330

MATERIAIS ELTRICOS: COMPNDIO DE TRABALHOS

VOLUME 4



SUMRIO

FORNOS ELTRICOS - Marlon Cestile............................................................................. 331

RELS - Vinicius Fritsch.................................................................................................... 352

DISJUNTORES - Rafael Paim........................................................................................... 367

FUNCIONAMENTO DE UM FOTOTRANSISTOR - Tiago Richter Maritan ........................ 382

LMPADA INCANDESCENTE - Silvio Katsuo Ogawa....................................................... 391

SCR: RETIFICADOR CONTROLADO DE SILCIO - Samir de Oliveira Ferreira ................ 408



331
FORNOS ELTRICOS
Marlon Cestile

1. Introduo
Na indstria atual, a cada dia mais intensa a busca por materiais mais
resistentes, durveis, com qualidades peculiares. Muitas dessas caractersticas
alguns materiais s conseguem pelo processo de fuso. Para cada tipo de material a
ser trabalhado, fundido, h um certo tipo de forno mais recomendvel. Com este
trabalho est proposto um conhecimento superficial dos tipos de fornos eltricos
existentes, sua composio e materiais utilizados nos mesmos.

Os tipos de fornos eltricos:
Podemos classificar os fornos eltricos em trs grupos:
Fornos a Resistncia
Fornos de Induo
Fornos a Arco

2. FORNO A RESISTNCIA
Denominamos forno a resistncia os fornos que utilizam o calor gerado por
efeito Joule, numa determinada resistncia que atravessada por uma corrente
eltrica elevada. Tais fornos no provocam oscilaes na tenso da rede que os
alimenta.
O material utilizado varia de acordo com aplicao do processo industrial, e
podem ser de aquecimento direto e indireto.

2.1 AQUECIMENTO DIRETO
Nesse tipo de forno, o material a ser trabalhado posicionado entre dois
eletrodos e por ele atravessa-se a mesma corrente eltrica do circuito.
O emprego deste tipo de forno muito especfico, como exemplos de
aplicao citamos o aquecimento de gua para produo de vapor, a manuteno
da temperatura de fuso do vidro a partir de um bloco de material fundido,fabricao
de eletrodos de grafite utilizados em fornos de arcos,manuteno da temperatura do
banho que permite a tmpera dos aos ,entre outros.
332
2.2 AQUECIMENTO INDIRETO
Estes so os tipos mais comuns de fornos a resistncia.Neste tipo, o material
que ser trabalhado colocado em uma cmara isolada termicamente, e o calor a
ser transferido se d por conduo,conveco e irradiao.
Na indstria este forno muito utilizado para fuso do chumbo e alumnio.


FIGURA 1 - Forno para fabricao de vidro

2.3 MATERIAIS UTILIZADOS NA COMPOSIO DE FORNOS A RESITNCIA
No podemos utilizar qualquer material para a composio deste tipo de
forno. Deve ser feito uma anlise do material e da resistncia necessria para que o
forno se aplique a funo que est se procurando obter. Algumas condies so
apresentadas a seguir:
Ter uma elevada temperatura de fuso (na ordem de 25% superior
temperatura de fuso do material a ser trabalhado;
Ser resistente corroso na temperatura de operao;
Ter resistividade elevada;
Apresentar um elevado grau de dureza em altas temperaturas.

H alguns materiais que satisfazem as condies acima citadas, assim sendo
muito utilizados como resistncias nos fornos, so eles:

Nicromo V (80% Ni, 20 % Cr);
Cromax (30%Ni, 20% Cr,50% Fe);
Kantal (Cr, Al, Co, Fe);

333
Geralmente estes materiais so constitudos de fios ou fitas dispostos em
forma de espiral.
As resistncias podem ser ligadas em forma de circuitos monofsicos (fase-
neutro ou fase-fase) ou em circuitos trifsicos (na forma estrela ou tringulo) .
prefervel que seja na forma trifsica pois resulta numa menor quantidade do
material resistor.
Um dado muito importante que deve ser levado em considerao na hora de
escolher a seo da resistncia a carga especifica superficial,que representa a
maior taxa de transferncia de potncia cedida por unidade de superfcie.Sua
unidade dada em W/cm
2
. necessrio porm uma avaliao da seo,pois quanto
menor for menor ser o custo,no entanto ter sua durabilidade reduzida.

TABELA 1.1 Carga especfica superficial- W/cm
2

Temperatura do forno(C) Tipo de liga
600 700 800 900 1000 1100 1200
80%Ni
20%Cr
5 3.2 2.2 1.5 1.1 0.9 -
30%Ni
20%Cr
4.6 3.0 2.0 1.4 1.0 0.8 -
20%Cr 5% Al 8.0 5.8 4.3 3.1 2.2 1.3 -
Cr-Al-Co 3.9 3.5 3.0 2.4 1.5 - 0.8


TABELA 1.2 Caracterstica das ligas Cromel e Copel
Resistncia ) / ( m Dimetro do fio
(mm)
80%Ni 20%Cr 55%Cu 45%NI
10.414 0.01269 0.005742
8.255 0.02017 0.009121
6.553 0.03205 0.014502
5.182 0.05124 0.022467
4.115 0.08136 0.036747
3.251 0.13025 0.058861
334
2.591 0.20506 0.092850
2.057 0.32515 0.146990
1.626 0.52102 0.235570
1.295 0.82020 0.370750
1.016 1.33210 0.602720
0.813 2.08340 0.941650
0.6426 3.3368 1.5092
0.5105 5.2791 2.3886
0.4038 8.4322 3.8158
0.3200 13.4190 6.0764
0.2540 21.3300 9.6461
0.2032 33.3350 15.0600
0.1600 53.7100 24.3120
0.1270 85.3060 38.5840
0.1143 105.3200 47.6400
0.1016 133.2100 60.2720
0.0890 174.2200 78.7400
0.0787 221.790 100.4000


Para dimensionarmos um forno de resistncia de aquecimento indireto
estabelecemos algumas etapas:

Etapa 1- Potncia desejada do forno
A potncia desejada depende do material a ser trabalhado e do tempo para o
qual deseja atingir a condio de operao. No caso de materiais metlicos,
podemos verificar na tabela 1.3 a energia que deve ser utilizada para elevar as suas
temperaturas a um valor desejado, prximo ao de fuso.

TABELA 1.3 Energia para elevar a temperatura dos metais (kWh/ton)
Temperatura Material
400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 1300 1400 1500
Ao 50 60 90 120 160 175 215 225 250 260 280 295
335
Gusa - - - - - - - - 310 330 345 375
Al 100 140 170 300 335 370 393 - - - - -
Cu - 57 65 76 90 100 120 135 200 215 223 235
Ag 27 38 45 50 55 60 105 110 120 127 135 140
Ni 50 60 85 100 115 140 160 180 195 220 237 333

Os nmeros em negrito representam a energia aproximada,por tonelada, para
os materiais indicados atingirem o estado de fuso.
A Eq 1.1 nos fornece a potncia do forno de acordo com a quantidade de
energia necessria para sua operao, e que uma funo da natureza da carga de
trabalho.
T
P E
P
m
f

Onde:
Pf = Potncia do forno
q = rendimento do forno (varia de 0.6 a 0.8)
T= tempo desejado para o material atingir a sua temperatura de trabalho (em horas)
Pm = peso do material a ser trabalhado (em toneladas)
E = energia consumida no processo desejado (em kWh/t)

A seguir apresentada uma tabela com os principais propriedades de
materiais utilizados nas resistncias de fornos.

Material Composio Resistividade
C-mm
2
/m
Ponto de
fuso
(C)
Resitncia
trao
(kg/mm
2
)
Nicromo Ni-Fe-Cr 1.1221 1350 66.79
Nicromo V Ni-Cr 1.0806 1400 70.31
Cromax Fe-Ni-Cr 0.9975 1380 49.22
Nirex Ni-Cr-Fe 0.9809 1395 56.25
Nilvar Fe-Ni 0.8046 1425 49.22
Bronze
comercial
Cu-Zn 0.0415 1040 26.01
336
Ni puro Ni 0.0997 1450 42.18
Platina Pt 0.1060 1773 34.00
Ao Fe 0.0999 1535 35.15
Zinco Zn 0.0592 419 15.47
Molibdnio Mo 0.0569 2625 70.31
Tungstnio W 0.0552 3410 344.542
Alumnio Al 0.0267 660 24.61
Ouro Au 0.0242 1063 27.00
Cobre Cu 0.0172 1083 24.61
Prata Ag 0.0163 960 -


Etapa 2 - Determinao do dimetro do fio resistor

=
V N
P
P
D
p
ff
e
f

4 . 34

Onde :
f
D = dimetro do fio resistor (em mm);
= resistividade do material resistor, em Cmm
2
/m;
V = tenso de suprimento, em V;
Pe = carga especfica superficial do resistor, em W/cm
2
;
Pff = potncia por fase do forno, em kW;
Np = nmero de circuitos resistores em paralelo;

Etapa 3 - Determinao do comprimento do fio do resistor

m
r
f
R
R
L

=

Rf = resistncia do fio, em C
337
R
m

= resistncia, por unidade, do fio resistor, em C/m

2.4 TUNGSTNIO
O tungstnio (conhecido antigamente como volfrmio ou wolfrmio) um
elemento qumico de smbolo W , nmero atmico 74 (74 prtons e 74 eltrons )
com massa atmica 184u situado no grupo 6 da classificao peridica dos
elementos. um metal de transio que, temperatura ambiente, encontra-se no
estado slido.
Metal escasso na crosta terrestre, encontrado em forma de xido e de sais
em certos minrios tais como wolframita e scheelita, entre outros. De cor branca
acinzentada, brilhante, muito duro e denso, tem o ponto de fuso mais alto de todos
os elementos.
Foi isolado em 1783 pelos irmos Jos Elhuyar e Fausto Elhuyar, na
Espanha, aos quais creditada a descoberta do elemento.
O elemento apresenta o mais elevado ponto de ebulio (5657C), a menor presso
de vapor e a mais elevada resistncia a tenso em temperaturas acima de 1650C,
entre todos os metais.Seu ponto de fuso 3680C. Sua resistncia corroso
excelente e s atacado ligeiramente pela maioria dos cidos minerais diludos. O
tungstnio, quando exposto ao ar, forma na sua superfcie um xido protetor, porm
pode ser oxidado em alta temperatura. Quando adicionado em pequenas
quantidades ao ao eleva consideravelmente a sua dureza.

2.4.1 OBTENO DE TUNGSTNIO
Os principais minrios de tungstnio (W) so o CaWO
4
, o PbWO
3
e a
Wolframita [(Mn, Fe)WO
4
]. Esses minrios so encontrados principalmente na
China, Estados Unidos, Burma, Malsia, Portugal e Bolvia. Os minrios so
inicialmente tratados com soda, do que resulta um wolframato de sdio, e que
fornece xido de tungstnio (WO
3
). Aps uma secagem a 300 C, o xido reduzido
p a 800 1000 C. A refrigerao deve ser efetuada em ambiente de hidrognio.
Os gros de p metlico sero tanto maior quanto mais elevada a temperatura e
mais longo o tempo de reduo. A reao qumica a seguinte:

WO
3
+3H(W+3H
2
O)
338
A reduo do WO
3
pode ser feita tambm por carbono finalmente dividido
quanto por monxido de carbono (CO), aplicando a 1000 C. Esse ltimo processo
parece menos adequado obteno de tungstnio para uma das suas principais
aplicaes, que na fabricao de filamentos de lmpadas. O tungstnio possui
uma temperatura de fuso muito elevada, da ordem de 3300 a 3400 C. Esse fato
dificulta extremamente, ou mesmo impossibilita, sua fuso, fazendo com que
geralmente seja usado o processo da sintetizao dos ps.
A fabricao do p de tungstnio a nvel industrial pode ser feita alm do
trixido de tungstnio (WO
3
), por cido tungstico (H
2
WO
4
) ou por xido azul (TBO),
reduzidos por hidrognio em fornos resistivos rotativos ou formato parafuso. O
processo convencional de obteno de p de W mostrado na figura 2. O
monitoramento de alguns parmetros desse processo, tais como temperatura, fluxo
de H
2
e granulometria do produto inicial permiti-nos obter ps com as caractersticas
controladas.

FIGURA 2 - Processo convencional de reduo por H
2
Jiqiao.

O grau de finura das partculas esta associado ao processo de fabricao.
Segundo Chiaverini( partculas de tungstnio, ou seja, quanto mais fino esse xido,
mais fino ser o p de tungstnio resultante. Ainda segundo Jiqiao a finura e
homogeneidade do p de W tornam-se fator chave na produo do p de tungstnio.
De acordo com este ponto de vista, a escolha adequada das condies de reduo
do xido de tungstnio tornou-se mais e mais importante para o processo
convencional de reduo.
Vrios estudos sob a produo de W

foram realizados e indicam a importncia
das propriedades e tamanho de partculas da matria-prima de reduo. Estes
estudos revelem que para baixa razo de presses parciais pH
2
/pH
2
O as reaes de
339
reduo ocorrem em atmosferas prximas ao do equilbrio termodinmico,
significando portanto, baixa taxa de nucleao e conseqentemente, grandes cristais
sero produzidos. Haubner verificou que cada tomo de tungstnio transportado
durante a reduo na forma gasosa WO
2
(OH)
2
e que, quanto mais curto for esse
caminho, mais finos so os cristais formados.

WO
3
calcinado a 800C, sem
moagem

WO
3
calcinado a 800C, modo
por 9 horas

(a)

(b)

(c)

(d)

FIGURA 3 (a) e (c) micrografia do WO
3
obtido da calcinao do APT sem
moagem;(b) e (d) micrografia do WO
3
obtido da calcinao do APT com moagem por
9h.


340
WO
3
reduzido a 800C/1h.

(a) (b)
Figura 4 Micrografia do WO
3
reduzido a 800C/1h em atmosfera de H
2
.(a)
aumento de 500x; (b) aumento de 5000x.

3. FORNOS DE INDUO
So os tipos de fornos que utilizam corrente de Foucault para produzir ou
manter a fuso de um determinado metal encerrado dentro de um recipiente isolado
termicamente por material refratrio e envolvido por uma bobina indutora.
Os fornos de induo operam basicamente como um transformador, no qual o
primrio representa a bobina de induo e o secundrio, em curto circuito, equivale
carga metlica de trabalho. As bobinas de induo so geralmente fabricadas de
cabos tubulares de cobre eletroltico, dentro dos quais circula o meio
refrigerante(normalmente gua tratada).
Uma grande vantagem do forno de induo o fato de se poder transferir para
a carga de trabalho uma potncia elevada de operao, sem que isso provoque
fenmenos qumicos externos que, combinados, modifiquem as caractersticas do
material processado.
O rendimento dos fornos de induo varia conforme alguns fatores,dentre eles
a geometria do circuito indutivo e do material processado,as caractersticas eltricas
e trmicas da carga,a intensidade do campo magntico da bobina de induo, a
freqncia de operao do circuito indutivo, a resistividade do material da carga e
suas perdas magnticas.Mais do que isto,o rendimento tambm est associado
diretamente a profundidade de penetrao das correntes das correntes induzidas no
material da carga.Quanto maior for a freqncia do circuito indutivo, menor a
341
penetrao das correntes de Foucault na carga processada.Alm destes,o
rendimento maior para cargas compostas de materiais ferromagnticos do que
para materiais diamagnticos e paramagnticos.
As tenses de operao das bobinas de induo variam de 60 a 600
V,dependendo da regulao que se deseja.
Os fornos de induo so geralmente monofsicos, sendo as bobinas de
induo ligadas entre duas fases de um circuito trifsico, provocando assim
inevitavelmente um desequilbrio de corrente no sistema alimentador.
H trs tipos diferentes de fornos de induo, cada um com uma aplicao
especfica,ou seja:

Forno de induo a canal
Forno de induo de cadinho
Forno de induo para aquecimento de tarugos


3.1 FORNOS DE INDUO A CANAL
Este tipo de forno constitudo por um ou mais recipientes isolados
termicamente, em torno dos quais se constri uma carcaa metlica dentro da qual
se deposita a carga de trabalho. Em comunicao direta com o recipiente h um
canal construdo na parte inferior, em forma circular, cheio do material fundido da
prpria carga. No interior do mesmo so colocadas as bobinas de induo
envolvendo um ncleo magntico, submetido, em geral, por uma tenso
freqncia industrial.
Os fornos de induo a canal tm aplicao na manuteno da temperatura
de metais j fundidos por outro forno ou por outro meio. Tambm so muito
empregados na fuso de cobre, alumnio, zinco, bronze e etc.

342

FIGURA 5 - Forno a canal

3.2 FORNOS DE INDUO DE CADINHO
constitudo de um recipiente circular, isolado termicamente envolvido por
uma bobina de induo e dentro do qual se deposita o material de trabalho. Muito
empregados na fuso do cobre, bronze, ao inox e etc.
Ao operar em baixas freqncias provoca-se uma movimentao intensa na
massa fundida do metal, devido s foras eletrodinmicas das bobinas de induo,
resultando num efeito benfico ao processo, pois homogeniza o banho.

343

FIGURA 6 - Forno de induo a cadinho.

3.3 FORNOS DE INDUO PARA AQUECIMENTO DE TARUGOS
Este tipo de forno constitudo de vrias bobinas circulantes, instaladas no
interior do material refratrio, atravs das quais introduzida a carga. empregado
particularmente nas indstrias siderrgicas destinadas a fabricao de ferro para
construo civil.
As bobinas que constituem o indutor podem ser de dimensionamentos
diferentes, a fim de manterem a temperatura no material de trabalho dentro de
condies adequadas de processo.
Os fornos de induo para aquecimento de tarugos so constitudos
basicamente de um conversor de freqncia para permitir uma freqncia
compatvel com o processo desejado, um banco de capacitores, sistema de
refrigerao das bobinas de induo e o conjunto de bobinas indutoras.

4. FORNOS A ARCO
So assim chamados pois utilizam propriedades do arco eltrico para
produzirem a fuso dos metais mantidos dentro de uma cuba isolada termicamente
por material refratrio. Eles so muito empregados nas indstrias destinadas fuso
do ferro e ao, alm de outros materiais tais como cobre, lato, bronze, e outras
ligas metlicas.
344
O arco eltrico formado pela passagem de uma corrente entre dois
eletrodos, tendo como meio ionizado geralmente o ar.
Eles so subdividos em 3 tipos:
Arco submerso ou arco-resistncia
Arco indireto
Arco direto

Os fornos a arco so fontes permanentes de poluio ambiental, tal a
quantidade de gases e material slido expelidos para a atmosfera. A poeira
lanada para o meio ambiente constituda, em sua maioria, por xidos (CaO,
MnO, SiO e Fe2O3), e chega a atingir em mdia 11kg/t de carga, correspondendo
percentualmente a marca de 1,1% da poluio.

