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Transistores de Efeito de Campo (npn)

coletor

dreno
FET

BJE

base

porta
emissor

fonte

dispositivo de 3 terminais
corrente e- de canal da fonte
para dreno controlada pelo
campo eltrico gerado pelo
porta

corrente e de emissor para coletor

controlada pela corrente injetada na
base

impedncia de entrada
extremamente alta para base
6.071 Transistores de Efeito de Campo

H muitos tipos de transistores alm do transistor de juno bipolar (BJT) que discutimos at agora. Uma
importante classe de transistores de 3 terminais so os dispositivos de efeito de campo. Para estes, o
parmetro de controle o campo eltrico atravs da juno, em oposio corrente do BJT. J que um
campo eltrico est associado a uma tenso, a vantagem importante dos dispositivos de efeito de campo
que no precisa haver uma corrente no elemento de controle (a porta). Isso resulta em uma impedncia de
entrada bastante elevada, e uma corrente de fuga bastante baixa.
Os mais fceis de entender so os transistores de efeito de campo de juno (JFETs), que iremos discutir
primeiro e com um certo detalhe. Os FETs semicondutores de xido de metal (MOSFETs) so muito
importantes para implementaes de lgica digital.

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Tipos de FETs
Alm do tipo portador (canal N ou P), existem diferenas em como o
elemento de controle construdo (Juno vs Isolado), e esses
dispositivos devem ser usados de formas diferentes
npn
FETs de juno de modo de depleo (JFET)
pnp
npn
FET de semicondutor de xido de metal (MOSFET)
pnp
- modo de depleo/ crescimento
- modo de crescimento
(FETs e IGFETs de porta isolado so a mesma coisa que MOSFETs)
6.071 Transistores de Efeito de Campo

Assim como ocorre com os BJTs, h sempre dois tipos de transistores, npn e pnp. A diferena est no
portador majoritrio (eltrons ou lacunas).
J que os FETs so controlados por variaes no campo eltrico atravs da juno, possvel construir
um capacitor no elemento de controle a, dessa forma, reduzir ainda mais a corrente de fuga. O xido de
metal de um MOSFET forma o capacitor na entrada do elemento de controle (a porta).

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Operao FET bsica N 1

O exemplo mais simples de um JFET comea com Si dopado por N.
fonte

dreno

fonte terminal no qual a corrente de portador injetada

(tipo n portadores e-)
Nesse nvel, o dispositivo simplesmente um resistor. Portanto, a
corrente flui atravs do canal em proporo tenso do dreno/fonte.
6.071 Transistores de Efeito de Campo

Comearemos descrevendo a operao e controle de um JFET. A ao bsica de um JFET pode ser

compreendida considerando-se um canal de conduo.
Comece com silcio dopado por n e adicione dois terminais em cada extremidade. O dispositivo agora
um resistor, cuja resistncia fornecida pelo nvel de dopagem.
Os trs terminais do JFET so denominados fonte, dreno e porta. A fonte anloga ao emissor do BJT. A
fonte a fonte dos portadores majoritrios. Portanto, em um material de tipo n, os portadores so eltrons,
e a fonte , assim, a fonte de eltrons.
O dreno anlogo ao coletor do BJT e, portanto, a corrente dos portadores majoritrios flui a partir da
fonte para o dreno. Mais uma vez, em materiais do tipo n, os portadores so eltrons e a corrente
convencional flui na direo oposta.

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Operao FET bsica N 2

Adicione uma estrutura de porta para formar um canal.
porta

fonte

dreno

porta

As duas regies da porta so, na verdade, conectadas para definir um

canal para a corrente do portador.
O controle da corrente do FET (resistncia) atingido mudando-se o
tamanho das zonas de depleo que circundam as portas.
6.071 Transistores de Efeito de Campo

As portas so duas regies de um material do tipo p que so dispostas para criar um canal para conduo
da fonte para o dreno. As duas regies de porta so, quase sempre, conectadas para que o usurio veja
apenas a conexo da porta.
Observe que o dispositivo acima um JFET npn, j que a fonte do tipo n, a porta do tipo p e o dreno
do tipo n. No olhe para baixo a partir da porta, canal e porta e chame-o de juno pnp.

