Diodo tnel

Diodo Esaki

Diodos convencionais so dopados com um tomo de impureza para cada dez milhes de tomo de semicondutor intrnseco. Aumentando-se a dopagem para mil tomos de impureza para cada dez milhes de tomo de semicondutor intrnseco , obtm-se uma regio de resistncia negativa (Leo Esaki). Suas trs principais caractersticas so:
Sua corrente direta aumenta at um valor de pico, com uma pequena tenso de polarizao direta aplicada; Reduo da corrente direta com o aumento da polarizao, at um valor de corrente de vale; Aumento da corrente direta com aumento adicional da tenso de polarizao.

O aumento da dopagem reduz a largura da regio de depleo.

Diodo tnel
Diodo Esaki

Um diodo tnel polarizado para operar em regio de resistncia negativa pode ser empregado como oscilador ou amplificador em altas freqncias. A operao em altas freqncias possvel graas velocidade com que o efeito tnel acontece, com efeito de tempo de trnsito muito pequeno. Encontra boa aplicao em dispositivos de chaveamento (comutao) em alta velocidade.

O aumento da dopagem reduz a largura da regio de depleo.

Oscilador a diodo tnel

Um diodo tnel polarizado no centro da regio de resistncia funciona como um oscilador bastante estvel em altas freqncias, dentro de uma cavidade ressonante. Podem ser sintonizados mecanicamente (quando implantado em uma cavidade ressonante) ou eletronicamente. Os diodos tnel sintonizados podem utilizar linhas de transmisso, cabos coaxiais ou guias de onda na sintonia.

Oscilador a diodo tnel

A potncia de sada do circuito ao lado de algumas centenas de microwatts, suficientes para muitas aplicaes em microondas. A freqncia de oscilao determinada pela posio do parafuso de sintonia. A sintonia pode ser feita, ainda, por tenso de polarizao ou com auxlio de um diodo varactor.

Amplificador a diodo tnel

uma importante aplicao na rea de microondas devido ao baixo rudo gerado. O filtro serve para selecionar a faixa a ser amplificada e para casar as impedncias com o objetivo de melhorar o ganho. Se houver algum descasamento de impedncias na porta 3, a carga RL absorver a energia direcionada pelo circulador.

Conversores a diodo tnel

O diodo tnel permite a construo de excelentes conversores de freqncia graas sua elevada no linearidade. Ao contrrio de muitos outros conversores, o diodo tnel executa a converso com aumento da potncia. Pode ser construdo de forma a operar simultaneamente como oscilador local e conversor de freqncia. Para que opere com ganho ser necessrio que seja polarizado na regio de resistncia negativa. Lembrar que nem sempre ganhos elevados so vantajosos devido ao risco de instabilidade.

Diodo Gunn
formado por apenas pelo semicondutor tipo N, com trs camadas, sendo a do meio com dopagem menor. As camadas N laterais evitam a migrao de ons metlicos dos terminais para a camada ativa. utilizado como oscilador de microondas, entre 5 e 140 GHz. A freqncia de oscilao depende da espessura da camada ativa, porm pode ser ajustada. Na maioria das vezes o ajuste da sintonia feito mecanicamente, mas pode ser ainda feito pela tenso de polarizao ou com auxlio de um diodo varactor. Encontra grande aplicao em radares de trnsito, alarmes e detectores de movimento.

Circuito equivalente na cavidade

Diodo Gunn
Tabletes de arsenieto de Glio (GaAs), Fosfeto de ndio (InP) ou nitreto de Glio (GaN), ambos tipo N. Apesar do nome diodo, no possui juno. Possui uma regio de resistncia negativa, a exemplo de outros componentes, na qual a velocidade de deslocamento diminui com o aumento da tenso aplicada aos seus terminais. O processo gera uma concentrao de eltrons livres denominada domnio.

Diodo Gunn
Movimento do domnio contato metlico do catodo contato metlico do anodo

domnio eletrnico (camada ativa)

GaAs tipo N

Velocidade de deslocamento no GaAs

Transiente
Os domnios se movem pelo arsenieto de glio at o terminal positivo. Quando o domnio atinge o terminal positivo, desaparece e um novo domnio se forma. Quando o domnio desaparece, forma-se um pulso de corrente. O perodo dos pulsos igual ao tempo de transito.

Diodo Gunn

Diodo Gunn em cavidade

Diodo Gunn em antena de cavidade

Modos de operao do Diodo Gunn

Modo de amplificao estvel

Funciona como um amplificador; Neste aspecto, a concentrao de dopagem versus comprimento da regio ativa deve ser inferior a 1012/cm2 .

