003 Hamilton Dias LeiteSellmeier PDF

Universidade Federal do Esprito Santo
Centro de Cincias Exatas - CCE

Departamento de Fsica - DFIS
Monografia de Final de Curso
Propagao da Luz em Meios

Peridicos Unidimensionais: Cristais
Fotnicos
Autor: Hamilton Dias Leite
Orientadora: Profa. Dra. Denise da Costa Assafro de Lima
Vitria
2013
i
Hamilton Dias Leite
Propagao da Luz em Meios

Peridicos Unidimensionais: Cristais
Fotnicos
Monografia apresentada ao Curso de

Fsica Bacharelado do Departamento
de Fsica do Centro de Cincias
Exatas da Universidade Federal do
Esprito Santo, como parte dos pr-
requisitos para a obteno do ttulo
de Bacharel em Fsica.
Orientadora: Profa . Dra . Denise

da Costa Assafro de Lima
Vitria
2013
ii
Hamilton Dias Leite
Propagao da Luz em Meios Peridicos

Unidimensionais: Cristais Fotnicos
Monografia apresentada ao Curso de Fsica Bacharelado do Depar-

tamento de Fsica do Centro de Cincias Exatas da Universidade Fede-
ral do Esprito Santo, como parte dos pr-requisitos para a obteno do
ttulo de Bacharel em Fsica.
Aprovada em 29 de abril de 2013
COMISSO EXAMINADORA
Profa . Dra . Denise da Costa Assafro de Lima

Prof. Dr. Jorge Luis Gonzalez Alfonso

Prof. Dr. Valberto Pedruzzi Nascimento

iii
Agradecimentos
Deus por me dar fora e intelegncia suficientes comear e terminar este curso.
Denise por ter me orientado, me aconselhado e me aturado neste trabalho, bem

como nas matrias de quntica e eletromagnetismo. E mesmo grvida se disps a
resolver muitos problemas.
minha me por me criar sozinha com minhas irms (as quais tambm agradeo
por me amarem muito) e por ter me ensinado todos os meus valores.
Ao meu av por ser a figura paterna mais prxima que j tive e por sempre me
apoiar e me dar conselhos, alm de sempre ter sido uma influncia muito importante.
Thas por estar comigo durante estes dois anos e ser a companheira com a qual
eu quero passar muito tempo.
Hanna que est na Espanha e de quem eu sinto saudade. Por sempre ser como
uma irm para mim e por ns dois termos passado muitos timos momentos juntos.
Aos meus amigos da faculdade: Ivan, Rodrigo, lefe, Deivid Wilson, Alisson Ewer-
ton... Estes me acompanharam durante estes quatro anos de curso, na alegria e na
tristeza, nas materias fceis e nos perrengues e por tantas outras coisas que enfren-
tamos.
Aos meus antigos colegas: Diego que anda meio sumido, mas que sempre vai ser
meu amio e Gregrio que comeou o curso comigo, porm mudou de carreira. Os dois
foram muito importantes para a minha escolha de ser Fsico.
iv
Ao Valberto e ao pessoal do LEMAG por estes trs anos e pouco de iniciao ci-
entfica e pelo apoio aos meus estudos.
minha tia Rachel e ao meu tio Fernando dos quais admiro desde pequeno e que
sempre me deram bastante apoio nas minhas escolhase investiram no meu futuro.
Ao restante da minha famlia e aos meus professores at hoje.

v
"D-me uma alavanca e um ponto de apoio e eu moverei o mundo."

Arquimedes de Siracusa
vi
RESUMO
Este trabalho est dividido em duas partes. Na primeira o intuito construir um

Cristal Fotnico (CF) preservando a sua periodicidade e estudar a Reflectncia (R), a
Transmitncia (T) e a estrutura da banda proibida formada quando ondas TE (Trans-
versal Eltrica) e TM (Transversal Magntica) incidem sobre o Cristal Fotnico e o
atravessam.
Na segunda parte do trabalho introduzido um defeito na periodicidade da estru-
tura, construindo uma cavidade tica. O objetivo estudar o comportamento do pico
de transmisso que se estabelece quando a periodicidade do cristal quebrada. Esta
quebra de periodicidade pode ocorrer devido a diversos fatores como, por exemplo, a
mudana no ndice de refrao de uma das camadas ou a variao da espessura de
uma das camadas. So simuladas diferentes maneiras de se quebrar a periodicidade
do cristal e as consequncias destas mudanas nos valores de R e de T.
Palavras Chaves: Cristais Fotnicos; Periodicidade; Banda Proibida.

vii
ABSTRACT
This work is divided into two parts. In the first one, the proposal is to build a Photonic
Crystal preserving its periodicity to study the Reflectance (R), the Transmittance (T)
and the structure of the Band Gap when TE waves (Transversal Electric) and TM waves
(Transversal Magnetic) pass through the Photonic Crystal.
In the second part of this project is to introduce a defect in the periodicity of the
structure, building an optical cavity. The aim is to study the behavior of the transmission
peak that is established when the periodicity of the crystal is broken. This break of
periodicity can occur due to various factors such as the change in the refractive index
or the thickness of the layers. Different ways to break the periodicity of the crystal are
simulated and the correspondent consequences of these changes in the values of R
and T.
Keywords: Photonic Crystals; Periodicity; Band Gap.

viii
Sumrio
1 Introduo 1
2 Cristais Fotnicos 4
2.1 O que so Cristais Fotnicos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.2 Cristais em 1, 2 e 3 Dimenses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2.2.1 CF em uma dimenso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2.2.2 CF em duas dimenses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
2.2.3 CF em trs dimenses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2.3 Aplicaes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
2.3.1 Guias de Onda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
2.3.2 Cavidades Ressonantes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.3.3 Fibras de Cristais Fotnicos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.3.4 Transistores pticos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
3 Fundamentao Terica 15
3.1 Equaes de Maxwell e Equao de Helmholtz. . . . . . . . . . . . . . 15
3.2 Isomorfismo entre a Equao de Schrdinger e a Equao de Helmholtz. 17
3.3 Teorema de Bloch . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
3.4 Mtodo da Matriz de Transferncia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
3.5 Estrutura de Bandas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
3.6 Espelhos de Bragg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
4 Simulao de Cristais Fotnicos Sem Defeito 28

4.1 A Banda Proibida . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
4.2 Disperso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
5 Simulao de Cristais Fotnicos Com Defeito 39

5.1 Microcavidades . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
5.2 Incluso de Dois Defeitos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
6 Concluses e Perspectivas 46
ix
Referncias Bibliogrficas 47
A Programa Utilizado 50
B Teorema de Bloch Quntico 57
C Meios Anisotrpicos 60
C.1 Tensor Dieltrico e Equao de Fresnel . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
C.2 Meios Girotrpicos e Efeito Faraday . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
C.3 Matriz de Transferncia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
x
Lista de Figuras
2.1 Exemplo de CF em uma, duas e trs dimenses. As cores diferen-

tes representam materiais com ndices de refrao diferentes. Imagem
adaptada de [2]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
2.2 Iridescncia na borboleta Morpho rhetenor. (a) Imagem real do azul
iridescnte de uma asa da borboleta. (b) Imagem de microscopia ele-
trnica de transmisso (MET) mostrando as sees transversais na asa
da M. rhetenor. (c) Imagem de MET de uma seo transversal da asa da
espcie M. didius revela as multicamadas discretamente configuradas.
A alta ocupao e o nmero elevado de camadas na asa da M. rhete-
nor em (b) cria uma refletividade intensa que contrasta com a aparncia
colorida mais difusa da M. Didius, em que as camadas se sobrepem
criando fortes efeitos de difrao. Tamanho das escalas: (a) 1 cm; (b)
1,8 m; (c) 1,3 m. Imagem adaptada da referncia [8]. . . . . . . . . . 6
2.3 Esquerda: Superfcie anti-refletiva das crneas do olho de uma espcie
de borboleta (Vanessa kershawi). A escala representa 2 m. Direita:
Fsseis de uma planta aqutica diatomcea que apresentam uma es-
trutura de fibra de CF nanoporoso. Acredita-se que esta estrutura favo-
rece a captura de luz. A escala representa 10m. Imagem retirada das
referncias [9] (esquerda) e [10] (direita). . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2.4 O ndice de refrao n(z) na multicamada varia como funo de z. Onde
as camadas em verde e azul tem ndices de refrao diferentes com
espaamento peridico a. Imagem adaptada de [2]. . . . . . . . . . . . 7
2.5 Estruturas com periodicidade em 1D. (a) Um espelho dieltrico com pe-
riodicidade em torno de 500 nm. (b) Uma multicamada de silcio feita
por meio de litografia. O perodo em torno de 10 m. Imagem adap-
tada das referncias [11] (a) e [12] (b). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
2.6 CF com periodicidade em 2D. A estrutura formada por colunas de ar
em um meio dieltrico. esquerda mostrada a rede triangular com
parmetro de rede a. Imagem adaptada de [2]. . . . . . . . . . . . . . . 9
xi
2.7 Estruturas bidimensionais fabricadas por litografia. (a) Configurao de

poros regulares em uma camada de alumina com intervalos de 200 nm.
A espessura do filme de cerca de 3m. (b) Estrutura bidimensional de
silcio hexagonal poroso com um parmetro de rede a = 1.5m e o raio
do poro r = 0.68m. Figuras retiradas de [13] (a) e [14] (b). . . . . . . . 9
2.8 (a) Empacotamento das esferas de silica e latex. (b) 6 camadas de silica
empilhadas conforme a rede cristalina do diamante na direo [001]. De
(a) para (b) ocorreu a dissoluo das esferas de latex. Figura retirada
de [15]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2.9 Imagem feita por microscopia de eltrons de um CF no formato de pilha
de madeira. O CF feito de silcio e forma uma rede cristalina fcc na
direo [001]. Imagem adaptada da referncia [16]. . . . . . . . . . . . 11
2.10 Desenho esquemtico de uma guia de onda. A guia consiste de uma
camada com espessura d e ndice de refrao n2 cercada por um meio
de ndice de refrao n1 . Figura retirada da referncia [17]. . . . . . . . 11
2.11 Uma configurao bastante utilizada para as fibras de cristal fotnico.
H um padro triangular de cavidades de ar, onde a cavidade central
est faltando. A rea cinza feita de vidro e os circulos brancos so as
cavidades que geralmente possuem dimenso de alguns micrmetros.
Figura adaptada de [19]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.12 Um transistor ptico de uma molcula. Imagem retirada da referncia
[21]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
3.1 Arranjo peridico de um CF 1D (acima) comparado com potenciais qun-

ticos (abaixo). As reas escuras correspondem ao ndice de refrao n1
e as reas claras ao n2 . Imagem adaptada da referncia [1]. . . . . . . 18
3.2 Desenho esquemtico de um meio peridico dieltrico. . . . . . . . . . 21
3.3 Propagao de ondas s e p por uma interface dieltrica. Os ndices i
e r refpresentam as ondas incidentes e refletidas. Figura adaptada da
referncia [18]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
3.4 Desenho esquemtico de um meio peridico e as amplitudes associa-
das n-sima clula unitria e suas vizinhanas. Imagem adaptada da
referncia Yeh:1998. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
4.1 Reflectncia simulada para dois filmes sem periodicidade. Em vermelho

tem-se a reflectncia para o Al0.2 Ga0.8 As e em preto para o Al0.3 Ga0.7 As. 29
xii
4.2 Reflectncia simulada para um filme com 5, 10 e 20 pares de repe-

tio, com ndices de refrao (a) n1 = 3.01 (camadas de AlAs) e
n2 = 3.57 (camadas de Al0.2 Ga0.8 As) e (b) n1 = 3.01 (camadas de AlAs)
e n2 = 3.45 (camadas de Al0.3 Ga0.7 As). O comprimento de onda da res-
sonncia o = 800 nm. Os grficos inseridos mostram a transmitncia
para as mesmas estruturas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
4.3 Largura de linha da banda proibida em funo do nmero de pares pe-
ridicos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
4.4 Estrutura de bandas para o CF construido com 20 pares alternados de
(a) AlAs e Al0.2 Ga0.8 As e de (b) AlAs e Al0.3 Ga0.7 As. . . . . . . . . . . . 32
4.5 Leis de disperso para GaAs, Al0.2 Ga0.8 As, Al0.3 Ga0.7 As e AlAs. Os
simbolos representam os dados experimentais e as linhas a interpolao. 33
4.6 Reflectncia simulada com disperso para um filme com 5, 10 e 20
pares de repetio de (a) AlAs e Al0.2 Ga0.8 As; (b) AlAs e Al0.3 Ga0.7 As.
As espessuras das camadas foram definidas com relao aos ndices
de refrao em o = 800 nm. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
4.7 Largura de linha da banda proibida em funo do nmero de pares pe-
ridicos incluidos os efeitos de disperso. . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
4.8 Estrutura de bandas, simulada com disperso, para o CF construido
com 20 pares alternados de (a) AlAs e Al0.2 Ga0.8 As e de (b) AlAs e
Al0.3 Ga0.7 As. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
4.9 Amplitude quadrada do campo eltrico simulada para um CF com 20 pa-
res de repetio de (a) AlAs e Al0.2 Ga0.8 As e de (b) AlAs e Al0.3 Ga0.7 As.
As linhas pretas refresentam as posies das interfaces entre os dois
materiais. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
5.1 Transmitncia simulada para um filme com 5, 10 e 20 pares de repeti-

