Aula 4 CTM Teorica

UNIVERSIDADE ANHANGUERA UNIDERP
CURSO DE GRADUAO EM ENGENHARIA CIVIL
Prof.: MATHEUS PIAZZALUNGA NEIVOCK

E-mail: neivock@gmail.com
neivock@uniderp.edu.br
IMPERFEIES EM SLIDOS
As propriedades dos materiais so profundamente

influenciadas pela presena de
imperfeies.
Por esta razo necessrio ter o
conhecimento sobre os tipos de imperfeies
que existem e sobre quais as consequncias
que elas causam nos materiais.
CINCIA E TECNOLOGIA DOS MATERIAIS
Prof.: Matheus P. Neivock
Por exemplo, a prata de lei (92,5% de
prata e 7,5% de cobre) muito mais resistente
que a prata pura.
J o silcio utilizado em nossos chips de
computador, quanto maior sua pureza menor
quantidade de rudos e interferncias so
gerados durante o processamento de dados.
Vimos at o momento, que em escala

atmica, muitos materiais apresentam um
certo grau de organizao.
menos uma
organizao
total de sua
estrutura. Por essa razo o material
perfeito,
defeitos
Infelizmente nosem
so todos os materiais
praticamente
no organizao
existe.
que
apresentam essa
e muito
Cabe a ns engenheiros e entusiastas
das cincias e tecnologia dos materiais
aprender a conviver e controlar estes defeitos
e imperfeies.
Mas antes de listar estes defeitos surge a
pergunta:
Cabe a ns engenheiros e entusiastas
das cincias e tecnologia dos materiais
aprender a conviver e controlar estes defeitos
e imperfeies.
Mas antes de listar estes defeitos surge a
pergunta:
O que um defeito cristalino?
uma imperfeio ou um "erro" no arranjo

peridico regular dos tomos em um cristal.
Pode envolver uma irregularidade

na posio dos tomos
no tipo de tomos
Apenas uma pequena frao dos stios
(ou posies) atmicos so imperfeitas;
Menos de 1 em 1 milho
Mesmo sendo poucos eles influenciam
muito nas propriedades dos materiais e
INTRODUO
SELETIVA
DEFEITOS
CONTROLE
DO NMERO
ARRANJO
NOVOS MATERIAIS
OU
MATERIAIS COM PROPRIEDADES DESEJADAS
Exemplo do efeito das imperfeies:
o O processo de dopagem em semicondutores visa criar
imperfeies para mudar o tipo de condutividade em
determinadas regies do material;
o A deformao mecnica dos materiais promove a

formao de imperfeies que gera um aumento na
resistncia (processo conhecido como encruamento);
MPERFEIES EM SLIDOS
ssificao:
tos Pontuais: associados c/ 1 ou 2 posies atmicas;
LACUNAS E TOMOS INTERSTICIAIS.

tos lineares: uma dimenso
DISCORDNCIAS
tos planos ou interfaciais: (fronteiras) duas dimenses;
CONTORNOS
DE GRO, INTERFACES, SUPERFCIES
LIV
MPERFEIES EM SLIDOS
ssificao:

DISCORDNCIAS
CONTORNOS
LIV
MPERFEIES EM SLIDOS
ssificao:

DISCORDNCIAS
CONTORNOS
LIV
MPERFEIES EM SLIDOS
ssificao:

DISCORDNCIAS
CONTORNOS
LIV
MPERFEIES EM SLIDOS
ssificao:

DISCORDNCIAS
CONTORNOS
LIV
LACUNAS E TOMOS INTERSTICIAIS:
tomo intersticial: um tomo que ocupa um interstcio da
estrutura cristalina;
Os defeitos de tomos intersticiais causam uma grande
distoro do reticulado cristalino a sua volta.
LACUNA
TOMO
INTERSTICIAL
Influenciam principalmente nas propriedades
Influem
em
processos
como difuso,
ticas
e eltricasde
dos
materiais;
transformao
fases,
fluncia, etc
tomos de soluto geram defeitos pontuais.
SLIDOS
INICOS
MPERFEIES EM SLIDOS
ssificao:

DISCORDNCIAS
CONTORNOS
LIV
DISCORDNCIAS:
As
discordncias
esto
associadas
com a
cristalizao e a deformao (origem: trmica,
mecnica e
pontuais);
supersaturao
de
defeitos
A presena deste defeito a responsvel pela

deformao, falha e ruptura dos materiais.
DISCORDNCIAS:
Podem ser:
- Cunha
- Hlice
- Mista
MPERFEIES EM SLIDOS
ISCORDNCIAS:
ETOR DE BURGERS (b)
D a magnitude e a direo de distoro da

rede
Corresponde distncia de deslocamento dos
DISCORDNCIAS:
VETOR DE BURGERS (b)
D a magnitude e a direo de distoro
da rede;
Corresponde distncia de deslocamento
dos tomos ao redor da discordncia.
DISCORDNCIAS EM CUNHA:
Envolve um semiplano extra de
tomos;
O vetor de Burger
perpendicular
direo da linha da
discordncia.
Fonte: Prof. Sidnei, DCMM, PUCRJ
DISCORDNCIAS EM HLICE:
Produz distoro na
rede;
O vetor de burger
paralelo direo
da linha de
DISCORDNCIA EM HLICE NA SUPERFCIE DE

UM MONOCRISTAL DE SiC. AS LINHAS ESCURAS
SO DEGRAUS DE ESCORREGAMENTOS SUPERFICIAIS.
(Fig. 5.3-2 in Schaffer et al.).
DISCORDNCIAS
E
ENERGIA:
A energia
associada a uma
discordncia
depende do vetor de Burger (varia com o
quadrado do vetor de Burger);
Discordncia com alto vetor de Burger tende a

se dissociar em duas ou mais discordncias de
menor vetor de Burger (como o vetor menor
que o vetor da rede chamado de falha de
empilhamento-stacking fault);
DISCORDNCIAS MISTAS:
DISCORDNCIAS - Visualizando:
DISCORDNCIAS Consideraes Gerais:
A quantidade e o movimento das discordncias
podem ser controlados pelo grau de deformao
(conformao mecnica) e/ou por tratamentos
trmicos;
Com o aumento da temperatura h um aumento
na velocidade de deslocamento das discordncias
favorecendo
aniquilamento
mtuo das
mesmas uma
em
torno odas
discordncias
formando
eatmosfera
formaode
deimpurezas.
discordncias nicas;
DISCORDNCIAS Consideraes Gerais:
mais facilmente
nos planos
de da
maior
d
A densidade
das discordncias
depende
densidadecristalogrfica,
atmica;
orientao
pois o cisalhamento se
As discordncias geram vacncias (vazios);
As discordncias influem nos processos de
difuso;
A formao de discordncias contribuem para a
deformao plstica;
MPERFEIES EM SLIDOS
ssificao:

DISCORDNCIAS
CONTORNOS
LIV
DEPEITOS PLANOS OU INTERFACIAIS:
Interface: contorno entre duas fases diferentes;
Contornos de Gro: contornos entre dois cristais slidos
da mesma fase;
Superfcie Livre ou Externa: superfcie entre o cristal e o
meio que o circunda;
Contorno de Macla: tipo especial de contorno de gro
que separa duas regies com uma simetria tipo espelho;
Falhas de Empilhamento: ocorre nos materiais quando
CONTORNOS DE GRO:
MATERIAIS POLICRISTALINOS
CONTORNOS DE GRO:
Corresponde regio que

separa dois ou mais cristais
de orientao diferente.
UM CRISTAL = UM GRO
No interior de cada gro todos
CONTORNOS DE GRO:
Monocristal:
Material
com
apenas
uma
orientao cristalina, ou seja, que contm
apenas um gro;
Policristal: Material com mais de uma orientao

cristalina, ou seja, que contm vrios gros.
CONTORNOS DE GRO:
CONTORNOS DE GRO CONSIDERAES:
H um empacotamento
ATMICO
eficiente;
Favorece
a
nucleao
demenos
novas
fases
H
uma energia mais elevada;
(segregao);
Favorece a difuso;
O contorno de gro ancora o movimento das
discordncias.
CONTORNOS DE GRO:
DISCORDNCIA
A passagem
de uma
energia.
discordncia atravs do
contorno de gro requer
O contorno de gro ancora o movimento das discordncia pois constitui um

obstculo para a passagem da mesma, LOGO QUANTO MENOR O TAMANHO
DE GRO .........A RESISTNCIA DO MATERIAL
CONTORNOS DE GRO:
DISCORDNCIA
A passagem
de uma
energia.
?
obstculo
para a passagem
da mesma, LOGO QUANTO MENOR
TAMANHO
CINCIA
E TECNOLOGIA
DOS MATERIAIS
Prof.:O
Matheus
P. Neivock
CONTORNOS DE GRO:
DISCORDNCIA
A passagem
de uma
energia.
AUMENTA
obstculo para a passagem da mesma, LOGO QUANTO MENOR O TAMANHO
MACLAS OU CRISTAIS GMEOS (TWINS):
um tipo especial de
contorno
so
imagens
contorno de gro;
especulares dos tomos
Os
de um
lado do
do tomos
outro lado
do contorno
A macla ocorre num
plano definido e numa
direo
especfica,
dependendo
da
estrutura cristalina
est
geralmente
O seu aparecimento
associado
com A
PRESENA DE:
- Tenses trmicas;
- Tenses mecnicas;
- Impurezas.
FALHAS DE EMPILHAMENTO:
MPERFEIES EM SLIDOS
ssificao:

DISCORDNCIAS
CONTORNOS
LIV
IMPERFEIES VOLUMTRICAS:
de partculas
- Precipitados:
so
aglomerados
- Incluses: Impurezas estranhas;
cuja
composio difere da matriz;

forma-se
- Fases:
devido presena de impurezas ou

elementos de liga (ocorre quando o limite de solubilidade
ultrapassado);
origina-se
- Porosidade:
devido a presena ou formao
de gases.
INCLUSES:
INCLUSES DE XIDO DE COBRE (Cu2O) EM COBRE DE ALTA PUREZA (99,26%)

LAMINADO A FRIO E RECOZIDO A 800o C.
INCLUSES:
SULFETOS DE MANGANS (MnS) EM AO RPIDO.

POROS:
COMPACTADO DE P DE
FERRO,COMPACTAO
UNIAXIAL EM MATRIZ DE
DUPLO EFEITO, A 550 MPa
COMPACTADO DE P DE FERRO
APS SINTERIZAO
A 1150oC, POR 120min EM
ATMOSFERA DE HIDROGNIO
FASES:
A MICROESTRUTURA COMPOSTA POR VEIOS DE GRAFITA SOBRE UMA MATRIZ

PERLTICA. CADA GRO DE PERLITA, POR SUA VEZ, CONSTITUDO POR LAMELAS ALTERNADAS DE
DUAS FASES: FERRITA(OU FERRO-) E CEMENTITA(OU CARBONETO DE FERRO).
FASES:
Microestrutura da liga Al-Si-Cu + Mg
mostrando diversas fases precipitadas
FASES:
Micrografia da Liga
Al-3,5%Cu no Estado Bruto de Fuso
TRINCAS:
TRINCAS:
MICROESTRUTURA
MICROESTRUTURA
EXERCCIOS
Exerccios:
1- Existem materiais perfeitos? Explique.
2- O que considerado um defeito cristalino?
3- A presena de impurezas ou a adio de elementos de liga diminui o
nmero de lacunas em um material metlico? Justifique sua resposta.
4- Como os defeitos cristalinos podem ser classificados, cite exemplo dos
defeitos.
5- Por que os defeitos so importantes na determinao de algumas
propriedades fsicas e mecnicas? Cite alguns exemplos.
6- Qual a influncia das discordncias nas propriedades mecnicas dos
materiais?
7- Como o tamanho de gro interfere nas propriedades mecnicas dos
materiais?
ExpliqueDOS
sua MATERIAIS
resposta.
CINCIA
E TECNOLOGIA
EXERCCIOS
Material relacionados:
Captulo 4 : completo + exerccios;
Captulo 7 : Maclas, item 7.7 + exerccios.
Captulo 13: Defeitos em slidos inicos, item 13.5 + exerccio.
Cincia e Engenharia dos Materiais: Uma Introduo.

Autor: William D. Callister Jr.
Referncias
profa. Eleani
Maria da Costa
PUCRS;
2- 1- Aulas
Introduo
Cincia
dos Materiais
para
Engenharia, alulas Prof. Dr. Antnio Carlos Vieira

Coelho, Escola Politcnica da USP;
3- Padilha, A.F. Materiais de Engenharia. Ed.
Hemus. So Paulo. 1997;
4- Van Vlack, L. H., Princpios de Cincia dos
Materiais. Ed. Edgard Blucher, So Paulo, 1970;
5- Callister, Jr, W. D., Cincia e Engenharia de
Materiais: Uma introduo, Ed. LTC, 5ed., Rio de
CINCIA
E TECNOLOGIA
DOS MATERIAIS
Janeiro,
RJ, 2002.

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uma imperfeio ou um "erro" no arranjo

Pode envolver uma irregularidade

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o A deformao mecnica dos materiais promove a

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tos Pontuais: associados c/ 1 ou 2 posies atmicas;

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tos Pontuais: associados c/ 1 ou 2 posies atmicas;

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tos Pontuais: associados c/ 1 ou 2 posies atmicas;

LACUNAS E TOMOS INTERSTICIAIS.

tos Pontuais: associados c/ 1 ou 2 posies atmicas;

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tos Pontuais: associados c/ 1 ou 2 posies atmicas;

LACUNAS E TOMOS INTERSTICIAIS.

A presena deste defeito a responsvel pela

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ETOR DE BURGERS (b)

D a magnitude e a direo de distoro da

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Fonte: Prof. Sidnei, DCMM, PUCRJ

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