Transistor - BJT

Departamento de Engenharia Electrotcnica (DEE)
O transistor de juno bipolar (BJT)

E n p n
Colector
Bipolar dois tipos de cargas, electres e buracos, envolvidos nos fluxos de corrente Juno duas junes pn. Juno base/emissor e juno base/colector
Emissor
B
Base
C p n p
Colector
Tipos tipos NPN e PNP. Terminais Base, Emissor e Colector
Emissor
Smbolos -
Base
NPN
Base
Colector
PNP
Base
Emissor
Emissor
Colector
Electrnica II - Cursos de Eng Electrotcnica e Eng de Electrnica e Computadores
Lus Verssimo, Fevereiro de 2002
Fluxos de corrente num transistor npn operando na ZAD
E
n
Injeco de electres
C
p n
Injeco de buracos
iE iC A juno Emissor/Base directamente iB B polarizada A juno Base/Colector inversamente polarizada VCB VBE A espessura da regio da base tipicamente 150 vezes inferior espessura do dispositivo. E de portadores minoritrios A polarizao directa da juno (buracos) da base para o emissor base/emissor causa um fluxo de portadores maioritrios (electres) da A soma destes dois fluxos conduz corrente de emissor IE. regio n para a regio p.
Fluxos de corrente num transistor npn operando na ZAD

O transistor construdo de tal forma que praticamente toda a corrente constituda pelo fluxo de electres do emissor para a base. A regio do emissor muito mais fortemente dopada do que a regio da base. A regio da base muito fina comparada com a espessura das regies do emissor e do colector. Os electres que fluem do emissor para a base, atravessam esta regio e so atrados para o colector,
E
n
Injeco de electres
C
p n
Injeco de buracos
iE
iB
VBE
iC
VCB
antes de haver tempo para a recombinao com os buracos na base. A corrente no colector da mesma ordem de grandeza da corrente no emissor.
Fluxos de corrente num transistor pnp operando na ZAD
E
p
Injeco de buracos
C
n p
Injeco de electres
O transistor PNP opera de forma semelhante ao descrito para o transistor NPN A tenso VEB polariza directamente a juno EB. A tenso VBC polariza inversamente a juno CB.
iE
iB
VEB
iC
VBC
No transistor PNP as correntes so sobretudo devidas a correntes de buracos. As correntes de difuso de electres livres da base para o emissor so muito pequenas em comparao com as correntes de buracos em sentido contrrio. A regio do emissor, tal como no transistor NPN, muito mais fortemente dopada do que a regio da base. A espessura da base muita pequena em comparao com as dimenses do dispositivo.
Transistor de juno bipolar (BJT)

C
vCB iC vCE iE iB vBE
(convenes)
vEB
E
iE vEC iC iB vBC
NPN
PNP
Os sentidos de referncia adoptados para tenses e correntes aos terminais do transistor so escolhidos de tal modo que, para o funcionamento na zona activa directa, as correntes so positivas. O funcionamento dos dois tipos de transistores muito semelhante; quando se passa de um para outro, todos os resultados se mantm se se trocarem os sentidos das tenses e correntes.
Transistor de juno bipolar (BJT)

(modos de operao)
Modo de operao Zona Activa Directa (ZAD) Zona de Corte (ZC) Zona de Saturao (ZS)
Juno EB
Juno CB
Aplicaes
Polarizada directamente Polarizada inversamente Polarizada directamente
Polarizada inversamente Polarizada inversamente
Amplificadores
Polarizada directamente
Interruptores Portas lgicas Circuitos TTL Etc..
Transistor de juno bipolar (NPN)

(Equaes - resumo) Zona de Saturao (ZS) iC < . i B v BE v BE on = 0 , 7 V v CE = V CE sat 0 , 2 V
Zona Activa Directa (ZAD)
iC = . i B i C = .i E v BE v BE on v CE > V CE sat
i E = ( + 1). i B e iC = .i E +1 = 0 , 7V e
Zona de Corte (ZC)
i B = iC = i E = 0 v BE < 0 , 7 V

