Tunelamento Seqencial Ressonante em

Multi-Poos Qunticos sob Efeito de

Campo Magntico

Weber Hanry Morais e Feu

Orientador:
Prof. Dr. Paulo Srgio Soares Guimares

Dissertao apresentada Universidade Federal de Minas

Gerais como requisito parcial para a obteno do grau de
Mestre em Fsica.

Abril de 2003

Agradecimentos

Agradeo, primeiramente, a Deus e aos meus pais por terem me dado a vida,
mostrado o caminho e me auxiliado a trilh-lo. E, tambm, aos meus irmos, Wadam e
Lara, por conseguirem me suportar com pacincia.
Aos professores que com muita dedicao, pacincia e perseverana auxiliaram na
minha formao no tanto acadmica, mas tambm na formao de vida. Tenho uma
fraternal considerao aos meus primeiros professores que me ensinaram o gosto pelo
estudo.
Ao corpo tcnico/administrativo deste Departamento.
Aos meus amigos do Centro Cultural Mangabeiras, em especial ao romano
Hadrianus, Paulo Andery, Cludio Rigo, Antnio das Neves, Alberto e a muitos outros. A
amizade de vocs me manteve firme no meu grande propsito.
Aos amigos de curso pelas boas risadas e discusses que me ajudaram a encarar
essa tarefa com mais facilidade. E aos amigos de laboratrio, em especial ao Daniel, por
me ajudarem no desenvolvimento desse trabalho. No posso me esquecer do Marcelo
Telo que sempre me lembrou que estava na hora do almoo ao chegar no laboratrio
com sua clebre pergunta: E a, vamos almoar?.
minha querida Ariane. Seu amor e carinho foram fundamentais nos momentos de
alegria e de tristeza, de trabalho e de descanso.
Agradeo tambm Fundao de Amparo Pesquisa do Estado de Minas Gerais
(FAPEMIG) pelo suporte financeiro durante esse mestrado e tambm ao Conselho
Nacional de Desenvolvimento Cientfico e Tecnolgico (CNPq) e Coordenao de
Aperfeioamento de Pessoal de Nvel Superior (CAPES) por manterem os laboratrios que
utilizei.
Por fim, agradeo imensamente ao meu orientador Paulo Srgio Soares Guimares,
que desde o incio do curso tem me ajudado no s em questes acadmicas, mas tem se
mostrado um grande amigo com quem posso contar em todas as horas.

Para ser grande, s inteiro: nada

Teu exagera ou exclui.
S todo em cada coisa. Pe quanto s
No mnimo que fazes.
Assim em cada lago a lua toda
Brilha, porque alta vive.

Ricardo Reis (1933)

Dedico esse trabalho aos meus pais,

Almeida e Conceio.

Resumo

Neste trabalho, apresentamos uma investigao experimental de tunelamento

seqencial em estruturas de multi-poos qunticos de GaAs/AlGaAs dopados
uniformemente, na presena de campos magnticos de at 15 T. As amostras foram
crescidas por epitaxia por feixe molecular e processadas em mesas de 150 m de dimetro,
utilizando tcnicas padro de processamento. Elas consistem em uma seqncia de multipoos qunticos crescidos de acordo com a srie de Fibonacci, onde o termo de ordem n
a concatenao dos dois termos anteriores, dito Fn = Fn-2 + Fn-1. Dessa forma, elas possuem
12 poos, de GaAs, de 6 nm de largura e 13 barreiras, de AlGaAs, sendo que a
concentrao de Al de 30%, com larguras, ora de 10 nm, ora de 20 nm. Abaixo de 100 K,
a curva caracterstica corrente versus tenso, na ausncia de campo magntico, apresenta
uma sucesso de degraus e plats caractersticos de tunelamento seqencial ressonante em
um sistema dopado. Para tenses fixas, correspondentes situao na qual existem dois
domnios de campo eltrico na estrutura, ou seja, para tenses no interior do plat, a
aplicao de um campo magntico perpendicular direo de crescimento da amostra leva
ao rearranjo dos domnios de campo eltrico na estrutura. O rearranjo nos domnios de
campo eltrico gera uma srie de saltos e oscilaes na corrente de tunelamento em baixos
campos magnticos. Para certas tenses, o rearranjo nos domnios de campo eltrico
induzido pelo campo magntico permanece estvel, mesmo depois de desligado o campo
magntico.

II

Abstract

We present an experimental investigation of sequential tunneling in n-doped

GaAs/AlGaAs multi-quantum well structures, in the presence of magnetic fields up to
15 T. The samples were grown by molecular beam epitaxy and processed into 150 m
diameter mesas using standard techniques. They consist of a multi-quantum well sequence
grown in a Fibonacci way, i.e. the nth term is the concatenation of the (n-2)th and the
(n-1)th. In this way the sample has as building blocks an AlGaAs layer of 10 nm thickness
and Al concentration of 30% (element A) and a GaAs layer of 6 nm thickness (element B).
The subsequent layers follow the Fibonacci rule: A, BA, ABA, BAABA, ... Six iterations
were grown. Below 100 K the current-voltage characteristic shows a succession of steps
and plateaus emblematic of sequential resonant tunneling in a doped system. For a fixed
bias inside the current plateau corresponding to the situation where we have two electric
field domains, the application of a magnetic field perpendicular to the growth direction
gives rise to a rearrangement of the electric field domains in the structure. The electric field
domain rearrangement generates a series of jumps and oscillations in the tunneling current
for low applied magnetic field. For a certain range of applied bias the magnetic fieldinduced change in the electric field domain arrangement remains stable, even after the
magnetic field is switched off.

