ApostilaELC1032 21

ELC1032
Fundamentos de Eletrnica de Potncia

Universidade Federal de Santa Maria

Prof. Humberto Pinheiro, Ph.D.
e-mail: humbertoelc1032@hotmail.com

04/2009
ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 2

Sumrio
Sumrio .......................................................................................................................................... 2
1.1 Teoria de Circuitos Comutados ............................................................................................... 4
Introduo .................................................................................................................................. 4
1.1.1. Caractersticas Estticas Ideais de Semicondutores de Potncia .................................... 4
1.1.2.a. Diodo ........................................................................................................................ 5
1.1.2.b. Tiristores ................................................................................................................... 5
1.1.2.c. BJT Bipolar Junction Transistor .............................................................................. 6
1.1.2.d. MOSFETS Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors ........................... 7
1.1.2.e. IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor .................................................................. 7
GTO Gate Turn-off Thyristor ............................................................................................. 8
Combinao tpica de Semicondutores.................................................................................. 9
Soluo de Circuitos Com Semicondutores de Potncia Idias .............................................. 12
Exemplo 1 ............................................................................................................................ 12
1.2. Definies Bsicas ................................................................................................................ 48
1.2.1. Valor Mdio ................................................................................................................... 48
1.2.1.1. Ex.: Calculo da tenso mdia de um retificador de meia onda............................... 48
1.2.2. Valor Eficaz ................................................................................................................... 49
1.2.2.1. Ex.: Calculo da corrente eficaz em um retificador de entrada meia-onda .............. 49
1.2.3. Distoro harmnica total .............................................................................................. 50
1.2.3.1. Ex.: Calculo da THD para uma dada forma de onda .............................................. 51
1.2.4. Fator de Potncia ........................................................................................................... 51
1.2.5. Fator de Deslocamento .................................................................................................. 52
1.2.6. Fator de Utilizao......................................................................................................... 52
1.2.7. Rendimento .................................................................................................................... 52
1.2.8. Fator de Desequilbrio ................................................................................................... 53
1.2.9. Fator de Ondulao ........................................................................................................ 54
1.2.10. Fator de Crista ............................................................................................................. 54
Exerccio .................................................................................................................................. 55
1.3. Dispositivos .......................................................................................................................... 56
1.3.1. Caractersticas dos Semicondutores de Potncia ........................................................... 56
1.3.1.1. Diodos ..................................................................................................................... 59
1.3.1.1. MOSFETS .............................................................................................................. 70
1.3.1.1. Transistor de Juno Bipolar - BJT ........................................................................ 78
1.3.1.1. Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) .............................................................. 82
1.3.1.1. Tiristores (SCR, GTO, MCT) ................................................................................ 88
1.4 Magnticos .......................................................................................................................... 103

1.1 Teoria de Circuitos Comutados

Introduo

Eletrnica de Potncia trata do processamento de energia. Sendo a eficincia uma das
caractersticas importante nesse processamento. A diferena entre a energia que entra no sistema
e a que sai geralmente transformada em calor. Mesmo que, o custo da energia desperdiada
gere preocupao, a remoo dessa energia cria transtornos tanto durante o projeto quanto na
sua utilizao. Atualmente conversores estticos utilizados para transformar a energia eltrica de
uma forma para outra, apresentam eficincia entre 85% e 99% dependendo da aplicao da
faixa de potncia. Essa eficincia elevada obtida utilizando semicondutores de potncia, que
apresentam uma queda de tenso prxima de zero quando em conduo, e uma corrente
praticamente nula quando em bloqueado.
Static Converter Definition by IEEE Std. 100-1996:
A unit that employs static rectifier devices such
semiconductor rectifiers or thyristors, transistors,
electron tubes, or magnetic amplifiers to change ac
power to dc power and vice versa.

1.1.1. Caractersticas Estticas Ideais de Semicondutores de Potncia

Os principais semicondutores de potncia utilizados em conversores estticos com sua
regio de operao no plano tenso corrente ( plano v-i ) so apresentados a seguir:
1.1.2.a. Diodo

O diodo um semicondutor no controlvel, pois o seu estado, conduzido ou bloqueado
determinado pela tenso ou pela corrente do circuito onde ele esta conectado, e no por qualquer
ao que possamos tomar. O diodo entra em conduo quando a tenso v
ak
torna-se positiva. Ele
permanece em conduo desde que a corrente i
D
, que governada pelo circuito onde o diodo
estiver inserido, for positiva. Quando a corrente torna-se negativa o diodo bloqueia-se
comportando-se como circuito aberto.
i
D
v
AK
+
_
K A
0
v
AK
i
D
(a) (b)
_
+
+
_

Figura 0.1 (a) Smbolo e (b) Caracterstica ideal de um Diodo

1.1.2.b. Tiristores

O tiristor algumas vezes referido com um semicondutor semi-controlado. No seu
estado bloqueado, ele pode suportar tenses tanto positivas quanto negativas. O tiristor pode
mudar de estado de conduo com aplicao de um pulso de corrente na porta (gate) quando a
tenso v
ak
for positiva. Uma vez em conduo, ele continua em conduo mesmo que corrente
de gate seja removida. Neste estado o tiristor comporta-se como um diodo. Somente quando a
corrente i
a
, que governada pelo circuito externo, torna-se negativa que o tiristor retorna ao
estado bloqueado.

i
A
v
AK
+
_
K
A
0
v
AK
i
A
(a)
(b)
G
i
G
(Pulso em i
G
) On-state

Figura 0.2 (a) Smbolo e (b) Caracterstica ideal de um tiristor

1.1.2.c. BJT Bipolar Junction Transistor

Os transistores bipolares foram os primeiros semicondutores de potncia totalmente
controlados utilizados comercialmente em conversores estticos. A caracterstica esttica de um
BJT ideal mostrada na figure abaixo. O BJT pode conduzir corrente somente em uma direo,
e quando em estado bloqueado suporta somente tenses positivas, ou seja, i
c
>0 e v
CE
>0.
Quando uma corrente de base aplicada a base o BJT, este passa a conduzir. Com a remoo da
corrente de base o BJT volta ao estado bloqueado.
(a)
(b)
i
B
v
CE
+
_
E
C
B
i
C
+
_
v
BE
0
v
CE
i
C
On
Off

Figura 0.3 (a) Smbolo e (b) Caracterstica ideal de um BJT

1.1.2.d. MOSFETS Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors

O MOFET, como os BJT, um semicondutor totalmente controlado. A caracterstica
esttica de um MOSFET ideal mostrada na figura abaixo. O MOSFET pode conduzir corrente
somente em uma direo, e quando em estado bloqueado, suporta somente tenses positivas, ou
seja, i
d
>0 e v
DS
>0. Quando uma tenso adequada aplicada entre os termais da porta e fonte,
v
GS
, o MOSFET entra em conduo. Com a remoo da tenso v
GS
o MOSFET volta ao estado
bloqueado.
(a)
(b)
v
DS
+
_
S
D
G
i
D
+
_
v
GS
0
v
DS
i
D
On
Off

Figura 0.4 (a) Smbolo e (b) Caracterstica ideal de um MOSFET.

1.1.2.e. IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor

O IGTB semicondutor que combinas as caractersticas desejveis dos MOFETs e
BJTs. A caracterstica esttica ideal de um IGBT semelhante de um MOSFET. O IGBT pode
conduzir corrente somente em uma direo, e quando em estado bloqueado, suporta somente
tenses positivas, ou seja i
d
>0 e v
ce
>0. Quando uma tenso adequada aplicada entre os termais
da porta e fonte, v
ge
, o IGBT entra em conduo. Com a remoo da tenso v
ge
o IGBT volta ao
estado bloqueado.

(b)
0
v
CE
i
C
v
CE
+
_
i
C
+
_
v
GE
(a)
C
E
G
On
Off

Figura 0.5 (a) Smbolo e (b) Caracterstica ideal de um IGBT.

GTO Gate Turn-off Thyristor

A caracterstica esttica do GTO mostrada na figura abaixo. O GTO pode entrar em
conduo por um pulo de corrente no gate, e uma vez em conduo no h a necessidade de
manter a corrente de gate para mante-lo conduzindo. O que diferencia o GTO do tiristor o fato
de uma vez em conduo poder retornar para o estado bloqueado pela aplicao de uma tenso
gate-catodo negativa, e como conseqncia resultando em uma corrente de gate elevada.

0
v
AK
i
A
(b)
On
Off
(a)
i
A
v
AK
+
_
K
A
G
i
G

Figura 0.6 (a) Smbolo e (b) Caracterstica ideal de um IGBT.

Combinao tpica de Semicondutores

As combinaes tpicas de semicondutores encontrados em conversores estticos so:

Tiristores em antiparalelo
0
v
i
(a)
(b)
v
i
_
+
_
+
+
_

Tiristores com diodo em Antiparalelo

v
0
i
(a)
(b)
v
i
_
+
_
+
+
_

BJT com Diodo em Antiparalelo

(a)
(b)
i
B
v
+
_
i
0
v
i
On
Off

MOSFET com Diodo em Antiparalelo

(a) (b)
v
+
_
i
0
v
i
+
_
On
Off

MOSFET com Diodo Serie
(a)
(b)
v
+
_
0
v
i
i
On
Off

IGBT com Diodo em Antiparalelo
(b)
0
v
i
v
+
_
i
(a)
On
Off

IGBT com Diodo Serie
(b)
0
v
i
i
(a)
v
+
_
On
Off

Exerccio Proposto: Determine a caracterstica estticas, planos
v-i, para os arranjos de semicondutores de potncia descritos
abaixo:

a) IGBT com Diodo em Antiparalelo em anti-srie
b) IGBT em uma ponte de diodos
c) IGBT com Diodo Serie em antiparalelo.

Compare os arranjos dos itens a) , b) e c) e comente sobre as
possveis vantagens e desvantagens.


Soluo de Circuitos Com Semicondutores de Potncia Idias

Uma vez estabelecida as caractersticas estticas dos principais semicondutores de
potncia (interruptores), vamos agora, atravs de exemplos, investigar o impacto do uso desses
interruptores no operao de circuitos com fontes e elementos passivos como resistores
capacitores indutores.

Exemplo 1 Seja o circuito da Figura 0.7, determine os etapas de operao,
bem como as principais formas de ondas do circuito. Considere que:
v= 311 sin(t) e R=10 sendo =377 rad/s.

Figura 0.7 Retificador de meia onda no controlado com carga resistiva
O circuito da Figura 0.7 apresenta duas etapas de operao que so definidas
a partir do estado do diodo, conduzindo e bloqueado. Como a tenso da fonte
peridica este circuito tambm deve apresentar um comportamento
peridico. Portanto, a seguir ser abalizado o circuito para o primeiro ciclo da
tenso da fonte v..
Etapa 1 . Durao 0 <t< . : Em t=0 a tenso sobre o diodo, v
ak
, torna-se
positiva levando o diodo entrar em conduo. O circuito equivalente dessa
etapa da mostrado na Figura 0.8 (a). As principais equaes que descrevem o
comportamento do circuito nessa etapa so:
v
ak
= 0 V
i
D
= v / R
v
R
= v
Etapa 2 . Durao <t< 2 . : Em t = a corrente no diodo , i
D
, torna-se
negativa, devido v, levando o diodo entrar em bloqueio. O circuito equivalente
dessa etapa da mostrado na Figura 0.8 (b). As principais equaes que
descrevem o comportamento do circuito nessa etapa so:
v
ak
= v
i
D
= 0
v
R
= 0

(a) (b)
Figura 0.8 Retificador de meia onda no controlado com carga resistiva
As principais formas de onda do circuito so mostrada na Figura 0.9

Figura 0.9 Formas de onda do retificador da Figura 0.7

Exemplo2 Seja o circuito da Figura 0.10, determine os etapas de operao,
bem como as principais formas de ondas do circuito. Considere que os
parmetros da Tabela II
TABELA II
v= 311 sin(t)
R=10
=377 rad/s
v
B
= 100 V

Figura 0.10 Retificador de meia onda no controlado com resistiva e fonte de
tenso
O circuito da Figura 0.10 apresenta duas etapas de operao que so definidas
a partir do estado do diodo, conduzindo e bloqueado.
Etapa 1 . Durao
1
<t<
2
: Em t=
1
a tenso sobre o diodo, v
ak
, torna-
se positiva levando o diodo entrar em conduo. O circuito equivalente dessa
etapa da mostrado na Figura 0.8 (a). As principais equaes que descrevem o
TABELA III
v
ak
= 0 V
i
D
=(v-v
B
)/ R
v
R
= v

O ngulo
1
pode ser obtido a partir do instante que a tenso sobre o diodo
torna-se zero
1
o
1
d
311sin( ) 100 com 0
dt
logo
100
sin( ) 19.47
311
B
t
v
v t v V
a
=
= = = >
= =

Por outro lado ngulos
2
pode ser obtido do instante que a corrente sobre o
diodo passa por zero, ou seja:

2
o
1
311sin( )
d
0 com 0
dt
logo
100
sin( ) 109.47
311
B
t
D
D
t v
i
i
R
a
=

= = <
= =

Etapa 2 . Durao
2
<t< 2 +
1
. : Em t =
2
a corrente no diodo , i
D
,
torna-se negativa, devido a v torna-se menor que v
B
, levando o diodo entrar
em bloqueio. O circuito equivalente dessa etapa da mostrado na Figura 0.11
(b). As principais equaes que descrevem o comportamento do circuito nessa
etapa so:
TABELA III
v
ak
= v-v
B

i
D
=0
v
R
= v
B

(a) (b)
Figura 0.11 Retificador de meia onda no controlado com carga resistiva e
fonte de tenso
As principais formas de onda do circuito so mostrada na Figura 0. 12

Figura 0.12 Formas de onda do retificador da Figura 0.7

Exemplo 3 Seja o circuito da Figura 13, determine os etapas de operao,
bem como as principais formas de ondas do circuito.

