructured anatase titaniumoxide obtained with chemical vapor deposition. Source: University of Delft, Department of Chemical Engineering and Materials Science. http://www.stt.nl/stt2/projecten/nano/nanopost ertekst.htm

Construo de materiais em escala nanomtrica

De cima para baixo (top-down)

Escultura de um bloco macroscpico do material tcnicas de litografia

Triturao Esta tcnica pode ocorrer como um processo mecnico-fsico ou mecnicoqumico. O material a ser triturado(metlicos e cermicos), geralmente na forma de p, pulverizado por bolas de triturao altamente energticas em moinhos oscilatrios. O material das bolas e do moinho de triturao deve ser escolhido de forma a serem resistentes abraso, como oxido de zircnio minimizando a contaminao da amostra pela a abraso. Outro fator que se deve levar em conta o meio de disperso para garantir a melhor disperso possvel evitando agregados. Alm disso, o tamanho das bolas de triturao e o tempo devem ser bem escolhidos dependendo da amostra. Esta tcnica, no entanto, produz partculas de tamanhos relativamente amplos e no possvel o total controle sobre a forma da partcula.

Ciclos termais repetitivos Esta tcnica possvel se o material tem uma pequena condutividade trmica, mas uma grande variao de volume em funo da temperatura. Uma grande variao de volume associada com uma transformao de fase pode ser eficientemente utilizada nesta tcnica. Apesar de ser possvel obter partculas bem pequenas, esta no uma tcnica, a qual se pode controlar o tamanho e forma facilmente.

Laser Ablation uma tcnica de remoo de material de uma superfcie slida de um bulk mergulhado em soluo lquida atravs de irradiao por laser. Em baixo fluxo, o material aquecido ao absorver energia do laser e evapora ou sublima. Em um alto fluxo, o material convertido em plasma. Neste ltimo as nanopartculas so formadas durante a condensao da pluma de plasma . Esta tcnica considerada uma tcnica verde alternativa ao mtodo de reduo qumica para obteno de nanopartculas metlicas nobres . Entretanto, o problema desta tcnica a alta energia exigida por unidade de nanopartculas metlicas produzida e o pequeno controle sobre a taxa de crescimento das nanopartculas metlicas

Sonoqumica Irradiaes de ultrassom causam uma cativao acstica formao, crescimento e colapso implosivo de bolhas em um lquido. Estes colapsos implosivos geram regies extremamente quentes (temperaturas de aproximadamente 5000 C) e de alta presso (100 atm) no liquido, conhecidas como pontos quentes ("hotspots")

(PSM) e correo de proximidade ptico (OPC) na espessura de 32 nm. A maioria dos especialistas considera que as tcnicas tradicionais de litografia ptica no vo ser rentveis abaixo de 22 nm. Neste ponto, pode ser substituda por uma nova gerao de litografia tcnica (LGN).12 Litografia por raio-x: Litografia por raios-x pode ser estendida para uma resoluo ptica de 15 nm, utilizando os comprimentos de onda curtos de 1 nm para a iluminao. Isto implementado atravs da abordagem de impresso de proximidade. A tcnica foi desenvolvida para a extenso de processamento em lote. A extenso do mtodo baseia-se na Near Field X-Ray na difrao de Fresnel. O mtodo simples porque no necessita de lentes. Litografia por feixe de eltrons Litografia por UV extemo: uma forma de litografia tica usando comprimentos de onda muito curtos (13,5 nm). a tcnica mais popular entre as Next-Generation Lithography (NGL) que um termo usado

Nanopartculas por nucleao homognea Para a formao de nanopartculas por nucleao homognea, necessria uma supersaturao das espcies em crescimento. Uma reduo da temperatura da mistura saturada poderia levar a uma supersaturao. Um exemplo seria a fabricao de rebites usados na carcaa de aeronaves, onde se usa o Duralumnio e o princpio do endurecimento por precipitao. Outra alternativa de gerar supersaturao seria atravs de reaes qumicas in situ convertendo solues qumicas altamente solveis em solues menos solveis. Por exemplo, nanopartculas de semicondutores que so produzidas por pirlise de precursores organometlicos. Nanopartculas sintetizadas por nucleao homognea podem ocorrer em trs meios:

Nucleao homognea Na nucleao homognea os ncleos da nova fase se forma de maneira uniforme ao longo e toda a fase original. Quando a concentrao de um soluto em um solvente excede o equilbrio de solubilidade ou a se a temperatura diminuda abaixo do ponto de transformao de fase, uma nova fase aparece. Vamos considerar, por exemplo, o caso de uma nucleao homognea na fase slida de uma soluo supersaturada. Ao exceder a solubilidade o soluto causa muita distoro na estrutura cristalina do solvente e a Energia livre de Gibbs aumenta muito. Para que esta energia possa diminuir e uma vez que o soluto no tem como sair da rede, a maneira encontrada a nucleao e formao de uma nova fase

concentrao das espcies em crescimento aumentada abruptamente at uma alta supersaturao e depois rapidamente levada a uma concentrao mnima de nucleao. Abaixo dessa concentrao nenhum novo ncleo formado, enquanto que os ncleos existentes continuaro a crescer at que a concentrao das espcies em crescimento se reduza a uma concentrao de equilbrio. A distribuio de tamanho das nanopartculas pode ser alterada na etapa de crescimento dependendo da cintica desta etapa. O crescimento dos ncleos envolve as seguintes etapas: Gerao de espcies de crescimento Difuso das espcies de crescimento do bulk para a superfcie de crescimento Adsoro das espcies de crescimento na superfcie de crescimento Crescimento da superfcie atravs da incorporao irreversvel de espcies de crescimento na superfcie slida Estes passos podem ser ainda divididos

mida para a sntese de disperses coloidais de compostos inorgnicos e materiais hbridos orgnicos-inorgnicos, em particular xidos e xidos hbridos bsicos. A partir de tais disperses coloidais, ps, fibras e pelculas finas podem ser prontamente preparados. Embora a fabricao de diferentes formas de produtos finais requerer algumas consideraes especficas, os fundamentos e abordagens gerais na sntese de disperses coloidais so os mesmos. O mtodo sol-gel oferece muitas vantagens, incluindo a baixa temperatura de processamento e um nvel homogeneidade molecular. O mtodo solgel particularmente til na fabricao de xidos metlicos complexos, materiais hbridos orgnicos-inorgnicos sensveis a temperatura e os materiais termodinamicamente desfavorveis ou metaestveis. Processamentos tpicos por sol-gel consistem de hidrlise e condensao de precursores. Precursores podem ser tanto metais Alcxido ou sais

sntese solvotrmica um mtodo de produo de compostos qumicos. muito semelhante rota hidrotrmica (em que a sntese realizada num autoclave de ao inoxidvel), sendo a nica diferena que a soluo precursora geralmente no aquoso (no entanto, este no sempre o caso em toda a literatura que usa esta expresso) . Esta tcnica proporciona um controle preciso sobre o tamanho, distribuio da forma e cristalinidade da cristalizao das nanopartculas sintetizadas. Estas caractersticas podem ser alteradas, alterando alguns parmetros experimentais, incluindo a temperatura de reao, tempo de reao, o tipo de solvente, tipo de agente tensoativo o tipo de precursor. O processo de reao conduzida acima do ponto de ebulio do solvente e da presso interna, e envolve um solvente quente dentro de um autoclave (vaso fechado). O processo chamado de sntese hidrotrmica, quando

Gs Inerte de Condensao ou Inert gas condensation (IGC)16 O IGC envolve a evaporao de uma substncia de origem em uma atmosfera de gs inerte. Os nanops produzidos so transportados por conveco e recolhida sobre um substrato frio. Embora este processo seja conhecido desde 1930 para a produo de partculas metlicas ultrafinas, a sua aplicao dirigida produo de nanopartculas no ocorreu at recentemente. Com IGC, geralmente inferido que o processo um processo fsico de deposio de vapor (PVD). Se, alm disso um processo cataltico for envolvido, referimo-nos a ela como deposio de vapor qumico (CVD). CVD envolve a reao ou decomposio trmica de espcies em fase gasosa a temperaturas elevadas (~500-1000 C). Os produtos de PVD e CVD so coletados em uma segunda etapa.