Modelos para sinais fortes
C iC ISe B iB vBE iE E E
v BE VT
iC .iE
iB vBE iE
a) Fonte de corrente controlada por tenso

B vBE iB iC C
vBE VT
b) Fonte de corrente controlada por corrente

B vBE iB iC .i B iE E C
IS e iE E
c) Fonte de corrente controlada por tenso
d) Fonte de corrente controlada por corrente

Transistor de juno bipolar (PNP)

E vEB B iB
vEB
Modelos para sinais fortes

iE vEB B iB
iE
IS e V T iC C C
.iE iC
a) Fonte de corrente controlada por tenso

E iE vEB B iB ISe iC
v BE VT
b) Fonte de corrente controlada por corrente

E iE vEB .iB iC C
iB
c) Fonte de corrente controlada por tenso
d) Fonte de corrente controlada por corrente

Curvas caractersticas do BJT ( npn)

iB=f(vBE) para vCE constante
iB iC
iB
T 1>T 2>T 3
T1 T2 T3
i C = I S . exp( iB=
vBE
v BE ) VT
IS v . exp( BE ) VT
0,5 0,8
vBE
0,5
0,8
Habitualmente considera-se VBE=VBEon 0,7V
Efeito da temperatura na caracterstica iB-vBE de um transistor npn. vBE decresce aproximadamente 2mV/C.
Curvas caractersticas do BJT ( npn)

iC=f(vCE) para iB constante
.. i B=.
i B=...
Zona activa directa
iC
Zona de saturao
VCE
iC
V BE
i B=...
iB=...
iB=...
-V A
vCE VA tenso de Early

Zona de corte
Anlise de circuitos dc com o BJT (npn) - (Recta de carga esttica)

Da malha de sada tem-se:
VBB R B
330k
5k
RC
IB
B
IC
VBB +10V
VCC + R C I C + VCE = 0 IC = VCC VCE RC ou IC = 1 VCC + RC RC
4V
IE
iC
VCC RC
.. i B=.
iB=...
Equao de uma recta, em que:
para I C = 0 ==> VCE = VCC para VCE = 0 ==> I C = VCC RC

ICQ
(1mA)
PFR
iB=10A
iB=...
iB=...
PFR - ponto de funcionamento em repouso
PFR (VCEQ , I CQ )
VCEQ (5V)
VCC vCE

(Exemplos)
=100 VBEon=0,7V
+10V +10V RC RC
2,7k
C B E
+10V RC
5k
5k
RB VB
4V 330k
iB
B
iC
VB
RB
100k
iB
iC
B
iC
5V
iE
10k
iE
iE
3,3k
RE
RE
-10V
a)
b)
c)
Transistor de juno bipolar (PNP)

(Exemplos)
=100 VEBon=0,7V +10V +10V RE
10k
E B C
+10V
RB VB
6V 330k
iB
B
iE
RB
3,3k
RE
iB
iE
B
iE
iC
VB
5V
100k
5k
RC
iC
5k
iC
2,7k
RC
RC -10V
a)
b)
c)
Anlise de circuitos dc com o transistor de juno bipolar (npn) - (Exemplo)

1. Malha de entrada
V BB + R B .I B + V BEon = 0 IB = IB = V BB VBEon RB 4 0, 7 = 10 A 330 k
3. Malha de sada
VCC + R C .I C + VCE = 0 VCE = VCC R C .I C VCE = 10 5k.1m VCE = 5V
5k
RC
2. Equaes do BJT
I C = .I B I C = 100 .10A = 1mA I E = I C + I B = ( + 1).I B I E = 101 .10A = 1,01mA I E 1mA
RB VBB
4V 330k
IB
B
IC
IC
VBB +10V
IB
IE
Exemplos de polarizao dc de circuitos com BJTs

VCC RC
RB
iB
B
iC iE
V CC
RB
RC
C
IC
V CE
V CC
IB
V BE
Malha Base-Emissor
VCC + I B R B + VBE = 0 V VCE I B = CC RB
Malha Colector-Emissor I C = .I B
VCC + I C R C + VCE = 0 VCE = VCC I C R C
Exemplos de polarizao dc de circuitos com BJTs (polarizao por divisor de tenso)