III

ndice

Agradecimentos

Resumo

II

Abstract

III

ndice

IV

01 Introduo

02 Descrio das Amostras

03 Transporte Eletrnico na Ausncia de Campo Magntico

10

3.1 O Poo Duplo Simtrico

11

3.2 Seqencia de Multi-Poos Qunticos

13

3.3 Efeitos de Auto-Similaridade

17

3.4 Tunelamento Seqencial Ressonante

21

04 Transporte Eletrnico na Presena de Campo Magntico

29

4.1 Campo Magntico Perpendicular Direo de Crescimento

29

4.2 Resultados Experimentais

33

05 Concluso

51

Bibliografia

53

IV

H duas formas de viver sua vida.

Uma pensando que no existem milagres.
Outra pensando que tudo um milagre.
Albert Einstein (1879 1955)

CAPTULO 01
INTRODUO

As super-redes cristalinas foram idealizadas por Esaki e Tsu (1970) num trabalho
pioneiro que levou a vrios desenvolvimentos na rea de pesquisa bsica e que, tambm,
trouxe grandes avanos em aplicaes tecnolgicas. Essas estruturas so obtidas fazendose a deposio alternada de camadas de materiais diferentes, ou ento atravs da variao
peridica de um outro parmetro, como a dopagem. Se as camadas desses materiais tm
espessuras de poucas camadas atmicas (ou se a variao da dopagem ocorre sobre poucas
camadas atmicas) obtem-se um potencial peridico superposto ao potencial criado pela
rede cristalina. No caso em que a estrutura construda por uma seqncia alternada de
dois materiais como GaAs e AlGaAs, por exemplo, obtem-se uma seqncia de poos de
potencial (camadas de GaAs) e de barreiras de potencial (camadas de AlGaAs) para os
eltrons na banda de conduo da estrutura [Choi et al. (1987)]. O termo super-rede
normalmente reservado para estruturas nas quais a interao entre as funes de onda de
estados localizados em poos vizinhos grande. Se a interao entre as funes de onda
dos poos vizinhos muito pequena, ou seja, as barreiras so largas, as estruturas so
usualmente denominadas multi-poos qunticos.
Muito tem sido estudado nessa rea, o que trouxe grandes avanos em pesquisa
bsica, como por exemplo, a descoberta de que tais estruturas se comportam como novos
materiais, tornando possvel a investigao de fenmenos qunticos que antes seriam
possveis s com o auxlio de altas fontes de energia e/ou altos campos magnticos [Vieira
et al. (1998) e Luo et al. (2000-a)]. E, tambm, avanos nas reas tecnolgicas, que
consistem em desenvolver componentes eletrnicos como receptores ou emissores na faixa
de terahertz [Faist et al. (1994), Dupont et al. (1998) e Wei et al. (2001)]. Porm, ainda

INTRODUO

existem questes a serem respondidas, como, por exemplo, o comportamento das

estruturas de multi-poos qunticos sob efeito de campo magntico.
Pretendemos, portanto, aprofundar a investigao do efeito do campo magntico,
aplicado perpendicularmente direo de crescimento, nos nveis de energia de estruturas
do tipo multi-poos qunticos.
Este trabalho nasceu a partir do primeiro contato com um artigo que discutia a
possibilidade de se poder observar um espectro de energia do tipo fractal em estruturas de
super-redes semicondutoras quasi-peridicas [Maci e Domnguez-Adame (1996)]. Nesse
artigo terico, os autores concluem que efeitos de auto-similaridade s podem ser
observados abaixo de um certo comprimento crtico da amostra. Acima desse comprimento
crtico, a desordem introduzida pelos inevitveis desvios da homogeneidade inseridos na
amostra no momento do crescimento levam perda da coerncia quntica e da localizao
eletrnica. No entanto, para amostras com tamanho inferior ao comprimento crtico, o qual
depende do grau de desordem introduzido no momento do crescimento, podemos observar
fenmenos de auto-similaridade nas propriedades de transporte.
Alm do trabalho citado acima, podemos encontrar muitos outros artigos que
investigaram teoricamente o efeito de auto-similaridade em amostras Fibonacci como
Bruno-Alfonso et al. (1999) e Reyes-Gomez et al. (1998). Encontramos, tambm, alguns
poucos trabalhos que tratam experimentalmente desse assunto. Merlin et al. (1985) e
Lockwood et al. (1987), atravs de medidas de espalhamento Raman e de Raios-X, e Toet
et al. (1991), utilizando espectroscopia de excitao de fotoluminescncia sob campos
magnticos paralelo e perpendiculares corrente aplicada na estrutura, observaram efeitos
de quasi-periodicidade nos espectros de amostras crescidas segundo a srie de Fibonacci.
O fato de encontrarmos to poucos trabalhos experimentais sobre esse assunto nos
incentivou a aprofundar nessa pesquisa. Para tanto, utilizamos uma tcnica diferente da que
j havia sido empregada nos outros trabalhos. A tcnica utilizada foi o estudo do transporte
eletrnico na direo de crescimento, a qual denominaremos a partir daqui como direo z,
na presena e ausncia de campo magntico.
A frmula seguida para se produzir tais estruturas Fibonacci bem simples: num
primeiro passo definimos dois blocos iniciais, os quais chamaremos F1 e F2, onde o nmero
de poos e barreiras e suas respectivas larguras podem ser escolhidos livremente. Depois,
usamos a frmula de recorrncia que gera o nmero de Fibonacci (Fn = Fn-2 + Fn-1) para

