Energia de Gap, Diodo de Dupla Barreira e Tunelamento Ressonante EDNILSON CARLOS DOS SANTOS

UNIVERSIDADE FEDERAL DE SO CARLOS
CENTRO DE CINCIAS EXATAS E TECNOLGICAS

PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM FSICA
EDNILSON CARLOS DOS SANTOS
POLARIZAO DE SPIN EM HETEROESTRUTURAS

SEMICONDUTORAS CONTENDO PONTOS QUNTICOS DE
INAS
SO CARLOS
2010
UNIVERSIDADE FEDERAL DE SO CARLOS

CENTRO DE CINCIAS EXATAS E TECNOLGICAS
PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM FSICA
Polarizao de Spin em
Heteroestruturas Semicondutoras
Contendo Pontos Qunticos de
InAs
Ednilson Carlos dos Santos
Dissertao submetida ao
programa de Ps-Graduao
em Fsica da Universidade
Federal de So Carlos como
parte dos requisitos para a
obteno do ttulo de Mestre
em Fsica.
Orientadora: Profa. Dra. Yara Galvo Gobato
So Carlos, Abril 2010
Ficha catalogrfica elaborada pelo DePT da

Biblioteca Comunitria da UFSCar
S237ps
Santos, Ednilson Carlos dos.

Polarizao de spin em heteroestruturas semicondutoras
contendo pontos qunticos de InAs / Ednilson Carlos dos
Santos. -- So Carlos : UFSCar, 2010.
57 f.
Dissertao (Mestrado) -- Universidade Federal de So
Carlos, 2010.
1. Semicondutividade e semicondutores. 2. Spintrnica. 3.
Tunelamento (Fsica). 4. Fotoluminescncia. 5. Diodos. I.
Ttulo.
CDD: 537.622 (20a)
....
EDNILSON CARLOS DOS SANTOS

Dissertao de Mestrado submetida
Coordenao do Programa de
Ps-Graduao em Fsica, da
Universidade Federal de So
Carlos, como requisito parcial para
a obteno do ttulo de Mestre em
Fsica.
Aprovado em: 07 de maio de 2010
BANCAEXAMUNADORA
proft. Dra. Yara 'GftIvoGobato (rientadora)

Universidade Federal de Saf:arlos - DF
f3wio~~~
Prof Dr. Evaldo Ribeiro
UniversidadeFederaldo Paran- DF
Dedico esse trabalho minha

noiva Samanta, aos meus pais,
Miguel e Soeli e minha irm
Francielli.
Agradecimentos
Primeiramente, gostaria de agradecer professora Yara Galvo Gobato pela orientao, pacincia e ensinamentos com os quais me conduziu durante esse e outros trabalhos
j realizados, os quais muito colaboraram para meu crescimento.
A professora Maria Jos Brasil e ao professor Fernando Iikawa, do IFGW-UNICAMP,
por disponibilizar o laboratrio do Grupo de Propriedades pticas (GPO) para a execuo
do trabalho, pelas discusses e auxlios nos problemas enfrentados nas medidas.
Em especial minha noiva e futura esposa Samanta e minha famlia, pelo grande
incentivo e apoio em todas as etapas enfrentadas no meu processo de formao.
Aos amigos da vida: Anibal, Daniel, Mariama, Marcio, Daniel (Fanfarro), Lara,
Helder, Leonlson, Jaldair, Rodrigo, Miaghi, Rafael (orelha), Otvio, Jos Tadeu (Bomba),
Getlio (Birigui), enfim, todos que me acompanharam e me deram apoio nessa carreira.
Gostaria de agradecer tambm ao CNPq pelo apoio financeiro.
Resumo
Neste trabalho realizamos um estudo detalhado de efeitos de spin em um diodo de
tunelamento ressonante GaAs/AlGaAs do tipo n com pontos qunticos de InAs no poo
quntico.
Os estudos foram realizados a partir de medidas eltricas e pticas na presena e
ausncia de campo magntico. Os resultados obtidos na ausncia de campo magntico
so semelhantes aos resultados publicados na literatura para mesma amostra estudada.
Em particular, obtivemos uma boa correlao entre a intensidade de luminescncia dos
quantum dots e a curva caracterstica corrente - tenso (I(V)) do diodo. Os dados obtidos
foram associados aos processos de tunelamento, relaxao e captura de portadores nos
nveis de energia dos dots.
As medidas realizadas na presena de campo magntico foram feitas da configurao de
campo magntico paralelo corrente eltrica no dispositivo. Tal disposio leva quebra
na degenerescncia dos nveis em spin dos dots, e resulta em recombinao de portadores
com regras de seleo bem definidas com luz circularmente polarizada. Observamos que
tanto a emisso circularmente polarizada esquerda como direita so dependentes da
tenso aplicada no diodo, principalmente na regio de baixas voltagens. medida que a
tenso aumenta, a intensidade de polarizao tende a zero.
Os resultados obtidos so originais e devem auxiliar na compreenso de fenmenos de
spin desses sistemas. Esse trabalho poder tambm ter interesse no desenvolvimento de
possveis dispositivos de spintronica contendo pontos qunticos.
Palavras-chave: Spintrnica. Tunelamento. Fotoluminescncia. Pontos qunticos.
Diodos.
ii
Abstract
In this work, we have studied spin polarization of carriers in a resonant tunneling
diode GaAs/AlGaAs with InAs quantum dots in the center of the quantum well. We have
observed that the photoluminescence of quantum dots depends on applied voltage and
light intensity. Our results were explained by the capture of minority carriers (holes) to
quantum dot energy levels in the resonant conditions. We have also studied the polarized
resolved photoluminescence under magnetic field applied parallel to the tunnel current.
We have observed that the degree of circular polarization is voltage-dependent under
low voltage and laser intensity condition. We have also observed that the degree of
polarization of quantum dots tends to zero for high applied voltages. Our results show
that the circular polarization depends on the injection and capture of holes by quantum
dots. Finally, we observed that the circular polarization from quantum dots can be voltage
and light-controlled and could be interesting for the developing of new spintronics devices.
Keywords: Spintronic. Tunneling. Photoluminescense. Quantum dots. Diode.
iii
Sumrio
1 INTRODUO
2 INTRODUO TERICA
2.1
2.2
2.3
2.4
Semicondutores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1.1
Propriedades dos cristais GaAs, (AlGa)As, e InAs . . . . . . . . . .
Heteroestruturas semicondutoras . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.2.1
Diodo de dupla barreira e tunelamento ressonante . . . . . . . . . . 10
2.2.2
Pontos qunticos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.2.3
Diodos de tunelamento ressonante com pontos qunticos . . . . . . 20
Efeitos de campo magntico em sistemas 2D . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

2.3.1
Nveis de Landau . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
2.3.2
Efeito Zeeman . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
Trabalhos anteriores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
3 MATERIAIS E MTODOS EXPERIMENTAIS
27
3.1
Amostra . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
3.2
Medidas de transporte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
3.3
Medidas de fotoluminescncia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
3.4
Medidas de magneto-luminescncia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
3.5
Montagem experimental . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
4 RESULTADOS E DISCUSSO
34
4.1
Medidas de transporte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
4.2
Medidas pticas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
4.2.1
Pontos qunticos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
4.2.2
Contato GaAs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
iv
5 CONCLUSO
53
Lista de Figuras
2.1
Estrutura cristalina zinc-blend para semicondutores III-V. As esferas claras

representam tomos de Glio, e as escuras tomos de Arsnio para o caso
do GaAs. No AlAs ou InAs as esferas claras representam os tomos de
Alumnio ou ndio [20]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.2
Primeira zona de Brillouin da rede cbica de face centrada com os pontos

de alta simetria [20]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.3
(a) Estrutura de bandas do GaAs no espao dos momentos. (b) Estrutura

de bandas em trs dimenses [20]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.4
Estrutura de bandas do AlAs no espao dos momentos [20]. . . . . . . . . .
2.5
Estrutura de bandas do InAs no espao dos momentos [22]. . . . . . . . . .
2.6
(a) Perfil de potencial correspondente ao esquema de uma estrutura hipottica

de dois materiais diferentes crescidos por MBE (b). . . . . . . . . . . . . . 10
2.7
Perfil da banda de conduo de um diodo de dupla barreira do tipo n-i-n

para trs diferentes tenses: (a) zero volts; (b) tenso V, onde inicia-se o
tunelamento e (c) sobre a ressonncia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.8
Representao da esfera de Fermi no emissor com a interseco kz = qr

para uma certa voltagem aplicada ao diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.9
Curva caracterstica de I(V) para um diodo de dupla barreira ilustrando seu

perfil triangular. Os ndices (a), (b) e (c) referem-se situao representada
na figura 2.7. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.10 Representao do perfil da banda de conduo de um diodo sob efeito do

campo eltrico. direita, representao dos dois tipos de tunelamento:
3D-2D (ou balstico) no topo e 2D-2D mais em baixo. . . . . . . . . . . . . 14
vi
2.11 (a) Representao das ligas do substrato, Material B, e do filme a ser

crescido, Material A. (b) Modo de crescimento Frank-van der Merwe (FW).
(c) Modo de crescimento Volmer-Weber (VW). (d)Modo de crescimento
Stranski-Krastanov (SK). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.12 Representao esquemtica mostrando a relaxao do parmetro de rede
durante o processo de crescimento de pontos quticos auto-organizados. . . 17
2.13 (a) Processo de fabricao de pontos qunticos utilizando litografia. (b)
Imagem de microscopia eletrnica de varredura de pontos qunticos individuais quadrados obtidos por meio da tcnica de litografia, a partir de um
poo quntico de GaAs/AlGaAs. Imagens reproduzidas da referncia [31]. 18
2.14 Ponto quntico produzido por um campo eltrico modulado. Os quatro
eletrodos internos localizam os eltrons e os quatro eletrodos externos
servem como contatos para que os eltrons possam tunelar para dentro
ou para fora do ponto quntico. Imagem reproduzida da referncia [32]. . . 19
2.15 Trajetria circular de um eltron livre sob efeito de campo magntico perpendicular velocidade. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
2.16 Regras de seleo para transies interbandas entre os subnveis mj para a
luz circularmente polarizada + ( direita) ou ( esquerda). . . . . . . . 22
2.17 Curvas de corrente versus tenso a uma temperatura de 10 K para as
amostras qd1 (com 1,8 monocamadas de InAs), qd2 (com 2,3 monocamadas
de InAs, semelhante a utilizada nos nossos estudos) e c (sem monocamadas
de InAs). Para melhor visualizao, as curvas foram deslocadas verticalmente. e1 e e2 indicam o primeiro e o segundo pico ressonante na amostra
c. Os insets mostram o perfil de potencial do RTD sem voltagem aplicada
para a amostra c e qd1 ((c) e (b)) sem acmulo de cargas no dots e com
acmulo de cargas nos dots (a). Figura obtida da referncia [7]. . . . . . . 24
2.18 Esquema do perfil de potencial dos auto-estados dos eltrons (e) e das
funes de onda , para um poo de 12nm de GaAs/Al0.4 Ga0.6 As sem (
esquerda) e com ( direita) 1,5 monocamadas de InAs. Figura obtida da
referncia [7]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
vii
2.19 Espectros de PL a 10 K para amostras com uma wetting layer (wl), qd1
e qd2. O espectros esto deslocados verticalmente para melhor clareza. O
inset mostra o espectro de luminescncia para a amostra sem dots. Figura
obtida da referncia [7]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
3.1
Representao da amostra NU1941, utilizada nos nossos estudos, e o esquema do circuito DC conectado ao diodo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
3.2
Perfil de potencial e dinmica dos portadores sob influncia de campo

eltrico aplicado e excitao com energia maior que o gap entre a banda
de conduo e de valncia. Na figura podemos observar a existncia de
recombinao de portadores tanto nos dots, quanto no contato do diodo. . 30
3.3
(a) Esquema do perfil de potencial do diodo na presena de luz, campo

eltrico e campo magntico na direo paralela corrente eltrica. Em (b)
regras de seleo para transies entrebandas para luz polarizada + e .
32
3.4
Montagem experimental utilizada nas medidas de magneto-ptica. . . . . . 33
3.5
Ilustrao de uma luz circularmente polarizada sendo transformada em luz

linearmente polarizada atravs de um cristal de um quarto de onda (/4). . 33
4.1
Representao da curva de corrente versus tenso para as amostras NU1941

e NU1943 resfriadas a 10 K sem excitao ptica (a) e com excitao ptica
(b). Podemos notar a variao na posio dos picos de ressonncia devido
presena dos QDs de InAs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
4.2
Representao da curva de corrente versus tenso para a amostra resfriada

