Universidade de Aveiro Departamento de Fsica

2010

Vasco Rafael Pvoa Caracterizao de Guias de Ondas Por Elipsometria

Fernandes
 Universidade de Aveiro Departamento de Fsica
2010

Vasco Rafael Pvoa Caracterizao de Guias de Ondas Por Elipsometria

Fernandes

Dissertao apresentada Universidade de Aveiro para cumprimento dos

requisitos necessrios obteno do grau de Mestre em Engenharia F-
sica, realizada sob a orientao cientfica da Doutora Maria Rute de Amo-
rim e S Ferreira Andr, Professora Auxiliar do Departamento de Fsica
da Universidade de Aveiro e Investigadora Auxiliar no laboratrio Associ-
ado CICECO da Universidade de Aveiro e co-orientao do Doutor Paulo
Srgio de Brito Andr, Professor Auxiliar do Departamento de Fsica da
Universidade de Aveiro e Investigador Auxiliar no laboratrio Associado
Instituto de Telecomunicaes.
o jri

presidente Prof. Doutor Joo Lemos Pinto

Professor Catedrtico do Departamento de Fsica da Universidade de Aveiro e
Director do Curso de Engenharia Fsica da Universidade de Aveiro.

vogais Prof. Doutor Paulo Vicente da Silva Marques

Professor Auxiliar da Faculdade de Cincias da Universidade do Porto (arguente
principal).

Profa. Doutora Maria Rute de Amorim e S Ferreira Andr

Professora Auxiliar do Departamento de Fsica da Universidade de Aveiro e In-
vestigadora Auxiliar no laboratrio Associado CICECO da Universidade de Aveiro
(orientadora).

Prof. Doutor Paulo Srgio de Brito Andr

Professor Auxiliar do Departamento de Fsica da Universidade de Aveiro e In-
vestigador Auxiliar no laboratrio Associado Instituto de Telecomunicaes (co-
orientador).
agradecimentos com muito gosto que aproveito esta oportunidade para agradecer a to-
dos aqueles que me ajudaram na realizao dos trabalhos que culminaram
nesta dissertao. Agradeo ao Carlos Vicente e ao Lionnel Xavier pelas
gravaes dos guias, ao Dr. Edison Pecoraro pela sntese de materiais
e esclarecimentos sobre a mesma e ao Bruno Ferreira pela companhia
nas horas de laboratrio. Agradeo aos quatro por todas discusses fru-
tferas. Agradeo tambm ao laboratrio associado da Universidade de
Aveiro, CICECO, onde foi efectuada a preparao dos guias e medidas
de elipsometria, ao laboratrio associado Instituto de Telecomunicaes,
onde foi realizada as gravao dos guias, e, Fundao para a Cincia e
a Tecnologia, programa COMPETE na sua componente FEDER, projecto
com a referncia PTDC/CTM/72093/2006.
palavras-chave elipsometria, guias de ondas, optimizao multi-objectivo, hbridos
orgnicos-inorgnicos, ptica integrada

resumo O presente trabalho reporta a aplicao a tcnica de elipsometria carac-

terizao de dispositivos para ptica integrada, em particular guias de onda
planares e em canal fabricados por escrita directa usando radiao laser
UV, preparados com materiais hbridos orgnicos-inorgnicos modificados
com tetra-propxido de zircnio. apresentada a aplicao de optimiza-
o multi-objectivo na anlise de dados elipsomtricos dos guias de onda
planares em substrato de slica em silcio. Efectuando a comparao entre
um algoritmo gentico multi-objectivo e algoritmo gentico simples, os re-
sultados indicam que o desempenho do mtodo sugerido superior. Para
os guias em canal o incremento no ndice de refraco no canal, relativa-
mente ao restante filme, devido exposio UV, foi estimado em 0,0003,
demonstrando bom acordo com valores reportados na literatura.
keywords ellipsometry, waveguides, multi-objective optimization, organic-inorganic
hybrids, integrated optics

abstract The present work focus on the application of the technique of ellipsome-
try to the characterization of integrated optical devices, particularly planar
waveguides and channel waveguides fabricated by direct writing using UV
laser radiation, prepared with organic-inorganic hybrid materials modified
with tetra-propoxide zirconium. The application of multi-objective optimiza-
tion in ellipsometric data analysis of planar waveguides in a silica on silicon
substrate is presented. By making a comparison between a multi-objective
genetic algorithm and genetic algorithm simple, the results indicate that the
performance of the suggested method is superior. For the channel wave-
guides the increase in the refractive index of the channel due to UV expo-
sure, relatively to the rest of the film, was estimated to be 0.0003, showing
good agreement with values reported in the literature.
Contedo

1 Introduo 1

2 Fundamentos Tericos 5
2.1 Equaes de Maxwell . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

2.2 Propagao de Radiao Electromagntica em Meios Materiais . . . . . . . . 6

2.3 Polarizao de Radiao Electromagntica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

2.3.1 Formalismo de Jones e Muller . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

2.4 Reexo e Transmisso de Radiao Electromagntica em Interfaces Planas . 10

2.5 Guias de Ondas pticos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

3 Elipsometria 13
3.1 Equao Fundamental da Elipsometria . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

3.2 Anlise de Dados de Elipsometria . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

3.2.1 Funo de Erro do Ajuste . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

3.2.2 Modelos Para a Funo Dielctrica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

3.2.3 Aproximaes de Meio Efectivo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

3.2.4 Camadas No Homogneas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

3.2.5 Anlise Multi-Modelo e ngulo Varivel . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

3.2.6 Despolarizao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

4 Algoritmos de Optimizao 22
4.1 Optimizao Local . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

4.2 Optimizao Global . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

4.3 Optimizao Multi-objectivo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

4.4 Optimizao Multi-Objectivo Aplicada a Elipsometria . . . . . . . . . . . . . 25

5 Caracterizao de Guias de Onda Planares e em Canal Por Elipsometria

em Materiais Hbridos Orgnicos-Inorgnicos 27
5.1 Sntese e Processamento do Hbrido Orgnico-Inorgnico . . . . . . . . . . . . 27

5.2 Tcnicas Experimentais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

5.3 Caracterizao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

5.3.1 Um caso de Aplicao: Multi-Objectivo vs Objectivo nico . . . . . . 32

5.3.2 Guias de Ondas Planares . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

5.3.3 Guias de Ondas Em Canal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

6 Concluses e Perspectivas Futuras 44

Referncias 46
1 Introduo

Nos dias de hoje, as tecnologias de informao e comunicao esto fortemente enraizadas

na sociedade. Nos ltimos anos, tem-se assistido a um rpido crescimento do uso da Internet e

disponibilizao de servios como, por exemplo, televiso digital de alta denio, telefonia

IP ou contedos de vdeo on-demand, cuja implantao requer uma elevada largura de banda
para transferncia de dados. No futuro, com a vulgarizao destas tecnologias e servios, a

necessidade de maior largura de banda acentuar-se-. Esta demanda s pode ser satisfeita

com o recurso a sistemas de comunicao pticos. A migrao de redes baseadas no cobre

para a tecnologia FTTH ( Fiber To The Home ) imperativa. No entanto, as tecnologias

completamente pticas apresentam, ainda, um custo elevado, tal que apenas grandes centros

urbanos podem dispor destes sistemas. Para massicar a distribuio de FTTH, necessria

no s bra ptica, mas tambm dispositivos pticos de baixo custo para construo da rede

e instalao no utilizador nal. A possibilidade de reduzir, ou mesmo eliminar, a componente

electrnica nos sistemas de comunicaes actuais, atravs de circuitos pticos integrados,

suprimindo a necessidade de efectuar converso de sinal ptico para elctrico e vice-versa, a

um custo atractivo, um grande impulsionador no desenvolvimento de novas tecnologias e

materiais [1, 2].

Os sistemas actuais so, fundamentalmente, baseados em bra ptica e dispositivos inte-

grados construdos com base em semicondutores, slica e polmeros, em alguns casos. O elevado

custo e processamento complexo dos semicondutores e a alterao do paradigma que guia os

mercados de "banda larga para todos a qualquer preo" para "banda larga para todos a baixo

custo" [1], abre uma janela de oportunidade para os materiais hbridos orgnicos - inorgnicos

(HOI's), processados por sol-gel, como potencial substrato em ptica integrada [2, 3].

HOI's so a fronteira entre os ramos orgnico e inorgnico da qumica, cada um contri-

buindo com diferentes caractersticas que possibilitam a criao de materiais e dispositivos

com propriedades pticas e mecnicas muito versteis [4]. Num hbrido pode combinar-se

num composto, escala molecular, o melhor dos dois mundos, sendo esta a ideia chave por de

trs do desenvolvimento destes; colocar num s material as melhores caractersticas, ou as de

maior interesse para determinada aplicao, da parte orgnica e inorgnica [4]. Os materiais

orgnicos tm a vantagem de poderem ser trabalhados como lmes nos, atravs de deposio

por rotao do substrato (normalmente designada por spin coating ), de forma simples e a

baixa temperatura, podendo ser criadas molculas orgnicas com propriedades luminescentes

e condutoras teis, enquanto os inorgnicos permitem a concepo de materiais com melhor

estabilidade trmica, maior resistncia mecnica e alta mobilidade elctrica [4, 5]. Dada a

sua grande versatilidade os HOI's tm aplicao em diversas reas como a electrnica, ptica,

biomateriais, revestimentos, entre outras [4, 5].

Os HOI's so materiais que apresentam um grande potencial para dispositivos de ptica

integrada [2]. Os diferentes dispositivos que podem ser fabricados agrupam-se em duas cate-

gorias principais, activos, como lasers e amplicadores, e passivos, como os guias de ondas.

A investigao destes materiais para guias de ondas, gerao de efeitos no lineares e dispo-

sitivos optoelectrnicos integrados um campo de grande interesse devido possibilidade de

substituio dos tradicionais circuitos integrados pticos e electrnicos por ptica integrada

de baixo custo. Estes materiais apresentam, de momento, como maior desvantagem e impe-

dimento aplicao comercial, as perdas por absoro na regio espectral do infravermelho

1
prximo e na regio do visvel [4]. As principais vantagens dos HOI's so o seu baixo custo,

multi-funcionalidade, processamento a baixa temperatura, e a facilidade de processamento

como lmes nos. Atravs de sntese por sol-gel e deposio por rotao do substrato podem-

se obter guias de ondas planares ou em canal de alta qualidade com relativa facilidade [5].

A possibilidade de projectar HOI's para utilizao de radiao UV para escrita directa de

estruturas no material, ou usando fotolitograa , tambm, uma caracterstica que torna es-

tes materiais interessantes. A versatilidade, a relativa facilidade com que se altera as suas

caractersticas de acordo com a aplicao pretendida, e, o baixo custo, torna estes materiais

atractivos para aplicaes em ptica integrada, em particular para redes de curto alcance.

Assim, existe um nicho de mercado disponvel para esta tecnologia.

Esto reportadas na literatura diversas situaes onde este tipo de materiais utilizado

para produo de dispositivos activos e passivos. Relativamente aos dispositivos passivos,

esto reportados, por exemplo guias de ondas planares so [6, 7], guias de ondas em canal [7

10], ltros pticos [10], ou divisores em Y [1113]. Dispositivos activos preparados com HOI's

so, por exemplo, lasers [14, 15] ou guias de ondas para amplicao [16, 17]. Na concepo

de dispositivos pticos o controlo do ndice de refraco fundamental. Nos materiais HOI's,

para aplicaes pticas, isto conseguido atravs da incorporao alcxidos de zircnio ou

titnio. Contudo por si s, estes podem deteriorar a qualidade ptica do material devido

precipitao de partculas coloidais [18], pelo que so utilizados agentes como acido metacrlico

para estabilizao [3, 7].

A necessidade de processamento de lmes nos na fabricao do dispositivos exige um

mtodo de caracterizao rpido e de alta preciso. Tcnicas de caracterizao de lmes

nos so fundamentais tanto em investigao como na industria. Em geral, os parmetros

mais importantes nas tcnicas de caracterizao so a preciso, abilidade dos resultados,

reprodutibilidade e rapidez. A elipsometria um mtodo de caracterizao centenrio que

responde a estes requisitos.

Neste trabalho, pretende-se aplicar esta tcnica caracterizao de dispositivos, guias

de ondas planares e em canal, preparados com materiais hbridos orgnicos-inorgnicos para

aplicaes em ptica integrada. O propsito da caracterizao a determinao do ndice

de refraco e espessura dos dispositivos. O conhecimento deste parmetros fundamental

na concepo de dispositivos para uma determinada funcionalidade, num circuito ptico.

Particularmente, nos guias de onda, a espessura e ndice de refraco, juntamente com o

comprimento de onda da radiao so os trs parmetros importantes a considerar no desenho

de guias com propagao uni ou multimodal. O uso de elipsometria para a caracterizao de

guias de ondas planares foi j demonstrada. A aplicao desta tcnica no estudo de guias em

canal ainda um campo por explorar.

Com o uso de elipsometria no estudo de guias em canal pretende-se determinar a variao

do ndice de refraco entre o canal e o material envolvente. A obteno deste parmetro

tipicamente efectuada com recurso guiagem de luz no dispositivo. O uso de elipsometria

constitui um desao, no sentido em se tenta utilizar uma tcnica focada para a caracterizao

de materiais caracterizao do guia em canal, sem necessidade de guiagem de luz.

Elipsometria uma tcnica de caracterizao indirecta, onde os parmetros de interesse

no so obtidos directamente mas por ajuste dos dados experimentais a um modelo que

descreve a amostra. Este facto uma das desvantagens da tcnica. Neste contexto, tendo

em mente a necessidade de uma anlise mais rpida e com mais conana no resultado,

2
apresentado novo mtodo de anlise de dados elipsomtricos, baseado no uso de optimizao

multi-objectivo (OMO).

Esta dissertao est estruturada da seguinte forma: inicialmente so abordados os prin-

cpios fsicos associados propagao de radiao electromagntica em meios materiais, de

relevo para este trabalho. Seguidamente abordada a tcnica de elipsometria, so expostos

os seus fundamentos tericos, e, introduzida a anlise de dados experimentais com vista

obteno de parmetros de interesse sobre as amostras. De seguida so apresentados conceitos

sobre os mtodos de optimizao local, global e multi-objectivo. proposta a aplicao de

uma tcnica de optimizao multi-objectivo anlise de dados em elipsometria. A seco

seguinte est reservada descrio experimental, material utilizado, equipamento e procedi-

mentos computacionais implementados, e resultados da caracterizao efectuada. efectuada

a demonstrao do uso de optimizao multi-objectivo em elipsometria e as suas potencialida-

des. So caracterizados guias de ondas planares com o objectivo de obter o ndice de refraco

e a espessura. So, tambm, analisados lmes processados por escrita directa por laser UV,

com o objectivo de obter a variao do ndice de refraco provocada na regio exposta a ra-

diao UV, relativamente ao restante lme. No ltimo capitulo so sumariados os resultados

obtidos, retiradas concluses acerca do trabalho efectuado e so propostas futuros trabalhos

a efectuar.

Este trabalho apresenta duas contribuies originais nos campos da elipsometria e cara-

cterizao de dispositivos pticos. Primeiramente a introduo de optimizao multi-objectivo

na anlise de dados em elipsometria, tendo sido implementada e demonstrada a sua utilizao

num problema real, expondo as vantagens inerentes ao processo. A segunda contribuio

consiste na aplicao de elipsometria na caracterizao de guias de onda em canal, para ob-

teno do contraste de ndice de refraco entre o canal e o meio envolvente. Esta dissertao

constitui a prova de conceito dos mtodos propostos.

Deste trabalho resultaram as seguintes publicaes em revistas, conferncias e encontros

com arbitragem cientica:

Artigos em revistas internacionais

Vasco R. Fernandes, Carlos M. S. Vicente, Naoya Wada, Paulo S. Andr, Rute A. S. Fer-

reira, Hybrid Multi-Objective Genetic Algorithm Applied to Spectroscopic Ellipsometry

of Organic-Inorganic Hybrid Planar Waveguides, Optics Express, 2010. (aceite)

R. A. S. Ferreira, C. Vicente, L. R. Xavier, V. Fernandes, L. D. Carlos, P. S. Andr, E.

Pecoraro, V. De Zea Bermudez, P. Monteiro, P. V. S. Marques, Low-cost optical compo-

nents based on organic-inorganic hybrids produced using direct UV writing technique,

ICTON: 2010 12
th International Conference on Transparent Optical Networks, Munich,

Germany, June 27 - July 1, 2010.

R. A. S. Ferreira, C. M. S. Vicente, V. Fernandes, A. G. Macedo, E. Pecoraro, R. N.

Nogueira, P. S. Andr, P. Marques, L. D. Carlos, Organic-Inorganic Hybrids for the

New Generation of Optical Networks, ICTON: 2009 11

th International Conference on

Transparent Optical Networks, Vols 1 and 2 (IEEE, New York, 2009), pp. 649-652,

June 28 - July 2, 2009.

Comunicaes Internacionais

3
 Comunicao Oral

 V. Fernandes, R. A. S. Ferreira and P. S. Andr, Optical Waveguide Characteri-

zation by Ellipsometric Analysis using Multi-Objective Optimization, NOC: 15th

European Conference on Networks and Optical Communications, Faro, Portugal,

June 8-10, 2010.