INTRODUO

gerar todos os outros termos e a amostra crescida pela concatenao de todos os n

termos.
Voltando estrutura peridica, o transporte eletrnico na direo paralela direo
de crescimento das diferentes ligas semicondutoras de uma heteroestrutura, depositadas
por epitaxia por feixe molecular, difere do transporte perpendicular direo de
crescimento, pois, o potencial sentido pelos eltrons, ao longo da direo de crescimento,
tem a forma de uma seqncia de poos e barreiras de potencial. Esses poos e barreiras
tem origem no desalinhamento das bandas de conduo dos semicondutores que compem
a heteroestrutura.
A periodicidade imposta por esse novo potencial encontrado nos multi-poos
qunticos se sobrepe ao potencial da rede cristalina produzindo um novo cristal feito de
camadas compostas por outros cristais e com uma nova estrutura de bandas [Maan (1987)].
Na curva caracterstica corrente versus tenso, observamos degraus e plats e nesses
ltimos existem saltos de condutividade diferencial negativa, indicativo de tunelamento
seqencial ressonante, que correspondem ao rearranjo do campo eltrico na estrutura [Choi
et al. (1987)].
Sendo assim, podemos inferir que um arranjo de multi-poos qunticos quasiperidicos no se comportam como um cristal, podendo revelar efeitos que no so
observados em uma amostra peridica. Vem da a importncia de se estudar mais a fundo
tais estruturas e conhecer seu comportamento comparativo com uma estrutura peridica.
Os semicondutores utilizados no crescimento das amostras estudadas so GaAs e a
liga AlxGa1-xAs, com a concentrao de alumnio, coeficiente x, igual a 30 %. Dessa
forma, a superposio de camadas alternadas dos diferentes materiais produz uma
seqncia de poos e barreiras de potencial. O potencial confinante dos poos gera uma
quantizao na direo de crescimento, a qual denominaremos direo z, se a espessura
desses poos for da ordem de grandeza do comprimento de onda de de Broglie dos
eltrons. A energia dos eltrons ligada ao movimento na direo de crescimento passa a ter
valores discretos, os quais dependem da altura e da largura dos poos e barreiras.
No caso deste trabalho, comeamos por procurar a conhecer o espectro de energias
para uma seqncia de multi-poos qunticos quasi-peridica, segundo a srie de
Fibonacci, e o comportamento da corrente de tunelamento nessas estruturas na presena e
ausncia de campo magntico. Porm, como veremos nos captulos a seguir, a separao

INTRODUO

em energia dos nveis auto-similares requer uma resoluo experimental de alguns

milieltrons-volts, o que no nos permite verificar os efeitos de auto-similaridade.
No entanto, as medidas com campo magntico aplicado perpendicularamente
direo de crescimento apresentaram fenmenos interessantes, que no precisam da quasiperiodicidade para serem explicados e podem ser interpretados com um modelo simples
que desenvolvemos e ser explicado no captulo 04.
O captulo 02 contm uma descrio da amostra, os detalhes do crescimento desta e
uma descrio da montagem experimental e da tcnica utilizada para fazer as medidas.
No captulo 03, comearemos com uma descrio terica do efeito de tunelamento,
primeiro resolvendo a equao de Schrdinger para um potencial de poo duplo e depois
para um potencial do tipo multi-poos qunticos infinito e peridico. Classificaremos os
tipos possveis de tunelamento em uma heteroestrutura com potencial contendo poos e
barreiras. Explicaremos como, em heteroestruturas desse tipo, ocorre o aparecimento dos
saltos de condutividade diferencial negativa e a formao dos domnios de campo eltrico
alto e baixo. Prosseguiremos com a apresentao das medidas feitas de transporte
eletrnico na ausncia de campo magntico e por fim mostraremos os clculos tericos dos
efeitos de auto-similaridade.
No captulo 04, resolveremos a equao de Schrdinger para um material
volumtrico, com eltrons livres, sob a ao de um campo magntico e ampliaremos essa
soluo para o caso de uma seqncia de multi-poos qunticos. A seguir, apresentaremos
as medidas de transporte eletrnico na presena de campo magntico. Veremos que para
uma tenso fixa correspondente situao na qual temos dois domnios de campo eltrico
coexistindo na estrutura a ao do campo magntico a de gerar um rearranjo dos
domnios de campo eltrico na estrutura. Esse rearranjo dos domnios de campo eltrico
produz uma srie de saltos e oscilaes na corrente de tunelamento, a medida que o campo
magntico aumenta. E, para alguns valores de tenso, a mudana nos domnios de campo
eltrico, induzida pelo campo magntico, permanece estvel mesmo depois de desligado o
campo magntico.
No captulo final sero apresentadas as concluses de todo o trabalho com as
perspectivas de trabalho futuro.