4.1 FORNOS A ARCO SUBMERSO
composto por uma cuba revestida de material refratrio dentro do qual
operam eletrodos submersos na massa da carga de trabalho. So muito aplicados
produo de diversas ligas de ferro que dependendo da sua composio, consomem
uma quantidade de energia compreendida entre 3000 e 6000 kWh/t, podendo atingir
ainda valores superiores. So empregados tambm na manuteno do estado
lquido da gusa ou ao oriundo de outros tipos de fornos.Este tipo de forno no
apresenta distrbios no sistema alimentador.

4.2 FORNOS A ARCO INDIRETO
Nesta espcie de forno h uma cuba revestida do material refratrio dentro do
qual operam eletrodos fixados horizontalmente num ponto acima da carga de
trabalho. O arco mantido entre os eletrodos, e a energia trmica atinge a carga
atravs dos fenmenos de irradiao e conveco. So pouco utilizados e suas
aplicaes destinam-se a fuso de materiais no-ferrosos.

4.3 FORNOS A ARCO DIRETO
Estes fornos so constitudos por uma cuba revestida de material refratrio
dentro da qual operam os eletrodos posicionados verticalmente acima da carga de
trabalho. Sua aplicao especificamente est voltada para a fuso de sucata de
ferro e ao dirigida fabricao de lingotes que, aps laminados, se convertem em
345
vergalhes utilizados na construo civil e em barras de espessuras e tamanhos
variados. Aplica-se tambm no superaquecimento e manuteno da temperatura de
banhos de metais lquidos provenientes de outros fornos.
Os fornos de arco direto em geral so trifsicos, seu funcionamento baseia-se
na formao de um arco entre os eletrodos e a carga. A operao se inicia com a
ignio do arco e termina aproximadamente duas horas e meia depois, quando a
carga vazada da cuba refratria.Este processo de operao pode ser dividido em
dois ciclos, o primeiro caracteriza-se pelo constante movimento da massa slida a
ser fundida; ocasionando variaes de correntes motivadas pela instabilidade do
arco.Ocorrem cerca de 600 a 1000 curto circuitos e o perodo dura
aproximadamente 50 minutos. a parte mais crtica do regime de operao do forno.
O segundo ciclo, comumente chamado de refino, caracterizado por uma melhor
estabilidade do arco devido ao estado lquido que a carga adquiriu. Neste ciclo, as
flutuaes de tenso so de menor intensidade, resultando num regime de
operao mais favorvel.
A operao do forno em curto-circuito caracterizada quando a queda de
tenso no arco nula, isto , os eletrodos esto diretamente em contato com a
carga metlica. A potncia ativa absorvida pelo forno neste ciclo praticamente
nula. O forno absorve somente potncia reativa.

Partes fsicas de um forno a arco direto:

4.3.1 CUBA REFRATRIA
constituda de um recipiente de ao de grande espessura, isolada
termicamente
por materiais refratrios compostos base de argila, dentro da qual depositada a
carga de trabalho.Na parte superior da cuba h uma tampa onde esto os
eletrodos.A tampa geralmente tem formato cncavo, constituda de ao revestido
internamente por uma camada de material refratrio.
Tanto a cuba quanto a tampa possuem so resfriadas atravs de um sistema de
refrigerao cujo meio circulante gua.



346
4.3.2 ELETRODOS
Os eletrodos so constitudos de um bloco cilndrico de grafite de comprimento
variveis de acordo com a capacidade do forno.Com o uso ocorre um desgaste do
mesmo,seu comprimento reduzido, sendo necessrio fazer uma emenda
apropriada. Os eletrodos de grafite apresentam uma densidade de corrente mxima
de 40A/cm
2
.

4.3.3 TRANSFORMADOR
Este equipamento de fabricao especial, sendo imerso em leo mineral e
refrigerado por gua. Deve suportar elevadas solicitaes eletrodinmicas. So
trifsicos tendo o primrio ligado em estrela e o secundrio em delta.

4.3.4 CABOS FLEXVEIS
So condutores de cobre anular resfriados a gua e fazem a conexo entre as
barras fixas,ligando o secundrio do transformador ao forno.

4.3.5 DISJUNTOR DE FORNO
o equipamento de proteo do transformador do forno. Possui elevada capacidade
de ruptura. So de ar comprimido ou a vcuo.

5. REFRATARIOS
O que muitas vezes encarece um forno eltrico a troca peridica de seu
refratrio. Os materiais cermicos so utilizados nos refratrios devido as suas
propriedades que o fazem resistir a elevadas temperaturas sem se fundir. Alm da
capacidade de proporcionar isolamento trmico.
O desempenho de uma cermica refrataria depende de sua composio. Eles
podem ser classificados como argila refratria, slica, bsica, e refratrios especiais.
A porosidade uma varivel microestrutural que deve ser controlada para
produzir um tijolo refratrio adequado. A resistncia, a capacidade de suportar uma
carga e a resistncia ao ataque de por materiais corrosivos aumentam em funo de
uma reduo na porosidade. Ao mesmo tempo as caractersticas de isolamento
trmico so diminudas.Obviamente, a porosidade tima depende das condies de
servio.

347

FIGURA 7 - Cadinho de forno eltrico

5.1 ARGILAS REFRATRIAS
Os principais ingredientes das argilas refratrias so argilas refratrias de alta
pureza, misturas de alumina e slica contendo geralmente 25 a 45% de alumina. De
acordo com o diagrama de fases para o SiO
2
-Al
2
O
3
,ao longo de uma faixa de
composies a maior temperatura possvel sem que ocorra a formao de uma fase
liquida de 1587C. Durante o uso em servios refratrios, a presena de uma
pequena quantidade de fase liquida pode ser permitida sem que haja um
comprometimento da integridade mecnica. Acima de 1587C, a frao de fase
lquida presente depender da composio do refratrio.
Os tijolos de argila refratria so usados nos fornos para confinar atmosferas
quentes e para isolamento trmico de membros estruturais contra temperaturas
excessivas. Para os tijolos de argila refratria, a resistncia no habitualmente
uma considerao importante, uma vez que habitualmente no exigido o suporte
de cargas estruturais.

5.2 REFRATRIOS A BASE DE SLICA
Seu ingrediente principal como o prprio nome j diz a slica. Esses
materiais so bastante conhecidos pela sua capacidade de suportar cargas a altas
temperaturas,so comumente utilizados nos tetos em arco de fornos para a
fabricao de aos e vidros,podem atingir at 1650C.Nessas condies ,uma
pequena frao de tijolo existir fase lquida .A presena mesmo em pequenas
concentraes de alumina tem uma influncia negativa sobre o desempenho desses
materiais refratrios, pois a cerca de 1600C pequenas adies de Al
2
O
3
pode fazer
348
com que haja quantidades significativas de lquidos em temperaturas acima de
1600C.Assim o teor de alumina deve ser mantido o mnimo possvel.
Estes materiais tambm so resistentes a escrias ricas em slica
(conhecidas como escrias cidas) e so usados com freqncia como vasos de
contentao para tal.Por outro lado eles so facilmente atacados por escrias que
contm uma proporo elevada de CaO e MgO(escrias bsicas).

5.3 REFRATRIOS BSICOS
So os refratrios ricos em periclsio, ou Magnesita (MgO).Eles podem conter
tambm compostos de clcio, cromo e ferro. A presena de slica prejudicial ao
desempenho desses materiais a altas temperaturas. Estes refratrios so
especialmente resistentes ao ataque por escrias que contm concentraes
elevadas de CaO e MgO.So muito utilizados para fornos de fabricao de ao.

5.4 REFRATRIOS ESPECIAIS
Existem alguns materiais cermicos que so consistem em xidos com
pureza relativamente alta,muitos dos quais podem ser produzidos com pouca
porosidade. Neste grupo esto inclusos a alumina, slica, Magnesita, berlia(BeO),
zircnia (ZrO) e mulita (3Al
2
O
3
-2SiO
2
).Outros materiais incluem compostos a base
de carbeto, alm carbono e da grafita. O carbeto de Silcio (SiC) tem sido usado
para fabricar elementos de aquecimento por resistncia eltrica, como os materiais
usados em cadinhos e em componentes internos do forno. O carbono e a grafita
refratrios, porm sua aplicao limitada pelo fato de sua suscetibilidade a
oxidao quando expostos a temperaturas superiores a aproximadamente 800C.
Como esperado esses materiais refratrios especiais so relativamente caros.

6. CONCLUSO
O estudo dos fornos eltricos se faz necessrio para o ramo da engenharia
no apenas como complemento bibliogrfico, mas para que os acadmicos possam
conhecer os diversos tipos de fornos e seus funcionamentos, durante sua
experincia profissional importante que tenha conhecimento sobre tal assunto para
a elaborao de projetos industriais que venham a fazer.Saber tambm que
periodicamente os refratrios devem ser trocados para que no desgastem e faam
reaes com os materiais que esto sendo trabalhados neste forno.Muitos
349
fenmenos de anomalias peas de diversos tipos de materiais pode ser explicado
por um profissional da rea de matrias investigando o processo de fabricao e
obteno do mesmo, ligando assim diretamente o estudo de fornos eltricos,que
utilizado para fundir inmeros matrias, proporcionando caractersticas peculiares a
cada material utilizado na indstria atual.

7. CURIOSIDADE
Em uma Indstria de vidros de So Paulo,verificou-se que os vidros ali
produzidos estavam apresentando defeitos de corda.Iniciaram-se os estudos para
descobrir porque o fenmeno estava ocorrendo to freqentemente nos exemplares
da fbrica.Foram feitos estudos e micrografias dos vidros como pode se verificar na
figura 8. Toda a parte de simulao do forno foi reestudada e analisada a
composio e estado do material refratrio do forno. Foi possvel notar que houve
um transporte de massa de SiO
2
para o vidro.Assim ao final do estudo pode-se
comprovar que o refratrio estava se degradando e reagia com o vidro quando o
mesmo estava sendo fundido.


FIGURA 8 Micrografia de um vidro que estava apresentando defeitos
(defeitos de cordas).


350

FIGURA 9 - Cadinho atacado pelo vidro



FIGURA 10 - Cadinho atacado pelo vidro





351


FIGURA 11 - Vista em corte do forno da fbrica


8. REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS
MAMEDE,Joo Filho.Instalaes eltricas Industriais.LTC, 5ed., Rio de Janeiro -
RJ, 1997.

CALLISTER Jr,Willian D. Fundamentos da Cincia e Engenharia de Materiais, LTC,
Rio de Janeiro - RJ, 2006.

ROUSE,Maurcio Radino.Anlise e Simulao de forno eltrico de fuso de
vidro.USP.So Paulo-SP,2006

TUNGSTNIO.Disponvel em www.tabela.oxigenio.com. Acesso em 23/05/2009.



352
RELS
Vinicius Fritsch

1. INTRODUO
Rel um dispositivo eletro-mecnico ou no, com inmeras aplicaes
possveis em comutao (acionamento/desligamento) de contatos eltricos.
Servindo para ligar ou desligar dispositivos eltricos e eletrnicos. normal o rel
estar ligado a dois circuitos. No caso do Rel eletro-mecnico, a comutao
realizada alimentando-se a bobina do mesmo.Quando uma corrente originada no
primeiro circuito passa pelo dispositivo, um campo eletromagntico gerado,
acionando o rel e possibilitando o funcionamento do segundo circuito. Sendo
assim, uma das vantagens do rel utilizar-se de baixas correntes para o comando
no primeiro circuito, protegendo o operador das possveis altas correntes que iro
circular no segundo circuito.
Os tipos de rels existentes e suas aplicaes tem uma grande diversidade
em vrias reas como no setor energtico por exemplo, um dos principais nichos do
mercado de rels. Ao contrrio do que a grande maioria das pessoas pensam, os
rels no se limitam ao uso em veculos. Pelo contrrio, so largamente utilizados
na indstria, desde o processo de automao at os produtos fabricados para uso
em residncias e comrcios. Os primeiros computadores utilizavam rels para
implementar funes booleanas. Na figura 1 observamos a foto de um rel aberto.


FIGURA 1 - Um rel aberto



353
Neste trabalho, vamos entender como funcionam os rels, saber onde eles
so utilizados e tambm estudar os materiais utilizados na sua construo.

2. CONSTRUO E FUNCIONAMENTO DE UM REL
Os rels so dispositivos simples e possuem quatro partes:
eletrom
armadura que pode ser atrada pelo eletrom
mola
conjunto de contatos eltricos
O rel formado por dois circuitos completamente independentes. O primeiro
est na parte inferior e funciona com o eletrom. Neste circuito, um switch controla a
potncia do eletrom. Quando o switch est ligado, o eletrom ativado e atrai a
armadura (azul). A armadura funciona como um switch no segundo circuito. Quando
o eletrom est energizado, a armadura completa o segundo circuito e a luz se
acende. Quando o eletrom no est energizado, a mola puxa a armadura e o
circuito no se completa. Neste caso, a luz no acende.
Quando voc adquire um rel, voc pode controlar diversas variveis.
a voltagem e corrente necessrias para ativar a armadura;
a voltagem e corrente mximas que a armadura e contatos da armadura
podem suportar;
o nmero de armaduras (geralmente, uma ou duas);
o nmero de contatos da armadura; geralmente, um ou dois (o rel do
exemplo tem dois, mas um no utilizado);
se o contato (caso exista apenas um contato) est normalmente aberto (NA)
ou normalmente fechado (NF).
Os rels so dispositivos comutadores eletromecnicos. A estrutura simplificada
de um rel mostrada na figura 1 e a partir dela explicaremos o seu princpio de
funcionamento.



354

FIGURA 2 desenho bidimensional de um rel

Nas proximidades de um eletroim instalada uma armadura mvel que tem
por finalidade abrir ou fechar um jogo de contatos. Quando a bobina percorrida por
uma corrente eltrica criado um campo magntico que atua sobre a armadura,
atraindo-a. Nesta atrao ocorre um movimento que ativa os contatos, os quais
podem ser abertos, mfechados ou comutados, dependendo de sua posio,
conforme mostra a figura 2.


FIGURA 3 chaveaveamento de um rel

Isso significa que, atravs de uma corrente de controle aplicada bobina de
um rel, podemos abrir, fechar ou comutar os contatos de uma determinada forma,


355
controlando assim as correntes que circulam por circuitos externos. Quando a
corrente deixa de circular pela bobina do rel o campo magntico criado
desaparece, e com isso a armadura volta a sua posio inicial pela ao da mola.
Os rels se dizem energizados quando esto sendo percorridos por uma
corrente em sua bobina capaz de ativar seus contatos, e se dizem desenergizados
quando no h corrente circulando por sua bobina.
A aplicao mais imediata de um rel com contato simples no controle de
um circuito externo ligando ou desligando-o, conforme mostra a figura 3. Observe o
smbolo usado para representar este componente.
Quando a chave S1 for ligada, a corrente do gerador E1 pode circular pela
bobina do rel, energizando-o. Com isso, os contatos do rel fecham, permitindo que
a corrente do gerador E2 circule pela carga, ou seja, o circuito controlado que pode
ser uma lmpada.


FIGURA 4

Para desligar a carga basta interromper a corrente que circula pela bobina do
rel, abrindo para isso S1.
Uma das caractersticas do rel que ele pode ser energizado com correntes
muito pequenas em relao corrente que o circuito controlado exige para
funcionar. Isso significa a possibilidade de controlarmos circuitos de altas correntes
como motores, lmpadas e mquinas industriais, diretamente a partir de dispositivos
eletrnicos fracos como transistores, circuitos integrados, fotoresistores etc.
A corrente fornecida diretamente por um transistor de pequena potncia da
ordem de 0,1A no conseguiria controlar uma mquina industrial, um motor ou uma
lmpada, mas pode ativar um rel e atravs dele controlar a carga de alta potncia.
(figura 4)



356

FIGURA 5

Outra caracterstica importante dos rels a segurana dada pelo isolamento
do circuito de controle em relao ao circuito que est sendo controlado. No existe
contato eltrico entre o circuito da bobina e os circuitos dos contatos do rel, o que
significa que no h passagem de qualquer corrente do circuito que ativa o rel para
o circuito que ele controla.
Se o circuito controlado for de alta tenso, por exemplo, este isolamento pode
ser importante em termos de segurana.
Do mesmo modo, podemos controlar circuitos de caractersticas
completamente diferentes usando rels: um rel, cuja bobina seja energizada com
apenas 6 ou 12V, pode perfeitamente controlar circuitos de tenses mais altas como
110V ou 220V. O rel que tomamos como exemplo para analisar o funcionamento
possui uma bobina e um nico contato que abre ou fecha.

3. APLICAES DOS RELS
O objetivo do rel utilizar pequena quantidade de energia eletromagntica
(proveniente, por exemplo, de um pequeno interruptor ou circuito eletrnico simples)
para mover uma armadura que pode gerar uma quantidade de energia muito maior.
Por exemplo, voc pode usar 5 volts e 50 miliamperes para ativar o eletrom e
energizar uma armadura que suporta 120V AC em 2 ampres (240 watts).
Os rels so comuns em eletrodomsticos, geralmente quando existe um
controle eletrnico que liga algo como um motor ou uma lmpada. Eles tambm so
muito comuns em carros, onde a fonte de energia de 12V significa que quase tudo
no carro precisa de uma grande quantidade de corrente. Nos modelos mais novos,
os fabricantes combinam os painis de rels na caixa de fusveis para facilitar a
manuteno. As seis caixas cinzas nesta foto da caixa de fusveis do Ford Winstar
so rels.


357


FIGURA 6 - Caixa de fusveis do Ford Winstar.