 R. A. S. Ferreira, C. M. S. Vicente, V. R. Fernandes, L. R. Xavier, E. Pecoraro,

P. S. Andr, R. Nogueira, V. Z. Bermudez, P. V. S. Marques, S. J. L. Ribeiro and

L. D. Carlos, Self-Patterned Organic-Inorganic Hybrids For Fibre Optics Access,

ISGS: XV
th International Sol-Gel Conference, Porto de Galinhas, Brazil, August

23-27, 2009.

Comunicaes Nacionais

Apresentao em Painel

 Vasco R. Fernandes, Carlos M. S. Vicente, Paulo S. Andr, Rute A. S. Ferreira,

Waveguide Characterization by Ellipsometry, SEON: VIII Symposium on Enabling

Optical Networks and Sensors, Faculdade de Engenharia da Universidade do Porto,

Porto, Portugal, 25 Junho, 2010.

 V. Fernandes, R. A. S. Ferreira, P. S. Andr, Waveguide Characterization by El-

lipsometric Analysis using Multi-Objective Optimization, VII CICECO Meeting,

Aveiro, Portugal, 28-29 Janeiro, 2010.

4
2 Fundamentos Tericos

A elipsometria envolve varias reas do conhecimento, como a Fsica, na fundamentao

terica da tcnica, Cincia da Computao e Matemtica para anlise de dados e Electrnica

para a construo de equipamentos de medio.

Relativamente Fsica, esto presentes os ramos da ptica e da cincia de materiais. O

primeiro est relacionado com a fundamentao terica da tcnica e o aparato experimental,

enquanto o segundo essencial na anlise de dados. De seguida sero expostos os fundamentos

tericos de importncia para este trabalho e a tcnica de elipsometria. Ser abordada a

interaco de radiao electromagntica com a matria, polarizao, interaco de radiaco

com interfaces planas e uma breve referncia aos guias de ondas pticos.

2.1 Equaes de Maxwell

A luz radiao electromagntica que se comporta como se fosse constituda por quan-

tas de energia, fotes, mutuamente independentes, apresentando um carcter dual de onda e

partcula. As equaes de Maxwell permitem uma descrio matemtica concisa da propaga-

o do campo electromagntico num meio material, constituindo o ponto de partida para a

investigao deste tipo de fenmenos. As quatro equaes de Maxwell que governam a pro-

pagao da luz num meio so dadas pelas equaes (2.1) [19], onde ~
D representa o campo de

deslocamento, ~
B a densidade de uxo magntico, ~
E o campo elctrico, ~
H o campo magntico,

f a densidade de carga livre, Jf a densidade de corrente livre e t a varivel de tempo [19].

~
~ D
~ = f (2.1a) ~ = B
~ E (2.1c)
t

~
~ B
~ =0 ~ H
(2.1b)
~ = Jf + D (2.1d)
t
Para o caso de vcuo, uma vez que no existem cargas livres, f e Jf possuem valor zero.

Tambm, para ~ = 0 E
o vcuo D ~ e B
~ = 0 H ~ , representando 0 e 0 respectivamente a
permeabilidade magntica e permitividade elctrica do vazio.

Um material sob aco de um campo elctrico sofre a induo de um momento de dipolo

elctrico local, resultante do facto de o campo alterar a distribuio de cargas. Neste caso o

campo de deslocamento denido por ~ = 0 E

D ~ + P~ , sendo P~ a polarizao ou momento de

dipolo elctrico por unidade de volume do material. Para um dielctrico linear, homogneo,

isotrpico e com resposta instantnea s mudanas no campo elctrico, P~ depende linearmente

de E~ , podendo rescrever-se o campo de deslocamento como D ~ = 0 E
~ +0 e E
~ = 0 (1+e )E
~ =
~ ~
0 r E = E , onde e indica a susceptibilidade elctrica do meio, r a permitividade elctrica
relativa do meio e a permitividade elctrica do meio.

De forma semelhante, para um material com propriedades magnticas ao qual aplicado

um campo magntico, dene-se ~ = 0 ( H

B ~ +M
~) onde ~
M a magnetizao ou momento de

dipolo magntico por unidade de volume do material. Para um meio isotrpico, a magnetiza-

o directamente proporcional ao campo magntico, resultando em ~ = 0 (H

B ~ + m H)
~ =
~ = 0 r H
0 (1 + m )H ~ = H
~, onde m a susceptibilidade magntica, r representa a

permeabilidade magntica relativa do meio e a permeabilidade magntica do meio. Para

materiais no isotrpicos (r ) e (r ) so tensores de segunda ordem, onde o valor das

constantes depende da direco de propagao, existindo materiais biaxiais e triaxiais, res-

5
pectivamente duas e trs direces de propagao.

A equao de onda em espao livre expressa como [19, 20]:

2~ 2E~
~ = 0 0 E
2 E (2.2) ou ~
= c2 2 E, (2.3)
t2 t2
onde c = 1/ 0 0 a velocidade da luz no vcuo. Num meio, que no o vcuo, a velocidade

da luz inferior a c. A relao v = c/n permite obter o valor da velocidade, sabendo o valor

do ndice de refraco n = r r . Uma anlise mais profunda sobre este parmetro ser
efectuada mais adiante.

Num meio que no o vcuo, e supondo que no existem correntes externas, tem-se que
~,
Jf = E pelo que a equao de onda seria neste caso

~
2E ~
2E ~
2E ~
2E 2 P~
~ =
2 E + = + 0 + (2.4)
t2 t2 t2 t2 t2
A soluo da equao (2.2) para os campos elctrico e para magntico [19, 20]:

~ = E0 ei(t~k~r)
E ~ = H0 ei(t~k~r)
H (2.5)

onde = 2f = 2/T a frequncia angular com f a frequncia e T o perodo. ~k o

vector de onda com k =

2
e o comprimento de onda, ~r a componente espacial e E~0 e ~0
H
a amplitude de oscilao dos campos. A soluo da equao (2.4) ser obtida de seguida.

2.2 Propagao de Radiao Electromagntica em Meios Materiais

Quando a luz interage com um meio material ocorrem diversos fenmenos, por exemplo,

a diminuio velocidade de propagao relativamente ao vcuo, a absoro de energia da pelo

material e a disperso parcial da luz. Estes eventos so explicados pela interaco entre a

radiao electromagntica e os electres do material.

Considere-se a propagao de ondas luminosas num meio dielctrico, isotrpico e homo-

gneo, o caso de interesse neste trabalho. A interaco entre a luz e os electres ligados

descrita pelo modelo do oscilador de Lorentz, permitindo obter a resposta do meio sujeito

perturbao aplicada pelo campo electromagntico. Lorentz pensou no tomo como o ncleo,

de carga positiva, representado por uma massa ligada por uma mola a outra massa mais

pequena de carga negativa, o electro. Devido ao campo electromagntico incidente os elec-

tres cam sob aco da fora de Lorentz, equao (2.6). Contudo, o papel mais importante

tomado pelo campo elctrico, o efeito do campo magntico muito inferior, pelo que

desprezado [19, 20].

 
F~ = e E~ + d~r B
~ (2.6)
dt
A representao da fora de ligao entre as massas por uma mola signica que a fora que

liga o electro ao ncleo pode ser descrita pela lei de Hooke. Considerando o electro como

um oscilador harmnico clssico, uma massa suspensa por uma mola (a massa do electro
2
muito menor que a massa do ncleo), a fora de ligao F~l (r) = k~r = me ddt2~r = me 02~r
onde r o deslocamento relativamente posio de equilbrio, me a massa do electro e
p
0 = k/me a frequncia natural de oscilao onde k a constante de mola.
Devido ao campo elctrico alternado da radiao, o electro sofre a aco de uma fora

motriz ~ = eE~0 ei(t~k~r)

F~d = eE que causa um deslocamento em relao posio de

6
equilbrio. Um electro de carga -e deslocado de uma distncia ~r relativamente sua posio

de equilbrio origina uma polarizao. A polarizao, P~ , denida como o momento de dipolo

elctrico por unidade de volume. Se o nmero de electres por unidade de volume for N , a

polarizao dielctrica denida como P~ = eN~r.

Ao longo do tempo, o electro retorna ao equilbrio devido a uma fora restauradora F~r
que, actua de forma a contrariar o deslocamento, como que se o electro estivesse imerso num

uido viscoso. Esta fora expressa por F~r = me d~

r
dt , onde denominado de coeciente

de amortecimento.

A equao diferencial que descreve o movimento dada por [19, 20]:

d2~r 2
~l + F~r + F~d me d ~r + me d~r + me 2~r = eE,
~
=
meF 0 (2.7)
dt2 dt2 dt
representando o movimento de um oscilador forado amortecido. A fora F ~d , causa a oscilao
do electro mesma frequncia do campo elctrico incidente. Assumindo que a soluo de

r(t) tem a forma Ae(it) , e utilizando a equao P~ = eN~r, possvel obter o ndice de

refraco como sendo dado por [19, 20]:

N e2
n()2 = [nR () inI ()]2 = 1 + (2.8)
0 me (02 2 ) + i0 me
onde nR e nI so, respectivamente, a parte real e imaginria do ndice de refraco. A

parte imaginria do ndice , normalmente, referida como coeciente de extino, pois est

relacionada com a absoro do material.

Pode-se agora dizer que a soluo da equao (2.4) igual soluo da equao (2.2),

com excepo de o vector de onda ser complexo para (2.4). Usando k = /v = (n())/c na

soluo da equao de onda, pode ver-se que o campo no puramente oscilatrio [19, 20],

   
n() n ()r
~ = E0 ei t c r i t R c r
E = E0 e enI () c , (2.9)

devido a nI (), a amplitude decai medida que a onda se propaga. A dependncia do ndice

de refraco com a frequncia/comprimento de onda, caracteriza o efeito de disperso da luz.

2.3 Polarizao de Radiao Electromagntica

Uma caracterstica fundamental da radiao electromagntica o estado de polarizao

que descreve a orientao das oscilaes do campo. O estado de polarizao denido pelo

campo elctrico, isto porque quando a luz interage com a matria, a fora exercida pelo campo

elctrico nos electres muito superior fora exercida campo magntico.

Considere-se um sistema de eixos cartesiano com o eixo Z como direco de propagao

da radiao. A propagao de uma oscilao de campo subdivide-se em duas componentes;

a componente segunda o eixo Y normalmente designada pela letra s, do alemo senkrecht

que signica perpendicular; a componente segundo X geralmente identicada pela letra p,
do alemo parallel que signica paralelo.

Assim, uma onda electromagntica que se propaga no espao segunda uma direco z

com uma dada fase inicial denida como a soma das componentes segundo X e Y:

~ = Ex0 ei(tkz+x ) x + Ey0 ei(tkz+y ) y

E (2.10)

7
 Figura 2.1: Polarizao elptica com diferena de fase arbitrria.

Para descrever estados de polarizao no necessrio saber o valor das duas fases, mas

apenas a diferena entre elas, isto , (x y ). Das equao (2.10), considere-se a parte real,

que existe uma diferena de fase entre as duas componentes e que z = 0,

~ y = Ey0 cos(t + )y.
E (2.12)
~ x = Ex0 cos(t)x
E (2.11)

As equaes anteriores podem ser reescritas como

~ x|
|E ~y|
|E
= cos(t) (2.13a) = cos(t) cos() sin(t) sin(). (2.13b)
Ex0 Ey0
Multiplicando (2.13a) por cos() e subtraindo de (2.13b), possvel obter [21]

~ y |2 |E
|E ~ x |2 ~ x ||E
|E ~y|
2 + 2 2 cos() = sin2 (). (2.14)
Ey0 Ex0 Ex0 Ey0

Esta equao tem a forma da equao geral de uma elipse, AX 2 + BXY + CY 2 + DX +

EY + F = 0, sendo por vezes denominada de elipse de polarizao. Dependendo do valor
de , pode representar uma linha, um crculo ou uma elipse. O sinal de dene o sentido

de rotao. Por exemplo, quando a diferena de fase um mltiplo de , a equao (2.14)

E
ca Ex = x0 Ey , uma onda linearmente polarizada. O sinal negativo ocorre se o valor da
Ey0
diferena de fase for um mltiplo mpar de e o sinal positivo quando for par.

Quando o valor da diferena de fase um mltiplo mpar de /2 e Ex0 = Ey0 = R,

2 2 2
a equao (2.14) simplica para Ex + Ey = R , equao de um crculo. Tem-se, portanto,

a polarizao circular. Se a componente Y est adiantada a rotao ocorre no sentido dos

ponteiros do relgio. Ainda para esta diferena de fase, se Ex0 6= Ey0 , a polarizao elptica

com eixo maior no plano X ou Y , respectivamente no caso de Ex0 > Ey0 ou Ex0 < Ey0 .

No caso geral, em que o eixo maior da elipse no se encontra em X ou Y , o valor da

diferena de fase no um mltiplo inteiro de /2, ento o ngulo de inclinao dado

pela equao (2.15) [21], Figura 2.1.

B 2Ex0 Ey0 cos()

tan(2) = = 2 E2 (2.15)
AC Ex0 y0

Os dois estados mais simples de polarizao linear so transversa elctrica (TE), em que o

campo elctrico oscila na vertical, e a linear transversa magntica (TM), em que a oscilao

do campo elctrico horizontal. Em polarizao circular e elptica o vector denido pelas

8
componentes x e y pode rodar no sentido horrio ou anti-horrio, pelo que importante

denir uma conveno para caracterizar o sentido de rotao. A rotao direita se o vector

roda no sentido dos ponteiros do relgio, quando observando contra a direco de propagao

a onda, isto , quando olhando para dentro do feixe. Igualmente, a polarizao diz-se esquerda
se o vector resultante roda no sentido contrrio aos ponteiros do relgio, quando observando

contra a direco de propagao [21].

2.3.1 Formalismo de Jones e Muller

Uma descrio moderna da polarizao e matematicamente mais compacta dada pela

representao de Jones. Falando especicamente de polarizao, as componentes temporal e

espacial da onda electromagntica no so relevantes para a descrio; apenas a fase, pelo que

se pode efectuar a simplicao para a forma apresentada na equao (2.16) [2123].

" # " #
Ex0 eix Ex
E(z, t) = = (2.16)
Ey0 eiy Ey
Usando esta notao a discrio de polarizao simplicada. Como exemplo apresentada

polarizao linear segundo

" # X, linear segundo
" # Y, linear a 45o e" circular
# direita.
" #
1 0 1 1
Elinear,x = Elinear,y = Elinear,+45 = 12 E = 12
0 1 1 i
Elementos pticos so representados usando a matriz de Jones, equao (2.17) [2123].

Esta notao simplica os clculos da propagao em sistemas pticos que alteram os estado

de polarizao da radiao, pois necessrio apenas o produto de matrizes e vectores. Como

exemplo, considere-se a passagem de luz linearmente polarizada a 45o por um polarizador

com eixo de transmisso orientado segundo o eixo X, equao (2.18).

" #
jxx jxy
J= (2.17)
jyx jyy
" # " #" # " #
Ex 1 1 0 1 1 1
. = = (2.18)
Ey 2 0 0 1 2 0
Apesar da descrio elegante providenciada pelo formalismo de Jones, esta apenas permite o

tratamento de luz totalmente polarizada. Radiao no polarizada ou parcialmente polarizada

apresentada usando o vector de Stokes e Matriz de Muller. O vector de Stokes denido

por quatro parmetros, S03 , equao (2.19) [2123],

S0 Ix + Iy
S1 Ix Iy
S= = (2.19)

I+45 I45

S2
S3 IL IR
onde S0 representa a intensidade total da radiao, S1 a intensidade determinada pela sub-

traco da polarizao linear segundo Y da polarizao linear segundo X , S2 a intensidade

obtida pela subtraco da polarizao linear a 45o da polarizao linear a +45o e S3 a in-

tensidade dada pela subtraco da intensidade da radiao com polarizao circular esquerda

da intensidade da radiao com polarizao circular direita. Cada parmetro representa a

9
diferena relativa entre a intensidade de cada estado de polarizao. Por exemplo, se S1 > 0
a luz polarizada predominantemente segundo X , se S1 < 0 polarizada predominantemente
segundo Y . Para radiao linearmente polarizada segundo X , o vector de Stokes normalizado

a S0 , toma os valores S0 = 1, S1 = 1, S2 = 0 e S3 = 0.
2 2 2 2
Se a radiao totalmente polarizada S0 = S1 + S2 + S3 , normalizando em relao a S0 ,
2 2 2
S1 + S2 + S3 = 1. Se a radiao parcialmente 2 2 2
p polarizada S1 + S2 + S3 . Neste caso, possvel
denir o grau de polarizao, p usando, p = S12 + S22 + S32 /S0 [2123]. Este parmetro toma
valores no intervalo [0, 1].

A matriz de Muller anloga matriz de Jones, permite a representao de elementos

pticos, contudo, a sua dimenso 4 4, pois acompanha o vector de Stokes. Este o forma-

lismo mais geral possvel para a representao da polarizao e interaco entre a radiao e

sistemas pticos.

