SISTEMAS DE COMUNICAO I

SISTEMA BSICO DE COMUNICAO PTICO

Um sistema de transmisso por fibras pticas constitudo por: um

transmissor ptico, um receptor ptico e um cabo de fibra ptico.

1. Transmissor ptico:

utilizado diodo Laser (LD) ou Diodo Emissor de Luz (LED), chamados

de osciladores pticos. Estes dispositivos so pequenos, leves, consomem
potncia, so relativamente fceis de modular. A presena de um bit lgico 1
leva a corrente para alm do limiar e faz o diodo emitir luz. Exemplos: Ndi Yag
Laser com o comprimento de onda de 0,1nm, Diodo Laser = 1 5nm, Led =
20 100nm, Henc Laser: 0,002nm.

2. Receptor ptico:

O receptor ptico compe-se de um dispositivo fotodetector e de um

estgio eletrnico de amplificao e filtragem. O dispositivo fotodetector
responsvel pela deteco e converso de sinal luminoso em sinal eletrnico. Os
fotodetectores podem ser: fotodiodos PIN e os fotodiodos avalanches (APD). O
estgio eletrnico associado ao fotodetector tem a funo bsica de filtrar a
amplificar o sinal eltrico convertido. A qualidade de receptor ptico medida pela
sua sensitividade, a qual especifica a potncia mnima para um determinado
desempenho em termos da relao sinal-rudo (S/N) ou de taxa de erros de
transmisso.

SISTEMAS DE COMUNICAO I

3. Canal de Informao:

O canal de informao refere-se ao caminho entre o transmissor e o

receptor: a fibra de vidro (ou de plstico) tambm chamado de meio de
transmisso.

Vantagens da Fibra

Para enlaces longos, cabos pticos so mais baratos de transportar a

informao e mais fceis de se instalar do que os cabos metlicos. Por exemplo:
um dos cabos disponveis comercialmente tm uma fibra com 125m e uma capa
plstica com dimetro externo de 2,5 mm, peso de 6kg/Km e perda 5 dB/km. Um
cabo coaxial RG19/U que tem uma atenuao de 22,6 dB/km quando transporta
um sinal de 100 MHz, seu dimetro externo 28,4 mm e seu peso de
1110kg/km.
Outras vantagens so: Imunidade interferncia eletromagntica,
abundncia da matria prima, isolamento eltrico total, grande largura de banda e
baixa atenuao, ausncia de diafonia.

Fibra ptica

A propagao da luz transmitida em uma fibra se d usando o processo

de reflexes sucessivas ao longo da fibra. A velocidade de propagao da luz
varia com o ndice de refrao do meio (n) em que se propaga, caracterizando um
meio dieltrico do ponto de vista ptico e determinando o comportamento da luz
ao passar de um meio para outro. O ndice de refrao dado pela relao:

n=

c
v

onde c a velocidade da luz e v a velocidade

da luz na fibra

SISTEMAS DE COMUNICAO I

A relao entre os ndices de refrao das regies de incidncia e

transmisso, respectivamente ni e nt dado por:
n i sen t
=
n t sen i

onde t o angulo de transmisso e

i o angulo de incidncia

Para que a luz seja confinada no guia e haja o processo de reflexes

sucessivas, necessrio que o ndice de refrao do ncleo seja superior ao da
casca, modificado em funo de sua composio. A variao do perfil do ndice na
fibra um dos fatores que caracteriza os tipos de fibra existentes: tais como fibra
de ndice degrau, fibra de ndice gradual e fibra monomodo.
=

n1 n 2
n1

n 2 < n1

O parmetro que chamado de diferena do ndice de refrao entre

o ncleo e a casca, ou seja, diferena da abertura de numrica de uma fibra
ptica.