a 2 K e sem campo magntico aplicado. Podemos notar a presena de
dois picos associados ressonncia do segundo nvel de energia do buraco
pesado (hh2) e segundo nvel de energia do eltron no poo. . . . . . . . . 36
4.3
Representao da curva de fotocorrente versus tenso para a amostra resfriada a 2 K e sem campo magntico aplicado para diferentes intensidades
de excitao. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
4.4
Representao da curva de corrente versus tenso para a amostra resfriada

a 2 K, sob o efeito de diferentes intensidades de campo magntico. Em (a)
temos a amostra sem a incidncia de luz e em (b) com laser aplicado com
uma potncia de 30 mW. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
viii
4.5
Espectros de luminescncia do diodo com tenso aplicada (V=0,20 V) e

sob excitao ptica (P=100 mW). No inset temos uma viso ampliada da
emisso dos pontos qunticos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
4.6
Espectros de PL da amostra NU1941 (a 2 K) e no inset temos a PL da

amostra NU1943 (a 10 K). Ambas esto sob mesma tenso e potncia de
excitao. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
4.7
Espectros de luminescncia dos QDs de InAs sobre diferentes tenses aplicadas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
4.8
Espectros de PL da emisso dos pontos qunticos para diferentes voltagens

aplicadas sob excitao do laser de 10 mW. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
4.9
Curva de intensidade integrada em funo da voltagem aplicada para um

potncia de 10 mW. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
4.10 Em preto, curva de intensidade de luminescncia e, em vermelho curva da

largura do espectro de luminescncia do diodo em funo da voltagem para
as potncias de 10 mW (a) e 100 mW (b). . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
4.11 Representao da largura do espectro de emisso dos quantum dots em
funo da potncia aplicada para quatro diferentes tenses. Percebemos
um aumento aproximadamente linear da largura do espectro conforme a
intensidade do laser aumenta. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
4.12 Posio do pico em energia da emisso de luminescncia e intensidade de
luminescncia em funo da voltagem aplicada. Em (a) amostra excitada
com uma intensidade de 10 mW e (b)100 mW. . . . . . . . . . . . . . . . . 46
4.13 Espectros de luminescncia da emisso dos pontos qunticos para as polarizaes + e em diferentes voltagens aplicadas. . . . . . . . . . . . . . 47
4.14 Intensidade integrada da luminescncia para as polarizaes + e em
funo da voltagem. Em (a) temos o laser incidindo na amostra com 10
mW de intensidade e em (b) com 100 mW. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
4.15 Curvas de polarizao dos QDs de InAs em funo da voltagem e para
diferentes intensidades de excitao. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
4.16 Curvas de polarizao dos QDs de InAs em funo da intensidade de campo
magntico e potncia de excitao de 30 mW. . . . . . . . . . . . . . . . . 49
ix
4.17 Espectros de fotoluminescncia do GaAs para diferentes tenses aplicadas

e sem campo magntico aplicado. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
4.18 Espectros de intensidade de luminescncia do GaAs e da emisso dos QDs
para diferentes as potncias de (a) 10 mW e (b) 100 mW . . . . . . . . . . 51
4.19 Curvas de polarizao e corrente versus tenso para diferentes intensidades
de excitao. Em (a) 10 mW e (b)100 mW. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
Lista de Tabelas
3.1
Estrutura da amostra estudada nesse projeto (NU1941). . . . . . . . . . . 28
xi
Captulo 1
INTRODUO
O estudo de estruturas de baixa dimensionalidade tem atrado grande interesse nos
ltimos anos, tanto do ponto de vista fundamental como em aplicaes em diversos dispositivos em optoeletrnica, eletrnica de alta velocidade e outros.
No incio dos anos 70 iniciou-se o estudo em estruturas eletrnicas limitadas a duas
dimenses, os chamados poos qunticos (do ingls Quantum Well - QW) [1, 2]. O poo
quntico uma estrutura estreita, constituda basicamente de uma camada plana de semicondutor crescida entre duas camadas de outro semicondutor com energia proibida (gap de
energia) maior. Essa diferena entre as bandas de energias confina os portadores (eltrons
e buracos) na camada mais estreita. Nesse tipo de estrutura temos, portanto, movimento quantizado na direo de crescimento da amostra (direo z) e livre nas direes
perpendiculares. Esses dispositivos atraram a ateno de pesquisadores devido s suas
aplicaes em dispositivos eletrnicos e opto-eletrnicos. Atualmente, as propriedades de
sistemas quase bi-dimensionais so bem conhecidos e poos qunticos tem sido produzidos
e implementados em numerosos dispositivos, por exemplo, lasers de diodos usados em CD
players ou receptores de micro-onda usados em satlites de televiso.
No incio da dcada de 80, o rpido progresso na tecnologia, especialmente nas tcnicas
de crescimento, permitiram o confinamento de eltrons em estruturas unidimensionais, os
chamados fios qunticos.
A quantizao completa do movimento do eltron foi alcanada por cientistas do Texas
Instruments Incorporated. Reed et al [3] conseguiu criar um ponto quntico (quantum
dot-QD) quadrado com um comprimento lateral de 250 nm, processado por litografia.
Publicaes subsequentes apresentando a criao de QDs em outros centros de pesquisas
CAPTULO 1. INTRODUO
logo apareceram [4, 5].

O aprimoramento das tcnicas de crescimento de heteroestruturas permitiu a obteno
de diversos tipos de dispositivos semicondutores, entre eles temos o diodo de dupla barreira
com QDs situados no interior do poo. Vrios estudos j foram realizados em relao
a diodos com QDs [6-9]. Esses estudos mostraram que esses diodos possuem variao
nos nveis de energia quantizados do poo quando comparados a diodos semelhantes sem
QDs. Alm disso, possuem tempo de tunelamento diferente e emitem luz na regio do
infravermelho. Todos os estudos j realizados com diodos desse tipo foram baseados na
caracterizao ptica e eltrica destes, com e sem a aplicao de campo eltrico e luz,
alm da dependncia com a direo de crescimento ou com a forma e tamanho dos pontos
qunticos. Nosso estudo envolve a manipulao de spin nessas estruturas para aplicaes
em spintrnica, rea que tem atrado grande ateno nos ltimos tempos [10-14]. Nosso
grupo h certo tempo vem estudando diodos de dupla barreira como filtros de spin [14-17]
e vem obtendo resultados interessantes em relao dependncia da coerncia de spin.
Temos agora o objetivo de realizar um estudo visando os efeitos de spin em diodos de
tunelamento ressonante com QDs.
importante destacar que esse um primeiro estudo de efeitos de spin nesses diodos
com pontos qunticos. Nosso grupo possui outras amostras com QDs com diferentes
larguras de poo quntico e diferentes direes de crescimento, as quais sero estudadas
em trabalhos posteriores a fim de compreendermos melhor o funcionamento de tais dispositivos.
O presente manuscrito se encontra organizado da seguinte maneira: no captulo 2 apresentamos uma introduo terica com os principais tpicos abordados nessa dissertao e
uma breve reviso dos estudos feitos com diodos semelhantes ao utilizado neste trabalho.
No captulo 3 descrevemos as tcnicas experimentais utilizadas neste trabalho e os princpios fsicos envolvidos nas tcnicas de fotoluminescncia e magneto-luminescncia, alm
do aparato experimental utilizado nas medidas. O captulo 4 destinado apresentao
dos resultados experimentais obtidos nas medidas eltricas e pticas do diodo em questo.
Por fim, no captulo 5 apresentamos as concluses deste trabalho.
Captulo 2
INTRODUO TERICA
A seguir apresentaremos alguns conceitos tericos para a compreenso deste trabalho.
Discutiremos tambm alguns trabalhos da literatura referentes ao estudo de diodos com
dots.
2.1
Semicondutores
Um semicondutor um slido covalente o qual pode ser considerado isolante pois

sua banda de valncia (BV) est completamente ocupada e a banda de conduo (BC)
totalmente vazia na temperatura do zero absoluto. Este material porm, possui uma
banda proibida entre as bandas de conduo e de valncia relativamente pequena quando
comparada a de isolantes [18, 19]. Podemos citar como exemplo de semicondutor, o
Arseneto de Glio (GaAs), o qual possui um gap de energia de 1,519 eV quando se
encontra a uma temperatura de 2 K, j o diamante um isolante, pois possui um gap de
energia de 5,4 eV [19]. Devido a esse fato, a condutividade de um semicondutor cresce
rapidamente com a temperatura, pois a probabilidade de excitar portadores da banda de
valncia para a banda de conduo cresce com o aumento da energia trmica. Esse tipo
de condutividade denominada intrnseca.
Existem outras maneiras de aumentar a condutividade eltrica como, por exemplo, por
fotoexcitao [18] ou dopagem [19]. No primeiro, quando um semicondutor iluminado de
maneira que a energia dos ftons seja maior que o intervalo do gap do material, eltrons da
banda de valncia so excitados para a banda de conduo e, como conseqncia, geram
buracos na banda de valncia, aumentando a condutividade do material. Essa contribuio
CAPTULO 2. INTRODUO TERICA
condutividade aumenta com a intensidade de luz e cai a zero quando desliga-se a fonte
de luz. Outra maneira de aumentar a condutividade dos semicondutores pela adio de
impurezas ao mesmo, isto , substituem-se alguns tomos do semicondutor por tomos
de outro elemento com porm, valncia diferente. Esse ltimo tipo de condutividade
denominado de condutividade extrnseca e o processo de substituio dos tomos do
material puro, de dopagem.
Cristais semicondutores tpicos so os elementos da coluna IV da Tabela Peridica,
Silcio e Germnio; compostos binrios do tipo III-V como, GaAs, GaSb, InP; compostos
IV-VI tais como PbS, PbSe, PbTe; compostos II-VI como CdSe, CdTe e Cu2 S; alm de
compostos ternrios Inx Ga1x As e quartenrios. A seguir, apresentaremos as principais
caractersticas dos cristais constituintes do dispositivo em estudo.
2.1.1
Propriedades dos cristais GaAs, (AlGa)As, e InAs
Materiais semicondutores III-V como GaAs, AlAs, AlGaAs e InAs, cristalizam-se em

uma estrutura denominada blenda de zinco (zinc-blend ), a qual consiste de duas redes
cbicas de faces centradas interpenetradas e deslocadas ao longo da diagonal principal
do cubo. A clula elementar contm dois tomos, sendo um localizado na origem (0,0,0)
e outro em (a/4, a/4, a/4), onde a o parmetro de rede da clula convencional, e cada
tomo de Ga, Al ou In tem quatro tomos de As como vizinhos prximos e vice-versa [20].
Na figura 2.1 temos a representao da estrutura em questo.
GaAs
O GaAs possui seu parmetro de rede dado por a = 0, 565325 + 3, 88.106 (T 300K)
nm, onde T a temperatura em Kelvin.
A rede recproca da rede cbica de face centrada uma rede cbica de corpo centrado,
cujo tamanho da clula unitria b = 4/a. A primeira zona de Brillouin desta rede
recproca um octaedro truncado. Na figura 2.2 apresentamos a primeira zona de Brillouin
e alguns pontos de alta simetria [20].
Em relao estrutura de bandas do GaAs, conforme figura 2.3, podemos observar o
mnimo da banda de conduo (BC) e o mximo da banda de valncia (BV) localizados
no mesmo ponto de alta simetria (~k = 0) da zona de Brillouin, por isso o GaAs
caracterizado por ser uma estrutura com gap direto.
Figura 2.1: Estrutura cristalina zinc-blend para semicondutores III-V. As esferas claras
representam tomos de Glio, e as escuras tomos de Arsnio para o caso do GaAs. No
AlAs ou InAs as esferas claras representam os tomos de Alumnio ou ndio [20].
Figura 2.2: Primeira zona de Brillouin da rede cbica de face centrada com os pontos de
alta simetria [20].
Na ausncia de acoplamento spin-rbita, as trs bandas de valncia so degeneradas no
ponto (~k = 0). O acoplamento spin-rbita quebra esta degenerescncia em seis nveis que
originam um quadrupleto (simetria 8 ) e um dupleto (simetria 7 ). Em semicondutores
III-V o quadrupleto tem sempre energia maior que o dupleto, e a separao de energia entre
eles representada pelo smbolo . Em torno de ~k = 0 as bandas de valncia apresentam

curvaturas diferentes. A diferena na curvatura destes estados, de acordo com a definio
de massa efetiva 1/m = (1/~2 )d2 E(~k)/d~k 2 , faz com que as massas efetivas dos portadores
que ocupam tais estados sejam distintas. Os buracos de maior massa so denominados
buracos pesados hh (do ingls heavy hole), e os buracos de massa menor so chamados
buracos leves lh (do ingls light hole). A transio fundamental para materiais III-V
de gap direto envolve o mximo da banda de valncia em V8 e o mnimo da banda de
conduo C
6 e representada por Eg . No GaAs Eg = 1, 5194eV para T = 2K e 1, 424eV
para T = 300K [20]. No GaAs bulk, no ponto de simetria os estados de buracos

apresentam a mesma energia, ou seja, so degenerados. Por esta razo, as transies
entre eltrons e buracos ocorrem entre os nveis de eltrons e nveis de buraco pesado,
pois no se distingue buracos leves de pesados em virtude desta degenerescncia.
Figura 2.3: (a) Estrutura de bandas do GaAs no espao dos momentos. (b) Estrutura de
bandas em trs dimenses [20].
AlAs
O Arseneto de Alumnio (AlAs) possui parmetro de rede a = 0, 56611+2, 90.106 (T
300K) nm. Sua estrutura de bandas muda significativamente em relao ao GaAs, como
pode ser observado na figura 2.4. O extremo da banda de valncia est no ponto V8 , e o
mnimo da banda de conduo encontra-se no ponto X6 , ou seja, os mximos e mnimos
das bandas de conduo e valncia no esto no mesmo ponto de simetria. Materiais
semicondutores com esta estrutura de banda so ditos terem gap indireto. No AlAs
Eg = 2, 24eV em T = 2K e 2,16 eV para T = 300K [20].
Figura 2.4: Estrutura de bandas do AlAs no espao dos momentos [20].
A liga Alx Ga1x As

