ESTRUTURA E PROPRIEDADES DOS

MATERIAIS
ESTRUTURA CRISTALINA

Prof. Rubens Caram

POR QUE CRISTAL?

Antigos gregos: pedaos de quartzo encontrados em regies
frias era um tipo especial de gelo - Krystallos
Kristallos eram congelados de maneira to forte que no se
fundiam mais

R. Caram - 2

CRISTAL x ESTRUTURA INTERNA

Termo cristal: tambm aplicado a outros minerais com
caractersticas geomtricas definidas.
Diversas substncias formadas por cristais, com faces planas e
ngulos definidos entre uma face e outra.
1660, Nicolaus Steno: cristais preservam tais ngulos ao crescerem e
tal crescimento ocorre com a adio de camadas externas de tomos
ou molculas e no atravs de um crescimento interno.
Forma geomtrica externa: conseqncia do arranjo interno dos
tomos ou molculas.

Vanadinita

Rutilo

Magnetita
R. Caram - 3

ARRANJO CRISTALINO EXISTE?

Estrutura atmica pode ser observada atravs de microscopia
eletrnica de transmisso de alta resoluo
Experimento com folha delgada de ouro no LNLS
Feixe de eltrons
Buracos

Nanofio
Folha delgada de
ouro (3-5 nm)

R. Caram - 4

ARRANJO CRISTALINO EXISTE?

1,0 nm

[100]

[100]

R. Caram - 5

ARRANJO CRISTALINO EXISTE?

1,0 nm

[110]

[110]

R. Caram - 6

EMPACOTAMENTO EM SLIDOS
Dois tipos de ligao: Direcionais e No-direcionais
Direcionais: Covalentes e Dipolo-Dipolo
Arranjo deve satisfazer os ngulos das ligaes direcionais
Slidos Covalentes
No-direcionais: Metlica, Inica, van der Walls
Arranjo depende de aspectos geomtricos e da garantia de
neutralidade eltrica
Slidos Metlicos
Slido Inicos
Metlicos
Ex.: Pb, Ni

Inicos
Ex.: NaCl

Covalentes/Moleculares
Ex.: Diamante, Gelo

R. Caram - 7

SISTEMAS CRISTALINOS
Estruturas Cristalinas so formadas por unidades bsicas e
repetitivas denominadas de Clulas Unitrias
Clula Unitria - menor arranjo de tomos que pode representar um
slido cristalino
Existem 7 sistemas cristalinos bsicos que englobam todas as
substncias cristalinas conhecidas

SISTEMAS

EIXOS

NGULOS ENTRE OS EIXOS

CBICO

a=b=c

Todos os ngulos = 90

TETRAGONAL

a=b c

Todos os ngulos = 90

ORTORRMBICO

abc

Todos os ngulos = 90

MONOCLNICO

abc

TRICLNICO

abc

Todos ngulos diferentes e nenhum igual a 90

HEXAGONAL

a1=a 2=a3c

2 ngulos = 90 e 1 ngulo = 120

ROMBODRICO

a=b=c

Todos os ngulos iguais, mas diferentes de 90

2 ngulos = 90 0 e 1 ngulo 90 0
0

0
0
R. Caram - 8

CLULAS UNITRIAS DE BRAVAIS

Classificao das 14 Clulas Unitrias de Bravais, baseada nos
7 Sistemas Cristalinos

Cbico
(a=b=c e ===90o)

Triclnico
(abc e 90o)

Monoclnico
(abc e ==90o e 90o)

Tetragonal
(a=bc e ===90o)

Rombodrico
(a=b=c e == 90o)

Ortorrmbico
(abc e ===90o)

Hexagonal
(a1=a2=a3c e
==90o e =120o)