CAPTULO 02
DESCRIO DAS AMOSTRAS

No presente trabalho, foram feitos estudos de transporte eletrnico na presena e na

ausncia de campo magntico em amostras de multi-poos qunticos quasi-peridicas
(segundo a srie de Fibonacci). Neste captulo, sero descritos os parmetros utilizados no
crescimento e na preparao das amostras estudadas.
Todas as amostras foram crescidas utilizando a tcnica de epitaxia por feixe
molecular, pelos professores Alfredo Gontijo de Oliveira, Marcus Vincius Baeta Moreira
e Wagner Nunes Rodrigues, todos do Departamento de Fsica da UFMG, sobre um
substrato de GaAs crescido na direo (100) dopado com Si (n+) a 2 x 1018 cm3. Sobre
esse substrato, primeiramente, foi crescida uma camada buffer de GaAs de 1,47 m, com
dopagem, tambm em Si, a n+ = 2 x 1018 cm3, a fim de minimizar os defeitos cristalinos
gerados por imperfeies e rugosidades no substrato. Logo em seguida, h uma camada de
GaAs de 150 nm, com dopagem variando uniformemente de n+ = 2 x 1018 cm3 para
n = 1 x 1016 cm3 e uma camada espaadora, tambm de GaAs, de 26 nm de espessura e
com dopagem de n = 1 x 1016 cm3. Todas as dopagens do tipo n e n+ so realizadas com
Si.
Acima dessas primeiras camadas que formam o contato eltrico do substrato,
tambm conhecido como contato do emissor, cresceu-se a estrutura de multi-poos
qunticos utilizando parmetros que sero descritos logo a seguir. Finalmente, sobre essa
estrutura existe uma camada espaadora de 92 nm de espessura, com dopagem de
n = 1 x 1016 cm3; uma camada de GaAs de 150 nm, com dopagem indo de n para
n+ = 2 x 1018 cm3 e uma camada de GaAs de 500 nm, com dopagem (n+) de 2 x 1018 cm3.
Essas camadas cristalinas crescidas sobre a estrutura de multi-poos qunticos formam o

CAPTULO - 02

contato eltrico do topo, ou contato do coletor, da amostra e a dopagem foi toda feita
utilizando Si. A Figura (2.1) mostra o diagrama da amostra onde podem ser vistas as
camadas dos contatos do substrato e do topo.

Figura 2.1 Diagrama da amostra.

Para ser observada a formao de domnios de campo eltrico no tunelamento

seqencial ressonante, que ser visto com mais detalhes no captulo seguinte, necessrio
que exista uma concentrao razovel de portadores de carga livres a fim de que, aplicado
um campo eltrico na direo de crescimento da amostra, haja acmulo de cargas nos
poos. Para isso as estruturas de multi-poos qunticos foram dopadas com uma
concentrao uniforme de Si de 1 x 1016 cm3. Os contatos devem ser bons condutores, por
isso usamos uma dopagem de Si a 2 x 1018 cm3. As camadas com dopagem varivel e
gradual de n+ = 2 x 1018 cm-3 para n = 1 x 1016 cm-3 servem para fazer uma transio mais
suave entre o substrato altamente dopado e o nvel de dopagem da amostra.
A amostra Fibonacci (denominada a partir de agora amostra BH 9916) formada
por camadas alternadas de GaAs e AlxGa1-xAs, onde x = 0,3, superpostas seguindo a srie
de Fibonacci. Nessa srie, temos que o termo de ordem n definido como sendo
Fn = Fn-2 + Fn-1, ou seja, um termo da srie obtido pela justaposio dos dois termos
precedentes. Os dois primeiros termos podem ser escolhidos de acordo com a convenincia
do pesquisador. No presente caso, foram definidos como: F1 = A e F2 = BA, onde o
elemento A representa uma camada de Al0,3Ga0,7As (barreira de potencial) de 10 nm de
espessura enquanto que o elemento B indica uma camada de GaAs (poo de potencial) de
6 nm de espessura. Essa escolha inicial levou a uma amostra que possui todos os poos de
potencial iguais, mas barreiras que variam sua espessura, ora possuindo largura A (10 nm),
ora AA (20 nm).
Foram utilizadas as ligas de GaAs e AlGaAs pois esses dois semicondutores
possuem parmetro de rede praticamente iguais, diferindo um do outro em menos de
0,1 %. Dessa forma, eles permitem o crescimento de heteroestruturas sem grandes
perturbaes na rede cristalina.

CAPTULO - 02

O valor da faixa de energia proibida (ou gap) do GaAs [Henning et al. (1988)], a
4 K, de 1,519 eV enquanto que o gap do AlxGa1-xAs, para essa mesma temperatura,
uma funo do valor da concentrao do Al, dado por x. A expresso que d o valor desse
gap [Henning et al. (1988)]:
Eg = 1,519 + 1,314x.

(2.1)

Portanto, para x = 0,3 ele vale Eg = 1,913 eV.