Abordagem cintica2 Crescimento cineticamente controlado consiste em confinar espacialmente o crescimento, assim o crescimento para quando a quantidade limitada de materiais de base ou consumido ou o espao disponvel preenchido. Muitos confinamentos espaciais foram estabelecidos para a sntese de nanopartculas. Em geral confinamentos espaciais podem ser divididos em vrios grupos: gotculas de lquido dentro de uma fase gasosa, incluindo snteses aerossol e Metalizao (spray pyrolysis), gotculas de lquido em lquidos tais como micelas e sntese de micro-emulso, trmino de crescimento e sntese de auto trmino.

Sntese dentro de Micelas ou usando Micro-emulses2 Na sntese de micelas, as reaes prosseguem entre os reagentes que esto disponveis apenas no interior da micela e a partcula para de crescer quando os reagentes so consumidos. Agentes surfactantes ou polmeros de bloco iram residir na interface separando hidrocarbonetos e solues aquosas. Uma micro-emulso uma disperso de finas gotculas lquidas de uma soluo orgnica em uma soluo aquosa. As reaes qumicas podem ter lugar tanto nas interfaces entre as gotculas orgnicas e soluo aquosa, quando os reagentes so introduzidos separadamente em duas solues no-miscveis, ou no interior das gotculas orgnicas quando todos os reagentes so dissolvidos nas gotculas orgnicas.

do aerossol diferente de outros mtodos em vrios aspectos. Em primeiro lugar, o mtodo de aerossol pode ser considerado como uma abordagem top-down, em comparao com outros mtodos, os quais tm uma abordagem bottom-up. Em segundo lugar, as nanopartculas podem ser policristalinas em comparao tanto com um monocristalina quanto com uma estrutura amorfa de nanopartculas preparadas por outros mtodos. Em terceiro lugar, as nanopartculas preparadas precisam ser coletadas e redispersas para muitas aplicaes. Neste mtodo, um precursor lquido primeiramente preparado. O precursor pode ser uma simples soluo de mistura de elementos desejados ou uma disperso coloidal. Tal precursor lquido ento mistified para fazer um aerossol lquido, isto , uma disperso de gotculas uniformes de lquido em gs, o qual pode simplesmente solidificar pela evaporao do solvente ou ainda reagir com os produtos qumicos que esto presentes no

processo em soluo e tem sido amplamente utilizada na preparao de p metlico e de xido de metlicos. O processo pode ser simplesmente descrito como a converso de gotculas lquidas micromtricas de precursores ou uma mistura de precursor em partculas slidas por meio de aquecimento. Na prtica, spray pyrolysis envolve vrias etapas: (china) gerar gotculas micromtricas de precursor lquido ou soluo precursora evaporao do solvente condensao de soluto decomposio e reao do soluto sinterizao das partculas slidas Outra utilizao do spray pyrolysis na fabricao de nanopartculas de GaO3 que o material de partida para nanopartculas de nitrato de glio (GaN) que tm grande potencial na fabricao de "laser diodes", transistores de efeito de alta velocidade, fotodetectores de UV, aparelhos eletrnicos de alta temperatura . Spray pyrolysis tambm foi aplicado com