o com a incluso de um defeito do tipo (a) Al0.3 Ga0.7 As e (b) Ar. O
comprimento de onda da ressonncia o = 800 nm. . . . . . . . . . . 40
5.2 Largura de linha do pico de transmisso em funo do nmero de pares
peridicos para o defeito como Al0.3 Ga0.7 As e Ar. . . . . . . . . . . . . . 41
5.3 Em vermelho a curva de reflectncia experimental para um CF de AlAs
e Al0.2 Ga0.8 As retirada de [4]. Em azul a reflectncia calculada teorica-
mente. O comprimento de onda da ressonncia o = 804.5 nm. O
espelho inferior possui 26 pares e o superior 22 pares. . . . . . . . . . . 42
5.4 Transmitncia simulada para um filme com 20 pares de repetio com
a incluso de um defeito de Al0.3 Ga0.7 As e com a variao do ngulo de
incidncia. O comprimento de onda da ressonncia o = 800 nm. . . 43
xiii
5.5 Amplitude quadrada do campo eltrico simulada para um CF com 5

pares de repetio com a incluso de um defeito do tipo (a) Al0.3 Ga0.7 As
e (b) Ar na 5 camada. O comprimento de onda da ressonncia o =
800 nm. As linhas pretas representam as posies das interfaces entre
as camadas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
5.6 Transmitncia simulada para um CF do tipo com 20 pares de repetio
de AlAs e Al0.2 Ga0.8 As. O comprimento de onda da ressonncia de
o = 800 nm e os defeito incluidos so uma camada de ar e uma de
Al0.3 Ga0.7 As, sendo suas posies especificadas acima. . . . . . . . . . 45
1
Captulo 1
Introduo
Um dos tpicos que mais tem chamado a ateno da comunidade cientfica atu-
almente a Nanocincia, que se refere ao estudo e manipulao da natureza na
escala nanomtrica. A partir disto novas posibilidades com o desenvolvimento da cha-
mada Nanotecnologia so criadas.
Os benefcios da Nanotecnologia so muitos: dispositivos nanotecnolgicos como
gravadores, sensores ou leitores magnticos, semicondutores, entre outros. Estes
dispositivos permitem a fabricao de microchips, celulares, telas sensveis ao toque
e muitas outras tecnologias que tornam esta cincia essencial para a rpida evoluo
do mundo moderno.
Um dos campos mais promissores dentro desta rea Nanofotnica, que uma
cincia recente, mas bem definida. O termo fotnica diz respeito cincia da gerao,
emisso, absoro e deteco de luz prxima do visvel (100nm-2m). A fotnica tem
sua origem na identificao dos fenmenos de interferncia da luz por Isaac Newton
e na predio das propriedades refletivas de um meio peridico por Lord Rayleigh,
por volta de 1880. A Nanofotnica trata dos mesmos fenmenos, porm em escala
nanomtrica (1nm-100nm) [1]. Tais fenmenos podem ser observados por meio do
confinamento de eltrons (no incio da escala ~1nm) ou do confinamento de ondas
eletromagnticas (no fim da escala ~100nm). Para estud-los necessrio construir
dispositivos da mesma ordem de grandeza do comprimento de onda que se quer con-
finar, ou seja, dispositivos nanomtricos.
Um exemplo de dispositivo capaz de manipular a luz o Cristal Fotnico. Cristais
fotnicos (CF) so estruturas com arranjos peridicos construdos de forma a permitir
o controle sobre a propagao e confinamento das ondas eletromagnticas em dadas
direes e frequncias [2]. Em outras palavras, um dispositivo nanofotnico. O arranjo
peridico pode ser, por exemplo, uma permutao de camadas com ndices de refra-
o diferentes que se estende de maneira peridica em uma dimenso (n1 ,n2 ,n1 ,n2 ...).
Com estes dispoitivos possvel manipular as propriedades dispersivas e de transmis-
so usando as chamadas estruturas de bandas [3]. Uma caracterstica interessante
CAPTULO 1. INTRODUO 2
a presena de uma banda proibida propagao, o Band-Gap. Nesta regio tanto a

propagao quanto a densidade de estados eletromagnticos so nulos.
Uma maneira de controlar a propagao da luz e, consequentemente, o seu confi-
namento introduzir defeitos na periodicidade do CF (o que implica em inomogenei-
dades na permissividade dieltrica). Tais defeitos, chamados de microcavidades [4],
implicam em uma quebra de periodicidade e uma forma de serem obtidos mudando
o ndice de refrao de uma das camadas ou ainda, variando a sua espessura.
Existem diversas aplicaes para CF, destacando-se entre elas as guias de onda
peridicas e as fibras de cristais fotnicos. Contudo, a fabricao de componentes
pticos para computao que aquece ainda mais este campo, com a produo de fi-
bras pticas nanomtricas e transistores pticos. Tendo em vista que a transmisso
de dados por caminhos pticos reduz em muito a perda de energia e aumenta a ve-
locidade com que os dados so transmitidos, a utilizao destes componentes supera
os componentes metlicos ainda em uso. Alm disto, os CF tambm so utilizados na
fabricao de lasers, clulas solares, LEDs, etc [2].
A produo de CF em uma ou duas dimenses j bem dominada e existem m-
todos para tal como, por exemplo, a Deposio por Pulverizao Catdica (Magnetron
Sputtering) que consiste em retirar tomos de um alvo slido bombardeando-o com
partculas de alta energia (geradas por um plasma) para ento deposit-los em um
substrato [5]. Mas hoje o grande desafio nesta rea a produo de CF em trs
dimenses [6].
Neste trabalho, estudada a propagao em um CF (com e sem defeitos) do tipo
Espelho de Bragg (DBR - Distributed Bragg Reflector). Um espelho de Bragg, uma
estrutura peridica feita de dois materiais semicondutores com ndices de refrao
distintos. As espessuras das camadas so escolhidas de forma que a luz refletida
por todas as interfaces interfira construtivamente, resultando em um espelho de alta
refletividade [4].
O objetivo principal deste trabalho estudar a propagao da luz em meios peri-
dicos unidimensionais, com e sem defeitos. O trabalho dividido em seis captulos.
O segundo dedicado uma discusso sobre cristais fotnicos com e sem defeitos,
descrevendo em detalhes suas propriedades. O terceiro captulo se refere teoria ge-
ral: uma reviso sobre as teorias e metodologias empregadas nesta monografia. No
captulo quatro o foco investigar o CF preservando a sua periodicidade. Para isto
importante examinar os coeficientes de Reflexo (R) e Transmisso (T), e a estrutura
do Band Gap formado quando ondas TE (Transversal Eltrica) e TM (Transversal Mag-
ntica) incidem sobre o CF e o atravessam. O objetivo do quinto captulo introduzir
um defeito na estrutura dos CF, construindo uma cavidade tica e aps isto, estudar
o comportamento do pico de transmisso que se estabelece quando a periodicidade
do cristal quebrada para ento observar as consequncias destas mudanas nos
CAPTULO 1. INTRODUO 3
coeficientes R e T. Alm disto, h uma anlise da incidncia em diferentes ngulos.

Por ltimo, no sexto captulo esto as concluses, discusses e perspectivas futuras
do trabalho.
Para desenvolver este trabalho foi necessrio criar cdigos computacionais espe-
cficos e para isto optou-se pela linguagem em C e pelo Mtodo da Matriz de Trans-
ferncia [7]. O mtodo terico usado deve inicialmente abranger qualquer sistema
peridico, com ou sem defeito, em uma dimenso. O Apndice A mostra o cdigo
usado para as simulaes computacionais.
4
Captulo 2
Cristais Fotnicos
2.1 O que so Cristais Fotnicos

Desde a descoberta de que as partculas de matria possuem propriedades de
onda tem se observado na mecnica quntica muitas propriedades das ondas de ma-
tria que eram semelhantes ptica. Hoje o processo inverso est acontecendo, as
consequncias diretas das propriedades de onda dos eltrons esto sendo transferi-
das para o estudo dos fenmenos de ondas eletromagnticas clssicas.
Para obter controle sobre propriedades como propagao, emisso ou absoro
da luz e dos eltrons deve-se construir um material que siga uma certa periodici-
dade. Por exemplo, no caso da propagao de eltrons so os potenciais peridicos
que interferem nestes fenmenos. Um cristal, que um arranjo peridico de tomos
ou molculas, representa um potencial deste tipo para a propagao de um eltron
atravs dele. Seus constituintes e sua estrutura cristalina ditam as propriedades de
conduo do cristal (seja ele isolante, condutor, semicontudor, etc.) [3].
O que diferencia um semicondutor de um condutor, por exemplo, so zonas onde a
propagao dos eltrons proibida, chamadas de Band Gap. No semicondutor existe
uma zona proibida, entre as bandas de valncia e de conduo.
O anlogo tico para estas estruturas metlicas o Cristal Fotnico, onde ao invs
de tomos e molculas, a periodicidade est contida na funo dieltrica do material,
o que quer dizer que est contida no ndice de refrao. Tais materiais produzem
para os ftons muitos dos mesmos fenmenos que ocorrem quando um eltron passa
atravz de um potencial atmico [1].
Os cristais fotnicos so ento materiais de baixa absoro com ndices de refra-
o peridicos. Existe periodicidade em uma, duas ou trs dimenses (como na figura
2.1) e com a escolha do material apropriado surgem muitas propriedades interessan-
tes. Com o arranjo correto possvel permitir a propagao de certos comprimentos
de onda e proibir a propagao de outros, ou seja, criar Band Gap especficos para
CAPTULO 2. CRISTAIS FOTNICOS 5
uma faixa do espectro da luz [7]. Quando se prepara um cristal fotnico com periodici-
dade em duas ou trs dimenses tambm possvel proibir a propagao em certas
direes. Em outras palavras, para se obter o controle total sobre a propagao de
luz, basta criar a estrutura conveniente para o que se deseja. Dentre as possibilidades
tecnolgicas geradas pelos CF em uma dimenso destacam-se [1] os espelhos de
Bragg, as guias de onda, as cavidades ressonantes e as fibras de cristal fotnico.
Figura 2.1: Exemplo de CF em uma, duas e trs dimenses. As cores diferentes representam
materiais com ndices de refrao diferentes. Imagem adaptada de [2].
Entretanto, a cincia no e nica a produzir efeitos pticos interessantes. Muito

antes do incio do estudo de CF a natureza j era capaz de fabricar estruturas pe-
ridicas na escala de comprimentos de onda do visvel, dando vida a fenmenos de
interferncia muito belos. Alguns exemplos so: "uma certa espcie de estrela do mar
usa elementos fotnicos compostos de calcita para coletar a luz, as borboletas Morpho
(figura 2.2) que em suas asas h vrias camadas da revestimento e ar para produzir
suas impressionates cores azuis e alguns insetos que utilizam matrizes de elementos,
com periodicidade em duas dimenses, para reduzir a refletividade em seus olhos
compostos. Estruturas fotnicas naturais so fonte de inspirao para aplicaes tec-
nolgicas" [8]. Outro exemplo uma planta diatomcea que apareceu a mais de 500
milhes de anos mostrada na figura 2.3. Prolas e algumas gemas como a Opala (que
tem a periodicidade em trs dimenses) tambm so representantes naturais dos CF.
Figura 2.2: Iridescncia na borboleta Morpho rhetenor. (a) Imagem real do azul iridescnte de
uma asa da borboleta. (b) Imagem de microscopia eletrnica de transmisso (MET) mostrando
as sees transversais na asa da M. rhetenor. (c) Imagem de MET de uma seo transversal
da asa da espcie M. didius revela as multicamadas discretamente configuradas. A alta ocu-
pao e o nmero elevado de camadas na asa da M. rhetenor em (b) cria uma refletividade
intensa que contrasta com a aparncia colorida mais difusa da M. Didius, em que as camadas
se sobrepem criando fortes efeitos de difrao. Tamanho das escalas: (a) 1 cm; (b) 1,8 m;
(c) 1,3 m. Imagem adaptada da referncia [8].
Figura 2.3: Esquerda: Superfcie anti-refletiva das crneas do olho de uma espcie de borbo-
leta (Vanessa kershawi). A escala representa 2 m. Direita: Fsseis de uma planta aqutica
diatomcea que apresentam uma estrutura de fibra de CF nanoporoso. Acredita-se que esta
estrutura favorece a captura de luz. A escala representa 10m. Imagem retirada das refern-
cias [9] (esquerda) e [10] (direita).
2.2 Cristais em 1, 2 e 3 Dimenses
2.2.1 CF em uma dimenso
Figura 2.4: O ndice de refrao n(z) na multicamada varia como funo de z. Onde as cama-
das em verde e azul tem ndices de refrao diferentes com espaamento peridico a. Imagem
adaptada de [2].
Multicamadas com periodicidade em uma dimenso, como nas figuras 2.4 e2.5,
so produzidas para fabricao de dispositivos pticos como espelhos (espelhos de
Bragg) ou filtros para determinados comprimentos de onda e direes. Pode-se ana-
lizar este sistema com a propagao de uma onda plana atravs dele e considerar a
soma das multiplas reflexes e refraes que ocorrem em cada interface.
Geralmente estas estruturas so feitas por deposio a vcuo, como a pulverizao
catdica (Magnetron Sputtering) e a epitaxia molecular por feixe de eltrons (Molecular
Beam Epitaxy). Outro mtodo baseado na criao de um padro na superfcie do
semicondutor e ento o "desenho" qumico (litografia) sobre este padro [1].
Figura 2.5: Estruturas com periodicidade em 1D. (a) Um espelho dieltrico com periodicidade
em torno de 500 nm. (b) Uma multicamada de silcio feita por meio de litografia. O perodo
em torno de 10 m. Imagem adaptada das referncias [11] (a) e [12] (b).
2.2.2 CF em duas dimenses