A liga Alx Ga1x As possui a mesma estrutura do GaAs, com exceo de que uma frao
x de tomos de Ga tenha sido substitudo por tomos de Al. As grandezas, tais como o
parmetro de rede, a constante dieltrica, a massa efetiva dos portadores de carga, o gap
de energia, entre outros, dependem da concentrao de alumnio (x ). Estes parmetros
podem ser obtidos por meio de interpolao simples, como funo linear dos parmetros
dos compostos binrios (Lei de Vegard) acrescentado-se, em alguns deles, como o gap,
por exemplo, correes estimadas por medidas experimentais. Atravs destas medidas
so determinados os denominados termos de bowing: termos quadrticos nas expresses
que mostram a dependncia de determinados parmetros com a composio relativa dos
materiais.
Dessa maneira, o parmetro de rede da liga ternria Alx Ga1x As obtido pela interpolao linear simples:
aAlGaAs (x) = 5, 6535 + 0, 0094x
Desta equao, obtemos que o descasamento de rede entre GaAs e AlAs de apenas
0, 17% a 300 K [20], o que torna o crescimento de interfaces compostas por estas ligas
livres de efeitos de tenso (strain).
Para grandes valores de x, o mnimo da banda de conduo se encontra no ponto X,

da mesma maneira que no AlAs. Se reduzirmos a concentrao de alumnio faz aumentar
a energia do vale X em relao ao . Dessa maneira, para concentraes de x < 0, 45, o
ponto X encontra-se acima de , da mesma maneira que no GaAs. Em relao banda
de valncia, para todos os valores de x, o ponto de maior energia encontra-se no ponto .
A dependncia do gap de energia com a concentrao de alumnio na liga AlX Ga1X As
calculada por:
EgAlGaAs (x) = xEgAlAs + (1 x)EgGaAs x(1 x)C AlGaAs
onde C AlGaAs a constante de bowing.
InAs
Por fim, o InAs atraiu grande ateno nos ltimos tempos, devido principalmente s
aplicaes em dispositivos opto-eletrnicos que utilizem grandes comprimentos de ondas
[21], pois este material alm de possuir gap direto de energia (figura 2.5), a energia de
separao entre as bandas de conduo e valncia pequena quando comparada, por
exemplo, ao gap do GaAs. O valor do gap de energia de 0,417 eV em 2 K. Outro
ponto importante o fato do InAs possui sua rede cristalina com parmetro de rede 7%
diferente em relao ao GaAs (a = 0, 60583 + 2, 74.106 (T 300K) nm). Isso faz com que
quando crescemos camadas epitaxiais dos dois materiais, conforme veremos mais adiante,
tenhamos efeitos de tenso na rede cristalina, podendo resultar em aglomerados 3D.
2.2
Heteroestruturas semicondutoras
Heteroestruturas consistem de camadas de dois ou mais materiais diferentes crescidos

sobre uma estrutura cristalina comum (substrato). Podemos defini-las, portanto, como
estruturas nas quais a composio qumica varia de acordo com a posio [23]. Tcnicas
atuais de crescimento epitaxial, como por exemplo o MBE (Molecular Beam Epitaxy), permitem o crescimento controlado dessas heteroestruturas, monocamada por monocamada,
atravs de feixes moleculares ou atmicos [24, 25]. Essa tcnica consiste na deposio
controlada de tomos ou molculas de determinados elementos sobre uma base cristalina
em condies de ultra-alto vcuo ( 1010 Torr, ou seja, 1013 vezes menor que a presso
Figura 2.5: Estrutura de bandas do InAs no espao dos momentos [22].

atmosfrica). O ambiente de ultra-alto vcuo assegura a integridade dos feixes incidentes
durante o crescimento e limita os nveis de impurezas no intencionais que eventualmente
possam ser incorporadas nas amostras durante o processo de formao do filme. Dessa
maneira, podemos construir estruturas como a da figura 2.6, a qual devido superposio
dos materiais com gaps de energias diferentes forma uma regio de confinamento: o poo
quntico.
O conceito de poo quntico foi proposto inicialmente por Esaki e Tsu em 1970 [26].
Tomando como exemplo um poo formado pelas ligas AlGaAs/GaAs/AlGaAs, eltrons
so aprisionados nas camadas de GaAs pelo potencial das barreiras do AlGaAs, devido
s descontinuidades das bandas de conduo de ambos. Da mesma forma, buracos so
aprisionados pela descontinuidade nas bandas de valncia. Se a largura do poo for da
ordem do comprimento de onda de de Broglie, teremos estados quantizados de energia para
os portadores na direo de crescimento (z), mas o movimento dos portadores permanece
livre nas outras duas direes. Por isso, o poo quntico conhecido como um sistema
quase-bidimensional, no qual o movimento dos eltrons e buracos quantizado em uma
direo e livre nas outras duas. Para calcular os nveis de energia nessa estrutura, devemos
considerar o potencial visto pelos eltrons devido natureza dos diferentes materiais.
Dessa forma, utilizamos a equao de Schrdinger envolvendo um Hamiltoniano efetivo
[27]:
10
Figura 2.6: (a) Perfil de potencial correspondente ao esquema de uma estrutura hipottica
de dois materiais diferentes crescidos por MBE (b).

p2
+ Vef (z) e (~r) = (Ee Ec )e (~r)
2me
(2.1)
onde me a massa efetiva do eltron e Vef (z) o potencial efetivo, como o representado
na figura 2.6(a). As funes so as funes de onda envelope, que tm a forma:
e (~r) = exp(ikx x)exp(iky y)e (~z)
(2.2)
onde e (z) a soluo da equao de Schrdinger unidimensional como no potencial

da figura 2.6(a). Isso nos leva a um problema elementar de mecnica quntica, o poo
retangular de potencial.
2.2.1
Diodo de dupla barreira e tunelamento ressonante
Um diodo de dupla barreira consiste basicamente de um poo quntico no-dopado

inserido entre barreiras de potencial, tambm no-dopadas, e regies fortemente dopadas,
denominadas de contatos. Os contatos so identificados como emissor ou coletor, dependendo da polaridade dos potenciais eltricos aplicados ao diodo e, consequentemente, da
11
emisso ou atrao de portadores por eles. Alm disso, esses contatos podem ser dopados,
tipo-p (p-i-p), tipo-n (n-i-n) ou um com dopagem tipo-p e outro tipo-n (p-i-n). No caso
de um diodo com dopagens n-i-n (p-i-p), a corrente majoritariamente devida a eltrons
(buracos) e no caso de dopagens p-i-n, temos como portadores majoritrios tanto eltrons
quanto buracos. Em nosso trabalho utilizamos uma amostra n-i-n.
Sabemos da Mecnica Quntica, que existe uma probabilidade no-nula de uma partcula
atravessar uma barreira de potencial, mesmo se sua energia for menor que a altura da
barreira. No caso de nossa heteroestrutura, tambm existe a probabilidade de portadores de carga (eltrons ou buracos) tunelarem as barreiras da estrutura, porm essa
probabilidade mxima, se a energia do portador no contato, coincidir com a energia
do nvel quantizado do poo, denominado estado ressonante. Podemos alterar a energias
dos estados ressonantes aplicando campo eltrico. A presena do campo eltrico altera o
perfil de potencial mudando a posio do nvel confinado no poo quntico (efeito Stark)
[28], como pode ser visto na figura 2.7. Assim, podemos alterar o fluxo de portadores
variando a intensidade do campo eltrico aplicado. Desta forma, a aplicao de uma
tenso externa V permite obter o alinhamento dos estados ressonantes no poo quntico
(quantum well -QW) com a energia dos portadores no contato (condio de tunelamento
ressonante). Nesta situao, a corrente comea fluir quando E0 alcana o nvel de Fermi
(Ef ) no emissor (figura 2.7(b)) e atinge seu mximo quando E0 coincide com a borda
da banda de conduo no emissor(figura 2.7(c)). Logo aps o pico da ressonncia, temos
uma regio de resistncia diferencial negativa, fenmeno que trouxe muito interesse na
pesquisa em tais dispositivos em aplicaes como osciladores de alta frequncia. Aps a
primeira ressonncia, se houver outros estados ressonantes no QW com energia maior, o
processo voltar a se repetir medida que aumentarmos a tenso. Assim, cada pico da
curva I(V) deve-se ao tunelamento atravs de um estado ressonante do poo.
O tunelamento ressonante pode ser classificado como coerente ou incoerente. No processo de tunelamento coerente a energia e o momento paralelo s interfaces das barreiras
so conservados, sendo que a estrutura de barreira dupla um invariante translacional.
Em outras palavras, a energia total dos eltrons, E(k), pode ser separada em componentes
no plano (x e y) e vertical (direo z):
~(kx2 + ky2 )
Ek =
+ Ez
2m
(2.3)
12
Figura 2.7: Perfil da banda de conduo de um diodo de dupla barreira do tipo n-i-n para
trs diferentes tenses: (a) zero volts; (b) tenso V, onde inicia-se o tunelamento e (c)
sobre a ressonncia.
onde m a massa efetiva do eltron no plano xy. O movimento lateral dos eltrons pode
ser simplesmente expresso na forma de uma onda plana com vetor de onda ~k = (kx , ky ).
O tunelamento ressonante atravs do diodo depende basicamente da probabilidade
de transmisso, porm podemos obter a curva caracterstica de corrente versus tenso
a partir de um modelo simples. Para o tratamento do emissor 3D fortemente dopado
e temperatura zero, consideramos em primeira aproximao o modelo de eltrons livres.
Nessa aproximao os eltrons ocupam uma esfera de Fermi de raio kf , que o nmero de
onda de Fermi na regio do emissor. Como o tunelamento coerente conserva os nmeros
de onda laterais (kx e ky ) e a componente da energia Ez , o estado eletrnico envolvido no
processo pode ser representado pela interseco do plano kz = qr com a esfera de Fermi
de raio kf , onde qr o nmero de onda associado com a energia do estado ressonante do
eltron no QW:
p
2m (E0 Ec )
qr =
~
(2.4)
onde E0 a energia do estado ressonante no poo quntico, e Ec a energia do fundo

da banda de conduo no emissor. A densidade de corrente de tunelamento deve ento
ser proporcional densidade de estados correspondente area da interseco do crculo
como indicada na figura 2.8.
Entretanto, como a probabilidade de transmisso atravs do estado ressonante apro-
13
Figura 2.8: Representao da esfera de Fermi no emissor com a interseco kz = qr para

uma certa voltagem aplicada ao diodo
ximadamente constante no intervalo de tenso aplicada, a corrente de tunelamento pode
ser expressa da seguinte maneira:
J (kf2 qr2 ) (Ef E0 )
(2.5)
onde Ef a energia de Fermi local no emissor. Como Ef E0 proporcional tenso