Figura 1 -

Fibras Monomodo, Mutlitmodo ndice Degrau, Multimodo ndice Gradual

Janelas de transmisso

A tecnologia pioneira de fibras pticas caracteriza-se pela existncia de

regies espectrais, em torno dos picos de absoro de OH-, com atenuao
mnima. Essas regies de atenuao mnima, centradas nos comprimentos de
onda 850nm, 1300nm e 1550nm deram origem s chamadas janelas de

SISTEMAS DE COMUNICAO I

transmisso. A operao na regio de 850nm, onde as fibras oferecem

atenuaes tpicas de ordem de 3 a 5 dB/km para aplicaes em sistemas a curta
distncia, justifica-se principalmente pela simplicidade e custos da tecnologia
disponvel de fontes e detectores luminosos. A janela de 1300 nm est associada
a caractersticas de disperso (material) nula, oferecendo possibilidades de
enormes capacidades de transmisso, tambm bastante atrativa para operao
de sistemas de alta capacidade de transmisso. Em 1550 nm, corresponde
efetivamente a uma regio de atenuao espectral mnima para fibras de slica e
em 1570 nm perdas de 0,16 dB/Km.
As janelas pticas podem ser classificadas:
1 Janela ptica: = 800 a 900nm (vermelho arseneto de glio)
(20dB/km)
2 Janela ptica: =1.300 nm (0,3 a 0,5 dB/km)
3 Janela ptica: = 1550nm (0,18 a 0,25 dB/km)
Caractersticas de transmisso

O processo de programao em uma fibra est sujeito a vrias causas

que podem prejudicar a deteco do sinal no receptor. Entre os mais importantes,
pode-se citar:
Atenuao causada pela absoro do material, espalhamento (em funo
de uma freqncia), emendas e conectores (falhas e defeitos de fbrica).
Sendo associada s perdas de transmisso
Disperso modal: o atraso diferencial entre os vrios modos de
programao de fibra.

SISTEMAS DE COMUNICAO I

Disperso material: alargamento do pulso devido ao fato de que o ndice de

refrao depende do comprimento de onda (esta disperso proporcional a
largura espectral da fonte)

A disperso caracteriza a capacidade de transmisso de uma fibra

ptica, expressa pela faixa de transmisso (em bits por segundo) ou pela banda
passante (em Hertz).

1. Atenuao

Atenuao de uma fibra ptica definida em termos da relao de

potncia luminosa na entrada da fibra de comprimento L e a potncia luminosa na
sua sada. Essa relao dada por:

L =

10 log(

Pt

Po

)
(dB/Km)

Os requisitos para escolha do material incluem baixas perdas e a

possibilidade de seu formado ser parecido com longas fibras da espessura de um
fio de cabelo. O material deve ser capaz de pequenas variaes no ndice de
refrao de tal forma que obtenha dois ndices, um para o ncleo e outro para a
casca (onde so feitas s dopagens com titnio, germnio, boro, fsforo, etc).
Fibras de vidro geralmente tem menor absoro do que fibras de plstico e por
isso so preferidas para comunicaes as longas distncias.
Os mecanismos bsicos responsveis pela atenuao em fibras pticas
so:
1.1 absoro
1.2 espalhamento
1.3 curvaturas

SISTEMAS DE COMUNICAO I

1.1 Perdas por absoro

As perdas por absoro so causadas pelo tipo de material utilizado na

construo da fibra e so classificadas como:

a) absoro intrnseca:

Depende do material usado na composio da fibra e constitui-se no

principal fator fsico definindo a transparncia de um material em uma regio
espectral especializada. A absoro intrnseca estabelece o limite mnimo
fundamental na absoro para qualquer tipo de material usado. Os principais
mecanismos de absoro so:
! Banda de absoro eletrnica - que resulta de transies estimuladas de
eltrons na regio ultravioleta (pico em = 0,14 m para slica fundida)
! Banda vibraes atmicas que ocorre na regio do infravermelho.
Essas caractersticas implicam a existncia de uma janela de absoro
intrnseca baixo da faixa de 0,7 a 1,6 m para o caso de slica dopada com
germnio. Ela impossibilita o uso de fibras de slica alm do comprimento de onda
de 1,6 m.
b) absoro extrnseca:

Resulta da contaminao de impurezas que o material de fibras

experimenta durante seu processo de fabricao. A absoro dos ons metlicos
(cobre, ferro, cromo) que apresentam transies eletrnicas na regio de 0,5 a 1,0
m, constitui-se no principal fator de perdas de fibra, podendo chegar a perdas
superiores 1dB/km para uma concentrao de cobre ou de cromo equivalente a
uma parte por bilhas.
Outra causa de absoro extrnseca a presena de ons OH-(gua
dissolvida no vidro) cuja vibrao fundamental na slica ocorre em 2.730 nm com

SISTEMAS DE COMUNICAO I

sobretons harmnicos em 720, 950 e 1390nm. Essas concentraes implicam em

perdas de 1dB/km e 950nm e 40dB/km em 1390nm. Aps a evoluo da
tecnologia das tcnicas de fabricao esses nveis OH- foram sendo reduzidos,
por exemplo, de 0,20dB/km em 1550nm.

c) Absoro por defeitos estruturais:

Resulta do fato da composio do material da fibra estar sujeita a

imperfeies, tais como a falta de molculas ou a existncia de defeitos do
oxignio na estrutura do vidro.