Um cristal fotnico em duas dimenses apresenta periodicidade em dois de seus
eixos e homogneo no terceiro. Um meio muito comum de se obter estas estruturas
a formao de poros cilndricos, que se estendem pela direo homognea, em um
material com ndice de refrao diferente, como pode ser visto nas figuras 2.6 e 2.7.
Desta forma a periodicidade est contida no plano perpendicular a estes cilindros.
Ao contrrio dos CF em uma dimenso, as estruturas em 2D podem ser desenhadas
para formar um Band Gap completo. Isso significa que estas estruturas previnem a
propagao de certos comprimentos de onda em quaisquer direes e polarizaes
[2].
A tcnica de litografia tambm aplicada neste caso. O padro inicial feito por
feixes de eltrons e ento usado o processo eletroqumico para criar nanoporos na
estrutura de acordo com o desenho feito na superfcie. Dependendo do tratamento
eletroqumico e da superfcie do material os poros tem profundidade de alguns na-

nometros at centenas de nanometros. Outro mtodo de produzir estruturas com
periodicidade bidimensional a "escrita"na superfcie com laser (Multi-Photon Poly-
merization) [1].
Figura 2.6: CF com periodicidade em 2D. A estrutura formada por colunas de ar em um

meio dieltrico. esquerda mostrada a rede triangular com parmetro de rede a. Imagem
adaptada de [2].
Muitos dispositivos podem ser construdos a partir destas estruturas como: mi-
crocavidades, fibras de cristais fotnicos, guias de onda, entre outros. Estruturas de
alumina com nanoporos, por exemplo, so bastante utilizadas como componente iso-
lante dos microchips semicondutores de silcio.
Figura 2.7: Estruturas bidimensionais fabricadas por litografia. (a) Configurao de poros
regulares em uma camada de alumina com intervalos de 200 nm. A espessura do filme de
cerca de 3m. (b) Estrutura bidimensional de silcio hexagonal poroso com um parmetro de
rede a = 1.5m e o raio do poro r = 0.68m. Figuras retiradas de [13] (a) e [14] (b).
2.2.3 CF em trs dimenses

O anlogo ptico de uma rede cristalina um CF em trs dimenses. H um
nmero infinito de geometrias possveis para um CF com ndice de refrao que segue
uma periodicidade ao longo de seus trs eixos, entretanto o interessante construir
estruturas que apresentem Band Gap. Geralmente o mtodo criar redes de tubos
ou esferas interligadas, similares s estruturas em 2D, mas agora estendidas s trs
dimenses. Estas redes, de fato, so anlogas s redes cristalinas atmicas. Algumas
das simetrias escolhidas para produzir estes CF so a rede cristalina do diamante
(cbica de face centrada (fcc), com dois tomos por clula unitria) e a da opala.
Figura 2.8: (a) Empacotamento das esferas de silica e latex. (b) 6 camadas de silica empi-
lhadas conforme a rede cristalina do diamante na direo [001]. De (a) para (b) ocorreu a
dissoluo das esferas de latex. Figura retirada de [15].
Um dos processos de fabricao de CF em 3D primeiro empacotar esferas mi-

croscpicas de silica e latex, depois dissolver apenas as esferas de latex e ento fazer
um tratamento trmico do que restou. Por fim, faz-se um molde inverso da estrutura
formada pela slica, como na figura 2.8. Outro meio de produo feito com a de-
posio e litografia camada por camada. Em outras palavras, um padro em duas
dimenses desenhado para cada camada e ento outra empilhada por cima com
um padro diferente. O padro repetido continuamente at que se crie uma peri-
odicidade ao longo dos trs eixos. A forma final semelhante a uma pilha de toras
retangulares de madeira (woodpile) como mostrado na figura 2.9.
Figura 2.9: Imagem feita por microscopia de eltrons de um CF no formato de pilha de madeira.
O CF feito de silcio e forma uma rede cristalina fcc na direo [001]. Imagem adaptada da
referncia [16].
2.3 Aplicaes
2.3.1 Guias de Onda
Figura 2.10: Desenho esquemtico de uma guia de onda. A guia consiste de uma camada
com espessura d e ndice de refrao n2 cercada por um meio de ndice de refrao n1 . Figura
retirada da referncia [17].
Alm dos fenmenos como reflexo e transmisso, um meio peridico tambm

tem a propriedade de conduzir ondas eletromagnticas confinadas. Tais materiais so
chamados guias de onda (figura 2.10). As guias tem a propiedade de, sob condies
apropriadas, impedir um feixe de luz, que se propaga atravs de um meio, de diver-
gir. Este fenmeno ocorre devido s multiplas reflexes internas totais que as ondas
planas sofrem nas interfaces dieltricas [17].
Outra propriedade interessante das guias de onda aparece quando adicionado
um defeito linear na periodicidade. No caso dos CF bidimensionais mencionados
acima, se um dos poros for construdo com um ndice de refrao diferente, quebrando
assim a periodicidade, este defeito permite guiar a luz por uma direo diferente de
propagao [2].
2.3.2 Cavidades Ressonantes

Ressonadores pticos so utilizados principalmente para gerar feixes pticos mo-
nocromticos com intensidades elevadas (lasers por exemplo). Estes ressonadores,
tambm conhecidos como cavidades ressonantes ou microcavidades, so constitu-
dos na maioria dos casos de CF que simulam efeitos de espelhos para fornecer ml-
tiplas reflexes e reorientao de ondas de luz. A incluso de um defeito pontual
possibilita que a energia de um feixe ptico seja "aprisionada" no interior da cavidade.
Neste caso, o feixe torna-se um modo do ressonador.
As dimenses tpicas das cavidades so da ordem do comprimento de onda das
ondas eletromagnticas. Para microondas, os comprimentos de onda esto nos inter-
valos de centmetros e ressonadores nestas dimenses podem ser facilmente obtidos.
Em regimes pticos, as dimenses das cavidades precisam ser da ordem de micr-
metros. A fabricao destes dispositivos em trs dimenses hoje um desafio. Uma
discusso mais detalhada sobre estas cavidades esta descrita no captulo 5.
2.3.3 Fibras de Cristais Fotnicos

Este campo hoje um dos mais pesquisados na rea de ptica. O motivo para
isto que estas fibras oferecem muitos graus de liberdade para serem desenhadas
que levam a uma ampla variedade de propriedades nicas. As fibras de cristal fot-
nico so fibras pticas cujas propriedades de guias de onda no so provenientes da
composio tradicional feita de diferentes camadas de vidros, mas sim de um arranjo
de cavidades de ar muito finas e pouco espaadas que passam atravs de toda a fibra
[19].
O arranjo mais simples de fibras de cristal fotnico tem um padro triangular de
cavidades de ar, com uma destas em falta (figura 2.11), ou seja, com um ncleo slido
rodeado por uma matriz de orifcios de ar [2]. A regio central tem um ndice de re-
frao superior, criando uma regio de alta refletividade, e tem propriedades similares
ao ncleo de uma fibra convencional. Geralmente as fibras so fabricadas apenas
com slica, entretanto outros materiais so usados como, por exemplo, terras raras no
elemento central para aplicao em lasers.

As aplicaes para estas estruturas so lasers e amplificadores, componentes de
telecomunicao como controles de disperso, filtros ou sensores e na ptica quntica
com geradores de pares correlacionados, transparncia eletromagntica induzida e
guias de tomos frios [19].
Figura 2.11: Uma configurao bastante utilizada para as fibras de cristal fotnico. H um
padro triangular de cavidades de ar, onde a cavidade central est faltando. A rea cinza
feita de vidro e os circulos brancos so as cavidades que geralmente possuem dimenso de
alguns micrmetros. Figura adaptada de [19].
2.3.4 Transistores pticos

Esta com certeza uma das mais importantes aplicaes de CF. Apesar de ser um
campo ainda em desenvolvimento e de faltar muito para ser explorado e comprovado,
a substituio dos componentes de microchips de silcio por anlogos pticos pode
trazer mudanas significativas para a transmisso de informao, abrindo espao para
o campo da computao quntica [20].
Muitas abordagens diferentes para ptica de transistores tm sido propostas. Em
alguns trabalhos foram estudados fenmenos pticos no-lineares, principalmente em
ressoadores. Outros trabalhos recentes exploram molculas individuais (figura 2.12),
pontos qunticos e sistemas atmicos [21].
Como as taxas de dados continuam a subir nas telecomunicaes, a comunicao
ptica est progredindo de transmisso de dados em longas distncias para a trans-
missao em distncias cadas vez menores. No presente momento esta tecnologia na
escala dos microchips ainda est na fase inicial, mas para os prximos anos espera-se
que os transistores pticos suplantem os transistores eletrnicos usados atualmente

[20] principalmente no que diz respeito velocidade e quantidade de informao pro-
cessada e transmitida. Outra das vantagens que toda transmisso feita por caminhos
pticos produz menos calor e, consequentemente reduz a perda de energia, j que ao
invs de eletricidade o que se conduz so ondas eletromagnticas.
Figura 2.12: Um transistor ptico de uma molcula. Imagem retirada da referncia [21].
15
Captulo 3
Fundamentao Terica
3.1 Equaes de Maxwell e Equao de Helmholtz.

A metodologia utilizada neste captulo baseada principalmente na referncia [7].
Para descrever qualquer fenmeno eletromagntico, necessrio partir das Equaes
de Maxwell. Na matria elas so escritas da seguinte forma (no S.I.):

D
= , (3.1)

B
= 0,

B

E
= ,
t

D

H
=
+ J,
t
onde E eH
so os campos eltrico e magntico; B eD so a induo magntica e o
vetor deslocamento; J a densidade de corrente eltrica e a densidade de carga
eltrica.
Estes campos se relacionam, para meios lineares, da seguinte maneira [22]:
D + P = E,
= 0 E (3.2)
= 0 H
B +M = H,

em que 0 e 0 so a permissividade eltrica e a permeabilidade magntica do vcuo;

e so a permissividade e a permeabilidade do meio, respectivamente. Em meios
isotrpicos estas so grandezas escalares. P e M
so a polarizao eltrica e a mag-
netizao, respectivamente.
Considerando um meio livre de cargas e correntes (J = 0 e = 0), pode-se escrever

CAPTULO 3. FUNDAMENTAO TERICA 16
as equaes para ondas eletromagnticas:

2E
E
2
= 0, (3.3)
t2

2B
2 B
= 0.
t2
Utilizando a soluo j bem conhecida para ondas planas, na forma:

(r, t) = ei(wtkr) e, (3.4)
com a relao de disperso sendo:

k = k = . (3.5)
A velocidade de fase da onda ento:
1
v= = . (3.6)
k
No vcuo,
1
vvcuo = c = = . (3.7)
k 0 0
Logo, a relao
c
v= , (3.8)
n
leva ao ndice de refrao:

n = c . (3.9)
Desta forma, as equaes (3.3) so escritas como:
2
n2 E
E 2 2 = 0,
2
(3.10)
c t

2 2B
n
2 B = 0.
c2 t2
Introduzindo os escalares E(r) e H(r), usando as relaes:
r, t) = E(r, t)e1 ,
E( (3.11)
r, t) = H(r, t)e2 ,
H(
onde e1 e e2 so vetores unitrios na direo dos campos. Para uma onda plana
monocromtica de frequncia
E(r, t) = E(r)eiwt , (3.12)
possvel eliminar a dependncia no tempo das equaes (3.3) e ainda simplific-las

em equaes escalares. Assim tem-se as Equaes de Helmholtz:
n2 (r) 2
2 E(r) + E(r) = 0, (3.13)
c2
n2 (r) 2
B(r) + 2 B(r) = 0,
2
c
em que n o ndice de refrao do meio que carrega uma dependncia espacial.