aplicada, J cresce linearmente at E0 cair abaixo do extremo da banda de conduo no
emissor, fazendo com que a curva caracterstica I(V) obtida possua forma aproximadamente triangular, como ilustrado na figura
Figura 2.9: Curva caracterstica de I(V) para um diodo de dupla barreira ilustrando seu
perfil triangular. Os ndices (a), (b) e (c) referem-se situao representada na figura 2.7.
Este, portanto, representa o caso onde temos tunelamento coerente. Em casos reais
existem sempre processos de tunelamento incoerente em superposio ao tunelamento
coerente. No tunelamento incoerente os eltrons tunelam para dentro do poo quntico
atravs de interaes com fnons acsticos ou pticos, impurezas, rugosidade das interfaces
e outros. Essas interaes carregam parte do momento dos eltrons de modo que no
14
tunelamento no tenhamos mais conservao de momento. Estes processos aumentam a

largura de linha dos estados envolvidos, de modo que o pico da curva I(V) se alarga e a
corrente na regio aps a ressonncia (vale) aumenta.
Uma outra caracterstica importante do diodo de dupla barreira o fato de que,
para impedir a difuso de portadores do contato, o qual altamente dopado, para as
barreiras ou poo, crescida uma camada no-dopada de GaAs entre os contatos e a
barreira, denominada espaante. Dessa forma, quando aplicamos tenso no diodo, ocorre
uma deformao do perfil de potencial, como discutido anteriormente, e essa camada
espaante tambm se deforma na presena de campo eltrico, dando origem a um poo
triangular com a presena de um ou dois nveis de energia quantizados prximos barreira,
conforme ilustra a figura 2.10, para a banda de conduo. Situao semelhante ocorre na
banda de valncia com os buracos fotogerados no coletor (no caso de uma amostra n-i-n
na presena de luz). Essa regio na presena de campo eltrico vai levar a um acmulo
de portadores nesse poo triangular, por isso, essa regio denominada de camada de
acumulao. Diante desta situao teremos duas situaes de transporte:
Figura 2.10: Representao do perfil da banda de conduo de um diodo sob efeito do

campo eltrico. direita, representao dos dois tipos de tunelamento: 3D-2D (ou balstico) no topo e 2D-2D mais em baixo.
15
Tunelamento 3D-2D (balstico): quando os eltrons injetados pelo emissor no

chegam a termalizar para os estados de menor energia do poo triangular;
Tunelamento 2D-2D: quando os eltrons injetados termalizam para os estados de
menor energia do poo triangular, formando um gs bi-dimensional (2D)
Como consequncia, no segundo caso, as curvas de I(V) devem apresentar ressonncias simtricas e estreitas correspondentes ao tunelamento 3D-2D. Alm disso, quando
tratarmos de luminescncia, esse ser tambm um importante canal de recombinao de
portadores.
2.2.2
Pontos qunticos
Um ponto quntico (Quantum dot - QD), um sistema no qual o confinamento dos

portadores acontece em todas as trs direes espaciais, resultando num espectro discreto
de energia. Isso justifica o fato de muitas vezes serem chamados de tomos artificiais.
O rpido desenvolvimento das tcnicas de crescimento epitaxial, juntamente com o
progresso nos mtodos de litografia, tem aberto novas possibilidades para a criao artificial de sistemas fsicos ultra-pequenos com propriedades que podem ser controladas. Alm
disso, tal progresso tem permitido a obteno de sistemas onde tenhamos um completo
confinamento de portadores em pequenas caixas artificialmente construdas com dimenses da ordem de poucos nanmetros, os j mencionados pontos qunticos. A forma dos
pontos qunticos e suas vrias outras propriedades podem ser modeladas, dependendo
somente da maneira como eles so produzidos. A seguir, descreveremos trs mtodos
utilizados para a produo de pontos qunticos, sendo eles: auto-organizao, litografia e
campo eltrico modulado [29].
Mtodo de auto-organizao (self assembled )
Quando queremos crescer um material (Material A) sobre outro (Material B), como
representado esquematicamente na figura 2.11(a), e estes possuem parmetros de redes
diferentes, podemos obter a produo de QDs de maneira natural. Existem trs maneiras
de obtermos pontos qunticos: mtodo Frank-van der Merwe, Volmer-Weber e StranskiKrastanov [30].
16
Figura 2.11: (a) Representao das ligas do substrato, Material B, e do filme a ser crescido,
Material A. (b) Modo de crescimento Frank-van der Merwe (FW). (c) Modo de crescimento Volmer-Weber (VW). (d)Modo de crescimento Stranski-Krastanov (SK).
O regime Frank-van der Merwe, ou crescimento 2D, ocorre quando o material e o
substrato sobre o qual crescido possuem a mesma estrutura cristalina e um parmetro
de rede muito prximo (diferena entre os parmetros de rede a < 2%), no havendo
tenso significativa nas camadas crescidas do material B, formando-se ento um QW
(figura 2.11(b)).
Por outro lado, nos regimes Stranski-Krastanov e Volmer-Weber o material a ser
crescido possui um parmetro de rede consideravelmente diferente daquele do substrato,
e fenmenos diferentes so observados. No crescimento do tipo Volmer-Weber ocorre uma
nucleao de pequenos aglomerados diretamente sobre o substrato (Figura 2.11(c)). Neste
caso os tomos do material que est sendo crescido sobre o substrato, tm energia de ligao maior entre si do que com o substrato, de modo que se aglutinam em ncleos sobre
o substrato.
Por fim, no modo de crescimento denominado de Stanski-Krastanov, temos um crescimento intermedirio comparado aos dois citados anteriormente. O descasamento do
parmetro de rede 2% . a . 8%. Nesse modo a camada em crescimento assume
o parmetro de rede do substrato, surgindo assim, uma tenso mecnica que aumenta
medida em que a quantidade de material depositada aumentada. Mesmo sob tenso, o
17
crescimento mantm-se coerente e a camada crescida possui parmetro de rede idntico

ao do substrato. Entretanto, a partir de uma certa espessura crtica, que depende dos
materiais do substrato e da camada que est sendo crescida, e tambm das condies
de crescimento, a tenso no pode mais ser mantida pelas camadas epitaxiais e ocorre
a formao de pequenas ilhas tridimensionais, relaxando a tenso que existia. Aps a
relaxao, estas ilhas tendem a assumir o parmetro de rede do material do qual elas so
constitudas, como indicado na figura 2.11. Essas pequenas ilhas so os chamados pontos qunticos e a fina camada depositada sobre o substrato, como apresentado na figura
2.12, situada logo abaixo dos pontos qunticos recebe o nome de wetting layer ou camada
molhante [30, 31].
Figura 2.12: Representao esquemtica mostrando a relaxao do parmetro de rede

durante o processo de crescimento de pontos quticos auto-organizados.
Pontos qunticos auto-organizados podem ser crescidos por MBE ou por MOCVD
(metal organic chemical vapor deposition) para uma grande variedade de materiais semicondutores como: In(Ga)As/GaAs, InP/InGaP, GaSb/GaAs, InSb/GaSb, Si(Ge)/Si e
outros [30].
Uma desvantagem desse processo de formao o fato de no ser possvel controlar o
tamanho dos pontos qunticos, uma vez que estes so produzidos de maneira natural.
18
Mtodo de litografia
No final dos anos 80, Reed e colaboradores fabricaram os primeiros pontos qunticos
a partir de uma estrutura contendo um gs de eltrons bidimensional utilizando a tcnica
de litografia [3]. Na figura 2.13(a) pode ser visto um esquema ilustrativo dos passos do
processo utilizado para fabricao de pontos qunticos por meio desta tcnica.
Como pode ser visto na figura 2.13(a.1), o passo inicial para a fabricao dos pontos
qunticos consiste em cobrir por completo a superfcie de uma amostra, que contm um
ou mais poos qunticos, com uma camada de polmero e ento expor parcialmente esta
camada a luz. O padro exposto o que gerar a forma da nanoestrutura que se deseja
fabricar. Em seguida, expe-se a rea em questo (que no est coberta com polmero) a
feixes de eltrons ou feixes de ons. O prximo passo remover a rea exposta com um
solvente apropriado figura (2.13(a.2)). Aps a remoo, toda a superfcie da amostra
recoberta por uma fina camada metlica (figura 2.13(a.3)). Novamente, utilizando uma
soluo adequada, o filme de polmero restante e a fina camada metlica que o cobre so
removidos. Como mostrado na figura 2.13(a.4), somente a rea da amostra previamente
exposta que permanece com a fina camada metlica.
Figura 2.13: (a) Processo de fabricao de pontos qunticos utilizando litografia. (b)
Imagem de microscopia eletrnica de varredura de pontos qunticos individuais quadrados
obtidos por meio da tcnica de litografia, a partir de um poo quntico de GaAs/AlGaAs.
Imagens reproduzidas da referncia [31].
A figura 2.13(a.5) mostra o prximo e ltimo passo que o etching (corroso qumica)
19
das reas no protegidas pela camada metlica. Aps o etching, finos pilares so criados,
produzindo, assim, pontos qunticos individuais (figura 2.13(a.6)). Desta forma, o movimento dos eltrons que estavam confinados inicialmente somente ao longo da direo de
crescimento, devido ao poo quntico, restrito agora, tambm, a pequenos pilares com
dimetros da ordem de 10 a 100 nm [3]. A desvantagem desse processo que a corroso
qumica pode criar defeitos no radiativos, resultando em pontos qunticos com pouca
eficincia na emisso ptica.
Mtodo de campo eltrico modulado
Uma outra tcnica muito utilizada para se obter confinamento nas trs direes espaciais consiste na fabricao de eletrodos de dimenses micromtricas ou mesmo menores,
por meio de litografia, sobre a superfcie de uma amostra contendo um poo quntico.
A aplicao de uma voltagem apropriada nos eletrodos produz um campo eltrico espacialmente modulado, o qual localiza os eltrons dentro de uma pequena rea. Uma das
vantagens dessa tcnica que o confinamento lateral criado no apresenta defeitos de
bordas, o que por outro lado uma caracterstica de estruturas produzidas quando se
utiliza etching [3].
Em estruturas formadas por essa tcnica possvel controlar muitas das variveis que
definem um ponto quntico como, por exemplo, tamanho do ponto e nmero de eltrons
confinados.
A figura 2.14 mostra um ponto quntico produzido por um campo eltrico modulado.
Figura 2.14: Ponto quntico produzido por um campo eltrico modulado. Os quatro
eletrodos internos localizam os eltrons e os quatro eletrodos externos servem como contatos para que os eltrons possam tunelar para dentro ou para fora do ponto quntico.
Imagem reproduzida da referncia [32].
2.2.3
20
Diodos de tunelamento ressonante com pontos qunticos
A amostra estudada nesse trabalho consiste de um diodo de tunelamento ressonante

com pontos qunticos no centro do poo quntico. A tcnica utilizada para obteno
desse tipo de amostra foi o MBE; dessa forma estamos tratando de pontos qunticos autoorganizados, localizados no centro do poo. Essa tcnica de produo, como comentado
anteriormente, no permite o controle preciso do tamanho dos pontos qunticos, por
isso, o que encontramos uma densidade de QDs ( 1011 cm2 ) com uma distribuio
abrangendo vrios tamanhos. Isso ter consequncias importantes, como ser discutido
mais adiante na seo 2.4.
Alm disso, o diodo em estudo apresenta uma caracterstica extra que o diferencia dos
demais, alm da presena de duas barreiras de AlGaAs e poo de GaAs, esse diodo possui
QDs de InAs. Como visto anteriormente, o gap de energia do InAs menor comparado
ao do GaAs (0,354 eV e 1,424 eV respectivamente a 300 K). Dessa maneira, podemos
dizer que os QDs de InAs atuam como um confinamento adicional localizado no centro
do poo quntico. Isso resulta em novos canais para tunelamento (no caso do transporte)
e recombinao de portadores (no caso da fotoluminescncia). Isto ser discutido mais
adiante (seo 2.4).
Nosso objetivo estudar o comportamento eltrico e ptico de diodos com QDs no
centro do poo quntico na presena e ausncia de campo magntico aplicado amostra
na direo paralela corrente, ou seja, paralela direo de crescimento da amostra. Na
literatura existem estudos feitos com um diodo semelhante a esse. Nesses estudos anteriores foram exploradas suas propriedades de transporte e pticas. Em particular foram
realizados estudos de fotoluminescncia e capacitncia alm de estudos de tranporte na
presena de campo magntico perpendicularmente corrente eltrica [6, 7, 8]. Nossa
proposta investigar o comportamento desses diodos sob campo magntico aplicado paralelamente direo de crescimento, pois dessa maneira teremos tranporte dependente
do spin do eltron e, alm disso, investigaremos se a recombinao de portadores produz
luz circularmente polarizada.
2.3
21
Efeitos de campo magntico em sistemas 2D
Quando aplicamos campo magntico ao diodo, temos duas alteraes importantes nos
nveis de energia dos portadores que sero citadas a seguir: o confinamento lateral em
nveis de Landau e o efeito Zeeman.
2.3.1
Nveis de Landau
Classicamente, o efeito de um campo magntico intenso sobre o movimento de portadores livres for-los a realizar rbitas circulares de raio ciclotrnico RC = mv/eB e
frequncia ciclotrnica c = eB/m , como representado na figura 2.15.
Figura 2.15: Trajetria circular de um eltron livre sob efeito de campo magntico perpendicular velocidade.
Entretanto, a Mecnica Quntica prev a quantizao da energia do sistema, que se
manifesta como a quantizao das rbitas permitidas aos portadores. Dessa forma, os
nveis de energia do sistema no plano xy, passam a ser dados por:
EN = (N + 1/2)~c
(2.6)
onde N = 0, 1, 2, 3, ... (conhecido como nveis de Landau [33]) e c = eB/m . Dessa