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Operao FET bsica N 3

Ao redor de cada porta h uma zona de depleo, como em qualquer
juno PN.
porta
zona de depleo
dreno

fonte
zona de depleo
porta

A zona de depleo reduz o tamanho efetivo do canal dopado por N e,

dessa forma aumenta a resistncia aparente do canal. Modulando-se o
dreno para potencial de porta, o campo eltrico na zona de depleo entre
a porta e o dreno varia e, conseqentemente, o tamanho da zona de
depleo varia.
6.071 Transistores de Efeito de Campo

Assim como ocorre com todas as junes PN, h uma zona de depleo ao redor da porta. Essa zona de
depleo obviamente reduz a rea transversal do canal do tipo n que est disponvel para conduo
eltrica.
A ao do JFET regida varia ndo-se a porta para potencial de dreno e, dessa forma, modificando-se o
tamanho da zona de depleo.

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Operao FET bsica N 4

zona de depleo

Aqui, a tenso de dreno para fonte, VDS, igual tenso dreno para
porta. medida que VDS aumenta, as zonas de depleo se movem
juntas; e a resistncia de fonte aumenta.

6.071 Transistores de Efeito de Campo

Um exemplo simples conectar terra a tenso do porta para a fonte, de forma que a tenso do dreno
para a porta seja igual tenso do dreno para a fonte. medida que a tenso do dreno para a porta
aumenta, a zona de depleo aumenta e, dessa forma, a conduo do canal diminui.
Para pequenas tenses, a resistncia aumenta com a tenso, e isso descrito como a regio hmica.
Acima da tenso obstruda o canal saturado, e a resistncia se torna constante. A tenso obstruda pode
ser descrita como a tenso na qual as zonas de depleo das duas portas se encontram.

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Operao FET bsica N 5

Defina uma resistncia aparente atravs do FET, a resistncia de
canal RC.

6.071 Transistores de Efeito de Campo

Iremos caracterizar o dispositivo pela resistncia efetiva da juno. Agora, obviamente, a medida tpica
para caracterizar um transistor medir a corrente de dreno como uma funo da tenso dreno-fonte para
um conjunto de correntes (ou tenses) aplicadas porta.
Lembre-se de que exatamente assim que executamos os testes com o BJT.
Depois que medirmos a corrente de dreno como uma funo da tenso dreno-fonte, temos as informaes
para calcular uma resistncia CC efetiva para esse ponto de operao.

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Resistncia de Canal de FET

medida que VDS aumenta, a zona de depleo cresce, e a

resistncia efetiva diminui lentamente.

medida que VDS = VP (a tenso obstruda), as duas zonas de

depleo se encontram, nenhuma corrente adicional pode fluir, e a
resistncia aumenta rapidamente com VDS.

Em VBR, h uma avalanche dreno-para-porta, que iremos

descrever mais adiante.

6.071 Transistores de Efeito de Campo

esquerda encontra-se a corrente de dreno vs a tenso de dreno para fonte para um porta ligado terra.
A regio de tenso zero para a tenso obstruda a regio hmica, a regio plana a rea de saturao e,
em tenses mais altas, h uma regio de ruptura, onde a conduo do canal aumenta rapidamente. Muitos
dispositivos sero destrudos se operados nessa regio de ruptura, embora (assim como com os diodos
zeners) existam dispositivos que so projetados para funcionar nessa regio de avalanche.
O grfico direita mostra a resistncia correspondente. Na regio hmica, a resistncia aumenta apenas
lentamente e, em seguida, na regio de saturao, a resistncia aumenta mais rapidamente.
importante observar que a corrente de dreno do JFET independente da tenso dreno-fonte na regio de
saturao. Como iremos ver brevemente, nessa regio a corrente de dreno permanece muito sensvel ao
potencial dreno-porta.
Portanto, se quisermos obter controle via porta, normalmente iremos projetar o dispositivo para operar na
regio de saturao. Se, contudo, estivermos buscando controle baseado na tenso do dreno, ento o
dispositivo ser posicionado na regio hmica.