Figura 0.13 Retificador de meia onda no controlado com carga RL

onde , sin( ) v V t =
Vamos assumir inicialmente quer o circuito apresente um comportamento
peridico e que a corrente no indutor em t = 0 seja nula. Logo o circuito
apresenta duas etapas de operao dependendo do estado de conduo do
diodo.
Etapa 1 . Durao 0 <t<
1
: Em t = 0 a tenso sobre o diodo, v
ak
, torna-se
positiva levando o diodo entrar em conduo. O circuito equivalente dessa
etapa da mostrado na Figura 14 (a). As equaes que descrevem o
sin( )
di
v V t Ri L
dt
= = +
Solucionando a equao diferencial acima temos

2
2
1
( ) 1 sin( arctan( ))
1
R
t
L
V R L
i t t e
L L R
R
L

(
| |
(
= + +
|
( \
| |

+
|
\


(a) (b)
Figura 0.14 Etapas de operao do retificador de meia onda no controlado
com carga RL . (a) Etapa 1 , (b) Etapa 2

O final dessa etapa ocorre em t=
1
quando a corrente torna-se zero. Logo
1

pode ser obtido da soluo da seguinte equao para
1
( )
1
1
1
2
2
2
1
2
1
1
( ) 0 1 sin( arctan( ))
1
0 1 sin( arctan( ))
seja
logo
1
0 1 sin( arctan( ))
R
t
L
t
R
L
V R L
i t t e
L L R
R
L
R L
e
L R
R
L
e

(
| |
(
= = + +
|
( \
| |

+
|
\
(
| |
(
= + +
|
( \

| |
=
|
\
(
= + +
(

Solucionando numericamente a equao acima temos
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
180
194
208
222
236
250
264
278
292
306
320
1
180

Figura 0.15 ngulo que corresponde ao final da Etapa 1 em funo
do parmetro
R
L
| |
=
|
\

Pode der observado que na medida que a carga torna-se mais indutiva 0
a durao da etapa 1 estendem-se no semi-ciclo negativo da rede, por outro
lado quando a carga torna-se mais resistiva a durao da primeira
etapa aproxima-se do final do semi-ciclo positivo da rede.
Etapa 1 . Durao
1
<t< 2pi: Nesta etapa o diodo encontra-se bloqueado, a
corrente no circuito zero, sendo o circuito equivalente mostrado na figura 14
b.
A seguir so mostrados resultados de simulao para ilustrar o comportamento
do circuito

(a)

(b)

(c)

Figura 0.16 Formas de onda do retificador da Figura 0.13. V=311 V, =377
rad/s; R = 10, L = 100mH. (a) Tenso da rede, v/10, e corrente na carga (A).
(b) Tenso na Carga / 10 , e corrente de carga. (c) Tenso sobre diodo vak /10
e corrente no diodo.


bem como as principais formas de ondas do circuito.

Figura 0.17 Gradador com carga RL

No circuito da Figura 0.17 sin( ) v V t = e os pulsos de corrente de gate para
is tiristores T
1
e T
2
esto em sincronismos com a rede como mostrado na
abaixo

Figura 0.18 Topo: Tenso da Rede; Meio: Pulsos para gerar a corrente de
gate do Tiristor 1. Baixo: Pulsos para gerar a corrente de gate do Tiristor 2.

Vamos assumir inicialmente quer o circuito apresente um comportamento
peridico e que a corrente no indutor em t = seja nula. Como
possivelmente essa hiptese poder ser violada, vamos chamar desse modo de
operao de MODO 1. Logo o circuito, no Modo 1, apresenta duas etapas de
operao dependendo do estado de conduo dos tiristores.

Etapa 1 . Durao 0 <t< . Em t = 0 a tenso sobre o tiristor T
1
, v
ak1
,
torna-se positiva. Entretanto como no h pulso de corrente no gate o tiristor
opera com um circuito aberto. O circuito equivalente mostrado na Figura
abaixo.

Figura 0.19 Circuito equivalente para primeira etapa do Modo 1.

Esta etapa finaliza em t= com a entrada em conduo de T
1
.

Etapa 2 . Durao <t<
1
. Em t = a tenso sobre o tiristor T
1
, v
ak1
,
positiva e este recebe um pulos de corrente no gate, entrando assim em
conduo. O circuito equivalente mostrado na Figura abaixo.

Figura 0.20 Circuito equivalente para Etapa 2 do Modo 1.

A equao que rege o comportamento do circuito nessa etapa

sin( )
com
( ) 0
t
di
v V t L Ri
dt
i t
=
= = +
=


Com o intuito de facilitar a soluo vamos definir

t t = .

Portanto a equao do rege o circuito passa a ser
sin( )
com
(0) 0
di
v V t L Ri
dt
i
= + = +
=

Solucionando a equao diferencial acima temos

2
(cos( ) sin( ) ( sin( ) cos( )) cos( )
( )
( 1) (sin( ) cos( ))sin( )
sendo
t
e t V
i t
L t
R
L

( +
=
(
+ + +

=

O final dessa etapa pode ser obtido solucionando a equao acima para
1
t = com ( ) 0 i t = , ou seja

1
0 (cos( ) sin( ) ( sin( ) cos( )) cos( ) (sin( ) cos( )) sin( ) e

( = + + +

A soluo da equao acima para 0 com diferentes valores do
parmetro
R
L
=
apresentado na Figura 0.21.

0

Figura 0.21 Final da Etapa 1,
1
, em funo do ngulo de disparo dos tiristores , para
o parmetro
R
L
=
entre zero e infinito. Curva salientada 0.562 =

Note que se
1
for maior que 180 a hiptese inicial que a corrente no indutor
nula em t = no mais vlida. Neste caso, o circuito passa a operar em
um outro modo de operao, aqui denominado de Modo 2 de operao.
Formas de ondas tpicas do circuito da Figura 0.17 so mostrada a seguir.

Figura 0.22 Formas de onda do gradador da Figura 0.17. V=311 V, =377
rad/s; R =10 , L = 100mH. (a) Tenso da rede, v/10, e corrente na carga (A).
(b) Tenso na Carga / 10 , e corrente de carga. (c) Tenso sobre diodo vak /10
e corrente no diodo. e 0.265
2
= =


Figura 0.23 Formas de onda do gradador da Figura 0.13. V=311 V, =377
rad/s; R =21.187, L = 100mH. (a) Tenso da rede, v/10, e corrente na carga
(A). (b) Tenso na Carga / 10 , e corrente de carga. (c) Tenso sobre diodo
vak /10 e corrente no diodo. + com positivo e 0, 0.526
3
= =

Pode-se observar que o circuito est no limiar entre o Modo 1 em Modo 2 de
operao, confirmando as predies do grfico da Figura 0.21.

MODO 2. Neste modo existe somente uma etapa de operao. O tiristor T
1

conduz no semiciclo positivo da corrente de carga, enquanto T
2
conduz o
semiciclo negativo. O circuito equivalente mostrado na figura abaixo.

Figura 0.24 Circuito equivalente para Modo 2.

Em regime permanente a corrente de carga dada por:
2 2
( ) sin( )
( )
sendo
arctan( )
V
i t t
R L
L
R
=
+
=

Note que a fronteira entre os Modos 1 e 2 tambm pode ser obtida a
partir das equaes que do Modo 2. Ou seja, sempre que
1
0 arctan( ) < <

o circuito opera no Modo 2. Explique!

0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
c
k
k
180

Figura 0.25 Fronteira entre o Modo 1 e 2.
Modo 1
Modo 2

bem como as principais formas de ondas do circuito, assumindo que:
(i) A tenso gate-source do MOSFET seja como descrita na Figura
0.27.
(ii) O circuito opere com freqncia constante.
(iii) A corrente do indutor seja zero no inicio de cada perodo de
funcionamento do circuito.
(iv) A tenso da fonte de sada seja menor que a da fonte de entrada.

Figura 0.26 Conversor CC/CC


Figura 0.27 Tenso Gate-Source do MOSFET

O objetivo desse exemplo determinar quais as restries que devem ser
satisfeitas para o circuito opere como as hipteses realizadas.

razovel assumir que o circuito apresente uma freqncia de operao
constante devido a natureza da tenso de gate-source, v
gs
. Ainda, quando v
gs

=10 V, o MOSFET conduz e o diodo bloqueado, uma vez que v
in
>0. O
circuito equivalente o mostrado abaixo, e esta etapa ser chamada de Etapa
1.

Figura 0.28 Circuito equivalente para Etapa 1.

Como a tenso da fonte de sada menor que a tenso da fonte de
entrada, no momento da a tenso gate-source do MOSFET vai a zero a
corrente do indutor maior do que zero. Assim o diodo entra em conduo,
assumindo a corrente do indutor, e o circuito equivalente passa a ser o
mostrado na figura abaixo.


Finalmente, uma vez que a corrente no indutor zero no incio de cada
ciclo de operao, o circuito possui mais uma etapa de operao onde nem o
transistor ou o diodo conduz. Assim o circuito equivalente dessa etapa
mostrado na figura abaixo.


A seguir sero analisadas quantitativamente as etapas descridas acima.

Etapa 1: Durao 0 < t < dT . O circuito equivalente dessa etapa mostrado
na Figura 0.28 e as equaes que governam a operao do circuito podem ser
obtidas aplicando a LKT no circuito equivalente, ou seja:
com (0) 0
in out
di
v L v i
dt
= + = .
Assumindo que as tenses de entrada e sada so constantes a soluo da
equao acima :
( ) vlida para 0
in out
v v
i t t t dT
L
= .
No final dessa etapa, em t = dT, a corrente no indutor ser
( )
in out
v v
i dT dT
L
= .
Etapa 2: Durao dT < t < . O circuito equivalente dessa etapa mostrado
na Figura 0.29. Note que essa etapa dura at t = , que o instante que a
corrente no diodo zera. As equaes que governam a operao do circuito
podem ser obtidas aplicando a LKT no circuito equivalente desta etapa.
0 com ( )

in out
out
v v di
L v i dT dT
dt L
= + =
.
A soluo da equao acima :
( ) ( ) ( ) vlida para
out
v
i t t dT i dT dT t
L
= +
O instante que a corrente zera pode ser determinado a partir da equao acima
fazendo i =0 e solucionando-a para t=., ou seja:
0 ( ) ( )
out
v
dT i dT
L
= +
que resulta em

in
out
v
dT
v
= .
Etapa 3: Durao < t < T. O circuito equivalente dessa etapa mostrado na
Figura 0.30. Nesta etapa as correntes no circuito so nulas. A tenso sobre o
diodo igual tenso de sada, pois a queda de tenso no indutor nula.
Como conseqncia a tenso no MOSFET a diferena entre a tenso de
entrada e sada.

Para assegurar que a corrente seja zero no incio de cada ciclo, hiptese
inicial, a seguinte desigualdade deve ser satisfeita:
T
o resulta na seguinte equao para
ou
in
out
out
in
v
dT T
v
v
d
v

As principais formas de onda do circuito so apresentadas a seguir.