Usando o vetor de onda k na forma:
n(r)
k= , (3.14)
c
as equaes (3.13) podem ser reescritas como
2 E(r) + k 2 E(r) = 0, (3.15)

2 B(r) + k 2 B(r) = 0.
Estas equaes descrevem a distribuio espacial dos campos eltrico e magn-

tico quando uma onda eletromagntica com frequncia w se propaga em um meio
com ndice de refrao n(r).
3.2 Isomorfismo entre a Equao de Schrdinger e a

Equao de Helmholtz.
Na Mecnica Quntica, o estado de uma partcula, ou um sistema de partculas,
descrito por uma funo de onda , tal que ||2 e a densidade de probabilidade e d
a probabilidade de encontrar a partcula (ou o sistema de partculas) em uma regio
do espao entre r e r + dr [23]. Para conhecer preciso resolver a Equao de
Schrdinger que, j eliminada a dependncia temporal, assume a forma:
2 (r) + k 2 (r) = 0, (3.16)

(3.17)
com
2m(E Vo )
k2 = . (3.18)
}2
As equaes (3.15) e (3.16) so ditas isomorfas e embora possuam significados

fsicos distintos elas apresentam as mesmas solues matemticas. Comparando as
expresses (3.14) e (3.18), obtem-se a relao:
n(r) 1
= 2m[E V (r)] (3.19)
c ~
o que significa que os problemas de propagao de ondas eletromagnticas em meios
cujo ndice de refrao variam espacialmente so resolvidos de maneira anloga aos
problemas em Mecnica Quntica de uma partcula sujeita a um potencial. Em outras
palavras, a Equao de Maxwell resolvida como uma equao de autovalor. A figura
3.1 mostra esta analogia.
Figura 3.1: Arranjo peridico de um CF 1D (acima) comparado com potenciais qunticos

(abaixo). As reas escuras correspondem ao ndice de refrao n1 e as reas claras ao n2 .
Imagem adaptada da referncia [1].
3.3 Teorema de Bloch

No cenrio da propagao de ondas eletromagnticas as propriedade pticas de
um meio peridico so descritas pelos tensores permissividade e permeabilidade [24].
Considerando um meio em que no h contribuio magntica, a periodicidade des-
crita pelo tensor que assume a forma:

(r) = (r + R). (3.20)
representa a periodicidade da estrutura. Tomando as propriedades dos

O vetor R
rotacionais e divergentes:
( E)
= ( E)
2 E,
(3.21)
e sabendo que em um meio livre de cargas e correntes,
E
=B
= 0, (3.22)
a equao (3.13) escrita como:
( E)
2 E
= 0. (3.23)
Tendo em vista que o meio peridico, possvel expandir em uma srie de

Fourier:

G eiGr ,

(r) = (3.24)
G
onde G percorre todos os vetores da rede recproca g , incluindo G

= 0. A rede rec-
R
proca destas estruturas definida a partir da relao: G = 2. No caso unidimen-
sional, com periodicidade em x e perodo , tem-se
= lg = l 2 x,
G l = 0, 1, 2, ... (3.25)

O campo eltrico neste meio peridico pode ser expresso, em geral, como uma
integral de Fourier.
= A(
E k)ekr d3 k. (3.26)
Substituindo (3.26) e (3.24) em (3.23)

3 k))ekr + 2
d kk (k A( kr = 0.
k G)e
d3 kG A( (3.27)
G
As exponenciais so iguais e se cancelam, logo, esta equao satisfeita apenas

quando os coeficientes das integrais so iguais a zero. Sendo assim, para todos os
valores de k, tem-se a equao central.

k (k A(
k)) + 2 k G)
G A( = 0. (3.28)
G
A soma feita sobre todos os vetores da rede recproca, ento a princpio esta
equao deveria ser resolvida para todos os valores de k, mas nota-se que apenas os
k G)
termos do tipo A( so acoplados, ento a equao pode ser resolvida separa-
damente em equaes que envolvem os termos A( K)
e A( K G)
para um dado vetor
K (chamado de vetor de onda de Bloch) e para todos os possveis vetores G. Para
cada K (tambem pertencente a rede recproca) a soluo para os campos tambm
K
escrita como uma srie de Fourier expandida para os coeficientes A( G)
[17]

=
E K
A( i(K
G)e G)
r
(3.29)
K
G

= eiKr iG
K G)e r
A(
G
eiKr E
(r),
= K
com

(r) =
E K
A( iG
G)e r
. (3.30)
K
G
tambm uma funo peridica tal que:

Desta forma, como eiKR = 1, E K
(r) = E
E (r + R).
(3.31)
K K
A equao (3.29) conhecida como o Teorema de Bloch e fornece um modo nor-

mal de propagao. A soluo mais geral em (3.26) uma superposio linear de
todos os modos normais.
No caso especfico unidimensional, a equao

(x) =
E K
A( il 2
lg)e ,
x
(3.32)
K
l
leva a:
E = EK (x)ei(kz z+ky y eiKx x . (3.33)
3.4 Mtodo da Matriz de Transferncia.

Uma vez entendendo as Equaes de Maxwell como equaes de autovalor, o pro-
blema da propagao de ondas eletromagnticas em meios com ndices de refrao
diferentes se torna um problema matricial [7, 17].
Para um sistema com mltiplas camadas,

n0 se x < x0

n1 se x0 < x < x1

n
2 se x1 < x < x2
n(x) =

...

nN se xN 1 < x < xN

n
s se xN < x
Figura 3.2: Desenho esquemtico de um meio peridico dieltrico.
tal que nl o ndice de refrao da camada l, xl a posio da interface entre as

camadas l e l + 1, ns o ndice de refrao do substrato e n0 o ndice de refrao do
meio incidente. A espessura dl das camadas est relacionada posio xl da forma
dl = xl xl1 . Considerando a soluo para um meio homogneo, na direo x como:
E = E(x)ei(tz) , (3.34)
em que a componente z do vetor de onda e a frequncia angular. A distribuio

E(x) escrita na forma:

ik0x (xx0 )

a0 e + b0 eik0x (xx0 ) se x < x0
E(x) = al eiklx (xxl ) + bl eiklx (xxl ) se xl1 < x < xl

aS eikSx (xxN ) + bS eikSx (xxN ) se xN < x
onde klx a componente x do vetor de onda que, para l = 0, 1, 2, ...N, s, e para um

dado ngulo de incidncia l , escrito como
w w
klx = [(nl )2 2 ]1/2 = nl cosl . (3.35)
c c
Nas equaes acima, al e bl representam a amplitudes das ondas planas na inter-

face x = xl . A partir da Lei de Faraday (3.1) e dos campos acima, obtem-se a seguinte
relao:
= i E.
H (3.36)

Na figura 3.3 v-se a propagao entre dois meios das ondas do tipo s, onde o
campo eltrico transverso ao plato de incidncia (transversais eltricas), e do tipo
p, onde o campo magntico transverso ao plano de incidncia (transversais mag-
nticas). Ento, aplicando as condies de contorno adequadas, a transimisso de
uma onda em uma interface entre dois meios dada pela matriz D, chamada Matriz
Figura 3.3: Propagao de ondas s e p por uma interface dieltrica. Os ndices i e r refpresen-
tam as ondas incidentes e refletidas. Figura adaptada da referncia [18].
Dinmica.
Impondo a continuidade dos campos Ey e Hz na interface entre as camadas l e
l + 1,
Els + Els = E(l+1)s + E(l+1)s

, (3.37)
(3.38)

l l+1
(Els Els )cosl =
(E(l+1)s E(l+1)s )cosl+1 ,
l l+1
a propagao para as ondas s escrita na forma matricial:

( ) ( )
Els E(l+1)s
Dl = Dl+1
(3.39)
Els E(l+1)s
onde ( )
1 1
Dl = . (3.40)
nl cosl nl cosl
Impondo a continuidade dos campos Ez e Hy na interface entre as camadas l e l+1,

Elp + Elp = E(l+1)p + E(l+1)p , (3.41)
(3.42)

l l+1
(Elp Elp )cosl = (E(l+1)p E(l+1)p )cosl+1 ,
l l+1
a propagao para as ondas p escrita na forma matricial:

( ) ( )
Elp E(l+1)p
Dl
= Dl+1
(3.43)
Elp E(l+1)p
onde ( )
cosl cosl
Dl = . (3.44)
nl nl
Escrevendo estas equaes, em funo dos coeficientes a e b do campo eltrico,
para uma multicamada
( ) ( )
a0 a
= D01 D1 1 , (3.45)
b0 b1
( ) ( )
a1 a1

= P1 ,
b1 b1
( ) ( )
al a
= Pl Dl1 Dl+1
l+1
.
bl bl+1
Sendo P a Matriz de Propagao, que descreve como as ondas se propagam den-

tro dos meios, da forma:
( )
eil 0
Pl = , (3.46)
0 eil
em que l = klx d a fase da onda. A matriz P exponencial devido a soluo das

ondas planas. Assim a relao entre as amplitudes dos campos incidentes a0 , b0 e as
amplitudes transmitidas as bs da forma:
( ) (N ) ( )
a0 as
= D01 Dl Pl Dl1 Ds , (3.47)
b0 l=1
bs
( ) ( )( )
a0 M11 M12 as
= ,
b0 M21 M22 bs
onde M a chamada Matriz de Transferncia que descreve a propagao da onda

eletromagntica da primeira ltima camada.
Para encontrar a Transmitncia (T) e a Reflectncia (R), necessrio simular estas
matrizes de transferncia para meios com ndices de refrao peridicos, e ento
obter, a partir destas, os coeficientes de transmisso (t) e de reflexo (r).
( ) ( )
b0 as
t= ; r= , (3.48)
a0 bs =0 a0 bs =0
(3.49)

1 M21

t=
; r= ,
M11 M11
e a partir da, obter T e R, que descrevem as probabilidades de transmisso e reflexo.
T = t2 ; R = r2 . (3.50)
Este mtodo utilizado nos clculos deste trabalho. O mtodo para se obter a
Matriz de Transferncia e os coeficientes de reflexo e transmisso para meios aniso-
trpicos est descrito no apndice C.
3.5 Estrutura de Bandas

Alguns dos conceitos fsicos usados na fsica do estado slido como vetor de onda
de Bloch, zonas de Brillouin [25] e bandas proibidas so tambm usados para a pro-
pagao de radiao eletromagntica em um meio peridico. Uma multicamada, por
exemplo, similar a uma estrutura cristalina em uma dimenso que invariante sobre
uma operao de translao. Ou seja,
n2 (x + ) = n2 (x). (3.51)
onde o perodo. De acordo com o teorema de Bloch,(3.29) e (3.33), as solues

para as equaes de onda (campos), para uma propagao na direo x, so
E(x, z) = EK (x)eiz eiKx , (3.52)
tal que EK (x) tem perodo , da forma:
EK (x + ) = EK (x), (3.53)
Figura 3.4: Desenho esquemtico de um meio peridico e as amplitudes associadas n-sima

clula unitria e suas vizinhanas. Imagem adaptada da referncia Yeh:1998.
sendo K o vetor de onda de Bloch. Para determinar K e EK (x) necessrio escrever

a equao para os campos, usando a condio peridica (3.53), na forma matricial:
( ) ( )
an a
= eiK
n1
, (3.54)
bn bn1
onde ( ) ( )( )
an1 A B an
= . (3.55)
bn1 C D bn
O que significa que o vetor coluna dos campos satisfaz a equao de autovalor:
( )( ) ( )
A B an an
= eiK . (3.56)
C D bn bn
em que a matriz T = (A B, C D) a matriz de translao, com determinante igual a 1,

e tem como autovalor o fator de fase eiK dado por

[ ]2 1/2
1 1
eiK = (A + D) (A + D) 1 . (3.57)
2 2
Os autovetores correspondentes so
( ) ( )
a0 B
= , (3.58)
b0 eiK A
vezes uma constante arbitrria. A equao (3.57) da a relao de disperso entre ,

e K para a funo de onda de Bloch
[ ]
1 1
K(, ) = cos1 (A + D) . (3.59)
2

Se 21 (A + D) < 1, os valores de K so reais e a propagao das ondas de Bloch

permitida. Quando 12 (A + D) > 1, K = m/ + iKi e ento a onda evanescente.

Esta a chamada banda proibida. O limite das bandas quando 12 (A + D) = 1, este
limite coincide com as Zonas de Brillouin.
De acordo com as equaes (3.52) e (3.56), e de posse dos coeficientes a0 e b0 , a
soluo completa para as ondas de Bloch para a camada n1 da n-sima clula unitria
dada por:
EK (x)eiKx = [(a0 eik1x (xn) + b0 eik1x (xn) )eiK(xn) ]eiKx , (3.60)
com a0 e b0 fornecidos pela equao (3.58).