Os valores mais aceitos atualmente para os clculos de descontinuidade de banda
so 60:40, ou seja, 60 % da diferena entre o gap do AlGaAs e o gap do GaAs est acima
do fundo da banda de conduo do GaAs enquanto que 40 % da diferena entre os gaps
est abaixo do topo da banda de valncia do GaAs. Assim, subtraindo o valor da energia do
gap do AlGaAs da energia do gap do GaAs, para a amostra considerada, encontramos que
a altura das barreiras, na banda de conduo, vale Vb = 237 meV.
Foi crescida uma amostra com seis iteraes, geradas a partir da seqncia
mostrada na Tabela (2.1). Na Figura (2.2), vemos o grfico (energia em funo da direo
de crescimento) do perfil do fundo da banda de conduo da estrutura de multi-poos
Fibonacci onde foram desconsiderados, por simplicidade de desenho, os efeitos do
deslocamento dos portadores de carga, originados pela dopagem, para os poos de
potencial. O acmulo de cargas negativas nos poos faz com que o fundo destes tenha uma
curvatura com concavidade negativa enquanto que nas barreiras a curvatura possui
concavidade positiva, devido presena dos doadores ionizados positivamente.
Devido problemas no momento do crescimento, a amostra no exatamente essa
mostrada aqui. De fato, como veremos no captulo seguinte, pelo menos duas barreiras de
potencial no foram crescidas gerando dois poos de potencial de 22 nm de espessura.
No do perodo
1o
2o
3o
4o
5o
6o

Elementos do perodo
A
BA
ABA
BAABA
ABABAABA
BAABAABABAABA

Tabela 2.1 Elementos da amostra Fibonacci.

CAPTULO - 02

Figura 2.2 Desenho esquemtico do fundo da banda de conduo da amostra Fibonacci com a
separao dos seis perodos e seus termos (A AlGaAs e B GaAs).

Foram utilizadas tcnicas padro de fotolitografia na preparao da amostra,

fabricando-se estruturas de medida em forma de mesas circulares de 150 m de dimetro.
A metalizao e difuso dos contatos deve ser precisa, pois a difuso do ouro e/ou dos
outros elementos usados na metalizao pode criar pequenos canais de conduo, como
filetes metlicos dentro da amostra. O tamanho desses aumentam com o tempo de
permanncia da amostra dentro do forno de difuso e um pequeno erro nesse momento
pode levar formao de filetes que atravessam a amostra de forma a curto-circuitar
alguns ou at mesmo todos os poos de potencial. Na evaporao dos metais, na parte de
metalizao, foram utilizados os metais na proporo indicada por Heime et al. (1974),
temperatura de 450 oC e tempo de 30 s para a difuso.
A amostra foi ligada a um circuito simples, que consiste essencialmente em uma
fonte de tenso ligada amostra com um ampermetro em srie, como mostrado no
desenho esquemtico da Figura (2.3). Foram feitos, basicamente, dois tipos de medidas:
aplicou-se uma tenso varivel na amostra, com e sem a presena de campo magntico, e
mediu-se a corrente que passava por essa. No outro tipo de medida foi aplicada uma tenso
fixa e mediu-se a variao da corrente devido variao do campo magntico.

Figura 2.3 Circuito montado para fazer as medidas.

CAPTULO - 02

A fonte utilizada foi uma Keythley modelo 230. Essa fonte permite a monitorao
da tenso aplicada na amostra, de forma a eliminar a queda de tenso nos fios do circuito.
Para tanto, liga-se o circuito nas sadas da fonte e faz-se uma ligao do circuito-sensor da
fonte com a amostra. Esse circuito-sensor mede a tenso diretamente na amostra e a ajusta
para que a tenso aplicada no circuito seja um pouco maior, de forma a eliminar a
interferncia do circuito na medida. O ampermetro utilizado tambm foi da marca
Keythley, modelo 196. Todas as medidas foram realizadas utilizando o programa de
aquisio de dados feito pelo Prof. Elmo S. Alves, do DF-UFMG.
Foi utilizado um sistema da Oxford Instruments, UK, com bobina supercondutora
capaz de atingir campos magnticos de 15 T a 4 K e 17 T a 2 K. A temperatura da amostra
pode ser controlada entre 1,5 K e 300 K atravs de um criostato de temperatura varivel
montado no interior da bobina supercondutora. Todas as medidas apresentadas neste
trabalho foram realizadas em temperaturas baixas, abaixo de 20 K. Apesar de termos
observado tunelamento seqencial a 77 K, temperaturas abaixo de aproximadamente 40 K
so necessrias para assegurar que a corrente de tunelamento seja dominante em relao a
outros mecanismos de conduo como, por exemplo, a emisso terminica.

CAPTULO 03
TRANSPORTE ELETRNICO NA AUSNCIA DE CAMPO
MAGNTICO

Neste captulo, procuraremos entender o transporte eletrnico na direo de

crescimento e a estrutura dos nveis quasi-ligados em multi-poos qunticos e super-redes
semicondutoras peridicas e tambm em amostras do tipo Fibonacci. A seguir
apresentaremos os resultados experimentais das medidas de transporte eltrico feitas na
amostra BH 9916 na ausncia de campo magntico.
Comearemos resolvendo a equao de Schrdinger nas sees 3.1 e 3.2, utilizando
o desenvolvimento da teoria de acordo com Bastard (1992), para diferentes potenciais, tais
como, poo duplo simtrico e multi-poos qunticos num arranjo peridico e infinito, para
mostrar os mecanismos do transporte vertical na ausncia de campo magntico.
As solues dos problemas de poos duplos simtricos e de multi-poos qunticos
se reduzem a um problema unidimensional, pois os movimentos dos eltrons na direo de
crescimento (z) e no plano perpendicular a essa direo so desacoplados e as autoenergias podem ser escritas como:
n (z, k ) =

! 2 k 2
+ n (z) ,
2m *

(3.1)

onde o termo n(z) corresponde energia ligada ao movimento na direo z e k 2 o vetor de

onda no plano (x,y).