forma, com o aumento do campo magntico aumentamos a degenerescncia destes nveis.
Como pode ser observado, as energias dos nveis de Landau so igualmente espaadas,
dadas por EL = ~c = ~eB/m . Para um dado valor de campo EL inversamente
22
proporcional massa efetiva do portador, dessa forma, a separao dos nveis de Landau
para buracos so muito prximas comparadas s dos eltrons.
Em relao ao tunelamento, da mesma forma que nos casos de tunelamento 3D-2D e
2D-2D sem campo magntico, as componentes do vetor de onda no plano xy devem ser
conservadas. Neste caso, o nmero quntico de Landau (N) deve, portanto, ser conservado
e a curva de I(V) dever apresentar picos de ressonncia simtricos e estreitos, cada um
relacionado a um dado nvel ressonante e seus diferentes nveis de Landau.
2.3.2
Efeito Zeeman
O campo magntico quando aplicado na direo perpendicular aos planos de crescimento da estrutura (direo z) provoca a quebra de degenerescncia de spin dos estados
qunticos, ou seja, o campo magntico provoca uma separao de energia entre os estados
de spin up e spin down. Dessa forma, para cada nvel de energia de Landau, teremos o
desdobramento em dois novos nveis (up e down) e, com isso, teremos diferentes canais
de tunelamento dependente do spin do portador. A emisso de luz acontecer quando
houver recombinao de portadores com o mesmo nmero n de energia do estado quantizado, como por exemplo, e1hh1 ou lh1, e2hh2 ou lh2. Alm disso, a recombinao
ir ocorrer se o momento angular for conservado e isso implicar na emisso de luz circularmente polarizada. Na figura 2.16 temos uma representao esquemtica dessas regras
para o sistema bulk 3D. Se o tunelamento coerente o processo deve conservar o estado
Figura 2.16: Regras de seleo para transies interbandas entre os subnveis mj para a
luz circularmente polarizada + ( direita) ou ( esquerda).
de spin e essa a grande questo do nosso estudo pois, at ento, os vrios estudos realizados relacionados a diodos com pontos qunticos [6, 7, 9, 34, 35] focaram no estudo
23
do tranporte e fotoluminescncia com e sem campo magntico e eltrico, porm no h

nenhum estudo relacionado coerncia de spin nestes dispositivos em especfico.
Resumindo, na presena de campo magntico o Hamiltoniano total do portador pode
ser escrita da seguinte maneira:
H = H0 + HZ + HD
onde, H0 =
HD =
p
~2
2me
~2 ~2
e2 B
R
8me
(2.7)
~ o termo do hamiltoniano sem a presena de campo magntico.

+ V (R)
~ a projeo de R
~ no plano perpendicular a B),
~ o qual apresenta uma
(R
dependncia quadrtica com o campo magntico, denominado termo diamagntico, que

tem como resultado um aumento da energia da partcula com o campo magntico. Por
fim, HZ =
B ~ ~
B.L
~
denominado efeito Zeeman, onde B o chamado Magneton de Bohr
e suas dimenses so de momento magntico:
B =
e~
= 5, 788 105 eV /T
2me
(2.8)
A contribuio Zeeman para a energia da partcula depende de seu spin, ou seja, ela
quebra sua degenerescncia de spin por um valor (em primeira ordem de aproximao):
EZ = mj gj B B
(2.9)
onde gj o fator g de Land. Como podemos notar, a separao nos nveis de spin possui
dependncia diretamente proporcional com esse fator, o qual possui grande dependncia
com o confinamento, ou seja, forma e tamanho dos pontos qunticos [36, 37]. Por isso,
a forma dos quantum dots pode afetar consideravelmente a separao entre as energias
Zeeman e, uma vez que estamos trabalhando com um grande conjunto de pontos qunticos
com formas e tamanhos variveis conclumos que a polarizao que encontrarmos nos
nossos resultados sero consequncia do tipo de QD predominante na amostra.
2.4
Trabalhos anteriores
Nesse trabalho, realizamos um estudo detalhado de propriedades magneto-pticas e

de magneto-transporte em uma amostra com quantum dots de InAs no centro do poo
quntico. Uma outra parte dessa amostra foi estudado anteriormente pela equipe do Prof.
Henini e Prof. Eaves da University of Nottingham. Esses trabalhos reportaram vrios
24
Figura 2.17: Curvas de corrente versus tenso a uma temperatura de 10 K para as

amostras qd1 (com 1,8 monocamadas de InAs), qd2 (com 2,3 monocamadas de InAs,
semelhante a utilizada nos nossos estudos) e c (sem monocamadas de InAs). Para melhor
visualizao, as curvas foram deslocadas verticalmente. e1 e e2 indicam o primeiro e o
segundo pico ressonante na amostra c. Os insets mostram o perfil de potencial do RTD
sem voltagem aplicada para a amostra c e qd1 ((c) e (b)) sem acmulo de cargas no dots
e com acmulo de cargas nos dots (a). Figura obtida da referncia [7].
resultados interessantes relativos a propriedades pticas e de transporte desse sistema
[6, 7]. Apresentaremos a seguir os principais resultados desses trabalhos.
Primeiramente, em relao s medidas eltricas, foi notado que a presena dos QDs
alterava a posio em voltagem das ressonncias eltricas quando comparados a diodos
iguais, porm sem QDs (figura 2.17).
Para explicar tal fenmeno, calculou-se os nveis de energia para a estrutura, a qual
considerava um poo finito de GaAs, com monocamadas de InAs localizadas no centro
desse poo [8]. A presena do InAs pode ser interpretada como um segundo poo quntico
estreito, devido diferena de gaps entre o GaAs e o InAs. Por fim, esse poo faz com que
a funo de onda, principalmente as mais prximas do fundo do poo, ou as de menores
energias, sejam perturbadas (figura2.18). Podemos notar que a funo de onda com n
mpar (1 , 3 , ...) so as que mais so afetadas. Podemos observar tambm que o nvel
25
de energia e1 na amostra com o dot fica abaixo da banda de conduo do GaAs.
Figura 2.18: Esquema do perfil de potencial dos auto-estados dos eltrons (e) e das
funes de onda , para um poo de 12nm de GaAs/Al0.4 Ga0.6 As sem ( esquerda) e
com ( direita) 1,5 monocamadas de InAs. Figura obtida da referncia [7].
Em relao s medidas pticas, estudos mostraram que a posio em energia do pico
de luminescncia tambm se desloca para menor energia, quando comparado com uma
estrutura sem dots (figura 2.19). Tal fato foi observado nas medidas de luminescncia
(figura 2.19) em quatro amostras, todas possuem a mesma estrutura que a utilizada na
nossa, porm a amostra wl no possui QDs no poo, mas sim apenas a camada de
wetting layer ; a amostra qd1, constituda 1,8 ML de InAs em seu poo e a qd2 (idntica
utilizada em nossos estudos) constituda 2,3 ML de InAs no poo quntico. Com isso,
podemos notar que o deslocamento do pico de luminescncia para menor energia maior,
ou seja, quanto maior o nmero de monocamadas de InAs, maiores os tamanhos dos QDs
e menores so as energias destes.
O tempo gasto para um buraco atravessar as duas barreiras do diodo, fora da ressonncia dado aproximadamente pelo tempo de uma simples transio pelo poo, (t w/t
1013 s), onde t a velocidade do buraco e w a largura do poo. Porm, quando um
buraco tunela ressonante em um estado ligado do poo quntico, o intervalo de tempo
desse tunelamento denominado dwell time (d ), muito maior, sendo da ordem de
( 106 108 s). O longo dwell time corresponde ao aumento ressonante da densidade
de probabilidade da funo de onda do buraco no poo. O tempo de captura de um
portador pelos quantum dots da ordem de 1 ps [38]. Portanto, fora da ressonncia,
26
Figura 2.19: Espectros de PL a 10 K para amostras com uma wetting layer (wl), qd1 e
qd2. O espectros esto deslocados verticalmente para melhor clareza. O inset mostra o
espectro de luminescncia para a amostra sem dots. Figura obtida da referncia [7].
a maioria dos buracos fazem uma simples passagem pelo poo, sem interagir com os
QDs; eles atravessam as duas barreiras e recombinam com os eltrons nos contatos. Por
outro lado, na ressonncia, o dwell time no poo suficientemente longo para que grande
parte dos buracos buracos sejam capturados pelos QDs, onde eles recombinam-se com os
eltrons tambm capturados pelos quantum dots na banda de conduo. Esse aumento
na densidade de portadores capturados pelos QDs faz com que tenhamos um aumento
na intensidade de luminescncia na mesma regio em que observamos a ressonncia nos
nveis de energia do poo.
Os resultados apresentados nesta seo serviram de base para a caracterizao de nossa
amostra a qual, como poder ser visto mais adiante, possui caractersticas muito similares
aos trabalhos j publicados.
Captulo 3
MATERIAIS E MTODOS
EXPERIMENTAIS
As medidas apresentadas neste trabalho foram realizadas no laboratrio de Fotoluminescncia no Grupo de Semicondutores da UFSCar e no laboratrio do Grupo de Propriedades pticas da Unicamp. No primeiro foram feitos as medidas de caracterizao
sem campo magntico das amostras e no segundo foram feitas as medidas com campo
magntico utilizando um magneto-criostato. Este captulo destina-se descrio das
amostras utilizadas e discusso da fenomenologia envolvida nas tcnicas experimentais
empregadas neste trabalho, bem como na descrio das tcnicas e aparatos experimentais
utilizados.
3.1
Amostra
Nesse trabalho utilizamos duas amostras. Uma delas (NU 1941) consiste de um RTD
com barreira dupla simtrica GaAs/(AlGa)As tipo n-i-n com 2,3 ML de InAs localizada
no poo (essa unidade de espessura de camadas significa que, levando em conta a taxa
de crescimento do InAs, o tempo gasto para o crescimento dos QDs foi o equivalente ao
crescimento de 2,3 monocamadas, o que resultaria em 1,3934 nm). A segunda, denominada
como amostra referncia, possui as mesmas especificaes citadas anteriormente, mas sem
a camada de InAs no poo (NU1943). Com isso, poderemos comparar os resultados das
duas amostras quanto s medidas de tranporte e pticas. As amostras em questo foram
crescidas por M. Henini da University of Nottingham (UK) e processadas por G. Hill da
27
CAPTULO 3. MATERIAIS E MTODOS EXPERIMENTAIS
28
University of Sheffield (UK).