1.2 Perdas por espalhamento

Os mecanismos de espalhamento contribuindo para as perdas de

transmisso em fibras pticas incluem os seguintes tipos:

Espalhamento de Rayleigh

so mecanismos lineares de espalhamento

causados pela transferncia de potncia para

Espalhamento de Mie

Espalhamento de Brillouin estimulado

modos vazados ou irradiados.

so mecanismos no lineares que

implicam a transferncia de potncia

Espalhamento de Raman estimulado

de um modo guiado p/ si mesmo.

Modos de propagao

Esta

associado

teoria

de

propagao

eletromagntica,

so

determinados pelas equaes de Maxwell, sob as condies de contornos

impostas pelo tipo de guia de onda e representam um conjunto de ondas
eletromagnticas que so guiadas de maneira estvel pelo guia. Os modos de
propagao podem ser:

SISTEMAS DE COMUNICAO I

Modos vazados: modos associados a raios inclinados e oblquos. uma

propagao prxima a casca, esse modo atenuado medida que a luz se
propaga. O modo vazado pode carregar uma energia grande da fonte
(quantidade significativa de potncia luminosa), isto ocorre em fibras cujo
comprimento de onda pequeno.

Modos irradiados: so aqueles guiados pelo ncleo e irradiam potncia para

fora. So raios fora do cone de aceitao e so refratados para a casca. Como
temos a casca com espessuras finitas e dimenses adequadas ento temos
modos irradiados pela casca e conseqncia reduo da banda passante.

Espalhamento Rayleigh

causado por variaes de natureza aleatria na densidade do

material da fibra que ocorrem em distncias muito pequenas quando compararas
com comprimento de onda de luz transmitida. Essas variaes resultam de
flutuaes na composio do material da fibra assim como de defeitos e no
homogeneidades estruturais causados durante o processo de fabricao.
O coeficiente de perdas por espalhamento :

Rayleigh

8 3 8 2
= 4 n p K TF T
3

= comprimento de onda da luz transmitida

n = ndice de refrao
p = coeficiente fotoelstico mdio (0,286 para a slica)
k = constante de Boltzmann
T = compressibilidade isotrmica na temperatura fictiva
TF = temperatura em que o vidro entra em equilbrio termodinmico

SISTEMAS DE COMUNICAO I

Espalhamento de Mie

causado pela existncia na fibra de no-homogeneidade de

dimenses comparveis a do comprimento de onda da luz transmitida. Esse tipo
de espalhamento resulta de imperfeies na estrutura cilndrica da fibra;
irregularidade na interface ncleo-casca, flutuaes do ndice de refrao ao longo
da fibra, flutuaes do dimetro. Essas imperfeies podem implicar a
transferncia de energia de um modo guiado para irradiados.

Espalhamento de Brillouin estimulado

um efeito no linear que pode ser visto como sendo uma modulao
(em freqncia) da luz transmitida, pelas vibraes moleculares trmicas. Este
efeito resulta na transferncia de potncia de um modo para si mesmo,
principalmente na direo contrria de propagao e em outra freqncia. O limiar
de potncia luminosa que estimula o espalhamento de Brillouin :
PBRILLOUIN = 4,4 10 3 d 2 2 L f (Watts)

d = dimetro do ncleo da fibra (m)

= comprimento de onda de operao (m)
L = atenuao da fibra (dB/Km)
f = largura da faixa da fonte luminosa (GHz)

Espalhamento de Raman estimulado

Ocorre tambm a partir de um certo limiar de potncia luminosa, mas

com transferncia de potncia na direo de propagao, sendo o limiar de at
trs ordens de magnitude superior, dado por:
PRAMAN = 5,9 10 2 d 2 L

SISTEMAS DE COMUNICAO I

Os efeitos do espalhamento de Raman, como o de Brillouin, no so

usualmente observados em fibras multimodo em razo das dimenses do ncleo
serem relativamente grandes.