R. Caram - 9

PRINCIPAIS ESTRUTURAS CRISTALINAS

Maioria dos elementos metlicos (90%) cristaliza-se com
estruturas altamente densas:
Cbica de Corpo Centrado (CCC)
Cbica de Face Centrada (CFC)
Hexagonal Compacta (HC)
Dimenses das clulas cristalinas metlicas so pequenas:
Aresta de uma clula unitria de Fe temperatura
ambiente igual a 0,287 nm
Slidos Cristalinos de 1 nico elemento:
52% - estrutura cbica
28% - estrutura hexagonal
20% - outros 5 tipos estruturais
R. Caram - 10

CRISTAIS COMPACTOS
Cristais Cbicos
Cbico simples (CS)
Cbico de corpo centrado (CCC)
Cbico de face centrada (CFC)

Cristais Hexagonais
Hexagonal simples (HS)
Hexagonal compacto (HC)
R. Caram - 11

FATOR DE EMPACOTAMENTO
Fator de Empacotamento (F.E.): nvel de ocupao por tomos de
uma estrutura cristalina,

F.E. =

N VA
VC

N = Nmero de tomos que efetivamente ocupam a clula;

VA = Volume do tomo (4/3..r3);
r = Raio do tomo;
VC = Volume da clula unitria.

R. Caram - 12

ESTRUTURA CS - Po
No de tomos dentro da clula unitria
1/8 de tomo em cada vrtice: 8x1/8=1 tomo
Volume da clula
VC = a 3 = (2r )3 = 8r 3

Fator de Empacotamento
F .E . =

4
r3
3
= 0 , 52
3
8r

R. Caram - 13

ESTRUTURA CCC - Fe, Nb, Cr

No de tomos dentro da clula unitria
1/8 de tomo nos vrtices e 1 no centro: 8x1/8+1=2 tomos
Volume da clula
VC = a

4r 3
64 r 3
) =
= (
3
3 3

Fator de Empacotamento
8
r3
F .E . = 3
= 0 , 68
3
64 r
3 3

R. Caram - 14

ESTRUTURA CFC - Al, Cu, Au, Ag

No de tomos dentro da clula unitria
1/8 de tomo nos vrtices e 1/2 nas faces: 8x1/8+3=4 tomos
Volume da clula
VC = a 3 = (2

2 r ) 3 = 16

2r 3

Fator de Empacotamento
16
r3
F .E . = 3
= 0 , 74
3
16 2 r

R. Caram - 15

ESTRUTURA HS
No de tomos dentro da clula unitria
1/6 de tomo nos vrtices e 1/2 nas faces: 12x1/6+1=3 tomos
Volume da clula
V HS

6a2 3
= S He H =
a = 12
4

3 r3

Fator de Empacotamento
12
r3
F .E . = 3
= 0 , 60
12 3 r 3

R. Caram - 16

ESTRUTURA HC - Ti, Mg, Zn

No de tomos dentro da clula unitria
1/6 de tomo nos vrtices e 1/2 nas faces e 3 no interior:
12x1/6+1=3 tomos
Volume da clula
V HC

6a2 3 2
= S He H =
4

2a
= 24
3

2 r3

Fator de Empacotamento
24
r3
F .E . = 3
= 0 , 74
24 2 r 3

R. Caram - 17

SEQNCIA DE EMPILHAMENTO
Fator de Empacotamento das estruturas
cbicas e hexagonais:
CS - 052
CCC - 0,68
CFC - 0,74
HS - 0,60
HC - 0,74

HC
CFC
R. Caram - 18

ESTRUTURA HC

HC

R. Caram - 19

ESTRUTURA CFC

CFC
R. Caram - 20

ALOTROPIA OU POLIMORFISMO
Fenmeno onde uma substncia apresenta variaes de
arranjos cristalinos em diferentes condies
Dos elementos qumicos conhecidos, 40 % apresentam
variaes alotrpicas
METAL
Ca

ESTRUTURA NA TEMP.
AMBIENTE
CFC

EM OUTRAS
TEMPERATURAS
CCC (>4470C)

Co

HC

CFC (>4270C)