2.4 Reexo e Transmisso de Radiao Electromagntica em Interfaces

Planas
Quando radiao electromagntica se propaga de um material para outro de caracters-

ticas diferentes, alguma energia transmitida e outra reectida. Usando a equao de onda

possvel determinar a amplitude do campo transmitido e reectido.

Considere-se o sistema simples de dois meios isotrpicos com a mesma permeabilidade

magntica mas permitividades elctricas distintas, Figura 2.2, onde N0 e N1 representam os

ndices de refraco complexos dos dois meios. Considere-se ainda que se propaga um raio de

luz no meio 0 e que este atinge a interface. i , r e t referem-se respectivamente aos ngulos

que os vectores de onda incidente, reectido e transmitido fazem com o plano fronteira. ~k , k~0
e k~00 so os vectores de onda.

Figura 2.2: Esquema da reexo e transmisso de radiao numa interface plana.

As equaes para as ondas incidente, reectida e transmitida so:

~ 0m ei(m tk~m ~r) k~m E~m

E~m = E H~m = (2.20)
m
onde m = i, r, t representam respectivamente incidente, reectida e transmitida. Pelas con-

dies de fronteira, a continuidade das componentes tangenciais de ~

E e ~
H na interface en-

tre os dois meios, so derivadas as leis da reexo, i = r , e refraco ou lei de Snel,

N0 sin i = N1 sin t .

10
 Sabendo quais os ngulos de reexo e refraco, agora, necessrio saber qual a ampli-

tude das ondas nesses dois casos. Para isto recorre-se de novo s equaes (2.20). Atendendo

continuidade das componentes de campo tangenciais ao plano fronteira, podem escrever-se

as seguintes equaes para os dois casos de polarizao:

Polarizao TE Polarizao TM

E~ i + E~r = E ~t ~i + H
H ~r = H~t (2.21)

~ i cos i H
H ~ r cos i = H ~ t cos t ~ i cos i E~r cos i = E
E ~ t cos t (2.22)

A partir das equaes anteriores podem denir-se os coecientes de Fresnel para a reexo e

transmisso. Aplicando nas equaes (2.21) e (2.22) obtm-se as seguintes expresses para as

equaes de Fresnel,

" # " #
E~r N0 cos(0 ) N1 cos(1 ) E~r N1 cos(0 ) N0 cos(1 )
rs = = , rp = = ,
E~i N0 cos(0 ) + N1 cos(1 ) E~i N1 cos(0 ) + N0 cos(1 )
" # " #
~t
E N0 cos(0 ) N1 cos(1 ) ~t
E N1 cos(0 ) N0 cos(1 )
ts = = , tp = = .
~i
E N0 cos(0 ) + N1 cos(1 ) ~i
E N1 cos(0 ) + N0 cos(1 )

2.5 Guias de Ondas pticos

Um guia de ondas uma estrutura cuja nalidade direccionar a propagao de energia

na forma de ondas electromagnticas, atravs do connamento desta numa regio de ndice

de refraco superior ao restante meio envolvente. O principio fsico que providencia conna-

mento e guiagem a reexo interna total. As bras pticas so os guias de ondas pticos

mais comuns.

Circuitos pticos integrados e comunicaes pticas fazem largo uso deste tipo de dispo-

sitivos. Na tecnologia de circuitos pticos integrados, diversos dispositivos so combinados no

circuito, dispositivos de gerao como lasers ou dodos emissores de luz, focagem, diviso como
divisores em Y, combinao, isolamento, polarizao, acoplamento, deteco como fotododos

e permuta. Guias de onda pticos providenciam a conexo entre os diversos dispositivos.

Os guias de ondas pticos podem subdividir-se em duas categorias, passivos, que pos-

suem caractersticas estticas relativamente s ondas electromagnticas, divisores em Y, aco-

pladores direccionais ou guias cnicos, e activos, dispositivos funcionais que podem exercer

controlo sobre a radiao, por exemplo modeladores electro-pticos ou amplicadores pticos.

Este trabalho incidir sobre guias passivos planares e em canal. Este tipo de dispositivos

pode tomar diversas formas. Na Figura 2.3 so apresentadas as conguraes mais comuns.

Seguidamente exposto o princpio fsico fundamental destes dispositivos. Uma vez que o

principio que possibilita a guiagem de luz o mesmo nos vrios casos, ser apenas utilizado

o guia planar na subsequente exposio. Considere-se a Figura 2.4, onde apresentado um

guia planar com materiais com ndices de refraco n1 > n2 > n0 . O ngulo critico da

interface n1 /n2 dado por c12 = arcsin(n2 /n1 ). Analogamente, para a interface n0 /n1 ,
c01 = arcsin(n0 /n1 ). A propagao de sinal no dispositivo s ocorre se estiverem satisfeitas
o
duas condies, 90 < < c01 , pois ocorrer reexo interna total em ambas as interfaces

(n2 > n0 , logo se est satisfeita a condio para n0 /n1 tambm estar para n1 /n2 ), e, a

auto consistncia da onda, a diferena de fase em cada reexo nas interfaces dada por

11
Figura 2.3: Diferentes conguraes possveis para guias de onda, planar, em canal, cume (da

lngua inglesa ridge ) e faixa carregada (da lngua inglesa strip-loaded ).

Figura 2.4: Esquema de um guia de onda planar dielctrico de trs camadas.

2(n + 1) , aps n=2 reexes (uma em cada interface), a diferena de fase dever ser 2 .
Um dispositivo deste tipo permite a propagao de diversos modos guiados, isto diferentes

conguraes de campo. Tal como anteriormente referido, um modo dito, TE se a oscilao

de campo elctrico ocorre na direco Z, e, TM se a oscilao de campo magntico ocorre na

direco Z. Tomando os modos TE, a equao que governa a propagao destes obtida a

partir das equaes de Maxwell, sendo dada por [19, 24]:

2 Ey0
= ( 2 2 )Ey0 . (2.23)
x2
com = k0 n1 sin(1 ), sendo k0 o mdulo do vector de onda da radiao. Esta a equao de

onda que campo elctrico dos modos TE tem de satisfazer, relacionando o campo transverso

com a constante de propagao , sendo valida nas trs regies do guia, n0 , n1 e n2 . Por uma

questo de simplicidade, uma vez que de interesse lidar com ndices de refraco, efectua-se

a substituio 2 = k02 n2 . Nas equaes 2.24 so apresentadas as solues da equao para

os modos TE [19, 24]. Na Figura 2.4 esto representados os trs primeiros modos TE.

Ey1 (x) = A cos(kx1 x ) ou Ey (x) = B sin(kx1 x + ) 06x6W

jk0x x
Ey0 (x) = Ce x60 (2.24)

Ey2 (x) = Dejk2x (xW ) x > W.

Relativamente caracterizao destes dispositivos usando elipsometria, na literatura es-

to reportadas algumas situaes onde so analisados lmes destinados produo de guias

de onda planares [2530]. Neste trabalho para alm da caracterizao de dispositivos planares,

pretende-se aplicar a tcnica de elipsometria na medio de guias de ondas em canal obtidos

por escrita directa por laser UV.

12
3 Elipsometria

A elipsometria uma tcnica ptica que utiliza radiao electromagntica como meio de

prova, permitindo aceder a propriedades de lmes nos como ndice de refraco, espessura,

rugosidade supercial, regies de interface, entre outras.

As vantagens fundamentais desta tcnica so a preciso, reprodutibilidade, elevada sensi-

bilidade espessura, mede rcicos de intensidade, logo menos sensvel a utuaes, permite

efectuar anlise multi-amostra, pode ser combinada com outras medidas pticas como re-

ectncia e transmitncia, no necessria preparao especial da amostra e uma medida

no destrutiva. As principais desvantagens so o facto de ser um mtodo de caracterizao

indirecto, a anlise de dados pode tornar-se difcil, necessita de informao precisa sobre o

substrato, e, dependendo da complexidade outras camadas tambm, no permite medir amos-

tras luminescentes ou ps e sensvel reexo de luz na base do substrato (contudo este

efeito pode ser minimizado ou mesmo eliminado).

As reas de aplicabilidade so vastas, na caracterizao de semicondutores (substratos,

ligas), na qumica e biologia (polmeros, protenas, DNA), monitorizao de crescimento de

materiais em tempo real (deposio qumica de vapor, epitaxia de feixe molecular e deposio

de camadas atmicas), controlo de fabrico em microelectrnica, etc.

Pode ser executada utilizando apenas um comprimento de onda, elipsometria laser, ou

numa gama de comprimentos de onda, elipsometria espectroscpica, que objecto de estudo

neste trabalho.

3.1 Equao Fundamental da Elipsometria

Considere-se o sistema simples representado na Figura 3.1. Uma onda linearmente polari-

zada incidente numa amostra representada pelas componentes perpendicular, Eis , e paralela,
Eip , do campo elctrico. A onda reectida pela amostra com variaes de amplitude e fase

distintas nas duas componentes de campo elctrico, denominadas aps a reexo de Ers e

Erp . Ainda na Figura 3.1, pode ser observada uma representao da superfcie da amostra e

os feixes de luz incidente, reectido e refractado. N0 e N1 representam os ndices de refraco

complexos de dois meios isotrpicos, sendo que, neste caso, se pode atribuir N0 ao ar e N1
a um qualquer material de interesse, ambos com espessura innita. O ndice de refraco

complexo denido por N = n ik , onde n e k so, respectivamente, o ndice de refraco

e o coeciente de extino. O ngulo de incidncia 0 relaciona-se com 1 atravs da lei de

Snel, N0 sin(0 ) = N1 sin(1 ).

Esta tcnica baseada no facto de as caractersticas de uma onda electromagntica serem

alteradas na interaco desta com a mostra. Quando luz linearmente polarizada reecte numa

superfcie ocorre uma alterao na fase e amplitude das componentes paralela e perpendicular

do campo elctrico da onda incidente. Em geral, luz incidente linearmente polarizada

reectida com polarizao elptica, da o nome elipsometria. A chave desta tcnica reside

precisamente na medio desta alterao de amplitude e fase, expressa, respectivamente, pelos

parmetros e .
Para o sistema de dois materiais innitos os coecientes de Fresnel para a reexo so

expressos pelas equaes (3.1) e (3.2). Note-se a introduo da representao em coordenadas

polares, onde rp e rs caracterizam o ngulo com o eixo real.

13
 Figura 3.1: Principio da mediao efectuada em elipsometria (Adaptado de [23]).

N1 cos(0 ) N0 cos(1 )
rp = = |rp |e(irp ) (3.1)
N1 cos(0 ) + N0 cos(1 )
N0 cos(0 ) N1 cos(1 )
rs = = |rs |e(irs ) (3.2)
N0 cos(0 ) + N1 cos(1 )
Para melhor compreender como expressar matematicamente e , considere-se a Figura

3.1 onde se encontra representado um estado de polarizao elptica genrico reectido pela

amostra. Os valores de e caracterizam por completo a elipse de polarizao e so denidos

pelas equaes (3.3) e (3.4), que expressam, respectivamente, a alterao na amplitude e a

diferena de fase relativa entre as componentes s e p. varia entre 0o e 90o . varia entre

180o e 180o ou 0o e 360o [22, 23].

|rp |
tan() = (3.3) = rp rs (3.4)
|rs |

Os parmetros experimentais e , so relacionados com as propriedades da amostra,

rp e rs , atravs da chamada equao fundamental da elipsometria, equao (3.5), onde

denominado de parmetro elipsomtrico [22, 23].

Erp
(i) rp Eip
tan()e = = Ers
= (3.5)
rs Eis
Embora no abordado neste trabalho, esta tcnica pode ser tratada em termos da medio

da alterao na luz transmitida relativamente incidente, sendo que, neste caso, na equao

fundamental (3.5) so utilizados os coecientes de transmisso de Fresnel.

Para o sistema simples de duas camadas apresentado na Figura 3.1, o ndice de refraco

pode ser obtido invertendo directamente os parmetros elipsomtricos. Utilizando a lei de

Snel e substituindo os coecientes de Fresnel pode obter-se o ndice de refraco N1 , equao

(3.6).

s  2
1
N1 = N0 sin(0 ) 1+ tan2 (0 ) (3.6)
1+
Para amostras multi-camada a obteno dos coecientes de Fresnel torna-se penosa uti-

lizando mtodos tradicionais. Para ilustrar, este facto considere-se o sistema de trs camada

da Figura 3.1. O coeciente para a reexo relativo s trs camadas dado por [23]:

14
 r012 = r01 + t01 t10 r12 e(i2) + t01 t10 r01 r12
2 (i4)
e 2 3 (i6)
+ t01 t10 r01 r12 e + ... (3.7)

Figura 3.2: Esquema de uma estrutura de trs camadas e os coecientes de Fresnel envolvidos.

(Adaptado de [23])

A equao anterior representa uma srie innita da forma y = a + ar + ar2 + ar3 + ...,
pelo que pode ser reduzida a y = a/(1 r). Utilizando este facto, e, tambm, que r01 = r10

e t01 t10 = 1 2 obtm-se

r10
r01 + r12 e(i2) 2d
r012 = (3.8) = N1 cos(1 ) (3.9)
1 + r01 r12 e(i2)
onde expressa a diferena de fase entre as duas interfaces. Com o aumento do nmero de

camadas a complexidade da formulao aumenta e este mtodo torna-se impraticvel. Uma

forma alternativa reside na adopo de um sistema matricial de clculo dos coecientes de

reexo, que alm da facilidade para efectuar o calculo manual, tambm, extremamente

conveniente do ponto de vista computacional, permitido implementar rapidamente processos

de clculo para um qualquer nmero de camadas.

Considere-se a Figura 3.3 que representa um sistema de m+2 camadas (+2 para in-

cluir ambiente envolvente e substrato), paralelas e isotrpicas. O ambiente e substrato so

denotados, respectivamente, por 0 e (m + 1) com dimenso innita.

As variveis j , dj e Nj representam, respectivamente, o ngulo de incidncia, a espessura

e o ndice de refraco da j-sima camada. Quando uma onda monocromtica plana incidente,

com ngulo 0 , interage com a estrutura, resultam ondas propagantes na direco positiva e

negativa de Z em cada interface. E (z) respectivamente as ondas que se

Sejam E + (z) e

propagam segundo a direco positiva e negativa do eixo Z , num plano arbitrrio z dentro do
0 00
primeiro meio material, para polarizao s e p. Os campos em dois planos z e z paralelos s

interfaces esto relacionados por uma matriz S de dimenso 2 2 que descreve a inuncia

da amostra na polarizao da radiao electromagntica [22].

! ! !
E + (z 0 ) S11 S12 E + (z 00 )
E(z 0 ) = SE(z 00 ) = (3.10)
E (z 0 ) S21 S22 E (z 00 )

Posicionando z0 e z 00 , respectivamente, no ambiente (0) e no substrato (m + 1), a matriz

15
 Figura 3.3: Esquema de uma estrutura de m+2 camadas e m+1 interfaces.

global S que representa as propriedades de reexo e transmisso de toda o sistema dada

pelo produto de matrizes que representam as diversas interfaces e camadas. Efectuando

multiplicaes sucessivas e ordenadas convenientemente, obtm-se a matriz S que caracteriza

as propriedades do sistema, equao (3.11) [22].

!
S11 S12
S = I01 L1 I12 L2 ...I(j1)j Lj ...Lm Im(m+1) = (3.11)
S21 S22
Uma interface (I ) entre dois meios a e b, e uma camada (L) de um meio b so expressas

matricialmente atravs de [22]:

! !
1 1 rab ei 0
Iab = (3.12) Lb = , (3.13)
tab rab 1 0 e
onde a diferena de fase entre interfaces denida anteriormente e rab e tab so os coecientes
de Fresnel para a reexo e transmisso entre dois meios isotrpicos a e b. Note-se que no

existe matriz Lm+1 pois foi assumido que o substrato innito, o que implica que no substrato

no existem ondas que se propagam na direco negativa de Z . importante notar que uma

vez que a formulao para polarizao s e p distinta, tambm, existir uma matriz S distinta

para as duas componentes. Os coecientes de Fresnel globais relativos a toda a estrutura, rg

e tg , so expressos por

E + (z1 ) S21 E + (zm+1 ) 1

rg =
= e tg = +
= . (3.14)
E (z1 ) S11 E (z1 ) S21
Consequentemente a equao fundamental da elipsometria vem

p
S21
rgp p
S11
tan()ei = = s
S21
= (3.15)
rgs s
S11

3.2 Anlise de Dados de Elipsometria

Para determinar as constantes pticas e espessura, para sistemas de trs ou mais cama-

das, necessrio utilizar optimizao numrica para a inverso das equaes, excepto para

16
alguns casos especcos. O clculo dos parmetros de interesse consiste no ajuste das curvas

experimentais, exp e exp , a um modelo terico. Um modelo de camadas que representa a

amostra utilizando para calcular os parmetros elipsomtricos tericos, mod e mod , dei-

xando os parmetros de interesse, por exemplo, ndice de refraco e espessura, como variveis

dinmicas que so ajustadas at que a diferena entre as curvas experimental e terica tenha

um valor estabelecido.