Figura 0.31 Formas de ondas do circuito da Figura 0.26. Topo: v
gs
, Baixo: v
ak
e
i.

Na Figura 0.31 apresendado no topo a tenso vgs, e na parte inferior a corrente
no indutor e a teno sobre o diodo, para v
in
=100V, v
out
=50V e d=0.35, T=10s.

gs
, Baixo: v
ds
e
i
d
do MOSFET.

gs
, Baixo: v
ds
e
i
d
do MOSFET. Topo: v
gs
, Baixo: v
ak
e i. d=0.55.

Finalmente a Figura 0.33 mostra o circuito operanto com
out
in
v
d
v
> . Pode-se
observar que a corrente no indutor no zero no incio de cada perodo, e esta
crescente. Portanto, se a corrente no for limitada ela danificar os componentes
do circuito, possivelmente o MOSFET!


Exemplo 6 O circuito da Figura 0.34 um conversor CC-CC que se
caracteriza por operar com freqncia de comutao varivel. Este conversor
apresenta como vantagem a comutao em entrada em conduo e bloqueio
do IGBT com corrente nula. Aqui este conversor ser utilizado para
exemplificar a soluo de circuitos comutados de segunda ordem.
As seguintes hipteses so assumidas para a anlise do circuito:
(v) A tenso gate-emissor do IGBT descrita na Figura 0.35.
(vi) O circuito opera com freqncia varivel.
(vii) A corrente do indutor e a tenso no capacitor so zero no incio
de cada ciclo de funcionamento do circuito.
(viii) A durao do pulso de tenso gate-emissor tal que no momento
do bloqueio do IGBT a corrente circula pelo diodo em
antiparalelo com este.
(ix) A tenso da fonte de entrada e a corrente da fonte de sada so
constantes em um ciclo de operao.

Figura 0.34 Conversor CC-CC com frequncia varivel.

Figura 0.35 Tenso gate-emissor para o converosr da Figura 0.34.

Como assumido que a corrente no indutor e a tenso no capacitor so nulas no
incio de cada ciclo de operao, ento, nesse instante a corrente de carga,
representada pela fonte de corrente, circula pelo diodo D. Com a entrada em
conduo do IGBT, no instante que a tenso gateemissor vai para 10V, inicia a
primeira etapa de operao desse conversor.
Etapa 1: Durao 0 < t <
1
. O circuito equivalente dessa etapa mostrado
com (0) 0
e
0

in
c
di
v L i
dt
v
= =
=

Solucionando a equao acima temos
1
( ) para 0
e
0.

in
c
v
i t t t
L
v
= < <
=

Para t=
1
a corrente no indutor atinge a corrente de carga, e a corrente no
diodo zera, caracterizando o fim dessa etapa. Portanto, este instante de tempo,
que caracteriza o final dessa etapa, t=
1,
pode ser obtido da equao da
corrente, ou seja:
1
1
ou seja

in
in
v
I
L
L
I
v
=
=

Figura 0.36 Circuito equivalente para a Etapa 1.

Etapa 2: Durao
1
< t <
2
. O circuito equivalente dessa etapa mostrado

1
1 2
com ( )
e
vlidas para

in c
c
di
v L v i I
dt
dv
C i I t
dt
= + =
=

Com o intuito de facilitar a soluo vamos definir

1
e - t t i i I = =

Portanto as equaes do regem o circuito passam a ser

2 1
com (0) 0
e
vlidas para 0

in c
c
di
v L v i
dt
dv
C i t
dt
= + =

A soluo da equao diferencial acima :
( ) sin( ) onde
1
V
i t t
L
LC
=
=

logo
1 1 2
( ) sin( ( )) para >
V
i t t I t
L
= + >
para
Esta etapa dura at o instante que a corrente no indutor, depois de se tornar
negativa, vai zero. Dando incio da prxima etapa de operao.
O final desta etapa pode ser obtido a partir da equao acima:

2 1
2 1
0 sin( ( ))
1
= (2 arcsin( )) +
V
I
L
LI
V
= +

Onde o ngulo resultante da funo arcsin deve estar no quarto quadrante
com valores entre 0 e -/2.
A tenso do capacitor para esta etapa pode ser obtida a partir da integrao da
corrente no capacitor, o que resulta em:
1
( ) (1 cos( ( ))
c in
v t v t = .
O valor final na tenso no capacitor ser:
2 2 1
( ) (1 cos( ( ))
c in
v v =

Etapa 3: Durao
2
< t <
3
. Nesta a corrente de carga descarrega o capacitor
linearmente. O circuito equivalente dessa etapa mostrado abaixo

A equao que governa o comportamento do circuito :
2 2 2 3
( ) ( ) ( ) para
c c
I
v t t v t
C
= +
Esta etapa termina em t=
3
quando a tenso no capacitor passa por zero e
polariza diretamente o diodo, dando incio a ltima etapa de operao.
Etapa 4: Durao
3
< t < T. Nesta etapa a tenso sobre o capacitor e a corrente
no indutor so nulas. Esta etapa dura at o intante que a tenso gate-emissor do
IGBT for novamente para nvel alto, 10 V, caracterizando assim, o incio de
uma etapa identica a etapa 1.
As principais formas de onda do circuito so mostradas na figura abaixo:

Figura 0.39 Formas de onda no circuito da Figura 0.34 .
Quanto a durao do pulso de tenso entre gate e emissor do IGBT, T
on
, este
deve ser tal que garanta que no momento do bloqueio do IGBT a corrente esteja
circulando pelo diodo em antiparalelo com este, ou seja, enquanto a corrente no
indutor for negativa. Portanto, a seguinte restrio deve ser satisfeita.
13_ max 2_ min
2 1
13 1
onde
1
= (2 arcsin( )) +
e
1
( arcsin( ))
on
in
in
T
LI
v
LI
v

= +

onde o ngulo resultante da funo arcsin deve estar no quarto quadrante com
valores entre 0 e -/2.
Note que o valor mximo de
3
e o valor de mnimo
2
ocorrem para a mxima
corrente de sada e a mnima tenso da fonte. Assim a durao T
on
deve ser
determinada para essa condio de operao.
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
3
3.35
3.7
4.05
4.4
4.75
5.1
5.45
5.8
6.15
6.5
2
k
13
k
k
Figura 0.40 .Variao dos
3
e
2
em de
in
LI
v
=

Exerccio Proposto: Determine a mxima freqncia de operao do conversor
da Figura 0.34 em funo dos parmetros do circuito.

1.2. Definies Bsicas
1.2.1. Valor Mdio
Dada uma funo peridica f(t)=f(t+T), onde T o perodo em que a funo se repete,
(constante), tem-se que seu valor mdio dado por:

1
( )
t T
avg
t
f f t dt
T
+
=
(0.1)
Para formas de onda senoidais, f
avg
= 0.
Para o produto de duas funes v
avg
e i
avg
, p
avg
= v
avg
i
avg

1.2.1.1. Ex.: Calculo da tenso mdia de um retificador de meia onda
Dado o retificador meia onda do Exemplo 1 da Seo 1.1.5, determine o valor mdio da
tenso de sada:
( ) 220 2 sin 2 60 , 0
( )
0 , 2
o
t t
v t
t
<
=

<

Figura 0.1
Resoluo:
2
0
1 1
( ) ( )
2
avg
t T
o o
t
v f t dt v t d t
T
+
= =

2
0
1
220 2 sin( ) 0
2
avg
o
v t d t d t

(
= +
(

( ) ( )
0
311 311
cos 1 1
2 2
avg
o
v t

(
= = +
(

99
avg
o
v V =

1.2.2. Valor Eficaz
Dada uma funo peridica f(t)=f(t+T), onde T o perodo em que a funo se repete,
(constante), tem-se que seu valor eficaz dado por:

2
1
( )
t T
rms
t
f f t dt
T
+
=
(0.2)
Para formas de onda senoidais,
2
p
rms
f
f =
, onde f
p
o valor de pico da senide.
Para o produto de duas funes v
rms
e i
rms
, p
rms
= v
rms
i
rms

1.2.2.1. Ex.: Calculo da corrente eficaz em um retificador de entrada meia-onda
Dado o retificador meia onda do Exemplo 1 da Seo 1.1.5, determine o valor mdio da
tenso de sada:
, 0
( )
0 , 2
I t
i t
t
<
=
<

Figura 0.2
Resoluo:
2
2 2
0
1 1
( ) ( )
2
t T
rms
t
f f t dt i t d t
T
+
= =

3
2
0
1
0
2
rms
f I d t d t

(
= +
(

( )
2 2
0
1 1
0
2 2
rms
f I t I
= =

2
rms
I
f =
1.2.3. Distoro harmnica total
a razo entre o valor rms do contedo harmnico pelo rms da quantidade
fundamental, expressada em percentual, ou seja, se refere ao fator de distoro percentual de
uma tenso ou corrente com relao a uma senide.
Dada uma funo peridica f(t)=f(t+T), por:

0
1
( ) cos sin
k k
k
k x k x
f x a a b
L L
=
( | | | |
= + +
| | (
\ \

(0.3)
que tambm pode ser escrita da seguinte forma:

0 1 2 3
1 2 3
2 3
( ) cos cos cos
2 3
sin sin sin
x x x
f x a a a a
L L L
x x x
b b b
L L L
| | | | | |
= + + + +
| | |
\ \ \
| | | | | |
+ + + +
| | |
\ \ \
K
K

, (0.4)
ou ainda:

0
1
( ) sin
k k
k
k x
f x a c
L
=
( | |
= + +
| (
\
, (0.5)
onde
2
0
2
2
1
( )
2
1
( ) cos , 1, 2,...
1
( ) sin , 1, 2,...
c L
c
c L
k
c
c L
k
c
a f x dx
L
k x
a f x dx k
L L
k x
b f x dx k
L L
+
+
+
=
| |
= =
|
\
| |
= =
|
\

2 2
k k k
c a b = + e arctan
k
k
k
a
b
| |
=
|
\
.
A distoro harmnica desta funo pode ser escrita por:
( )
2
2
1
1
% 100%
f k
k
THD c
c
=
| |
=
|
|
\
(0.6)
Escrevendo a THD para tenses e correntes, se obtm, respectivamente, as seguintes
equaes:
( )
2
2
1
1
% 100%
V k
k
THD V
V
=
| |
=
|
|
\
(0.7)
( )
2
2
1
1
% 100
I k
k
THD I
I
=
| |
=
|
|
\
(0.8)

1.2.3.1. Ex.: Calculo da THD para uma dada forma de onda
Dada a seguinte forma de onda,

4 4 4
( ) 4sin( ) sin(3 ) sin(5 ) sin(7 )
3 5 7
f x x x x x = + + + (0.9)
cuja forma de onda mostrada na figura a seguir, obtenha a THD.

Figura 0.3
Resoluo:

1
3
5
7
4
4/ 3
( )
4/ 5
4/ 7
c
c
f x
c
c
=

( )
2 2 2
2
2
1
1 1 4 4 4
% 100% 100%
4 3 5 7
f k
k
THD c
c
=
| |
| |
| | | | | |
|
= = + + |
| | |
|
|
\ \ \
\
\

( ) % 41, 41%
f
THD =

1.2.4. Fator de Potncia
O fator de potncia entre duas funo peridicas de mesmo perodo v(t)=v(t+T) e
i(t)=i(t+T) definido como a razo entre a potncia ativa, dada em W, e a potncia aparente,
dada em VA, ou seja

P
FP
S
= (0.10)
onde P a potncia ativa, S a potncia parente.
Alternativamente, o fator de potncia pode ser calculado com a combinao do fator de
deslocamento e da distoro harmnica total, ou seja,

2
1
1
FP DF
THD
=
+
(0.11)
1.2.5. Fator de Deslocamento
O fator de deslocamento de duas funes peridicas de mesmo perodo v(t) e i(t), que
representam a tenso e a corrente em dado elemento, respectivamente, definido como o ngulo
de deslocamento de fase entre a componente fundamental da tenso v(t) e a componente
fundamental de corrente i(t). O fator de deslocamento dado por

( )
( )
1 1 1 1
1 1
1 1
cos
cos
V I
DF
V I
= = (0.12)
onde
1
e
1
so os ngulos de deslocamento da tenso e da corrente com relao a um dado
ngulo de referncia. Essa medida realizada no lado CA de um conversor e freqentemente
confundida com o fator de potncia, pois esta se confunde com o fator de potncia para funes
senoidais.