Hf

HC

CFC (>1.7420C)

Fe

CCC

Li

CCC

CFC (912-1.3940C)
CCC (>1.3940C)
HC (<-1930C)

Na

CCC

HC (<-2330C)

Sr

CFC

CCC (>5570C)

Tl

HC

CCC (>2340C)

Ti

HC

CCC (>8830C)

HC

CCC (>1.4810C)

Zr

HC

CCC (>8720C)
R. Caram - 21

POLIMORFISMO DO Fe
Ferro Puro

Lquido
1.500 -

1.539 C

Ferro

1.394 C

1.400 -

Temperatura oC

1.300 -

Ferro

1.200 1.100 1.000 o

912 C

900 Ferro

800 -

768 C

Ferro
Lquido

700 -

Tempo

R. Caram - 22

Fe-C

R. Caram - 23

MARTENSITA

CFC

Carbono

TCC
CFC

R. Caram - 24

POLIMORFISMO DO C
Carbono
DIAMANTE

GRAFITE

R. Caram - 25

EXERCCIO
TEMPERATURA AMBIENTE, O ESTRNCIO EXIBE
ESTRUTURA CFC. AO SER AQUECIDO ACIMA DE 557 OC,
ESSE ARRANJO ATMICO TRANSFORMA-SE EM CCC.
DETERMINE A VARIAO DE VOLUME QUE ENVOLVE
ESSA TRANSFORMAO ALOTRPICA. CONSIDERE QUE
O RAIO ATMICO PERMANECE CONSTANTE.
Antes da transformao:

VI = VCFC = a3 = (2 2 R ) = 16 2 R3 = 22,62R3
3

Aps a transformao:
3

128 3
4R
VF = 2VCCC = 2a3 = 2
=
R = 24,63 R3

3 3
3
R. Caram - 26

EXERCCIO
A VARIAO DE VOLUME DADA POR:
24,63 R3 22,62 R3
V =
= 0,089 ou 8,9%
3
22,62 R
OCORREU EXPANSO VOLUMTRICA EQUIVALENTE A:
8,9% DO VOLUME INICIAL.

T
R. Caram - 27

POLIMORFISMO DO Ti
Titnio

T
CCC ()

883 oC
HC ()

Baixa densidade, boa

resistncia mecnica, alta
resistncia fadiga e
corroso;
Modificao do
comportamento mecnico
obtido com a adio de
elementos de liga ao titnio;
Elementos de liga podem
mudar a estabilidade das
estruturas cristalinas.

R. Caram - 28

LIGAS DE Ti
Liga Ti-6Al-4V:
definida como tipo
+, boa
conformabilidade
mecnica, elevada
resistncia fadiga
e excelente
resistncia
corroso.

Liga Ti-6Al-4V: fase de estrutura

CCC estabilizada pela presena
do V
R. Caram - 29

APLICAO: PRTESE TOTAL DE QUADRIL

Conceitos da estrutura interna do materiais podem ser
aplicados na otimizao de propriedades mecnicas, em
aplicaes especficas

R. Caram - 30

ARTROPLASTIA DO QUADRIL

Remoo da
cabea do fmur

Preparao da
cavidade no fmur

Preparao de
cavidade no acetbulo

Insero da
haste metlica

Exame da forma
da cavidade

Insero da
cabea do haste
R. Caram - 31

REQUISITOS DE IMPLANTES
Alta resistncia mecnica,
elevada biocompatibilidade
e alta resistncia corroso,
implante ortopdico deve
simular o comportamento
elstico do tecido sseo
prximo
Mdulo de elasticidade a
propriedade de maior
interesse nesse caso:
E osso: 10 - 40 GPa
E ao inox: 200 GPa
E Ti puro: 100 GPa
E Ti-6Al-4V: 110 GPa
E ligas : 50 GPa
R. Caram - 32