CAPTULO - 03

11

3.1 - O POO DUPLO SIMTRICO

Veremos primeiramente o caso de tunelamento de um gs de eltrons, com massa
efetiva m*, de um regime quase bi-dimensional para quase bi-dimensional em dois poos
de potencial, como mostrado na Figura (3.1), de altura Vb e largura L, separados por uma
distncia h.

Figura 3.1 Perfil do fundo da banda de conduo da estrutura de poo duplo simtrico na ausncia
de campo eltrico.

No limite em que h , cada poo de potencial possui n (n 1) estados ligados

duplamente degenerados e o problema se resume em encontrar a soluo da equao de
Schrdinger para um poo isolado. O nmero de estados ligados depende dos parmetros
da estrutura (h, L e Vb). As funes de onda que descrevem a partcula nesses estados
ligados decaem exponencialmente fora dos poos.
Para h finito, comea a haver uma sobreposio das funes de onda de cada poo,
de forma que os nveis de energia vo deixando de ser degenerados. Nesse caso, os autoestados so estados do Hamiltoniano do sistema acoplado e a equao de auto-valores no
mais satisfeita {H (z z2) (z z2)}, onde H o Hamiltoniano do sistema
acoplado e (z z2) auto-funo do poo centrado em z2.
Para h no muito pequeno, podemos esperar que o acoplamento entre as funes de
onda dos estados adjacentes no seja muito forte, de forma que consideraremos, como
primeira aproximao [Bastard (1992)], que o Hamiltoniano do sistema seja:
H = p2z/2 m* + Vb(z z1) + Vb(z z2),
onde

(3.2)

CAPTULO - 03

12

0
V b (z z i ) =
Vb

para
para

z z i L/2
z z i L/2

i = 1,2.

(3.3)

A soluo exata da equao de Schrdinger para o Hamiltoniano dado por (3.2)

pode ser escrita como uma combinao das autofunes dos poos isolados. Para o nvel
fundamental temos:
(z) = 1(z z1) + 1(z z2).

(3.4)

Tomando o produto interno dessas autofunes e fazendo as substituies

r = 1(z z1)1(z z2)
s = 1(z z1)Vb(z z2)1(z z1)

(3.5)

t = 1(z z1)Vb(z z1)1(z z2),

obtemos a equao matricial:
E1 + s (E1 )r + t
(E )r + t E + s = 0 ,
1

1
= E1 t + s,

ou

(3.6)

(3.7)

onde desconsideramos o termo r, tambm chamado de integral de superposio, para

simplificar os clculos. Mais tarde veremos que, no nosso caso, a desconsiderao desse
termo nos leva a uma boa aproximao. A grandeza E1 a energia do nvel fundamental
para o poo isolado e a auto-energia do nvel fundamental do poo duplo simtrico. Os
termos t e s so chamados de integrais de transferncia e deslocamento, respectivamente. A
integral s representa o deslocamento que o nvel sofre devido presena do poo adjacente.
Esse termo no levanta a dupla degenerescncia que vemos no caso de h infinito. Como
mostra a equao (3.7), o levantamento da degenerescncia devido integral de
transferncia.
Para encontrarmos o nvel fundamental do poo duplo, temos a combinao
simtrica na equao (3.6) e = , enquanto que no primeiro nvel excitado temos a
combinao anti-simtrica, = -.

CAPTULO - 03

13

Chegamos ento soluo do problema do poo duplo simtrico, onde as

autoenergias so as solues da equao:

1
1
2cos(k w L) + sen(k w L) + e k b hsen(k w L) = 0 ,

onde

kb
,
kw

kb =

2m *
!2

e kw =

2m *
( + Vb ) .
!2

(3.8)

(3.9)

3.2 SEQENCIA DE MULTI-POOS QUNTICOS

Resolvido o problema para o poo duplo simtrico, vamos agora encontrar as
autoenergias para uma seqncia de multi-poos qunticos peridicos com poos de
largura L, barreiras de espessura h e, conseqentemente, perodo d = L + h. O potencial
dessa estrutura da forma:

Vb(z) =

Vb(z nd)

(3.10)

n =

onde

0
V b (z nd) =
Vb

para
para

z nd > L/2
.
z nd L/2

(3.11)

Vamos, primeiro, procurar as solues da equao de Schrdinger para energias

positivas > 0, depois estenderemos a soluo para o caso em que < 0. As solues neste
caso so bem conhecidas em cada camada e so dadas por:
(z) = exp[ikw(z nd)] + exp[-ikw(z nd)],

no poo e

(z) = exp[ikb(z nd d/2)] + exp[-ikb(z nd d/2)], na barreira,

onde

kb =

2m *
!2

e kw =

2m *
( + Vb ) .
!2

As funes q(z) devem, tambm, obedecer o teorema de Bloch-Floquet:

(3.12)
(3.13)

(3.14)

CAPTULO - 03

14

Tnd q(z) = q(z + nd) = exp[iqnd] q(z)

(3.15)

q(z) = uq(z) exp[iqz]; uq(z + d) = uq(z),

(3.16)

onde Td o operador translao, Td f(z) = f(z + d).