Em lugares onde se precisa de uma grande quantidade de energia, os rels
so ligados em cascata. Neste caso, um pequeno rel energiza um rel maior e
este ltimo aciona a energia suficiente para realizar o trabalho.
Os rels tambm podem ser utilizados para implementar a lgica booleana.
O que determina a utilizao de um rel numa aplicao prtica so suas
caractersticas. O entendimento dessas caractersticas fundamental para a escolha
do tipo ideal.
A bobina de um rel enrolada com um fio esmaltado cuja espessura e
nmero de voltas so determinados pelas condies em que se deseja fazer sua
energizao.
A intensidade do campo magntico produzido e, portanto, a fora com que a
armadura atrada depende tanto da intensidade da corrente que circula pela
bobina como do nmero de voltas que ela contm. Por outro lado, a espessura do fio
e a quantidade de voltas determinam o comprimento do enrolamento, o qual
funo tanto da corrente como da tenso que deve ser aplicada ao rel para sua
energizao, o que no fundo a resistncia do componente. Todos estes fatores
entrelaados determinam o modo como a bobina de cada tipo de rel enrolada. De
um modo geral podemos dizer que nos tipos sensveis, que operam com baixas
correntes, so enroladas milhares ou mesmo dezenas de milhares de voltas de
fiosesmaltados extremamente finos, alguns at mesmo mais finos que um fio de
cabelo.


358


FIGURA 7

As armaduras dos rels devem ser construdas com materiais que possam
ser atrados pelos campos magnticos gerados, ou seja, devem ser de materiais
ferromagnticos e montadas sobre um sistema de articulao que permita sua
movimentao fcil, e retorno posio inicial quando o campo desaparece.
Peas flexveis de metal, molas ou articulaes so alguns dos recursos que
so usados na montagem das armaduras.
A corrente mxima que os rels podem controlar depende da maneira como
so construdos os contatos. Alm disso existe o problema do faiscamento que
ocorre
durante a abertura e fechamento dos contatos de rel, principalmente no controle de
determinado tipo de carga (indutivas).
O material usado deve ento ser resistente, apresentar boa capacidade de
conduo de corrente e, alm disso, ter um formato prprio, dependendo da
aplicao a que se destina o rel.
Dentre os materiais usados para a fabricao dos contatos podemos citar o
cobre, a prata e o tungstnio. A prata evita a ao de queima provocada pelas
fascas, enquanto os contatos de tungstnio evitam a oxidao. O nmero de
contatos e sua disposio vai depender das aplicaes a que se destinam os rels.




359
4. COMO FUNCIONA UMA ELETROM
A idia bsica por trs de um eletrom extremamente simples: ao passar
uma corrente eltrica por um fio, possvel criar um campo magntico.
Usando este princpio simples, possvel criar todos os tipos de coisas,
incluindo motores, solenides, cabeotes de leitura/gravao para discos rgidos e
toca-fitas, alto-falantes e outras coisas mais.

4.1 M COMUM
Antes de falar sobre os eletroms, vamos falar sobre os ms normais e
"permanentes" como os que colocamos na geladeira e com os quais voc
provavelmente brincava quando criana.
Os ms tm 2 lados, normalmente marcados com "norte" e "sul", e eles
atraem coisas feitas de ferro ou ao. Provavelmente voc sabe a lei fundamental de
todos os ms: os lados opostos se atraem e os iguais se repelem. Por isso, se
tiver 2 barras de m com extremidades marcadas "norte" e "sul", a extremidade
norte de um m ir atrair a extremidade sul do outro. Por outro lado, a extremidade
norte de um m ir repelir a extremidade norte do outro (e de maneira semelhante,
a sul de um ir repelir a sul do outro).
Um eletroim muito semelhante, exceto pelo fato de que "temporrio", ou
seja, o campo magntico s existe quando a corrente eltrica est passando.

4.2 ELETROM
Um eletrom comea com uma pilha ou bateria (ou alguma outra fonte de
energia) e um fio. O que a pilha produz so os eltrons.
Se voc olhar qualquer pilha D (uma pilha de lanterna, por exemplo), d para
ver que h duas extremidades, uma marcada com um sinal de mais (+) e outra
marcada com o sinal de menos (-). Os eltrons esto agrupados na extremidade
negativa da pilha e, podem fluir para a extremidade positiva, com o auxlio de um fio.
Se voc conectar um fio diretamente entre os terminais positivo e negativo de uma
pilha, trs coisas iro acontecer:
os eltrons iro fluir do lado negativo da pilha at o lado positivo o mais
rpido que puderem;
a pilha ir descarregar bem rpido (em questo de minutos). Por esse
motivo, no costuma ser uma boa idia conectar os 2 terminais de uma pilha


360
diretamente um ao outro, normalmente, voc conecta algum tipo de carga no
meio do fio. Essa carga pode ser um motor, uma lmpada, um rdio;
um pequeno campo magntico gerado no fio. esse pequeno campo
magntico que a base de um eletrom.

4.3 CAMPO MAGNTICO
A idia de campo magntico pode ter lhe surpreendido, mas ele,
definitivamente, existe em todos os fios que transportam eletricidade. D para provar
isso com um experimento. Voc vai precisar de:
uma pilha AA, C ou D;
um pedao de fio; se no tiver um fio na sua casa, compre um carretel de fio
de cobre fino isolado em uma loja de equipamentos eletrnicos ou de
ferragens perto da sua casa. Um fio como o de telefone perfeito, basta voc
cortar a capa de plstico e vai encontrar 4 fios l dentro;
uma bssola.

FIGURA 8

Coloque a bssola sobre a mesa e, com o fio perto da bssola, conecte, por
alguns segundos, o fio entre as extremidades positiva e negativa da pilha. O que
voc vai perceber que a agulha da bssola se desloca. Inicialmente, a bssola ir
apontar para o plo norte da Terra, como mostrado na figura direita (lembre-se que
dependendo da sua posio no planeta, a agulha no ficar como a da nossa
figura.). Ao conectar o fio pilha, a agulha da bssola oscila, visto que essa agulha
um pequeno m com um plo norte e um plo sul. Considerando que a agulha
pequena, ela sensvel a campos magnticos pequenos. Ento, o campo magntico
criado no fio, pelo fluxo de eltrons, afeta a bssola.


361
4.4 BOBINA
A figura abaixo mostra o formato do campo magntico ao redor do fio. Nessa
figura, imagine que voc cortou o fio e est olhando para ele a partir de sua ponta. O
crculo verde na figura o corte transversal do fio. Um campo magntico circular se
desenvolve ao redor do fio, como mostrado pelas linhas circulares na ilustrao
abaixo. O campo fica mais fraco conforme se afasta do fio (as linhas de campo ficam
mais afastadas umas das outras conforme se distanciam do fio). possvel ver que
o campo perpendicular ao fio e que o sentido do campo depende do sentido da
corrente no fio. A agulha da bssola se alinha com esse campo. Usando o
dispositivo que voc criou na seo anterior, se voc inverter as ligaes na pilha,
de forma que a corrente flua em sentido contrrio, e o experimento for repetido,
voc vai ver que a agulha da bssola se alinha no sentido oposto.


FIGURA 9 Campo magntico em um fio

Devido ao fato de que o campo magntico ao redor de um fio circular e
perpendicular a ele, uma maneira fcil de amplificar esse campo magntico enrolar
o fio como uma bobina, como mostrado abaixo:



362

FIGURA 10 Campo magntico de uma volta

Por exemplo, se voc enrolar o seu fio ao redor de um prego 10 vezes (10
espiras), conectar o fio pilha e trazer uma extremidade do prego perto da bssola,
voc vai descobrir que ele exerce um efeito muito maior sobre a bssola. Na
verdade, o prego se comporta da mesma maneira que um m em barra.


FIGURA 11 Eletroim simples

No entanto, o m existe somente quando houver corrente fluindo da pilha.
Voc acabou de criar um eletrom e vai descobrir que este m tem a capacidade
de iar pequenos objetos de ao como clipes de papel, grampos e tachinhas.
Os eletroms, atravs do campo magntico que produzem, aplicam uma
fora magntica em peas adequadas, as quais, por sua vez, podem ser utilizadas
para elevar uma carga, acionar um rel, afrouxar um freio sob presso por molas,
sustentar um pea de trabalho etc. Para tanto, os eletroms apresentam diferentes
formas construtivas, conforme se ilustra:



363

FIGURA 12 - Em (a) temos o eletrom de ncleo, utilizado para afrouxar
freios, para vibradores, contactores etc.; em (b) aquele de alavanca mvel, utilizado
em contactores e rels; em (c) aquele de armadura tipo pisto, utilizado em freios,
acionamento de engrenagens etc.; em (d) o tipo com ncleo em E e, em (e) o tipo de
bobina anular usados nas embreagens, por exemplo.

A parte mvel de um eletrom se chama armadura. A atrao que o ncleo
do eletrom aplica sobre a armadura tanto mais intensa quanto mais intenso for o
fluxo magntico. Assim, para um dado eletrom (ou seja, fixado o nmero de
espiras do enrolamento), a intensidade da fora atrativa (chamada fora portante)
sobre a armadura ser tanto maior quanto mais intensa seja a corrente eltrica e
quanto menor for a distncia que separa a armadura do ncleo. Essa distncia entre
a armadura e o ncleo (h vrias situaes) o 'entreferro'. Na maioria dos modelos
de eletroms a fora portante cresce ao diminuir o entreferro, conforme ilustramos
abaixo, esquerda.


FIGURA 13

Os eletroms podem funcionar com corrente contnua ou com corrente
alternada, desde que a construo de seus ncleos sejam adequadas. Quando a
armadura est 'colada' ao ncleo, depois de conectada a corrente alternada, esta


364
cresce, paulatinamente, at seu valor final e estabiliza; quando a armadura mvel,
varia tambm o fluxo magntico pois o entreferro est variando. Devido a isso,
aparece uma tenso induzida na bobina (veremos mais detalhes sobre isso, mais
adiante) e uma conseqente variao da intensidade de corrente durante o
movimento da armadura, como ilustrado acima, direita. A intensidade da fora
portante (fora de atrao entre ncleo e armadura) tambm pode variar lentamente
durante a atrao.
Os eletroms de corrente contnua podem ser acionados facilmente e atraem
com certa suavidade suas armaduras. Podem ser ligados e desligados milhares de
vezes uma vez que se aquecem menos funcionando de forma intermitente do que
continuamente. Ao ser desligado, um eletrom de corrente contnua produz uma
elevao de tenso devido ao colapso do campo magntico, que pode produzir um
arco voltaico entre os terminais do interruptor. A causa disso, como sabemos, a
auto-induo.

Os eletroms de corrente contnua so fceis de conectar porm difceis de
desconectar.

FIGURA 14

Os eletroms de corrente contnua tm a vantagem, em relao aos de
corrente alternada, de trabalhar silenciosamente. Por isso, eles tm preferncia de
uso nos hospitais, hotis, alojamentos de idosos, por exemplo, como elementos
acionadores de interruptores distncia (contactores).
Quando queremos desconectar uma eletrom acionado por corrente
contnua, sem que apaream centelhas (fascas) entre seus terminais (ou do
interruptor que o aciona), devemos ligar em paralelo com o enrolamento do
eletrom, uma associao srie RC ou um diodo semi-condutor, como ilustramos


365
acima. Em lugar da associao RC ou do diodo semi-condutor pode-se usar de
varstores.
Ao abrir o interruptor, a associao RC deixa circular uma corrente em curto
intervalo de tempo, a qual decresce paulatinamente, de maneira a evitar uma alta
tenso induzida na bobina. O diodo, do mesmo modo, deixa passar a corrente
gerada por auto-induo e, assim, recebe a denominao de 'diodo supressor'.
Nos pequenos eletroms de corrente contnua (por exemplo naqueles
utilizados em rels automotivos) usam-se diodos supressores ou associaes RC;
nos grandes aparelhos (por exemplo naqueles utilizados em acoplamentos
magnticos) so empregados exclusivamente diodos semi-condutores.
Os eletroms de corrente alternada tm um ncleo e uma armadura
constitudos de chapas ferromagnticas (ferro-silcio) isoladas uma das outras. A
impedncia do enrolamento (reatncia indutiva) substancialmente maior que a sua
resistncia corrente contnua (resistncia hmica). Por isso, a bobina dos
eletroms de corrente alternada tm menos espiras e fio mais grosso que aquela
dos eletroms de corrente contnua de fora portante equivalente. A corrente de
conexo dos eletroms de corrente alternada pode ser muito intensa (ilustrao
abaixo), principalmente se o valor instantneo da tenso, precisamente no instante
de "ligar", for ZERO.


FIGURA 15

Devido a atrao da armadura, aumenta a impedncia e diminui a intensidade
da corrente. A fora portante mxima aparece, portanto, no instante de "ligar"; a
atrao brusca. O arco voltaico que se produz ao se "desligar" menos perigoso
que nos eletroms de corrente contnua, uma vez que desaparece ao se anular a
corrente. Os picos de tenso que por ventura apaream, apesar do dito acima,


366
podem ser sanados com uma associao srie RC ligada aos terminais da bobina
(em 220 VAC so tpicos os valores: R = 220 ohms e C = 0,5 F).
Os eletroms de corrente alternada se aquecem mais que os de corrente
contnua.
Os vibradores eletromagnticos (ilustrao acima, direita) so eletroms de
corrente alternada com armadura oscilante. Com eles podemos produzir oscilaes
mecnicas. So usados em instalaes de transporte e seleo, mquinas de
compactar, bombas de membrana etc.

5. CONCLUSO
O electroman, ou eletrom, um dispositivo essencial para o funcionamento
de um rel e utiliza corrente eltrica para gerar um campo magntico, semelhantes
queles encontrados nos ms naturais. geralmente construdo aplicando-se um
fio eltrico espiralado ao redor de um ncleo de ferro, ao, nquel ou cobalto.
Quando o fio percorrido por uma corrente eltrica, a espira se submete a
uma tenso, o que gerar um campo magntico na rea circunvizinha a essa espira
(a intensidade do campo e a distncia que ele atingir a partir do eletrom
dependero da intensidade da corrente aplicada e do nmero de voltas da espira).
A passagem de corrente eltrica por um condutor causa a indutncia
eletromagntica, porm o campo magntico muito pequeno.
O pedao de ferro toma as caractersticas de um m permanente. Desligada
a corrente, o ferro perde sua propriedade magntica.

6. BIBLIOGRAFIA
WWW.feiradeciencias.com.br

CALLISTER JR., William D, Materials science and engineering: an introduction,
John Wiley & Sons,1996

VAN VLACK, PRINCPIOS DE CINCIA E ENGENHARIA DOS MATERIAIS,
Editora Campus,1984

SCHAFFERE; SAXENA; ANTOLOVICH; SANDER AND WARNER, The Science
and Design of Engineering Materials. , 1,1


367
DISJUNTORES
Rafael Paim

1. INTRODUO
Esse trabalho tem por objetivo mostrar o funcionamento e a constituio fsica
dos disjuntores, tais como suas utilidades no campo da engenharia eltrica.
O disjuntor um componente essencial na atualidade e um importante
mecanismo de segurana no interior de uma casa. Sempre que a fiao eltrica
recebe corrente muito elevada o disjuntor corta a energia at que algum
possa resolver o problema. Sem os disjuntores (ou, como alternativa, os fusveis), a
eletricidade domstica seria impraticvel, devido ao perigo potencial de
incndios, danos resultantes de problemas na fiao eltrica ou falhas de
equipamento.

2. DISJUNTOR
O disjuntor um dispositivo eletromecnico que permite proteger uma
determinada instalao elctrica com sobre-intensidades (curto-circuitos ou
sobrecargas).
Sua principal caracterstica a capacidade de se rearmar (manual ou
eletricamente), quando estes tipos de defeitos ocorrem, diferindo do fusvel que tm
a mesma funo, mas que fica inutilizado depois de proteger a instalao. Assim, o
disjuntor interrompe a corrente em uma instalao eltrica antes que os efeitos
trmicos e mecnicos desta corrente possam se tornar perigosos s prprias
instalaes. Por esse motivo, ele serve tanto como dispositivo de manobra como de
proteo de circuitos eltricos.
Um disjuntor bsico consiste de um simples interruptor, conectado a uma
lmina bimetlica ou a um eletrom . O diagrama abaixo mostra a configurao de
um eletromagneto.



368

FIGURA 1 - Vista interna do disjuntor

H vrios tipos de disjuntores, um dos tipos consiste na reunio de trs
aparelhos num s e proporciona trs categorias de proteo:

Proteo trmica: se o circuito de carga absorver uma corrente superior ao
valor nominal do disjuntor ele desliga o circuito ao fim de um determinado
tempo. Este tempo depende do valor da corrente (corrente de sobrecarga) e
pode ser obtido a partir da curva caracterstica do rel trmico ( uma
caracterstica dependente do tempo, porque o tempo de atuao depende do
valor da corrente).
Proteo eletromagntica: se a corrente de sobrecarga for muito elevada
(curto-circuito), o disparo do disjuntor deve ser muito rpido para poder
proteger o circuito. Da o uso de um eletrom no disjuntor em vez do
dispositivo trmico usado no caso anterior. O rel magntico usado neste
caso, diz-se instantneo, devido ao tempo de atuao ser muito curto, apesar
de no ser nulo.

Os disjuntores que apresentam os dois tipos de proteo anteriores dizem-se
termomagnticos e a sua curva caracterstica de atuao diz-se combinada, porque
o resultado da unio das duas anteriores, de tempo dependente, para correntes de
sobrecarga e instantnea, para correntes de curto-circuito.



369
Proteo diferencial: em funcionamento normal, as correntes na fase e no
neutro (num sistema monofsico) so iguais. Neste caso, no h atuao do
disjuntor. Se houver uma fuga de corrente, por defeito de isolamento, h uma
diferena entre estas duas correntes, o que provoca a atuao do rel
diferencial e o disparo do disjuntor. uma proteo usada para proteger as
pessoas. Existem vrios valores de sensibilidade. Por exemplo, em locais
com crianas deve usar-se uma sensibilidade maior.
Atualmente muito utilizado em instalaes eltricas residenciais e
comerciais o disjuntor termomagntico.
Esse tipo de disjuntor possui trs funes:
Manobra (abertura ou fecho voluntrio do circuito)
Proteo contra curto-circuito - Essa funo desempenhada por um
atuador magntico (solenide), que efetua a abertura do disjuntor com o
aumento instantneo da corrente eltrica no circuito protegido
Proteo contra sobrecarga - realizada atravs de um atuador
bimetlico, que sensvel ao calor e provoca a abertura quando a corrente
eltrica permanece, por um determinado perodo, acima da corrente
nominal do disjuntor

As caractersticas de disparo do disjuntor so fornecidas pelos fabricantes
atravs de duas informaes principais: corrente nominal e curva de disparo. Outras
caractersticas so importantes para o dimensionamento, tais como: tenso nominal,
corrente mxima de interrupo do disjuntor e nmero de plos (unipolar, bipolar ou
tripolar).
Uma configurao com lmina bimetlica funciona com o mesmo princpio,
exceto pelo fato de que, ao invs de energizar um eletromagneto, uma corrente alta
entorta uma fina lmina para mover o mecanismo. Alguns disjuntores usam uma
carga explosiva para desligar o interruptor. Quando a corrente se eleva um certo
nvel, ela detona o material explosivo, que aciona um pisto para abrir o interruptor.
Disjuntores mais avanados usam componentes eletrnicos (dispositivos
semicondutores) para monitorar os nveis de corrente, em vez de simples
mecanismos eltricos. Esses elementos so muito mais precisos e desligam o
circuito mais rapidamente, embora sejam bem mais caros. Por essa razo, a maioria
das casas ainda usa disjuntores convencionais.