1.3 Perdas por curvaturas

As fibras pticas esto sujeitas a perdas de transmisso quando

submetidas a curvaturas que podem ser classificadas em dois tipos:
! Macrocurvaturas - curvaturas cujos raios de curvatura so grandes
comparados com o dimetro da fibra (ex.: quando um cabo ptico dobra um
canto ou uma esquina)
! Microcurvaturas curvaturas microscpicas aleatrias do eixo da fibra cujos
raios de curvatura so prximos ao raio do ncleo da fibra (ex.: quando as
fibras so incorporadas em cabos pticos).

Existe um raio de curvatura crtico a partir do qual as perdas por

curvaturas passam a ser muito importantes:
Rcrtico

3n12 x
4 (n12 n 22 )

Sendo que no caso de fibras monomodo costuma ser aproximada:

(comprimentos de onda em torno de 1m)
Rcrtico

20
(n12 n 22 )

.(2,748 0,996
2

3
)
c

As curvaturas tm o efeito de diminuir o nmero de modos propagados,

melhorando a capacidade de transmisso em fibras multimodo.
Na fibra monomodo considerando-se a curvatura em comprimentos
superior a 1 metro, recomenda-se trabalhar com raios de curvatura mnima
equivalentes ao dobro do raio crtico. As perdas por curvaturas em fibras
monomodo, cujos raios de curvatura no forem superiores a 5 cm no so
significativos.

10

SISTEMAS DE COMUNICAO I

Disperso
Resulta dos diferentes atrasos de propagao dos modos que
transportam a energia luminosa, tem pr efeito a distoro dos sinais transmitidos,
impondo uma limitao na sua capacidade de transmisso.
Na transmisso digital, o espalhamento dos pulsos ptico resultante da
disperso, determina a taxa mxima de transmisso de informao (bps) atravs
da fibra. Na transmisso analgica, a distoro do sinal ptico transmitido produz
se uma limitao da banda passante (Hz) da filtra ptica.
Existem trs mecanismos bsicos da disperso em fibra ptica com
implicaes distintas segundo o tipo de fibra:

Disperso modal ou intermodal caracteriza se por afetar a transmisso em

fibras multimodo e resulta do fato de cada modo de propagao, para um
mesmo comprimento de onda, ter uma diferente velocidade (de grupo) de
propagao.

Disperso material

Disperso do guia de onda

(Disperso cromtica ou intermodal)

Essa disperso resultante da dependncia da velocidade (de grupo)

de propagao de um modo individual com relao ao comprimento de onda. Esse
efeitos aumentam com a largura espectral da fonte luminosa.
Fontes Luminosas e Fotodetectores

As fontes luminosas e os fotodetectores usados em comunicaes

pticas so realizados com materiais semicondutores e usam propriedades
eltricas e pticas peculiares a esses materiais. Essas propriedades so
determinadas pela estrutura das bandas de energia permitidas para os eltrons,
quando os tomos desses materiais so dispostos numa rede cristalina.

11

SISTEMAS DE COMUNICAO I

Bandas de Energia

Num semicondutor intrnseco (sem a presena de impurezas dopantes)

temperatura de zero grau absoluto, os tomos estaro ligados entre si por
ligaes covalentes, de maneira que cada tomo consiga completar sua ltima
camada eletrnica com os eltrons dos seus vizinhos. Nesta situao, todos os
nveis de energia da chamada banda de valncia estaro ocupados com eltrons,
no h possibilidade de conduo eltrica.
Em temperaturas diferentes de zero, o efeito da agitao trmica da
rede cristalina consiste em fazer com que alguns eltrons se libertem dessas
ligaes covalentes, ocupando estados de energia superiores, e deixando vagos
alguns estados na banda de valncia. Surge a condutividade, que cresce com a
temperatura.
Banda de Conduo

Eg

Banda Proibida

Banda de Valncia

Vrios mecanismos podem ser responsveis pelo bombeamento de

eltrons da banda de valncia para a banda de conduo. Os principais
mecanismos so:
#

Agitao trmica sempre presente em temperaturas no-nulas.

Absoro de ftons suficientemente energticos para vencer a banda

proibida (band gap) fotodetectores.

Injeo de eltrons presente em fontes luminosas.