V CC RC
V CC RC R TH V TH
C B E
R B1
iB
B
iC iE
R B2
IB
R TH = R B1 // R B2 VTH = R B2 .VCC R B1 + R B2
V BE
Polarizao por divisor de tenso

(equivalente de Thvenin da malha Base-Emissor)
VCC
RB1 VTH RB2
RTH
VTH
R B2 = .VCC R B1 + R B2
R TH = R B1 / / R B2
Electrnica I - Cursos de Eng Electrotcnica e Eng de Electrnica e Computadores
Lus Verssimo, Abril de 2002
Polarizao por divisor de tenso e resistncia no Emissor

VCC RC
C B
RB1
RC R TH V TH
IC
V CC V BE
RB2
IB
V BE RE
RE
A introduo de uma resistncia no emissor traduz-se em circuitos com boa estabilidade do seu ponto de funcionamento em repouso (PFR) e faz com que a corrente IC seja praticamente independente do valor de b e a corrente IB praticamente independente de RB.
VTH + R TH I B + VBEon + R E IE = 0 VTH + R TH I B + VBEon + ( + 1)R E I B = 0 IB = VTH VBEon R TH + ( + 1)R E
IC = .IB IE = ( + 1).IB
VCC + R CI C + VCE + R E I E = 0 VCE = VCC R C I C R E IE VCE VCC (R C + R E ).IC
Polarizao com resistncia de rectroaco colector-base e resistncia no emissor

VCC RB RC VCC RC RB VCE VBE RE RE RE RC VCC
RB
VCC + R C ( I C + I B ) + R B I B + VBE + R E I E = 0 VCC + ( + 1) R C I B ) + R B I B + VBE + ( + 1) R E I B = 0 IB = VCC VBE R B + ( + 1) R C + ( + 1) R E
I C = .I B
VCC + R C ( I C + I B ) + VCE + R E I E = 0 VCC + R C I E + VCE + R E I E = 0 VCE = VCC ( R C + R E ) I E
Polarizao com duas fontes de tenso

V CC RC RC RB RB RE -V EE
V CC
IB
RE V EE RE V EE
R B I B + VBEon + ( + 1) R E I B VEE = 0 IB = VEE VBEon R B + ( + 1) R E
I C = .I B
VCC + R C I C + VCE + R E I E VEE = 0 VCE = VCC + VEE R C IC R E I E
Polarizao com fonte de corrente

V CC RC
RC V CB V CC
RB
RB
I -V EE IE = I I C = .IE IE IB = IE +1 VCC + R C IC + VCB + R B IB = 0 VCE VCE = VCB + VBE = VCC R C IC R B IB + VBE

Hiptese: ZAD IB>0; IC = .IB; VBE=VBEon=0,7V; VCE>VCEsat
Verificao da zona de funcionamento de um circuito com BJTs

Parte-se da hiptese que o BJT est na ZAD; Calcula-se IB a partir da malha de entrada, ou base-emissor; Se o valor obtido para IB for nulo ou negativo conclui-se que o BJT est na ZC - Zona de Corte; IB=0; IC=0 e IE=0; o VBE inferior a 0,7V. Se o valor de IB for positivo calculamos IC=IB e calculamos VCE a partir da malha colectoremissor. Se o valor obtido para VCE for inferior ou igual a VCEsat, conclumos que o BJT est na ZS- Zona de saturao. VCE=VCEsat e h que calcular ICsat da malha de sada (ICIB). Se o valor de VCE for superior a VCEsat, ento o BJT encontra-se mesmo na ZAD e VCEQ e ICQ so os obtidos nos clculos anteriores.
Calcular IB
(malha baseemissor)
IB>0 Sim Calcular V CE

(malha colectoremissor)
No
Zona de Corte
IB=0; IC =0; IE=0 VBE<0,7V PFR(V CE, 0)
No
VCE>VCEsat
Sim Zona Activa Directa