Vamos trabalhar com um cristal de tamanho Nd, onde N um nmero inteiro, e
impor condies de contorno peridicas de tal forma que tenhamos q(z + Nd) = q(z).
Dessa forma, usando o teorema de Bloch, encontramos que qNd = 2p, com p inteiro. Ou
seja, q real e discreto, sendo 2/Nd o espaamento entre dois valores consecutivos. Fica
assim definido o espao dos vetores q, que chamado espao recproco. O segmento
[-/d, /d[ , no espao recproco, conhecido como primeira zona de Brillouin.
As funes q devem ser contnuas, assim como a sua primeira derivada. Dessa
forma, na interface entre um poo e uma barreira, temos:
exp[ikwL/2] + exp[-ikwL/2] = exp[-ikbh/2] + exp[ikbh/2]

ikw{ exp[ikwL/2] - exp[-ikwL/2]} = ikb{ exp[-ikbh/2] - exp[ikbh/2]}

(3.17a)
(3.17b)

Na interface entre uma barreira e um poo, temos:

q[z = (n + 1)d L/2] = exp[ikbh/2] + exp[-ikbh/2]

(3.18)

Usando novamente o teorema de Bloch podemos reescrever q[z = (n + 1)d - L/2]

como:
q[z = (n + 1)d L/2] = exp[iqd] q[z = nd L/2].

(3.19)

Prosseguindo com os clculos para as derivadas, chegamos a um sistema de quatro

equaes e quatro incgnitas (, , , ), que admite soluo no trivial se a equao
abaixo for satisfeita:

onde

1
1
cos(qd) = cos(k w L)cos(k bh) + sen(k w L)sen(k bh)

(3.20)

= kb/kw.

(3.21)

CAPTULO - 03

15

Consideramos acima apenas a situao em que temos estados propagantes, com

energias acima do topo da barreira ( 0). Assim, a equao (3.20) nos fornece os nveis
dos estados virtuais dessa heteroestrutura. Porm, os estados que nos interessam mais so
os estados de partcula quase-ligada em que -Vb 0. Nesse caso, as funes de onda
so evanescentes na barreira e basta fazer as substituies:

kb i b ,

com b =

2m *
;
!2

i,

com = b/kw

(3.22)

1
1
cos(qd) = cos(k w L)cosh( bh) + sen(k w L)senh( bh) .

(3.23)

na equao (3.20) e ela fica:

Podemos notar que a equao (3.23) diverge de forma exponencial com o aumento

( )

de h e b h . Para manter a convergncia da soluo, devemos ter que os coeficientes que

multiplicam esses termos zerem, o que ocorre quando:
cos(k w L)

1
1
+ sen(k w L) = 0 .

(3.24)

A equao (3.24) a mesma que nos d os valores dos nveis de energia do poo
simples quadrado. Assim, chegamos concluso que os nveis de energia da estrutura de
multi-poos qunticos so uma hibridizao dos nveis de energia do poo isolado. Esses
nveis hibridizados formam minibandas de energia quando a superposio das funes de
onda de cada poo atravs da barreira finita muito grande.
A equao (3.23) fornece uma relao implcita entre os nveis de energia dos
estados permitidos no poo e os parmetros da amostra. No intervalo [-1,1], o lado direito
dessa

equao,

1
1
F() = cos(k w L)cosh( bh) + sen(k w L)senh( bh) ,

mostra

os

estados permitidos para a estrutura de multi-poos qunticos, pois igual a cos(qd). As

Figuras (3.2) e (3.3) mostram a funo F() para uma estrutura com os seguintes
parmetros: largura da barreira, h = 5 nm; largura do poo, L = 15 nm; massa efetiva nas
barreiras e nos poos iguais a m* = 0,067m0; e altura da barreira, Vb = 400 meV. A

CAPTULO - 03

16

Figura (3.2) mostra o grfico da funo F() em funo da energia do eltron, , como um
todo e a Figura (3.3) mostra o detalhe da mesma funo no intervalo -1 < F() < 1.
sdf

20

0
F()

20

40

0.1

0.2

0.3

0.4

(eV)

Figura 3.2 Grfico do lado direito da equao (3.23) para barreiras de altura Vb = 0,4 eV,
m* = 0,067m0, L = 15 nm e h = 5 nm.
sdf
1

0.5

F()

0.5

0.1

0.2

0.3

0.4

(eV)

Figura 3.3 Detalhe da Figura 3.2 mostrando os estados permitidos para a mesma super-rede.

Para a situao mostrada acima, Figuras (3.2) e (3.3) os poos da estrutura de

multi-poos qunticos possuem quatro nveis de energia permitidos. A inclinao das
curvas indica as larguras desses nveis de energia, pois delimitam uma faixa de energia
permitida para o eltron na estrutura.
Na amostra estudada, onde Vb = 237 meV, m*b = 0,092 m0, m*p = 0,067 m0,
L = 6 nm e h = 16 nm (mdia da largura das barreiras na aproximao para uma estrutura

CAPTULO - 03

17

peridica), o grfico de F() como funo da energia apresenta apenas dois nveis ligados,
como pode ser visto na Figura (3.4).

sd
0.5

F( )

0.5

0.05

0.1

0.15
(eV)

0.2
Vb

Figura 3.4 Grfico de F() para a estrutura estudada, numa aproximao de estrutura peridica.