MDULO DE ELASTICIDADE E ESTRUTURA

Estruturas menos compactas exibem menor mdulo de
elasticidade

FA

FA
FT

Distncia entre
tomos ou ons, a
ao=rction + rnion

FR

FR

ao
R. Caram - 33

EFEITO DO MDULO DE ELASTICIDADE

Liga de Ti
Tipo
E 52 GPa

Liga de Ti
Tipo +
E 110 GPa

Ao Inox
316L
E 200 GPa
R. Caram - 34

EFEITO DO MDULO DE ELASTICIDADE

Fratura ssea (fmur)

Ao Inox 316L
E 200 GPa

R. Caram - 35

DIREES E PLANOS EM CRISTAIS

FREQUENTEMENTE NECESSRIO IDENTIFICAR
DIREES E PLANOS ESPECFICOS EM CRISTAIS
POR EXEMPLO
PROPRIEDADES MECNICAS X DIREES E
PLANOS:
MDULO DE ELASTICIDADE
(direes mais compactas
x maior mdulo)
DEFORMAO PLSTICA
(deslizamento de planos
x planos compactos)
R. Caram - 36

DIREES E PLANOS EM CRISTAIS

R. Caram - 37

DIREES E PLANOS EM CRISTAIS

INDICAO DE DIREES E PLANOS ENVOLVE O
ESTABELECIMENTO DE POSIES NO CRISTAL, DAS
POR SUAS COORDENADAS
z

(0,0,1)

(0,0,1)

(1,0,0)

(0,1,1)
(1,0,1)

(0,-1,0)
(1,0,0)

(0,0,0)

(0,1,0)

(1,1,1)

(0,0,0)

(0,1,0)

(1,1,0)
(1,0,0)

(0,0,-1)

COORDENADAS SO EXPRESSAS EM TERMOS DOS PARMETROS DE REDE

DA CLULA CRISTALINA (NO SO USADAS UNIDADES cm OU )
R. Caram - 38

DIREES EM CRISTAIS CBICO

r r r
A PARTIR DOS VETORES a , b E c, PODE-SE
REPRESENTAR QUALQUER VETOR NO SISTEMA
CRISTALINO
UM VETOR DA ORIGEM AT
r (X,Y,Z)
r
r OrPONTO
REPRESENTADO POR: v = xa + yb + zc

r
a
x

r
c

r
c
r
b

r
a

r
b

r
v
y

x
R. Caram - 39

DETERMINAO DE UMA DIREO

Uma direo dada pelas componentes do vetor que
a escreve no sistema ortogonal x,y,z, partindo da
origem, at o ponto (x,y,z);
As coordenadas so reduzidas ao menor conjunto de
nmeros inteiros;
A unidade de medida de cada eixo funo do
parmetro de rede de cada eixo e assim, no
representa valores reais de distncia;
A notao empregada [u v w] (entre colchetes) e
representa uma linha que vai da origem at um ponto
de coordenadas (u,v,w);

R. Caram - 40

DETERMINAO DE UMA DIREO

Os ndices negativos so representados por uma
barra sobre os mesmos: [u vw ] ;
Quaisquer direes paralelas so equivalentes;
Um vetor que passa na origem, em (1,1,1), em (2,2,2),
e em (3,3,3) pode ser identificado pela direo [111];
Em cristais, uma famlia de direes est associada a
um conjunto de direes com caractersticas
equivalentes. A notao empregada para representar
uma famlia de direes <uvw>, que contm as
direes: [uvw ], [u vw ] , [uv w ] , [uvw ], [u vw ] ...