PFR(V CEQ,ICQ) Zona de Saturao VCE=VCEsat =0,2V PFR(V CEsat ,ICsat )
Funcionamento do BJT no corte e saturao

Zona de Corte : Vi < 0,7V V VBEon IB = i < 0 Vi 0,7 < 0 RB IB = 0 IC = 0
Zona de Saturao : Vi > 1,9 V ICsat = VCC VCEsat 5 0,2 = = 1,2 mA RC 4k I Csat 1,2mA = = 12A 100 V 0,7 = i > 12 A 100 k
Vo(V) 5
5V
0 < Vi < 5V
RB = 100k
i V
iC
4k o V
RC
iB
Corte
I Csat < .I Bsat I Bsat > I Bsat = Vi VBEon RB
it a c v a a n o Z
Vi > 100k.12 + 0,7 = 1,9 V

Saturao
Zona Activa Directa : 0,7 < Vi < 1,9V
0,2 0,7 1,9 5 Vi(V)
Funcionamento do BJT no corte e saturao

V VBEon 6 0,7 I B = BB = = 16A ( + 1)R E 101x3,3k I C = 100.16A = 1,6mA VCE = VCC R C I C R E I E VCE = 10 4,7k.1,6m 3,3.1, 6m VCE = 2,8V < VCEsat = 0, 2V ZS I Csat = VCC VCEsat VRE 10 0, 2 5,3 = = 0,96mA RC 4, 7k
+10V 4,7k +6V
I Bsat = I Esat ICsat = 1, 6m 0,96m = 0,64mA
3,3k
O BJT como amplificador

Condies DC
As condies de polarizao DC obtm-se considerando vbe=0 I C = I S exp( vBE / VT ) IB = IC / IE = IC / VCE = VCC RC I C
VBE
IC
RC VCC VCE
IB
IE
Condies DC; vbe=0
Sobreposio de um sinal AC tenso DC

Se for aplicada uma tenso AC de valor vbe, a tenso vBE, valor total instantneo, :
iC
RC V CC
vBE = VBE + vbe

Da mesma forma tem-se para a corrente iC:
v be V BE
iB
vBE V CE
iC = I S exp( vBE / VT ) = I S exp[( VBE + vbe ) / VT ] = I S exp( VBE / VT ).exp( vbe / VT ) = I C exp( vbe / VT )
iE
Condies AC; vbe0


Utilizando a aproximao
ex 1 + x
se
x << 1
Se vbe << VT tem se exp( iC = I C ( 1 + vbe / VT ) = IC + como iC = I C + ic
vbe v ) 1 + be VT VT
IC vbe = IC + g m vbe VT I tem se ic = C .vbe VT
iC I C 1 I C = + vbe VT 1I g ib = C vbe = m vbe VT iB =

r = ib = ou vbe = ib gm 1 IC g vbe = m vbe VT r = VT IB
Define se
gm =
ic I = C vbe VT
gm designado por transcondutncia

iC iC IC PFR
t
VBE
vBE
Operao de um transistor em sinais fracos: um sinal fraco vbe com a forma sinusoidal sobrepe-se tenso VBE, o que d origem a uma corrente no colector em AC, ic, tambm de forma sinusoidal que se sobrepe corrente DC, IC; ic=gm.vbe.
vbe
t
O BJT como amplificador modelos para sinais pequenos

O modelo -hbrido
B
ib vbe ic ib vbe ic
r ie
gm vbe
r ie v be r
. i b
a)
ic = g mvbe
E
gm = IC VT ou
b)
ic = .i b e ib =
E
com r = VT IB
com
As figuras a) e b) representam duas verses ligeiramente diferentes do modelo -hbrido simplificado do transistor de juno bipolar operando com sinais pequenos: Em a) o BJT representado por uma fonte de corrente controlada por tenso [amplificador de transcondutncia] Em b) o BJT representado por uma fonte de corrente controlada por corrente [amplificador de corrente]