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Controle de Porta do FET

O tamanho da zona de deple o pode ser aumentado por

polarizao reversa da juno PN na porta, portanto a
polarizao da porta controla ID , e, j que a porta tem polarizao
reversa, essencialmente no h corrente da porta.

6.071 Transistores de Efeito de Campo

Aqui, mostramos a variao da curva IV como uma funo da tenso da porta. Lembre-se de que, na
obstruo, as zonas de depleo das duas portas se encontraram, e, portanto, medida que a tenso da
porta muda, esse de operao, se move. mais comum polarizar a porta de forma reversa (como
mostrado no circuito), aumentando assim o campo ao longo da funo PN e, de forma correspondente,
aumentando o tamanho da zona de depleo para uma tenso constante de dreno-fonte. Observe que,
medida que a porta sofre polarizao reversa, [FALTA TEXTO!]

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Especificao JFET

regio
hmica

regio de
saturao

ruptura

regio hmica JFET atua como um

resistor varivel.
regio de saturao JFET independente
da tenso de fonte-dreno, mas
fortemente dependente da tenso
da porta.
VOFF,GS = tenso de corte, tenso portafonte, onde JFET atua como um
circuito aberto.
BVDS = tenso dreno-fonte, que leva a uma
ruptura de corrente do canal JFET.
IDS = corrente de dreno para polarizao de
porta zero.

6.071 T ransistores de Efeito de Campo

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Desempenho do JFET
regio
hmica
regio de
saturao
Alguns valores tpicos:

6.071 Transistores de Efeito de Campo

11

O projeto de circuitos JFET normalmente realizado com equaes relativamente simples para a corrente
de dreno em termos de parmetros de dispositivos e condies operacionais. Estes, claro, dependem se o
ponto de operao est na regio hmica ou de saturao.
J que o desempenho do dispositivo no deve depender criticamente dos parmetros de circuito, alguns
atalhos simplificadores normalmente so adotados e, no final, o circuito avaliado com um pacote de
simulao. Ajuda muito ser capaz de romper um projeto em suas partes funcionais e, ento ver como cada
uma deve operar. Isso, claro, exige prtica, e ir conduzir voc atravs do processo.

Slide 12

Transcondutncia
taxa de mudana da corrente de dreno com uma
mudana da polarizao da porta
A transcondutncia til para o modo de um JFET como um resistor
controlado por tenso, e tem unidades de (1/resistncia), mhos.

transcondutncia de uma porta com

curto-circuito.
6.071 Transistores de Efeito de Campo

12

Uma caracterstica importante, mas que no fcil de entender, de um dispositivo de trs parmetros a
transcondutncia, gm. Lembre-se de que estamos modelando o FET como um resistor controlado por
tenso e, portanto, a corrente de dreno uma funo da tenso da porta para a fonte. Isso, claro,
observado nos grficos IV do FET para a regio de saturao. A transcondutncia a razo da corrente de
dreno com uma mudana na tenso a uma tenso dreno-fonte constante.
As unidades de transcondutncia so ohms inversos (mhos).
Geralmente, as folhas de dados reportam as duas transcondutncias para uma porta com curto-circuito.
Normalmente, na anlise de circuitos FET, as propriedades de circuito podem ser reduzidas para uma
funo da transcondutncia.

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Exemplo de JFET
Encontre ID
IDSS = 8mA, VGS,OFF = -4V
J que VDS parece ser maior que alguns volts e menos
que a tenso de ruptura, assumiremos que o JFET a
regio de saturao.

Observe que a tenso da porta zero e, portanto, a tenso porta-fonte

menos a tenso da fonte.