Para o caso especfico da incidncia normal ( = 0) a relao de disperso entre
e K, obtida a partir dos coeficientes A, B, C e D provenientes da soluo da equao
de autovalor, escrita como:
( )
1 n1 n2
cosK = cosk1 d1 cosk2 d2 + senk1 d1 senk2 d2 , (3.61)
2 n2 n1
em que k1 = (/c)n1 e k2 = (/c)n2 . O primeiro gap ocorre em Re(K) = / (Primeira

Zona de Brillouin), ento:
K = ix. (3.62)
3.6 Espelhos de Bragg

Os espelhos de Bragg so os exemplos mais comuns de cristais fotnicos em uma
dimenso [26]. Estes espelhos so construdos alternando as camadas com dois
materiais semicondutores ou dieltricos com ndices de refrao distintos. Neste tra-
balho, so utilizados os espelhos do tipo quarto de onda (Quarter Wave Stack) que
so estruturas com camadas peridicas cujo espaamento ptico (ou seja, a espes-
sura de cada camada vezes o seu ndice de refrao) corresponde a um quarto do
comprimento de onda da onda eletromagntica incidente. O quarto de onda um
caso especial, em que as camadas de revestimento tem uma espessura ptica igual a
um quarto do comprimento de onda no qual se deseja mxima refletividade [4].
o
d= . (3.63)
4n(r)
Esta construo permite produzir espelhos com alta refletividade, sendo esta pro-
porcional ao nmero de pares de camadas peridicos e diferna entre os ndices
de refrao das camadas. Isto ocorre pois as reflexes de cada camada interferem
construtivamente para este comprimento de onda especfico.
Se 0 a frequncia do centro da banda proibida, tal que:

k1 a = k2 b = . (3.64)
2
A partir da condio do quarto de onda, nesta frequncia, a equao de disperso

(3.61) se torna: ( )
1 n1 n2
cosK = + . (3.65)
2 n2 n1
Tal fenmeno tem proporcionado maior funcionalidade de dispositivos fotnicos,

por exemplo, em aceleradores de eltrons, filtros polarizadores, sensores pticos, e
na propagao de slitons.
Com este tpico se encerra o captulo sobre a fundamentao terica. Nos prxi-
mos dois captulos esto apresentados os resultados obtidos para os CF simulados
com e sem defeito.
28
Captulo 4
Simulao de Cristais Fotnicos Sem

Defeito
4.1 A Banda Proibida

O objetivo deste tpico estudar o CF do tipo espelho de Bragg constituido de
camadas alternadas de derivados do GaAs (Arseneto de Glio) e do Alx Ga1x As (Ar-
seneto de Glio Alumnio) [4, 27, 28]. A escolha destes materias devido sua grande
aplicao em ptica de semicondutores, alm, claro, do grande nmero de dados
experimentais disponveis na literatura. As espessuras das camadas do CF so esco-
o
lhidas de forma que d = 4n( r)
, em que o o comprimento de onda em que se deseja
alta refletividade. J o substrato utilizado para as simulaes foi o GaAs que, para
um comprimento de onda fixo de 800 nm, tem ndice de refrao n = 3.67. Os deta-
lhes sobre o cdigo computacional usado para todas os clculos neste e no proximo
captulo esto descritos no apndice A.
Uma importante propriedade destes cristais o aparecimento de uma regio de
comprimentos de onda onde no h transmisso da luz que se propaga atravs do
meio. Para exemplificar, considere uma estrutura constituda de apenas uma camada,
ou seja, o cristal construdo com um material com ndice de refrao constante. A fi-
gura 4.1 mostra o comportamento da reflectncia em funo do comprimento de onda
incidente para dois tipos de estruturas. Uma com uma monocamada de Al0.3 Ga0.7 As
(Arseneto de Glio Alumnio-30%) e a outra com uma monocamada de Al0.2 Ga0.8 As
(Arseneto de Glio Alumnio-20%). Como pode se observar, a Reflectncia se com-
porta periodicamente alternando entre mximos e mnimos de reflexo sendo que
nenhuma regio proibida propagao da onda para os dois casos.
No entanto, se for incluida uma periodicidade entre os pares de camadas, ou seja,
construindo a estrutura com camadas alternadas de AlAs e Alx Ga1x As (com x= 20 e
30%), o que se observa uma estrutura completamente diferente para a Reflectncia.
CAPTULO 4. SIMULAO DE CRISTAIS FOTNICOS SEM DEFEITO 29
Agora surge uma regio proibida propagao da luz (o Band Gap) onde a reflec-
tncia mxima e a transmisso mnima como pode ser visto na figura 4.2, onde
(a) o CF com a camada de Alx Ga1x As com 20% de Al e (b) com 30%. A regio
de mxima reflectncia ocorre para um dado comprimento de onda onde as ondas
refletidas nas camadas se interferem construtivamente. O comprimento de onda onde
h ressonncia no CF estudado o = 800 nm.
Figura 4.1: Reflectncia simulada para dois filmes sem periodicidade. Em vermelho tem-se a
reflectncia para o Al0.2 Ga0.8 As e em preto para o Al0.3 Ga0.7 As.
Como possvel ver na figura 4.2, a eficincia dos espelhos est diretamente ligada
ao valor da reflectncia, ento quanto maior o espelho, mais eficiente ele . Fica claro
ento que para 5 e 10 pares os espelhos no apresentam reflectncia mxima (100%)
e por este motivo no so to eficientes quanto o espelho com 20 pares.
Figura 4.2: Reflectncia simulada para um filme com 5, 10 e 20 pares de repetio, com
ndices de refrao (a) n1 = 3.01 (camadas de AlAs) e n2 = 3.57 (camadas de Al0.2 Ga0.8 As) e
(b) n1 = 3.01 (camadas de AlAs) e n2 = 3.45 (camadas de Al0.3 Ga0.7 As). O comprimento de
onda da ressonncia o = 800 nm. Os grficos inseridos mostram a transmitncia para as
mesmas estruturas.
Figura 4.3: Largura de linha da banda proibida em funo do nmero de pares peridicos.
De acordo com a figura 4.3 quanto maior o tamanho dos espelhos, ou seja, quanto
maior o nmero de pares, menor ser a largura de linha da banda proibda. impor-
tante ressaltar que a variao de ndices de refrao que ocorre de uma estrutura para
a outra tambm influencia na largura da banda proibida: quanto maior a diferena de
ndice de refrao, maior a largura da banda (neste caso a diferena n = 0.56 para
o cristal de AlAs e Al0.3 Ga0.7 As com 20% de Al e n = 0.44 para o cristal com 30% de
Al). A largura de linha aqui definida como a largura da banda proibida a meia altura.
Com o intuito de entender melhor como se comporta as bandas de reflexo realizou-
se um estudo sobre as estruturas de bandas, mostrado abaixo, onde nota-se que a
zona proibida sempre ocorre para o valor de K ( o perodo de repetio d1+d2)
igual a (1 Zona de Brillouin) conforme a equao (3.62). Para simular estas curvas
utilizou-se a expresso (3.61).
Nos dois casos a estrutura de bandas dos CF foi comparada com a reflectncia
simulada em relao frequncia angular. possvel ver na figura 4.4 que os pi-
cos onde a reflectncia mxima aparecem justamente na posio dos Band Gaps.
Nenhum efeito de disperso foi includo nestes clculos.
Figura 4.4: Estrutura de bandas para o CF construido com 20 pares alternados de (a) AlAs e
Al0.2 Ga0.8 As e de (b) AlAs e Al0.3 Ga0.7 As.
4.2 Disperso
Os resultados at este ponto foram simulados utilizando, como ndices de refrao
fixos, seus respectivos valores no centro da banda proibida. No entando, os efeitos de
disperso, ou seja, a variao destes ndices com o comprimento de onda incidente,
em muitos casos no podem ser neglicenciados. Para obter as curvas de disperso de
cada camada foram utilizados os dados experimentais que constam nas referncias
[29, 30] que foram interpolados com o auxlio das frmulas de disperso citadas em
2 D2
[31]. Escolheu-se especificamente a equao da forma n2 = A+ B 2 C + 2 E (chamada
de Sellmeier 2 na referncia [31]). Esta equao foi escolhida pois a curva reproduzida
por ela se aproximou bastante dos dados experimentais na faixa de comprimentos de
onda que ela foi utilizada, como possvel ver na figura 4.5.
Figura 4.5: Leis de disperso para GaAs, Al0.2 Ga0.8 As, Al0.3 Ga0.7 As e AlAs. Os simbolos
representam os dados experimentais e as linhas a interpolao.
As mesmas condies anteriores foram reproduzidas, entretanto a partir das cur-

vas de disperso pode-se obter novos resultados. A disperso para o substrato foi
negligenciada, pois apenas influencia no comportamento das regies externas zona
de mxima reflexo e nada interfere na banda proibda.
Vale lembrar que a interpolao feita na figura 4.5 leva em conta apenas os ndices
de refrao para comprimentos de onda acima de 600 nm, pois abaixo disto h um
pico nas curvas de disperso dos materiais utilizados indicando alta absoro. Sendo
assim a equao citada no vale nesta regio.
Nas figuras 4.6 e 4.7 se observa que quando so levados em conta os efeitos de
disperso, a largura da banda proibida diminui. Sem disperso as larguras eram, para
5, 10 e 20 pares: 177, 131 e 106 nm para os filmes com camadas de Al0.2 Ga0.8 As e
159, 114 e 90 nm para os filmes com camadas de Al0.3 Ga0.7 As, respectivamente. Os
valores incluindo a disperso so, para 5, 10 e 20 pares de repetio, nesta ordem:
140, 102 e 83 nm para os filmes com camadas de Al0.2 Ga0.8 As e 131, 93 e 75 nm para
os filmes com camadas de Al0.3 Ga0.7 As, respectivamente. Contudo, ainda vale que
quanto maior a diferena de ndice de refrao, maior a largura da banda e quanto
maior o tamanho dos espelhos, ou seja, quanto maior o nmero de pares, menor
a banda proibda e maior a reflectncia, e desta forma mais efetivo o espelho.
Se o nmero de pares continuasse aumentando a largura de linha cada vez mais se
estreitaria.
A estrutura de bandas apresentada na figura 4.8 no mais apresenta concordncia
de todos os picos de refrao com os Band Gaps. Isto devido ao fato de que antes
os ndices de refrao eram constantes, mas agora abaixo dos 600 nm a frmula
de disperso usada para interpolar as curvas no representa o ndice de refrao real
dos materiais, sendo assim apenas a primeira banda pode ser entendida como correta
(lembrando que = 2c
).
Figura 4.6: Reflectncia simulada com disperso para um filme com 5, 10 e 20 pares de
repetio de (a) AlAs e Al0.2 Ga0.8 As; (b) AlAs e Al0.3 Ga0.7 As. As espessuras das camadas
foram definidas com relao aos ndices de refrao em o = 800 nm.
Figura 4.7: Largura de linha da banda proibida em funo do nmero de pares peridicos
incluidos os efeitos de disperso.
Realizou-se tambem a simulao das amplitudes quadradas dos campos eltricos

(para o comprimento de onda = 800 nm) conforme a onda penetra nos CF. Na figura
4.9 fica claro que os campos continuam com uma forma de onda dentro dos filmes,
entretanto esta onda decai rapidamente conforme caminha pelas camadas sendo pra-
ticamente zero pouco depois da metade do percurso. No caso do CF com camadas
de AlAs e Al0.2 Ga0.8 As o campo cai a valores prximos de zero perto da 25 camada,
enquanto que para o CF com camadas de AlAs e Al0.3 Ga0.7 As, o campo pratica-
mente desprezvel a partir da 30 camada. Isto ocorre devido alta reflectncia neste
comprimento de onda, onde para o espelho com 20 pares de repetio foi mostrado
que a reflectncia mxima neste caso, portanto as ondas so totalmente refletidas
pelo espelho.
Figura 4.8: Estrutura de bandas, simulada com disperso, para o CF construido com 20 pares
alternados de (a) AlAs e Al0.2 Ga0.8 As e de (b) AlAs e Al0.3 Ga0.7 As.
Figura 4.9: Amplitude quadrada normalizada do campo eltrico simulada para um CF com 20
pares de repetio de (a) AlAs e Al0.2 Ga0.8 As e de (b) AlAs e Al0.3 Ga0.7 As. As linhas pretas
refresentam as posies das interfaces entre os dois materiais.
39
Captulo 5
Simulao de Cristais Fotnicos Com

Defeito
5.1 Microcavidades
No captulo anterior foi descrito o Band Gap que aparece quando uma multicamada
peculiar construida obedecendo uma periodicidade com as espessuras determina-
das pela condio do quarto de onda. Neste captulo so estudados os efeitos sobre
esta mesma estrutura quando introduzido um defeito especfico em uma das cama-
das, quebrando assim sua periodicidade. Estes defeitos so chamados de cavidades
ressonantes.
A incluso de um defeito no CF faz surgir um pico de transmisso bem no centro
da banda onde a reflectncia mxima. Este pico est associado ao confinamento
dos ftons dentro da cavidade. A cavidade ento compe uma regio espaadora
entre dois espelhos de alta refletividade. O defeito deve ser feito de um material, ou de
espessura, diferente dos que constituem o CF, podendo ser apenas uma camada de ar.
De forma a aumentar o confinamento das ondas eletromagnticas nesta cavidade, o
produto da espessura pelo ndice de refao deve ser um mltiplo inteiro de um quarto
o
do comprimento de onda, d = m 4n( r)
, ou melhor, a espessura deve ser a mesma de um
dos modos de ressonncia do comprimento de onda que se deseja a alta reflectncia
dos espelhos.
A figura 5.1 mostra Cristais Fotnicos contitudos de 5, 10 e 20 pares de repetio
de AlAs e Al0.2 Ga0.8 As. O defeito citado acima a troca de uma camada de AlAs
por outra de Al0.3 Ga0.7 As ou de Ar, neste caso so trocadas as 5, 11 e 21 cama-
o
das, respectivamente. A espessura utilizada para o defeito foi de d = 2n( r)
, onde o
comprimento de onda central da ressonncia o = 800 nm.
CAPTULO 5. SIMULAO DE CRISTAIS FOTNICOS COM DEFEITO 40
Figura 5.1: Transmitncia simulada para um filme com 5, 10 e 20 pares de repetio com a in-
cluso de um defeito do tipo (a) Al0.3 Ga0.7 As e (b) Ar. O comprimento de onda da ressonncia
o = 800 nm.
Como se pode observar na figura 5.1, o defeito, alm de proporcionar efeitos de

confinamento, tambm pode ser utilizado para selecionar comprimentos de onda.
Como surge um pico de transmisso bem no centro da banda proibda, o CF deixa
apenas serem transmitidos os comprimentos de onda na faixa deste, enquanto as
ondas com outros comprimentos de onda dentro da banda so refletidas. Desta ma-
neira, quanto mais fino for o pico, mais precisa ser a seleo (este efeito chamado
de finesse). Isto determina sua qualidade.
A figura 5.2 descreve bem como o aumento de qualidade do pico de transmis-
so conforme o acrscimo no nmero de pares de repetio, e consequentemente no
tamanho dos espelhos. Ocorre que aumentando o tamanho dos espelhos, o confina-
mento dentro do defeito se torna mais eficiente. A diferena de ndices de refrao
tambm contribui para este fator: a largura de linha claramente diminui quando a ca-
mada espaadora feita de ar, ou seja, quanto maior a diferena de ndice de refrao
do defeito para as camadas, maior ser a qualidade o pico de transmisso.
Figura 5.2: Largura de linha do pico de transmisso em funo do nmero de pares peridicos
para o defeito como Al0.3 Ga0.7 As e Ar.
A figura 5.3 mostra a reflectncia do CF constituido de dois espelhos de Bragg de