370
Um dos disjuntores mais recentes o interruptor com circuito de falha de
aterramento, ou GFCI. Esses sofisticados disjuntores so elaborados para proteger
as pessoas contra choques eltricos, em vez de proteger a fiao do prdio. O GFCI
monitora constantemente a corrente nos fios terra e neutro do circuito. Quando tudo
est funcionando corretamente, a corrente nos dois lados deve ser exatamente a
mesma. Assim que o fio fase conecta-se diretamente ao neutro (se algum o tocar
acidentalmente, por exemplo), o fio fase recebe um surto de corrente, o que no
acontece com o fio neutro. O GFCI abre o circuito logo que isso acontece,
prevenindo a eletrocuo. Uma vez que no precisa aguardar que a corrente se
eleve a nveis crticos, o GFCI reage de maneira mais rpida do que um disjuntor
convencional.
Toda a fiao em uma casa passa atravs do painel central de disjuntores (ou
caixa de fusveis). Um painel central comum inclui cerca de uma dzia de disjuntores
ligados a vrios circuitos dentro da casa. Um circuito poderia abranger todas as
tomadas da sala de estar e um outro poderia reunir a iluminao em outro
compartimento. Aparelhos maiores, como a central de ar condicionado ou o
refrigerador, geralmente possuem seu prprio circuito.

3. PRINCIPAIS TIPOS DE DISJUNTORES

3.1 DISJUNTORES SOPRO MAGNTICO
Principio da extino: Neste tipo de disjuntor os contactos abrem-se no ar,
empurrando o arco voltaico para dentro das cmaras de extino, onde ocorre a
interrupo, devido a um aumento na resistncia do arco e conseqentemente na
sua tenso.
Este aumento na resistncia do arco conseguido atravs de:
a) Aumento do comprimento do arco;
b) Fragmentao do arco em vrios arcos menores, em srie, nas vrias
fendas da cmara de excitao;
c) Resfriamento do arco em contacto com as mltiplas paredes da cmara.
As foras que impelem o arco para dentro das fendas da cmara so
produzidas pelo campo magntico da prpria corrente, passando por uma ou mais
bobinas (dai o nome de sopro magntico) e, eventualmente, por um sopro
pneumtico auxiliar produzido pelo mecanismo de acionamento. Este sopro


371
pneumtico muito importante no caso de interrupo de pequenas correntes, cujo
campo magntico insuficiente para impelir o arco para dentro da cmara, o que
ocasionaria tempos de arco muito longos.

3.1.1 DETALHES CONSTRUTIVOS
Existem vrios tipos de formatos de cmara de extino para disjuntores a
sopro magntico. As placas que formam a cmara podem ser de material isolante,
de ao, ou ainda, de uma combinao dos dois. Em cada uma destas alternativas
encontramos ainda vrios tipos de configurao de cmara, especficos de cada
fabricante.
Os circuitos magnticos de sopro tambm possuem vrias configuraes,
sendo as principais as de tipo de ncleo externo (onde o campo magntico
produzido pela corrente a ser interrompida circulando atravs de bobinas) ou interno
(onde o campo produzido pelo prprio arco voltaico atravs de um circuito
magntico formado pela prpria cmara).


FIGURA 2 Cmara de extino do disjuntor de sopro magntico

O arco, entre os contactos principais, impelido por efeitos trmicos e
magnticos na direo da cmara, guiado pelas placas cermicas (1). Ao atingir as


372
pr cmaras de extino (8) ele insere a bobina geradora de campo magntico no
circuito (7). Com o campo produzido por esta bobina o arco dividido em dois e
impelido para dentro das paredes mltiplas (1) da cmara, resfriando-se e
extinguindo-se em subseqente passagem pelo zero.


FIGURA 3 - tipo de cmara onde o incio do impulso sobre o arco dado por um
sopro pneumtico

O arco passa dos contactos principais (a) para os auxiliares (b) atravs do
sopro pneumtico e destes para as inseres metlicas das placas (c). Neste ponto
o arco dividido em vrios arcos em srie que, ento so impelidos por efeito
trmico a magntico para dentro das cmaras (d) e (e) alongando-se, resfriando-se
e se extinguindo na passagem pelo zero. Este tipo de disjuntor tambm pode ser
provido de bobinas de campo magntico, adicionalmente ao sopro pneumtico.

3.1.2 CARACTERSTICAS E APLICAES
Uma das principais caractersticas dos disjuntores a sopro magntico a
grande resistncia do arco voltaico. Isto se deve ao fato de que nestes disjuntores o
arco queima no ar e impelido a se alongar consideravelmente, aumentando a sua
resistncia e conseqentemente a sua tenso. Esta alta resistncia ir interagir com
o circuito, modificando o ngulo de fase do mesmo, tornando-o mais resistivo e
diminuindo o valor instantneo da tenso de restabelecimento aps a interrupo.
Pode-se dizer, portanto, que de uma maneira geral, os disjuntores a sopro
magntico no produzem grandes surtos de manobra.
Os disjuntores a sopro magntico so usados em mdia tenso at 24 kV,
principalmente montados em cubculos. O fato de no possurem meio extintor
inflamvel como o leo, torna-os seguros e aptos para certos tipos de aplicaes
especficas. O fato de queimarem o arco no ar provoca rpida oxidao nos


373
contactos exigindo uma manuteno mais freqente. Quando operam produzem
grande rudo, o que pode tambm, em certos casos, limitar o seu uso.

FIGURA 4 - Vista completa de um disjuntor a sopro magntico

3.2 DISJUNTORES A LEO
O leo mineral com suas destacadas caractersticas de isolante e extintor foi
usado desde os primeiros tempos na fabricao de disjuntores.
Nos disjuntores de leo pode-se distinguir dois efeitos principais de extino
do arco voltaico: o efeito de hidrognio e o efeito de fluxo liquido. O primeiro consiste
no fato de que a altssima temperatura o arco voltaico, decompe o leo, liberando
de tal modo vrios gases onde o hidrognio predomina, a ponto de se poder dizer
que o arco queima numa atmosfera de hidrognio. Como este gs tem uma
condutividade trmica bastante elevada, comparado ao nitrognio, por exemplo, a
retirada de calor das vizinhanas do arco processa-se de maneira eficiente,
resfriando o mesmo. O segundo efeito consiste em jogar leo mais frio sobre o arco
dando continuidade ao processo de evaporao aludido, de maneira que grandes
quantidades de calor possam ser retiradas pelos gases resultantes. Este fluxo de
leo jogado sobre o arco pode ser produzido pelo mesmo (dependente da corrente)
ou por dispositivos mecnicos adicionais como pistes, mbolos, etc. (geralmente,
usam-se os dois processos simultaneamente).
Disjuntores a grande volume de leo (GVO): Este o tipo mais antigo de
disjuntores a leo. No passado consistia apenas de um recipiente metlico com os
contactos simplesmente imersos no leo sem nenhuma cmara de extino. Hoje,


374
os disjuntores GVO possuem cmaras de extino onde se fora o fluxo de leo
sobre o arco. Os disjuntores GVO so usados em mdia e alta tenso at 230 kV. A
caracterstica principal dos disjuntores GVO a sua grande capacidade de ruptura
em curto circuito.
Disjuntores a pequeno volume de leo (PVO): Estes disjuntores representam
o desenvolvimento natural dos antigos disjuntores GVO, na medida em que se
procura projectar uma cmara de extino com fluxo forado de leo sobre o arco
aumentando-se a eficincia do processo de interrupo da corrente e diminuindo-se
drasticamente o volume de leo no disjuntor.
A seguir apresentada esquematicamente a seqncia de extino, na
cmara de interrupo, de pequenas e grandes correntes neste tipo de disjuntor:


FIGURA 5 - Vista em corte da cmara interruptora

A figura (a) mostra o disjuntor na posio ligado. A figura (b) mostra a
interrupo de pequenas correntes com o fluxo de leo independente da corrente.
Este fluxo de leo obtido pelo movimento descendente da haste do contacto mvel
(2) durante a operao de abertura. O leo contido na carcaa inferior forado
para cima, atravs da haste oca do contacto mvel (2), agindo imediatamente sobre
a base do arco, localizado na ponta do contacto mvel.
Para a interrupo de correntes mais elevadas utilizado, adicionalmente, um
fluxo de leo gerado pela prpria corrente de arco (c). Assim que a base do arco,
localizada imediatamente abaixo da ponta de material isolante do contrato mvel
ultrapassar o furo da base da cmara (6), forma-se, no compartimento inferior da


375
cmara de excitao (7), uma bolha de gs, que s pode expandir-se para baixo.
Essa bolha comprime o leo atravs do canal anelar (4) formado pelo espaamento
entre a tampa da cmara (5) e a base da cmara (6). Os gases formados no
compartimento superior envolvem o contacto fixo no cabeote do plo. O volume de
ar no interior da carcaa superior destina-se a equalizar o aumento o aumento da
presso do leo resultante da operao de extino. O vapor de leo recondensa,
depositando-se sobre o leo, e os gases escapam lentamente pelas vlvulas de
expanso.
O fluxo de leo que atravessa o canal anelar atua na fase decisiva do
deslocamento do contacto mvel, depois de alcanada a distncia mnima de
extino. Com isso, o fluxo orientado de forma tal que atinja o arco por todos os
lados com um possante jato radial, sem provocar o seu alongamento.
Este tipo de cmara classificado como cmara axial, pois o arco recebe o
fluxo transversal de leo ao longo de toda a circunferncia da cmara, sendo extinto
sem abandonar a posio axial da cmara, como se pode ver em (b) e (c).
Os disjuntores PVO cobrem em mdia tenso, praticamente, toda a gama de
capacidades de ruptura de 63 kA. No nvel de 138 kV a sua capacidade de ruptura
por cmara est limitada a um mximo de 20kA, o que equivale a dizer que para
maiores correntes de curto circuito, (31,5; 40 e 50kA), que so comuns nesta
tenso, deve-se empregar varias cmaras em srie com o uso obrigatrio de
capacitores de equalizao e acionamento mais possante com conseqente
aumento do uso e complexidade do equipamento.
O desempenho deste tipo de disjuntor para correntes capacitivas em bancos
de capacitores e linhas em vazio, objetivando uma operao livre de re-
acendimento, est tambm limitado a uma tenso mxima de 60 a 65 kV por
cmara. necessrio, portanto, dependendo das caractersticas do disjuntor e do
circuito a ser chaveado, ter disposio vrias cmaras em srie.

3.3 DISJUNTORES A VCUO
As propriedades do vcuo como meio isolante so conhecidas e as primeiras
tentativas de se obter a interrupo de uma corrente alternada em cmara de vcuo
datam de 1926, quando foi interrompida com sucesso uma corrente de 900A em 40
kV. No entanto, as dificuldades tcnicas da poca referentes tcnica de vcuo,
disponibilidade de materiais e mtodos de fabricao, que garantissem uma cmara


376
com vcuo adequado, isenta de impurezas e vazamentos, fez com que a introduo
destes disjuntores fosse postergada para o inicio da dcada de 60, sendo que a sua
produo em grandes volumes para mdia tenso comeou realmente no inicio dos
anos 70.

3.3.1 CARACTERSTICAS CONSTRUTIVAS
O arco voltaico a vcuo: Esta expresso, a principio, pode parecer
contraditria, pois a existncia de um arco voltaico pressupe a existncia ons
positivos e eltrons que, por assim dizer, lhe sirvam de veculo; e no vcuo no
existe, em principio, a possibilidade de se encontrar estas partculas. No caso dos
disjuntores a vcuo, os ons positivos e eltrons so fornecidos pela nuvem de
partculas metlicas provenientes da evaporao dos contactos formando o
substrato para o arco voltaico. Aps a interrupo de corrente, estas partculas
depositam-se rapidamente na superfcie dos contactos recuperando, assim, a rigidez
dieltrica entre os mesmos. Esta recuperao da rigidez dieltrica muito rpida nos
disjuntores a vcuo, o que permite altas capacidades de ruptura em cmaras
relativamente pequenas. O arco voltaico no vcuo, pode ser de dois tipos: difuso ou
contrado.
O arco difuso: Quando se interrompem pequenas correntes, at
aproximadamente 10 kA, tem-se a formao do arco difuso, ou seja, um arco
distribudo por toda a superfcie dos contactos. O processo pode ser assim descrito:
a superfcie dos contactos apesar de lisa, possui uma micro rugosidade, que
responsvel pela formao de ltimos pontos de contacto que iro aquecer-se na
separao galvnica dos mesmos, devido alta densidade de corrente (104A/cm a
109A/cm). Formam-se focos de emisso inica que iro irradiar os ons e eltrons,
responsveis pela formao de um pequeno arco voltaico. Em toda a superfcie dos
contactos temos, da mesma maneira, a formao de inmeros arcos paralelos,
dando origem ao chamado arco difuso.
Nota: Estes focos de emisso inica tm uma superfcie muito pequena
(10m de dimetro) e regularmente, distribudos por toda a superfcie dos contatos,
de maneira que o efeito de eroso sobre os mesmos desprezvel. Isto significa, em
termos prticos, uma capacidade de perfazer um enorme nmero de manobras sob
cargas sem desgastes dos contactos. Alm disso, devido diminuta dimenso dos
focos de emisso inica, a constante de tempo de resfriamento dos mesmos


377
extremamente pequena (<1s). E devido a isto a taxa de reduo da emisso de
vapor metlico na passagem da corrente pelo zero bastante elevada e a reposio
do metal sobre os contactos aps o zero de corrente rapidssima. Como
conseqncia destes fatos, a recuperao da rigidez dieltrica entre os contactos
extremamente rpida, garantindo uma segura extino do arco voltaico.
O arco contrado: A partir de um valor de corrente (aproximadamente 10 kA) o
arco voltaico contrado, tornando-se possvel localizar um foco de emisso inica
sobre os contatos de alguns milmetros de dimetro. A transio do arco difuso para
o arco contrado provocada pelo aumento do campo magntico dos vrios arcos
paralelos com o aumento de corrente, cujas foras de atrao comeam a superar
as foras termodinmicas do plasma que sustentavam estes arcos. Com isto, os
focos de emisso inica vo deslocando-se e juntam-se, formando um foco nico e
contraindo o arco. A ao deste foco sobre os contactos seria prejudicial, em termos
de extino, pois, um foco destas dimenses, fixo sobre os contactos, possui uma
constante de tempo de resfriamento muito grande (de alguns milissegundos) devido
grande quantidade de vapor emitido e, portanto, uma reposio muitssimo mais
lenta das partculas metlicas sobre os contactos, aps o zero de corrente, com
conseqente reduo da capacidade de ruptura at valores inadmissveis. A fim de
se evitar essa ao prejudicial do arco contrado, usa-se o efeito do campo
magntico gerado pelo prprio arco, a fim de faz-lo percorrer todo o contacto,
atuando, assim, sempre sobre a camada de metal frio. Com isto, elimina-se o efeito
da eroso sobre os contactos e evita-se a formao de uma coluna de plasma
estvel, difcil de extinguir-se.

3.3.2 CARACTERSTICAS/APLICAES DO DISJUNTOR A VCUO
Grande segurana de operao, pois no necessitam de suprimento de gases
ou lquidos e no emite chamas ou gases;
Praticamente no requerem manuteno, possuindo uma vida extremamente
longa em termos de nmeros de operaes a plena carga e em curto
circuito;
A relao capacidade de ruptura/volume bastante grande, tornando estes
disjuntores bem apropriados para o uso em cubculos;
Devido ausncia de meio extintor gasoso ou lquido, podem fazer
religamentos automticos mltiplos


378
3.4 DISJUNTORES A AR COMPRIMIDO
Neste tipo de disjuntor, o mecanismo eletro-pneumtico preenche duas
funes, simultaneamente; ou seja, a de proporcionar a operao mecnica do
disjuntor atravs, da abertura e fechamento dos contatos, e tambm a de efetuar a
extino do arco, fornecendo ar na quantidade e presso necessrias para tal. O
principio da extino , basicamente simples, consistindo em criar-se um fluxo de ar
sobre o arco, fluxo este provocado por um diferencial de presso, quase sempre
descarregando o ar comprimido aps a extino para a atmosfera.

3.4.1 DETALHES CONSTRUTIVOS
Praticamente todos os modelos atuais de disjuntores a ar comprimido usam o
principio de sopro axial, ou seja, o arco distendido e soprado axialmente em
relao aos bocais e contactos, sendo que, dentro deste principio geral de projeto,
pode-se classificar ainda o sistema de extino (bocais) em duas categorias:
O sistema de sopro unidirecional (mono blast);
O sistema de sopro bidireccional (dual blast);
No primeiro, somente um dos contatos oco, permitindo a sada do ar aps a
extino somente em uma direo. No segundo, ambos os contatos, fixo e mvel,
so ocos, e o arco expande-se em ambas as direes.