6.071 Transistores de Efeito de Campo

Aqui, exploramos um exemplo simples de uma fonte de corrente derivada JFET. A porta sofre curtocircuito para ser ligado terra (observe que no sofre curto-circuito para a fonte). O resistor de fonte
introduz uma tenso de fonte e, dessa forma, h uma tenso porta-fonte negativa.
Encontremos a corrente de dreno como uma funo de resistor de fonte.
A tenso de dreno grande o suficiente para que possamos assumir que o dispositivo est funcionando na
regio de saturao. Portanto, podemos anotar imediatamente a corrente de dreno como uma funo da
tenso porta-fonte.
A tenso porta-fonte simplesmente subtrada da tenso de fonte, e a tenso de fonte a queda de tenso
da corrente de dreno atravs do resistor de fonte.

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Exemplo de JFET (cont.)

Ento, substituindo na equao acima:

Essa equao tem solues de VGS = -2V e 8V.

Observe que VGS,OFF = -4V a nica gama vlida de VGS 0 -4V
Se VGS = -2V, ento ID = 2 mA
VS = 2V, RJFET = 16V/2mA = 8k
VDS = 16V
6.071 Transistores de Efeito de Campo

14

Configuramos as duas equaes de forma igual e terminamos com uma equao quadrtica para a
corrente de dreno.
J que o JFET desliga a 4V, a soluo de 8V no fsica, e escolhemos a soluo de 2V, fornecendo
uma corrente de dreno de 2mA.
A partir disso, podemos calcular tambm a resistncia dreno-fonte do dispositivo e a queda de tenso
atravs do FET.

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Circuito controlador da intensidade de luz(dimmer)

lmpada desligada
reostato

6.071 Transistores de Efeito de Campo

lmpada ligada

15

Um segundo exemplo de uma aplicao JFET um resistor controlado por tenso. Aqui, vemos a
variao da queda de tenso atravs do FET para controlar o brilho da lmpada (o brilho uma funo
no-linear da corrente atravs da lmpada). Quando a porta sofre curto-circuito para a fonte, a corrente de
dreno alta, e a lmpada se acende. medida que a porta negativamente polarizada, ento a corrente de
dreno reduzida, e a lmpada fica mais fraca. Isso continua at que ela esteja essencialmente desligada.
Voc deve combinar esse circuito com o circuito anterior para fazer um reostato de lmpada que funcione
via um resistor varivel, mas, em geral, conveniente ter um dispositivo que seja controlado por tenso.

Slide 16

Seguidor de Fonte
Anlogo ao amplificador de seguidor de emissor bipolar.
No fornece nenhum ganho de tenso, mas fornece uma
mudana de impedncia, fornecendo portanto um ganho
de corrente.
Onde RS<RCARGA, ento VS RSID

Observe que VSADA = VS, o ganho

6.071 Transistores de Efeito de Campo

16

O seguidor de fonte JFET , do ponto de vista funcional, semelhante ao emissor de seguidor de BJT. Ele
tambm no oferece ganho de tenso, mas fornece uma mudana de impedncia e, dessa forma, um ganho
de corrente (e potncia).
Ainda usamos boas prticas de projeto, ento, considerando o seguidor de fonte como uma fonte de
tenso, vemos que o resistor de fonte muito menor que o resistor de carga e, dessa forma, podemos
ignorar a carga em nossa anlise.
A queda de tenso atravs do resistor de fonte e, assim, a resistncia de fonte vezes a corrente de dreno.
Podemos relacionar a corrente de dreno para a tenso porta-fonte via transcondutncia. E vemos que a
tenso de fonte tambm a tenso de sada.
Observe que, normalmente, a transcondutncia corresponde a um resistor menor (de cerca de 200 ohms)
que o resistor de fonte e, assim, o ganho cerca de 1.

Slide 17

Amplificador Seguidor de Fonte

ganho

RB configura a polarizao do JFET

Os capacitores so usados para filtragem.

6.071 Transistores de Efeito de Campo

17

Uma configurao comum de amplificador seguidor de fonte. Se nos ativermos ao essencial, os

capacitores servem para remover CC, o resistor da porta serve para polarizao, e o resistor de carga pode
ser ignorado em funo da resistncia de fonte. Portanto, observamos o mesmo ganho.