AlAs e Al0.2 Ga0.8 As, com 22 e 26 pares, separados por um espaador de Al0.3 Ga0.7 As,
em comparao com o dado experimental [4]. A simulao utilizou os mesmos par-
metros dos dados experimentais, sendo que o comprimento de onda da ressonncia
804.5 nm. Como pode se observar ocorre um pico inverso no centro da banda proibda
cuja posio concorda com o dado experimental. Este pico representa o confinamento
das ondas eletromagnticas para este comprimento de onda, que na simulao tem
uma largura de linha muito pequena, enquanto que no dado experimental um pouco
maior. De acordo com a referncia isto devido as perdas que ocorrem na cavidade
e que no sao includas no clculo computacional. Alm disto o tamanho da banda
proibida na simulao se aproxima do valor experimental.
Figura 5.3: Em vermelho a curva de reflectncia experimental para um CF de AlAs e

Al0.2 Ga0.8 As retirada de [4]. Em azul a reflectncia calculada teoricamente. O comprimento
de onda da ressonncia o = 804.5 nm. O espelho inferior possui 26 pares e o superior 22
pares.
Outro ponto interessante est no efeito que a variao do ngulo de incidncia

provoca na banda de reflexo e no pico de transmisso. O grfico 5.4 mostra como
fica a transmitncia para o CF discutido at aqui com diferentes ngulos de incidncia.
Fica claro que o efeito ocasionado pelo ngulo deslocar tanto o pico quando a banda
proibida para a esquerda. Alm disto a intensidade da onda transmitida diminui para
ngulos maiores, indicando que os dois espelhos ficam cada vez mais refletivos, ate
que em 89 a transmitncia praticamente zero para toda a regio de comprimentos
de onda, pois este ngulo est bem prximo do ngulo de reflectncia total (90).
Figura 5.4: Transmitncia simulada para um filme com 20 pares de repetio com a incluso
de um defeito de Al0.3 Ga0.7 As e com a variao do ngulo de incidncia. O comprimento de
onda da ressonncia o = 800 nm.
A simulao em 5.5 mostra as amplitudes quadradas dos campos eltricos (para o

comprimento de onda = 800 nm) conforme a onda penetra nos CF. Como no captulo
anterior, os campos continuam com uma forma de onda dentro dos filmes, entretanto
a amplitude da onda decai conforme esta caminha pelas camadas. Contudo, h um
resultado novo neste estudo: os campos so confinados dentro do defeito e isto pode
ser observado pela forma da onda neste ponto, que devido escolha da espessura
o
desta camada representa o segundo modo normal de ressonncia d = 2n( r)
. Este
efeito de confinamento contribui para a amplificao das ondas eletromagnticas den-
tro da cavidade.
Figura 5.5: Amplitude quadrada normalizada do campo eltrico simulada para um CF com 5
pares de repetio com a incluso de um defeito do tipo (a) Al0.3 Ga0.7 As e (b) Ar na 5 camada.
O comprimento de onda da ressonncia o = 800 nm. As linhas pretas representam as
posies das interfaces entre as camadas.
5.2 Incluso de Dois Defeitos

Neste topico mostrado o que acontece quando ao invs de um, dois efeitos so
includos no CF. A primeira suposio antes mesmo de fazer os clculos que devem
aparecer agora dois picos de transmisso na banda proibda, e esta suposio se
confirma. O interessante ento ver como se comportam estes dois picos e se eles
podem estar correlacionados de alguma maneira. A anlise feita aqui, entretanto,
bastante superficial e esta monografia j se estendeu mais do que o previsto, logo a
discusso com mais detalhes fica para prximos trabalhos.
Atendo-se ao que foi feito, a figura 5.6 mostra um CF simulado com dois defeitos,
sendo o primeiro uma camada de ar e o segundo uma camada de Al0.3 Ga0.7 As. V-se
que o acoplamento entre os dois picos de transmimisso est diretamente relacionado
com a distncia entre eles, chegando a um ponto extremo onde eles se sobrepe
formando apenas um pico. Isto ocorre pois, como visto no captulo anterior, os campos
eltricos se tornam praticamente zero perto da 30 camada, logo a onda refletida
antes de chegar ao segundo defeito. Futuramente pretende-se estudar com detalhes
estes acoplamentos e a probabilidade de um fton iniciamente confinado em uma das
cavidades transitar entre as duas cavidades.
Figura 5.6: Transmitncia simulada para um CF do tipo com 20 pares de repetio de AlAs e
Al0.2 Ga0.8 As. O comprimento de onda da ressonncia de o = 800 nm e os defeito incluidos
so uma camada de ar e uma de Al0.3 Ga0.7 As, sendo suas posies especificadas acima.
46
Captulo 6
Concluses e Perspectivas
Nesta monografia foi descrita uma metodologia terica para o estudo de Cristais
Fotnicos unidimensionais constitudos de espelhos de Bragg do tipo quarto de onda.
O mtodo conhecido como da Matriz de Transferncia forneceu os dados necess-
rios para estudar o comportamento destes cristais por meio da propagao de ondas
eletromagnticas.
Os resultados obtidos foram as Reflectncias e Transmitncias, bem como a an-
lise da estrutura de bandas e do comportamento dos campos dentro dos CF. Ficou
bem entendido que este tipo de estrutura tem propriedades de um espelho de alta
reflectncia para a regio de comprimentos de onda prxima do visvel, que justa-
mente onde h uma banda proibida propagao da luz. Os grficos das amplitudes
dos campos eltricos mostraram que estes campos tem um comportamento oscilatrio
e ao mesmo tempo decrescente dentro dos CF.
Outro estudo interessante foi sobre os efeitos da incluso de um defeito para que-
brar a periodicidade dos CF. As consequncias disto foram o aparecimento de um
pico de transmisso no centro da banda proibida. Realizou-se uma anlise qualitativa
sobre o fator de qualidade destes picos. Tambm foi feita uma comparao com um
dado experimental para comprovar a validade das simulaes computacionais. Por
ltimo foi observado o confinamento dos campos eltricos dentro do defeito como um
dos modos de ressonncia do comprimento de onda central do Band Gap.
Para trabalhos futuros pretende-se continuar com estes estudos. Um dos pontos de
interesse estudar a propagao das ondas eletromagnticas em meios anisotrpicos
utilizando as Matrizes de Transferncia, cuja metodologia discutida no apndice C.
Contudo, o principal tpico de interesse a investigao dos acoplamentos entre os
dois picos de transmisso quando so introduzidos dois defeitos aos CF.
A fotnica uma rea de destaque das cincias no momento, as perspectivas
nesta rea so muitas e espera-se que deem banteante frutos em um futuro prximo
pois ainda h muito o que desenvolver no estudo dos Cristais Fotnicos.
47
Referncias Bibliogrficas
[1] GAPONENKO, S. V. Introduction to Nanophotonics. Nova Iorque: Cambridge

University Press, 2010.
[2] JOANNOPOULOS, J. D.; JOHNSON, S. G.; WINN, J. N.; MEADE, R. D. Photonic

Crystals: Molding the Flow of Light. 2.ed. Princeton: Princeton University Press,
2008.
[3] ASCHCROFT, N. W.; MERMIN, N. D. Fsica do Estado Slido. So Paulo: Cen-

gage Learning, 2011.
[4] COTTA, E. Estudos de Efeitos Eletrodinmicos Numa Microcavidade Semi-

condutora com um Poo Quntico de GaAs. 2004. Dissertao (Mestrado em
Fsica) - Universidade Federal de Minas Gerais, Belo Horizonte, 2004.
[5] NASCIMENTO, V. P. Estudo das Interfaces Nas Multicamadas NiFe/FeMn/NiFe

Nanocristalinas. 2005. Tese (Doutorado em Fsica) - Centro Brasileiro de Pesqui-
sas Fsicas, Rio de Janeiro, 2005.
[6] JOHNSON, S. G. Photonic Crystals: Periodic Surprises in Electromagnetism. Dis-

ponvel em: <http://ab-initio.mit.edu/photons/3d-crystal.html>. Acesso em: 31 de
Outubro de 2012.
[7] YEH, P. Optical Waves in Layered Media. Nova Iorque: John Wiley and Sons,
1998.
[8] VURSIK, P.; SAMBLES, J. Photonic structures in biology. Nature, v. 424, p. 852-
855. 2003.
[9] PARKER, A. R. 515 million years of structural color. J. Opt. A, v. 2, n. 6, p. 15-28.

2000.
[10] NIKOLAEV, V. A.; HARWOOD, D. M.; SAMSONOV, N. I. Early Cretaceous Dia-

toms. St-Petersburg: Nauka, 2001.
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS 48
[11] VOITOVICH, A. P. Spectral properties of films. In: B. Di Bartolo and O. Forte (eds.),
Advances in Spectroscopy for Lasers and Sensing. Dordrecht: Springer, 2006,
p. 351-353.
[12] TOLMACHEV, V. A.; GRANITSYNA, L. S.; VLASOVA, E.N.; VOLCHEK, V. Z.;

NASCHEKIN, A.V.; REMNYUK, A.D.; ASTROVA, E.V. One-dimensional photonic
crystal fabricated by means of vertical anisotropic etching of silicon. Semiconduc-
tors, v. 36, p. 998-1002. 2002.
[13] MASUDA, H.; YAMADA, H.; SATOH, M.; ASOH, H. Highly ordered nanochannel-
array architecture in anodic alumina. Appl. Phys. Lett., v. 71, p. 2770-2772. 1997.
[14] BIRNER, A.; WEHRSPOHN,R. B.; GSELE, U. M.; BUSCH, K. Silicon-based

photonic crystals. Adv. Mater., v. 13, p. 377-382. 2001.
[15] GARCIA-SANTAMARIA, F.; MIYAZAKI, H.T.; URQUA, A.; IBISATE, M.; BEL-
MONTE, M.; SHINYA, N.; MESEGUER , F.; LPEZ, C. Nanorobotic Manipulation
of Microspheres for On-Chip Diamond Architectures. Adv. Mater., v. 14, n. 16, p.
1144-1147. 2002.
[16] ALBUQUERQUE, N. M. Lincoln Log-like structure to improve infra-

red and optical communications, optical computers. Disponvel em:
<http://www.sandia.gov/media/photonic.htm>. Acesso em: 15 de Fevereiro
de 2013.
[17] YARIV, A.; YEH, P. Optical Waves in Crystals: Propagation and Control of
Laser Radiation. New York: John Wiley and Sons, 1984.
[18] ZAK, J.; MOGG, E.R.; LIU, C.; BADER, D. Magneto-optics of multilayers with
arbitrary magnetization directions. Physical Review B, v. 43, n. 8, p. 6423-6429.
1991.
[19] PASCHOTTA, R. Encyclopedia of Laser Physics and Technology. Berlin:

Wiley-VCH, 2008.
[20] MILLER, D. A. B. Are optical transistors the logical next step?. Nat. Photon, v. 4,
p. 3-5. 2010.
[21] HWANG, J.; POTOTSCHNIG, M.; LETTOW, R.; ZUMOFEN, G.; RENN, A.; GT-
ZINGER, S.; SANDOGHDAR, V. A single-molecule optical transistor. Nature, v.
460, p. 76-80. 2009.
[22] GRIFFITHS, D. J. Introduction to Electrodynamics. 3. ed. Nova Jersey: Pren-

tice Hall, Inc., 1999.
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS 49
[23] COHEN-TANNOUDJI, C.; DIU, B.; LALE, F. Quantum Mechanics. Nova Iorque:
John Wiley and Sons, 1991. v. 1.
[24] DA SILVA, F. M. C. E. P. Cristais Fotnicos Unidimensionais com Materiais

DNG. Dissertao (Mestrado em Engenharia Electrotcnica e de Computadores) -
Instituto Superior Tcnico, Universidade Tcnica de Lisboa. Lisboa (2008).
[25] KITTEL, C. Introduction to Solid State Physics. Nova Iorque: John Wiley and
Sons, 2005.
[26] WEST,B. R.; HELMY, A. S. Properties of the quarter-wave Bragg reflection wave-
guide: theory. J. Opt. Soc. Am. B, v. 23, n. 6, p. 1207-1220. 2006.
[27] YEH, P.; YARIV, A.; CHO, A. Y. Appl. Phys. Lett. v. 32, p. 104-105. 1978.
[28] VAN DER ZIEL, J. P.; ILEGEMS, M. Appl. Optics v.14, n. 11, p. 2627-2630. 1975.
[29] SADAO, A. Properties of Aluminium Gallium Arsenide. Data Review, No. 7.