3.4.2 CARACTERSTICAS/APLICAES DOS DISJUNTORES DE AR
COMPRIMIDO
Embora possam ser usados em toda a gama de tenses, os disjuntores de ar
comprimido encontram a sua gama de aplicao na alta e na muito alta tenso, ou
seja, acima de 245 kV.
As suas caractersticas de rapidez de operao (abertura e fecho) aliadas s
boas propriedades extintoras e isolantes do ar comprimido, bem como a segurana
de um meio extintor no inflamvel, quando comparado ao leo, garantiram uma
posio de destaque a estes disjuntores nos nveis extremos de tenso
Vantagens dos disjuntores de ar comprimido:
Disponibilidade total do meio extintor;
A mobilidade do meio extintor, que tambm o meio de acionamento, com
alta velocidade de propagao, permite que ele seja canalizado para acionar
contactos principais, a abertura e o fecho, com mecanismos relativamente


379
leves, o que torna estes disjuntores bastante rpidos e, portanto, aptos a
atuar em muito alta tenso;
Pode-se ajustar a capacidade de interrupo e propriedades de isolao,
variando-se a presso de operao;
A compressibilidade do meio extintor que, ao contrrio do leo, permite que
as estruturas estejam isentas das ondas de choque transitoriais, geradas pelo
arco voltaico;

Desvantagens dos disjuntores de ar comprimido:
Alto custo do sistema de gerao de ar comprimido, principalmente em
pequenas instalaes onde cada disjuntor tem que ter a sua prpria unidade
geradora, bem como reservatrios de alta presso;
A distribuio do ar comprimido em alta presso por toda a subestao no
caso de unidades centrais de gerao, alm de ter um alto custo, requer uma
constante manuteno;
No caso de operao junto a reas residenciais onde existem limitaes de
nvel de rudo, obrigatrio o uso de silenciadores para estes disjuntores;

3.5 DISJUNTORES A SF
6


3.5.1 Propriedades do SF
6

Este gs possui uma srie de propriedades fsicas e qumicas que o torna um
meio isolante e extintor, por excelncia. O SF6 um gs incombustvel, no
venenoso, incolor, inodoro e devido sua estrutura molecular simtrica
extremamente estvel e inerte at cerca de 5000C, comportando-se, portanto,
como um gs nobre. O SF6 encontra-se num sistema fechado e praticamente isento
de humidade por toda a vida til do equipamento. Alm disso existe a presena de
filtros com elementos desumidificadores para qualquer eventualidade, de maneira
que, o problema da humidade e das suas conseqncias seja praticamente
inexistente. Com um peso especifico de 6,14g/l ele 5vezes mais pesado que o ar.
As caractersticas isolantes do SF6 variam em funo da presso (na realidade em
funo da densidade) e so bastante superiores aquelas dos meios isolantes mais
comuns usados em disjuntores que so o leo mineral e o ar comprimido. A figura


380
que se segue mostra uma comparao de rigidez dieltrica entre esses meios
isolantes:


FIGURA 7 - Comparao da rigidez dieltrica

3.5.2 CARACTERSTICAS/APLICAES DOS DISJUNTORES A SF6
Os disjuntores a SF6 representam, sem dvida, a tendncia atual nas reas
de alta e muito alta tenso. O fato da tcnica de ar comprimido ser bem anterior ao
SF6, e tambm dos disjuntores a ar comprimido serem por natureza, rpidos, deu
uma posio de destaque a estes disjuntores nas redes de muito alta tenso (MAT).
A comprovao mais evidente disso consiste no fato de todos os fabricantes de
disjuntores de alta tenso, inclurem tambm na sua linha de produtos os disjuntores
a SF6. Aplicaes em 138 kV, bem como em 69 kV, esto ainda predominantemente
na faixa dos disjuntores PVO, principalmente por razes de preo.

4. CONCLUSO
Atravs da pesquisa feita para este trabalho, concluiu-se que para o
desenvolvimento de dispositivos disjuntores para a utilizao no setor da engenharia
eltrica necessrio o conhecimento da cincia de materiais para conseguir
desenvolver e aperfeioar, componentes utilizados no setor energtico, e este
desenvolvimento e aperfeioamento se d atravs do estudo das propriedades, dos
diferentes materiais conhecidos.




381
5. REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS
Mamede, Joo. Instalaes eltricas industriais, 6ed., LTC, Rio de Janeiro RJ,
2002

pt.wikipedia.org/wiki/Disjuntor

www.infoescola.com/eletricidade/disjuntor



382
FUNCIONAMENTO DE UM FOTOTRANSISTOR
Tiago Richter Maritan

1. INTRODUCO
Descrever o funcionamento de um fototransistor. Primeiramente dando nfase
em algumas noes bsicas de funcionamento de diodo e fotodiodo para que se
possa entender o funcionamento do fototransistor.

2. DIODOS
Para entendermos como os transistores funcionam precisamos saber como
funcionam os diodos, que por sua vez para serem entendidos necessrio ter uma
noo de materiais semicondutores .
Semicondutores so elementos de Valencia 4. Isso significa que um tomo
isolado desse material possui 4 eltrons na sua orbita mais externa ou orbita de
Valencia. O numero de eltrons na orbita a chave para a condutibilidade. Os
condutores possuem apenas um eltron de Valencia, semicondutores possuem
quatro eltrons de Valencia e isolantes, 8 eltrons de Valencia.
Como Germnio e silcio so freqentemente usados para a dopagem de
semicondutores utilizados na fabricao de diodos iremos falar sobre esses dois
elementos. Mas antes disso feita uma breve explicao sobre dopagem.

3.DOPAGEM
Uma forma de aumentar a condutibilidade de um semicondutor pela
dopagem. Isso significa adicionar impurezas aos tomos de um cristal intrnseco
para alterar sua condutibilidade eltrica. Um semicondutor dopado chamado
semicondutor extrnseco.
Para dopar um material, o primeiro passo fundir um cristal puro de silcio.
Isso quebra as ligaes covalentes e muda um silcio do estado solido para o liquido.
Para aumentar o numero de eltrons livres so adicionados tomos pentavalentes
ao silcio em fuso. tomos pentavalentes possuem cinco eltrons na orbita de
Valencia. A figura x1 mostra como a estrutura do cristal de silcio alterada aps ter
sido resfriada e solidificada. Um tomo pentavalente fica no centro cercado por
quatro tomos de silcio. Cada tomo doador num cristal de silcio produz um eltron


383
livre. dessa forma que controlada a condutibilidade de um semicondutor na
industria. Quantos mais adicionamos impurezas, maior a condutibilidade devido aos
eltrons livres.


FIGURA 1 - onde os pontos so eltrons de Valencia

3.1 SILCIO
O material semicondutor mais usado o silcio. Um tomo isolado de silcio possui
14 prtons e 14 eltrons. Conforme mostrado na figura 1, a primeira orbita contem 2
eltrons e a segunda eltrons. Os 4 eltrons restantes esto na orbita externa ou
orbita de Valencia.


FIGURA 2 - tomo de silcio


384
3.1.1 CRISTAIS DE SILICIO
Quando tomos de silcio se combinam para formar um solido, eles so
arranjados segundo um padro ordenado chamado cristal. Cada tomo de silcio
cede seu eltron aos outros tomos de silcio, assim a orbita de Valencia fica com 8
eltrons conforme pode ser visto na figura 1.
Um importante ponto a se considerar quando a energia trmica tiver a
capacidade de dar origem a uma lacuna. Para explicar esse caso comeamos
analisando a temperatura ambiente. Quando a temperatura ambiente esta acima do
zero absoluto, a energia trmica do ar em torno faz os tomos do cristal de silcio
vibrar num vaivm dentro do cristal de silcio. Quanto mais alta a temperatura, mais
fortes so as vibraes mecnicas desses tomos. As vibraes dos tomos podem
ocasionalmente deslocar um eltron da orbita de Valencia. Quando isso ocorre, o
eltron liberado ganha energia suficiente para passar para outra orbita maior,
conforma mostra figura 2.
Nessa orbita maior, ele se torna um eltron livre. Alm disso, a sada deixa
um vazio na orbita de Valencia que chamado de lacuna. Conceito de lacuna foi
estudado na primeira parte da disciplina de materiais. Essa lacuna comporta-se
como uma carga positiva, porque ela pode atrair e manter capturado qualquer
eltron nas proximidades.


FIGURA 3



385
4. JUNO P-N
O diodo basicamente formado por uma juno P-N, onde existem
portadores (negativos e positivos), ons fixos (de dopantes ou contaminantes),
tomos constituintes do material ou do substrato utilizado. Durante a formao da
juno P-N h a formao tambm de uma barreira de potencial, e de uma regio de
depleo. Considere um instante em que seja formada a juno, neste instante
surgem duas correntes: a corrente de difuso (gerada pela tendncia dos portadores
de cada material se distriburem) e a corrente de deriva (devido ao campo eltrico).
Inicialmente surge uma corrente de difuso maior que a corrente de deriva atravs
da juno. Esta corrente diminui com o tempo, at que se iguala corrente de
deriva, anulando-se. Durante este processo a barreira de potencial e a regio de
depleo vo se formando, at que seja atingido o equilbrio.
Lado P
No lado P da juno, as lacunas so chamadas portadores majoritrios, e os
eltrons portadores minoritrios. Ao longo da estrutura tipo P existem ons negativos,
devido aos dopantes aceitadores presentes na estrutura.
Lado N
No lado N da juno, existe uma quantidade maior de eltrons na banda de
conduo do que lacunas, neste caso os eltrons so chamados portadores
majoritrios, e as lacunas os portadores minoritrios. Alm disso existem ons
positivos gerados pela presena de dopantes doadores no material tipo n.
Regio de depleo
Entre os dois materiais encontram a regio de depleo. Uma regio neutra, onde
apenas se encontram ons positivos e negativos fixos na estrutura cristalina.


FIGURA 3 - Regio P e N. Lado esquerdo o lado P e o direito o lado N




386
5. FABRICAO DE UM DIODO
Para se fabricar um diodo necessria a formao de uma juno
metalrgica P-N como foi explicado acima. Inicialmente dopamos uma das faces da
lmina de silcio intrnseco com dopantes tipo P. Em seguida dopamos a outra face
da lmina de silcio com dopantes tipo N. Desta forma obtemos a juno PN.

6. FOTODIODO
O fotodiodo um diodo de juno construdo de forma especial, de modo a
possibilitar a utilizao da luz como fator determinante no controle da corrente
eltrica. um dispositivo de juno pn semicondutor cuja regio de operao
limitada pela regio de polarizao reversa e caracteriza-se por ser sensvel luz. A
aplicao de luz juno resultar em uma transferncia de energia das ondas
luminosas incidentes (na forma de ftons) para a estrutura atmica, resultando em
um aumento do nmero de portadores minoritrios e um aumento do nvel da
corrente reversa. A corrente negra a corrente que existir sem nenhuma
iluminao aplicada. A corrente retornar a zero somente se for aplicada uma
polarizao positiva igual a Vo. Em resumo, podemos dizer ento que um fotodiodo
um dispositivo que converte a luz recebida em uma determinada quantidade de
corrente eltrica.


FIGURA 4 - Simbologia do fotodiodo

A corrente reversa e o fluxo luminoso variam quase que linearmente, ou seja, um
aumento na intensidade luminosa resultar em um aumento semelhante na corrente
reversa. Podemos admitir que a corrente reversa essencialmente nula na ausncia
de luz incidente. Como os tempos de subida e de queda (parmetros de mudana
de estado) so da ordem de nanossegundos, o dispositivo pode ser usado na
aplicao de contagem ou comutao de alta velocidade. O germnio mais
adequado para luz incidente na regio infravermelha, j que abrange um espectro
mais amplo de comprimentos de onda do que o silcio, apesar de sua corrente negra


387
ser maior. O nvel de corrente gerada pela luz incidente sobre um fotodiodo no
suficiente para que ele possa ser usado em um controle direto, sendo necessrio
para isto que haja um estgio de amplificao.

6.1 APLICACOES DE UM FOTODIODO
O fotodiodo ser aplicado no foco automtico de filmadora, na unidade tica do
CD Player e em sistema contador de pulso. Outra aplicao muito usada na rede de
iluminao pblica o sensor crepuscular.
Nos sistemas de iluminao publica importante saber em que altura que est
suficientemente escuro, para ativar as luzes. Este controle no pode ser efetuado de
forma eficaz utilizando temporizadores, uma vez que em dias de chuva ou nevoeiro
intenso pode ser necessrio ativar o sistema de iluminao por razes de
segurana. Alm disso o horrio do prprio nascer e pr do Sol no constante,
muda todos os dias.
Pelas razes apontadas, a soluo que rene maior consenso aquela que
utiliza sensores de luz ambiente tambm conhecidos como crepusculares. O S7183
um fotodiodo com amplificador orientado para aplicaes de deteco crepuscular.
At agora, muitas das solues passavam pela utilizao de foto resistncias,
clulas de CdS e fototransistores, contudo a pouca uniformidade, a no linearidade e
o fato de que o Cd um elemento altamente poluidor desviaram a ateno para a
utilizao de fotodiodos, cujo principal inconveniente era a da aplicao de um
amplificador de sinal. Com este novo fotodiodo, com amplificador j incorporado,
permite ultrapassar o inconveniente com simplicidade e alta performance em termos
de sensibilidade e linearidade, mantendo sempre um preo competitivo.

7. FOTODIODO VERSUS FOTOTRANSISTOR
A principal diferena entre um fototransistor e um fotodiodo o ganho de
corrente Bcc. Se uma mesma quantidade de luz atingir os dois dispositivos, a
corrente no fototransistor ser Bcc maior que a corrente no fotodiodo. A maior
sensibilidade de um fototransistor uma grande vantagem sobre um fotodiodo.
A figura 4 mostra o smbolo para diagrama de um fototransistor. Observe a base
aberta. Esse o modo usual de operar um fototransistor. Voc pode controlar a
sensibilidade com um resistor varivel na base figura 4b, mas a base geralmente
deixada aberta para que se obtenha a mxima sensibilidade luz.


388
O preo pago pelo aumento da sensibilidade uma reduo na velocidade de
chaveamento. Um fototransistor mais sensvel que um fotodiodo, mas ele no
pode conduzir e cortar to rpido. Por um lado, um fotodiodo tem correntes de sada
tpicas da ordem de microamperes e pode conduzir e cortar em nanossegundos. Por
outro lado, o fototransistor tem correntes de sada tpicas da ordem de miliamperes,
mas conduz e corta em microssegundos.

R1
12k
Q1
2N2219
1
0
VCC
5V
VCC
R2
12k
Q2
2N2219 R3
12k
2
0
0
VCC
5V
VCC

(a) (b)
FIGURA 4 O fototransistor

8. FOTOTRANSISTOR
O fototransistor mais um dispositivo que funciona baseado no fenmeno da
fotocondutividade. Ele pode, ao mesmo tempo, detectar a incidncia de luz e
fornecer um ganho dentro de um nico componente. Como o transistor
convencional, o fototransistor uma combinao de dois diodos de juno, porm,
associado ao efeito transistor aparece o efeito fotoeltrico.
Em geral, possui apenas dois terminais acessveis, o coletor e o emissor,
sendo a base includa apenas para eventual polarizao ou controle eltrico. Como
nas outras clulas fotocondutivas, a incidncia de luz (ftons) provoca o surgimento
de lacunas na vizinhana da juno base-coletor. Esta tenso conduzir as lacunas
para o emissor, enquanto os eltrons passam do emissor para a base. Isso
provocar um aumento da corrente de base, o que por conseqncia implicar numa
variao da corrente de coletor beta vezes maior (lembrando que, para Ib sendo a
corrente da base e Ic a do coletor, temos a relao Ic = B.Ib, onde B o ganho do
transistor (fornecido pelo fabricante), sendo essa variao proporcional intensidade
da luz incidente. Como a base est normalmente desconectada, a correnteque


389
circula por ela depender apenas do fluxo luminoso incidente. Assim, na ausncia
de luz, a corrente de base ser zero e o fototransistor estar cortado, resultando na
tenso do coletor igual tenso de polarizao Vcc. Quando h luz incidindo, a
tenso no coletor ir diminuir devido ao aumentoda corrente.
O fototransistor possui diversas aplicaes, sendo mais encontrado em
aplicaes on-off, onde a no linearidade do transistor no um problema. A
aplicao mais usual a de um interruptor. Enquanto no luz incidindo no
fototransistor, no haver uma corrente no emissor, e a tenso de sada ser zero,
estando ele em corte. Com a incidncia de luz, teremos uma corrente no emissor,
provocando uma tenso igual a IeRe. Tais como os transistores bipolares, os
fototransistores esto sujeitos variaes de temperatura. Com o aumento da
temperatura em torno de 8 a 10 graus celsius, a corrente Iceo (corrente que circula
no componente enquanto no existe incidncia de luz) dobrar. Para elevadas
temperaturas, essa corrente ter um valor significativo em relao corrente total.
Entretanto, utilizando dois fototransistores, podemos compensar esse erro. Para
isso, basta uni-los como na figura 3, fazendo com que essa corrente Iceo em ambos
possua os mesmos valores, cancelando uma outra. Assim, a corrente fornecida
pela incidncia da luz passar inteiramente pelo resistor Rl.


FIGURA 5 - mostrando a compensao de corrente Iceo

Os fototransistores so dispositivos sensveis a luz. A base do fototransistor
sensvel a luz, quando h presena da mesma o transistor conduz, entretanto
quando no h presena de luminosidade, o transistor fica cortado. Abaixo foi
representado uma situao onde a presena de luz (LED) liga ou desliga o circuito
acoplado ao receptor (fototransistor). Quando um facho de luz apontado para o


390
receptor, este conduz, logo a sada estar em nvel lgico "0". No entanto, quando
no h presena de luz, o receptor
no est conduzindo, logo a sada estar em nvel lgico "1".

8.1 APLICACOES DO FOTOTRANSISTOR
Umas das principais utilidades do fototransistor o acoplador ptico. Os
acopladores pticos so componentes muito simples, porm de grande importncia
para a total segurana dois circuitos eletrnicos, mantendo uma comunicao ou
controle entre ambos. O isolamento garantido porque no h contato eltrico,
somente um sinal luminoso. O seu funcionamento simples: h um emissor de luz
(geralmente um LED) e um receptor (fototransistor). Quando o LED est aceso, o
fototransistor responde entrando em conduo. Com o LED apagado o fototransistor
entra em corte. Sabendo que podemos alterar a luminosidade do LED, obtemos
assim diferentes nveis na sada. Podemos tambm controlar o fototransistor atravs
de sua base, como se fosse um transistor normal. Os Acopladores pticos possuem
diversas vantagens sobre outros tipos de acopladores: alta velocidade de
comutao, nenhuma parte mecnica, baixo consumo e isolamento total. Na figura y
vemos o esquema de um opto acoplador .


FIGURA 6 - Acoplador ptico

9. CONCLUSAO
Nota-se que o fototransistor assim como muitos outros componentes
eletrnicos de extrema importncia na engenharia, por isso deve-se dar um valor
relevante para seu estudo.
LMPADA INCANDESCENTE
Silvio Katsuo Ogawa

1. INTRODUO
As lmpadas Incandescentes foram uma das primeiras formas de iluminao
construidas de forma a utilizar energia eltrica como fonte de energia, transformando
energia eltrica em calor e luz.
Os materiais eltricos utilizados em sua construo do o auxilio necessrio
para sua construo, suas propriedades qumicas ajudam nas escolhes dos
melhores materiais a serem usados na construo de uma Lmpada Incandescente.