quanto em sua produo em larga escala. Como se pode observar na figura ao lado, o aparato experimental consiste de um reator em cujo interior h um gs inerte. O anodo formado por grafite dopado com catalisadores, que so metais de transio ou ligas desses metais. Quando o arco ligado, um plasma composto de uma mistura de vapor de carbono, gs inerte e vapor de catalisadores formado como consequncia da energia transferida para o anodo. Como consequencia, uma parte dos produtos se depositam em torno do catodo, outra parte do produto se deposita acima do catodo e h ainda uma outra parte, na forma de fuligem, que se deposita nas paredes e no fundo do reator. Alm disso, sempre h um depsito de nanotubos multi-parede no catodo. Cada um desses produtos possuem uma srie de estruturas de carbono, como nanotubos parede nica, multi-parede, fulerenos, formas amorfas de carbono, dentre muitas outras, dependendo das condies de sntese. Os principais fatores estudados

ejetados da fonte por um bombardeamento de partculas de alta energia(que geralmente so ons gasosos provenientes de um plasma), para que ento esses tomos se condensem na superfcie do substrato na forma de um filme fino. Embora diversas variaes dessa tcnica tenham sido desenvolvidas o processo basicamente o mesmo, e pode ser descrito resumidamente nas seguintes etapas: Primeiramente ocorre o bombardeamento do material alvo com os ons. Ele pode ocorrer atravs da utilizao de uma pistola de ons ou por plasma de baixa presso. Tambm pode ser utilizado um plasma de alta presso, porem nesse caso existe a coliso das partculas com molculas gasosas no espao entre o alvo e o substrato 36 . A coliso dos ons bombardeados com a superfcie alvo causa a ejeo de tomos do material, devido a transferncia de momento entre as partculas. Esses tomos so transportados atravs de uma regio de baixa presso at o

A deposio qumica em fase vapor uma tcnica que permite a obteno de filmes finos atravs da deposio de vapor qumico sobre a superfcie de diferentes tipos de substratos. Esse processo pode ocorrer por meio de diversas fontes de energia e a diferentes presses. A ativao das reaes qumicas que ocorrem nessa tcnica pode ser realizada de forma trmica (TCVD), cuja temperatura gira em torno de 900C, ativao via plasma([[en:PECVD), que acontece em temperatura de 300-500c, ativao fotoassistida,entre outras. Aps os gases entram em contato com a superfcie do substrato acontecem as reaes de deposio em sua superfcie, com crescimento de stios ou ilhas de tomos aps a nucleao, levando a formao de um film

Breve cronologia
1959 Conferncia de Richard Feynman na Sociedade Americana de Fsica 1966 Fantastic Voyage filme baseado no livro de Isaac Asimov 1974 - Norio Taniguchi cunha o termo nanotecnologia 1981 criao do Scanning Tunneling Microscope (STM) Gerd Binnig e Heinrich Rohrer 1985 Descoberta dos Fulerenos Robert Curl, Harold Kroto e Richard Smalley 1986 Publicao do livro Engines of Creation, de Eric Drexler, que populariza o termo nanotecnologia 1989 Descoberta dos nanotubos de carbono, por Sumio Iijima, no Japao

 Na palestra Theres plenty of room at the bottom, Feynman defendeu que no existia nenhum obstculo terico construo de pequenos dispositivos compostos por elementos muito pequenos, no limite compostos tomo a tomo.

Esta fico cientfica sobre o "espao interior", acompanha uma equipe de cientistas em uma viagem submarina atravs do corpo humano em direo ao crebro para a realizao de uma delicada operao. Para combater os organismos sabotadores, a equipe miniaturizada antes de iniciar esta aventura fantstica.

 O STM foi inventado por Gerd Binnig e Heinrich Rohrer, da IBM de Zurich, em 1981 e foi o primeiro instrumento capaz de gerar imagens reais de superfcies com resoluo atmica.

 Fulereno ou buckyball a quarta forma alotrpica do carbono Estes compostos possuem a capacidade de "aprisionar" tomos ou molculas de gases em seus interiores.

 Drexler foi o primeiro cientista a se doutorar em Nanotecnologia no MIT; Este livro descreve um mundo habitado por 'nanorobs autoreplicantes que escaparam ao controle', batizados de grey goo, uma ameaa que considerada fantasiosa por muitos.