3.2.1 Funo de Erro do Ajuste

A qualidade do ajuste, isto , a quanticao da proximidade entre os dados experimentais

e o modelo avaliada atravs do 2 ,

N
" 2 2 #
exp mod exp mod

1 X
2 = i i
+ i i
, (3.16)
2N M 1
i=1
i i

onde representa o erro associado medida. A forma de calcular a qualidade do ajuste no

est contudo limitada a esta formulao. Os elipsmetros de modulao de fase modernos

no medem directamente os valores de e , mas sim os parmetros Is e Ic, abordados

com maior pormenor na seco 5.2. Assim, possvel usar a equao (3.17), utilizada neste

trabalho.

N
" 2 2 #
Isexp Ismod Icexp Icmod

1 X
2IsIc = i i
+ i i
(3.17)
2N M 1
i=1
iIs iIc

3.2.2 Modelos Para a Funo Dielctrica

Para efectuar o clculo dos parmetros elipsomtricos atravs de um modelo terico, em

elipsometria espectroscpica, necessrio conhecer a funo dielctrica da amostra. Para

descrever as propriedades pticas de um material em funo do comprimento de onda so

utilizadas as chamadas equaes de disperso, que expressam o ndice de refraco (complexo

ou no) em funo do comprimento de onda. Se a funo dielctrica de um dado material no

for conhecida, no processo de anlise de dados, utilizada uma equao de disperso para

modelar o ndice de refraco em funo do comprimento de onda.

Dependendo do tipo de material, diferentes relaes de disperso so empregadas. Para

materiais dielctricos transparentes na regio visvel, normalmente usada a equao de

Cauchy ou Sellmeier. Para materiais pouco absorventes na regio UV/VIS o modelo do

oscilador de Lorentz em geral utilizado [23]. Para materiais semicondutores amorfos o

modelo de Tauc-Lorentz e Forouhi-Bloomer so muitas vezes aplicados. Para semicondutores

cristalinos os modelos de Adachi, Kato-Adachi, Adachi-Forouhi so comummente aplicados

[23]. Quando existe absoro por portadores livres, como nos metais, o modelo de Drude

geralmente utilizado [23].

Neste trabalho, o interesse centra-se em materiais no cristalinos e transparentes ou

pouco absorventes na regio do visvel. Os modelos mais usuais para o clculo do ndice so

o oscilador de Lorentz, a equao de Cauchy ou Sellmeier. Ser apenas utilizado o modelo do

oscilador de Lorentz, pois com quatro parmetros descreve o ndice de refraco complexo,

enquanto que nos outros dois modelos seriam necessrias pelo menos seis variveis.

17
Modelo do Oscilador de Lorentz
O oscilador de Lorentz foi j abordado neste trabalho, pelo que partiremos da equao

(2.8), de seguida recordada. Relembre-se, tambm, que () = n()2 .

N e2
= n()2 = [nR () + inI ()]2 = 1 + (3.18)
0 me (02 2 ) + i0 me
Efectuado a simplicao p2 = N e2 /0 me , sendo p denominado frequncia do plasma,

obtm-se
p2
=1+ . (3.19)
02 2 + i
Considerando os limites da funo dielctrica a baixa (s ) e alta ( ) frequncia, pode

escrever-se o modelo do oscilador de Lorentz como

p2
= ( 0) = 1 +
s 02 (s )02
= () = + , (3.20)
= ( ) = 1

(02 2 ) + i

onde , s , 0 e so os parmetros de ajuste. Relembre-se que estes parmetros so,

respectivamente, a constante dielctrica relativa a alta frequncia, a constante dielctrica

relativa esttica, frequncia de ressonncia do oscilador e o factor de amortecimento.

No processo de anlise pode no ser de interesse variar todos os parmetros, pelo que

possvel xar =0 para forar a transparncia, ou =1 para obrigar a que a contribuio

para o ndice da alta frequncia seja 1.

Este modelo aplicvel apenas na regio do visvel. Uma extenso considerando mais

osciladores, por exemplo mais dois, equao (3.21), por vezes empregue para abranger

uma regio maior do espectro electromagntico, geralmente do ultravioleta ao infravermelho

prximo.

2 2
(s )02 X fj 0,j
() = + + (3.21)
(02 2 ) + i j=1 (0,j
2 2 ) + i
j

3.2.3 Aproximaes de Meio Efectivo

Teorias de meio efectivo ou aproximaes de meio efectivo (EMA do ingls Eective
Medium Approximation ) descrevem o ndice de refraco de materiais constitudos por dois

ou mais componentes de diferentes ndices de refraco. O objectivo determinar a funo

dielctrica de um material macroscopicamente homogneo mas microscopicamente no homo-

gneo. Em elipsometria esta teoria importante no s para modelar misturas de materiais

mas, tambm, materiais porosos, rugosidade e, ainda, camadas com ndice de refraco de-

pendente da profundidade. As duas relaes mais utilizadas, Maxwell Garnett e Bruggeman,

so abordadas em seguida.

Supondo que dois materiais no esto misturados escala atmica, mas que o sistema

consiste de pequenas incluses esfricas, sucientemente grandes para possurem a sua prpria

constante dielctrica ar , num meio hospedeiro br , obtm-se uma aproximao de meio efectivo
conhecida como Maxwell Garnett EMA [31, 32],

r br ar br
= fa . (3.22)
r + 2br ar + 2br

18
onde r representa a constante dielctrica da mistura e fa representa a fraco molar da fase

a na mistura (fa + fb = 1).

Na expresso de Maxwell Garnett, quando fa e fb so prximos pode no ser claro qual

o meio hospedeiro, sendo que os resultados de r so diferentes escolhendo o meio a ou b como

hospedeiro. Para resolver este problema, Bruggeman introduziu uma mudana signicativa

na formula de Maxwell Garnett. As componentes passaram a ser tratadas de forma idntica,

isto , considerou as incluses como estando embebidas no prprio meio efectivo, hr = r ,

obtendo, assim, a aproximao de meio efectivo de Bruggeman [3234], equao (3.23).

ar r br r
0 = fa + fb b (3.23)
ar + 2r r + 2r
Na Figura 3.4 representado esquematicamente a assumpo feita pelas teorias de

Maxwell Garnett e Bruggeman.

Figura 3.4: Esquema ilustrando a distino entre as teorias de meio efectivo de Maxwell

Garnett e Bruggeman.

As equaes para misturas de dois materiais podem ser estendidas para um maior nmero

de materiais, contudo, concretamente no caso da elipsometria, em geral no recomendvel

a utilizao de mais do que trs materiais simultaneamente. Isto prende-se com o facto de a

tcnica ser indirecta, podendo surgir facilmente problemas de signicncia fsica dos resultados

e de elevada correlao entre parmetros de ajuste, se for utilizado um nmero excessivo de

materiais.

3.2.4 Camadas No Homogneas

A tcnica de elipsometria adequada ao estudo de lmes nos no homogneos, isto

, camadas cujo ndice de refraco varia com a espessura, N (z) = n(z) ik(z). O ndice
pode, tambm, ser expresso relativamente a um valor constante N0 , somando uma variao
em profundidade, N (z), N (z) = N0 + N (z).
O tratamento de lmes no homogneos em elipsometria pode ser dividido em trs grupos,

mtodos que utilizam formulao apropriada derivada utilizando as equaes de Maxwell [35

37]; discretizao do sistema, a camada dividida em vrias sub-camadas [3843]; algoritmos

baseados na teoria de problemas inversos que implementam procedimentos iterativos com

regularizao [25, 44, 45].

O segundo grupo a abordagem mais utilizada em elipsometria. Uma camada com um

dado perl N (z) e espessura D subdividida num nmero de sub-camadas G, com ndice de

refraco xo e espessura dada por di = D/G, Figura 3.5. , tambm, possvel efectuar a

discretizao atribuindo diferente espessura a cada sub-camada.

19
Figura 3.5: Representao esquemtica da discretizao de camadas num lme no homog-

neo.

A existncia de um perl de ndice de refraco em profundidade pressupe partida

a existncia de dois materiais, mesmo sendo um deles o ar. Desta forma, o ndice Ni de

cada camada pode ser determinado utilizando teorias de meio efectivo, expressando a fraco

volmica de um dos materiais em funo da profundidade construdo o perl. Para alguns

sistemas, este mtodo para determinao do perl do ndice pode no ser prtico, por exemplo,

com polmeros devido complexidade da mistura. A alternativa calcular directamente a

variao N (z) utilizando formulao matemtica apropriada [39, 43].

3.2.5 Anlise Multi-Modelo e ngulo Varivel

Uma caracterstica de grande utilidade na anlise de dados de elipsometria a possibi-

lidade de combinar dados experimentais de vrias amostras. Considere-se, por exemplo, o

caso em que se possui duas amostras, a e b, de um qualquer polmero depositado sobre um

substrato de vidro. Pretende-se determinar o ndice de refraco do polmero e a espessura de

cada amostra. efectuada uma medida por elipsometria em cada uma das amostras. A an-

lise pode ser abordada de duas formas: cada amostra analisada individualmente, obtendo-se

valores de ndice de refraco (curva de disperso) e espessura para as amostras aeb separa-

damente; ou, alternativamente, pode ser utilizada anlise multi-modelo combinando os dados

de ambas as amostras, isto , denindo computacionalmente o problema de forma a obter

uma s curva de disperso as duas espessuras.

O princpio apresentado anteriormente extensvel a muitas outras situaes, por exem-

plo, uma amostra pode ser medida em diversos pontos e as medies combinadas para obter

apenas uma espessura mdia e uma curva de disperso, ou as vrias espessuras em separado

e uma curva de disperso. Outra possibilidade efectuar a medio de uma amostra usando

diferentes ngulos de incidncia (elipsometria espectroscpica de ngulo varivel) e combinar

as curvas experimentais no mesmo processo de optimizao.

As vantagens inerentes as estes processos de anlise so diversas. O facto de as espessuras

das amostras serem diferentes, ou o ngulo de incidncia da luz na amostra variar, proporciona

que a informao contida nos espectros experimentais diferente para as diferentes situaes.

Assim, a combinao de diferentes medidas leva a uma reduo de ambiguidade na seleco de

parmetros. Relembre-se que este um processo de anlise inverso, onde os parmetros no

so obtidos directamente, logo a adio de mais informao vantajosa. Outro efeito prtico

a reduo de correlao entre parmetros, isto , a interdependncia entre os parmetros

em optimizao [4648].

20
3.2.6 Despolarizao
Foi visto anteriormente que elementos pticos podem ser representados pelas matrizes de

Jones e Muller. Uma amostra , tambm, um sistema ptico que possui representao matri-

cial. Amostras que no despolarizam, isotrpicas ou anisotrpicas, podem ser representadas

pelos dois tipos de matrizes; enquanto que amostras que despolarizam so representadas ape-

nas pela matriz de Muller. Para amostras isotrpicas, como aquelas estudadas neste trabalho,

as matrizes de Jones e Muller so, respectivamente, [22, 23]

" # 1 Ic0 0 0
rp 0 Ic 0 1 0 0
Siso = e Miso = , (3.24)

0 rs 0 0 Ic Is
0 0 Is Ic
onde Is = sen(2)sen(), Ic = sen(2)cos() e Ic0 = cos(2). Se a amostra actua

como despolarizador, todos os elementos da matriz de Muller so multiplicados pelo grau de

p
polarizao p, com p= (Ic2 + Is2 + Ic02 ) [23].

Despolarizao do feixe de luz polarizada incidente algo que pode ocorrer por diversas

razes em elipsometria, por exemplo, devido a rugosidade acentuada na superfcie da amostra

ou espessura no homognea na regio iluminada para coleco de dados. Neste trabalho, o

segundo exemplo referido um ponto de interesse, pois, como ser evidenciado em captulos

subsequentes, na regio de gravao dos guias de onda em canal (iluminada por radiao)

existe uma alterao na morfologia da superfcie do lme, resultando em no homogeneidade

da espessura.

O sinal integrado pelo detector representara uma mdia das vrias espessuras iluminadas

pelo ponto de medida. Este facto pode, at uma certa medida, ser reproduzido numericamente

no tratamento de dados considerando uma distribuio probabilstica de espessuras, dentro

de um dado intervalo, no local de medida e efectuando o integral sobre esse intervalo [49]. A

distribuio de espessura dada por:

(
1/2 para |d dmed |
(d) = (3.25)
0 para |d dmed | > ,
onde (d) a probabilidade de uma dada espessura d ocorrer, dene a extenso do intervalo
de espessura a considerar e dmed a espessura mdia. A distribuio de probabilidade anterior

representa uma distribuio uniforme.

No processo de optimizao so calculados parmetros elipsomtricos para as diferentes

espessuras d e, seguidamente, efectuado o integral tendo em contra a probabilidade atribuda

a cada valor, que neste caso em particular a mesma. O integral ento,

n
Ix =
X
Ix (dm )(dm )m , (3.26)
m=1

com x = C, S e n o nmero total de espessuras no intervalo [d , d + ]. Note-se que

Ix
Pn
m=1 (dm )m = 1. Na equao anterior dene uma curva terica que pode ser conside-

rada como a curva global resultante da distribuio de espessuras. esta curva, Ix , que

posteriormente comparada com a medida experimental para calcular o erro.

21
4 Algoritmos de Optimizao

Optimizao matemtica refere-se ao processo de encontrar extremos de funes, mxi-

mos ou mnimos, para resolver problemas. Mais concretamente, procura-se a soluo p , de

um conjunto de solues possveis P, que maximiza ou minimiza o valor de uma dada funo

objectivo F (p), que expressa o problema em anlise. Neste trabalho, ser considerado apenas

o problema de minimizao. No obstante, o problema de maximizao de F (p) pode ser

tratado como a minimizao de F (p).

A optimizao pode ser dividida em dois grupos fundamentais, global e local. A descrio

matemtica do problema de optimizao global dada pela Denio 4.1 [50].

Denio 4.1 (Optimizao Global). Dada a funo F (p) : Rn R com p = (p1 , p2 , ..., pn ),
encontre a soluo p no espao de solues Rn que minimiza o valor de F .
A resoluo deste problema de elevada complexidade, pelo que, em geral, os mtodos

de optimizao esto vocacionados para o problema de optimizao local que fornecem um

mnimo dentro de uma certa regio do espao de solues P. Matematicamente este problema

expresso pela Denio 4.2 [50].

Denio 4.2 (Optimizao Local) . Dada a funo F (p) : Rn R com

p = (p1, p2, ..., pn),
encontre a soluo p tal que F (p 6 F (p) para k p p k< , onde dene o tamanho da
)

regio em Rn .
Um problema de grande importncia no campo da optimizao, e, particularmente neste

trabalho, o problema de mnimos quadrados. Este consiste em encontrar o valor dos pa-

rmetros de uma funo objectivo que permite obter o melhor a ajuste a um conjunto de

observveis (xi , yi ) com i = 1, ..., m sendo que xi a varivel independente e yi a varivel

dependente. A descrio matemtica do problema apresentada na Denio 4.1 [50, 51].

Denio 4.3 (Problema de Mnimos Quadrados) . Dada a funo F (p, x) : Rn R com

p = (p1, p2P
, ..., pn ) e a x a varivel independente, encontre a soluo local p que minimiza o
valor S = m i=1 (yi F (p , x)) .
2
Pm 2
i=1 ri =

O vector r denominado de resido e representa a diferena entre os observveis e o

modelo denido pela funo F, ao quadrado. Problemas de mnimos quadrados dividem-

se em duas categorias fundamentais, lineares, que possuem solues bem conhecidas, e no

lineares, resolvidos usando processos iterativos guiados, em cada iterao, pelo Jacobiano e

Hessiana do problema. Os trs problemas denidos anteriormente podem ou no estar sujeitos

a constrangimentos nos valores que as variveis no vector x tomam, sendo estas duas situaes
denominadas respectivamente de optimizao constrangida e no constrangida.

De seguida ser abordada em maior detalhe a optimizao global e local e possveis

algoritmos de resoluo, tendo em vista a aplicao concreta a este trabalho.

4.1 Optimizao Local

Elipsometria espectroscpica intrinsecamente um problema de mnimos quadrados. So

medidas as curvas experimentais Iexp (), os observveis, e pretende-se ajustar um dado modelo
Imod = F (p, ) (aqui tratado como uma caixa negra) que descreve a amostra, e, tem como

22
entrada um vector de parmetros a ajustar, p, e, o comprimento de onda, , retornando uma
curva, Imod , que se pretende que coincida como a curva experimental.

Os mtodos mais famosos de resoluo de mnimos quadrados no lineares so o m-

todo gradiente descendente (ou passo descendente), mtodo de Gauss-Newton e Levenberg -

Marquardt. Todos estes algoritmos executam optimizao local e requerem a introduo de

um vector inicial de parmetros, a partir do qual o algoritmo inicia a busca. O mtodo de

Levenberg - Marquardt , provavelmente, o algoritmo de mnimos quadrados mais utilizado

devido sua robustez, sendo portanto o escolhido neste trabalho para efectuar o ajuste de

modelos de camadas aos dados experimentais. A base deste como de muitos outros mtodos

de optimizao local mtodo de Newton. Na sua forma multidimensional este expresso

por [51]

HhT = g, (4.1)

onde H a matriz de segunda derivadas, matriz Hessiana, e g o vector gradiente, vector de

primeiras derivadas, e T designa a transposta, isto , g e h so verticais. A equao 4.1 um

sistema de equaes lineares que pode ser resolvido computacionalmente.