Slide 18

Amplificador Fonte Comum

Ganho

6.071 Transistores de Efeito de Campo

18

Um amplificador com ganho a configurao de fonte comum; aqui, a tenso dividida ao longo de um
resistor de dreno, do FET e de um resistor de fonte. O resistor de fonte configura apenas o ponto de
operao CC, observe que ele desviado por um capacitor e, portanto, para altas freqncias, o resistor de
fonte no est no circuito.

Slide 19

Quando Usar JFETs

O JFET possui impedncias de entrada muito mais altas e correntes

de entrada muito mais baixas que o BJT.

Os BJTs so mais lineares que os JFETs.

O ganho de um BJT muito mais alto que o de um JFET.

6.071 Transistores de Efeito de Campo

19

Em geral, os JFETs so usados apenas nos casos em que um BJT no iria funcionar de forma
conveniente, como quando a corrente de fuga para a base de um BJT muito alta.
Para aplicaes de lgica digital, o uso de FETs tem sido importante, j que eles podem ser muito mais
rpidos e dissipar menos potncia. A maioria dessas aplicaes, contudo, usa MOSFETs, que possuem
impedncias de entrada ainda maiores que os JFETs.

Slide 20

JFET, Resistor Controlado por Tenso

6.071 Transistores de Efeito de Campo

20

Ocasionalmente, mais conveniente operar na regio hmica que na regio de saturao. A anlise no
muda de forma alguma, mas as equaes ficam um pouco mais complicadas. Aqui, calculamos o
comportamento de um JFET usado como um resistor controlado por tenso. Conforme o esperado,
terminamos com uma funo quadrtica novamente.

Slide 21

JFET, Resistor Controlado por Tenso (cont.)

Para

6.071 Transistores de Efeito de Campo

21

Grfico produzido com MathematicaTM

A curva foi desenhada com Mathematica para mostrar a variao na corrente de dreno com a tenso de
entrada. Isso pode ser um meio til de fornecer uma configurao precisa e controlvel.

Slide 22

A Resistncia Efetiva do JFET

6.071 Transistores de Efeito de Campo

22

Grfico produzido com MathematicaTM

Dada a variao de corrente, um processo simples o suficiente para ser relatado como uma resistncia,
novamente via Mathematica. Observe que, na regio hmica, podemos permitir que a tenso porta-fonte
seja positiva.
Normalmente aconselhvel, em qualquer aplicao, calcular tambm a potncia dissipada no FET, que,
claro, ser uma funo da tenso de controle. Aqui, obviamente, a potncia mxima dissipada quando
a resistncia do FET igual ao resistor de dreno.

Slide 23

Controle Eletrnico de ganho

ganho

Podemos atingir um controle eletrnico substituindo o resistor de

controle por um JFET:

6.071 Transistores de Efeito de Campo

23

Veremos, na prxima apresentao, que amplificadores operacionais fornecem amplificadores

diferenciais convenientes, e que seu ganho controlado pelos resistores de realimentao. Um JFET
oferece um resistor controlado por tenso bastante conveniente e, dessa forma, um ganho controlado por
tenso.

Slide 24

Dependncia de Freqncia de Yfs

desvio

lembre-se

6.071 Transist ores de Efeito de Campo

24

Aqui est um circuito de teste para medir a dependncia de freqncia da transcondutncia (aqui, yfs
normalmente relatado para altas freqncias). O resistor de porta com alto valor serve apenas para
estabilidade.

Slide 25

Smbolos do JFET

dreno

dreno

porta

porta
fonte

fonte

Normalmente, as reas de porta so dopadas em graus diferentes,

levando s especificaes de dreno/fonte.

Para alguns dispositivos, o dreno e a fonte so intercambiveis.

Ocasionalmente, as duas portas no so interconectados, levando a

um dispositivo de quatro terminais.