OBJETIVO
Ter uma breve anlise do que seria uma Lmpada Incadescente;
A Importncia da Lamda Incandescente;
Quais Materiais so utilizados em sua construo;
Quais so as propriedades dos materiais utilizados;
Porque so utilizados esses materiais.

2. A LMPADA INCANDESCENTE
A lmpada incandescente ou lmpada elctrica um dispositivo elctrico que
transforma energia elctrica em energia luminosa e energia trmica.

FIGURA 1 - Lmpada Incandescente



392
Vrios inventores tiveram a idia de criar uma luz com fios iluminados
relativamente cedo. Experimentos com fios de platina e pedaos de carvo, que
eram feitos para iluminar com o auxlio da eletricidade j estavam sendo produzidos
em 1830 e 1840. Em parte, lmpadas de vidro evacuadas j estavam sendo usadas
nesta poca para evitar oxidao. Entretanto, a platina queimava rapidamente e as
bombas de vcuo no eram capazes de criar uma aspirao suficiente. O
fornecimento de eletricidade tambm era um problema j que somente as pilhas
estavam disponveis naquele tempo. Em 1866, Werner von Siemens descobriu o
princpio do dnamo e construiu mquinas que forneciam eletricidade constante.
Em 1854, o mecnico alemo Heinrich Goebel construiu a primeira lmpada
capaz queimar por um perodo sustentvel de tempo. Ele usou fios de bambu
carbonizados como filamento e esvaziou a lmpada de vidro enchendo-a com
mercrio permitindo que este sasse e detonasse o fechamento da lmpada. O
americano Thomas Alva Edison desenvolveu a primeira lmpada de luz
incandescente de sucesso comercial em 1879, uma lmpada de carbono que entrou
em produo de massa. Ele tambm forneceu os acessrios necessrios como
interruptores, distribuidores e dnamos. Como a publicidade j era importante
naquela poca, Edison mostrou uma instalao admirvel de sua lmpada para
milhares de pessoas na Paris Electrical Exhibition, em 1881.
Em 1900, o primeiro filamento foi desenvolvido de metal smio. Este tipo de
lmpada consumia metade da energia de uma lmpada de fio de carbono
produzindo a mesma quantidade de luz. Em 1903, a primeira lmpada eltrica com
um filamento tntalo foi desenvolvida em Berlim e logo depois filamentos feitos de
tungstnio, o metal com o nvel mais alto de derretimento, foram testados. A
lmpada de tungstnio consumia apenas um tero da potncia necessria para uma
lmpada de fio de carbono alcanar a mesma iluminao, o material havia sido
encontrado e usado at hoje.

3. CONSTRUO
A maior dificuldade encontrada por Swan e Edison, quando tentavam fazer
lmpadas desse tipo, era encontrar um material apropriado para o filamento, que
no devia se derreter ou queimar.
Hoje em dia os filamentos so, geralmente, feitos de tungstnio, metal que s
derrete quando submetido a temperatura altssima.



393
Para evitar que os filamentos entrem em combusto e se queimem
rapidamente, remove-se todo o ar da lmpada, enchendo-a com a mistura de gases
inertes, nitrognio e argnio ou criptnio.
As lmpadas incandescentes funcionam a baixas presses, fazendo com que
o ar rarefeito funcione como uma fonte de ionizao, gerando a corrente eltrica.

4. FUNCIONAMENTO


FIGURA 2 Componentes de uma lmpada incandescente

Se uma corrente eltrica suficientemente intensa passa por um filamento
condutor, as molculas do filamento vibram, ele se aquece e, num dado instante,
chega a brilhar. Esse o princpio da lmpada incandescente comum.
A lmpada eltrica incandescente foi inventada por volta de 1870 e envolveu
o trabalho muitos pesquisadores e inventores. Entre estes se destaca Thomas
Edison. Ele e seus assistentes experimentaram mais de 1.600 tipos de materiais,
buscando um filamento eficiente e econmico. A sua melhor lmpada utilizava
filamentos de bambu carbonizados.
As lmpadas incandescentes atuais utilizam um fio de tungstnio encerrado
num bulbo de vidro. Esse fio tem dimetro inferior a 0,1 mm e enrolado segundo



394
uma hlice cilndrica. Passando corrente eltrica no filamento, ele se aquece a uma
temperatura da ordem de 3.000 C. O filamento torna-se, ento, incandescente e
comea a emitir luz. No interior da lmpada no pode haver ar, pois do contrrio o
filamento se oxida e incendeia-se. Antigamente fazia-se vcuo no interior do bulbo,
porm isso facilitava a sublimao do filamento (passagem do estado slido para o
estado de vapor). Passaram, ento, a injetar um gs inerte, em geral o argnio ou
criptnio.


FIGURA 3 Filamento de Tungstnio

importante observar que a luz emitida por uma lmpada incandescente no
efeito direto da corrente eltrica e sim conseqncia do aquecimento no filamento
produzido pela passagem da corrente.
A lmpada incandescente uma lmpada de baixo rendimento, gera muito
mais calor do que luz. Apenas 5% da energia, aproximadamente, so transformadas
em luz.
Para obter diferentes luminosidades, o fabricante altera, geralmente, a
espessura do filamento: quanto maior a espessura maior a corrente eltrica e,
portanto, maior a luminosidade.




395

FIGURA 4 funcionamento de uma lmpada incandescente

As lmpadas incandescentes so utilizadas em sinalizao de trfego, onde
so acionadas freqentemente.
Diferentemente do que ocorre com as lmpadas fluorescentes, a vida til das
incandescentes no depende do nmero de acionamentos, mas sim do perodo em
que ela permanece acesa.
A energia aplicada lmpada deteriora o filamento provocando o rompimento
do mesmo.

5. MATERIAIS USADOS NA CONSTRUO DO LAMPADA INCANDESCENTE

5.1 TUNGSTNIO
O tungstnio ou tungstnio (chamado ainda de volfrmio ou wolfrmio) um
elemento qumico de smbolo W , nmero atmico 74 ( 74 prtons e 74 eltrons )
com massa atmica 184 u situado no grupo 6 da classificao peridica dos
elementos. um metal de transio que, temperatura ambiente, encontra-se no
estado slido.
Metal escasso na crosta terrestre, encontrado em forma de xido e de sais
em certos minrios tais como wolframita e scheelita, entre outros. De cor branca
acinzentada, brilhante, muito duro e denso, tem o ponto de fuso mais alto de todos
os elementos. utilizado em filamentos de lmpadas incandescentes, em
resistncias eltricas, em ligas de ao e na fabricao de ferramentas.
Foi isolado em 1783 pelos irmos Jos Elhuyar e Fausto Elhuyar, na
Espanha, aos quais creditada a descoberta do elemento.



396
5.1.1 CARACTERSTICAS PRINCIPAIS
O tungstnio puro um metal duro de aspecto branco a cinza. Quando muito
puro pode ser cortado com uma serra de metais, forjado e trefilado ( frgil e difcil
de ser trabalhado quando impuro). O elemento apresenta o mais elevado ponto de
ebulio (5657C), a menor presso de vapor e a mais elevada resistncia a tenso
em temperaturas acima de 1650C, entre todos os metais. Sua resistncia
corroso excelente e s atacado ligeiramente pela maioria dos cidos minerais
diludos. O tungstnio, quando exposto ao ar, forma na sua superfcie um xido
protetor, porm pode ser oxidado em alta temperatura. Quando adicionado em
pequenas quantidades ao ao eleva consideravelmente a sua dureza.

5.1.2 APLICAES
O tungstnio um metal com uma enorme gama de usos, largamente
utilizado na forma de carbonetos (W2C, WC). Os carbonetos, devido elevada
dureza, so usados para revestir brocas de perfurao de solos utilizados em
minerao, indstria petrolfera e indstrias de construo. O tungstnio
extensivamente usado em filamentos de lmpadas incandescentes e vlvulas
eletrnicas e, como eletrodos, porque apresenta um ponto de fuso muito elevado e
pode ser transformado em fios muito finos.
Outros usos:
O ponto de fuso elevado do tungstnio apropriado para aplicaes
aeroespaciais, em vlvulas de propulsores de msseis e aeronaves. Por ser
resistente a altas temperaturas, usado tambm em calefao, indstrias de
fundio e nuclear.
As propriedades dureza e densidade tornam este metal ideal para a
fabricao de ligas de metais pesados que so usados em armamentos,
dissipadores de calor e em aplicaes de alta densidade tais como pesos e
contrapesos.
Ferramentas de ao de alta velocidade (Hastelloy , Stellite ), que exigem
condies drsticas de trabalho, so frequentemente combinadas com tungstnio.
Superligas contendo este metal so aplicadas em lminas de turbinas,
ferramentas de ao e como revestimentos de peas que exigem alta resistncia.



397
Compostos de tungstnio so usados como substitutos do chumbo em
projteis balsticos (balas de armas de fogo). Tambm usados em pontas de lanas
e dardos.
Compostos de tungstnio so usados em catalisadores, pigmentos
inorgnicos, e o dissulfeto de tungstnio como lubrificante para atuar em altas
temperaturas, pois estvel at 500C.
Como apresenta expanso trmica semelhante ao vidro de borosilicato
(pirex), usado para selar a unio vidro-metal.
usado em munio como penetrador cintico de energia (APFSDS) como
uma alternativa ao urnio esgotado (DU).
Os xidos so usados em esmaltes cermicos e os tungstatos de
clcio/magnsio so extensivamente usados em lmpadas fluorescentes.
O metal usado como alvo em tubos de raio-X em radiologia geral e como
elemento aquecedor (resistncia) em fornalhas eltricas.
Sais que contm tungstnio so usados em indstrias de produtos qumicos e
de curtumes
"Bronzes" de tungstnio (assim chamados os xidos de tungstnio devido
cor bronzeada) juntamente com outros compostos so usados em tintas.
O carbeto de tunstnio tem sido utilizado recentemente para a confeco de
jias devido sua natureza hipoalrgica e ao fato de no perder o brilho como os
demais metais.

5.1.3 HISTRIA

Figura 5 P de Tungstnio



398

A previso da existncia do tungstnio (do sueco tung sten que significa
pedra pesada ) foi proposta, pela primeira vez, por Peter Woulfe o nome original do
tungstnio wolfram, que significa saliva de lobo, em 1779, examinando a volframite
e concluindo que este mineral continha uma nova substncia. Em 1781 Carl Wilhelm
Scheele verificou que um novo cido poderia ser obtido da tungstenita, mineral
conhecido atualmente por scheelite.
Da, Scheele e Torbern Bergman sugeriram que poderia ser possvel obter um
novo metal reduzindo o cido tngstico. Em 1783 Jos Elhuyar e Fausto Elhuyar
encontraram um cido na volframite que era idntico ao cido tngstico. No mesmo
ano, na Espanha, os irmos Elhuyar conseguiram isolar o tungstnio a partir da
reduo do cido com carvo vegetal.

5.1.3.1 SEGUNDA GUERRA MUNDIAL
Na Segunda Guerra Mundial, o tungstnio desempenhou um papel de enorme
importncia nas relaes diplomticas. Portugal, como a principal fonte deste
elemento na Europa, foi colocado sob grande presso de ambos os lados em
disputa, j que este elemento era essencial para a produo de volfrmio. A
resistncia a altas temperaturas, assim como a extrema resistncia mecnica das
suas ligas, fizeram deste metal um material muito importante na indstria de
armamento.

5.1.4 AO BIOLGICA
Enzimas chamadas oxiredutases usam o tungstnio de maneira similar ao
molibdnio para a formao do complexo pterina- tungstnio, quimicamente
semelhante molibnopterina (MPT).
Em 20 de agosto de 2002 representantes do Centro para o Controle e
Preveno de Doenas dos Estados Unidos anunciaram que testes de urina de
pacientes com leucemia e familiares, residentes em Fallon (Nevada), tinham
mostrado nveis elevados de metal tungstnio no organismo. Recentemente, 16
casos de cncer em crianas foram descobertos na rea de Fallon, que agora
identificada coma rea de risco de cncer. O Dr. Carol H. Rubin, um chefe da filial
do CDC, diz que os dados que indicam uma ligao entre o tungstnio e a leucemia
no esto avaliados at o presente.



399
5.1.5 OCORRNCIA E OBTENO
O tungstnio encontrado nos minerais volframite (tungstato de ferro-
mangans , FeWO4/MnWO4) , scheelite (tungstato de clcio , CaWO4), ferberite,
stalzite e hubnerite. Importantes depsitos destes minerais esto na Bolvia, na
Califrnia e Colorado (Estados Unidos), na China, na ustria, em Portugal, na
Rssia e na Coria do Sul (com a China produzindo aproximadamente 75% da
demanda mundial). O metal produzido comercialmente a partir da reduo do
xido de tungstnio com hidrognio ou carbono.

5.1.6 COMPOSTOS
O estado de oxidao mais comum do tungstnio +6, porm exibe todos os
estados de oxidao desde 2 at +6. A combinao tpica do tungstnio com o
oxignio, produzindo xido de tungstnio amarelo, WO
3
, que dissolve solues
aquosas alcalinas originando ons tungstato, WO
4
2-
.
A partir dos xidos de tungstnio:
xidos mistos com metais alcalinos ou alcalino terrosos
xidos azuis, de valncia mista, que so preparados por reduo suave, e
Bronzes de tungstnio, de valncia mista e no estequiomtrico, com certa
proporo de sdio.
Outros compostos de tungstnio:
Tungstatos simples
Iso e heteropolicidos e seus sais, polioxometalatos de grande riqueza e
variedade estrutural
Sulfetos e halogenetos.

5.1.7 ISTOPOS
O tungstnio tem 5 istopos naturais, 4 dos quais so estveis: W-182, W-
183, W-184, W-186. W-180 tm meia-vida absurdamente longa e, para finalidades
prticas, podem ser considerados estveis. Outros 27 radioistopos foram
identificados, dos quais os mais estveis so o W-181, com uma meia-vida de 121,2
dias, o W-185 com uma meia-vida de 75,1 dias, o W-188 com uma meia-vida de
69,4 dias e o W-178 com uma meia-vida de 21,6 dias. Todos os istopos radiativos
restantes tm meias-vida de menos de 24 horas, e maioria destes com menos de 8
minutos. O tungstnio apresenta tambm 4 metaestveis, sendo o mais estvel o W-



400
179m (meia-vida de 6.4 minutos). As massas atmicas dos istopos de tungstnio
variam de 157,974 u (W-158) at 189,963 u (W-190).



Tntalo - Tungstnio - Rnio

Mo
W
Sg

Geral
Nome, smbolo, nmero Tungstnio, W, 74
Classe, srie qumica Metal , metal de transio
Grupo, perodo, bloco 6, 6 , d
Densidade, dureza 19250 kg/m
3
, 7,5
Cor e aparncia
Branco acinzentado brilhante

Propriedades atmicas
Massa atmica 183,84(1) u
Raio mdio

135 pm
Raio atmico calculado 193 pm
Raio covalente 146 pm
Raio de van der Waals Sem dados
Configurao eletrnica [Xe]4f
14
5d
4
6s
2

Estados de oxidao (xido) 6, 5, 4, 3, 2 (levemente cido )
Estrutura cristalina Cbica centrada no corpo
Propriedades fsicas
Estado da matria Slido
Ponto de fuso 3695 K (3422 C)
Ponto de ebulio 5828 K (5555 C)
Calor de vaporizao 824 kJ/mol
Calor de fuso 35,4 kJ/mol
Presso de vapor 4,27 Pa a 3680 K
Velocidade do som 5174 m/s a 293,15 K
Informaes diversas
Eletronegatividade 2,36 (Pauling)
Calor especfico 130 J/(kgK)
Condutividade eltrica 18,9 10
6
m
-1
C
-1

Condutividade trmica 174 W/(mK)
1 Potencial de ionizao 770 kJ/mol
2 potencial de ionizao 1700 kJ/mol
Istopos mais estveis
iso. AN Meia vida MD ED MeV PD
180
W 0,12% 1,8 x 10
18
a d 2,516
176
Hf
181
W {sin} 121,2 d s 0,188
181
Ta
182
W 26,50% W estvel com 108 nutrons
183
W 14,30% W estvel com 109 nutrons
184
W 30,64% W estvel com 110 nutrons
185
W {sin} 75,1 d 0,433
185
Re
186
W 28,43% W estvel com 112 nutrons

Unidades SI e CNTP exceto onde indicado o contrrio.



401
5.2 ARGNIO
O rgon/rgo/argo (formas aceitas com predileo a rgon) ou argnio
PB

(do grego rgon, inactivo) um elemento qumico, de smbolo Ar, nmero atmico
18 ( 18 protons e 18 eletons) e massa atmica 40 u, encontrado no estado gasoso
em temperatura ambiente.
Foi descoberto em 1894 pelos ingleses William Ramsay e Lord Rayleigh. o
terceiro elemento da classe dos gases nobres, incolor e inerte como eles,
constituindo cerca de 1% do ar atmosfrico. usado em lmpadas fluorescente e
em dispositivos ou processos que exigem uma atmosfera inerte.
5.2.1CARACTERSTICAS PRINCIPAIS
Tem uma solubilidade em gua 2,5 vezes maior que a do nitrognio ou a do
oxignio. um gs monoatmico inerte, incolor e inodoro tanto no estado lquido
quanto no gasoso. Apesar de inerte, um composto estavel de argon [argon
fluorohydride (HArF)] foi identificado pela primeira vez em 2000 por um grupo de
pesquisadores Finlandeses [1]. Adicionalmente, um composto com flor, muito
instvel foi feito em 2003, pelo qumico suo Helmut Durrenmatt.

5.2.2 APLICAES
empregado como gs de enchimento em lmpadas incandescentes, j que
no reage com o material do filamento, mesmo em altos nveis de temperatura e
presso. Com isso prolonga-se a vida til da lmpada. Emprega-se tambm na
substituio do non, nas lmpadas fluorescentes, quando se deseja uma colorao
verde azulada ao invs do roxo do non. Tambm usado como substituto do
nitrognio molecular( N
2
) quando este no se comporta como gs inerte devido s
condies de operao.
No mbito industrial e cientfico, empregado universalmente na recriao de
atmosferas inertes (no reagentes) para evitar reaes qumicas indesejadas em
vrios tipos de operaes.
Soldagem em arco eltrico e oxicorte.
Fabricao de titnio e outros elementos qumicos reactivos.
Fabricao de monocristais partes cilndricas formadas por uma estrutura
cristalina contnua de silcio e germnio para componentes semicondutores.
O rgon-39 usado, entre outras aplicaes, para a datao de ncleos de
gelo e guas subterrneas.