A soluo para o problema dada iterativamente por pk+1 = pk + h, onde 0<1

uma constante introduzida quando o algoritmo mostra problemas de divergncia, isto ,

quando no converge (reduz o valor de F ). Esta constante permite reduzir o tamanho do

passo a cada iterao, ajudando a encontrar uma direco em que o valor da funo decresa.

Quando a varivel r uma medida experimental, as equaes do gradiente e Hessiana

so [51]:

m 
yi F (p, xi ) 2
X 
2
= (4.2)
i
i=1
m
2 X [yi F (p, xi )] F (p, xi )
gj = = 2 (4.3)
pj i pj
i=1
m  
X 1 F (p, xi ) F (p, xi )
Hjk 2 (4.4)
2
i=1 i
pj pk
onde o erro experimental associado medio. Note-se que o gradiente e a Hessiana
ri
podem ser expressos por g = 2J T r e H 2J T J respectivamente, onde Jij = pj so as
entradas do Jacobiano. O termo de segunda ordem na expresso da Hessiana ignorado

considerando que este muito menor que o termo de primeira ordem [51]. Este facto reduz

signicativamente o tempo de clculo, pois utilizado o Jacobiano para aproximar a Hessiana,

no sendo efectivamente necessrio calcular numericamente a segunda derivada. O mtodo

de Levenberg-Marquardt expresso pela equao (4.5) [51].

(J T J diag(J T J))h = J T r (4.5)

Apesar de elipsometria espectroscpica ser intrinsecamente um problema de mnimos

quadrados, podem tambm ser utilizados algoritmos de minimizao convencionais (entenda-

se no dedicados a mnimos quadrados), como Nelder-Mead Simplex, mtodos BFGS (Broyden

- Fletcher - Goldfarb - Shanno), mtodos de Ponto Interior, entre outros. Para tal efectuada

a comparao com os dados experimentais dentro da funo F , retornando esta um valor real,
dado, por exemplo, pela equao (3.17), em vez do vector do modelo, Imod .

23
4.2 Optimizao Global
O problema de optimizao global consideravelmente mais complexo do que optimizao

local, pois pretende-se encontrar o mnimo absoluto de uma funo num dado espao. Em

geral, este espao apresenta topologias complexas, com vrios mximos e mnimos locais,

sendo difcil garantir que um algoritmo de optimizao local atinge o mnimo absoluto. A

possibilidade de se atingir o mnimo global fortemente dependente do ponto inicial fornecido

ao algoritmo local. Em problemas reais esta dependncia traduz-se, fundamentalmente, na

necessidade de conhecer bem o problema em estudo e as suas condies, de modo a estimar

uma boa soluo inicial.

A principal desvantagem dos algoritmos de optimizao local para problema complexos

em que se pretende obter o mnimo global o facto de estes serem guiados pelo gradiente na

procura da soluo, que pode levar ao encontro de mnimos locais. Por este motivo, a maior

parte dos algoritmos ditos de optimizao global so do tipo estocsticos ou meta-heursticos.

importante notar que este tipo de algoritmos no garante que ser encontrado o mnimo

global, mas a probabilidade de tal acontecer consideravelmente superior, pelo que este tipo

de mtodos suscitam um grande interesse nos dias de hoje [50]. Outra caracterstica que torna

este tipo de algoritmos interessantes a possibilidade de efectuar optimizao multi-objectivo,

conceito que ser convenientemente abordado mais adiante.

Alguns dos algoritmos mais conhecidos so o mtodo de Monte Carlo, que do tipo

estocstico, arrefecimento simulado (ou em ingls simulated annealing ), algoritmos evolutivos

que so do tipo meta-heurstico, como por exemplo algoritmos genticos, evoluo diferencial

e enxame de partculas (em ingls particle swarm ) [50, 52].

Neste trabalho, foram escolhidos os algoritmos genticos como optimizador global. Al-

goritmos genticos so uma famlia de modelos computacionais inspirados pelos princpios

evolutivos observados na natureza, fundamentalmente no conceito de sobrevivncia do mais

dos mais aptos ao longo de sucessivas geraes. Um algoritmo gentico consiste numa po-

pulao de indivduos, solues possveis para um dado problema, que atravs de regras de

seleco e cruzamento apropriadas desses indivduos, utilizando os chamados operados ge-

nticos, evoluda ao longo de sucessivas geraes de forma minimizar o valor da funo

objectivo [52].

4.3 Optimizao Multi-objectivo

Optimizao multi-objectivo ou multi-critrio dene-se como o problema de encontrar um

vector de variveis de deciso que optimiza simultaneamente duas ou mais funes objectivo.

Matematicamente o problema formulado da forma apresentada na Denio 4.4 [53]:

Denio 4.4 (Optimizao Multi-objectivo) . Dado o vector de deciso p = (p1, p2, ..., pn)
no espao de deciso P, encontre o vector p que minimiza um dado conjunto de k funes

objectivo F (p) = [f1 (p), ..., fk (p)], no espao objectivo F, com fk (p) : Rn R, para todos os
k , sob constrangimentos de igualdade ou desigualdade.

Para este tipo de problemas raramente existe uma soluo particular p que retorna

valores ptimos para todas as funes objectivos, pois para problemas reais comum as

funes objectivo conituarem entre si. Uma soluo um compromisso entre as vrias

funes, isto , uma soluo que satisfaz todas as funes objectivo a um nvel aceitvel sem

24
ser dominada por qualquer outra soluo [53]. Supondo que se pretende minimizar todas as

funes objectivo, o conceito de dominncia expresso pela Denio 4.5 [53]:

Denio 4.5 (Dominncia de Pareto). Uma soluo x dito que domina uma outra soluo
y , (x > y),
se, e apenas se, fi (x) 6 fi (y) para i = 1, ..., k, e fj (x) < fj (y) para pelo menos
uma funo objectivo j .
Por outras palavras, uma soluo dita Pareto-ptima se no existe um outro vector soluo

que melhore (diminuia) o valor de uma funo objectivo sem piorar (aumentar) o valor de

outra. Uma soluo dita Pareto-ptima se no dominada por nenhuma outra. Em geral,

este conceito no retorna uma nica soluo ptima mas sim um conjunto de solues, pois

frequentemente possvel encontrar diversos compromissos entre as vrias funes objectivo.

Este grupo composto apenas por solues no dominadas chamado de Conjunto ptimo

de Pareto e projectam no espao objectivo a chamada frente de Pareto (valores das funes

objectivo). Para determinar a Frente de Pareto e guiar a evoluo do algoritmo gentico

tm sido propostas diversas estratgias. Uma reviso dos principais algoritmos genticos para

optimizao multi-objectivo pode ser encontrada em [53]. Um dos algoritmos mais populares

o NSGA-II (da lingua inglesa Non-Dominated Sorting Genetic Algorithm II, em portugus
Algoritmo Gentico Baseado num Ordenamento No-Dominado) [54]. Este no actual-

mente o mais eciente, contudo a sua relao desempenho/rapidez de execuo torna-o um

dos mais utilizados, sendo portanto uma escolha adequada para este trabalho. Relativamente

sua implementao, descrita em [54], ser apenas referida uma modicao efectuada.

Em elipsometria, , em geral, possvel estimar intervalos de valores para os parmetros

pretendidos, quer com base em estudos prvios ou comparaes, como, tambm, pelas condi-

es do problema. Assim, nas etapas de cruzamento e mutao, foi introduzido relativamente

ao algoritmo NSGA-II original, um procedimento para gerir constrangimentos de igualdade.

Esta uma rea largamente estudada no campo dos algoritmos genticos [55]. Existem duas

formas tradicionais de lidar com este problema, mtodos de penalidade e operadores de re-

parao. O primeiro consiste em alterar o valor de aptido de cada individuo, piorar se este

est fora dos limites denidos e melhorar se est dentro do limites. No segundo, valores fora

dos limites so substitudos por outros que respeitem os constrangimentos. Neste trabalho

ser utilizado um operador de reparao. Cada novo descendente gerado por cruzamento

ou mutao testado para vericar se algum dos parmetros que o compem est fora dos

limites, caso exista, este substitudo pela mdia aritmtica do correspondente valor dos dois

progenitores. A populao inicial ser gerada dentro dos intervalos fornecidos pelo utilizador,

pelo que a cada gerao est garantido que parmetros reparados usando a mdia aritmtica

dos dois progenitores estaro sempre dentro dos limites. Se um indivduo regenerado possuir

baixa aptido ser penalizado e rejeitado pelo algoritmo de forma natural.

4.4 Optimizao Multi-Objectivo Aplicada a Elipsometria

O uso de optimizao global em elipsometria no novo. Foram j reportados diversos

trabalhos onde se faz uso de AG's [5661] ou arrefecimento simulado [5860, 62], em combi-

nao com optimizao local. O uso de AG's por si s para problemas em elipsometria de

comprimento de onda nico, tambm, j foi reportado [63]. Mais recentemente foi apresen-

tado o uso de enxame de partculas [64]. Todos os trabalhos supra referidos fazem uso de

optimizao global de objectivo nico. Os algoritmos so aplicados a problemas teste, reais

25
ou ctcios, mostrando que mtodos que combinam a capacidade da optimizao global com

a exactido de optimizao local num algoritmo hbrido so vantajosos na anlise. Este tipo

de optimizao particularmente til para situaes com um nmero de parmetros elevado

(maior do que 8), ou, quando o ndice de refraco parametrizado por equao de disperso,

como por exemplo o modelo de Lorentz. Permite acelerar a pesquisa e ajuda a encontrar a

melhor soluo, mesmo com um nmero de parmetros elevados mesmo e uma soluo inicial

de baixa qualidade [56]. Outra vantagem a possibilidade de denir intervalos para todos os

parmetros, eliminando a necessidade uma soluo inicial.

Com vista extenso das referidas vantagens, neste trabalho, introduzido o conceito

de optimizao multi-objectivo em problemas de anlise elipsomtrica. Alm de manter os

benefcios supra referidos, esta nova tcnica permite, durante a optimizao, uma seleco das

melhores solues de forma menos ambgua. Ambiguidade nesta situao refere-se ao facto de

que, dado ser efectuada anlise inversa, ocorrerem situaes em que um determinado 2 pode

ser obtido por diversas combinaes de valores dos parmetros em estudo. O algoritmo multi-

objectivo tende a reduzir este efeito, como ser evidenciado mais adiante. Com a combinao

proposta, algoritmo gentico multi-objectivo (AGMO) seguido de optimizao local, uma

reduo do tempo de clculo tambm realizvel.

Este conceito pode ser aplicado em anlise multi-amostra, multi-ngulo, anlise elipsom-

trica em conjunto com reectncia, transmitncia ou anlise envelope. Apesar de estes casos

possveis de aplicao soarem como restritivos, de facto no o so, a anlise multi-amostra e

multi-ngulo so situaes muito comuns em elipsometria. A generalidade dos elipsmetros

modernos est capacitada para efectuar medidas a vrios ngulos.

Considere-se, por exemplo, o caso em que se possui duas amostras, 1 e 2, do mesmo

material, mas com espessuras diferentes do lme de interesse. Usando OMO a cada amostra

pode ser atribuda uma funo objectivo. Se se pretende determinar o ndice de refraco

do material e a espessura de cada amostra, os parmetros de optimizao relativos ao ndice

de refraco so partilhados entre as duas funes objectivo e a espessura do lme 1 e 2

utilizada apenas pela respectiva funo objectivo. Da mesma forma, se uma amostra for

medida a diferentes ngulos de incidncia, a cada ngulo corresponder uma funo objectivo,

sendo os parmetros de ajuste iguais para todas as funes objectivo.

Outra possibilidade de aplicao o caso em esto disponveis dados de transmitncia

ou reectncia obtidos externamente. Neste caso, aos dados elipsomtricos atribuda uma

funo objectivo e aos dados de reectncia, por exemplo, atribuda outra funo objectivo.

possvel, tambm, efectuar anlise envelope do espectro de reectncia combinada com

anlise elipsomtrica.

Os trs casos anteriormente descritos, usando optimizao global tradicional, so tratados

combinando os erros entre curvas experimentais e tericas, isto , somando-os num nico valor.

A informao dos vrios problemas condensada num nico valor de adaptao. Com os

procedimentos anteriormente descritos as curvas experimentais de cada medio so tratadas

de forma independente no processo de pesquisa global inicialmente executado pelo AGMO, o

que trar, em principio, melhorias na seleco das melhores solues, reduzindo a ambiguidade

na seleco.

26
5 Caracterizao de Guias de Onda Planares e em Canal Por
Elipsometria em Materiais Hbridos Orgnicos-Inorgnicos

5.1 Sntese e Processamento do Hbrido Orgnico-Inorgnico

Materiais hbridos podem ser divididos em duas categorias, delimitadas pelo tipo de inte-

raco molecular entre a parte orgnica e inorgnica. Os chamados hbridos de classe I apre-

sentam interaces do tipo de Van der Walls, pontes de hidrognio ou interaco electrosttica

fraca. Hbridos de classe II apresentam interaces do tipo covalente entre os componentes.

Estes podem ainda ser agrupados de acordo com a sua estrutura. Baseado na reaco entre

os componentes so classicados como modicadores da rede (rede inorgnica modicada

pela parte orgnica), construtor da rede (a parte orgnica e inorgnica so parte integrante

do sistema estando ligados uma outra) e rede funcionalizadora (grupos funcionais reactivos

so incorporados no sistema) [4].

O material hbrido utilizado neste trabalho pertence classe II. As amostra foram prepa-

radas a partir de hbridos denominados di-ureiapropiltrietxisilano (d-U(600)), contendo cido

metacrlico (M cOH ) e tetrapropxido de zircnio (Zr(OP r

n ) ), ZrOM c , denominado como
4
di-ureiasil modicado por oxo-agregados de zircnio [3, 7, 10]. A estrutura molecular destes

componentes apresentada na Figura 5.1. A sntese foi efectuada, usando mtodo sol-gel,

em estreita colaborao com o Doutor Edison Pecoraro do Instituto de Telecomunicaes, da

Universidade de Aveiro.

Os di-ureasis so materiais j utilizados para produo de guias de ondas, apresentando

caractersticas como estabilidade mecnica, trmica e transparncia ptica aceitveis para a

produo destes dispositivos [3, 7, 10].

Figura 5.1: Estrutura molecular do d-U(600).

A incorporao de tetrapropxido de zircnio (40% e 60% molar) modicado com cido

metacrlico tem como objectivo o controlo do ndice de refraco. O cido metacrlico

utilizado para estabilizao do tetrapropxido de zircnio, que, quando em ambiente hmido,

tende a oxidar e precipitar. A dependncia do ndice refraco com a concentrao de zircnio

e a sua inuncia na propriedade pticas do material foi j investigada em diversos trabalhos

[3, 7, 10, 65, 66]. O cido metacrlico , tambm, adicionado para tornar o material hbrido

sensvel luz UV, permitindo a gravao de dispositivos pticos, como guias em canal e

redes de Bragg. Quando o hbrido exposto radiao UV ocorre a polimerizao da ligao

covalente dupla C = C , que quebrada. O resultado uma densicao do material na regio

exposta, originando um aumento do ndice de refraco relativamente ao restante material [3].

27
5.2 Tcnicas Experimentais

Escrita Directa Por Lazer UV

A gravao dos guias de ondas em canal foi efectuada, utilizando a tcnica de escrita

directa por laser UV. Nesta tcnica, um feixe laser UV focado na amostra utilizando uma

objectiva apropriada. A concentrao de energia no ponto de focagem favorece a polimerizao

do cido metacrlico, densicando o material na regio de focagem, o que origina aumento do

ndice de refraco.

O aparato experimental constitudo por um laser UV pulsado (Coherent-Bragg Star

Industrial V2.0) a operar a 248nm que permite impulsos com frequncia entre 1 e 1000Hz .
O feixe laser encaminhado para uma objectiva (Thorlabs-LMU-15X-248), atravs de um

espelho (Linos Photonics-G340723000). Com o auxlio de um posicionador possvel controlar

a distncia da objectiva amostra, e, assim, focar convenientemente o feixe na mesma. A

amostra deslocada por dois estgios de translao (Newport-MFA-CC) que so controlados

atravs dum controlador (Newport-XPS), para ajuste da velocidade de varrimento e posio

do feixe sobre a amostra. Um esquema do sistema de gravao apresentado na Figura 5.2.

Figura 5.2: Esquema do sistema e processo de gravao directa por laser UV.

Os canais foram gravados utilizando frequncia de pulso 900 Hz , energia de 7, 5 105

J por pulso e velocidade de translao de 0, 1 mm.s1 . A gravao do guias foi efectuada no
Laboratrio Associado Instituto de Telecomunicaes na Universidade de Aveiro.