A estrutura foi crescida sobre um substrato de GaAs dopado tipo-n por epitaxia de
feixe molecular (MBE) e os diodos foram obtidos por litografia.
Tabela 3.1: Estrutura da amostra estudada nesse projeto (NU1941).
Contato GaAs
3.102 nm
n = 3.1018 cm2
GaAs dopado com Silcio
50 nm
n = 2.1017 cm3
Camada espaante de GaAs
50 nm
No dopado
Barreira de Al0,4 Ga0,6 As
8,3 nm
No dopada
Poo Quntico de GaAs
6 nm
No dopado
Camada de InAs
2,3 ML
No dopada
Poo Quntico de GaAs
6 nm
No dopado
Barreira de Al0,4 Ga0,6 As
8,3 nm
No dopada
Camada espassadora de GaAs
50 nm
No dopado
GaAs dopado com Silcio
50 nm
n = 2.1017 cm3
Contato GaAs
3.102 nm
n = 3.1018 cm3
A tabela 3.1 descreve as caractersticas das estruturas investigadas. A amostra referncia (NU1943), no possui a camada de InAs no centro do poo.
A amostra que ser utilizada em nossos estudos est representada na figura 3.1.
3.2
Medidas de transporte
Neste trabalho, grande parte das medidas foram feitas na presena de voltagem externa aplicada ao diodo. Para isso, o diodo foi apropriadamente conectado a um circuito
fechado DC, para possibiltar a aplicao de voltagem e a leitura de corrente sobre o diodo
atravs de uma fonte de voltagem e um ampermetro. A figura 3.1 mostra o esquema de
montagem do circuito. Para obteno das curvas de corrente versus tenso, denominadas
I(V), foi desenvolvido um software especfico para controlar a fonte de voltagem. A fim
de minimizar possveis resistncias parasitas no circuito fechado, como por exemplo, a
resistncia interna do ampermetro e dos cabos, a voltagem foi aplicada numa configurao de quatro pontas, o que significa dizer que os dois terminais provenientes da fonte
de tenso tm seu valor corrigido pela queda de potencial nesses parasitas do circuito.
Para que essa correo ocorra, dois outros terminais so conectados fonte de tenso
29
Figura 3.1: Representao da amostra NU1941, utilizada nos nossos estudos, e o esquema
do circuito DC conectado ao diodo.
e verificam o valor real da voltagem aplicada sobre o diodo, fazendo com que a tenso
nominal aplicada pela fonte seja realmente aquela que est sobre os contatos do diodo.
Em todos os experimentos foi aplicada voltagem negativa no contato inferior, adjacente ao substrato da amostra, para que os buracos fotogerados no contato superior
pudessem fluir em direo ao poo quntico e aos pontos qunticos, possibilitando com
isso a recombinao dos portadores capturados pelos dots.
3.3
Medidas de fotoluminescncia
Fotoluminescncia (do ingls Photoluminescence - PL) a emisso espontnea de luz

de um material sob excitao ptica. A tcnica de fotoluminescncia consiste na anlise
dos canais de recombinao radiativos do par eltron-buraco foto-excitado.
Esta tcnica, de grande versatilidade na caracterizao ptica de semicondutores, permite o estudo das propriedades pticas em funo da temperatura, intensidade de excitao e campos magnticos externos. As caractersticas dos espectros de emisso da
amostra permitem identificar impurezas, desordem na composio de ligas, gaps de ener-
30
gia, rugosidade de interfaces e investigar nveis discretos de energia. Alm disso, importante destacar que esta uma tcnica de caracterizao no-destrutiva.
No diodo em estudo, excitamos a amostra com um feixe de laser. A excitao ocorre no
contato superior do diodo, regio altamente dopada com eltrons. O laser fornece energia
suficiente para que os portadores da banda de valncia do GaAs sejam excitados para a
banda de conduo. Os eltrons e buracos excitados relaxam para o fundo da banda de
conduo e topo da banda de valncia emitindo fnons e, podem se recombinar. Por outro
lado, se alm de excitarmos a amostra, aplicarmos uma diferena de potencial, faremos
com que os portadores difundam e tunelem para dentro do poo; nessa situao, existiro
duas possibilidades: o eltron/buraco poder relaxar para algum nvel de energia do dot
e se recombinar, ou podem tunelar diretamente atravs da segunda barreira e contribuir
para a corrente eltrica do diodo, como pode ser visto na figura 3.2.
Figura 3.2: Perfil de potencial e dinmica dos portadores sob influncia de campo eltrico
aplicado e excitao com energia maior que o gap entre a banda de conduo e de valncia.
Na figura podemos observar a existncia de recombinao de portadores tanto nos dots,
quanto no contato do diodo.
31
A intensidade da PL (IP L ) emitida o resultado da competio entre processos radiativos e no-radiativos (buracos tunelando para fora dos quantum dots e do poo e a
emisso de fnons), dependendo da densidade de eltrons e buracos nos nveis fundamentais dos quantum dots. No caso simples em que no h aplicao de campo magntico
externo, os estados de energia esto degenerados em spin. Com a aplicao de campo
magntico estrutura, essa degenerescncia quebrada e tanto o tunelamento quanto a
recombinao de portadores passam a depender do estado de spin, como ser mostrado a
seguir.
3.4
Medidas de magneto-luminescncia
Ao aplicarmos campo magntico na direo paralela corrente, obtemos uma quebra

de degenerescncia nos nveis confinados dos quantum dots (QDs) e do poo (QW) devido
ao efeito Zeeman, resultando em dois canais de tunelamento e recombinao: spin-up e
spin-down (figura 3.3(a)). A recombinao dos portadores obedece a regras de seleo bem
definidas. A recombinao de portadores com mesmo spin produz ftons circularmente
polarizados, pois a recombinao conserva o momento angular total: mf = me mh ,
onde mf a componente do momento angular do fton, e me e mh so as componentes
do momento angular do eltron e do buraco respectivamente. Onde me pode assumir
os valores 1/2 e mh pode ser 1/2 para buracos leves e 3/2 para buracos pesados.
Quando a luz circularmente polarizada direita ( + ) mf dever ser +1 e, quando a luz
circularmente polarizada esquerda ( ) mf dever ser 1, como ilustrado na figura
3.3(b).
Em seguida, apresentamos o aparato experimental utilizado para realizar as medidas
eltricas e pticas.
3.5
Montagem experimental
A figura 3.4 ilustra a montagem experimental utilizada para a realizao desse projeto.
Um feixe de laser de estado slido, com comprimento de onda de 532 nm direcionado
atravs de espelhos para incidir no diodo que est montado em um magneto supercondutor
Oxford. Um detalhe importante, e que no est representado na figura abaixo, que
visando um bom foco sobre a amostra e visando principalmente a reduo da perda
32
Figura 3.3: (a) Esquema do perfil de potencial do diodo na presena de luz, campo eltrico
e campo magntico na direo paralela corrente eltrica. Em (b) regras de seleo para
transies entrebandas para luz polarizada + e .
de luminescncia, utilizamos tambm uma lente com distncia focal de 2 cm dentro do
magneto. Dessa forma, conseguimos focar precisamente no diodo estudado e, ainda,
conseguimos colimar a luminescncia proveniente da amostra para, dessa maneira, evitar
perdas no polarizador e no cristal retardador /4, os quais se encontram na sequncia.
Para a realizao das medidas, a amostra foi resfriada em um magneto criostato Oxford imersa em Hlio lquido a uma temperatura de 2 K, para, desta maneira, evitar a
contribuio de portadores gerados por excitao trmica nas medidas eltricas e pticas.
Em relao s medidas eltricas, utilizamos uma fonte de tenso contnua e um
multmetro Keithley, alm de um computador para coletar os dados. J em relao
s medidas pticas, utilizamos espelhos e lentes para focar o laser no diodo em estudo
e, para selecionar a polarizao da luminescncia utilizamos uma placa de um quarto de
onda (/4) e um polarizador linear para ser analisada atravs de um espectrmetro de
0,5 m acoplado a um sistema CCD de InGaAs, como pode ser observado na figura 3.4.
Analisamos as componentes da luminescncia proveniente do diodo ( + e ) separadamente, ou seja, utilizamos um cristal de um quarto de onda (/4), o qual composto
33
Figura 3.4: Montagem experimental utilizada nas medidas de magneto-ptica.

de um material birrefringente, possuindo dois ndices de refrao distintos relacionados
s componentes fast e slow, dessa forma introduzindo uma diferena de fase de /2 entre
elas, luminescncia transforma-se em luz linearmente polarizada ( figura 3.5). Em seguida,
utilizamos um polarizador linear para coletar a luz linearmente polarizada que emerge do
cristal /4.
Figura 3.5: Ilustrao de uma luz circularmente polarizada sendo transformada em luz
linearmente polarizada atravs de um cristal de um quarto de onda (/4).
O grau de polarizao da emisso para uma dada voltagem calculado atravs das
intensidades de luminescncia de cada componente ( + e ):
P = 100 (
I+ I
)
I + I+
(3.1)
onde P o grau de polarizao dado em %, e as intensidades da emisso de cada polarizao so obtidas atravs da integral de cada espectro de luminescncia.
Captulo 4
RESULTADOS E DISCUSSO
Nesse captulo, apresentaremos os principais resultados experimentais das medidas
realizadas de transporte e fotoluminescncia na presena e ausncia de campo magntico
aplicado sobre a amostra em questo. Primeiro analisaremos o comportamento eltrico da
amostra na ausncia e presena de luz e na ausncia e presena de campo magntico. Em
seguida faremos uma anlise das prorpiedades pticas da amostra na ausncia e presena
de campo magntico. Por fim, faremos uma discusso dos resultados de luminescncia
obtidos na ausncia e presena de campo magntico. Apresentaremos tanto os dados
referente a emisso dos quantum dots como dos contatos (GaAs).
4.1
Medidas de transporte
Como discutido anteriormente (seo 2.4), a presena dos pontos qunticos no poo
quntico faz com que o primeiro nvel ressonante do poo (e1) fique abaixo da banda
de conduo do GaAs, tornando-o invivel para o transporte eltrico. No entanto, essa
ressonncia pode ser visualizada na amostra referncia (NU1943, figura 4.1). Nessa figura
podemos notar tambm o deslocamento dos nveis ressonantes do poo, conforme discutido
na seo 2.4. A ressonncia em baixa voltagem (figura 4.1) representa a ressonncia no
primeiro nvel de energia dos eltrons no poo (e1). J em V = 1, 0V temos a ressonncia
do segundo nvel de energia dos eltrons no poo (e2). Tal ressonncia aparece em menor
voltagem na amostra NU1943 (diodo sem dots).
A figura 4.2 mostra as caractersticas da amostra sob tenso aplicada (substrato negativo), sob diferentes intensidades de luz. Podemos notar que na presena de luz, a corrente
34
CAPTULO 4. RESULTADOS E DISCUSSO
35
Figura 4.1: Representao da curva de corrente versus tenso para as amostras NU1941 e
NU1943 resfriadas a 10 K sem excitao ptica (a) e com excitao ptica (b). Podemos
notar a variao na posio dos picos de ressonncia devido presena dos QDs de InAs.
atravs do diodo apresenta um rpido aumento em baixas voltagens, diferentemente do
que encontrado na situao sem luz. Associamos esse aumento de corrente aos buracos
fotogerados no contato da amostra (como discutido na seo 2.4). Nestas condies os buracos fotogerados tunelam para dentro do poo e contribuem para o aumento da corrente.
Se aumentamos a potncia da luz de excitao, temos mais portadores minoritrios contribuindo para a corrente do diodo, e isso faz com que a ressonncia dos eltrons torne-se
menos definida.
O pico que aparece na presena de luz em V 0, 16V , atribudo ao tunelamento
ressonante de buracos da banda de valncia atravs do segundo nvel de buraco pesado
(hh2), conforme [6]. Aps essa ressonncia, temos uma saturao da corrente, formando
um plat. Isso ocorre devido exausto do nmero de buracos do contato emissor na
banda de valncia. O nmero de buracos no contato est diretamente relacionado
intensidade de excitao. Dessa maneira, para uma dada intensidade de iluminao,
aumentando-se a voltagem aplicada drenamos cada vez mais portadores do contato emis-
36
Figura 4.2: Representao da curva de corrente versus tenso para a amostra resfriada a
2 K e sem campo magntico aplicado. Podemos notar a presena de dois picos associados
ressonncia do segundo nvel de energia do buraco pesado (hh2) e segundo nvel de
energia do eltron no poo.
sor, aumentando assim a corrente na banda de conduo at que a partir de certa voltagem
no conseguimos mais aumentar a corrente simplesmente pelo fato de no dispormos mais
de portadores minoritrios. Porm, se aumentamos a potncia da luz incidida, aumentamos a quantidade de portadores minoritrios, e assim temos um aumento da corrente,
conforme podemos observar na figura 4.2.
O efeito da luz sobre a corrente eltrica do diodo pode ser melhor evidenciado no
grfico de fotocorrente versus tenso (figura 4.3), onde a fotocorrente o resultado da
diferena entre a corrente do diodo com luz e sem luz. Dessa maneira, observamos a
corrente obtida somente pelos portadores minoritrios, pois o fator da corrente eletrnica
foi desprezado.
Analisando agora o efeito do campo magntico sobre o transporte na amostra, percebemos que sem excitao ptica, ocorre um deslocamento de cerca de 2 mV na posio da
ressonncia e2 (veja figura 4.4(a)), associamos esse deslocamento ao shift diamagntico
do nvel.
Por outro lado, analisando a mesma situao anterior, porm incidindo luz na amostra,
37
Figura 4.3: Representao da curva de fotocorrente versus tenso para a amostra resfriada
a 2 K e sem campo magntico aplicado para diferentes intensidades de excitao.
no visualizamos nenhum efeito de deslocamento da ressonncia dos buracos fotogerados
4.4(b). Podemos associar esse fato devido massa efetiva do buraco ser maior comparada
do eltron e, como a dependncia do termo diamagntico inversamente proporcional
massa, no temos um deslocamento significante na posio da ressonncia dos buracos.
38
Figura 4.4: Representao da curva de corrente versus tenso para a amostra resfriada a
2 K, sob o efeito de diferentes intensidades de campo magntico. Em (a) temos a amostra
sem a incidncia de luz e em (b) com laser aplicado com uma potncia de 30 mW.
4.2
Medidas pticas
Nesta seo apresentaremos os resultados obtidos atravs das medidas de fotoluminescncia. As medidas foram realizadas em duas regies: no contato GaAs (de 1, 45eV
a 1, 60eV ) e na regio de emisso do InAs (1, 0eV a 1, 35eV ). Para obtermos uma viso
geral da emisso do diodo, apresentamos a seguir um espectro completo com as duas
regies estudadas.
Podemos observar a presena de um pico centrado em aproximadamente 1,26 eV associado recombinao de portadores nos quantum dots. E, em mais alta energia temos
a recombinao de portadores nos contatos do diodo (GaAs). O pico mais fino que se
39
Figura 4.5: Espectros de luminescncia do diodo com tenso aplicada (V=0,20 V) e sob
excitao ptica (P=100 mW). No inset temos uma viso ampliada da emisso dos pontos
qunticos
encontra nessa regio devido regio no dopada existente no contato [39], j a regio
mais extensa de emisso, que vai de 1,46 eV a 1,56 eV o resultado da recombinao de
portadores na regio altamente dopada dos contatos de GaAs.
A seguir, apresentaremos primeiramente a luminescncia dos pontos qunticos e, em
seguida, do contato (GaAs).
4.2.1
Pontos qunticos
Utilizando uma mesma voltagem e uma mesma potncia de excitao, apresentamos na