402
Em mergulhos profissionais, o rgon empregado para inflar trajes - o que
impede o contato da pele com a humidade tpica do neopreno tanto por ser inerte
como por sua pequena conductibilidade trmica, proporcionando um isolamento
trmico necessrio para realizar longas imerses em determinadas profundidades.
O laser de rgon tem usos mdicos em odontologia e oftalmologia. A primeira
interveno com laser de rgon foi realizada por Francis L'Esperance, para tratar
uma retinopata em fevereiro de 1968.

5.2.3 HISTRIA
Henry Cavendish, em 1785, exps uma amostra de nitrognio a descargas
elctricas repetidas em presena de oxignio para formar xido de nitrognio que,
aps eliminado, restava em torno de 1% de um gs original que no podia ser
dissolvido. Cavendish afirmava, diante disso, que nem todo o ar flogisticado era
nitrognio. Em 1892 Lord Rayleigh descobriu que o nitrognio atmosfrico tinha uma
densidade maior que o nitrognio puro obtido a partir do nitro. Raleight e Sir William
Ramsay demonstraram em 1894 que a diferena devia-se presena de um
segundo gs pouco reactivo e mais pesado que o nitrognio: o rgon. O anncio da
descoberta foi acolhida com muita desconfiaa pela comunidade cientfica.
Em 1904 Rayleight recebeu o Prmio Nobel de Fsica pelas suas
investigaes acerca da densidade dos gases mais importantes e pela descoberta
da existncia do rgon.

5.2.4 ABUNDNCIA E OBTENO
O gs obtido por meio da destilao fraccionada do ar lquido, onde
encontrado numa proporo de aproximadamente 0,94%, eliminando-se
posteriormente o oxignio residual com hidrognio. A atmosfera de Marte contm
1,6% de Ar-40 e 5 ppm de Ar-36. A de Mercrio contm 7,0% e a atmosfera de
Vnus contm apenas traos.

5.2.5 ISTOPOS
Os principais istopos de rgon presentes na Terra so Ar-40 (99,6%) e em
menores quantidades, o Ar-36 e Ar-38. O istopo K-40, com uma vida mdia de
1,20510
9
anos, decai em 11,2% a Ar-40 estvel mediante captura electrnica e
desintegrao
+
(emisso de um positro), e os 88,8% restantes a Ca-40 mediante



403
desintegrao
-
(emisso de um electro). Estas propores de desintegrao
permitem determinar a idade das rochas. Na atmosfera terrestre, o Ar-39 gerado
por bombardeamento de raios csmicos principalmente a partir do Ar-40. Em locais
subterrneos no expostos produzido por captura neutrnica do K-39 e
desintegrao d do clcio.
O Ar-37, com uma vida mdia de 35 dias, produto do decaimento do Ca-40,
resultado de exploses nucleares subterrneas.

Cloro - rgon

Ne
Ar
Kr

Tabela Peridica

Geral
Nome, smbolo, nmero rgon, Ar, 18
Classe ,srie qumica Gs nobre , gs nobre
Grupo, perodo, bloco 18 ( VIIIA ), 3, p
Densidade, dureza
1,784 kg/m (273K), no
disponvel
Cor e aparncia
incolor

Propriedades atmicas
Massa atmica 39,948(1) u
Raio atmico calculado 71 pm
Raio covalente 97 pm
Raio de van der Waals 188 pm
Configurao eletrnica [Ne]3s3p
6

Electes por nvel de energia 2, 8, 8
Estado de oxidao 0
Estrutura cristalina cbica de face centrada
Propriedades fsicas
Estado da matria gs (no-magntico)
Ponto de fuso 83,80 K (-189,35 C)
Ponto de ebulio 87,30 K (-185,85 C)
Volume molar 22,5610
-6
m/mol
Entalpia de vaporizao 6,447 kJ/mol
Entalpia de fuso 1,188 kJ/mol
Presso de vapor no disponvel
Velocidade do som 319 m/s (293,15 K)
Miscelnea
Eletronegatividade sem dados
Calor especfico 520 J/kg*K
Condutividade eltrica no disponvel
Condutividade trmica 0,01772 W/m*K
1Potencial de ionizao 1520,6 kJ/mol
2Potencial de ionizao 2665,8 kJ/mol
3Potencial de ionizao 3931 kJ/mol
4Potencial de ionizao 5771 kJ/mol
5Potencial de ionizao 7238 kJ/mol
6potencial de ionizao 8781 kJ/mol
7potencial de ionizao 11995 kJ/mol
8potencial de ionizao 13842 kJ/mol
Istopos mais estveis
iso AN Meia-vida MD ED (MeV) PD
36
Ar 0,336% estvel com 18 nutrons
38
Ar 0,063% estvel com 20 nutrons
39
Ar sinttico 269 anos
-
0,565
39
K
40
Ar 99,601% estvel com 22 nutrons
42
Ar sinttico 32,9 anos
-
0,600
42
K

Unidades SI e CNTP, exceto onde indicado o contrrio



404
5.3 CRIPTNIO
O crpton ou criptnio (do grego, krpton, que significa oculto) um elemento
qumico de smbolo Kr de nmero atmico 36 (36 prtons (ou Protes) e 36 eltrons
(ou Eletres) ) e de massa atmica igual a 83,8 u. temperatura ambiente, o crpton
encontra-se no estado gasoso.
um elemento do grupo dos gases nobres ( 18 , 0 ou 8A ) da Classificao
Peridica dos elementos.
Foi descoberto em 1898 por William Ramsay e Morris Travers em resduos da
evaporao do ar lquido.
Sua principal aplicao para a fabricao de lmpadas incandescentes e
fluorescentes.

5.3.1 CARACTERSTICAS PRINCIPAIS
O crpton um gs nobre incolor, inodoro, inspido, de muito pequena
reactividade, caracterizado por um espectro de linhas verde e vermelha-alaranjada
muito brilhante. um dos produtos da fisso nuclear do urnio. O crpton slido
branco, de estrutura cristalina cbica centrada nas faces, igual aos demais gases
nobres.
Para propsitos prcticos, pode-se consider-lo um gs inerte, mesmo que
existam compostos seus formados com o flor. Alm disso, pode formar hidratos
com a gua, de forma que seus tomos ficam enclausurados na rede de molculas
de gua. Tambm se tm sintetizado solvatos com hidroquinona e fenol.

5.3.2 APLICAES
A definio do metro era, entre 1960 e 1983, baseada na radiao emitida
pelo tomo excitado de crpton; na verdade, o metro era definido como 1.650.763,73
vezes o comprimento de onda da emisso vermelha-alaranjada de um tomo de Kr-
86.
usado, isolado ou misturado com non e rgon: em lmpadas
fluorescentes; em sistemas de iluminao de aeroportos, j que o alcance da luz
vermelha emitida maior que a comum inclusive em condies climatolgicas
adversas; e nas lmpadas incandescentes de filamento de tungstnio de projectores
cinematogrficos. O laser de crpton usado em medicina para cirurgia da retina do
olho. O istopo Kr-81m usado no estudo do pulmo pela medicina nuclear.



405
O crpton-85 usado em anlises qumicas incorporando o gs em slidos,
processo no qual se formam criptonatos cuja atividade sensvel s reaces
qumicas produzidas na superfcie da soluo. Tambm usado flash fotogrficos
para fotografias de alta velocidade, na deteco de fugas em depsitos selados e
para excitar o fsforo de fontes de luz sem alimentao externa de energia.

5.3.3 HISTRIA
Foi descoberto em 1898, por William Ramsay e Morris Travers, em resduos
de evaporao do ar lquido. Em 1960, a Oficina Internacional de Pesos e Medidas
definiu o metro em funo do comprimento de onda da radiao emitida pelo istopo
Kr-86 em substituio barra padro. Em 1983 a emisso do crpton foi substituda
pela distncia percorrida pela luz em 1/299.792.458 segundos.

5.3.4 ABUNDNCIA E OBTENO
um gs raro na atmosfera terrestre, da ordem de 1 ppm. encontrado entre
os gases vulcnicos e guas termais e em diversos minerais em quantidades muito
pequenas. Pode-se extrai-lo do ar por destilao fraccionada.
Na atmosfera do planeta Marte se tem encontrado o crpton na concentrao
de 0,3 ppm.

5.3.5 ISTOPOS
O crpton natural constitudo por 6 istopos e foram caracterizados 17
istopos radioativos. O istopo Kr-81 produto de reaces atmosfricas com
outros istopos naturais, radioactivo e tem uma vida mdia de 250.000 anos.
Como o xnon, o crpton extremamente voltil e escapa com facilidade das guas
superficiais, por isso usado para datar antigas guas subterrneas ( 50.000 a
800.000 anos ).
O istopo Kr-85 um gs inerte radioactivo de 10,76 anos de vida mdia,
produzido na fisso do urnio e do plutnio. As fontes deste istopo so os testes
nucleares (bombas), os reatores nucleares e o reprocessamento das barras de
combustveis dos reactores. Tem-se detectado um forte gradiente deste istopo
entre os hemisfrios norte e sul, sendo as concentraes detectadas no plo norte
30% mais altas do que as do plo sul.




406







Bromo - Criptnio

Ar
Kr
Xe

Tabela Peridica

Geral
Nome, smbolo, nmero Criptnio, Kr, 36
Classe, srie qumica Gs nobre , gs nobre
Grupo, perodo, bloco 18 (8 A), 4, p
Densidade, dureza
3,708 kg/m
3
(273 K),
(ND)
Cor e aparncia
Incolor

Propriedades atmicas
Massa atmica 83,798(2) u
Raio atmico calculado 88 pm
Raio covalente 110 pm
Raio de van der Waals 202 pm
Configurao eletrnica [Ar] 3d
10
4s
2
4p
6

Eltrons por nvel de energia 2, 8, 18, 8
Estado de oxidao (xido) 0 (desconhecido)
Estrutura cristalina cbica de face centrada
Propriedades fsicas
Estado da matria gs (no-magntico)
Ponto de fuso 115,79 K (-157,36 C)
Ponto de ebulio
(119,930,10) K
(-153,220,10) C
Volume molar 27,99 10
-6
m
3
/mol
Entalpia de vaporizao 9,029 kJ/mol
Entalpia de fuso 1,638 kJ/mol
Presso de vapor no definida
Velocidade do som 1120 m/s (293,15 K)
Miscelnea
Eletronegatividade 3,00 (escala de Pauling)
Capacidade calorfica 248 J/kg*K
Condutividade eltrica no definida
Condutividade trmica 0,00949 W/m*K
1 Potencial de ionizao 1350,8 kJ/mol
2 Potencial de ionizao 2350,4 kJ/mol
3 Potencial de ionizao 3565 kJ/mol
4 Potencial de ionizao 8407,7 kJ/mol
5 Potencial de ionizao 5070 kJ/mol
6 Potencial de ionizao 7570 kJ/mol
7 Potencial de ionizao 10710 kJ/mol
8 Potencial de ionizao 12138 kJ/mol
Istopos mais estveis
iso AN meia-vida MD ED (MeV PD
78
Kr 0,35% Kr estvel com 42 nutrons
80
Kr 2,25% Kr estvel com 44 nutrons
81
Kr 229000 a psilon 0,281
81
Br
82
Kr 11,6% Kr estvel com 46 nutrons
83
Kr 11,5% Kr estvel com 47 nutrons
84
Kr 57% Kr estvel com 48 nutrons
85
Kr {sint.} 10,756 anos Beta
-
0,687
85
Rb
86
Kr 17,3% Kr estvel com 50 nutrons

Unidades SI e CNTP, exceto onde indicado o contrrio



407
6. CONCLUSO
Mesmo sendo uma das tecnologias mais antigas em relao a produo de
energia luminosa, seu principio fundamental no foi alterado desde sua primeira
construo em grande escala e utilizada at hoje.
Com o custo menor do que as outras opes de lmpadas existentes, a
lmpada incandescente ainda ser usada por muito tempo, mesmo no sendo mais
econmicas em termos de gasto de energia que as outras opes no mercado.

7. BIBLIOGRAFIA
http://br.geocities.com/saladefisica7/funciona/lampada.htm
http://pt.wikipedia.org/wiki/Tungst%C3%AAnio
http://pt.wikipedia.org/wiki/Argonio
http://pt.wikipedia.org/wiki/Cr%C3%ADpton
SCR: RETIFICADOR CONTROLADO DE SILCIO
Samir de Oliveira Ferreira

1. INTRODUO
O SCR (Silicon Controlled Rectifier) foi desenvolvido por um grupo de
engenheiros do Bell Telephone Laboratory (EUA) em 1957. o mais conhecido e
aplicado dos Tiristores existentes. Tiristor o nome genrico dado famlia dos
componentes compostos por quatro camadas semicondutoras (PNPN).
Os Tiristores SCRs funcionam analogamente a um diodo, porm possuem um
terceiro terminal conhecido como Gatilho (Gate ou Porta). Este terminal responsvel
pelo controle da conduo (disparo). Em condies normais de operao, para um
SCR conduzir, alm de polarizado adequadamente (tenso positiva no nodo), deve
receber um sinal de corrente no gatilho, geralmente um pulso.
A principal aplicao que os SCR tm a converso e o controle de grandes
quantidades de potncia em sistemas CC e CA, utilizando apenas uma pequena
potncia para o controle. Isso se deve sua ao de chaveamento rpido, ao seu
pequeno porte e aos altos valores nominais de corrente e tenso em que podem
operar.

2. CARACTERSTICAS BSICAS DO SCR
Algumas caractersticas dos SCRs so notveis como o fato de serem chaves
estticas bi-estveis, ou seja, trabalham em dois estados: no conduo e conduo,
com a possibilidade de controle. Em muitas aplicaes podem ser considerados
chaves ideais, mas h limitaes e caractersticas na prtica. So compostos por 4
camadas semicondutoras (P-N-P-N), trs junes (P-N) e 3 terminais (nodo, Ctodo
e Gatilho). So semicondutores de silcio. O uso do silcio foi utilizado devido a sua
alta capacidade de potncia e capacidade de suportar altas temperaturas.
Apresentam alta velocidade de comutao e elevada vida til; Possuem resistncia
eltrica varivel com a temperatura, portanto, dependem da potncia que estiverem
conduzindo. So aplicados em controles de rels, fontes de tenso reguladas,
controles de motores, Choppers (variadores de tenso CC), Inversores CC-CA, Ciclo-
conversores (variadores de freqncia), carregadores de baterias, circuitos de
proteo, controles de iluminao e de aquecedores e controles de fase, entre outras.




409
A figura 1 apresenta a simbologia utilizada e as camadas, junes e terminais,
enquanto a figura 2 apresenta um tipo de estrutura construtiva para as camadas de
um SCR. A figura 3 mostra a aparncia do encapsulamento tipo TO de um SCR muito
utilizado, j acoplado a um dissipador de calor. A figura 4 mostra alguns SCR de alta
potncia com encapsulamento tipo rosca e tipo disco. A figura 5 uma fotografia de
um SCR real.










FIGURA 1 SRC: simbologia, camadas e junes


FIGURA 2 Um tipo estrutura interna das camadas de um SRC

FIGURA 3 Encapsulamento tipo TO para SRC, com dissipador de calor




410

FIGURA 4 SCR com encapsulamento tipo rosca e tipo disco para altas potncias


FIGURA 5 SCR para correntes mximas de 100 ampres e 1200 volts montado
em um dissipador de calor, os dois fios menores so o terminal de gatilho.





411
3. SCR IDEAL
Um SCR ideal se comportaria com uma chave ideal, ou seja, enquanto no
recebesse um sinal de corrente no gatilho, seria capaz de bloquear tenses de valor
infinito, tanto com polarizao direta como reversa. Bloqueado, o SCR ideal no
conduziria qualquer valor de corrente. Tal caracterstica representada pelas retas 1
e 2 na Figura 6.
Quando disparado, ou seja, quando comandado por uma corrente de gatilho
I
GK
, o SCR ideal se comportaria como um diodo ideal, como pode-se observar nas
retas 1 e 3. Nesta condio, o SCR ideal seria capaz de bloquear tenses reversas
infinitas e conduzir, quando diretamente polarizado, correntes infinitas sem queda de
tenso e perdas de energia por Efeito Joule.
Assim como para os diodos, tais caractersticas seriam ideais e no se obtm
na prtica. Os SCR reais tm, portanto, limitaes de bloqueio de tenso direta e
reversa e apresentam fuga de corrente quando bloqueados. Quando habilitados tm
limitaes de conduo de corrente, pois apresentam uma pequena resistncia
circulao de corrente e queda de tenso na barreira de potencial das junes que
provocam perdas de energia por Efeito Joule e conseqente aquecimento do
componente.




3

1 2

V
AK






FIGURA 6 - Caractersticas estticas de um SCR ideal.




4. POLARIZAO DIRETA
A figura 8 apresenta um circuito de polarizao direta de um SCR onde




412
podemos verificar que a tenso do nodo positiva em relao ao Ctodo e esto J
1

e J
3
polarizadas diretamente, j J
2
polarizada reversamente apresenta maior barreira
de potencial logo flui pequena Corrente de Fuga Direta de nodo para Ctodo, I
F

(Forward Current).



FIGURA 8 (a) SCR bloqueado em polarizao direta; (b) Analogia com
diodos
(c) Efeito da polarizao direta nas junes;


5. POLARIZAO REVERSA
A figura 9 apresenta um circuito de polarizao direta de um SCR onde
podemos verificar que a tenso de Ctodo positiva em relao ao nodo, J
2

diretamente polarizada e J
1
e J
3
reversamente polarizadas logo apresentam maiores
barreiras de potencial e flui pequena Corrente de Fuga Reversa de Ctodo para
nodo, I
R
(Reverse Current).




413

FIGURA 9 (a) SCR bloqueado em polarizao reversa; (b) Analogia com
diodos; (c) Efeito da polarizao reversa nas junes

6. MODOS DE DISPARO DE UM SCR
Um SCR disparado (entra em conduo) quando aumenta a Corrente de
nodo I
A
, atravs de uma das seguintes maneiras:

6.1 CORRENTE DE GATILHO I
GK

o procedimento normal de disparo do SCR. Quando estiver polarizado
diretamente, a injeo de um sinal de corrente de gatilho para o ctodo (I
G
ou I
GK
),
geralmente na forma de um pulso, leva o SCR ao estado de conduo. A medida que
aumenta a corrente de gatilho para ctodo, a tenso de bloqueio direta diminui at
que o SCR passa ao estado de conduo.