R. Caram - 41

DETERMINAO DE DIREES
DA ORIGEM AT O PONTO EM QUESTO

[0 1 1]

[001]

[111]

[010]
y

[100]

[100]

[110]
x

[110]

R. Caram - 42

DIREES

R. Caram - 43

EXERCCIOS
DETERMINE AS DIREES A SEGUIR:

Cbico

b=1,5a
c=0,5a

1/3

f
x

1/2

i
x

1/2

R. Caram - 44

PLANOS EM CRISTAIS CBICO

PLANOS SO IDENTIFICADOS PELOS NDICES DE
MILLER.
UM PLANO DEVE SATISFAZER A EQUAO:

x y z
+ + =1
a b c

EQUAO DO PLANO

ONDE a, b E c SO OS PONTOS DE INTERCEPTAO DO

PLANO COM OS EIXOS x, y E Z.
COMO a, b E c PODEM SER MENORES QUE 1 OU INFINITO
NO CASO DO PLANO SER PARALELO A UM EIXO, ADOTASE O INVERSO DOS VALORES DE a, b E c:

h=1/a; k=1/b; l=1/c

R. Caram - 45

PLANOS EM CRISTAIS CBICOS

NDICES DE MILLER h, k E l

hx + ky + lz = 1

EQUAO DO PLANO
z
c

I.M.:(hkl)
b
a

R. Caram - 46

DETERMINAO DE PLANOS
Plano a ser determinado no pode passar pela origem
origem (0,0,0);
Planos paralelos so eqivalentes;
Obteno dos pontos de interceptao do plano com
os eixos x, y e z;
Obteno dos inversos das interceptaes: h=1/a,
k=1/b e l=1/c;
Obteno do menor conjunto de nmeros inteiros;
ndices obtidos devem ser apresentados entre
parnteses: (hkl);

R. Caram - 47

DETERMINAO DE PLANOS
Plano a ser determinado no pode passar pela origem
origem (0,0,0);
ndices negativos so representados por uma barra
sobre os mesmos: (h kl ) ;
Em cristais, alguns planos podem ser equivalentes, o
que resulta em uma famlia de planos. A notao
empregada para representar uma famlia de planos
{hkl}, que contm os planos (hkl ), (h kl ) , (h k l), (hk l ), (h k l)
...

R. Caram - 48

PLANOS

R. Caram - 49

EXERCCIO
DETERMINE OS I.M. NA ESTRUTURA CBICA, DO PLANO
QUE PASSA PELAS POSIES ATMICAS (1,1,3/4);
(1,1/2,1/4) E (0,1,0).
PONTOS PERMITEM ESTABELECER
O PLANO MOSTRADO. UMA LINHA
UNINDO OS PONTOS (1,1,3/4) E
(1,1/2,1/4) POSSIBILITA ENCONTRAR
O PONTO (1,1/4,0). DESLOCANDO A
ORIGEM, POSSVEL NOTAR QUE O
PLANO INTERCEPTA O EIXO X EM
X=1, O EIXO Y EM Y=-3/4 E O EIXO
Z EM Z=3/4.
ISSO CONDUZ AOS I.M.= (3 4 4 )

z
(1,1,3/4)
(0,1,0)

y
x

(1,1/2,1/4)
(1,1/4,0)

R. Caram - 50

EXERCCIOS
DETERMINE OS NDICES DE MILLER DOS PLANOS A
SEGUIR
z

Cbico

a
1/2

c
d

1/3

1/3

1/2

1/3

c=1,5a

Cbico

1/4

R. Caram - 51

RELAOES MATEMTICAS
NGULOS ENTRE DUAS DIREES
SUPONHA DUAS DIREES REPRESENTADAS POR SEUS
RESPECTIVOS VETORES:

r
r
r
r
(x1,y1,z1)
A = x1a + y1b + z1c
r
r
r
r
r r
B = x 2 a + y 2b + z 2 c
B-A
r
r r2 r2 r2
r r
A
B A = B + A 2 B A cos
r r
r2 r r
A.B

cos = r r
(x2,y2,z2)
A = A .A
r
A .B
B
(0,0,0)
r
1/2
A = x12 + y12 + z12
r
1/2
x1x 2 + y1y 2 + z1z2
B = x 22 + y 22 + z 22
cos = 2
(x1 + y12 + z12 )1/2 (x 22 + y 22 + z22 )1/2
r r
A.B = x1x 2 + y1y 2 + z1z2