12

SISTEMAS DE COMUNICAO I

Mecanismos de fotogerao

Os eltrons da banda de conduo acabam retornando para a banda de

valncia, esse processo chamado de recombinao, pois nele o eltron se
recombina com uma lacuna, liberando energia. Essa energia liberada na forma
de um fton, dando-se o nome dessa recombinao de fotogerao.
Recombinao (espontnea): eltron + lacuna

Banda de Conduo

Eg

Banda de Valncia

fton

eltron

hf =

hc
Eg

lacuna

Alm de conservar a energia, a recombinao deve tambm conservar

o momentum. Como o momentum do foton muito pequeno quando comparado
com os eltrons e lacunas; isso significa que o eltron e a lacuna devem ter
momentos semelhantes para se recombinarem radiavamente, ou seja, a emisso
de um fton. Se isso no acontecer, a recombinao exigir a presena de uma
terceira partcula capaz de ceder momentum, os fonons, que pode ser produzida
por vibraes da rede cristalina. Com a necessidade de fonons torna a
recombinao menos provvel, resulta que o processo mais eficiente (para gerar
luz) naqueles materiais onde eles no so necessrios. Esses materiais so
conhecidos como materiais de recombinao direta, ou banda proibida direta.
A necessidade de recombinao direta em fontes semicondutores
impede o uso de materiais simples, como o silcio e o germnio. So usados
materiais compostos como, o arseneto-fosfeto (GaAs) de o arseneto de glioalumnio (Gax Al1-x As) e arseneto-fosfeto de glio-ndio (InxGa1-x AsP), nos quais a
recombinao direta.
Alm da recombinao espontaneamente, essa tambm pode ser
estimulada pela presena de um fton:

13

SISTEMAS DE COMUNICAO I

Recombinao (estimulada): 1 eltron + 1 lacuna + 1 fton

2 ftons

Na recombinao estimulada: o novo fton gerado tende a ser emitido

com a mesma fase do fton que a estimulou. Por isso, o predomnio da
recombinao estimulada sobre a espontnea que ocorre nos diodos lasers, est
associado a produo de uma luz mais coerente. A recombinao estimulada
um mecanismo de ganho ptico, podendo ser utilizado em amplificadores pticos
e osciladores (lasers).

Fontes Semicondutoras

Existem dois tipos bsicos de fontes pticas semicondutoras: os diodos

eletroluminescentes (Light Emittind Diodes, ou LEDs) e os diodos lasers (DLs).
A palavra laser uma sigla derivada de Light Amplification by Stimuladed
Emission of Radiation (amplificao de luz por emisso estimulada de radiao)
A diferena bsica entre esses dois tipos de fotoemissores est em
que, no LED predomina o mecanismo de fotogerao por recombinao
espontneas, enquanto no diodo laser predomina a emisso estimulada de luz,
quando opera acima do limiar de oscilao.
Para que a emisso predomine necessrio que a distribuio de
eltrons pelos nveis de energia se afaste significativamente da distribuio de
equilbrio trmico. Isso exige algum tipo de bombeamento de eltrons para os
estados excitados, que nas fontes pticas semicondutoras representado pela
injeo de eltrons na banda de conduo da regio do tipo p, ou pela injeo de
lacunas na regio do tipo n. Acima de um curto nvel de injeo de corrente, o
desequilbrio da distribuio suficiente para gerar o predomnio da emisso
estimulada, e o diodo laser passa a atuar como tal. Abaixo desse nvel de injeo
de corrente que o diodo laser atua como led.

14

SISTEMAS DE COMUNICAO I

Diodos Eletroluminescente (Led)

So equipamentos simples, baratos e confiveis.

Desvantagens em relao aos Dls:

Espectro mais largo da luz gerada

Menos eficincia do acoplamento de luz na fibra

Limitaes acentuadas na velocidade de modulao

Em virtude desses motivos os LEDS so em geral utilizados em

sistemas de transmisso de menor capacidade, como:

Primeira janela (800-900nm) pode ser utilizada em sistemas de at 200mHz

aproximadamente.

Segunda janela de transmisso (1300nm) o limite da sua capacidade de

modulao que entre 100 a 200 Mbps.
Dependendo da geometria do dispositivo podem ser classificados como

a dos LEDs de emisso por superfcie Burrus e o dos LEDS de emisso lateral.