Londres: Inspec, 1993.
[30] Refractive Index Database. Disponvel em: <http://refractiveindex.info/>. Acesso

em: 5 de Novembro de 2012.
[31] Disponvel em: <http://www.sspectra.com/focus_index.html>. Acesso em: 09 de

Abril de 2013.
50
Apndice A
Programa Utilizado
Neste apndice so mostradas as linhas de comando do programa criado para si-

mular as estruturas neste trabalho.
As linhas abaixo representam o input do programa. O significado de cada termo

est especificado na linha.
N 1 =; (*ndice de refrao da camada 1 no comprimento de onda do centro da

banda de reflexo*)
N 2 =; (*ndice de refrao da camada 2 no comprimento de onda do centro da

banda de reflexo*)
no =; (*ndice de refrao do meio incidente*)
ns =; (*ndice de refrao do substrato*)
N p =; (*Nmeros de pares peridicos*)
N c =; (*Nmeros de camadas*)
o = Degree; (*ngulo de incidncia em graus*)
d1 =; (*Espessura da camada 1 em nm*)
d2 =; (*Espessura da camada 2 em nm*)
= d1 + d2; (*Perodo de repetio*)

APNDICE A. PROGRAMA UTILIZADO 51
i =; f =; (*Intervalo de comprimentos de onda em nm*)
m =; a = (f i)/m; (*Passo*)
( )
1 0
Id = ; (*Matriz Identidade*)
0 1
A = no Sin[o]; (*Parmetro utilizado no clculo da lei de Snell*)
partir deste termo as linhas so os clculos que o programa deve efetuar.
F or[l = 0, l m, l + +,
l = i + l a;
(*Para incluir a disperso deve-se acrescentar estas duas linhas*)
n1l =(*frmula da disperso para a camada 1*);
n2l = (*frmula da disperso para a camada 1*);
Ml = Id;
F or[j = 1, j N c, j + +, F ullSimplif y[j];
If [OddQ[j], nj,l = n1l ; dj = d1, nj,l = n2l ; dj = d2];
(*Para incluir um defeito deve-se adicionar esta linha ao programa*)
If [j =, nj =; dj = 2P i/(4.0 nj )];
(*Lei de Snell*)
j = ArcSin[A/nj ];
A = nj Sin[j ];
(*Vetor de onda*)
kj,l = Cos[j ] nj 2.0 P i/l ;
j,l = kj,l dj ;
f 1j,l = Exp[ij,l ];
f 2j,l = Exp[ij,l ];
(*Matriz de Propagao*)
( )
f 1j,l 0
Pj,l = ;
0 f 2j,l
(*Matriz Dinmica nas camadas*)

( )
1 1
j = ; (*Ondas s*)
nj Cos[j ] nj Cos[j ]
( )
Cos[j ] Cos[j ]
j = ; (*Ondas p*)
nj nj
(*Termo de iterao para a lei de Snell*)
= j ; = nj ; ]]
(*ngulo de refrao em radianos*)
s = ArcSin[ Sin[]/ns];
(*Matriz Dinmica incidente*)

( )
1 1
j = ; (*Ondas s*)
no Cos[o] no Cos[o]
( )
Cos[o] Cos[o]
j = ; (*Ondas p*)
no no
(*Matriz Dinmica do substrato*)

( )
1 1
; (*Ondas s*)
ns Cos[s] ns Cos[s]
( )
Cos[s] Cos[s]
j = ; (*Ondas p*)
ns ns
F or[l = 0, l m, l + +,
F or[j = 1, j N c, j + +,
o = Inverse[o];
s = Inverse[s];
j = Inverse[j ],
Xl,j = j Pl,j j ;
Ml = Xl,j Ml ;
(*Matriz de Transferncia*)
Ml = o Ml s;
(*Estrutura de Bandas*)
Kl = Re[ArcCos[Cos[1,l ] Cos[2,l ] Sen[1,l ] Sen[2,l ] ((n2/n1) + (n1/n2))/2]];
l = 2.0 P i/l ;
Kl = ArcCos[((n2/n1) + (n1/n2))/2];
o = l ;
(*Amplitude Inicial do Campo Eltrico*)
Jl = (M tl )(1/N p) ;
ao = Jl [[1, 2]];
bo = Exp[i Kl ] Jl [[1, 1]]; ]; ]]
F or[l = 0, l <= m, l + +,
(*Coeficiente de transmisso*)
tl = 1/(Abs[M tl [[1, 1]]]);
(*Coeficiente de reflexo*)
rl = (Abs[M tl [[2, 1]]])/(Abs[M tl [[1, 1]]]);
(*Transmitncia*)
Tl = [tl ]2 ((Cos[s] ns)/(Cos[o] no));
(*Reflectncia*)
Rl = rl2 ;
table = T able[{l , Tl }, {l, m}];
table2 = T able[{l , Rl}, {l, m}];

table3 = T able[{Kl , l }, {l, m}];
table4 = T able[{l , Tl }, {l, m}];
table5 = T able[{l , Rl}, {l, m}]; ]
b = ArcCos[((n2/n1) + (n1/n2))/2]/;
F or[j = 1, j <= N c, j + +,
j = Cos[j ] nj 2.0 o;
x0 = 0;
(*Posio das interfaces*)
j
xj = j=1 dj ;
p =; (*nmero de interaes*)
F or[u = 0, u <= p, u + +,
U = p (j 1) + u;
(*Intervalo entre as camadas *)
xi = xj1 ; xf = xj ;
(*Passo*)
b = (xf xi)/p;
zU = xj1 + b u;
(*Amplitude do Campo Eltrico*)
EU = (ao Exp[(I j (zU xj ))] + bo Exp[I j (zU xj ) Exp[I b (zU

xj )] Exp[I b zU ];
EU = Conjugate[EU ];
U = EU EU ;
table6 = T able[{zU , U }, {U, N c p}]; ]]
Os elementos table nas linhas do programa so as grades numricas que forne-

cem o output. Eles so a Transmitncia e Reflectncia em funo dos comprimentos
de onda e das frequncias angulares; o vetor de onda em funo da frequncia angu-
lar (estrutura de bandas) e o campo eltrico em funo do tamanho do filme.
Os comandos abaixo so utilizados para plotar os grficos referidos e exportar

suas respectivas grades numricas para um arquivo .dat.
ListPlot[table, PlotJoined -> True]

ListPlot[table2, PlotJoined -> True]
Export["quartodeondaT.dat", table, "Table"];

Export["quartodeondaR.dat", table2, "Table"];
Export["quartodeondabandas.dat", table3, "Table"];
Export["quartodeondacampos.dat", table6, "Table"];
57
Apndice B
Teorema de Bloch Quntico
Aqui ser apresentada a demonstrao do Teorema de Bloch para o cenrio qun-

tico. Primeiro necessrio definir o operador hamiltoniano H em mecnica quntica.
~2 2
H = + U (r), (B.1)
2m
sendo que sua aplicao dada por:
HK (r) = K K (r), (B.2)
significa que a funo de onda depende do vetor de onda.

onde o ndice K
Se o potencial U for peridico, de forma que
= U (r),
U (r + R) (B.3)
os autoestados deste problema so escolhidos como:

K (r) = eiKr UK (r), (B.4)
com
= U (r).
UK (r + R) (B.5)
K
chamado de vetor de onda de Bloch. Definindo o

Agora o vetor de onda K
operador translao
T K (r) = K (r + R),
(B.6)
APNDICE B. TEOREMA DE BLOCH QUNTICO 58
tal que:
T HK (r) = H(r + R)
(r + R)
K
(B.7)
= H(r) (r + R)
K

= HT K (r).
Encontra-se que os operadores H e T comutam,
[T , H] = 0, (B.8)
ou seja, eles possuem as mesmas autofunes. Desta forma:
T K (r) = K (r + R)
(B.9)
T T K (r) = K (r + 2R)

T N (r) = (r + N R).
K K

= NR
Se for definido um contorno L de forma que:
= (r),
K (r + L) (B.10)
K
e o operador translao atue como
T K (r) = CteK (r) (B.11)

T K (r) = CteN K (r).
Isso implicar em:
= (r + N R)
K (r + L) = (r) (B.12)
K K
K (r) = CteN K (r)

CteN = 1 = e2i .

Todavia, a condio de periodicidade diz que eiKR = e2i , o que leva a:

= eiKR (r).
K (r + R) K (B.13)
APNDICE B. TEOREMA DE BLOCH QUNTICO 59
Se a funo de onda escolhida em (B.4) implica em:
r+R)
= eiK(
K (r + R) UK (r + R) (B.14)
R iK

= eiK
(r + R)
K e r U (r)K
R
=e
K (r + R) iK
K (r).
As equaes (B.4) e (B.14) so iguais, ento a partir dai se afirma o Teorema de

de Bloch representa a simetria translacional de um meio peridico.
Bloch, onde o K
60
Apndice C
Meios Anisotrpicos
C.1 Tensor Dieltrico e Equao de Fresnel

No captulo 3 foi descrito o mtodo da matriz de transferncia para meios lineares
e isotrpicos, que teve como resultados os coeficientes de transmisso e reflexo
quando uma onda se propagava em um meio peridico. Aqui o objetivo chegar a
estes mesmo coeficientes, mas agora para um meio anisotrpico. Esta metodologia
est muito bem escrita nos livros [7] e [17].
Primeiro deve-se calcular o vetor descolamento para tais meios. Partindo da supo-
sio de um meio linear, tal que a polarizao dependa das componentes do campo
eltrico, a susceptibilidade eltrica neste caso escrita no como um escalar, porem
como um tensor. Desta forma obtem-se a relao entre os vetores P e E
Px = 0 (11 Ex + 12 Ey + 13 Ez ), (C.1)
Py = 0 (21 Ex + 22 Ey + 23 Ez ),
Pz = 0 (31 Ex + 32 Ey + 33 Ez ).
Usando a relao para meios lineares
D + P ,
= 0 E (C.2)
e escrevendo a permissividade do meio tambm como um tensor, chamado tensor

dieltrico:
ij = 0 (1 + ij ), (C.3)
obtem-se a relao entre as componentes do campo eltrico e as componentes do

APNDICE C. MEIOS ANISOTRPICOS 61
vetor deslocamento
Dx = (11 Ex + 12 Ey + 13 Ez ), (C.4)
Dy = (21 Ex + 22 Ey + 23 Ez ),
Dz = (31 Ex + 32 Ey + 33 Ez ).
A equao acima tambm pode ser escrita na notao indicial

i =
D j.
ij E (C.5)
j
Assumindo um meio homognio, no magntico e no absorvente, o tensor diel-

trico se torna real e simtrico
ij = ji , (C.6)
de forma que sempre possvel, a partir da escolha apropriada dos eixos, encon-
trar uma matriz de trs componentes diagonais ortogonais com os elementos fora da
diagonal iguais a zero:
2
x 0 0 nx 0 0

= 0 y 0 = 0 0 n2y 0 (C.7)
0 0 z 0 0 n2z
sendo nx , ny e nz os ndices de refrao em seus respectivos eixos.