414
A Figura 10 apresenta um circuito para disparo do SCR. Enquanto diretamente
polarizado o SCR s comea a conduzir se receber um comando atravs de um sinal
de corrente (geralmente um pulso) em seu terminal de gatilho (Gate ou Porta). Esse
pulso polariza diretamente o segundo diodo formado pelas camada N e P e
possibilita a conduo.
Enquanto tivermos corrente entre nodo e ctodo o SCR continua conduzindo,
sendo ele cortado (bloqueado) somente quando a mesma for praticamente extinta.
Nesta condio, as barreiras de potencial formam-se novamente e o SCR precisar
de um novo sinal de corrente no gatilho para voltar ao estado de conduo.
Polarizado reversamente o SCR funciona como um diodo, bloqueando a
passagem de corrente, mesmo quando efetuado um pulso em seu Gatilho.
A caracterstica gatilho-ctodo de um SCR se assemelha a uma juno PN,
variando, portanto, de acordo com a temperatura e caractersticas individuais do
componente.
Como entre o gatilho e o ctodo h uma juno PN, temos uma tenso de
aproximadamente 0,7V. Desta forma, analisando o circuito da figura 11. podemos
determinar os requisitos para o circuito de disparo do SCR.


FIGURA 10 Disparo de um SCR




415





FIGURA 11 Circuito para disparo do SCR

Assim, a tenso V
DISPARO
necessria para proporcionar a corrente de disparo I
G

atravs da resistncia limitadora R
G
pode ser dada por:
V
DISPARO
= I
G
. R
G
+ 0,7

6.1.1 CORRENTE DE RETENO E CORRENTE DE MANUTENO
Para entrar em conduo o SCR deve conduzir uma corrente suficiente, cujo
valor mnimo recebe o nome de Corrente de Reteno I
L
(Latching Current). O SCR
no entrar em conduo se a Corrente de Gatilho I
GK
for suprimida antes que a
Corrente de nodo I
A
atinja o valor da Corrente de Reteno I
L
.
Uma vez retirada a corrente de gatilho, a mnima Corrente de nodo I
A
para
manter o SCR em conduo chamada Corrente de Manuteno I
H
(Holding
Current). Se a Corrente de nodo for menor que a Corrente de Manuteno, as
barreiras de potencial formam-se novamente e o SCR entrar em Bloqueio.
A Corrente de Reteno maior que a Corrente de Manuteno (I
L
> I
H
). O
valor de I
L
em geral de duas a trs vezes a corrente de manuteno I
H
. Ambas
diminuem com o aumento da temperatura e vice-versa.
por este motivo que dizemos que o SCR uma Chave de Reteno (ou
Travamento) porque uma vez em conduo, permanece neste estado enquanto a
Corrente de nodo I
A
for maior que a Corrente de Manuteno (I
A
> I
H
), mesmo sem
corrente no gatilho (I
GK
).

6.2 SOBRETEMPERATURA
O aumento brusco da temperatura aumenta o nmero de pares eltrons-




416
lacunas no semicondutor provocando maior corrente de fuga, o que pode levar o SCR
ao estado de conduo. O disparo por aumento de temperatura deve ser evitado.

5.3 SOBRETENSO
Se a tenso direta nodo-ctodo V
AK
for maior que o valor da tenso de
ruptura direta mxima V
DRM
(V
BO
), fluir uma corrente de fuga suficiente para levar o
SCR ao estado de conduo.
Isto acontece porque o aumento da tenso V
AK
em polarizao direta acelera
os portadores de carga na juno J2 que est reversamente polarizada, podendo
atingir energia suficiente para provocar a avalanche e disparar o SCR. Este fenmeno
faz com que muitos eltrons choquem-se e saiam das rbitas dos tomos do
semicondutor ficando disponveis para conduo e permitindo o aumento da corrente
de fuga no SCR e levando-o ao estado de conduo.
O disparo por sobretenso direta diminui a vida til do componente e, portanto,
deve ser evitado.
A aplicao de uma sobretenso reversa, ou seja, uma tenso nodo-ctodo
maior que o valor da tenso de ruptura reversa mxima (V
RRM
ou V
BR
) danificar o
componente.

5.4 DEGRAU DE TENSO DV/DT ( V/ T)
Se a taxa de crescimento da tenso nodo-ctodo V
AK
no tempo for alta
(subida muito rpida da tenso V
AK
) pode levar o SCR ao estado de conduo. Em
polarizao direta a Juno J2 est reversamente polarizada e se comporta como um
capacitor carregado, como podemos observar na figura 12.




417


FIGURA 12 Disparo por degrau de tenso


6. ANALOGIA COM 2 TRANSISTORES
A figura 13 apresenta um circuito com dois transistores complementares (PNP e
NPN) que permitem uma analogia ao funcionamento do SCR e demonstra a ao de
reteno (travamento) devido realimentao positiva no circuito
De uma maneira simplificada, com polarizao direta, a injeo de um sinal de
corrente no gatilho do circuito provoca um efeito de realimentao em que o aumento
da corrente na base de Q2 aumenta a corrente de fuga no coletor de Q2 e da base de
Q1 e, conseqentemente, a corrente de coletor de Q1. Esta, por sua vez, realimenta
a corrente de base de Q2 e assim sucessivamente at ambos os transistores
entrarem em saturao.







418


FIGURA 13 Modelo de um SCR com dois transistores
complementares

8. BLOQUEIO OU COMUTAO DO SCR
O desligamento de um SCR chamado de Bloqueio ou Comutao. O SCR
uma chave de reteno, ou seja, uma vez disparado e conduzindo, o gatilho perde o
controle. A nica forma de bloquear um SCR reduzir a corrente de nodo I
A
para um
valor menor que o valor da corrente de manuteno I
H
durante certo tempo. Este o
tempo necessrio para o desligamento do SCR, t
off
.
Deve-se, portanto lembrar que os diodos e SCRs somente bloqueiam quando
praticamente extinta a corrente entre nodo-ctodo e no por aplicao de tenso
reversa. Para um SCR comutar, ou seja, passar do estado de conduo para o
estado de no conduo, tambm chamado de bloqueio, a Corrente de nodo I
A
deve
ser reduzida a um valor abaixo do valor da corrente de manuteno I
H
, durante um
certo tempo (tempo de desligamento t
q
). O tempo de desligamento da ordem de 50
a 100 s para os SCR normais e de 5 a 10s para os SCR rpidos.

8,1 COMUTAO NATURAL
A Comutao Natural acontece quando a Corrente de nodo I
A
for reduzida a
um valor abaixo da Corrente de Manuteno I
H
. A Corrente de Manuteno cerca
de 1000 vezes menor que a corrente nominal do SCR.
Em circuitos de corrente alternada a corrente passa por zero em algum




419
momento do ciclo. Isso j suficiente para o bloqueio do SCR em freqncias
comerciais (50 ou 60Hz). A Figura 14 apresenta um circuito em que ocorre a
Comutao Natural. Fechada a chave Ch1 e pulsando a chave Ch2 o SCR entra em
conduo e permanece at que o momento em que a corrente passe por zero no
ciclo alternado. Nesse momento I
A
< I
H
e o SCR bloqueia.














FIGURA 14 Circuito para comutao natural do SCR

8.2 COMUTAO FORADA
Em circuitos de corrente contnua a tenso permanece positiva no nodo.
Como a corrente no diminui naturalmente, deve-se provocar a reduo da Corrente
de nodo atravs da Comutao Forada. H duas formas para isso, desviando-se a
corrente por um caminho de menor impedncia provocando I
A
< I
H
ou aplicando-se
tenso reversa forando a operao na regio de polarizao reversa. Note que
isso tambm far I
A
< I
H
.
A Figura 15 apresenta um circuito para Comutao Forada onde a chave Ch1
permitir um caminho que drenar a corrente do SCR levando-o ao bloqueio










FIGURA 15 - Comutao forada por chave





420
A Figura 16 apresenta um circuito para Comutao Forada atravs de um
capacitor. Quando a chave Ch1 for fechada, o capacitor aplicar tenso reversa
levando o SCR ao bloqueio. Devemos lembrar que o SCR dever conduzir durante o
tempo necessrio para que o capacitor esteja totalmente carregado e que a chave
pode ser um outro semicondutor(outro SCR ou um transistor).

FIGURA 16 Comutao forada por capacitor

8.3 CARACTERSTICAS ESTTICAS DO SCR
Existem limites de tenso e corrente que um SCR pode suportar. Tais limites
constituem as caractersticas estticas reais como mostra a Figura 17. As curvas 1 e
2 apresentam as caractersticas para o SCR no estado de bloqueio, enquanto as
curvas 1 e 3 mostram as caractersticas para o SCR com Corrente de Gatilho IGK,
para ambas as polarizaes. Podemos, ento, verificar na Figura 8.1, que a curva
caracterstica de um SCR real apresenta trs regies distintas:
Bloqueio em Polarizao Reversa curva 1
Bloqueio em Polarizao Direta curva 2
Conduo em Polarizao Direta curva 3





421

FIGURA 17 Caractersticas estticas reais do SCR.

9. CARACTERSTICAS DINMICAS DO SCR
As caractersticas dinmicas do SCR esto ligadas diretamente com o
comportamento transitrio do componente durante os processos de entrada em
conduo e de bloqueio.

9.1 CARACTERSTICAS DINMICAS NO DISPARO
A Figura 18 mostra o circuito para o estudo do disparo do SCR, onde V
CC
a
fonte que alimentar a resistncia de carga atravs do SCR. A fonte V
G
fornecer a
corrente de gatilho I
GK
atravs da resistncia limitadora R
G
.
Considere que no instante inicial t
0
a chave Ch1 fechada e a fonte V
G

fornece a corrente I
GK
ao gatilho.















422













FIGURA 18 Circuito para o estudo do disparo do SCR

As formas de onda de interesse para o disparo so mostradas na Figura 9.2.
Entre o fechamento da chave Ch e a efetiva conduo do SCR h um tempo
necessrio para que a corrente de gatilho I
GK
provoque o decaimento da tenso
nodo-ctodo V
AK
e a elevao da corrente de nodo I
A
. O tempo de retardo
chamado de t
d
(delay time) e o tempo de decaimento t
r
.
O tempo de fechamento t
on
= t
d
+ t
r
, o tempo necessrio para que o SCR
comece a conduzir efetivamente a partir do disparo.
O tempo de retardo t
d
(delay time) a maior componente do tempo de
fechamento e depende principalmente da amplitude da corrente de gatilho I
GK
e da
velocidade de crescimento da referida corrente.
O tempo de decaimento da tenso nodo-ctodo t
r
independe da corrente I
GK
.
Apenas as caractersticas de fabricao do componente interferem no decaimento
de V
AK
.










423


FIGURA 19 - Representao do atraso no disparo do SCR.

10. PERDAS TRMICAS EM CONDUO
Durante o ciclo de chaveamento, um SCR apresenta as seguintes perdas de
potncia (e, conseqentemente de energia):
Perdas de Potncia em Conduo
Perdas de Potncia em Bloqueio (direto e reverso)
Perdas de Potncia por Chaveamento (comutao)
Perdas de Potncia por Acionamento do Gatilho
Em Geral, sob condies normais de operao as Perdas em Bloqueio e por
Acionamento do Gatilho so pequenas o suficiente para serem desprezadas. Em
baixas freqncias (<400Hz), as Perdas por Chaveamento tambm so pequenas e
podem ser desconsideradas. Em altas freqncias, especialmente na entrada em
conduo do SCR, as perdas aumentam significativamente. A referncia [5]




424
apresenta uma boa discusso a respeito.
A principal fonte de perdas de potncia durante a conduo do SCR.
Analogamente a um diodo, podemos representar o SCR por seu circuito eltrico
equivalente, mostrado na Figura 20, onde E
0
(V
F
ou V
TO
) representa a queda de
tenso e r
0
(r
F
ou r
T
) representa a resistncia quando o componente est em
conduo.


I
A


A K

E
O
r
O

FIGURA 20 - Circuito equivalente do SCR em conduo.

O SCR conduzindo dissipa uma potncia eltrica (em Watts) na forma de calor
que pode ser calculada por:
P
SCR
E
0
I
med
r
0
I
ef

2

Sendo:
P
SCR
perda de potncia no SCR durante a conduo (W) E
0
tenso nodo-
ctodo durante a conduo (V)
r
0
resistncia em conduo (mC )
I
med
valor mdio da corrente de nodo (A) I
ef
valor eficaz da corrente de
nodo (A)
A determinao das Perdas em Conduo do SCR tem importncia
fundamental no chamado Clculo Trmico para o dimensionamento dos
Dissipadores de Calor e Sistemas de Refrigerao. O seu correto dimensionamento
permite que o componente controle o mximo de potncia sem sobreaquecimento, o
que poderia danific-lo.

11. TCNICAS DE FABRICAO
As tcnicas de fabricao de tiristores assemelham-se a usada para




425
manufatura de elementos bipolares e envolve vrios passos de difuso e mscaras.
A seqncia de alguns destes passos bsicos ilustrado na figura 21 para o caso de
um transistor bipolar npn, no caso de tiristores alguns passos so repetidos de
maneira a dispor as sees de camadas dopadas como mostra a figura 21.

FIGURA 21 Disposio das camadas em um SCR.

O material inicial um wafer com dopagem tipo p tpica de 10
16
/cm
3
. No
primeiro passo de mascaramento e difuso, ilustrado na figura 22(a), forma-se uma
camada n+ de baixa resistividade, que eventualmente formar um caminho de baixa
resistncia para a corrente dentro da regio de coletor do transistor resultante. Uma
vez que esta camada ser coberta por uma camada epitaxial, ela chamada de
camada enterrada ou "buried layer". Depois de formada a buried layer, o xido




426
restante removido e uma camada epitaxial tipo n formada sobre a superfcie de
todo o wafer, como visto na figura 22 (b). A espessura e a concentrao de dopantes
desta camada epitaxial determinam a tenso de ruptura do transistor (uma camada
de 15m e com 2x10
15
/cm
3
origina uma tenso de ruptura de 30V). Observe que,
durante o processo de formao da camada epitaxial, a buried layer tambm se
difunde de alguma forma para dentro desta.






























FIGURA 22 Processo de fabricao.











427
Aps o crescimento epitaxial, uma camada de SiO
2
formada na superfcie
do wafer. Em seguida feita uma difuso tipo p como ilustrado na Figura 22(c). A
finalidade desta difuso formar uma parede de isolao ("isolation walls") que
penetra pela camada epitaxial n at o substrato p. Devido profundidade em que
esta difuso deve penetrar, ela requer horas de difuso temperaturas acima de
1200
o
C. Note que as paredes de isolao no alcanam a buried layer. Isto feito
para evitar a formao de uma juno pn de baixa tenso de ruptura e assegurar
que a parede de isolao alcance o substrato, formando uma camada contnua
envolvente para a buried layer e a camada epitaxial.
O prximo passo de mascaramento e difuso forma a base (tipo p) do
transistor, com uma profundidade de 1 a 3m, como visto na Figura 22(d). Aps a
difuso da base, a regio do emissor (tipo n+) com uma profundidade de 0,5 a
2,5m formada, como visto na Figura 22(e) . Visto que as diferenas em
profundidade das difuses da juno base-emissora determinam a largura da base
do transistor, a profundidade da difuso do emissor controlada para ser
aproximadamente entre 0,5 e 1m a menos que a difuso da base. Observe que, na
realidade, ao mesmo tempo da formao do emissor, feita uma outra difuso n+
dentro da camada epitaxial (correspondente a regio do coletor) que servir como
contato hmico de baixa resistncia para o terminal do coletor. Isto necessrio
porque o contato direto do alumnio com um substrato de baixa dopagem difcil de
ser obtido.
Finalmente, so feitas as deposies de metal formando efetivamente os
contactos dos terminais do transistor, como ilustrado na figura 22 (f).
A grande maioria dos transistores bipolares usados em CIs so npn,
entretanto, em alguns circuitos, necessitam-se de dispositivos pnp. Os dois tipos de
transistores pnp empregados so o transistor pnp lateral "lateral pnp" e o transistor
pnp vertical ou de substrato "vertical pnp or substrate pnp". Um transitor pnp lateral
mostrado na Figura 23. Este formado pela difuso simultnea (tipo p) das regies
do coletor e do emissor, sendo um processo bastante similar construo do
transistor npn, requerendo apenas algumas janelas adicionais para os passo de
mascaramento. Apesar do transistor pnp lateral apresentar um baixo valor de
F

(tipicamente 20), tem sido o melhor pnp disponvel em CIs.






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FIGURA 23 - Transistor pnp lateral.

Um transistor pnp vertical tpico mostrado na Figura 24. Este transistor pode
ser fabricado simultaneamente e no mesmo processo dos transistores npn, sendo
usado em aplicaes que exigem altas correntes e altas potncias.









FIGURA 24 - Transistor pnp vertical.

12. CONCLUSO
Com uma rpida abordagem a respeito deste importante dispositivo, pode-se
ver que os avanos gerados por suas aplicaes so inestimveis. Desenvolvido a
partir de tcnicas dominadas para outros elementos, o SCR trouxe viabilidade no
controle de correntes em grande potncia e possibilita tambm a retificao de
correntes alternadas neste mesmo campo. A tecnologia na rea de materiais para o
setor eltrico contribuiu para tal desenvolvimento, criando novas aplicaes ao pilar
central dos dispositivos de estado slido, o silcio, uma delas o SCR.


13. REFERNCIAS
[1] ZANGER, H.; Semiconductor Devices and Circuits, John Wiley & Sons, Nova
York, 1984.

[2] Pgina na Internet: http://pt.wikipedia.org/wiki/SCR acessado em: 05/07/2008.

[3] Pgina na Internet: http://en.wikipedia.org/wiki/Silicon-controlled_rectifier
acessado em: 06/07/2008.




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[4] Pgina na Internet:
http://www.eletronica24h.com.br/cursoEI/cursoEI2/aulas/Aula06.html acessado
em: 06/07/2008.

[5] ALMEIDA, J.L.A.; Dispositivos Semicondutores: Tiristores Controle de Potncia
em CC e CA, Coleo Estude e Use, Srie Eletrnica Analgica, Editora
rica, So Paulo, 1996.

[6] MELLO, H.; Dispositivos Semicondutores, Livros Tcnicos e Cientficos S.A., Rio
de Janeiro, 1980.

[7] Pgina na Internet: http://www.angelfire.com/on/eletron/scr.html acessado em:
05/07/2008.