1.2.6. Fator de Utilizao
uma medida comumente empregada em transformadores para se obter o ndice de
utilizao do mesmo. dado por:

1
( ) ( )
t T
avg
t
rms rms rms rms
v t i t dt
p T
TUF
v i v i
+
= =
(0.13)

1.2.7. Rendimento
uma figura de mrito que nos permite comparar a eficcia de um conversor esttico.
Sua relao dada por:

out
in
p
p
= (0.14)
onde p
out
e p
in
so as potncias de entrada e sada do conversor, respectivamente.

1.2.8. Fator de Desequilbrio
O fator de desequilbrio de corrente (ou tenso) pode ser definido, como o mximo desvio
da mdia das correntes (ou tenses) trifsicas, divididos pela mdia das tenses ou correntes das
trs fases, expressadas em percentual, conforme mostra a seguir:
( )
max
% 100%
frms avg
avg
i i
Desq
i
| |
|
=
|
\
(0.15)
onde
_ _ _
3
a rms b rms c rms
avg
I I I
i
+ +
=
.
Desequilbrios de corrente (ou tenso) podem tambm ser definidos fazendo-se usando
da teoria de componentes simtricos, onde a taxa entre componente de seqncias negativas ou
zero em relao a componente da seqncia positiva pode ser especificada como percentual de
desequilbrio, conforme mostrado a seguir:
( )
componente de seq. negativa
_N % 100%
componente de seq. positiva
Deseq
| |
=
|
\
(0.16)
( )
componente de seq. zero
_0 % 100%
componente de seq. positiva
Deseq
| |
=
|
\
(0.17)
comum a existncia de desequilbrios de percentuais entre 0 e 2% nas tenses da rede.
Desequilbrios de tenso maiores que 5 % so considerados como desequilbrios severos.
Um exemplo de desequilbrio mostrado na figura a seguir, onde considerou-se que em
um sistema trifsico a tenso nominal rms seja de 127 V por cada fase, porm a fase b apresenta
amplitude de tenso rms de 125 V, logo o desequilbrio percentual de 2 %.

T
e
n
s
o

(
V
)
Tempo (ms)
0 3,3 6,6 10 13,3 16,6
-200
-100
0
100
200
va(t) vb(t) v
c
(t)

Figura 0.4. Desequilbrio de tenso em um sistema trifsico.

1.2.9. Fator de Ondulao
O Fator de Ondulao, tambm conhecido por ripple factor, uma medida empregado
em sinais predominantemente contnuos que possuem sinais senoidais indesejveis. uma
medida do ndice de regulao de um dada funo contnua. Este fator de ondulao dado por:

2
2
1 1
rms
avg
v
RF FF
v
| |
= =
|
|
\
(0.18)
onde FF conhecido por fator de forma, que dado por

avg
rms
V
FF
V
= (0.19)

1.2.10. Fator de Crista
definido como a razo de corrente (ou tenso) mxima ou de pico pela corrente (ou
tenso) eficaz de um dado circuito, como apresentado na seguinte equao:

p
rms
V
CF
V
= (0.20)
Para uma dada senide a relao entre o valor de pico e rms deve ser 2 . O fator de
crista usado para redefinir a capacidade de sada de transformadores, fontes ininterruptas de
energia (UPS) e outros equipamentos que alimentem cargas no lineares. Uma vez comparado
com o fator de crista da forma de onda senoidal se obtm o fator de correo da capacidade
(CCF), que representado por:
( )
2
% 100% CCF
CF
| |
=
|
|
\
(0.21)
A potncia corrigida se calcula mediante o produto do fator de correo de capacidade
pela potncia nominal do equipamento por:

corrig nom
kVA kVA CCF = (0.22)
Por exemplo uma carga no linear cujo valor de pico de corrente de fase seja I
f
= 10 A, e
o valor eficaz desta corrente seja I
rms
=6,5 A, tem-se que o CF=1,53 e CCF=92,16%. Um
transformador cuja potncia nominal de 10 kVA, considerado pelo fabricante para
alimentao de cargas lineares, s poderia operar com uma potncia de 9,216 kVA, devido aos
harmnicos presentes na carga.

Exerccio
Obter as todas as medidas de desempenho apresentadas para o seguinte circuito, para
todos os elementos a que se aplicarem.

Figura 0.5

Figura 0.6
Considerar que:
i) a corrente na carga em regime permanente, mostrada em detalhe, seja aproximada por uma
constante;
ii) a fonte de tenso senoidal, dada por ( ) 220 2 sin(2 60 ) v t t = ;
iii) o transformador ideal.


1.3. Dispositivos
1.3.1. Caractersticas dos Semicondutores de Potncia
Os principais dispositivos empregados em eletrnica de potncia tm evoludo
consideravelmente nos ltimos anos. Cada vez mais tem se desenvolvido dispositivos para
processar mais potncia, como pode se verificar na figura abaixo (extrado de Mohan, 2002).

Figura 0.1 Semicondutores de potencia disponveis no mercado em funo da corrente tenso e
freqncia de operao.


Figura 0.2 Caractersticas gerais dos Semicondutores de Potncia.
O maior desafio no projeto de semicondutores de potncia obter altas tenses de bloqueio com
baixas quedas diretas quanto em conduo. Outro desafio que aqueles dispositivos
semicondutores que apresentam altas tenses de bloqueio com baixas quedas diretas resultam
tempos de comutao significativos. A tenso mxima de bloqueio de uma juno p-n e a sua
regio de depleo so uma funo do grau de dopagem. Para obter altas tenses de bloqueio
necessrio reduzir a dopagem, e assim aumentar a resistividade. Por outro lado, essa regio de
alta resistividade contribui significativamente para resistncia de conduo do diapositivo.
Assim dispositivos de alta tenso apresentam maiores resistncias de conduo do que
dispositivos de baixa tenso. Em dispositivos de portadores majoritrios, por exemplo, os
MOSFETS e os diodos Schottky, esse efeito responsvel pela dependncia da queda direta ou
sua resistncia de conduo com a tenso mxima de bloqueio. Por outro lado, e dispositivos de
portadores minoritrios, diodo de difuso, BJT , IGBT, SCR,GTO e MCT outro fenmeno
chamado de modulao de condutividade ocorre. Quando um dispositivo de portadores
minoritrios encontra-se em conduo portadores minoritrios so injetados na regio de baixa
dopagem atravs da juno que est diretamente polarizada. A elevada concentrao de
portadores minoritrios na regio de alta resistividade reduz a resistncia aparente da juno p-n
durante a conduo. Devido a esse fenmeno os dispositivos de portadores minoritrios
apresentam uma menor resistncia se comprado com os dispositivos de portadores majoritrios.
Deve ser salientado, que a vantagem dos dispositivos de portadores minoritrios de reduzir a
resistncia de conduo traz junto a desvantagem de aumentar os tempos de comutao. O
estado de conduo de qualquer semicondutor controlado pela presena ou ausncia de
algumas cargas dentro do dispositivo, e os tempos de entrada em conduo e bloqueio so uma
funo do tempo necessrio para colocar ou remover essas cargas. A quantidade total de cargas
que controlam o estado de conduo de dispositivos de portadores minoritrios muito maior
que as cargas necessrias para controlar um dispositivo equivalente de portadores majoritrios.
Apresas dos mecanismos de insero e remoo das cargas de controle dos diferentes
dispositivos, (BJT, IGBT, MOSFET, DIODO, etc.) serem diferentes, verdade que, devido
maior quantidade de carga dos dispositivos de portadores minoritrios, esses apresentam tempos
de comutao significativamente maiores que os dispositivos de portadores majoritrios. Com
uma conseqncia dispositivos de portadores majoritrios so usualmente utilizados em
aplicaes de baixas tenses e alta freqncia, dispositivos de portadores minoritrios em altas
tenses e alta potncia. A figura abaixo descreve as diferentes semicondutores e as suas
aplicaes tpicas.

Fig. Semicondutores de potencia em diferentes aplicaes.

1.3.1.1. Diodos
1.3.1.1.1. Caractersticas Principais
um dispositivo no-controlado (comuta somente espontaneamente);
Conduz quando diretamente polarizado (V
ak
>0) e bloqueia quando i<0;
Possui uma queda de tenso intrnseca quando em conduo (V
F
~ 1V);
No so facilmente operados em paralelo, devido aos seus coeficientes trmicos de
conduo serem negativos. Ou seja, quanto maior temperatura menor a queda direta.
Pode conduzir reversamente durante um tempo t
rr
, que especificado pelo fabricante.

Estrutura de um diodo de potncia:

Figura 0.3 Estrutura construtiva de um diodo de potncia.

Suas caractersticas estticas ideais e reais so dadas por:

Observa-se que existe uma tenso mxima reversa de bloqueio V
rated
, a partir da qual o
diodo entra em avalanche, que leva o componente sua destruio.
Suas caractersticas dinmicas so mostradas na figura a seguir:

Figura 0.4 Caracterstica dinmica de um diodo do potencia.

Verifica-se que quando um diodo de potncia submetido a uma comutao abrupta, ou
seja, quando outro dispositivo desvia de maneira muito rpida a sua corrente, aparecem
significativas perdas durante a comutao. Na figura, se verifica que o tempo de recuperao
reversa (t
rr
) e a carga armazenada na juno (Q
rr
) esto relacionadas diretamente com as perdas
de comutao. Esse tempos podem ser calculados por:


As perdas em diodos podem ser obtidas, de forma aproximada, com base na figura do
desempenho dinmico, obtidas dos fabricantes do semicondutor:
P
total
= P
on
+ P
rec
+ P
off

Para um sinal peridico, temos que :
Perdas em conduo: P
on
= I
F_av
V
F
+ I
F_rms
2
R
on

Perdas de recuperao: P
rec
= 0.5 t
b
V
R
I
REC
f
Perdas em bloqueio: P
off
= I
R_av
V
R
,
onde f a freqncia de comutao do diodo, em Hz, e I
F
, V
F
, I
R
, V
R
, t
b
, V
R
, I
REC
so obtidos
do data-sheet do fabricante.

1.3.1.1.2. Tipos

Diodos de uso geral
Estes diodos so os mais comuns no mercado, e tambm so conhecidos com line-frequency
diodes ou standard recovery diodes. So os diodos que foram desenvolvidos para operar em
freqncias muito baixas, geralmente menor que 1kHz.. Possuem baixa queda em conduo,
desta forma estes diodos esto aptos para operar at vrios kV de tenso e kA de corrente. Como
o tempo de recuperao desses dispositivos elevado (dezenas ou centenas de micro-segundos),
estes dispositivos no so indicados para operarem em altas freqncias.


Diodos rpidos (fast recovery diodes)
Diodos rpidos possuem tempos de recuperao trr da ordem de, no mximo, poucos
micro-segundos, enquanto nos diodos normais de dezenas ou centenas de micro-segundos. O
retorno da corrente a zero, aps o bloqueio, devido sua elevada derivada e ao fato de, neste
momento, o diodo j estar desligado, uma fonte importante de sobretenses produzidas por
indutncias parasitas associadas aos componentes por onde circula tal corrente. A fim de
minimizar este fenmeno foram desenvolvidos os diodos soft-recovery, nos quais esta variao
de corrente suavizada, reduzindo os picos de tenso gerados.
Os diodos rpidos so dispositivos projetados para o uso em aplicaes envolvendo alta
freqncia, onde um pequeno tempo de recuperao necessrio. Em elevados nveis de
potncia, os diodos rpidos possuem t
rr
de poucos microssegundos ou at ns, alm disso, esta
classe de diodo possui baixa queda em conduo direta.