Diodo Laser

A estrutura semelhante a dos LEDS de emisso lateral. O dispositivo

dimensionado para que os campos pticos guiados entrem em oscilao uma
potncia ptica maior do que a unidade de corrente injetada. O mesmo de
oscilao que gera uma radiao mais coerente, com espectro mais estreito e
feixe mais diretivo. Os sistemas so: diodos Laser Fabry Perot, Laser
Monomodo. *Fabry- Perot- realimentao positiva, dois espelhos paralelos,
recombinao estimulada.

15

SISTEMAS DE COMUNICAO I

Fotodetectores

Nos sistemas baseados na deteco direta da potncia luminosa, os

fotodetectores so os componentes que recebem a luz transmitida pela fibra e
converte-a em corrente luminosa.

Para que o sistema tenha o maior alcance possvel, so requisitos do

sistema:
Alta resposta ou sensibilidade na emisso da gama do comprimento de
onda da fonte ptica utilizada;
Mnima adio de rudo no sistema
Velocidade de reposta dinmica ou suficiente largura de banda para
controlar a taxa de dados desejada.

O mecanismo bsico da converso de luz em corrente pelo material

semicondutor a fotoionizao, pela qual a energia do fton usada para tirar o
eltron da banda de valncia para a banda de conduo.
Camada de conduo

Eg (eV)

Fton

Camada de Valncia

Figura 2 - Fotogerao por recombinao direta

16

SISTEMAS DE COMUNICAO I

Atravs da fotoionizao, os ftons geram portadores de carga. Para

gerar corrente eltrica preciso que um campo eltrico movimente estes
portadores antes que eles se recombinem no interior do dispositivo. Por isso, a
estrutura semicondutora de um fotodetector deve concentrar a absoro de luz em
regies onde haja campo eltrico e poucos portadores com os quais os eltrons e
lacunas fotogerados possam se recombinar.

A estrutura bsica do fotodetecor juno pn reversamente polarizada.

A polarizao reversa aumenta a barreira de potencial associada juno pn,
atravs do alargamento da regio de depresso. A aplicao de tenso positiva no
lado n em relao ao lado p atrai os eltrons do lado n e lacunas do lado p
(portadores majoritrios) para longe da juno, alargando a regio depresso at
que a barreira de potencial seja igual a tenso aplicada.

Os fotoeltrons e fotolacunas gerados dentro da regio de depresso

alargada so rapidamente separados, acelerados em sentidos opostos pelo
campo eltrico da regio de depresso, e coletados contribuindo assim para a
fotocorrente.

Os portadores gerados nas proximidades de regio de depresso, at

um comprimento mdio de difuso limitada pr recombinao, contribuem para a
fotocorrente em sua maioria, mas com atraso em relao a sua gerao.

Para que o dispositivo apresente alto rendimento e boa resposta

dinmica, necessrio que a luz seja absorvida tanto quanto possvel apenas na
regio de depresso. Para isso, necessrio que a largura da regio de
depresso seja muitas vezes maior que -1, onde o coeficiente de absoro
do material.

17

SISTEMAS DE COMUNICAO I

FOTODIODO PIN

O alargamento da regio de depresso no exige necessariamente que

as tenses de polarizao reversa sejam muito altas. Se a estrutura do dispositivo
impuser o desequilbrio entre os nveis de dopagem nos lados p e n da juno, a
regio de depresso tende a um alargamento proporcionalmente maior para o
lado mais levemente dopado. Se colocarmos entre os dois lados material no
dopado, a regio de depresso ocupar toda a camada intrnseca, onde o campo
eltrico ser constante, qualquer que seja a tenso reversa aplicada. Essa
situao representa idealmente o funcionamento do fotodiodo PIN.

O fotodetector tem duas caractersticas importantes: a eficincia

quntica e velocidade de resposta. Essas caractersticas dependem da band-gap
do material, comprimento de onda, e da dopagem e densidade dos substratos p, i,
n.

Tabela: Energia de Gap

Material

Eg ( eV)

cut off (nm)

Si

1.17

1.06

Ge

0.775

1.6

Ga As

1.424

0.8

In P

1.35

0.92

InGaAs

0.75

1.65

In Ga As P

0.75 1.35

1.65 0.92

A eficincia quntica o nmero de pares de eltrons lacunas

gerados pela energia do fton incidente hv.