(
(

R. Caram - 52

EXERCCIO
DETERMINE O NGULO ENTRE AS DIREES [111] E
[110].
cos =

x1x 2 + y1y 2 + z1z2

(x12 + y12 + z12 )1/2 (x 22 + y 22 + z22 )1/2

IGUAL A:

1.1 + 1.1 + 1.0

(1+ 1 + 1)1/2 (1+ 1 + 0)1/2

2
6

35,2O

[111]

y
[110]

x
R. Caram - 53

RELAES MATEMTICAS
DIREO RESULTANTE DA
INTERSECO DE DOIS PLANOS
SUPONHA DOIS PLANOS A E B,
REPRESENTADOS PELOS I.M. (h1 k1
l1) E (h2 k2 l2):
INTERSECO DE A E B SER A
DIREO C
PRODUTOrVETORIAL
DE A E B
r r
SER C: A B = C
r
a

r r
A X B = hA
hB

r
b

r
c

kA
kB

lA
lB

z
Plano A

r
C
r r
A B

y
x

Plano B

r
r
r
= a(k AlB kBlA ) + b(lAhB lBhA ) + c(hAkB hBk A )

R. Caram - 54

EXERCCIO
DETERMINE A DIREO DA INTERSECO DOS
PLANOS (111) E (001).
O produto vetorial entre os planos A e B produz o
vetor (direo de interseco):
r r r
a b c

r
r
r
r
r r
C = 1 1 1 = a(1 0) + b(0 1) + c(0 0) = a b
0 0 1

A direo de interseco [1 1 0].

R. Caram - 55

EXERCCIO
DETERMINE O PLANO QUE PASSA PELAS
POSIES a: (1,01); b(1/2,1,0); c:(1,1/2,0)

R. Caram - 56

DIREES EM CRISTAIS HEXAGONAIS

DIREES SO INDICADAS POR QUATRO NDICES:
NDICES: u, v, t E w, APRESENTADOS ENTRE
COLCHETES
+c
SISTEMA DE QUATRO EIXOS:
NDICES u, v E t ESTO
ASSOCIADOS AOS EIXOS
a1, a2, E a3
c
NDICE w REFERE-SE AO
+a3
EIXO c
CONDIO:
-a2
u+v=-t
-c
+a1

-a1

+a2
-a3

R. Caram - 57

IDENTIFICAO DE DIREES
a3

2
-1

-1

[ 1 2 1 0]

a2

a1

R. Caram - 58

IDENTIFICAO DE DIREES
a3

[0 1 10]
2
1

-1

-1

[ 1 2 1 0]

-1
1

-1

a2

-1

[1 1 00]

a1

R. Caram - 59

EXEMPLO DE DIREES
[0001]

+c
[ 1 2 1 0]

[ 1 1 20]

[ 2 1 1 0]

c
+a3

-a1

-a2

+a2
-c
+a1

-a3

R. Caram - 60

PLANOS EM CRISTAIS HEXAGONAIS

PLANOS SO INDICADOS POR QUATRO NDICES:
NDICES: h, k, i E l, APRESENTADOS ENTRE
PARNTESES
+c
SISTEMA DE QUATRO EIXOS:
NDICES h, k E i ESTO
ASSOCIADOS AOS EIXOS
a1, a2, E a3
c
NDICE l REFERE-SE AO
+a3
EIXO c
CONDIO:
-a2
h+k=-i
-c
+a1

-a1

+a2
-a3

R. Caram - 61

EXEMPLO DE PLANOS
+c

(0001)

(01 1 0)

c
+a3

-a1

(2 1 1 0)