Diodos ultra-rpidos (ultrafast diodes)
uma famlia melhorada dos diodos rpidos. So semelhantes aos diodos rpidos em termos
de queda em conduo, porm possuem menor tempo de recuperao. Como recuperao ocorre
de forma suave, possvel reduzir ou mesmo eliminar o uso de snubbers na maioria das
aplicaes. Sendo um dispositivo de portadores minoritrios, sua queda em conduo
pequena, de tal forma que pode ser aplicado em altas tenses de bloqueio. muito empregado
em fontes chaveadas de alta freqncia de alta eficincia, nos quais se incluem aqueles que
operaram com comutao ZVS e ZCS.
Para ilustrar, mostramos os diferentes comportamentos dos diodos durante as
comutaes:

Figura 0.5

Diodo Schottky
So dispositivos basicamente de portadores majoritrios, usados quando necessria uma
queda de conduo direta pequena em circuitos com baixa tenso de sada. Possuem baixos
tempos de recuperao, podendo operar em altas freqncias.
Estes diodos possuem uma queda de tenso em conduo muito baixa, tipicamente de
0,3V. Entretanto, a mxima tenso suportvel por estes diodos de cerca de 100V, sendo difcil
de serem encontrados diodos Schottky para tenses reversas maiores que 45V. Alm disso, as
correntes de fuga reversas so altas se comparveis aos diodos por juno P-N. Note que,
diferentemente dos diodos convencionais (mostrado em uma figura anterior), assim que a
corrente se inverte a tenso comea a crescer, o que indica que esse dispositivo no possui
portadores minoritrios.
A aplicao deste dos diodos do tipo Schottky ocorre principalmente em fontes de baixa
tenso, nas quais as quedas sobre os retificadores so significativas. As duas caractersticas do
diodo Schottky que fazem ele ser um ganhador no mercado se comparado com retificadores de
juno PN em aplicaes de fontes chaveadas a sua queda direta baixa e ausncia de
recuperao reversa devido a portadores minoritrios. A ausncia de portadores minoritrios
significa uma reduo significativa das perdas de comutao. Talvez no menos importante, o
as oscilaes de tenso quando do bloqueio que so menores se comparadas com aquelas dos
diodos de juno PN, fazendo com que os circuitos Snubbers sejam menores e menos
dissipativos ou mesmo desnecessrios. A queda de tenso menor dos diodos Schottky, se
comparadas com as dos diodos de Juno PN, resulta em um maior rendimento e menores
dissipadores.
.




Fonte: http://www.ixys.com/l499.pdf
1.3.1.1.3. Aplicaes
A tabela a seguir mostra uma comparao das tecnologias de diodos apresentadas.
Observa-se uma grande diferena entre as caractersticas dos diodos, principalmente em relao
aos tempos de comutao. Obviamente, dispositivos com caractersticas de desempenho melhor
so muito mais caros, e s devem ser considerados em projeto quando estritamente necessrios.

Parmetro
(valores tpicos)
Tipo de diodo
Uso geral Rpido Ultra-rpido Schottky
I
F (Av)
60A 60A 60A 60A
V 1600V 600V 400V 45V
V
F
1.3V 1.1V 1.25V 0.69V
t
rr
400ns 70ns 8,5 ns 20ns
T
J
-65 160
o
C -40 150
o
C -55 - 175
o
C -40 150
o
C
I
rr
- 3.4A 8.8 A 2A
Q
rr
- 0.5 C 375 nC 800 nC
Componente 40HF 60HFU-600 60EPU04 MBR6045WT
Obs.: Os componentes exemplos so todos da International Rectifier (www.irf.com)

1.3.1.1. MOSFETS
Os MOSFETs de potncia so dispositivos semicondutores que possuem o
comprimento do Gate (porta) de aproximadamente alguns m. O MOSFET composto de
vrias pequenas clulas de modo ENHANCEMENT conectadas em paralelo sobre uma
superfcie de silcio (die). A seco transversal de uma clula ilustrada na Figura 1 abaixo.


Figura 1 - Seo transversal de uma clula MOSFET.

A corrente flui verticalmente atravs de silicon wafer. A conexo do dreno metalizada feita
na parte de baixo do CI, enquanto a metalizao da fonte o da porta (Gate) na parte superior.
Em condies normais de operao, com v
ds
0 ambos a juno p_n e p_n
-
so polarizados
reversamente. Na Figura 2 a tenso dreno para fonte aparece atravs da regio de depleo na
juno p_n
-
. A regio n
-
fracamente dopada, com uma espessura tal que a tenso desejada de
bloqueio mxima alcanada.


Figura 2 Juno p_n e p_n
-
polarizadas reversamente.

A Figura 3 abaixo ilustra a operao no estado de conduo, com uma tenso de gate-
source suficientemente grande. Um canal se forma no substrato da regio do tipo p abaixo do
gate.

+

+

+
canal

Figura 3 Canal no substrato tipo p no MOSFET.

A corrente de dreno circula atravs do canal n
-
, pela regio n, e sai pelo contato do
source.
A resistncia R
on
que caracteriza o MOSFET em conduo a soma da resistncia da
regio n
-
, do canal, e dos contatos de dreno e source. Na medida em que a tenso de bloqueio
do MOSFET aumenta a resistncia R
ON
do canal n
-
se torna dominante. Como no existem
portadores minoritrios para causar a modulao de condutividade a resistncia R
on
aumenta
significativamente na medida em que a tenso de bloqueio atinge algumas centenas de volts.
A juno p_n
-
chamada de body diode, essa juno forma um diodo em paralelo com
o MOSFET. Esse diodo polarizado diretamente quando a tenso v
ds
se torna negativa. Esse
diodo capaz de conduzir a corrente nominal do MOSFET. Entretanto geralmente o MOSFET
no otimizado com relao os tempos de recuperao desse diodo. As grandes correntes que
fluem durante a recuperao do diodo podem causar danos no componente. Deve ser ressaltado
que alguns fabricantes produzem MOSFET com Body diode com baixos tempos de
recuperao.
A caracterstica esttica tpica de um MOSFET mostrada abaixo.

Figura 4 Caracterstica esttica tpica de um MOSFET.


Quando a tenso v
gs
menor que uma tenso de threshold V
th
, o dispositivo opera no
estado bloqueado. Um valor tpico de V
th
3V. Quando a tenso v
gs
maior que 6 a 7 volts o
dispositivo opera no estado de conduo. Valores tpicos da tenso de gate so 12 a 15 V para
minimizar as perdas de conduo.
Em conduo a tenso do MOSFET, v
ds
proporcional a corrente de dreno. O MOSFET
capaz de conduzir corrente de pico que excedem o valor mdio da corrente e a natureza da
caracterstica esttica modificada em altos nveis de corrente.
MOSFET de potncia que operam com tenso gate-source de 5V tambm so
disponveis. Alguns MOSFET de potncia do tipo P tambm so disponveis, mas eles so
pouco usados devido a sua performance inferior se comparados com os do tipo N.
A resistncia de conduo R
on
e a queda de tenso de conduo possuem coeficientes de
temperatura positivos. Devido a essa propriedade relativamente fcil colocar dispositivos
MOSFET em paralelo.Os MOSFETs de alta corrente so dispositivos disponveis contendo
vrios CIs conectados em paralelo.
As principais capacitncias do MOSFET so ilustradas na Figura 5 abaixo. Esse modelo
suficiente para um estudo qualitativo do comportamento como interruptor.

Figura 5 Principais capacitncias do MOSFET.
Os tempos de comutao so determinados pelo tempo necessrio para carregar e descarregar
essas capacitncias. Uma vez que a corrente de dreno funo da tenso gate-source, ento a
taxa de variao da corrente de dreno dependente da taxa de variao que a tenso gate-source
que definida pelo circuito de comando (driver).
A capacitncia dreno-source leva a perdas de comutao uma vez que a energia
armazenada nessa capacitncia geralmente perdida durante a entrada em conduo do
MOSFET. A capacitncia gate-source essencialmente linear. Entretanto a capacitncia
dreno-source e gate para dreno so fortemente no lineares.
( )
1
o
ds ds
ds
o
C
C v
v
V
=
+
.
(1)
Onde os parmetros C
o
e V
o
so dependentes da geometria do componente. Um outro parmetro
que geralmente fornecido pelos fabricantes a carga de gate (Q
g
). Q
g
a carga total que o
circuito de comando deve fornecer para elevar a tenso de gate source de zero at tipicamente
10 V, com uma tenso dreno-source pr-definida.
MOSFETS so dispositivos usualmente utilizados para tenses menores ou iguais a
400V. Nessas tenses, a queda de tenso direta igual ou superior a dos dispositivos de
conduo por portadores minoritrios. Os tempos de comutao so de 50n a 200 ns. Em
tenses superiores a 400 e 500V, os dispositivos formados por portadores minoritrios (IGBT
por exemplo) possuem uma queda direta menor. A nica exceo em aplicaes onde a
velocidade de comutao mais importante do que o custo do semicondutor para obter queda
em conduo aceitvel.



1.3.1.1. Transistor de Juno Bipolar - BJT

A seo transversal de um BJT de potncia npn mostrada na Figura 1 abaixo.

Figura 1 - Seo transversal de um clula BJT.

Como em outros dispositivos de potncia, a corrente flui verticalmente atravs do semicondutor
wafer. A regio fracamente dopada n
-
inserida no coletor para obter a tenso de avalanche
requerida. O transistor opera no estado bloqueado quando as junes pn
-
e pn esto
reversamente polarizadas. A tenso coletor-emissor aparece essencialmente sobre a regio de
depleo da juno pn
-
. Por outro lado, o transistor opera no estado saturado quando ambos as
junes so diretamente polarizadas. No estado saturado, um nmero substancial de cargas
minoritrias esto presentes na regio p e n
-
. Essas cargas minoritrias fazem com que regio n
-

,que normalmente apresenta uma resistividade elevada, reduza a sua baixa resistncia devido ao
efeito modulao de condutividade condutivity modulation. Entre a regio de bloqueio e
conduo existe a regio ativa, onde a juno p-n diretamente polarizada e a juno pn
-

reversamente polarizada.
Conductivity Modulation An increase in the conductivity of a semiconductor which results
during high-level carrier injection when the concentration of major carriers exceeds the
background, thermal equilibrium value due to high density effects.
Conductivity Modulation: The variation of the conductivity of a semiconductor through
variation of the charge carrier density.

--------------------------------------------------------------------------------

Quando o BJT opera na regio ativa, a corrente de coletor proporcional aos portadores
minoritrios na base, a qual proporcional (em equilbrio) a corrente de base. Existe uma quarta
regio conhecida como quase-saturao, ocorrendo entre a regio ativa e de saturao.

A quase-saturao ocorre quando a corrente base insuficientemente colocar o BJT na
saturao. As cargas minoritrias presentes na regio n
-
so insuficientes para reduzir a regio
de resistncia n
-
, e uma maior resistncia do transistor observada se comparado com a
saturao.
Considere um exemplo simples dado na Figura 2.

Figura 2 Etapas de operao do circuito com BJT.

O transistor opera bloqueado no intervalo 1 com a juno base emissor reversamente polarizada
. A entrada em conduo inicia no intervalo 2, quando a tenso da fonte comuta para um valor
positivo, ou seja v
s
(t)=V
s2
. Uma corrente positiva suprida pela fonte v
s
para a base do BJT.
Essa corrente primeiro carrega as capacitncias associadas a regio de depleo das junes pn e
pn
-
que esto reversamente polarizadas. No final do intervalo 2 a tenso base-emissor excede
zero suficientemente para a juno base-emissor se tornar diretamente polarizada. A durao do
intervalo 2 chamado de turn-on delay time. Durante o intervalo 3 os portadores minoritrios
so injetados atravs da juno base-emissor do emissor para a regio da base. A corrente de
coletor proporcional a carga na regio base. Ento durante o intervalo 3 a corrente de coletor
aumenta. Uma vez que o transistor esta acionando uma carga resistiva, a tenso de coletor
decresce nesse intervalo. Isso reduz a tenso atravs da juno base-coletor e tambm reduz a
regio de depleo. Aumentando I
b1
(pela reduo R
B
ou incrementando V
s2
) possvel
aumentar ambos as variaes de portadores minoritrios da base e a carga da capacitncia da
regio de depleo. Assim, aumentando I
b1
possvel reduzir os tempos de entrada em
conduo. Prximo do fim do intervalo 3, a juno pn
-
se torna diretamente polarizada. Os
portadores minoritrios so ento injetados na regio n
-
, reduzindo efetivamente a resistividade.
Dependendo da geometria e da magnitude da corrente de base, a tenso de calda pode ser
observada na medida em que a resistncia aparente da regio n
-
reduzida pelo efeito de
modulao da condutividade. O BJT atinge o equilbrio no comeo do intervalo 5, com
resistncia ON baixa, e com uma substancial quantidade de portadores minoritrios nas
regies n
-
e p. Nesse intervalo as cargas minoritrias excedem a quantidade necessria para
suportar a conduo na regio ativa da corrente de coletor.
O bloqueio iniciado no intervalo 6, quando a tenso da fonte retorna para V
s1
. A
tenso base-emissor permanece diretamente polarizada uma vez que os portadores minoritrios
esto na sua vizinhana. A corrente de coletor circular enquanto existir portadores minoritrios
em excesso para suportar a conduo na regio ativa. A corrente de base I
b2
. negativa remove
os portadores minoritrios armazenados na juno. Esse intervalo termina quando o excesso de
portadores minoritrios so removidos. A durao desse intervalo chamado de tempo de
estocagem ou Storage Time. Durante o intervalo 7 o BJT opera na regio ativa. A corrente de
coletor proporcional a carga armazenada. A recombinao e a corrente de base negativa
continuam a reduzir os portadores minoritrios da base, e a corrente de coletor diminui. No final
do intervalo 7 os portadores minoritrios armazenados so nulos. A juno base-emissor torna-
se reversamente polarizada. A durao do intervalo 7 chamada de tempo de descida. Durante
o intervalo 8 o capacitor associado da juno base-emissor descarregado at v
s1
. No intervalo
9 o transistor opera em equilbrio no estado bloqueado.

