Espectroscopia por

Retroespalhamento Rutherford
(Rutherford Backscattering Spectroscopy RBS)

Apresentado por:

Paulo César Trombini Júnior

Daniel Borghi Mendes
Daniele Simões Grangeiro

Departamento de Física
Universidade Federal de São Carlos - UFSCar
Conteúdo
1. O que é Retroespalhamento Rutherford.
2. Fundamentos da Física.
3. Instrumentação.
4. Resultados.
5. Interpretação de um espectro.
6. Aplicações.
7. Conclusões.
8. Referências.
O que é retroespalhamento Rutherford?
 Rutherford Backscattering Spectroscopy (RBS) é uma
técnica analítica na qual um feixe de íons de alta energia e
pequena massa são direcionados para a amostra. As
partículas que são espalhadas são detectadas pelo detector.

 A partir dessa análise podemos determinar a composição

ou perfil elementar em profundidade de um material ou filme
fino.

 Normalmente utiliza-se feixes incidentes sobre a amostra

de H+, He+, He++ .
Fundamentos da Física
Fundamentos da Física
Fundamentos da Física
Princípio de conservação de energia e momento linear.
• conservação de energia

• conservação de momento linear em x.

• conservação de momento linear em y.

Fundamentos da Física

Eliminando ᵩ e V ’. 1

 A razão entre as energias das partículas incidentes para M < M1.

Teta representa o ângulo de dispersão no referencial do laboratório.

Fundamentos da Física
 Podemos relacionar a energia da partícula incidente
com a correspondente energia com que a mesma
abandona o material:

Onde é definido como Fator Cinemático da partícula i

Fundamentos da Física
 Isolando o Ki e igualando as expressões.
2
 (1  M 2 / M 2 sin 2  ) 2  M / M cos 
1

Ki   1 i 1 i

 1  M1 / M i 

 Dividindo M1 por Mi sendo X = M1/Mi

1
[(1 x sin  )  x cos  ]
2 2 2 2
Ki 
1 x 
2
Fundamentos da Física
 Se mudarmos as coordenadas do sistema para o centro de massa.

 V1 velocidade depois do
espalhamento da partícula
incidente no referencial do
laboratório.

 V´1 velocidade depois do

espalhamento da partícula em
relação ao centro de massa do
sistema.

 V velocidade do centro de massa

em relação ao referêncial
laboratorial.
Fundamentos da Física
 Fazendo as substituições adequadas e x = M1/Mi.

1 2x cos  x 2
Ki 
1 x 
2
Fundamentos da Física
 Calculando para os ângulos 90 e 180 temos.

 Para átomos de mesma massa

temos K igual a zero para 90 e 180.

 Posição preferencial para se colocar

o detector. Maior variação de K.

Fator cinemático em função do ângulo de espalhamento e da razão

de massa x [Ref.4] .
Fundamentos da Física
 Para um ângulo fixo, com mesmo tipo de partículas incidentes
e os elementos do alvo possuírem massa muito maior que as
partículas incidentes.

 Rendimento aproximadamente proporcional ao quadrado do

número atômico do elemento alvo, permitindo assim quantificar a
composição da amostra a partir do rendimento experimental.
Instrumentação
 Uma fonte de íons, geralmente partículas alfa (íons de He+) ou
H+.

 Um acelerador de partículas capaz de acelerar os íons

incidentes até altas energias, da ordem de 1-3 MeV.

 Um detector capaz de medir as energias dos íons

retroespalhados.

 Gráfico de contagens vs. energia

Instrumentação – Acelerador
 Dois tipos: um ou dois estágios
 Um estágio: fonte de He+ conectada a um tubo acelerador
com um potencial altamente positivo aplicado na fonte de íons
e no fim do tubo. Não consegue acelerar as partículas a mais
de 1MeV, devido a dificuldade de aplicar-se altas voltagens ao
sistema
 Dois estágios: fonte de íons He- e o terminal positivo fica no
centro do tubo acelerador. Ocorre a remoção dos elétrons dos
íons, produzindo He+. Após tornarem-se positivos, são
repelidos até que saiam do tubo, no outro extremo do
potencial. É possível acelerar a mais de 2 MeV com menos
voltagem aplicada (750kV)
Instrumentação – Detector
 Camada muito fina de aproximadamente 100 nm de silício
tipo P em cima de um substrato do tipo N formando uma
junção p-n

 Íons que chegam ao detector perdem um pouco de sua energia

para o espalhamento inelástico dos elétrons, e alguns desses
elétrons ganham energia o suficiente para vencer o gap entre a
banda de valência e de condução do semicondutor.