O modelo em T
ic = g mvbe ou ic = .ie com e re = VT IE ie = vbe re com gm = IC VT
ic
ic
ib
g mvbe
B
vbe re ie
ib ie
.ie
vbe
re
a)
b)
As figuras a) e b) representam duas verses ligeiramente diferentes do modelo em T simplificado do transistor de juno bipolar operando com sinais pequenos: Em a) o BJT representado por uma fonte de corrente controlada por tenso [amplificador de transcondutncia] Em b) o BJT representado por uma fonte de corrente controlada por corrente [amplificador de corrente] Estes modelos explicitam a resistncia de emissor re em vez da resistncia de base r tal como aparecia nos modelos -hbrido

Modelo -hbrido incluindo o efeito de Early
iC
i B=.. .
i B=.. .
ib vbe
ic
C
VA
r ie
gmvbe
ro
i B=.. . i B=.. iB.=.. . v
E
ic
B
vbe
ib . ib ie
Fazendo incluir o efeito de Early nos modelos -hbrido, ele traduz-se pela incluso de uma resistncia ro, de valor aproximado VA/IC, entre o colector e o emissor.
ro
VA ro IC
O BJT como amplificador Parmetros dos modelos para sinais pequenos

Em termos das condies DC
gm = IC VT r = VT VT = IB IC re = VT IE ro = VA IC
Em termos do parmetro gm
re = 1 gm gm r = gm
Em termos do parmetro re
gm = 1 re re r = ( + 1 )re gm + 1 1 = r re
Relao entre os parmetros e

= 1 = +1 +1= 1 1
O BJT como amplificador ganho de tenso

A tenso total instantnea no colector do transistor, vCE, : iC
RC VCC VCE
vCE = VCC iC RC = VCC ( I C + ic )RC = = ( VCC I C RC ) ic RC = = VCE + vce Donde se conclui vce = ic RC ic = g mvbe tem se : vce = g m RC vbe vce = g m RC vbe
Como
iB
vbe VBE vBE
iE
Como
ic = ib
ib =
vbe r
tem se :
vce = .RC ib = ou
ou
.RC vbe r
vce .RC = vbe r .RC r
Ganho de tenso Av = g m RC
Ganho de tenso Av =
O BJT como amplificador anlise de circuitos em ac

Determinar o ponto de funcionamento em repouso do transistor e, em particular, o valor da corrente de colector, IC. Esta anlise feita considerando apenas as fontes de tenso e corrente dc e substituindo os condensadores por circuitos em aberto. Calcular o valor dos parmetros necessrios para os modelos incrementais, para pequenos sinais:
gm =
IC , VT
r =
VT , IB
re =
VT , IE
etc.
Representar o esquema incremental equivalente do circuito amplificador, substituindo as fontes de tenso dc independentes por curto-circuitos e as fontes de corrente dc independentes por circuitos em aberto. Substituir cada um dos condensadores de bloqueamento e contorno por um curto-circuito. Substituir o transistor por um dos modelos equivalentes para pequenos sinais. Utilizar-se- o modelo que se entenda por mais conveniente para a anlise da configurao em questo. Analisar o circuito resultante de acordo com as leis e regras da teoria dos circuitos, por forma a obter o ganho de tenso, o ganho de corrente, a resitncia de entrada, etc..
O BJT como amplificador exemplo

Pretende-se determinar o ganho de tenso do amplificador representado na figura; =100. Determinemos em primeiro lugar o ponto de funcionamento em repouso, fazendo vi=0.
VBB VBEon 3 0,7 = = 0,023mA RB 100k IC = .IB = 100.0,023m = 2,3mA VCE = VCC R C I C = 15 5k.2,3m = 3,5V Transistor na ZAD : PFR(3,5V;2,3mA) IB =
VCC=+12V RC=5k
RB
vi VBB
3V 100k
vo
VCC=+12V RC= 5k
Calculemos agora os parmetros para os modelos para sinais pequenos

VT 25m = = 1087 I B 0,023m V 25m re = T = = 10,8 IE 2,32m I 2,3m gm = C = = 92mA / V VT 25m r =
RB
VBB
3V 100k 0,7V
O BJT como amplificador exemplo (cont.)