Modo de trnsito
Opera de forma no ressonante e depende da tenso de polarizao aplicada; A concentrao de dopagem deve estar entre 1012 e 1014/cm2 ; A freqncia de operao depende do tempo de trnsito do pulso pela regio ativa,

Modos de operao do Diodo Gunn

Modo de carga espacial limitada
Depende de um indutor de RF para excitar uma cavidade ressonante de alto fator de qualidade (Q); A concentrao de dopagem versus comprimento da regio ativa deve ser igual ou superior a 1012/cm2 ; A eficincia pode chegar a 20%, superior dos outros dois; O perodo de oscilao :

T = 2 LC +

1 Vb R Vth

Vb = tenso de polarizao Vth = tenso limiar

Modos de operao do Diodo Gunn

Modo de carga espacial limitada (continuao)
A potncia til de sada de um circuito oscilador ou amplificador :

V = tenso aplicada I = corrente aplicada Para um diodo Gunn, a expresso :

Po = VI

M = relao entre a tenso de polarizao e a tenso limiar E = campo eltrico limiar (kV/cm) L = comprimento em centmetros N0 = concentrao de doadores e = carga de um eltron A = rea da seo reta do componente em cm2

Po = MELN 0evA

Diodo IMPATT
IMPATT = ImPact Avalanche And Transit Time. Opera na regio de avalanche (polarizao inversa, mediante a aplicao de um campo eltrico intenso e tenso de polarizao de 70 a 100 volts. O efeito avalanche no instantneo. Ocorre um rpido atraso de fase entre a aplicao da tenso de ruptura e o surgimento da corrente de avalanche. Em 1959, W. T. Read, dos Laboratrios Bell lanou a tese de que o retardo na fase poderia criar uma resistncia negativa, fato este confirmado em 1965, no mesmo Laboratrio, por Lee e Johnson, com a inveno do ento denominado diodo Read. O componente criado gerou 80 mW em 12 GHz, com uma juno PN de silcio. A partir da passou a chamar-se diodo IMPATT.

Diodo IMPATT
A estrutura fsica semelhante do diodo PIN. A tenso aplicada causa ruptura momentnea, uma vez em cada ciclo. O processo gera uma corrente pulsante atravs do componente. utilizado basicamente em osciladores de microondas, podendo chegar a 300 GHz, com rendimento de at 15%. Possuem baixo rendimento, o que limita seu uso em transmisses pulsadas, na maioria dos casos, alm de ter seu desempenho dependente da temperatura.

Diodo IMPATT
Principais aplicaes: Receptores de radar de trnsito; Sistemas de alarme; Amplificadores com resistncia negativa; Multiplicadores de freqncia. Apesar da estrutura bsica mostrada, pode ser encapsulado de vrias formas, conforme a convenincia. mais ruidoso que o diodo Gunn porm possuem melhor estabilidade e potncia mais elevada. Sua principal desvantagem o elevado rudo de fase gerado pelo processo de avalanche.

Diodo IMPATT
Estrutura e perfil de dopagem

Camada intrnseca

Podem ser construdos base de silcio (at 10 W) ou arsenieto de glio (at 20 W).

Diodo IMPATT
Possui duas regies: a de avalanche (ou de injeo) e a de deslocamento. Pares eltrons- lacunas so criados no ponto de campo eltrico mais elevado (regio de avalanche) e so fortemente acelerados. Na avalanche, os portadores, ao colidirem com a rede cristalina, liberam outras portadoras. Os novos portadores liberados so tambm acelerados, liberando ainda mais portadores, A presena da resistncia negativa combinada com o efeito avalanche gera uma oscilao na faixa de microondas.

Diodo IMPATT
Durante a oscilao ocorre uma efeito de defasagem de 180 entre a tenso e a corrente induzida. Pares eltrons- lacunas so criados no ponto de campo eltrico mais elevado (regio de avalanche) e so fortemente acelerados. Na avalanche, os portadores, ao colidirem com a rede cristalina, liberam outras portadoras. Os novos portadores liberados so tambm acelerados, liberando ainda mais portadores, A presena da resistncia negativa combinada com o efeito avalanche gera uma oscilao na faixa de microondas. O diodo IMPATT opera com tenses de polarizao da ordem de 70 V CC, ou mais, o que restringe suas aplicaes.