 Medição da corrente produzida

Acelerador de partículas - 2 MeV
Resultados
 Concentrações relativas podem ser medidas pela altura dos
picos

 Espessura pode ser medida através da largura dos picos e da

mudança da posição dos picos

 Só é possível determinar os elementos químicos presentes na

amostra

 A estrutura química da amostra não pode ser determinada a

partir do gráfico
Interpretação de um espectro RBS
 Elementos de maior massa geram um sinal de espalhamento a
energias maiores e elementos de menor massa geram sinal em
menores energias

 Se a massa do elemento é alta, sua contagem no espectro será

alta devido à sua maior seção de choque. Para medirmos então
a sua quantidade por cm2 precisamos então normalizar as
contagens de acordo com a carga do feixe e com a seção de
choque. A borda do pico do espectro para o elemento m fica
em KmE0 e a contagem é proporcional à seção de choque e
espalhamento
Interpretação de um espectro RBS

 Filme fino homogêneo sobre um substrato

 Este filme é composto pelos materiais M e m e o substrato é de

um material mais leve que os compostos (isto faz com que os
picos de espalhamento do filme fiquem longe do espalhamento
do substrato) e início dos picos de espalhamento para os
materiais estarão localizados em KME0 e KmE0.
Interpretação de um espectro RBS
 Em um filme espesso, a maior parte da energia do feixe seja
absorvida ou espalhada, de material M e m como no exemplo
anterior

 As energias de espalhamento da massa M vão agora se

estender desde KME0 até 0 (pois o filme é espesso, ou infinito
para o feixe). As contagens para o elemento m, mais leve,
também se estenderão desde KmE0 até 0, só que neste caso, as
contagens de m se sobrepõem sobre as de M
Aplicações

AMOSTRA
 Caracterização qualitativa/quantitativa;
 Análise de impurezas;
 Determinação da espessura.
 Channeling
Aplicações
 Caracterização
• Amostra desconhecida sobre substrato de carbono

Figura- Espectro RBS para caracterização de amostras [Ref.4]

Aplicações
 Impurezas
• Detecção de impurezas em um substrato de Si

Figura- Espectro RBS para análise de impurezas em amostras [Ref.4]

 Aplicações
 Espessura
• Determinação da espessura da amostra analisada através da
analise das energias de retroespalhamento

Figura- Espectro RBS para análise de espessura de filmes [Ref.4]

Aplicações
 Channeling

• Desordem da rede
cristalina;

• Localização de
impurezas;

• Análise de
camadas mais
profundas.
Aplicações
 Channeling

Figura- Espectro RBS para análise de estruturas cristalinas [Ref.4]

Conclusão
 Técnica de caracterização de materiais de grande
importância, especialmente em áreas de microeletrônica
(análise de filmes finos);
 Espectros obtidos facilmente interpretados;
 Técnica que não degrada a amostra analisada;
 Resolução inclusive para camadas enterradas ;
 Alta sensibilidade para átomos pesados;
 Baixa resolução para massas entre o alvo e o projétil
semelhantes e para concentrações inferiores a 10^18
átomos/cm3
 Informações de natureza química (ligações, grupos, etc.)
ausentes.
Referências
 [1] GOLDSTEIN, Herbert. Classical mechanics. Reading: Addison-
Wesley, c1950. 399 p. -- (Addison-Wesley Series in Advanced
Physics).-- (Addison-Wesley World Student Series Edition)
 [2] MARION, Jerry B.. Classical dynamics of particles and
systems. New York: Academic Press, c1965. 576 p. -- (Academic Press
International Edition) 
 [3] EVANS, Charles; BRUNDLE, Richard; WILSON. Encyclopedia of
Materials Characterization: Surfaces, Interfaces, Thin Films
(Materials Characterization Series)
 [4] http://www.dsif.fee.unicamp.br/~furio/IE607A/RBS.pdf
 [5] http://biblioteca.universia.net/ficha.do?id=38064402
 [6]http://www.eaglabs.com/techniques/analytical_techniques/rbs.php
 [7]http://en.wikipedia.org/wiki/Rutherford_backscattering_spectroscopy
 [8] www.harvard.edu/~slane/ref/ps/RBS.ps