-a2

+a2
+a1

-c
a

-a3

R. Caram - 62

EXERCCIO
IDENTIFIQUE OS NDICES DE MILLER-BRAVAIS DOS
PLANOS A E B E DAS DIREES C E D.
D

c
C

B
A

a3

a2

a1
R. Caram - 63

SOLUO
PLANO A:
A1=1; A2=1; A3=-1/2 E C=1.
INVERTENDO TAIS VALORES,
POSSVEL OBTER 1; 1; -2 E 1,
RESPECTIVAMENTE. LOGO, O
PLANO A TEM NDICES (11 2 1) .
PLANO B:
A1=1; A2=-1; A3= E C=.
INVERTENDO TAIS VALORES,
POSSVEL OBTER 1; -1; 0 E 0,
RESPECTIVAMENTE. LOGO, O
PLANO A TEM NDICES (1 1 00 ) .

c
C

B
A

a3

a2

a1

R. Caram - 64

SOLUO
DIREO C
TOMANDO-SE UMA DIREO
PARALELA (QUE PASSA PELA
ORIGEM), TEM-SE UM VETOR
DA ORIGEM AT O PONTO DE
COORDENADAS
(1,-1,0,0).
LOGO, A DIREO SER [1 1 00 ]
DIREO D
TOMANDO-SE UMA DIREO
PARALELA (QUE PASSA PELA
ORIGEM), TEM-SE UM VETOR
DA ORIGEM AT O PONTO DE
COORDENADAS
(1,-2,1,1).
LOGO, A DIREO SER [ 1 2 11 ]

c
C

B
A

a3

a2

a1

R. Caram - 65

DENSIDADE DE TOMOS
z

DENSIDADE LINEAR
1 1
+
n de atomos 2 2 1
=
=
Dlinear =
comprimento
a
a

(100)

[100]

a
DENSIDADE PLANAR

1 1 1 1
+ + +
n de atomos 4 4 4 4 1
=
= 2
Dplanar =
2
rea
a
a
o

R. Caram - 66

EXERCCIO

A ESTRUTURA DO CDMIO TEMPERATURA AMBIENTE

HC. CONSIDERANDO QUE SEUS PARMETROS DE
REDE SO a=0,2973nm E c=0,5618nm, DETERMINE AS
DENSIDADES ATMICAS: (A) NA DIREO [2 1 1 0] ;
(B) NO PLANO (0001).

R. Caram - 67

SOLUO
DENSIDADE NA DIREO [2 1 1 0] OBTIDA
DETERMINANDO-SE O NMERO DE TOMOS
DENTRO DE UMA DISTNCIA CONHECIDA.
TOMANDO-SE, NA DIREO MECIONADA, A
DISTNCIA EQIVALENTE A UM PARMETRO DE
REDE a, TEM-SE
NMERO DE TOMOS = 2 X 1/2 = 1 TOMO
DISTNCIA = 0,2973X10-9 m
1 1
+
n o de atomos 2 2 1
1
9
=
=
=
=
=
3
,
36
x
10
tomos / m
Dlinear
9
compriment o
a
a 0,2973 x10 m

R. Caram - 68

SOLUO
O PLANO (0001) DENOMINADO DE PLANO BASAL. A
DENSIDADE DE TAL PLANO PODE SER OBTIDA ATRAVS
DA RAZO ENTRE NMERO DE TOMOS PRESENTES EM
UMA REA DETERMINADA E O VALOR DE TAL REA.
TOMANDO-SE COMO REFERNCIA UM DOS TRINGULOS
EQILTEROS DO PLANO HEXAGONAL, TEM-SE:
NMERO DE TOMOS = 3 X 1/6 = 1/2 TOMO
REA = 3,8X10-20 m2
1 1 1
+ +
n de atomos 6 6 6
19
2
=
=
1,31x10
tomos/m
Dplanar =
rea
3,8x10 -9 m
o

R. Caram - 69

EXERCCIO
DETEMINE A DENSIDADE DO FERRO TEMPERATURA
AMBIENTE.
DADOS:
RAIO ATMICO: 0,123 nm
MASSA ATMICA: 56 g/mol
ESTRUTURA CCC

R. Caram - 70