18

SISTEMAS DE COMUNICAO I

Ip

q
Po

hv

A performance do fotodiodo caracterizada pela responsividade Rpin,

definida como a relao entre a corrente gerada e a potncia ptica incidente.
R pin =

Ip
Po

q
hv

Rudo no Fotodetector

Num enlace de comunicaes pticas com deteco direta, a entrada

do fotodetector o ponto onde potncia do sinal atinge o nvel mnimo. Por isso, o
desempenho de um fotodetector depende muito da sua capacidade de no gerar
rudo novo nem amplificar os rudos misturados ao sinal.

No caso da transmisso digital, a deteco de um pulso ptico sofrer

os seguintes fatores de contaminao:

Corrente escura Dark current, gerada no interior do dispositivo mesmo na

ausncia de luz incidente, pela excitao de eltrons que sobem da camada de
valncia para a de conduo, com energia fornecida pela agitao trmica da
rede cristalina;

Rudo balstico Shot noise, associado tanto a corrente escura como a

fotocorrente, gerado pela granularidade da corrente eltrica, que no um fluxo
contnuo de carga e sim um movimento de unidades distintas de carga geradas
sob o regime estatstico de Poisson. Isso provoca flutuaes estatsticas no
valor instantneo da corrente.

rudo trmico, presente na carga resistiva que recebe a fotocorrente,

juntamente com seus contaminantes, para posterior amplificao.

CORRENTE ESCURA

19

SISTEMAS DE COMUNICAO I

Sendo causada pela energia trmica, a corrente tende a ser maior nos
materiais em que a banda proibida mais estreita, e fatores estruturais da rede
cristalina tambm podem ser determinantes. O silcio tem a banda proibida mais
larga e a menor corrente escura: cerca de 10-7 A/cm2. A rea transversal do
fotodetector deve ser a da fibra de (10)2 = 10-6 cm2 no caso da fibra monomodo.
Portanto possvel fazer fotodiodos de silcio com corrente escura da ordem de 1
pA, sendo que os sistemas da primeira janela de transmisso so apenas
degradados pela corrente escura.

Nos comprimentos de onda superiores, necessrio usar materiais

com banda proibida mais estreita. Por exemplo: o germnio apresenta corrente
escura de 10-3 A/cm2, resultando em correntes de 10nA sem luz sobre o
fotodetector; a corrente escura do InGaAs depende dos teores relativos de ndio e
do glio, mas gira em torno de 10-5 A/cm2.

RUDO BALSTICO

Quando a corrente constante no tempo, o rudo balstico

estacionrio, sendo ento possvel caracteriz-lo por sua densidade espectral de
potncia. Para uma corrente constante I supe-se que a carga seja transportada
em pulsos de rea e, que representam os eltrons.
i(t)

I
t1

t2

t3

t4

t5

20

SISTEMAS DE COMUNICAO I

Figura 3 - Corrente i(t) gerada pelo fotodiodo PIN

A forma desses pulsos depende da movimentao de portadores, mas essa

movimentao sempre muito rpida quando comparada com a inrcia dos
sistemas por onde a corrente passar. No h perda de generalidade ao se tomar
os pulsos de rea e, como retangulares com durao pequena e altura e/.
Fazendo suficientemente pequeno, a probabilidade de dois eltrons serem
gerados, num intervalo de durao , pode ser desprezada. Num intervalo de
durao , podem-se considerar apenas duas hipteses: gerao de nico
eltron, ou nenhuma gerao.
Como a densidade espectral constante, o rudo balstico pode ser
ento ser modelado como um rudo branco, para efeito da anlise da degradao
de desempenho por ele causado. A validade deste modelo est restrita a faixa
determinada pelo tempo de movimentao dos portadores no dispositivo.
O rudo balstico dos fotodiodos PIN costuma ser suplantado pelo rudo
trmico nos receptores a transistor bipolar; ou pelo rudo balstico dos FETs, nos
receptores a FET.

Modulao OOK (on Off Keying)

A modulao OOK pode usar vrios formatos. Os mais comuns so

NRZ (Non-return-to-zero), RZ e Short Pulse.

Demodulao

O receptor deve trabalhar numa BER aceitvel, hoje na taxa de 10-12,

isto , um bit errado a cada terabit de dados transmitidos, em mdia. Essa
preciso envolve dois passos: a) Sincronismo, clock e b) Determinando o bit que
foi transmitido.

21