Diodo IMPATT
Exemplo de especificaes

Specifications Frequency Band Frequency Range (GHz) Waveguide Size Bandwidth Range (GHz) Power Output Range (Watts) Long Pulse (pulse width 1 uS - 1 mS / duty 0-50%) Short Pulse (pulse width 50-150 nS / duty 0-0.5%) Q 43-47 WR-22 V 58-62 WR-15 W 92-97 WR-10

Up to 2 GHz depending on number of stages 0.2 - 1.0 --0.1 - 0.5 --0.1 - 0.2 1 - 15

Diodo IMPATT
Exemplo de especificaes

Specifications Frequency Band Frequency Range (GHz) Waveguide Size Bandwidth Range (GHz) Power Output Range (Watts) Gain Range (dB) Q 43-47 WR-22 V 58-62 WR-15 W 92-97 WR-10

Up to 2 GHz depending on number of stages 0.2 - 1.0 Single Stage Double Stage 7 - 13 10 - 20 0.1 - 0.4 6 - 13 10 - 20 0.1 - 0.2 6 - 13 10 - 20

Diodo Schottky

Diodo Schottky

Baseia-se em uma juno metalsemicondutor de baixssima capacitncia; Principais aplicaes: converso de freqncia; retificao; demodulao de amplitude. Pode ser modelado como um resistor no linear na forma:

I (V ) = I S eV 1
Vd

q = 1 ( 25 mV ) nkT T = 290 K 1,2 n 2 I s = corrente de saturao

(10

-15

a 10 -6 A

Diodo PIN
Sua principal utilidade em comutadores para microondas, em substituio aos mecnicos, lentos e volumosos. Tempo de comutao pode ser inferior a 10 ns; Valores tpicos: Capacitncia da juno (Cj): 1 pF Indutncia da camada I (Li): 0,5 nH Resistncia inversa (Rr): 5 Resistncia direta (Rf): 1 Efeitos parasitas devido ao encapsulamento no esto indicados nos circuitos equivalentes ao lado.

Diodo PIN

Diodo PIN

Diodo PIN

Diodo PIN - Exerccio

Um comutador foi construdo com um diodo PIN com os seguintes parmetros: Capacitncia da juno (Cj): 0,1 pF Indutncia da camada I (Li): 0,4 nH Resistncia inversa (Rr): 1 Resistncia direta (Rf): 5 Considerar uma freqncia de operao de 5 GHz e uma impedncia Z0 = 50 , qual das configuraes apresentar menor perda de insero, srie ou paralelo?

Diodo varactor
Varicap A polarizao inversa de um diodo faz surgir na juno uma regio com caractersticas de dieltrico (regio de depleo). A largura da regio de depleo depende, entre outras coisas, da tenso inversa, enquanto a tenso de ruptura no atingida. Como a largura da regio de depleo varia, tem-se uma capacitncia varivel. Diodos construdos para funcionar com capacitncia varivel so denominados diodos varactores ou varicaps.
Maior tenso de polarizao Regio de depleo mais larga Menor capacitncia

Menor tenso de polarizao Regio de depleo mais estreita Maior capacitncia

Principais aplicaes: transceptores mveis; redes locais de computadores via rdio; receptores de televiso, etc.

Diodo varactor
(variable reactor )

Menor tenso de polarizao Regio de depleo mais estreita Maior capacitncia

Basicamente, todo diodo apresenta as caractersticas do varactor. Entretanto, os diodos que so produzidos especificamente para funcionar como varactor tem estas caractersticas enfatizadas na produo. Nem todo varactor formado por diodo. Em alguns componentes, como o CMOS, os varactores podem ser construdos atravs da implantao de uma regio fortemente dopada positivamente (implante P+) dentro de uma regio levemente dopada positivamente.

Maior tenso de polarizao Regio de depleo mais larga Menor capacitncia

Diodo varactor
Rs

C0 (geralmente 0,2 pF) e V0 (geralmente 0,5 V) so constantes; um expoente que varia entre 1/3 e 5, de acordo com o perfil de dopagem do semicondutor. Valor tpico: 0,5; Rj uma resistncia em srie da juno e de contato com os terminais, da ordem de poucos ohms;

Rj

Cj(V)

C j (V ) =

C0 V 1 V 0

A capacitncia da juno varia de 0,1 pF a 0,2 pF para variaes de tenso de polarizao de 2,0 a 0 volts. A largura da regio de depleo , geralmente, proporcional raiz quadrada da tenso aplicada.