Partindo da equao (3.23) obtida no captulo 3 na seo a respeito do Teorema
de Bloch:
( E)
2 E
= 0. (C.8)
Sabendo que para uma onda plana monocromtica de frequncia , os campos

eltrico e magntico so escritos na forma:
E( r)eiwtkr ,
r, t) = E( (C.9)
r)eiwtkr .
r, t) = H(
H(
E definindo o vetor de onda como:
k = ne, (C.10)
c
onde e o vetor unitrio na direo da propagao da onda. Obtem-se a equao de

autovalores para os autovetores E
k (k E)
+ 2 E
= 0, (C.11)
que escrita na forma matricial:
2
x ky2 kz2 kx ky kx kz Ex

ky kx 2 y kx2 kz2 ky kz Ey = 0, (C.12)
kz kx kz ky 2 z kx2 ky2 Ez
retorna os autovalores partir do determinante

2 x k 2 k 2 kx ky kx kz
y z

det ky kx y kx kz
2 2 2
ky kz = 0. (C.13)

kz kx kz ky 2 2 2
z kx ky
Onde a soluo fornece aEquao de Fresnel:
e2x e2y e2z 1

+ + = 2. (C.14)
n nx n ny n nz
2 2 2 2 2 2 n
Desta forma a matriz que representa os autovetores

kx
Ex k2 2 x

Ey = k2 y2 y
k
, (C.15)
kz
Ez k2 2 z
que pode ser escrita a partir dos ndices de refrao e das componentes do vetor e na
forma ex
Ex n2 n2x
ey
Ey =
n2 n2y . (C.16)
Ez ez
n2 n2z
C.2 Meios Girotrpicos e Efeito Faraday

Em alguns meios existe uma rotao ptica natural (mudana da direo da onda
linearmente polarizada passando atravz do meio), onde o tensor dieltrico que inclui
essa rotao no mais simtrico.
Para a propagao de uma onda plana em um meio homognio:
D E,
+ i0 G
= a E (C.17)
u vetor paralelo
onde a o tensor dieltrico do meio sem atividade ptica e G
direo de propagao, chamado vetor de rotao.
E
O produto G pode ser representado como um produto de E com um tensor
antisimtrico [G], onde seus elementos de matriz so:
[G]23 = [G]32 = Gx , (C.18)

[G]31 = [G]13 = Gy ,
[G]12 = [G]21 = Gz .
Desta maneira:
= (a E
D + ia0 [G])E,
(C.19)
Agora define-se um novo tensor dieltrico
+ i0 [G],
= a E (C.20)
que hermitiano, ou seja

ij = ji . (C.21)
Escrevendo o vetor G em funo do vetor unitrio da direo de propagao:
= Ge,
G (C.22)
a equao de Fresnel para este caso resulta em:
e2x e2y e2z 1 e2x n2x + e2y n2y + e2z n2z

+ + = G 2
. (C.23)
n2 n2x n2 n2y n2 n2z n2 n2 (n2 n2x )(n2 n2y )(n2 n2z )
Se n1 e n2 so as razes da equao para G=0, possvel reescrever a equao

de Fresnel como:
(n2 n21 )(n2 n22 ) = G2 (C.24)

n2 = n2 G, n1 = n2 = n.
Se G muito pequeno:
G
n = n . (C.25)
2n
O ngulo de rotao por unidade de comprimento definido como:
G
= (nl nr ) (C.26)

onde nl enr so os ndices de refrao para ondas circularmente polarizadas es-

querda e direita, respectivamente. Isto leva a
G
= (C.27)
n
Na presena de um campo magntico alguns materiais tambm apresentam ro-

tao ptica. Neste caso o efeito chamado de efeito Faraday. Aqui a rotao
proporcional componente do campo magntico ao longo da direo de propagao
da luz, on seja, o vetor rotao proporcional ao campo magntico externo, da forma:
= B,
G (C.28)
sendo o coeficiente de rotao magntica do meio. Sendo assim, o ngulo de rota-

o por unidade de comprimento

= B = V B, (C.29)
n
em que V a constante de Verdet. A equao para o vetor deslocamento ento;
= E
D E.
+ ia0 B (C.30)
C.3 Matriz de Transferncia

Desta vez utiliza-se um tensor dieltrico genrico

xx xy xz

= yx yy yz . (C.31)
zx zy zz
Sabendo que para uma onda plana monocromtica de frequncia , os campos

eltrico podem ser escritos na forma;
= E(z)e
E i(txy)
, (C.32)
em que a componente x, a componente y e j (l) a componente z do vetor

de onda e a frequncia angular. Definindo o vetor de onda como:
kj = x + y + j z, (C.33)
onde z o vetor unitrio na direo da propagao da onda. Obtem-se a equao de

autovalores para os autovetores E
k (k E)
+ 2 E
= 0, (C.34)
que escrita na forma matricial:
2
xx 2 2 2 xy + 2 xz + Ex

2 yx + 2 yy 2 2 2 yz + Ey = 0. (C.35)
2 zx + 2 zy + 2 zz 2 2 Ez
Utilizando o mesmo mtodo da seo anterior, onde para obter solues no trivi-
ais o determinante da matriz acima deve ser zero e dados os fatores e , encontram-
se quatro razes para a equao de j , onde j = 1,2,3,4.
A polarizao destas ondas dada por:

( 2 yy 2 j2 )( 2 zz 2 2 ) ( 2 yz + j )2

pj = Nj ( 2 yz + j )( 2 zx + j ) ( 2 xy + )( 2 zz 2 2 ) = 0,
( 2 xy + )( 2 yz + j ) ( 2 xz + j )( 2 yy 2 j2 )
(C.36)
onde Nj uma constante de normalizao.
Desta maneira a distribuio E(x) escrita como:

E(z) = Aj pj eij z . (C.37)
j
Agora assumindo que para um sistema com mltiplas camadas no magnticas o

tensor dieltrico dado por:

0 se z < z0

1 se z0 < z < z1

2 se z1 < z < z2
(z) =

...

N se zN 1 < z < zN

s se zN < z
tal que l a permissividade da camada l; zl a posio da interface entre as camadas

l e l + 1, s a permissividade do substrato e 0 a permissividade do meio incidente.
A espessura dl das camadas esto relacionadas posio zl da forma dl = zl zl1 .
O campo eltrico E(z) ento escrito na forma:

l =
E Aj,l pj,l ei[txyj,l (zzl )] , (C.38)
j
onde l = 0, 1, 2, ...N, s
A partir da Lei de Faraday (3.1) e dos campos acima obtem-se a seguinte relao
para os campos magnticos:

l =
H Aj,l qj,l ei[txyj,l (zzl )] , (C.39)
j
sendo
ckj,l
qj,l = pj,l . (C.40)

Nas equaes acima, Aj,l representam a amplitudes das ondas planas na interface
z = zl .
Ento, aplicando as condies de contorno adequadas:

Aj,l1 pj,l1 x = Aj,l pj,l xeij,l dl , (C.41)
j j

Aj,l1 pj,l1 y = Aj,l pj,l y eij,l dl ,
j j

Aj,l1 qj,l1 x = Aj,l qj,l xeij,l dl ,
j j

Aj,l1 qj,l1 y = Aj,l qj,l y eij,l dl .
j j
Estas equaes fornecem a transimisso de uma onda em uma interface entre

dois meios e podem ser reescritas como a matriz D, chamada Matriz Dinmica, que
mostrada abaixo:
x p1,l x p2,l x p3,l x p4,l

y q1,l y q2,l y q3,l y q4,l
Dl = . (C.42)

y p1,l y p2,l y p3,l y p4,l
x q1,l x q2,l x q3,l x q4,l
No caso de um tensor dieltrico diagonal, por exemplo, esta matriz escrita como:

1 0 1 0

0 cos 0 cos
Dl = ,
l l
0 (C.43)
n 0 n
nl cosl 0 nl cosl 0
sendo l = 0, 1, 2, ..., N, .... Escrevendo a propagao para uma multicamada:

A1,0 A1,0

A2,0
= D01 D1 A2,1 , (C.44)
A A
3,0 3,1
A4,0 A4,1

A1,1 A1,1

A2,1
= P1 A2,1 ,
A A
3,1 3,1

A4,1 A4,1

A1,l A1,l+1

A2,l A
= Pl D1 Dl+1 2,,l+1 .
A l A
3,l 3,,l+1
A4,l A4,,l+1
Onde a Matriz de Propagao da forma:

ei1,l 0 0 0

0 e i2,l
0 0
Pl =
0 i3,l
,
(C.45)
0 e 0
0 0 0 ei4,l
em que j,l = j,l dl a fase da onda. Assim a relao entre as amplitudes dos campos
incidentes Aj,0 e as amplitudes transmitidas Aj,s , da forma:

A1,0 (N ) A 1,s

A2,0 A2,s
= D01 1
Dl P l Dl Ds , (C.46)
A
3,0 l=1 3,s
A
A4,0 A4,s

A1,0 M11 M12 M13 M14 A1,s

A2,0 M21 M22 M23 M24 A2,s
=
A M A ,
3,0 31 M 32 M 33 M 34 3,s
A4,0 M41 M42 M43 M44 A4,s
onde M a chamada Matriz de Transferncia que descreve a propagao da onda

eletromagntica da primeira ltima camada.
Para encontrar os coeficientes de transmisso (t) e de reflexo (r) necessrio
simular estas matrizes de transferncia. Um mtodo para simplificar a obteno destes
coeficientes separar a matriz M em 4 outras matrizes T, V, R e S 2x2:

( )
T V
M . (C.47)
R S
Os coeficientes so definidos partir das amplitudes dos campos incidentes, refle-
(i) (i) (r) (r) (t)
tidos e transmitidos tanto para ondas s quanto para ondas p: Es , Ep , Es , Ep , Es ,
(t)
Ep . As amplitudes so escritas de forma que:
(i)
(t)
Es Es
(i) (t)
Ep Ep
(C.48)
E (r) = M 0 .
s
(r)
Ep 0
E os coeficientes de transmisso e reflexo so:
(r) (r) (t) (t)
Ep Es Es Ep
rps = (i)
, rss = (i)
, tss = (i)
, tps = (i)
, com Ep(i) = 0, (C.49)
Es Es Es Es
(t) (t) (r) (r)
Ep Es Ep Es
tpp = (i)
, tsp = (i)
, rpp = (i)
, rsp = (i)
, com Es(i) = 0.
Ep Ep Ep Ep
Assim pode-se obter estes coeficientes partir das matrizes T e R:

( )
tss tsp
= T 1 , (C.50)
tps tpp
( )
rss rsp
= RT 1 .
rps rpp
A escolha de simular matrizes 2x2 para encontrar estes coeficientes ao invs de

utilizar suas expresses diretas devida a simplificao de notao e de nmero de
clculos [18].

003 Hamilton Dias LeiteSellmeier PDF

Enviado por

Dados do documento

Título original

Direitos autorais

Formatos disponíveis

Compartilhar este documento

Compartilhar ou incorporar documento

Opções de compartilhamento

Você considera este documento útil?

Este conteúdo é inapropriado?

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

003 Hamilton Dias LeiteSellmeier PDF

Enviado por

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Universidade Federal do Esprito Santo

Centro de Cincias Exatas - CCE

Monografia de Final de Curso

Propagao da Luz em Meios

Autor: Hamilton Dias Leite

Orientadora: Profa. Dra. Denise da Costa Assafro de Lima

Hamilton Dias Leite

Propagao da Luz em Meios

Monografia apresentada ao Curso de

Orientadora: Profa . Dra . Denise

Hamilton Dias Leite

Propagao da Luz em Meios Peridicos

Monografia apresentada ao Curso de Fsica Bacharelado do Depar-

Aprovada em 29 de abril de 2013

Profa . Dra . Denise da Costa Assafro de Lima

Prof. Dr. Jorge Luis Gonzalez Alfonso

Prof. Dr. Valberto Pedruzzi Nascimento

Denise por ter me orientado, me aconselhado e me aturado neste trabalho, bem

Ao restante da minha famlia e aos meus professores at hoje.

"D-me uma alavanca e um ponto de apoio e eu moverei o mundo."

Este trabalho est dividido em duas partes. Na primeira o intuito construir um

Palavras Chaves: Cristais Fotnicos; Periodicidade; Banda Proibida.

Keywords: Photonic Crystals; Periodicity; Band Gap.

4 Simulao de Cristais Fotnicos Sem Defeito 28

5 Simulao de Cristais Fotnicos Com Defeito 39

B Teorema de Bloch Quntico 57

2.1 Exemplo de CF em uma, duas e trs dimenses. As cores diferen-

2.7 Estruturas bidimensionais fabricadas por litografia. (a) Configurao de

3.1 Arranjo peridico de um CF 1D (acima) comparado com potenciais qun-

4.1 Reflectncia simulada para dois filmes sem periodicidade. Em vermelho

4.2 Reflectncia simulada para um filme com 5, 10 e 20 pares de repe-

5.1 Transmitncia simulada para um filme com 5, 10 e 20 pares de repeti-

5.5 Amplitude quadrada do campo eltrico simulada para um CF com 5

a presena de uma banda proibida propagao, o Band-Gap. Nesta regio tanto a

coeficientes R e T. Alm disto, h uma anlise da incidncia em diferentes ngulos.

2.1 O que so Cristais Fotnicos

Entretanto, a cincia no e nica a produzir efeitos pticos interessantes. Muito

2.2 Cristais em 1, 2 e 3 Dimenses

2.2.1 CF em uma dimenso

2.2.2 CF em duas dimenses

eletroqumico e da superfcie do material os poros tem profundidade de alguns na-

Figura 2.6: CF com periodicidade em 2D. A estrutura formada por colunas de ar em um

2.2.3 CF em trs dimenses

Um dos processos de fabricao de CF em 3D primeiro empacotar esferas mi-

2.3.1 Guias de Onda

Alm dos fenmenos como reflexo e transmisso, um meio peridico tambm

2.3.2 Cavidades Ressonantes

2.3.3 Fibras de Cristais Fotnicos

elemento central para aplicao em lasers.

2.3.4 Transistores pticos

que os transistores pticos suplantem os transistores eletrnicos usados atualmente

3.1 Equaes de Maxwell e Equao de Helmholtz.

Estes campos se relacionam, para meios lineares, da seguinte maneira [22]:

em que 0 e 0 so a permissividade eltrica e a permeabilidade magntica do vcuo;

Considerando um meio livre de cargas e correntes (J = 0 e = 0), pode-se escrever

as equaes para ondas eletromagnticas:

Utilizando a soluo j bem conhecida para ondas planas, na forma:

com a relao de disperso sendo:

A velocidade de fase da onda ento:

leva ao ndice de refrao:

Desta forma, as equaes (3.3) so escritas como:

Introduzindo os escalares E(r) e H(r), usando as relaes:

E(r, t) = E(r)eiwt , (3.12)