Figura 3 Corrente de base idel do BJT.

A corrente acima uma corrente de base ideal. A corrente I
b1
alta, tal que a carga inserida
rapidamente na base, e assim h uma reduo dos tempos de entrada em conduo. Existe um
compromisso existe entre a amplitude corrente de equilbrio de conduo I
Bon
e Storage Time. A
fim de que a queda de conduo seja pequena I
Bon
deve ser grande mas assim h um aumento
excessivamente o excesso de portadores minoritrios o que aumenta tempo de estocagem.
A corrente I
b2
grande em magnitude tal que as cargas armazenadas possam ser
removidas rapidamente e os tempos de estocagem e desligamento sejam minimizados. Ainda,
os valores de I
b1
e I
b2
devem ser limitados para evitar falha no componente.


1.3.1.1. Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

A seo transversal de um IGBT mostrada abaixo.

Figura 1 - Seo transversal de um clula IGBT.

O IGBT um dispositivo semicondutor moderno de quatro camadas de gate isolado.
Pode-se notar que o IGBT muito parecido com o MOSFET com relao ao tipo construtivo. A
diferena fundamental a regio p conectada ao coletor do IGBT. A funo da camada p de
injetar portadores minoritrios na regio n
-
quando o dispositivo opera na regio de conduo.
Quando o IGBT conduz a juno pn
-
polarizada diretamente e portadores minoritrios
so injetados na regio n
-
e a resistncia reduzida pelo efeito de modulao de condutividade.
Isto reduz a resistncia ON da regio n
-
, que permite a construo de IGBTs de alta tenso de
bloqueio apresentar queda de tenso direta aceitveis. Em 1999 IGBTs de 600 V a 3300V eram
disponveis com quedas diretas entre 2 a 4 V, que so muito menor do que as de MOSFETs com
a mesma rea do semicondutor.

Figura 2 Simbologia e circuito equivalente do IGBT.

O IGBT funciona como um MOSFET de canal n conectado a um transistor pnp. As
caractersticas fsicas desse componente so ilustradas abaixo.

Figura 3 Aspectos fsicos do IGBT.

Existem 2 correntes, a corrente do MOSFET i
1
e a corrente do pnp i
2
.
O preo pago por reduzir a tenso do IGBT o aumento dos tempos de comutao,
especialmente os tempos de desligamentos. O IGBT no desligamento apresenta uma corrente de
calda current tailing.
coletor
emissor
O MOSFET pode ser desligado rapidamente, removendo as cargas do gate. Isto faz com
que a corrente i
1
v para zero.
Entretanto a corrente i
2
continua a circular at que os portadores minoritrios presentes
na regio n
-
sejam removidos. Uma vez que no existe maneira de remover esses portadores,
eles decaem lentamente por recombinao. Ento i
2
decai coma recombinao dos portadores
minoritrios o que resulta em uma corrente de calda pode ser observada. A durao da corrente
de calda pode ser reduzida pela introduo de centros de recombinao na regio n
-
com o preo
pago de aumentar a resistncia ON.
O ganho de corrente pnp pode tambm ser minimizado causando i
1
ser maior que i
2
. Mesmo
assim os tempos de comutao do IGBT so significativamente maiores que os dos MOSFET,
com tempos de fechamento de 0,5 s a 5 s. Hoje as freqncias tpicas de conversores com
IGBT so de 1 a 30 kHz. Finalmente, em conduo o IGBT pode ser modelado por um circuito
com mostrado na Fig.4, onde os valores de R e V so obtidos a partir do catalogo do fabricante,
veja Fig. 13 abaixo.

V
R

Figura 4 Modelo do IGBT em condio de conduo.

A remoo de cargas armazenadas pode ser melhorada pela adio de uma camada n+
que atua como uma fonte para o excesso de buracos The removal of stored charge can be
greatly enhanced with the addition of an n+ buffer layer which acts as a sink for the excess
holes and significantly shortens the tail time. This layer has a much shorter excess carrier
life time which results in a greater recombination rate within this layer. The resultant
gradient in hole density in the drift region causes a large flux of diffusing holes towards the
buffer region which greatly enhances the removal rate of holes from the drift region and
shortens the tail time. This device structure is referred to as Punch-Through (PT) IGBT
while the structure without the n+ buffer region is referred to as Non Punch-Through (NPT)
IGBT (Fig. 5).


(a) Non Punch Through (NPT) IGBT (b) Punch Through (PT) IGBT




1.3.1.1. Tiristores (SCR, GTO, MCT)
De todos os semicondutores de potncia o SCR ( silicon-controlled rectifier ) o mais
antigo, possui o menor custo por kVA, e capaz de controlar a maior quantidade de potncia.
Dispositivos de 5000 a 7000 V que suportam milhares de ampares so disponveis no mercado.
Em aplicaes de sistemas de potncia, especificamente em link transmisso CC, SCRs
comandados por luz ( light-triggered SCR - US Patent 5148253) conectados em srie so
empregados em retificadores e inversores comutados pela rede que operam com correntes de
alguns kA e tenses de at 1 MV. Um SCR de potncia ocupa um wafer de semicondutor de
alguns centmetros de dimetros e so montados em diferentes encapsulamentos, dentre eles
destaca-se os do tipo discos, como ilustrado na figura abaixo.

Figura: SCR de grande potncia encaspulamento (press pack type).
O smbolo do SCR e um circuito equivalente contendo transistores NPN e PNP do tipo
BJT so ilustrados na figura abaixo.

Figura 1 - Simbologia e circuito equivalente para o SCR.

A seo transversal de um tiristor mostrada na figura 2 abaixo.

Figura 2 Seo transversal para uma clula do SCR.
O transistor Q
1
composto pelas regies n, p, n
-
, e o transistor Q
2
pelas regies p, n
-
, p.
O SCR capaz de bloquear tenses positivas e negativas. Dependendo da polarizao da
tenso aplicada a uma das junes p n
-
polarizada reversamente. Em qualquer caso a regio de
depleo se estende na regio n
-
fracamente dopada. Como em outros dispositivos a tenso de
bloqueio obtida pela prpria espessura da regio n
-
e da concentrao de portadores nessa
regio.
O SCR pode entrar em conduo quando a tenso aplica v
AK
for positiva. Uma corrente
de gate positiva i
G
faz com que o transistor Q
1
entre em conduo, isso supre corrente para o
transistor Q
2
que entre em conduo. A conexo da base e do coletor dos transistores Q
1
e Q
2

constituem um lao de realimentao positiva. Desde que o produto dos ganhos dos dois
transistores seja maior que 1, ento, a corrente dos transistores ir aumentar regenerativamente.
Em conduo, a corrente do anodo limitada pelo circuito externo e ambos os transistores
operam saturados. Portadores minoritrios so injetados nas quatro regies, e como resultado do
efeito da modulao por condutividade leva a quedas diretas muito baixas. Em conduo o SCR
pode ser modelado como uma fonte de tenso srie com uma resistncia R
ON
.
Independentemente da corrente de gate, o SCR se mantm em conduo. Ele no pode se
bloquear a menos que uma corrente negativa de anodo seja aplicada.
No caso de conversores comutados pela rede, o bloqueio do SCR feito pela tenso de
entrada. Em conversores com comutao forada um circuito de comutao externo fora a
inverso de corrente no SCR.
A caracterstica esttica do SCR mostrada abaixo.

Figura 3 Curva da caracterstica esttica do SCR.
Durante a entrada em bloqueio ( turn-off ), a taxa na qual a tenso anodo para catodo
reaplicada deve ser limitada para evitar que o SCR volte a entrar em conduo. O tempo t
q
o
tempo para que os portadores minoritrios armazenados nas regies p e n
-
sejam ativamente
removidos atravs de uma corrente de anodo negativa. Durante o bloqueio, a corrente negativa
remove ativamente os portadores minoritrios, com uma comutao semelhante a de um diodo.
Assim, aps do primeiro cruzamento por zero da corrente de anodo necessrio esperar um
tempo t
q
antes de reaplicar uma tenso positiva entre anodo e catodo. A figura abaixo ilustra a
variao da carga armazenada com a derivada da corrente.

Os SCRs usualmente apresentam uma rea relativamente grande, sem uma inter-
digitao do gate e do catodo. Elementos parasitas surgem da grande rea do SCR levam a
algumas limitaes. Durante a entrada em conduo a taxa de crescimento da corrente de anodo
deve ser limitada em um valor seguro, caso contrrio focos de corrente podem ocorrer que
levam a formao de pontos quentes hot spots, os quais podem levar a queima do dispositivo.
A forma rudimentar na qual a estrutura do gate e o catodo so arranjados no SCR impede que
seja possvel levar o SCR ao bloqueio atravs do gate.


O GTO, Gate Turn Off Thyristors, um dispositivo moderno que pode ser desligado
pelo gate. O contato de gate e do catodo so interdigitados, de forma que toda a juno gate-
catodo pode ser reversamente polarizada durante a transio de bloqueio.
O ganho de desligamento do GTO a razo entre a corrente negativa de gate e a corrente
necessria para levar o dispositivo ao bloqueio. Valores tpicos de ganho so de 2 a 5. Isto
significa que vrias centenas de ampares de corrente de gate negativa so necessrios para
bloquear um GTO de 1000 A.
Tambm importante a mxima corrente controlvel de conduo. O GTO capaz de
conduzir picos de corrente bastante significativos. Entretanto, s possvel levar ao estado de
bloqueio atravs do gate com valores de corrente de anodo inferiores a um valor limite
especificado pele fabricante.
A figura abaixo mostra formas de onda tpicas de um GTO.





Outro dispositivo da famlia dos tiristores o MCT, MOS Controlled Thyristors. Este
um dispositivo recente, onde MOSFETs so integrados formando um SCR altamente
interdigitados, permitindo controlar a entrada em conduo e o bloqueio. Da mesma forma que
o MOSFET e o IGBT, o MCT um dispositivo de um nico quadrante no plano v
ak
x i
a
. No
MCT a entrada em conduo e o bloqueio so controlados pela tenso entre gate e anodo. A
seo transversal de um MCT contm MOSFET mostrado na figura abaixo.

Figura 4 Seo transversal para uma clula do MCT.

O circuito equivalente do MCT mostrado abaixo.


Figura 5 Circuito Equivalente de um MCT.

Na entrada em conduo do MCT, a tenso gate para anodo levada para um valor negativo.
Isto polariza diretamente o canal p do MOSFET Q
3
, polarizando diretamente a juno base-
emissor de Q
1
.
O transistor Q
1
polariza diretamente o Q
2
que se mantm em conduo. Para levar o
MCT ao bloqueio, a tenso gate para anodo deve ser levada para um valor positivo. Isto polariza
diretamente o MOSFET de canal n, Q
4
, que por sua vez polariza reversamente a juno base-
emissor do BJT Q
2
levando ao estado bloqueado. importante que a resistncia do MOSFET
seja pequena o suficiente de forma a influenciar a corrente de catodo. Isto estabelece a mxima
corrente controlvel de conduo, ou seja, a mxima corrente que pode ser bloqueada pelo gate.
O MCT de tenso elevada apresenta tenso direta inferior e maior densidade de corrente que o
IGBT para mesma tenso e rea de semicondutor. Entretanto, os tempos de comutao so
maiores. Como o GTO, o MCT pode conduzir correntes elevadas, mas a mxima corrente que
pode ser interrompida pelo gate limitada. Para obter transies ao bloqueio confiveis,
circuitos de proteo (snubbers) devem ser utilizados. O MCT ainda um dispositivo
semicondutor emergente, sendo que geraes futuras de MCT podero apresentar caractersticas
mais satisfatrias.