VCC=+15V
Utilizemos o modelo -hbrido do transistor, utilizando o parmetro , mas sem ro, e substituamos o circuito pelo seu equivalente incremental. Da anlise do circuito temos:
vi VBB
3V
R C=5k
RB
100k
vo
vo = RCic = RC.ib vi vi ib = vo = .RC r + RB r + RB v .RC Av = o = vi r + RB 100 x5 k Av = = 4 ,95 1,087 k + 100k

O sinal () no ganho de tenso representa a inverso de fase do sinal na sada em relao ao sinal na entrada
RB
ib vbe
ic
vi
r ie
.i b
RC
vo
Circuito equivalente incremental

O BJT como amplificador configuraes base

Consideram-se trs configuraes base para circuitos amplificadores com o transistor de juno bipolar: Configurao em emissor comum Emissor massa em AC Sinal de entrada entre a base e o emissor Sinal de sada entre o colector e o emisor (massa) Configurao em colector comum Colecotr massa em AC Sinal de entrada entre a base e o emissor Sinal de sada entre o emissor e a massa Configurao em base comum Base massa em AC Sinal de entrada entre o emissor e a base Sinal de sada entre o colector e a base (massa)
Amplificador em Emissor-Comum
Ci, Co condensadores de acoplamento (bloqueiam as componentes contnuas na entrada e na sada) CE condensador de contorno (bypass ) A capacidade dos condensadores de acoplamento e de contorno suficientemente elevada para que a sua reactncia se possa considerar como um curtocircuito perante as restantes impedncias do circuito para as frequncias de interesse. O circuito equivalente para pequenos sinais obtm-se substituindo o BJT pelo seu modelo equivalente -hbrido, eliminando as fontes de tenso DC e curtocircuitando os condensadores Ci, Co e CE.
RS
vs R B1 RS Ci
V CC RC
Co
RL R B2 RE CE
vo
a) Configurao tpica do amplificador monoestgio em Emissor Comum com componentes discretos
ib vbe r ie E
ic
C g mvbe
vs
Rin
RB
RC Ro
RL
vo
b) Circuito equivalente para pequenos sinais do amplificador em Emissor Comum do circuito a) Electrnica I - Cursos de Eng Electrotcnica e Eng de Electrnica e Computadores
Amplificador em Emissor-Comum (cont.)

Ganho de tenso (com gm)
vo = g mvbe RC // RL r // RB vbe = vS r // RB + RS v r // RB Av = o = g m RC // RL . vs r // RB + RS vs
Ri n RS B ib vbe r ie E ic C gmvbe
RB
RC Ro
RL
vo
a) Circuito equivalente incremental modelo -hbrido com gm, desprezando ro face a R C e R L

RS B ib vbe r ie E ic .ib C
Ganho de tenso (com )

vo = ib RC // RL 1 r // RB ib = . v r r // RB + RS S v .RC // RL r // RB Av = o = . vs r r // RB + RS
vs
Ri n
RB
RC Ro
RL
vo
b) Circuito equivalente incremental modelo -hbrido com , desprezando ro face a R C e R L
Resistncia de entrada
Ri = r // RB = r // RB 1 // RB 2
Resistncia de sada
Ro = RC ou Ro = ro // RC
Amplificador em Emissor-Comum (cont.)

Ganho de tenso quando se substitui a malha constituda por vs, RS e R B pelo seu equivalente de Thvenin
Rth B ib vbe r ie E ic .ib C
vth
RC//RL
vo
RB Rth = RB // RS vth = .v RB + RS s vth vo = ib RC // RL ib = r + Rth v .R // RL RB Av = o = C . vs r + Rth RB + RS
a) Circuito equivalente para pequenos sinais substituindo a malha constituida por vs , R S e R B pelo seu equivalente de Thvenin ib vbe r ie E ic ro
Rth
Ganho de tenso quando se considera o efeito de Early (ro)

vo = ib ( ro // RC // RL ) Av = vth ib = r + Rth
v th
.ib
RC//R L
vo
vo .( ro // RC // RL ) RB = . vs r + Rth RB + RS
a) Circuito equivalente para pequenos sinais quando se considera o modelo -hbrido com o parmetro ro .
Amplificador em colector comum (ou seguidor de emissor)