6.071 Transistores de Efeito de Campo

25

Assim como com os BJTs, existem tanto JFETs do tipo npn quanto pnp; os NPNs normalmente so
chamados de canal n, para evitar qualquer confuso com a configurao do porta.
O dreno e a fonte podem ser intercambiveis, ou no-dependentes de seus nveis relativos de aditivo.

17 26-28
Entre no site do fabricante para obter um manual dos produtos. Favor seguir estas etapas:
1.

V para o site de Fairchild Semiconductor: http://www.fairchildsemi.com/

2.

Veja as condies de uso do site, visitando o link Site Terms and Conditions da pgina
inicial, ou entrando neste link:
http://www.fairchildsemi.com/legal/index.html

3.

Volte pgina inicial.

4.

Na caixa de busca, digite o nmero do produto 2N5457, selecione Product Folders and
Datasheets e clique em go. Voc procura o manual para Adaptador Multi-Propsito de
Canal N (N-Channel General Purpose Adapter).

5.

Vrias opes sero apresentadas a voc (por exemplo, download PDF ou email). Selecione
o meio pelo qual voc gostaria de receber o manual.

Slide 29

MOSFET N1
Transistores de efeito de campo de semicondutores de xido de metal so
bem diferentes dos JFETs, e vm em um conjunto potencialmente
confuso de variedades.
A caracterstica definidora que a porta acoplada capacitivamente.
fonte

porta

dreno
metal

isolante

modo de aumento, MOSFET npn

ausncia de campo de porta

fonte

dreno

corrente de fuga bastante baixa

6.071 Transistores de Efeito de Campo

29

Atualmente, os MOSFETs so mais comuns que os JFETs, mas existe tambm uma gama confusa deles,
que no d para ser coberta em detalhes. A etapa bsica inteligente foi perceber que, se nos
importssemos apenas com o campo eltrico da porta para o dreno, ento no haveria necessidade de uma
conexo galvnica, e uma conexo capacitiva tambm funcionaria. Portanto, no MOSFET, h uma
camada de isolante (vidro) entre o conector de porta e o semicondutor dopado com p.
Observe que, na ausncia de uma tenso de porta, o semicondutor disposto de forma tal que haja uma
juno NPN entre o dreno e a fonte, e, portanto, isso se assemelha a dois diodos costas-a-costas (backto-back) e, conseqentemente, h uma corrente dreno para fonte bastante baixa. Compare isso com o
BJT (onde a regio de porta pequena), e o JFET (onde o dreno e a fonte formam um canal condutor).

Slide 30

MOSFET de Modo de Aumento

Uma tenso de
substrato de porta
positiva induz uma
carga negativa entre a
fonte e o dreno e cria
um canal do tipo n. A
corrente agora pode
fluir.

conector de substrato
6.071 Transistores de Efeito de Campo

30

Ao explorarmos a ao de um MOSFET, comeamos observando a juno capacitiva da porta e

perguntamos qual ser a distribuio de carga no semicondutor para vrios potenciais de porta. Observe
que agora estamos interessados em uma diferena potencial entre o eletrodo da porta e o substrato (neste
momento, no invocamos a fonte nem o dreno). Se a porta para o substrato recebe carga positiva, ento
iremos concentrar eltrons entre os canais de tipo n da fonte e do dreno e a corrente poder fluir. Esses
so, obviamente, portadores majoritrios nas regies de fonte e dreno portadores minoritria na regio de
porta (mas ns os concentramos).
Esse o mecanismo de conduo normal para o chamado MOSFET de modo de aumento.

Slide 31

Smbolos do MOSFET
dreno

dreno
substrato
fonte

porta

substrato
porta

canal N

fonte

canal P
Modo de Depleo
dreno

porta

substrato
fonte

dreno
porta

substrato
fonte

Modo de Crescimento
6.071 Transistores de Efeito de Campo

31

Alm dos MOSFETs de modo de crescimento, h tambm dispositivos de modo de depleo. Os vrios
smbolos so apresentados acima. Ao usar esses dispositivos, importante ficar atento conexo de
substrato, j que ela forma o segundo terminal do capacitor de porta.