Elipsmetro
Um elipsmetro constitudo por 4 grupos de componentes, fonte luminosa, gerador de

estado de polarizao (GEP), detector de estado de polarizao (DEP) e detector, Figura

5.3. O elipsmetro utilizado (Horiba Scientic AutoSE) permite a medio no intervalo de

comprimentos de onda [440; 850]nm com um ngulo de incidncia de 69, 80o . Este elipsmetro

do tipo de modulao de fase, o sistema GEP constitudo por um polarizador, modulador

de cristais lquidos, uma placa /4, e outro modulador de cristais lquidos. Este sistema

polariza a radiao incidente na amostra. O DEP possui os mesmos componentes do GEP. O

GEP funciona como analisador do estado de polarizao da radiao reectida pela amostra.

O detector varre a gama de comprimentos de onda [440; 850]nm.

O objectivo do elipsmetro medir os coecientes da matriz de Muller. A intensidade

medida no detector uma combinao linear dos elementos da matriz de Muller, equao

28
(5.1), onde SGEP vector de Stokes do estado de polarizao reectido pela amostra e SDEP
vector de Stokes do estado de polarizao incidente na amostra. Estes dois vector de Stokes

so o resultado da multiplicao de matrizes e vectores que descrevem o sistema gerador e

analisador da polarizao.

I = SDEP Miso SGEP (5.1)

A intensidade medida pelo detector deste equipamento dada por [67]:

I(t) = I[I0 + Is sin(0 + Am sin(t)) + Ic cos(0 + Am sin(t))], (5.2)

onde Am a amplitude de modulao, a frequncia de modulao e 0 a bi-refringncia do

modulador. A intensidade I um factor que engloba a intensidade da lmpada, reectividade

da amostra e a transmisso dos elementos pticos. A equao anterior mostra o porqu de ter

sido preferida a utilizao dos parmetros Is e Ic face ao tradicional e , os elipsmetros de

modulao de fase permitem obtm os primeiros como coecientes de Fourier da intensidade

que atinge o detector, sendo os segundos posteriormente obtidos a partir dos primeiros. As

equaes para converso so Is = sen(2)sen() e Ic = sen(2) cos() [67]. O equipamento

fornece o parmetro experimental relativamente ao grau de polarizao, pexp .

Figura 5.3: Esquema dos componentes do elipsmetro de modulao de fase.

Clculo de Erros em Elipsometria

Em geral, a determinao do erro associado a uma medida pode ser efectuada atravs

de formulao apropriada para a propagao de erro usando derivadas parciais. No caso de

elipsometria a questo mais complexa, pois, sendo um mtodo indirecto, no possvel o

clculo de erros pelo mtodo tradicional. A isto acresce, ainda, o facto de o processo de anlise

consistir no ajuste de um modelo aos dados experimentais, isto , necessrio considerar o

erro associado aos parmetros, alm do valor experimental.

Em elipsometria o clculo de erros efectuado utilizando componentes internas ao pro-

cesso de optimizao numrica, nomeadamente a Hessiana. Considere-se a equao (4.4), a

aproximao da Hessiana utilizada nos algoritmos de optimizao local. A partir da aproxima-

o da Hessiana, dividindo por 2, obtm-se a chamada matriz de curvatura, = 12 H [51]. Para

o caso especico da elipsometria, a matriz de curvatura expressa em termos dos parmetros

elipsomtricos e [68], ou Is e Ic, equao 5.3.

m
" #
X 1 Ismod
i Ismod
i 1 Icmod
i Icmod
i
= 2 + 2 (5.3)
Is,i pj pk Ic,i pj pk
i=1
Pela equao anterior, observa-se que requerido o erro dos pontos experimentais Is e Ic para
cada comprimento de onda. Se os erros no estiverem disponveis individualmente para cada

29
comprimento de onda, pode, tambm, ser utilizado o mesmo valor para todos os pontos. No

caso deste trabalho o equipamento no permite obter o erro de Is e Ic para cada comprimento
de onda medido, estando apenas disponvel o valor mdio. Segundo o fabricante os valores

so Is 0, 01 e Ic 0, 01.
No nal do processo de optimizao, a partir da matriz , equao (5.3), calculada a

matriz de covarincia C= 1 [68]. A covarincia uma medida do quanto duas variveis se

alteram em conjunto, isto , uma medida da interdependncia entre variveis, exprimindo,

ao alterar o valor de uma, a inuncia nas restantes. Usando C so obtidos os erros de cada

parmetro e a chamada matriz correlao. A matriz de covarincia e correlao diferem na

medida em que na primeira cada elemento possu unidades dadas pelo produto das unidades

individuais dos dois parmetros respectivos, enquanto a matriz de correlao adimensional.

O intervalo de 90% de conana para as variveis em ajuste, p , dado pela equao 5.4,

onde representa o desvio padro [68].

p
p = 1, 645 = 1, 645 Cii (5.4)

A matriz de correlao, Corr, calculada dividindo cada elemento de C pelo produto dos des-
vios padro das variveis que compem o elemento de C , da resultando a adimensionalidade.

Recorde-se que cada elemento de C a covarincia entre duas variveis.

Cik
Corrik = (5.5)
i k
Cada elemento de Corr toma valores no intervalo [1, 1], sendo que -1 indica no correlao

entre dois parmetros e 1 indica forte correlao. Como ltimo apontamento note-se que Corr
uma matriz simtrica em que a sua diagonal composta apenas pelo valor unitrio.

Um programa para anlise de dados - EllipsoAnalyser

O elipsmetro disponvel na Universidade de Aveiro est acompanhado de uma aplica-

o adequada para efectuar a anlise de dados experimentais. Contudo, no mbito deste

trabalho, foi implementada uma aplicao para efectuar o tratamento, pois neste trabalho

existiu a necessidade de testar diversos algoritmos de optimizao numrica, nomeadamente,

os algoritmos genticos. Tambm as possibilidades para anlise de camadas no homogneas

apresentadas pelo programa que acompanha o elipsmetro so limitadas, utilizando apenas

teorias de meio efectivo. O desenvolvimento de uma aplicao prpria permite a introduo

de outros mtodos de anlise de dados para alm da forma padro.

A aplicao informtica foi desenvolvida em linguagem MATLAB

r devido s capacidades

grcas desta plataforma e ao extenso nmero de funes matemticas pre existentes.

Relativamente ao tipo de anlise, possvel efectuar anlise padro, usando equaes de

disperso, anlise da funo envelope [69], utilizar regularizao [70, 71] e um procedimento

dedicado especicamente para lmes espessos transparentes [72].

Funes de disperso como Cauchy, Lorentz ou Sellmeier esto implementadas. Permite

o uso de camadas composta por dois materiais, atravs da utilizao de equaes de meio

efectivo de Bruggemann e Maxwell Garnett, permite a construo de camadas no homogneas

usando equaes de meio efectivo ou calculando directamente a variao com a profundidade,

usando perl linear, Gaussiano, exponencial ou degrau. , tambm, possvel efectuar anlise

considerando a despolarizao resultante de no homogeneidade da espessura na rea de

medio.

30
 Relativamente aos algoritmos de optimizao disponveis, para optimizao local existe o

algoritmo de Levenberg-Marquardt (com implementao prpria), Ponto Interior com Hessi-

ana calculada por BFGS e Nelder-Mead Simplex (ambos disponveis no MATLAB

r ). Relati-

vamente optimizao global, foram implementados algoritmos genticos de objectivo nico

e multi-objectivo. Os algoritmos locais podem ser utilizados por si s, ou combinados com

um dos algoritmos globais em duas formas possveis, global seguida de local, ou incorporao

de passos de optimizao local no algoritmo global.

A aplicao utilizada uma base de dados de materiais. Cada material consiste de um

cheiro onde consta, por exemplo, informao relativa equao de disperso, o valor dos

parmetros da mesma, o intervalo de comprimento de onda (ou energia) onde estes so vlidos.

Para denir um material , tambm, possvel utilizar cheiros onde constem trs colunas de

dados, comprimento de onda, parte real e parte imaginria do ndice de refraco.

A construo de modelos efectuada atravs de cheiros de texto. O programa est

capacitado para anlise simples, multi-modelo com partilha de parmetros entre modelos,

e anlise em sequncia (o mesmo modelo de camadas aplicado em sequncia a uma srie

de medidas experimentais). Em anlise multi-modelo existe a possibilidade de considerar o

ndice de refraco de uma ou mais camadas como um incremento, n, relativamente a outra

camada, entenda-se N2 = N1 () + n. Esta valncia ser abordada mais em pormenor na

seco 5.3.3.

A anlise de dados computacionalmente dispendiosa, no processo de optimizao o n-

mero de avaliaes da funo objectivo facilmente excede a dezena de milhar. Por exemplo,

no NSGA-II, para garantir uma explorao razovel do espao, uma populao de 600 indiv-

duos e 50 geraes, resulta em 30000 avaliaes. A implementao em linguagem MATLAB

r

da funo objectivo toma aproximadamente 0,02s por avaliao, no computador do autor

(processador Intel Core 2 Duo 2,2 GHz), pelo que o tempo de clculo pode tornar-se rela-

tivamente extenso. No sentido de efectuar um implementao eciente, tirando partido da

capacidade do MATLAB
r para executar funes escritas noutras linguagens de programao,

o ncleo de clculo dos parmetros elipsomtricos foi implementado em C++. O ganho foi

de sensivelmente 30 vezes.

5.3 Caracterizao
Esta seco devota aplicao de OMO num problema prtico e caracterizao de

dispositivos. Ser dividida em duas partes, na primeira aplicado o algoritmo NSGA-II a

um caso real, e, efectuada a comparao de desempenho entre este e um algoritmo gentico

convencional. A segunda parte dedicada caracterizao de guias de ondas utilizando

elipsometria.

O hbrido di-ureasil modicado com 40% molar de ZrOM c e rcio molar Zr(OP rn )4 :
M cOH de 1:1 foi depositado via deposio por rotao do substrato em dois substratos de

slica sobre silcio. Usando micropipetas, foram colocados 0,7 mL de material no substratos.

Os parmetros utilizados no processo de deposio por rotao do substrato foram acelerao

de 500 rpm/s e velocidade de 1000 rpm durante 60 segundos. O processo foi executado

num dispositivo Spin 150, APT GmBH. Posteriormente as amostras foram sujeitas a um

tratamento trmico num forno VACUCELL MMM Medcenter Manufacturer a 50 C durante

12 horas, para evaporao do solvente. A espessura da slica de 1.000.05m segundo dados

31
do fabricante. As duas amostras foram nomeadas de dUZ40-1 e dUZ40-2. De igual forma,

foram preparadas duas amostras com 60% molar de ZrOM c e rcio Zr(OP rn )4 : M cOH de

1 : 1, depositadas no mesmo tipo de substrato e usando os mesmos parmetros acelerao

velocidade e tempo para a rotao do substrato. As duas amostras foram denominadas de

dUZ60-1 e dUZ60-2.
Face aos parmetros de deposio utilizados, tempo e velocidade de rotao, a espessura

do HOI esperada para as vrias amostras sensivelmente 1m, contudo dado que na deposio
por este processo a espessura no depende apenas da velocidade, acelerao e tempo de

rotao, mas tambm geometria e adeso do substrato, quantidade de material colocada no

substrato, tenso supercial do liquido, entre outros, espectvel existirem diferenas nas

espessuras.

As amostras foram medidas por elipsometria com um tempo de aquisio por compri-

mento de onda foi de 22ms e 10 integraes por ponto. As medies foram efectuadas em 250
pontos no intervalo de comprimento de onda [440, 850]nm.

5.3.1 Um caso de Aplicao: Multi-Objectivo vs Objectivo nico

Neste seco ser efectuada a comparao entre o AGMO NSGA-II e um algoritmo ge-

ntico simples (AGS). O objectivo da comparao efectivamente avaliar as vantagens que

optimizao multi-objectivo pode ou no trazer. De forma a possuir um termo de comparao

justo, foi implementado um AGS to prximo quanto possvel do NSGA-II em termos de ca-

ractersticas, removendo as componentes multi-objectivo. No Procedimento 5.1 apresentado

o AGS implementado.

Procedimento 5.1 AGS

1: g=0 //Contador de geraes

2: Inicializa a populao P (0) com N indivduos

3: avaliar P (0)
4: Gera populao Q(0) de N descendentes

5: Seleco, Cruzamento, Mutao, Reparao

6: enquanto condio de paragem no satisfeita executar

S
7: R(g) = P (g) Q(g)
8: avalia R

9: ordena R segundo a aptido

10: Selecciona populao P (g + 1) - deR retirar os N indivduos com melhor aptido

11: Gera populao de descendentes Q(g + 1)

12: Seleco, Cruzamento, Mutao, Reparao

13: g =g+1
14: terminar enquanto

Nos parmetros de controlo do Cruzamento Binrio Simulado e da Mutao Polinomial

foi utilizado o valor de 20, seguindo a sugesto de Deb [54], para o NSGA-II e o AGS.

O algoritmo de optimizao local utilizado, que de objectivo nico, foi o algoritmo de

Ponto-Interior com Hessiana calculada por BFGS, aproximao quasi-Newton de Broyden -

Fletcher - Goldfarb - Shanno, presente no MATLAB

r . A razo para utilizar este algoritmo e

no o Levenberg-Marquardt, apenas uma questo de coerncia de manter a mesma funo

32
objectivo para global e local. Relembre-se que o Levenberg-Marquardt executa minimizao

de mnimos quadrados, a funo objectivo retorna uma curva em vez do valor do erro.

Ambos os algoritmos genticos so utilizados para encontrar a vizinhana do mnimo

global, a restante pesquisa efectuada por optimizao local. Aps um certo nmero de

geraes do algoritmo gentico o clculo continua com o algoritmo de Ponto-Interior, sendo

o ponto inicial deste ltimo a melhor soluo encontrada pelo algoritmo gentico. Este

portanto um procedimento hbrido que aplica optimizao global e local no momento em que as

caractersticas de cada uma mais beneciam a anlise. dUZ40-1 No que toca caracterizao,
o estudo ser efectuada nas amostras dUZ40-1 e dUZ40-2 usando anlise multi-modelo. As
constantes pticas foram calculadas utilizando o modelo de Lorentz. Aquando da construo

de um modelo para a amostra, importante reunir toda a informao possvel acerca da

mesma. O modelo de camadas considerado deve ser simples, no entanto, sicamente realista.

Relativamente ao substrato, os materiais que o constituem, silcio e slica, foram j lar-

gamente estudados quanto s suas propriedades pticas, quer por elipsometria que por outras

tcnicas, pelo que os valores do ndice de refraco so bem conhecidos e encontram-se tabela-

dos. Recorreu-se literatura para obter o ndice de refraco complexo para ambos os mate-

riais [73]. conhecido o valor da espessura da slica fornecido pelo fabricante, 1.00 0.05m.
Na Figura 5.4(a) apresentada uma imagem de microscopia electrnica de varrimento do

perl da amostra. A camada do material HOI possui uma espessura mdia de 0, 8350, 028.
Para ambas as amostras o modelo consiste de trs camadas, silcio, slica e dU Z40, Figura

5.4(b). Os limites para os parmetros do oscilador de Lorentz foram estipulados com base

em conhecimento prvio sobre o material e por observao dos valores deste parmetros para

outros materiais com ndice de refraco semelhante, como polmeros.

Figura 5.4: (a) Imagem de microscopia electrnica de varrimento do perl da amostra e (b)

modelo de camadas utilizado para as amostras dUZ40-1 e dUZ40-2 [74].

Pretende-se obter o ndice de refraco do hbrido e o valor das espessuras, da slica e do

dUZ40 em ambas as amostras. Note-se que apesar de ser conhecida a espessura da slica, a

sua margem de erro considervel, 1000 50nm, sendo a elipsometria uma tcnica de grande

sensibilidade, no modelo ser considerada a espessura da slica como varivel. Na seco

seguinte esta situao ser abordada de novo para mostrar a validade deste procedimento.

Na Tabela 5.1 so apresentados os intervalos fornecidos aos algoritmos de optimizao e

o resultado para cada uma das variveis. O erro da soluo apresentada 2 = 15, 2002. O

resultado foi obtido utilizando o AGMO e AGS seguidos de optimizao local. Em ambos os

casos a dimenso da populao utilizada foi 1000 e o nmero de geraes 500. A soluo nal

33
e o erro obtidos so os mesmos usando os dois algoritmos. Foram efectuados vrias execues

para conrmao. Os ajustes s curvas experimentais so apresentados na Figura 5.5.