figura 4.6 uma comparao dos espectros de luminescncia das amostras NU1941 e NU1943
(com e sem QDs respectivamente). Nela, podemos notar o espectro largo compreendido
entre 1,2 eV e 1,33 eV, devido recombinao de portadores nos nveis de energia dos
quantum dots. No inset, temos o espectro de luminescncia do poo quntico (QW) e
dos contatos de GaAs (amostra NU 1943). interessante notar a regio de emisso de
luz em cada diodo, assim observamos que na amostra NU 1941 a emisso situa-se na
regio do infra-vermelho de menor energia, enquanto na amostra NU 1943 a emisso
40
numa regio de maior energia. Dessa maneira, esses espectros nos mostram claramente
que a insero do InAs introduz nveis de energia abaixo do nvel da banda de conduo
do GaAs, os quais eficientemente capturam os portadores confinados no poo quntico,
conforme discutido anteriormente (seo 2.4).
Figura 4.6: Espectros de PL da amostra NU1941 (a 2 K) e no inset temos a PL da

amostra NU1943 (a 10 K). Ambas esto sob mesma tenso e potncia de excitao.
A amostra estudada possui um espectro de emisso largo na regio do infra-vermelho,
variando de aproximadamente 1 eV a 1,3 eV, conforme figura 4.7. A razo disso, o fato
que a amostra em questo possui uma grande quantidade de QDs (cerca de 1011 cm2
[6]) com tamanhos e formas variadas, pois o mtodo de crescimento utilizado (autoorganizado) no permite o controle dessas variveis. Dessa forma, ao invs de obtermos um
pico fino, correspondente a uma emisso bem definida da recombinao de portadores no
nvel de energia do dot, temos uma banda de emisso, a qual o resultado da recombinao
nos diversos pontos qunticos presentes no poo. Analisando detalhadamente os espectros
em funo da voltagem, notamos que a banda mais larga (regio de 1 eV a 1,2 eV, figura
4.7), no tem dependncia com a voltagem, j a regio compreendida entre 1,2 eV e 1,33
eV varia consideravelmente com a voltagem. Dessa maneira, restringimos nosso estudo
justamente a essa segunda regio.
41
Figura 4.7: Espectros de luminescncia dos QDs de InAs sobre diferentes tenses aplicadas.
Podemos notar na figura 4.8 que mesmo sem tenso aplicada no diodo, existe recombinao de portadores e, consequentemente, luminescncia. Ou seja, nessa situao no
temos a participao, para a recombinao no poo, dos portadores fotogerados no contato, pois estes praticamente no tunelam para o poo sem campo eltrico aplicado. Por
isso, a luminescncia existente a zero volts, consequncia de portadores fotogerados no
prprio poo quntico, onde so capturados, ou relaxam para os nveis de energia dos dots
e recombinam-se.
Para analisar a dependncia da luminescncia com a voltagem, integramos cada espectro de PL da amostra NU 1941 para as diferentes voltagens (figura 4.9).
No grfico, notamos que, em baixa voltagem (V < 0, 08V ), temos pouco sinal de
luminescncia, devido ao fato que so poucos os portadores que esto tunelando para
dentro do poo e recombinando. A partir de 0,08 V, ocorre um aumento muito rpido da
intensidade de luminescncia devido ao tunelamento ressonante de buracos. Como descrito
anteriormente (seo 2.4), o tempo de tunelamento do buraco na regio de ressonncia
muito maior do que fora da ressonncia, por isso existe uma maior probabilidade de
recombinao e, assim, uma maior intensidade de luminescncia, como pode ser visto na
42
Figura 4.8: Espectros de PL da emisso dos pontos qunticos para diferentes voltagens
aplicadas sob excitao do laser de 10 mW.
Figura 4.9: Curva de intensidade integrada em funo da voltagem aplicada para um

potncia de 10 mW.
43
figura 4.9 em V = 0, 22V . Em seguida, samos da regio de ressonncia dos buracos

e temos uma taxa de recombinao constante at prximo regio de ressonncia do
eltron, a partir desse ponto temos uma queda na intensidade de luminescncia. Isso
ocorre pois medida que aumentamos a voltagem aplicada no diodo o tunelamento noressonante atravs da segunda barreira aumenta rapidamente com a tenso, podemos
dizer que a segunda barreira fica mais transparente ao eltron e ao buraco. Portanto, o
tunelamento para fora do poo quntico no regime de altas voltagens se torna mais efetivo
do que a recombinao radiativa, fazendo com que a intensidade da fotoluminescncia
tenda a diminuir para voltagens muito altas.
A quantidade de portadores no poo quntico pode ser qualitativamente analisada
atravs da observao da largura da luminescncia meia altura. Conforme estudos j
realizados [7, 40], o aumento na largura do espectro indica um aumento de portadores
acumulados no QW que so capturados pelo QD. Com isso, os novos portadores que so
capturados pelos dots ocupam nveis cada vez mais altos de energia, ocorrendo assim, um
aumento da largura do espectro (figura 4.10).
A figura 4.10 ilustra a dependncia da largura de linha em funo da voltagem para
duas intensidades de luz do laser. Observamos que as variaes na largura do espectro
so muito pequenas, como pode ser visto, a variao entre o espectro mais estreito e o
mais largo de 4 meV. O fato do espectro ser muito largo, leva-nos a considerar que essa
anlise possua um erro considervel. No entanto, usaremos os resultados obtidos para uma
anlise qualitativa da densidade de portadores capturados pelos pontos qunticos. Assim,
podemos notar que um pequeno aumento da largura do espectro ocorre primeiramente
na ressonncia do segundo nvel de buraco pesado (hh2 em V 0, 2V ). Aps essa
ressonncia, observamos uma diminuio na largura do espectro, demonstrando que a
quantidade de portadores capturados pelos dots diminuiu, e a recombinao ocorre nos
nveis de menor energia. A partir de V = 0, 5V temos novamente um aumento da largura
do espectro de luminescncia enquanto que a intensidade de luminescncia permanece
contante. At aproximadamente V = 0, 8V temos uma boa correspondncia entre a
largura da PL e a intensidade de PL, aps isso, quando estamos prximos ressonncia
dos eltrons (V = 1, 0V ) temos uma diminuio da intensidade de luminescncia porm
observamos um aumento na largura de PL, ou seja, atravs da curva de intensidade de PL
versus, observamos que a diminuio da intensidade luminescncia a partir de V = 0, 8V
44
Figura 4.10: Em preto, curva de intensidade de luminescncia e, em vermelho curva da

largura do espectro de luminescncia do diodo em funo da voltagem para as potncias
de 10 mW (a) e 100 mW (b).
nos diz que a quantidade de portadores para a recombinao nos QDs diminuiu, porm,
visualizando a curva de largura do espectro versus tenso, observamos um aumento,
implicando um maior acmulo de portadores nos nveis de energia dos dots. Esse efeito
presente em diferentes intensidades de excitao do laser.
Realizamos tambm uma anlise da largura da curva de emisso em funo da potncia de excitao da amostra (figura 4.11). Com isso, percebemos que, dependendo da
voltagem aplicada, de forma geral quanto maior a intensidade de luz incidindo sobre o
diodo, maior a largura do espectro, pois dessa maneira temos uma maior quantidade de
portadores capturados pelos pontos qunticos.
A anlise da posio do pico de emisso foi feita para duas intensidades diferentes
45
Figura 4.11: Representao da largura do espectro de emisso dos quantum dots em

funo da potncia aplicada para quatro diferentes tenses. Percebemos um aumento
aproximadamente linear da largura do espectro conforme a intensidade do laser aumenta.
de potncia de excitao utilizadas: 10 mW e 100 mW. Em baixa potncia temos uma
certa dificuldade na anlise, pois o sinal de luminescncia ruidoso devido a sua baixa
intensidade. Com isso no conseguimos observar claramente o comportamento em baixa
voltagem. J em alta potncia, percebemos uma resposta muito parecida entre a posio
do pico e a voltagem, o que evidenciado quando comparado PL integrada. Temos uma
emisso em maior energia na ressonncia de buracos e uma queda quando passamos a
regio de ressonncia. Em seguida, na regio onde observamos uma constante na intensidade de luminescncia, temos tambm uma constante na posio de emisso, fato tambm
presente na posio do pico em baixa potncia. A partir de V = 0, 65V temos um deslocamento da emisso para menores energias em ambos os casos, o que pode ser explicado pelo
fato dos portadores tunelarem para fora do poo e, desta maneira, contriburem menos
para a luminescncia.
Sob a influncia de campo magntico aplicado na direo paralela corrente eltrica,
temos a quebra de degenerescncia nos nveis de spin dos dots; isso faz com que tenhamos
dois possveis nveis de energia para a recombinao, o que produzir luz circularmente
polarizada direita e esquerda ( + e respectivamente). A figura 4.13 mostra os
espectros de luminescncia para algumas voltagens e campo magntico de 15 T.
Da mesma maneira que na situao sem campo magntico, a intensidade da lumi-
46
Figura 4.12: Posio do pico em energia da emisso de luminescncia e intensidade de

luminescncia em funo da voltagem aplicada. Em (a) amostra excitada com uma intensidade de 10 mW e (b)100 mW.
nescncia depende da densidade de portadores capturados pelos quantum dots, a qual
varia de acordo com a voltagem aplicada ao dispositivo. Para analisar essa dependncia,
integramos cada espectro de luminescncia para cada voltagem. O resultado apresentado
na figura 4.14.
Em ambas as situaes, observamos um pico em V = 0, 17V correspondente ressonncia do segundo nvel de buraco pesado (hh2). Em seguida, temos uma regio com intensidade constante at aproximadamente V = 0, 8V , aps essa regio, em baixa potncia
(figura 4.14(a))temos uma diminuio na intensidade de luz circularmente polarizada
esquerda ( ) e um aumento na intensidade de luz circularmente polarizada direita
( + ). J em alta potncia (figura 4.14(b)) a intensidade da polarizao tambm perde
intensidade enquanto a + permanece aproximadamente constante. Lembrando que o
grau de polarizao da emisso depende da diferena entre as intensidades de excitao,
(veja seo 3.5), podemos concluir que para voltagens acima de V = 0, 6V o grau de
polarizao da amostra dever diminuir com a voltagem. O que evidenciado, portanto,
na figura 4.15.
47
Figura 4.13: Espectros de luminescncia da emisso dos pontos qunticos para as polarizaes + e em diferentes voltagens aplicadas.
A polarizao da luminescncia dos QDs possui grande dependncia com a potncia
de excitao. Notamos que em baixa potncia a polarizao consideravelmente maior do
que em alta potncia em baixa voltagem. Alm disso, nessa situao temos uma variao
importante da polarizao em funo da voltagem, com um mximo em V = 0, 16V e
uma tendncia perda de polarizao em alta voltagem, quando a tenso est prxima
regio de ressonncia do eltron (V 0, 80V ). Para as potncias de 30 mW e 100 mW
no temos uma variao brusca do grau de polarizao, mas percebemos que com 30 mW
a resposta da polarizao em funo da voltagem maior.
Em relao s duas potncias mais baixas, podemos dizer que aps ressonncia
de buracos, temos uma regio de grau de polarizao circular constante at V 0, 7V ,
em seguida notamos uma grande diminuio da polarizao. Com isso, verificamos que
o grau de polarizao possui forte correlao com a injeo de buracos nos quantum
dots, e quando aproximamos da ressonncia de eltrons a polarizao tende a diminuir
consideravelmente.
Fazendo agora uma anlise do grau de polarizao em funo da intensidade do campo
magntico, podemos observar (figura 4.16) que a polarizao mais intensa em baixas
48
Figura 4.14: Intensidade integrada da luminescncia para as polarizaes + e em