Aplicaes prticas: Deteco de gases txicos Pilhas de combustveis Nanotubos supercondutores Msculos artificiais Nanopinas Canhes de eltrons

 Engenharia molecular inspirada na

biotecnologia
Tecnologia eletrnica baseada em semicondutores Equipamentos e processos baseados em novos materiais

 unidades biolgicas + nanoestruturas fabricadas pelo homem materiais bioinorgnicos Ex: combinao das enzimas + chips de silcio biossensores Aplicao: implantados em seres humanos ou animais para monitorar sua sade e liberar doses de medicamentos na medida certa, quando necessrio.

 "substitutivos" humanos biomdicos, como pele artificial, marca-passos e bandagens inteligentes, materiais de substituio (prteses) biocompatveis com rgos e fluidos humanos; kits de autodiagnstico que possam ser utilizados em casa; sensores laboratoriais construdos sobre chips; materiais para a regenerao de ossos e tecidos

 substituio do silcio por nanotubos de carbono e molculas orgnicas potencial de ampliao da capacidade dos microchips a at 1 bilho de bits de informao por chip lasers para optoeletrnica

Curral Quntico

tomos de Fe formando estrutura como barreira para aprisionar eltrons de Cu(111). Esta barreira foi montada atravs do posicionamento individual dos tomos de Fe usando a ponta de um scanning tunneling microscope (STM) a baixa temperatura. Este curral circular tem raio de 7.1 nm e foi construdo com 48 tomos de Fe

Spray dryer com ultra sonicador;

Equipamentos Entre os principais equipamentos utilizados para ver e manipular a matria em escala atmica esto o microscpio de fora atmica (AFM) - para anlise de superfcies em geral, e o Microscpio de Tunelamento (STM) - para amostras condutoras ou semicondutoras. Em escala nano ou micromtrica outras tcnicas podem ser utilizadas

A interao entre vetor eltrico da radiao X e os eltrons do material causa uma difrao. A radiao difratada camada por camada do material, o que requer a presena de uma estrutura organizada e regular para registro. A radiao incidente deve ter comprimento de onda compatvel com o espao interplanar analisado.

Princpio da Difrao de Raios-X

n = 2d sen (equao de Bragg) - n um nmero inteiro e a radiao incidente. Onde d a distncia interplanar do cristal;

Intens.

2theta
Intensidade (CPS)
2000 1500 1000 500 0 0 5 10

5-F:A.S.

60% 2 2,05 2,1 2,15 2,2 2,25 2,3 2,35 2,4 2,45 2,5 2,55 2,6 2,65 332 367 347 385 414 411 440 381 395 377 384 394 395 389

80% 196 199 206 188 237 246 262 292 293 323 313 309 341 341

100% 392 385 379 390 405 395 367 370 394 379 375 429 378 412

60% 80% 100%

15 2teta

20

25

A intensidade registrada, a qual se correlaciona a um ngulo (2 teta) se obtm da ionizao de gases ou slidos CuK cintilogrficos. A amostra deve ser finamente dividida para que se forme uma superfcie plana e pouco irregular, trabalhando-se neste caso com a difratometria de ps.

Distncias interplanares mensurveis:

Planos de um cristal molcula ou polmero; Espaamento de nano-estruturas; Polimorfismo molecular ou polimrico; Conformao de cristais lquidos.

Observar com cuidado a influncia da poro amorfa do material no difratograma obtido.

Nanodispositivos

Infinion: dispositivos eletrnicos totalmente base de nanotubos

Ao contrrio da microscopia tica esta tcnica utiliza eltrons, e no a luz para a formao de imagens. Este princpio, permite visualizar estruturas de menos de um nanmetro, ao contrrio do microscpio tico, de alcance micromtrico.

Microscpio eletrnico de varredura: utilizado para avaliar estruturas superficiais ou sub-superficiais. So imagens tridimensionais e a amostra de fcil preparao. Opera sob vcuo, produzindo um sinal eltrico para cada ponto da imagem varrido.