Tabela 5.1: Parmetros, intervalo de optimizao e resultado para o ajuste aos dados experi-

mentais para as amostras dUZ40-1 e dUZ40-2 [74].

dUZ40-1 dUZ40-2
Parmetro dSiO2 (m) WdU Z40 (m) dSiO2 (m) WdU Z40 (m)
Intervalo [0,9;1,1] [0,5;1,5] [0,9;1,1] [0,5;1,5]

Soluo 1, 0220 0, 0009 0, 7948 0, 0006 1, 0219 0, 0009 0, 7924 0, 0012

Parmetros Partilhados

Parmetro s 0 (eV ) (eV )

Intervalo [0,0;3,0] [0,1;5,0] [5,0;20,0] [0,0;1,0]

Soluo 0, 8002 0, 0421 2, 2264 0, 0002 11, 8171 0, 1618 0, 2520 0, 0003

Figura 5.5: Ajuste do modelo aos dados experimentais Is e Ic para a amostra dUZ40-1
(esquerda) e dUZ40-2 (direita). As linhas a slido e tracejado correspondem ao ajuste do

modelo, 2 = 15, 2002. 4 Is e Ic correspondem aos dados experimentais. [74]

Sabendo a soluo para o problema, existe agora a possibilidade de criar mtricas para

avaliar o desempenho dos algoritmos genticos. A Figura 5.6 apresenta uma comparao

directa das melhores solues encontradas entre o AGMO e o AGS, isto , sem a aplicao de

optimizao local. Para quanticar o desempenho foi utilizada a distncia Euclediana, D,

soluo nal, equao (5.6), onde s representa a soluo nal e p a soluo encontrada pelo

algoritmo depois de completar as geraes em teste.

v
u n
p uX
D= (s1 p1 ) + (s2 p2 ) + + (sn pn ) = t (si pi )2
2 2 2 (5.6)
i=1

34
 Nesta anlise foi considerada uma populao de 400 indivduos e variado o nmero de

geraes. Foram executadas 50 tentativas para cada nmero de geraes. Os resultados

apresentados gracamente na Figura 5.6 expressam a mdia das 50 execues, com o erro

dado pelo desvio padro. Uma vez que algoritmos genticos so do tipo estocstico, existe

uma aleatoriedade intrnseca, expressa pelas barras de erro e pelo comportamento anmalo

do quarto e quinto pontos para o AGS, pelo que os resultados apresentados devem ser vistos

no como valores estritos, mas como indicadores de uma tendncia. A distncia soluo

nal claramente dependente no nmero de geraes. Os resultados indicam que optimizao

multi-objectivo se aproxima mais da soluo esperada face objectivo nico, para o mesmo

nmero de geraes. Tambm, o desvio padro , em geral, inferior no AGMO, indicando

maior consistncia e estabilidade. As curvas apresentam um comportamento assimpttico

com aumento do nmero de geraes [74].

Figura 5.6: Distncia Euclediana soluo nal para uma populao de 400 indivduos em

funo do nmero de geraes para o AGMO e O AGS. O resultado apresentado corresponde

mdia de 50 execues. As barras de erro representam o desvio padro [74].

Seguidamente, foi aplicada optimizao local s 50 solues encontradas pelos algoritmos

globais, variando a dimenso da populao, para 20 e 200 geraes. Pretende-se vericar a

inuncia da proximidade soluo nal do ponto encontrado pelo algoritmo gentico, no

desempenho do algoritmo local. Foi j referido, neste trabalho, a importncia dos mnimos

locais em optimizao. Se a soluo transmitida ao algoritmo local pelo algoritmo global,

estiver demasiado afastada do mnimo global a probabilidade deste ser encontrado menor.

Para determinar quando a soluo nal foi ou no encontrada foi imposta ao algoritmo local

a condio de este terminar a procura quando o 2 < 15, 201. Para caso em que o algoritmo

ca preso em mnimos locais, a condio de paragem estipulada foi a variao no valor da

funo objectivo entre iteraes consecutivas ser inferior a 1015 , isto , quando o algoritmo

converge para uma dada soluo, se a alterao nos valores dos parmetros sob optimizao

provoca um alterao no valor da funo menor que a tolerncia denida e 2 > 15, 201, a

optimizao termina porque foi encontrado um mnimo local.

A Figura 5.7 apresenta a percentagem de sucessos, (a), e o nmero de iteraes requeridas

35
para atingir uma soluo, (b), para 20 e 200 geraes. Um sucesso considerado como tendo

sido encontrada a soluo nal, Tabela 5.1, pelo algoritmo de optimizao local.

Figura 5.7: Percentagem de sucessos (a) e mdia de iteraes efectuadas pelo algoritmo local

(b) para 50 tentativas, em funo da dimenso da populao para 20 e 200 geraes [74].

Pela Figura 5.7 pode ver-se que a percentagem de sucessos superior no caso do AGMO,

particularmente para as dimenses de populao mais baixas. Relativamente ao nmero

de iteraes efectuadas pelo algoritmo local, visvel que tende a ser inferior no caso do

AGMO, particularmente quando se aumenta o numero de geraes, 200 geraes no caso do

grco apresentado. Pode observar-se alguma irregularidade com o aumento da dimenso da

populao para o AGS, o que pode ser a atribudo estocasticidade do processo. Note-se que

o desvio padro do AGS na Figura 5.6 consideravelmente superior ao AGMO.

A diferena de desempenho entre as duas situaes apresentadas pode ser explicada pelas

solues no dominadas e por ser considerada individualmente o erro de cada funo objectivo,

em vez da soma. Com o NSGA-II, solues que so simultaneamente melhores para ambas as

amostras so preferidas, ao passo que no AGS, uma dada soluo pode ser altamente adaptada

para uma amostra e pouco adaptada para outra e ainda assim possuir boa probabilidade de

evoluir, pois a soma dos dois valores de adaptao ser relativamente boa. O facto de utilizar

a informao de ambas as amostras individualmente e a possibilidade de determinar solues

no dominadas so as grandes vantagens do AGMO.

A aplicao de algoritmos genticos, no contexto da elipsometria, previamente demons-

trada til, pode ser estendida e melhorada utilizando tcnicas multi-objectivo. Apesar de

simples, os testes efectuados mostram que optimizao multi-objectivo vivel em elipsome-

tria, podendo ser benca na anlise de problemas que podem ser decompostos em mais do

que uma funo objectivo.

importante referir que os algoritmos evolutivos multi-objectivo que usam a ordenao

de solues no dominadas, como o NSGA-II, no so adequados para os problemas com mais

de quatro funes objectivo. Isto devido ao facto de que um grande nmero de solues

constituintes da populao inicial sero imediatamente no dominadas, o que diculta a selec-

o da direco certa de evoluo da pesquisa. Estes problemas so resolvidos com algoritmos

36
de "optimizao de muitos objectivos" [75].

Uma nota nal para referir que embora o NSGA-II se adapte ao propsito deste trabalho,

o seu desempenho considerado mediano em relao aos algoritmos mais recentes. O estado

da arte de algoritmos evolucionrios multi-objectivo pode ser encontrado em [76].

5.3.2 Guias de Ondas Planares

Nesta seco e na subsequente a anlise de dados foi sempre executada no intervalo de

comprimentos de ondas [500, 850]nm. Isto deve-se ao facto de ser conhecido que o material

hbrido utilizado pode apresentar emisso abaixo dos 500 nm quando excitado em compri-

mentos de onda na regio do ultra-violeta [77], o que inuncia a medida negativamente,

pois a radiao que chega ao detector no seria apenas a reectida pela amostra. Uma vez

que se pretende quanticar valores experimentais, com o objectivo de eliminar uma possvel

contribuio da luminescncia foi efectuada a restrio referida.

Foram efectuadas medies em cada uma das duas amostras referentes s concentraes

de Zr(OP rn )4 de 40% e 60% molar, permitindo, assim, realizar anlise multi-modelo.

Como anteriormente referido, a anlise deve efectuada iniciando com modelos simples

mas que reictam as propriedades da amostra. um processo em que se tenta faseadamente

melhorar e alterar adequadamente o modelo de acordo com os resultado e conhecimento fsico

da amostra.

Numericamente o processo de clculo inicia com o algoritmo NSGA-II, com 50 geraes

e uma populao de 1000 indivduos, que no nal do processo fornece a melhor soluo en-

contrada at ento ao algoritmo de optimizao local. Com base nos resultados da seco

anterior a dimenso da populao e o nmero de geraes ser adequado para garantir uma

boa explorao do espao de solues.

Na seco anterior foi referida a sensibilidade da tcnica e a inuncia que as espessuras

podem ter no resultado. Para mostrar a veracidade desta armao, considere-se para as

amostras dUZ40 um modelo composto por silcio assumido com dimenso innita, slica com

espessura xa de 1.00 e dUZ40. Para determinar o ndice de refraco do dUZ40 e dUZ60
ser utilizada a equao de disperso de Lorentz, equao (2.8), pelo que sero necessrios

quatro parmetros de ajuste, , s , 0 e . As variveis a optimizar so para este modelo

seis, quatro para o ndice de refraco, partilhado pelas duas medidas experimentais, e as

espessuras WdU Z401 e WdU Z402 , uma para cada amostra. O erro resultante deste modelo

2 = 21, 05 o que elevado, o valor esperado seria 2 pois esto a ser optimizadas duas

medidas em simultneo.

So agora adicionadas as duas espessuras para a slica, WSiO2 1 e WSiO2 2 . Este modelo

ser denominado de M1. Os resultado so apresentados na Tabela 5.2, estando expostos os

parmetros de ajuste, os intervalos fornecidos aos algoritmos de optimizao nos quais as

variveis podem tomar valores, o resultado de cada parmetro aps os ajuste e o valor de 2 .
Note-se que os intervalos nos quais os parmetros de ajuste podem tomar valores apre-

sentam uma amplitude relativamente elevada, nomeadamente a espessura, mantendo a razo-

abilidade tendo em conta o problema. Apesar de ser conhecido um valor aproximado para a

espessura pelas medidas de microscopia de varrimento, um intervalo um pouco mais alargado

transfere para o algoritmo gentico a tarefa de explorar o espao de solues e determinar

aquela que melhor se adequa aos dados experimentais.

37
 O decrscimo observado no valor de 2 decorrente de se terem considerado as espessuras

da slica como variveis foi de aproximadamente 15. Esta reduo de aproximadamente 75%
muito signicativa, indicando a grande sensibilidade da tcnica.

Mantendo a razoabilidade fsica do modelo, existe mais uma alterao possvel de se

efectuar de forma a melhora-lo.

A especicidade da deposio por rotao por substrato pode originar uma deposio no

uniforme. O facto de a espessura no ser uniforme na regio de medio leva a efeitos de des-

polarizao da luz que devem ser tomados em conta no modelo. importante distinguir entre

rugosidade de superfcie e no uniformidade da espessura. Na Figura 5.8 apresentada uma

imagem de microscopia de forma atmica da superfcie do dUZ40 onde se observa a rugosidade

local. Pelo valor da coordenada Z na Figura 5.8, verica-se que existe uma diferena de 3

ordens de grandeza entre a espessura da amostra e a rugosidade, pelo que esta no relevante,

alm de que uma camada de rugosidade modelada usando teorias de meio efectivo no origina

despolarizao. Neste sentido, no ser considerada a rugosidade local, optando-se por mo-

delar no uniformidade da espessura, com a qual obtm despolarizao. A dimenso do local

Figura 5.8: Imagem de microscopia de fora atmica da superfcie de dU Z40 [3].

de medio utilizado foi de 250 250m, pelo que o sinal que chega ao detector o resultado

da integrao efectuada sobre toda essa rea. Como explicado no captulo sobre elipsometria,

isto modelado considerando uma distribuio de espessuras em torno de uma mdia. Para

modelar este efeito necessrio introduzir mais dois parmetros, WdU Z401 e WdU Z402 ,
que denem o intervalo de espessuras em que necessrio calcular curvas tericas, para de

seguida efectuar o integral dado pela equao (3.26). Alm do valor mdio WdU Z401 , no

intervalo ]WdU Z401 ; WdU Z401 + WdU Z401 ] so gerados oito valores de espessura com espa-
amento uniforme entre eles. O mesmo efectuado para [WdU Z401 WdU Z401 ; WdU Z401 [.
Assim, so calculadas no total 17 curvas Is e Ic. O valor de 8 um nmero razovel, se este

for muito elevado o tempo de computao demasiado longo, se for demasiado baixo no

criada uma boa distribuio de espessuras. introduzido assim o modelo M2 que toma

em conta efeitos de despolarizao devido no homogeneidade da espessura no local de

medio. Os resultados para este ajuste so apresentados na Tabela 5.2. Os limites dos inter-

valos dos parmetros no processo de optimizao foram actualizados com base no resultado

de M1. Quanto aos resultados de M2, note-se que os valores das espessuras da slica sofreram

alteraes muito ligeiras entre M1 o M2. Os valores de WdU Z401 e WdU Z402 sofrem uma

alterao que era espectvel, dado que em M2 representam o valor central de uma distribuio

de espessura e no a espessura efectiva. Pela imagem da superfcie da amostra, Figura 5.8, na

38
regio de1, 5 1, 5m apresentada, a rugosidade de 3, 3nm. Por elipsometria, na regio de
250 250m do local de medida, consideravelmente superior de microscopia, o valor limite
determinado para o intervalo de espessura est prximo de 10nm em ambas as amostras, um

resultado aceitvel dado o conhecimento da tcnica de deposio. No modelo M2 observa-se

um decrscimo signicativo no valor de 2 , representando um erro de sensivelmente 1, 2 para

cada amostra, o que agora prximo do valor esperado.

Os mesmos modelos, M1 e M2 foram aplicados s amostras de dUZ60-1 e dUZ60-2. Os

resultados so apresentados na Tabela 5.2.

Tabela 5.2: Resultados dos ajuste aos modelos M1 e M2 para o dU Z40 e dU Z60.
dUZ40 dUZ60
M1 - 2 = 5, 50 M1 - 2 = 9, 81
Parmetros Parmetros

Varivel Intervalo Valor Varivel Intervalo Valor

WdU Z401 [500; 1500]nm 794, 3 0, 2 WdU Z601 [500; 1500]nm 1145, 34821 0, 11
WSiO2 1 [900; 1100]nm 1019, 1 0, 2 WSiO2 1 [900; 1100]nm 1016, 86 0, 08
WdU Z402 [500; 1500]nm 792, 2 0, 1 WdU Z602 [500; 1500]nm 1139, 72 0, 13
WSiO2 2 [900; 1100]nm 1018, 7 0, 1 WSiO2 2 [900; 1100]nm 1017, 07 0, 09
[1; 3] 1, 72 0, 02 [1; 3] 2, 131 0, 002
s [1; 4] 2, 2404 0, 0003 s [1; 4] 2, 31556 0, 00028
0 [3; 12]eV 7, 6 0, 2 0 [3; 6]eV 4, 75 0, 02
[0; 1]eV 0, 2343 0, 0007 [0; 1]eV 0, 1614 0, 0003

M2 - 2 = 2, 42 M2 - 2 = 4, 30
Parmetros Parmetros

Varivel Intervalo Valor Varivel Intervalo Valor

WdU Z401 [700; 900]nm 791, 7 0, 4 WdU Z601 [1000; 1300]nm 1141, 0 0, 2
WdU Z401 [0; 50]nm 10, 6 0, 1 WdU Z601 [0; 50]nm 11, 7 0, 1
WSiO2 1 [900; 1100]nm 1018, 2 0, 4 WSiO2 1 [900; 1100]nm 1016, 5 0, 2
WdU Z402 [700; 900]nm 789, 6 0, 4 WdU Z602 [1000; 1300]nm 1135, 4 0, 3
WdU Z402 [0; 50]nm 10, 4 0, 1 WdU Z602 [0; 50]nm 11, 2 0, 1
WSiO2 2 [900; 1100]nm 1017, 80 0, 4 WdSiO2 2 [900; 1100]nm 1016, 7 0, 2
[1; 3] 1, 977 0, 009 [1; 3] 2, 167 0, 002
s [1; 4] 2, 2520 0, 0004 s [1; 4] 2, 3266 0, 0003
0 [3; 10]eV 5, 78 0, 07 0 [3; 6]eV 4, 52 0, 01
[0; 1]eV 0, 1872 0, 0009 [0; 1]eV 0, 1311 0, 0004

Utilizando M2 para obter o ndice de refraco para o comprimento de onda referncia

de 632, 8nm, o resultado para o dUZ40 e dUZ60 , respectivamente, (1, 5125 0, 0009)
(0, 00130, 0001)i e (1, 53740, 0002)(0, 000990, 00002)i. As espessuras mdias, no local
de medio, para os lmes de dUZ40 so WdU Z401 = (791, 7 0, 3)nm com uma variao

de WdU Z401 = (10, 6 0, 1)nm, e, WdU Z402 = (789, 6 0, 4)nm com WdU Z402 =

(10, 3 0, 1)nm. Para os lmes de dUZ60, as espessuras so WdU Z601 = (1141, 0 0, 2)nm
com uma variao WdU Z601 = (11, 7 0, 1)nm, e WdU Z602 = (1135, 4 0, 3)nm com

WdU Z602 = (11, 2 0, 1)nm.

Dado que na deposio foram utilizados os mesmos parmetros para a acelerao, ve-

locidade e tempo, as diferenas na espessura entre as amostras de dUZ40 e dUZ60 deve-se

viscosidade das ltimas ser superior pois a concentrao de tetrapropxido de zircnio

superior. Tambm, pela mesma razo, o ndice de refraco superior para o dUZ60. Os

39
resultados esto em acordo com valores anteriormente reportados [3, 7, 10, 65, 66].

5.3.3 Guias de Ondas Em Canal

Nesta seco, apresentada a caracterizao de guias de ondas em canal por elipsometria.