1.4 Magnticos

Reviso de Magnetismo
Os elementos magnticos so uma parte integral de todos os conversores estticos.
Freqentemente, o projeto de dispositivos magnticos no pode ser feito de uma forma isolada.
O Engenheiro de eletrnica de Potncia deve no s projetar o conversor, mas tambm projetar
os elementos magnticos. Aqui a teoria bsica do magnetismo revisada, incluindo circuitos
magnticos, modelo de indutores e transformadores. Os mecanismos de perdas em dispositivos
magnticos so tambm abordados.

Relaes Bsicas

A fora magnetomotriz F um escalar que proporcional a integral do campo
magntico entre dois pontos, ou seja,
2
1
y
y
=
Hdl
onde dl um vetor infinitodecimal na direo do caminho l
m
.
O produto escalar indica que a componente do campo ao longo do caminho. Se o
campo magntico uniforme ao longo do caminho, tem-se,

H l =
Por outro lado o fluxo magntico passando pela superfcie S com rea A obtido por:

superfcie S
=
BdA
onde dA um vetor com direo normal a superfcie. Para uma densidade de fluxo magntico
uniforme.

c
B A =
Lei de Faraday
A lei de Faraday relaciona a tenso induzida em uma espira com a variao de fluxo passando
no interior da espira, isto :
( )
d
v t
dt
=

Figura 1 Representao da lei de Faraday

Para uma densidade de fluxo uniforme
( )
c
dB
v t A
dt
=
Assim a tenso induzida em uma espira est relacionada com a variao temporal
densidade de fluxo no interior da espira.

Lei de Lenz
A tenso induzida pela variao de fluxo (t) possui uma polaridade que tende a gerar
uma corrente que gera um fluxo que se opem a variao do fluxo.
Figura 2 Ilustrao da Lei de Lenz.
Lei de Ampre
A Lei de Ampre relaciona a corrente em um enrolamento com a fora magnetomotriz e
o campo magntico H. A fora magnetomotriz em um caminho fechado igual a corrente
passando no interior desse caminho. Seja como exemplo o ncleo magntico com uma espira
passando uma corrente i(t) atravs do centro da janela. Vamos considerar o caminho fechado l
m
.

corrente que passa atraves do caminho =
Hdl

Se o campo for uniforme ento,
( ) ( ) ( ) t H t l i t = =
Por outro lado, a relao entre B e H :
= B H
Sendo a permeabilidade dependente do meio. Para o espao livre a permeabilidade =
0

4x10
-7
em Henries por metro em MKS. A figura 2 ilustra a curva BH tpica de uma liga de ao
quando sujeita a uma excitao senoidal em regime permanente.

Figura 2 Curva BH no espao livre e para liga de ao.

A caracterstica BH dos materiais magnticos so no-linear e exibem histerese e
saturao. Com o objetivo de simplificar a anlise a caracterstica do material pode ser
modelada por uma curva linear por partes como mostrado na figura abaixo.

A permeabilidade de uma material magntico pode ser expressa pelo produto da
permeabilidade relativa e a permeabilidade
o
do espao livre (=
r
o
). Valores tpicos de
o

so de 10
3
10
5
para matrias magnticos.
Materiais com lao quadrado exibem um tipo de caracterstica de saturao abrupta.
Materiais soft exibem uma caracterstica de saturao menos abrupta que gradualmente
reduz com o aumento de H.
O valor tpico de B
sat
de 1 a 2 Tesla para o ao laminado e 0,5 e 1 tesla para materiais
p de ferro ( iron powder, molypermalloy ) enquanto materiais o tipo ferrite possuem um B
sat

entre 0,25 a 0,5 Tesla.
Com objetivo de determinar as caractersticas eltricas de um circuito contendo
elementos magnticos vamos considerar um simples indutor.

Da lei de Faraday temos que a tenso induzida no enrolamento devido ao fluxo no interior do
ncleo, :
( )
espira
d
v t
dt
= como o enrolamento possui n espiras a tenso total nos terminais do

enrolamento ser:
( )
( ) d t
v t n
dt
=
Assumido que a densidade de fluxo magntico uniforme atravs ento

( )
( )
c
dB t
v t nA
dt
=
Por outro lado, se considerarmos tambm que o campo magntico uniforme ao do caminho
magntico do ncleo, l
m
, e lembrando que o enrolamento possui n espiras da lei de Ampere
temos:
( ) ( ) H t l n i t =
Com o objetivo de simplificar a curva BH vamos considerar a curva linear por partes que no
considera a histerese mas considera a saturao, mostrada anteriormente. Assim a relao entre
a densidade de fluxo magntico e campo magntico pode ser expressa por:
para
para
para
sat sat
sat
sat sat
B H B
B H H B
B H B
>
= >
<

Na regio de saturao a inclinao da curva BH definida por o que muito menor que e
assim ser desprezada. A corrente de saturao pode ser definida por:

ou

sat m sat
sat m
sat
sat m
sat
H l n i
H l
i
n
B l
i
n
=
=
=

Vamos considerar agora que a corrente no circuito seja menor que a corrente de saturao,
|i(t)| < i
sat
, assim a tenso induzida nos terminais do enrolamento pode ser expressa por:
( )
( )
c
dH t
v t nA
dt
=
ainda, utilizando a relao entre a corrente e campo magntico obtida da lei de Ampere temos:
( )
2
( )
c
m
n A di t
v t
l dt
=

Definindo a indutncia como

2
c
m
n A
L
l
=

tem-se a relao usual da tenso e corrente em um indutor:
( )
( ) di t
v t L
dt
=
que vlida para uma densidade de fluxo menor que B
sat
. Quando a corrente for superior a
corrente de saturao a permeabilidade reduz significativamente e a tenso induzida
praticamente nula.


Circuitos Magnticos
Para a soluo de circuito com elementos magnticos mais complexos til obter um
circuito magntico a parmetros concentrados. Vamos considerar um elemento magntico
mostrado abaixo:

c c
H l
B
l
l
l
A A
=
=
= =
=

Note que a ultima equao possui uma forma semelhante a lei de ohm. Essa equao estabelece
que o fluxo magntico atravs de um elemento proporcional a fora magnetomotriz. A
constante de proporcionalidade a relutncia. Assim podemos desenhar o seguinte elemento de
circuito magntico:

Estruturas magnticas complexas contendo entreferro podem ser representas por circuito
magnticos equivalentes. Esse circuitos magnticos podem ser solucionados de forma
semelhante a circuitos eltricos. A lei de Kirchoff das correntes pode ser aplicada uma vez que
das leis de Maxwell tem-se que o divergente da densidade de fluxo magntico zero. Ou seja,
no existe fonte ou sorvedouro de campo magntico, assim os somatrios dos fluxo entrando e
saindo de um n em um circuito magntico nulo.

Por outro lado, anlogo a lei de Kirchoff das tenses a lei de Ampere.

corrente que passa atraves do caminho =
Hdl

O lado esquerdo da equao representa as quedas de FMM sobre as relutncias e o lado direito
as fontes de FMM. Sendo o somatrios as duas nulos sobre um caminho fechado.
Vamos considerar um indutor com um entreferro mostrado abaixo:


2
2
( )
a tenso induzida nos ternimais do indutor serv
( )
( )
ou
( )
( )
( )
definindo a indutncia como
( )
resulta
( )
( )
c g
c g
c g
ni
d t
v t n
dt
n di t
v t
dt
n
L
di t
v t L
dt
= +
=
=
+
=
+
=

O entreferro utilizado em indutores por duas razes: Sem o entreferro a indutncia
proporcional a permeabilidade do material magntico do ncleo que depende as temperatura e
do ponto de operao e difcil de ser controlada. Como a relutncia do entreferro geralmente
maior que a do ncleo e o entreferro possvel obter valores de indutncia que so pouco
dependentes da permeabilidade do ncleo. Segundo a introduo do entreferro a corrente de
saturao bem superior.

A corrente de saturao com o entreferro ser:
( )
sat c
sat c q
B A
I
n
= +
assim a corrente de saturao maior com o entreferro, mas o valor da indutncia menor.

Vamos considerar agora o caso de um transformador com dois enrolamentos como o
mostrado na figura abaixo onde tambm mostrado o circuito magntico equivalente

Considerando que o ncleo possui uma seo transversal A
c
, um comprimento mdio l
m

e uma permeabilidade ento a relutncia do ser:
m
c
c
l
A
=
Assim da lei de Ampere temos:
1 1 2 2
1 1 2 2
c
c
n i n i
n i n i
= +
= +

E em um transformador ideal a relutncia zero ento
1 1 2 2
0 n i n i = +

Sendo a tenso induzida nos enrolamentos so obtidas pela lei de Faraday, ou seja
1 1
2 2
d
v n
dt
d
v n
dt
=

com o fluxo o mesmo temos:
1 2
1 2
v v
n n
=

Para um transformador rela a relutncia do ncleo diferente de zero ento a tenso induzida
pode ser relacionada com corrente da seguinte forma:

2
1 2 2
1 1
1
( )
n
d i i
n n
v
dt
+
=

definindo

2
1
2
1 2
1
1
e
temos
M
M
M
M
n
L
n
i i i
n
di
v L
dt
=
= +
=

No circuito acima a indutncia de magnetizao est referida para o primrio, ou seja o lado do
enrolamento n
1
. A indutncia de magnetizao modela a magnetizao do ncleo, e essa exibe
tanto o histerese quanto saturao. Note que a presena da indutncia de magnetizao faz com
que a relao entre a corrente primria e secundria seja diferente da relao de espiras. O
transformador satura quando a densidade de fluxo magntico maior do que o de saturao, e
na regio de saturao a corrente de magnetizao aumenta significativamente. importante
salientar que a saturao de um transformador uma funo do produto tenso tempo, ou seja
1
1
M
M
i v dt
L
=

ou in ternos de fluxo, apartir da lei de Faraday
1
1
1
( ) ( )
c
B t v t dt
n A
=

Assim aumentado o numero de espiras ou a seo transversal do ncleo pode-se reduzir a
densidade de fluxo e evitar a saturao do transformador.
Na prtica nem todo do fluxo que cruza o enrolamento n
1
cruza o enrolamento n
2
, parte
do fluxo disperso no ar ou em parte do ncleo. Esse fluxo disperso pose ser representado por
uma indutncia em srie com os enrolamentos com mostrado na figura abaixo, onde o circuito
equivalente tambm mostrado.

Note que a indutncia de disperso faz com que a relao entre a tenso v
1
e v
2
seja diferente do
nmero de espiras. As equao do transformador freqentemente escrita da seguinte forma:

1
1 11 12
2 12 22 2
di
v L L
dt
v L L di
dt
(
(
( (
= (
( (
(
(


Onde L
12
chamada de indutncia mtua e dada por:
1 2 2
12
1
M
n n n
L L
n
= =

e as quantidades L
11
e L
22
so conhecidas com auto-indutncias

11 1
2
2
22 1
1
l M
l M
L L L
n
L L L
n
= +
| |
= +
|
\

Note que
1
1 11 12
2 12 22 2
di
v L L
dt
v L L di
dt
(
(
( (
= (
( (
(
(

no traz a relao de espira de uma forma explicita mas
expressa em funo de grandezas eltricas. Essa equao pode ser usada para obter a relao de
espiras efetiva, ou seja
22
11
e
L
n
L
=
e o coeficiente de acoplamento
12
11 22
L
k
L L
=
O coeficiente de acoplamento 0<k<1 e uma medida do grau de acoplamento entre o
enrolamento primrio e secundrio. Em um transformador ideal k=1. Ainda, a construo de
transformadores de baixa tenso com coeficiente de acoplamento prximo de um k=0.99
usual. Com k prximo de um a relao de espira efetiva igual a n
1
/n
2
.

Mecanismos de Perdas em Dispositivos Magnticos

1.1 Perdas no Ferro

Energia necessria para efetuar uma mudana na magnetizao de um ncleo
magntico. Nem toda a energia removida na forma eltrica, uma frao perdida na forma de
calor. Essas perdas magnticas so observadas histerese na curva B-H.
Considere um indutor excitado com uma tenso v(t), i(t) tendo uma freqncia f. A
energia lquida que no indutor sobre um ciclo :
( ) ( )

one ciclo
W v t i t dt =
.
(2)
Ns podemos relacionar a caracterstica B-H. Substituindo B(t) por v(t) usando a lei de Faraday,
e substituindo campo magntico H usando a lei de Ampre tem-se:
( ) ( )

m
c
one ciclo
dB t H t l
W nA dt
dt n
| | | |
=
| |
\ \
.
(3)

c m
one ciclo
W A l HdB =
.
(4)
O termo A
c
l
m
o volume do ncleo, enquanto a integral a rea no interior do lao B-H.
energia perdida Volume do nucleo (area do lao - ) B H =
. (5)

As perdas por histerese P
H
igual a energia perdida por ciclo multiplicada pela
freqncia f.