Detecta eltrons secundrios gerados na superfcie da amostra. Detecta tambm, eltrons retro-espalhados em at 1 micra de profundidade. O ouro retro-espalha mais eltrons que o carbono.

MET: analisa a imagem em uma determinada profundidade. O princpio de funcionamento se assemelha ao MEV.

Nanomotores ?

Equipamentos e processos baseados em novos materiais

Indstria qumica
catalisadores que aumentem a eficincia energtica das plantas de transformao qumica e que aumentem a eficincia da combusto dos veculos motores (diminuindo assim a poluio); ferramentas de corte extremamente duras e resistentes, fluidos magnticos inteligentes para uso como lubrificantes; nanocompsitos que combinam propriedades de materiais dspares, tais como, polmeros e argilas.

MEMS (Micro Electro-Mechanics Systems)

Um pequeno conjunto de engrenagens construdas no Laboratrio Nacional de Luz Sincroton

 A Nissan desenvolveu uma pintura nanotecnolgica que se regenera sozinha aps sofrer pequenos riscos. Isso pode demorar de um dia a uma semana, dependendo da temperatura do ambiente e da profundidade do risco. Alm disso a pintura mais difcil de ser arranhada que as comumente usadas e dura 3 anos.

Setor de instrumentao
engenharia de preciso, visando produo de novas geraes de microscpios e de instrumentao para medida, para novos processos e desenvolvimento de novas ferramentas para manipular a matria em nvel atmico; incorporao de nanops, com propriedades especiais em materiais a granel, tais como os sensores que detectam e corrigem fraturas iminentes;

Setor de energia
novos tipos de baterias; fotossntese artificial que permita a produo de energia de modo ecolgico; armazenagem segura de hidrognio para utilizao como combustvel limpo; economia de energia, resultante da utilizao de materiais mais leves e de circuitos cada vez menores.

Setor de Defesa
detectores e remediadores de agentes qumicos e biolgicos; materiais e recobrimentos nanoestruturados muito mais resistentes; tecidos mais leves e com propriedades de auto-reparao; sistemas de segurana miniaturizados.

Projetos aprovados - Chamada Pblica MCT/FINEP/Subveno econmica inovao - 01/2006 - Tema: Nanotecnologia
Empresa AEGIS SEMICONDUTORES LTDA BRASKEM S/A CHEMY - CHEMYUNIOM QUMICA LTDA CLOROVALE DIAMANTE E INDSTRIA E COMRCIO LTDA EMS S.A. FGM PRODUTOS ODONTOLGICOS LTDA. FK BIOTECNOLOGIA S. A INDSTRIAS QUMICAS TAUBAT S.A ITAJARA MINRIOS LTDA SCIENCE SOLUTION SUZANO PETROQUMICA S.A VIGODENT S/A INDSTRIA E COMRCIO Ttulo Projeto de display monocromtico POLED Desenvolvimento e estudo de nanocompsitos de policloreto de vinila Desenvolvimento de tecnologia transdrmica Pesquisa, desenvolvimento e industrializao de produtos nanoestruturados Nano/submisso partculas como carreadores de frmacos com alta disponibilidade farmococintica Desenvolvimento de materiais dentrios contendo nanopartculas como carga Consolidao das atividades de pesquisa, desenvolvimento e inovao da FK Produo de materiais hbridos nanoestruturados

Desenvolvimento de equipamento inovador para sntese de xidos nanoparticulados como matria primas
Design de cermicas nanoestruturadas para aplicao em plstico Desenvolvimento de nanocompsitos propilenoargila: mtodos de obteno e viabilidade industrial

Auto-suficincia na fabricao de nanocompsitos

Cenrio brasileiro
Produtos nacionais: lngua eletrnica nanodosmetro de radiao UV, fotodetetor de radiao ionizante, nanoestruturas de memria Flash, vacinas por transferncia gnica, frmacos de liberao controlada circuitos integrados base de silcio.