Ganho de tenso
vo = ie ( RE // RL ) = ( + 1 )ib ( RE // R L ) vb ib = r + ( + 1 )( RE // R L ) Av = vo ( + 1 ).( RE // RL ) = vs r + ( + 1 )( RE // RL )
R B1 RS vs Ci Co R B2 RE VCC
RL
vo
a) Configurao tpica do amplificador em ColectorComum ou Seguidor de Emissor com componentes discretos
Se r << ( + 1 )( RE // RL ) v ento Av = o 1 vs
RS
r ib vbe
ie ic .ib
E daqui o nome de seguidor de emissor Resistncia de entrada

Ri = r + ( + 1 )( RE // RL )
vs
RB
vb
RE
RL
vo
C
b) Circuito equivalente para pequenos sinais do amplificador em ColectorComum do circuito a)
Amplificador em Emissor-Comum degenerado

RB 1
VC C RC
Co
Ganho de tenso
RS vs
Ci RL RB2 RE 1 CE vo
vo = ib RC // RL vo = .RC // RL .
ib =
vth Rth + r + ( + 1 )RE 1
vth Rth + r + ( + 1 )RE 1
RE2
Av =
vo .RC // RL RB = . vs Rth + r + ( + 1 )RE 1 R B + RS
a) Amplificador em EmissorComum degenerado
Rth
ib vbe r ie E RE1
ic .ib
Resistncia de entrada Ri = ( r + ( + 1 ) RE 1 ) // RB
vth
RC//R L
vo
b) Circuito equivalente para pequenos sinais do amplificador em EmissorComum degenerado do circuito a) Electrnica I - Cursos de Eng Electrotcnica e Eng de Electrnica e Computadores

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O transistor de juno bipolar (BJT)

Tipos tipos NPN e PNP. Terminais Base, Emissor e Colector

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Departamento de Engenharia Electrotcnica (DEE)

Fluxos de corrente num transistor npn operando na ZAD

Electrnica II - Cursos de Eng Electrotcnica e Eng de Electrnica e Computadores

Lus Verssimo, Fevereiro de 2002

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Fluxos de corrente num transistor npn operando na ZAD

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Lus Verssimo, Fevereiro de 2002

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Fluxos de corrente num transistor pnp operando na ZAD

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Transistor de juno bipolar (BJT)

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Transistor de juno bipolar (BJT)

Polarizada directamente Polarizada inversamente Polarizada directamente

Polarizada inversamente Polarizada inversamente

Interruptores Portas lgicas Circuitos TTL Etc..

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Lus Verssimo, Fevereiro de 2002

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Transistor de juno bipolar (NPN)

Zona Activa Directa (ZAD)

Zona de Corte (ZC)

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Transistor de juno bipolar (NPN)

a) Fonte de corrente controlada por tenso

b) Fonte de corrente controlada por corrente

c) Fonte de corrente controlada por tenso

d) Fonte de corrente controlada por corrente

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Transistor de juno bipolar (PNP)

Modelos para sinais fortes

a) Fonte de corrente controlada por tenso

b) Fonte de corrente controlada por corrente

c) Fonte de corrente controlada por tenso

d) Fonte de corrente controlada por corrente

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Curvas caractersticas do BJT ( npn)

Habitualmente considera-se VBE=VBEon 0,7V

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Curvas caractersticas do BJT ( npn)

vCE VA tenso de Early

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Anlise de circuitos dc com o BJT (npn) - (Recta de carga esttica)

VCC + R C I C + VCE = 0 IC = VCC VCE RC ou IC = 1 VCC + RC RC

Equao de uma recta, em que:

para I C = 0 ==> VCE = VCC para VCE = 0 ==> I C = VCC RC

PFR - ponto de funcionamento em repouso

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Transistor de juno bipolar (NPN)

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