Slide 32

MOSFET de Modo de Depleo

porta
fonte

dreno

isolante

As regies de fonte e dreno so mais fortemente dopadas que o canal,

mas a uma polarizao zero de porta, no h corrente.

6.071 Transistores de Efeito de Campo

32

Em dispositivos de modo de depleo, o segundo lado do capacitor de porta uma pequena regio de
material do tipo n. Agora, sem polarizao de porta, h um canal do tipo n do dreno para a porta, e flui
uma corrente. Essa regio de porta levemente dopada, e o campo eltrico no capacitor de porta usado
para manipular as concentraes de portador nessa regio e obter controle da corrente dreno-fonte.

Slide 33

MOSFET de Modo de Depleo N2

Uma tenso negativa entre

a porta e o substrato induz
um canal do tipo p na
regio de porta dopada com
n e desliga a corrente fontedreno.

6.071 Transistores de Efeito de Campo

33

Uma polarizao negativa atravs do capacitor de substrato de porta puxa lacunas do material do tipo p
para o canal de conduo e reduz a corrente dreno-fonte. Nessa operao, o dispositivo se assemelha a um
JFET, onde um potencial de porta negativo retarda a corrente de dreno.

Slide 34

CORRENTE DE DRENO (mA)

MOSFET de Modo de Depleo, Canal N

Dreno-Fonte Comum

TENSO DRENO-FONTE (V)

Tenso de corte, VGS,OFF tenso

porta/fonte, onde ID 0.
Tenso de ruptura, BVDS tenso
dreno/fonte para ruptura de corrente
do canal.
Corrente de dreno para polarizao zero,
IDSS
Transcondutncia, gm taxa de mudana de
corrente de dreno com a mudana de
tenso porta/fonte a uma tenso
porta/fonte em particular.

6.071 Transistores de Efeito de Campo

34

Grfico produzido com MathematicaTM

O grfico IV para um manual de MOSFET de modo de depleo; os outros parmetros so sempre
fornecidos no manual.

Slide 35

Frmulas: MOSFET de Modo de Depleo

Em hmica

Em ativa
Resistncia dreno-fonte

6.071 Transistores de Efeito de Campo

35

Assim como ocorre com os JFETs, h uma srie de frmulas relacionando a corrente de dreno ao
dispositivo e parmetros de circuito. Estes so usados exatamente com os dos JFETs.

Slide 36

CORRENTE DE DRENO (mA)

Frmulas: MOSFET de Modo de crescimento

Dreno-Fonte Comum

Tenso limite para incio da

conduo.
parmetro de construo.

TENSO DRENO-FONTE (V)

6.071 Transistores de Efeito de Campo

36

Grfico produzido com MathematicaTM

As frmulas para o modo de crescimento so bastante semelhantes, mas incluem o chamado parmetro de
construo que descreve a capacidade do canal. Isso normalmente listado de forma explcita no manual,
ento no necessrio fazer o clculo.

Slide 37

Caractersticas de Transferncia de Trs Tipos de FET

6.071 Transistores de Efeito de Campo

37

Grfico produzido com MathematicaTM

Aqui, mostramos as caractersticas de transferncia de trs tipos de MOSFET, (1) depleo, (2)
crescimento e (3) ambos. Os grficos IV direita mostram a corrente de dreno vs tenso de fonte de
dreno para vrios potenciais de porta. Isso o que normalmente encontrado nas folhas de dados. As
curvas esquerda mostram como a corrente de dreno varia como uma funo do potencial de porta na
regio ativa. Isso normalmente no mostrado, mas uma boa forma de visualizar as diferenas entre os
trs tipos de dispositivo. Tambm ajuda a ver se os pontos de operao devem ser configurados.

Slide 38

Exemplo: Amplificados MOSFET

de Modo de Depleo, Canal N
Caractersticas do MOSFET:
IDSS = 10mA
VGS,OFF = -4V
VDD = 4V
RD = 200

O problema encontrar o ganho.