funo da voltagem. Em (a) temos o laser incidindo na amostra com 10 mW de intensidade
e em (b) com 100 mW.
voltagens.
49
Figura 4.15: Curvas de polarizao dos QDs de InAs em funo da voltagem e para
diferentes intensidades de excitao.
Figura 4.16: Curvas de polarizao dos QDs de InAs em funo da intensidade de campo
magntico e potncia de excitao de 30 mW.
4.2.2
Contato GaAs
Analisando agora a emisso de luz obtida atravs da recombinao de portadores nos

contatos do diodo (GaAs), podemos destacar, como comentado no incio da discusso
das medidas pticas, a presena de uma banda larga, compreendida na regio entre 1,45
50
eV e 1,60 eV, a qual o resultado da recombinao de portadores das camadas fortemente dopadas de GaAs. Alm disso, temos a presena de um pico estreito em 1,52
eV, o qual associado recombinao de portadores (recombinao de xciton livre) na
regio no intencionalmente dopada dos contatos (figura 4.17). Tal recombinao acontece principalmente em baixas voltagens. Quando a tenso aumentada, a probabilidade
do tunelamento aumenta, reduzindo o nmero de portadores no contato e resultando em
uma reduo em intensidade da recombinao de xciton livre (em 1,52 eV).
Figura 4.17: Espectros de fotoluminescncia do GaAs para diferentes tenses aplicadas e

sem campo magntico aplicado.
Na luminescncia do GaAs no observamos a recombinao na camada de acumulao
(recombinacao entre eltrons do gas bidimensional e buracos no confinados (2DEG-h).
Esse tipo de recombinao possui uma probabilidade pequena para acontecer, pois nessa
situao temos eltrons confinados no poo triangular formado antes da barreira de AlGaAs (no emissor da banda de conduo) recombinando com buracos no confinados.
Poderamos tambem ter recombinao de buracos fotogerados nos contatos e confinados
na camada de acumulao da banda de valncia (lado oposto) com eltrons no confinados (figura 3.2), ou seja, no coletor. Essa recombinao espacialmente indireta e tem
baixa probabilidade de ocorrer. Tal recombinao provavelmente no visvel nos espectros de luminescncia do GaAs devido possvel superposio com a emisso devida
51
recombinao dos portadores da camada de GaAs fortemente dopada e no-dopada dos

contatos.
Analisando a dependncia da intensidade de emisso em funo da voltagem (figura
4.18), notamos que existe tambm uma dependncia da intensidade de PL do GaAs com
a voltagem aplicada na regio de baixa voltagem. Conforme a voltagem aumenta, maior
ser o nmero de eltrons que tunela para dentro do poo. Isso faz com que a quantidade
de portadores nos contatos diminua e, por fim, tenhamos uma menor intensidade de fotoluminescncia nos contatos em altas voltagens. Por isso, quando analisamos a intensidade
de luminescncia nos pontos qunticos e no GaAs ao mesmo tempo, notamos uma relao
inversa entre as duas [6, 7].
Figura 4.18: Espectros de intensidade de luminescncia do GaAs e da emisso dos QDs

para diferentes as potncias de (a) 10 mW e (b) 100 mW .
Analisando agora o grau de polarizao do GaAs em funo da voltagem, percebemos
que existe uma certa dependncia em baixa voltagem, porm aps a ressonncia de buracos, a polarizao praticamente satura. Comparando com a polarizao da emisso dos
quantum dots, percebemos que quando temos uma diminuio da polarizao da emisso
dos QDs, devido diminuio do nmero de buracos no poo, temos um aumento na
polarizao do GaAs.
52
Figura 4.19: Curvas de polarizao e corrente versus tenso para diferentes intensidades
de excitao. Em (a) 10 mW e (b)100 mW.
Captulo 5
CONCLUSO
O objetivo central dessa dissertao de mestrado consistiu no estudo de efeitos de spin
em um diodo de dupla barreira contendo pontos qunticos de InAs no centro do poo
quntico. Para isso, foram feitas medidas eltricas e pticas na presena e ausncia de
campo magntico aplicado amostra.
Os resultados obtidos na ausncia de campo magntico so semelhantes aos de trabalhos publicados na literatura. Observamos uma variao dos nveis de energia do poo
quntico quando comparado com a amostra referncia (amostra sem os QDs). Alm disso,
observamos uma forte correlao entre a intensidade de luminescncia dos quantum dots
e a voltagem aplicada. Tal efeito foi associado ao tunelamento de portadores minoritrios
no poo e a captura de tais portadores pelos quantum dots.
Com relao s medidas realizadas na presena de campo magntico, observamos que
a luminescncia do ponto quntico possui polarizao circular no-nula e dependente da
voltagem aplicada. Verificamos que tal efeito ocorre predominantemente na regio de
baixas tenses (0, 0V < V < 0, 6V ). A partir de V = 0, 6V o sinal tende a perder o grau
de polarizao circular. Esse comportamente provavelmente ocorre porque a polarizao
possui uma dependncia importante com o processo de acmulo de carga e captura de
portadores minoritrios pelos dots. Em altas voltagens, a altura da segunda barreira fica
muito baixa devido ao efeito Stark . Com isso, temos uma reduo do acmulo de carga
na regio do QW, reduzindo a probabilidade de captura e, consequentemente, reduzindo
a intensidade de luminescncia e polarizao.
Verificamos tambm nesse trabalho que o grau de polarizao da emisso dos dots possui uma dependncia importante com a intensidade da potncia de excitao da amostra.
53
CAPTULO 5. CONCLUSO
54
Quanto maior a intensidade de luz, menor o grau de polarizao em baixas voltagens.

De forma geral, mostramos neste trabalho de mestrado que os diodos de tunelamento
ressonante do tipo n com pontos qunticos no poo quntico tm um potencial a ser
explorado tanto do ponto de vista de Fsica fundamental como no possvel desenvolvimento
de dispositivos semicondutores de filtros de spin.
Esse foi um primeiro trabalho visando a compreenso e caracterizao de tais dispositivos e, como continuidade imediata deste trabalho, sero estudadas outras amostras
crescidas em diferentes direes, de modo a analisar as relaes entre a direo de crescimento e o grau de polarizao de spin. Alm disso, pretendemos tambm complementar
esse estudo de efeitos de spin aplicando voltagem na regio de tunelamento ressonante
atravs de nveis de dots. Esse efeito foi observado anteriormente para a mesma amostra
onde observou-se estruturas na curva I(V) associadas ao tunelamento ressonante atravs
dos nveis dos dots. Pretendemos, portanto, realizar um estudo complementar de fotoluminescncia resolvida em polarizao tanto nessa condio como em outras amostras.
Esse estudo deve permitir uma melhor compreeno dos diversos mecnismos responsveis
pela polarizao de spin nos dots.
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57

Energia de Gap, Diodo de Dupla Barreira e Tunelamento Ressonante EDNILSON CARLOS DOS SANTOS

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Energia de Gap, Diodo de Dupla Barreira e Tunelamento Ressonante EDNILSON CARLOS DOS SANTOS

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UNIVERSIDADE FEDERAL DE SO CARLOS

CENTRO DE CINCIAS EXATAS E TECNOLGICAS

EDNILSON CARLOS DOS SANTOS

POLARIZAO DE SPIN EM HETEROESTRUTURAS

UNIVERSIDADE FEDERAL DE SO CARLOS

Orientadora: Profa. Dra. Yara Galvo Gobato

So Carlos, Abril 2010

Ficha catalogrfica elaborada pelo DePT da

Santos, Ednilson Carlos dos.

EDNILSON CARLOS DOS SANTOS

proft. Dra. Yara 'GftIvoGobato (rientadora)

Dedico esse trabalho minha

Propriedades dos cristais GaAs, (AlGa)As, e InAs . . . . . . . . . .

Diodo de dupla barreira e tunelamento ressonante . . . . . . . . . . 10

Diodos de tunelamento ressonante com pontos qunticos . . . . . . 20

Efeitos de campo magntico em sistemas 2D . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

3 MATERIAIS E MTODOS EXPERIMENTAIS

Estrutura cristalina zinc-blend para semicondutores III-V. As esferas claras

Primeira zona de Brillouin da rede cbica de face centrada com os pontos

(a) Estrutura de bandas do GaAs no espao dos momentos. (b) Estrutura

Estrutura de bandas do AlAs no espao dos momentos [20]. . . . . . . . . .

Estrutura de bandas do InAs no espao dos momentos [22]. . . . . . . . . .

(a) Perfil de potencial correspondente ao esquema de uma estrutura hipottica

Perfil da banda de conduo de um diodo de dupla barreira do tipo n-i-n

Representao da esfera de Fermi no emissor com a interseco kz = qr

Curva caracterstica de I(V) para um diodo de dupla barreira ilustrando seu

2.10 Representao do perfil da banda de conduo de um diodo sob efeito do

2.11 (a) Representao das ligas do substrato, Material B, e do filme a ser

Perfil de potencial e dinmica dos portadores sob influncia de campo

(a) Esquema do perfil de potencial do diodo na presena de luz, campo

Montagem experimental utilizada nas medidas de magneto-ptica. . . . . . 33

Ilustrao de uma luz circularmente polarizada sendo transformada em luz

Representao da curva de corrente versus tenso para as amostras NU1941

Representao da curva de corrente versus tenso para a amostra resfriada

Representao da curva de corrente versus tenso para a amostra resfriada

Espectros de luminescncia do diodo com tenso aplicada (V=0,20 V) e

Espectros de PL da amostra NU1941 (a 2 K) e no inset temos a PL da

Espectros de luminescncia dos QDs de InAs sobre diferentes tenses aplicadas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41

Espectros de PL da emisso dos pontos qunticos para diferentes voltagens

Curva de intensidade integrada em funo da voltagem aplicada para um

4.10 Em preto, curva de intensidade de luminescncia e, em vermelho curva da

4.17 Espectros de fotoluminescncia do GaAs para diferentes tenses aplicadas

Estrutura da amostra estudada nesse projeto (NU1941). . . . . . . . . . . 28

logo apareceram [4, 5].

Um semicondutor um slido covalente o qual pode ser considerado isolante pois

CAPTULO 2. INTRODUO TERICA

Propriedades dos cristais GaAs, (AlGa)As, e InAs

Materiais semicondutores III-V como GaAs, AlAs, AlGaAs e InAs, cristalizam-se em

CAPTULO 2. INTRODUO TERICA

CAPTULO 2. INTRODUO TERICA

eles representada pelo smbolo . Em torno de ~k = 0 as bandas de valncia apresentam

para T = 300K [20]. No GaAs bulk, no ponto de simetria os estados de buracos

CAPTULO 2. INTRODUO TERICA

Eg = 2, 24eV em T = 2K e 2,16 eV para T = 300K [20].

Figura 2.4: Estrutura de bandas do AlAs no espao dos momentos [20].

A liga Alx Ga1x As

CAPTULO 2. INTRODUO TERICA

Para grandes valores de x, o mnimo da banda de conduo se encontra no ponto X,

Heteroestruturas consistem de camadas de dois ou mais materiais diferentes crescidos

CAPTULO 2. INTRODUO TERICA

Figura 2.5: Estrutura de bandas do InAs no espao dos momentos [22].

CAPTULO 2. INTRODUO TERICA

e (~r) = exp(ikx x)exp(iky y)e (~z)

onde e (z) a soluo da equao de Schrdinger unidimensional como no potencial