H c m
one ciclo
P f A l HdB =
.
(6)
Onde observa-se pela equao anterior que as perdas por histerese so diretamente
proporcionais a freqncia.
Ncleos magnticos so ligas ferro que infelizmente tambm so bons condutores
eltricos. Como resultado campos magnticos podem causar o fluxo de corrente alternada
dentro do ncleo. Como no exemplo ilustrado na Figura 1.


Figura 1 Eddy currents no material de ferro

O fluxo CA passa pelo ncleo, e de acordo com a lei de Lenz induz corrente (Eddy current) que
gera um fluxo que se ope a essa variao. Essas correntes causam perdas i
2
R. Essas correntes
so especialmente significativas em altas freqncias.
De acordo com alei da Faraday o flux (t) induz uma tenso, que produz uma corrente
conforme a figura anterior. Como a tenso proporcional a derivada do fluxo, a magnitude
aumenta de forma diretamente proporcional com a freqncia de excitao. Se a impedncia do
ncleo puramente resistiva e independente da freqncia, ento a magnitude da tenso
induzida que resultam nas Eddy currents tambm aumenta diretamente proporcional com a
freqncia. Isto implica que as perdas i
2
R associadas as Eddy currents deveria aumentar com o
quadrado da freqncia. Em ferrites, a impedncia na realidade diminui com a freqncia f.
Existe um compromisso entre densidade de saturao e as perdas no ncleo. O uso de altas
densidades de fluxo reduz o tamanho, peso e custo. O ao silcio apresenta uma densidade de
fluxo de saturao entre 1.5 e 1.2 T. Infelizmente esses materiais apresentam altas perdas no
ncleo. Em particular a baixa resistividade desse material eleva as Eddy currents. O ncleo
produzido em finas lminas para reduzir a magnitude das Eddy currents.
Outras ligas de ferro podem conter molibdnio, cobalto ou outros elementos que
apresentam menores perdas no ferro ao preo de reduzir as densidade do fluxo de saturao.
Ligas de ferro so tambm utilizadas em ncleos porosos, contento partculas de
materiais magnticos com dimetro suficientemente pequeno, tal que geram Eddy currents
pequenas. Essas partculas so unidas usando um material isolante. Ferro poroso (Iron Powder)
molybdenum permalloy powder apresentam densidade de saturao entre 0,6 a 0,8 T, com
perdas significativamente menores que a dos materiais porosos laminados.
O isolante funciona com um entreferro distribudo, ento esses ncleos possuem uma
permeabilidade relativamente baixa. Ncleos porosos encontram aplicao em transformadores
de freqncia de alguns kHz, e em indutores para conversores chaveados de at 100 kHz.
Ligas Amorfos exibem uma baixa perda por histerese. A condutividade do ncleo
menor que das ligas de material ferroso, mas maior que a dos ferrites. O fluxo de saturao varia
de 0,6 a 1,5 T.
Os ferrites so materiais cermicos que apresentam baixa densidade de fluxo de
saturao 0,25 a 0,5 T. A resistividade muito maior que a de outros materiais, ento as Eddy
currents so bem menores. A curva das perdas no ferrite mostrada na figura 2.

Figura 2 - Curva das perdas no ferrite.

Perdas no Cobre
Uma perda significativa ocorre na resistncia dos enrolamentos de indutores e
transformadores. As perdas no cobre um fator determinante no tamanho do ncleo magntico
no qual os enrolamentos sero montados. Se as perdas no cobre dos enrolamentos fossem
desprezveis ento o indutor ou transformador poderia ser menor pelo uso de um fio com uma
seo menor. As perdas no cobre podem ser determinadas por:

2
c rms
P I R =
. (7)
A resistncia CC do enrolamento

b
l
R
A
=
.
(8)
onde A a rea da seo transversal do fio, l
b
o comprimento e a resistividade, esta ltima
igual a 1,724x10
-6
-cm para fios de cobre na temperatura ambiente.

Perdas no Cobre para Alta Freqncia

Eddy currents que produzem perdas no ncleo tambm produzem perdas no cobre
devido a correntes induzidas nos enrolamentos. Estas correntes podem resultar em um aumento
significativo das perdas nos enrolamentos levando a valores bem superiores ao previsto com a
resistncia CC. Os mecanismos de perdas por Eddy currents em indutores so chamados de Skin
effect ou Proximity effects. Esses fenmenos so mais proeminente em transformadores e
indutores com enrolamentos de mltiplos condutores e camadas encontrados em conversores
estticos que operam em alta freqncia.

Efeito Pelicular e de Proximidade

A figura abaixo ilustra a corrente alternada i(t) fluindo atravs de um condutor
arbitrrio.
A

Figura 4 Fluxo da corrente atravs do condutor

Essa corrente induz um fluxo magntico (t), cujas linhas de fluxo passam por um caminho
circular como mostrado na figura anterior. De acordo com a lei de Lenz o fluxo CA induz uma
corrente Eddy current, a qual flui de maneira a se opor ao fluxo CA. possvel observar na
figura que a Eddy current reduz a densidade da corrente no centro e aumenta prximo da
superfcie.A distribuio de corrente no condutor pode ser encontrada pela soluo da equao
de Maxwell. Para uma corrente senoidal de freqncia f, o resultado que a densidade de
corrente decai exponencialmente para dentro do condutor, como ilustrado na figura acima.
A profundidade de penetrao da corrente, , usado para caracterizar este efeito

f
=
.
(9)
onde a permeabilidade e a resistividade. Para o cobre a 100
o
C :

7, 5
cm
f
=
.
(10)
sendo a freqncia f expressa em Hz.

Figura 5 Profundidade de penetrao de corrente em funo da freqncia

O efeito Skin faz com que as perdas de condutor de grandes dimetros aumentem com a
freqncia. As altas freqncias no penetram no interior do condutor e se concentram na
prximo da superfcie a seo transversal efetiva reduzida. O efeito Skin faz com que as
perdas no condutor no condutor de espessura h, seja igual a de um conduto de espessura com
uma densidade de corrente uniforme. Assim a resistncia CA equivalente pode ser obtida por:

AC dc
h
R R =
.
(11)
E as perdas no cobre so dadas por:

2
AC
P i R =
. (12)

Em transformadores de mltiplas camadas outro fenmeno leva tambm ao aumento da
resistividade equivalente dos condutores, e este ser abordado a seguir.

Efeito de Proximidade

Um condutor que pelo qual circula um corrente alternada i(t) induz perdas nos
condutores adjacentes por um fenmeno chamado de Efeito de Proximidade. A figura abaixo
ilustra este fenmeno

Figura 6 Efeito de proximidade entre condutores adjacentes.
Vamos considerar um espira, condutor 1, por onde circula uma corrente senoidal de alta
freqncia que resulta em uma profundidade de penetrao, , de corrente muito menor que a
espessura h do condutor. Ainda, vamos considerar que espira, condutor 2, encontre-se aberta,
de forma que a corrente lquida sobre ela nula. Note que mesmo que a corrente total no
condutor 2 zero possvel a corrente i(t) induza Eddy Currents no condutor 2. Na figura
acima a corrente i(t) circulando no condutor 1 gera um fluxo (t) no espao entre os
condutores . Pela lei de Lenz uma corrente induzida no condutor adjacente que tende a se opor
no fluxo CA. A figura abaixo ilustra o efeito de proximidade em um transformador. O
enrolamento primrio consiste da conexo em srie de laminas de cobre possudo uma espessura
h muito maior que a profundidade de penetrao, , por onde circula uma corrente i(t). O
enrolamento secundrio idntico ao primrio, e se considerarmos que a corrente de
magnetizao pequena a corrente no enrolamento secundrio ser -i(t).
A corrente de alta freqncia i(t) circula no lado direito as superfcie da primeira camada
adjacente a segunda camada. Isso induz perdas no cobre no na primeira camada que pode ser
calculada por
AC dc
h
R R =
,
2
1 AC
P i R =

Por outro lado o efeito de proximidade induz uma corrente na superfcie da segunda
camada do enrolamento primrio, que gerar um fluxo que se ope ao gerado pela corrente da
primeira camada. Se os condutores so prximos, e se h>> , a corrente induzida ser igual e
oposta a corrente i(t), como ilustrado na figura. Acima. Ento uma corrente -i(t) circula no lado
esquerdo da superfcie da segunda camada. Uma vez que as camadas 1 e 2 esto conectadas em
srie elas devem conduzir a mesma corrente total i(t). Como resultado uma corrente 2i(t) deve
circular no lado direito da superfcie. A corrente fluindo na superfcie esquerda da segunda
camada possui a possui a mesma magnitude da corrente da primeira camada, ento resulta nas
mesmas perdas no cobre ou seja P
1
. A corrente as superfcie direita da segunda camada possui
uma magnitude 2 I. ento as perdas no cobre no lodo direito da segunda camada sero 4P
1
.
Assim as perdas totais na segunda camada ser 5P
1.
De formas semelhante pose-se concluir que
as perdas totais na terceira camada so 13 vezes superiores do que as da primeira camada.

Figura: Ilustrao do efeito de proximidade em um transformador de dois enrolamentos.
Para um enrolamento mltiplas camadas a perdas no cobre na camada m ser::
2 2 2
( 1)
m dc
h
P I m m R
( = +

Assim, as perdas totais no cobre em um enrolamento de M camadas sero:
2 2 2 2 2
1
( 1) (2 1)
3
M
m dc dc
m
h h M
P I R m m I R M

=
( = + = +

Se uma corrente contnua com o mesmo valor rms I circulasse pelo enrolamento de M camadas,
as perdas no cobre seriam
2
m dc
P I MR =

Assim, o efeito de proximidade aumentam as perdas no cobre por uma fator
2
1
(2 1)
3
R
dc
P h
F M
P
= = +

Note que esta expresso vlida sobre a hiptese que h>> .
Exemplos
Exemplo 1- um conversor Buck operando em CCM onde a corrente no indutor
mostrada na figura abaixo.


O campo magntico no ncleo pode ser obtido como segue:
onde
c
c c
c g
c
c
c c g
c co c
c
co
c c g
c
co
c c g
H l ni
ni
H
l
H H H
nI
H
l
n I
H
l
=
+
=
+
= +
=
+

=
+

Assim a trajetria no plano B-H ser com ilustrada na figura abaixo:

Neste caso as perdas no ncleo geralmente so pequenas e densidade de fluxo mxima
limitada pela saturao. O efeito de proximidade tambm desprezvel. Apesar de material
com ferrite poderem ser usados outros materiais que apresentam maiores perdas mas com
maiores densidade de fluxo de saturao pode resultar em indutores menores.

Exemplo 2 Transformador de fontes chaveadas: Vamos considerar um
transformador de uma fonte chaveada com uma tenso com mostrada na figura abaixo:


A corrente de magnetizao pode ser obtida pela integrao da tenso v
1
(t). Ento, usando a lei
de ampere pode-se obter o campos magntico no ncleo ou seja:
M
m
ni
H
l
=
Assim a trajetria no plano B-H em regime permanente assuma a forma mostrada abaixo:


Segue abaixo algumas referncias recomendadas para leitura.
[1] P. L. Dowell, Effects of eddy currents in transformer windings, Proc.Inst. Elect. Eng.,
vol. 113, no. 8, pp. 13871394, Aug. 1966.
[2] P. S. Venkatraman, Winding eddy current losses in switch mode power transformers
due to rectangular wave currents, in Proceedings of Powercon11. Dallas, TX: Power
Concepts, Inc., 1984, pp. 111.
[3] B. Carsten, High frequency conductor losses in switchmode magnetics, Proc. HPFC,
pp. 155176, May 1986.
[4] William Gerard Hurley, Optimizing the AC Resistance of Multilayer Transformer
Windings with Arbitrary Current Waveforms , IEEE Transactions on Power
Electronics, vol. 15, No. 2, March 2000.

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Fundamentos de Eletrnica de Potncia

apresentado na Figura 0.21.

entre zero e infinito. Curva salientada 0.562 =

= como o enrolamento possui n espiras a tenso total nos terminais do

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