O estudo deste tipo de dispositivos , normalmente, efectuado por mtodos baseados na

guiagem de luz no canal. Um sinal ptico acoplado ao guia e pela captura da distribuio

do sinal sada canal, em campo prximo ou longnquo, obtida a variao (perl) do ndice de

refraco no canal, sublinhe-se variao do ndice, no obtido o valor do ndice de refraco

mas como este varia no canal. Para efectuar esta medida necessrio que o canal possua

propagao unimodal, modo TE1,0 Figura 2.4 seco 2.5. O ndice do material envolvente ao

canal tem de ser obtido externamente.

Com elipsometria no necessrio que o guia possua propagao unimodal nem efectuar

o acoplamento de um sinal ptico. Alm disto, a medida fornece o valor do ndice de refraco

do canal e da bainha.

A amostra dUZ40-1 foi posteriormente sujeita ao sistema de gravao anteriormente

apresentado. Com esta experincia pretende-se obter uma estimativa para a variao de

ndice provocada pelas condies de gravao descritas na seco 5.2.

Durante a exposio a radiao UV, toda a espessura do lme de dUZ40 afectada pelo

laser, Figura 5.9a). A gura apresenta o esquema de um divisor de potncia em Y resultado

da gravao por escrita directa, evidenciando que existe uma alterao do ndice de refraco

com a profundidade em toda a camada de lme. Na Figura 5.9b) apresentada uma imagem

da superfcie do lme obtida com o elipsmetro. Nesta imagem, possvel observar a regio

onde foi gravado o guia em canal, notria pela tonalidade azul clara que apresenta, e o ponto

de medio do elipsmetro, a branco no centro da imagem com dimenso de 60 25m.

Figura 5.9: Esquema da regio do lme afectada pela exposio ao laser UV. Superfcie do

lme de dU Z40 com o ponto de medio localizado na regio sujeita ao feixe de luz UV (linha
de tonalidade azul no interior do rectngulo amarelo).

Foram efectuadas medies na regio de gravao e distanciado desta cerca de 200m,

num local no exposto ao UV. As medies foram executadas desta forma com o propsito de

efectuar anlise multi-modelo, permitindo assim determinar o ndice de refraco complexo

do lme, Nf , o ndice de refraco complexo na regio de gravao, Ng , a espessura do

lme, Wf , e a espessura do lme dentro da regio de gravao, Wg . Esta anlise permitir,

40
tambm, determinar o incremento N entre o lme e o canal atravs do procedimento referido

aquando da discriminao das capacidade da aplicao EllipsoAnalyser. Para determinar

qual o valor deste incremento, o ndice de refraco da regio exposta foi modelado como

Ng () = Nf () + N , sendo que N = n ik um valor complexo, em que a parte real

e imaginria so parmetros de ajuste. Para o ndice de refraco do lme foi empregado

o oscilador de Lorentz, como no caso dos guias planares. , tambm, necessrio optimizar

as duas espessuras de dUZ40, dentro, dUZ40g , e fora, dUZ40f , da regio de gravao. Ser,

tambm, ajustada a espessura da camada de slica, neste caso apenas com um parmetro

partilhado entre as duas medidas. No existe a necessidade de utilizar dois parmetros, e

aumentar a complexidade do modelo, pois as duas medies foram efectuadas prximo uma

da outra. Este modelo ser denominado de MA. O procedimento numrico utilizado foi o

mesmo que no caso dos guias planares. Os resultados so apresentados na Tabela 5.3. Alm

dos intervalos e valores dos parmetros, , tambm, apresentada a matriz de correlao, que

em modelos mais complexos como este, fornece dados importantes e ajuda na avaliao de

resultados.

Observando os resultados imediatamente evidente que os valores das variveis n e k

possuem ordem de grandeza baixa. Tal esperado, a tcnica de escrita directa por laser
nestes materiais introduz tipicamente diferenas de ndice com ordem de grandeza entre 103
e 105 [3]. Note-se, contudo, que o erro associado ao parmetro n consideravelmente

superior ao prprio valor da varivel. Pela matriz de correlao observamos que existe uma

correlao relativamente elevada entre n e k , (0, 62), o que era de esperar. Numa avaliao

crtica dos valores destes parmetros no mbito da tcnica de elipsometria, de duvidar da

signicncia fsica destes resultados. Um modelo melhorado deve ser ponderado. Tambm
2
o valor de consideravelmente elevado. Contudo, quando se avalia este valor deve ser

tida em conta a complexidade do modelo em vez de procurar apenas o valor mnimo possvel.

Ainda assim, 2 = 34, 93 um valor elevado. de ressaltar, tambm, o valor de (0, 99) entre

e s na matriz de correlao deste modelo. O valor destas variveis aproximadamente o

mesmo. Correlao total entre duas variveis deve ser evitada.

Face aos resultados anteriores agora necessrio renar o modelo. Com base em estudos

prvios efectuados nestes materiais, sabido que na regio do lme sujeita a luz UV, ocorre,

tambm, uma alterao na topologia do lme. Existe uma densicao do HOI que acom-

panhada por uma deformao na superfcie, que deixa de ser plana, apresentado um perl

gaussiano invertido, com uma concavidade na ordem das dezenas de nanmetros [3, 7, 10]. Isto

deve-se ao facto de o laser possuir um perl de intensidade gaussiano, com maior intensidade

no centro. A no uniformidade da espessura na regio de medio leva a efeitos de despolari-

zao. Para modelar estes efeitos introduzida a varivel WdU Z40f para a medida no lme

e WdU Z40g para a regio exposta. Este modelo ser denominado de MB. Os resultado so

apresentados na Tabela 5.3.

A qualidade do ajuste consideravelmente superior ao caso anterior. O decrscimo de

aproximadamente 85% ocorrido no valor do erro um indicador de que a alterao efectuada

ao modelo terico vlida. Relembre-se que o erro apresentado corresponde soma dos

erros de dois ajustes, dentro e fora do guia em canal, sendo que a contribuio do segundo

ligeiramente superior. Na Figura 5.10 pode observar-se o ajuste do Modelo MB s curvas

experimentais fora (esquerda) e dentro da regio de gravao (direita), para Is e Ic. Na

Figura 5.11 so apresentados os grcos do grau polarizao em funo do comprimento de

41
Figura 5.10: Ajuste do modelo terico MB s curvas experimentais fora (esquerda) e dentro

(direita) do guia em canal. 4 Is , Ic .

Figura 5.11: Ajuste do modelo terico MB s curvas experimentais do grau de polarizao

fora (esquerda) e dentro (direita) do guia em canal. : pexperimental , : pmodelo .

onda para o lme (esquerda) e canal (direita). A estratgia adoptada modela com sucesso

a despolarizao na regio do canal. Tal como previsto, na regio do canal a despolarizao

superior, como se pode observar pelo eixo Y nos grcos. Relembre-se que para radiao

totalmente polarizada p = 1.
Pela tabela verica-se que existe uma alterao considervel nos valores das espessuras.

Tambm os valores obtidos para os parmetros de ajuste n e k sofreram uma alterao

signicativa. Na matriz de correlao observado que os parmetros WdU Z40f e WdU Z40g
possuem uma elevada correlao com a respectiva mdia, algo que era esperado. A correlao

entre e s foi reduzida de 1 para (0,66), sendo mais um indicador de que este modelo

representa em boa medida a amostra.

O parmetro que reecte o incremento no ndice de refraco, n = (0, 0003 0, 0002),

est em acordo com valores anteriormente reportados [3, 10]. Para o comprimento de onda de

632, 8nm o ndice de refraco do lme ndU Z40f = (1, 5113 0, 0001) (0, 0013 0, 0001)i.
Na regio exposta ndU Z40g = (1, 5116 0, 0002) (0, 0013 0, 0001)i.

42
 Tabela 5.3: Resultados do ajuste dos modelos MA e MB aos dados experimentais.

MB - 2 = 5, 25
Parmetros
MA - 2 = 34, 93
Varivel Intervalo Valor
Parmetros WdU Z40f [750; 850]nm 799, 7 0, 1
Varivel Intervalo Valor WU Z40f [1; 30]nm 9, 7 0, 1
WdU Z40f [500; 1000]nm 815, 8 0, 1 WdU Z40g [700; 800]nm 753, 0 0, 1
WdU Z40g [500; 1000]nm 770, 0 0, 1 WdU Z40g [1; 30]nm 20, 7 0, 1
n [0; 0, 1] 3, 6 105 1, 8 104 n [0; 0, 1] 0, 0003 0, 0002
k [0; 0, 1] 1, 4 105 8, 5 106 k [0; 0, 1] 0, 00010 0, 00001
[0; 3] 2, 2739 0, 0003 [0; 3] 2, 197 0, 001
s [1; 5] 2, 2715 0, 0003 s [1; 4] 2, 2594 0, 0006
0 [1; 20]eV 2, 1133 0, 0003 0 [1; 5]eV 3, 68 0, 01

43
[0; 5]eV 0, 370 0, 001 [0; 1]eV 0, 2175 0, 001
dSiO2 [950; 1050]nm 1007, 1 0, 1 dSiO2 [950; 1050]nm 1019, 6 0, 1
Matriz de Correlao Matriz de Correlao
WdU Z40f WdU Z40g n k s 0 WSiO2 WdU Z40f WdU Z40fWdU Z40g WdU Z40g n k s 0 WSiO2
1, 00 0, 33 0, 52 0, 12 0, 73 0, 73 0, 15 0, 31 0, 67 1, 00 0, 42 0, 01 0, 09 0, 68 0, 26 0, 51 0, 83 0, 18 0, 42 0, 13
1, 00 0, 63 0, 59 0, 06 0, 06 0, 29 0, 30 0, 42 1, 00 0, 14 0, 00 0, 39 0, 15 0, 46 0, 58 0, 27 0, 39 0, 36
1, 00 0, 62 0, 53 0, 53 0, 13 0, 02 0, 18 1, 00 0, 66 0, 73 0, 65 0, 40 0, 23 0, 42 0, 31 0, 36
1, 00 0, 07 0, 08 0, 31 0, 20 0, 08 1, 00 0, 55 0, 54 0, 12 0, 07 0, 13 0, 12 0, 06
1, 00 0, 99 0, 23 0, 09 0, 02 1, 00 0, 66 0, 63 0, 73 0, 42 0, 50 0, 15
1, 00 0, 24 0, 10 0, 02 1, 00 0, 32 0, 30 0, 25 0, 59 0, 06
1, 00 0, 35 0, 48 1, 00 0, 78 0, 90 0, 61 0, 42
1, 00 0, 58 1, 00 0, 45 0, 61 0, 43
1, 00 1, 00 0, 48 0, 31
1, 00 0, 39
1, 00
6 Concluses e Perspectivas Futuras

Neste trabalho foi aplicada a tcnica de elipsometria espectroscpica na caracterizao de

lmes nos para aplicaes em ptica integrada. Os objectivos eram a caracterizao de guias

de ondas planares e a avaliao do contraste de ndice de refraco provocada pela exposio

ao laser UV.

Foi efectuada a caracterizao de guias de onda planares, preparados com material hbrido

orgnico-inorgnico, di-ureasil modicado com diferentes concentraes de tetrapropxido de

zircnio, 40 e 60% molar, e depositados por rotao do substrato em substratos de slica

em silcio. Foram obtidos para o comprimento de onda de 632, 8nm os valores de ndice
de refraco de ndU Z40 = (1, 5125 0, 0009) (0, 0013 0, 0001)i e ndU Z60 = (1, 5374

0, 0002) (0, 00099 0, 00002)i. As espessuras mdias para as duas amostras de dUZ40 so
WdU Z401 = 791, 7 0, 3nm e WdU Z402 = 789, 6 0, 4nm. Para as amostras de dUZ60 os
valores obtidos foram WdU Z601 = 1141, 0 0, 2nm e WdU Z602 = 1135, 4 0, 3nm.

Foi caracterizado um guia em canal de dUZ40 sujeito a gravao por laser UV para

determinar o incremento no ndice de refraco na regio exposta. Foi obtido o valor de

ndU Z40 = (0, 0003 0, 0002), mostrando, como era esperado, que existe um aumento do

ndice de refraco devido exposio ao laser. Atendendo concentrao de Zr(OP rn )4 ,

este resultado est em bom acordo valores anteriormente reportados determinados por inten-

sidade de campo prximo [10]. O valor obtido para o erro, embora elevado face ao valor ao

qual corresponde, deve ser interpretado no mbito do tipo de material, tcnica de deposio,

modelo de camadas utilizado e situao de mediao. Tambm o local de medio causa

despolarizao, apesar do procedimento utilizado modelar com relativo acordo esta situao

(Figura 5.11, grco da direita), o ajuste no perfeito. Por estas razes o valor do erro pode

ser considerado aceitvel.

Vericou-se um decrscimo na espessura desde o topo at base da Gaussiana invertida

de aproximadamente 66nm, devido ao efeito de densicao resultante da contraco induzida

no material pela exposio radiao laser. Atendendo velocidade de translao do laser
neste trabalho e em [10], existe acordo entre o valor aqui apresentado e o reportado.

Relativamente modelao das amostras, legitimo questionar se os modelos utilizados

poderiam ou no ser alterados no sentido de obter melhores valores 2 . Por exemplo, porque

no considerar uma camada de interface de alguns nanmetros entre o silcio e a slica, ou

entre a slica e o dUZ40, ou uma camada de rugosidade supercial, modeladas atravs da

teoria de meio efectivo de Bruggemann ? Muito provavelmente seria possvel obter valores de

2 inferiores, mas isso em nada signica que o modelo melhor ou que representa melhor a

amostra. Em problemas inversos como o de elipsometria, melhorar o valor do erro a todo o

custo no garante um melhor resultado, pelo contrrio. Aumentar a complexidade do modelo

pode levar a melhorias no valor do erro, mas tambm origina facilmente valores sem signicado

fsico para os parmetros e correlaes muito elevadas entre as variveis. O modelo deve ser

realista e no exagerado.

A principal limitao no uso desta tcnica ser a largura do canal. Neste trabalho a lar-

gura mnima 25m, largura do ponto de medio do elipsmetro. Em canais mais estreitos,

a modelao da superfcie da amostra poder ser uma limitao e inuenciar os resultados.

importante notar que elipsometria deve ser vista como uma tcnica complementar e no

como medida denitiva. Particularmente nos guias de ondas, para guias planares a tcnica

44
de acoplamento por prisma um procedimento padro e complementar da elipsometria. Nos

guias de ondas em canal uma possvel mtodo complementar para obter o ndice de refraco

seria acoplamento do prisma e intensidade de campo prximo. A alterao de superfcie pode

ser obtida com microscopia de fora atmica.

Neste trabalho foi apresentada uma tcnica inovadora que utiliza optimizao multi-

objectivo para a anlise de dados de elipsometria em situaes em que possvel combinar di-

versas medidas experimentais. Os resultados evidenciam que o mtodo proposto possui melhor

desempenho que um algoritmo gentico de objectivo nico tradicional, para o mesmo nmero

de geraes o procedimento proposto aproxima-se mais da soluo nal. Neste sentido, uma

reduo do tempo de computao possvel utilizando um algoritmo global multi-objectivo

e reduzindo o nmero de geraes comparativamente a optimizao global tradicional. im-

portante notar que o mtodo apresentado no garante que a soluo nal encontrada, mas

a probabilidade de tal acontecer superior.

Foi desenvolvida uma aplicao informtica para anlise de dados de elipsometria, tendo

sido todos os resultados aqui apresentados calculados utilizando a mesma. A grande vantagem

de um programa prprio face aos programas comerciais a exibilidade e a possibilidade de

adicionar novas funcionalidades e testar novos procedimentos.

Esta dissertao apresentou duas componentes inovadoras no campo da elipsometria, o

uso de optimizao multi-objectivo e a aplicao desta tcnica na caracterizao de guias de

ondas pticos em canal. Face aos resultados pode concluir-se que os objectivos principais do

trabalho foram atingidos, tendo sido efectuada com sucesso a prova de conceito para os dois

casos.

Existem, contudo, diversos pontos a tratar e melhorar numa possvel continuao do

trabalho aqui apresentado. No que toca aplicao computacional desenvolvida, neces-

srio efectuar a implementao dos procedimentos de clculo para materiais anisotrpicos.

Mais testes, usando optimizao multi-objectivo, devem ser executados de forma a avaliar

mais profundamente o seu potencial no mbito da elipsometria. Relativamente caracteriza-

o experimental, no sentido de extender a anlise elipsomtrica, um possvel trabalho seria

obter medidas experimentais de reectncia ou transmitncia e efectuar anlise combinada.

Quanto aos guias em canal, necessrio efectuar mais experincias com novas amostras e

novas concentraes para complementar os resultados aqui obtidos.

Tambm a possibilidade de utilizar outras tcnicas para estudar as alteraes na regio

de guiagem deve ser equacionada. A tcnica de elipsometria permite, tambm, estudar a

existncia de pers de ndice de refraco em profundidade numa amostra. Efectuando a

deposio e gravao de guias mais espessos este estudo poderia ser efectuado. Este resultados

poderiam depois ser comprovados com a utilizao de outras tcnicas pticas baseadas em

reectncia para a obteno do perl do ndice de refraco no canal.

45
Referncias

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