A ao do MOSFET ser um divisor de tenso e compartilhar VDD sobre
RD e RDS. Vent ir controlar o valor de RDS. O resistor 1M includo
apenas para estabilidade e para corrigir corrente de fuga nas portas;
portanto, vamos ignor-lo.
6.071 Transistores de Efeito de Campo

38

Como exemplo, vemos o ponto de operao de um amplificador MOSFET de modo de depleo. O FET e
o resistor de dreno compartilham a tenso e, medida que a porta sofre polarizao reversa, o FET
temporariamente desativado e a tenso cresce atravs do FET (a tenso de sada aumenta).

Slide 39

Exemplo (continuao)
Calcule o ganho nos arredores de Vent =0, ento
ID = IDSS = 10mA
e Vsada = VDD ID RD = 4V -(10mA)(200) = 2V
Para ver como isso muda com Vent, calculemos a
Transcondutncia a Vent =0.

Lembre-se de que a transcondutncia gm=1/RDS.

e Vsada
6.071 Transistores de Efeito de Campo

39

J que estamos procurando uma mudana de corrente (resistncia) com a tenso de controle, precisamos
pensar sobre a transcondutncia, mas primeiro precisamos decidir sobre qual ponto calcular o ganho.
Vejamos os arredores da tenso de entrada zero. Agora, a corrente de dreno pode ser retirada do manuale
descobre-se que a tenso de sada de 2V (convenientemente no meio). Tambm podemos calcular
diretamente a transcondutncia, que de 200 mhos. J que isso nos fornece a resistncia de fonte de
dreno, calculamos o ganho.

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Exemplo (continuao)
A partir de nossas frmulas,

Isso fornece a mudana em RDS com uma mudana em Vent.

Agora, vamos supor que RDS varie lentamente, de forma que
RDS<<RDS RD . Nesse caso,

e a mudana em Vsada com RDS

A partir de gm = 1/RDS, encontramos RDS = 200(1+V ent/4)-1
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Nesse caso, vamos assumir um pequeno sinal e buscar uma soluo linear ao redor de tenso de entrada
zero. Vamos fazer algumas suposies e descartar alguns termos para evitarmos um problema quadrtico.
Qualquer uma das formas funciona e, cla ro, ir fornecer essencialmente a mesma resposta. Lembre-se
de que todos os parmetros de circuito variam.
Ns reescrevemos a tenso de sada para pequenas mudanas na resistncia de fonte de dreno, e
descobrimos que a tenso de sada varia lentamente com isso.

Slide 41

Exemplo (continuao)

Mais uma vez, olhamos ao redor de Vent0, portanto Vent<<4 e

RDS 50W.Vent, Juntando isso, ento,

Portanto o ganho de 1/2.

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Expanda a resistncia dreno-fonte em termos de tenso de sada e ento use o fato de que a tenso de
entrada pequena para simplificar isso. O resultado que o dispositivo um atenuador (tem ganho de
uma metade), e no um amplificador. Voc deve reconhecer que, se aumentarmos a tenso (ou
reduzirmos o resistor de dreno), podemos aumentar o ganho.

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MOSFET

fonte

dreno
fonte
porta
MOSFET de canal n

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Uma das utilizaes mais importantes de MOSFETs construir circuitos lgicos que dissipem a menor
potncia. Se construirmos a configurao de MOSFET acima, veremos que, em uma configurao, h
uma corrente na carga, mas no na outra.
Observe que o substrato ligado por terra fonte.

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MOSFET

fonte

porta

dreno
fonte

MOSFET de canal p
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Em um dispositivo de canal p, a corrente est associada ao estado ligado.

Aqui, observamos que o substrato ainda est ligado por terra fonte (que agora est com uma tenso
positiva).

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Inversor MOSFET
canal p

MOS complementar
Inversor CMOS

canal n

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Na lgica MOSFET complementar (CMOS), a mesma porta construdo a partir de uma combinao de
dispositivos de canal p e n de forma tal que no haja fluxo de corrente em nenhum estado lgico. claro
que a ausncia de corrente significa que no h dissipao de potncia.