3.3 - EFEITOS DE AUTO-SIMILARIDADE

A amostra BH9916, cuja curva caracterstica corrente-tenso ser analisada na
seo seguinte, uma estrutura de multi-poos qunticos crescida segundo uma seqncia
de Fibonacci. No entanto, o comportamento eltrico dessa amostra, sob um campo eltrico
aplicado na direo de crescimento da amostra, exatamente o comportamento esperado
de uma estrutura de multi-poos qunticos peridica. Conforme mostraremos a seguir, tal
observao decorre do fato de no termos resoluo experimental suficiente para
observarmos efeitos de auto-similaridade.
A auto-similaridade pode ser entendida como uma similaridade das propriedades do
sistema a diferentes escalas de comprimento [Toet et al. (1991)]. Ou seja, se fizermos uma
ampliao em uma regio onde observamos algumas propriedades, continuaremos a ver as
mesmas propriedades de acordo com uma regra de escala.
Para verificar os possveis efeitos de auto-similaridade em uma estrutura de multipoos qunticos quasi-peridica foi utilizado o programa em Fortran do Prof. Luiz A. Cury

CAPTULO - 03

18

do Departamento de Fsica da UFMG. Esse programa utiliza o formalismo de matriz

transferncia para calcular os nveis de energia de uma estrutura de multi-poos qunticos
na ausncia e na presena de campo eltrico aplicado [Cury (1987)]. Para cada valor da
energia do eltron incidente o programa calcula o coeficiente de transmisso. Quando essa
energia corresponde energia de um dos nveis quase-ligados o coeficiente de transmisso
atinge um mximo.

Figura 3.5 Grfico do logaritmo natural do coeficiente de transmisso em funo da energia, medida
a partir do fundo da banda de conduo, para a amostra nominal BH9916. No detalhe uma ampliao
na regio do primeiro nvel excitado.

A Figura (3.5) mostra o logaritmo natural do coeficiente de transmisso por energia

do eltron incidente. Os dois picos da curva mostrada correspondem aos nveis de estado
quase-ligado da estrutura. Note que a diferena em energia entre o primeiro nvel excitado
e o nvel fundamental vale E = (140 5) meV, exatamente o mesmo valor que obtivemos
anteriormente para o clculo considerando a estrutura como peridica. Podemos notar que
o segundo pico, equivalente ao primeiro nvel excitado, est dividido em trs pequenos
picos. A diferena de energia entre esses trs picos vale Ep = (2,7 0,2) meV. Uma
ampliao dessa regio nos mostra que cada pequeno pico desses tambm est dividido em
trs outros picos, separados por uma energia ainda menor.

CAPTULO - 03

19

Devido ao fato de que a amostra finita, tem apenas seis iteraes, chegamos a um
limite de ampliao em que no observamos mais divises de um pico em outros trs
picos. O nmero total de picos no coeficiente de transmisso para cada um dos nveis de
energia quase-ligados, depois de chegado ao limite de ampliao, corresponde ao nmero
total de poos. No limite em que temos uma amostra infinita, poderamos ampliar quantas
vezes quisermos que sempre encontraremos cada um dos picos no coeficiente de
transmisso se dividindo em outros trs picos. No caso do primeiro pico, no observamos
nenhuma diviso, pois a largura deste praticamente nula, j que a interao entre os poos
de potencial da estrutura muito pequena, e todos os picos esto sobrepostos.
O efeito de auto-similaridade seria observado no grfico corrente por tenso de uma
amostra de multi-poos qunticos com seqncia de poos e barreiras ordenada conforme
uma seqncia Fibonacci, como a amostra BH9916, como outros saltos entre duas regies
de condutividade diferencial negativa. Aumentando-se a resoluo, espera-se observar a
sub-diviso desses trs saltos em outros trs saltos de corrente e assim por diante. No
entanto, esse comportamento no observado na amostra BH9916. Uma anlise cuidadosa
de cada uma das regies entre dois saltos de condutividade diferencial negativa na regio
do plat de corrente no mostrou evidncia inequvoca de comportamento de autosimilaridade na amostra BH9916. Esse resultado negativo pode ser explicado pelo pequeno
espaamento previsto teoricamente entre esses sub-nveis auto-similares e pela flutuao
de rudo nas medidas. Para observar claramente esses sub-nveis de energia, a resoluo
necessria deveria ser melhor que 1 meV, exatamente o nosso limite experimental no
momento e o sistema deveria ser perfeitamente aterrado, utilizando, inclusive, fonte de
tenso contnua que no estivesse ligada rede de energia para evitar os rudos.
Para facilitar a observao de efeitos de auto-similaridade em amostras de multipoos qunticos tipo Fibonacci devemos ter uma amostra que maximize a distncia entre
os picos no grfico do coeficiente de transmisso. Uma amostra desse tipo pode ser
facilmente projetada utilizando o mesmo programa para o clculo do coeficiente de
transmisso mencionado acima.
A Figura (3.6) mostra o clculo feito para construir tal amostra.

CAPTULO - 03

20

Figura 3.6 Grfico do logaritmo natural do coeficiente de transmisso por energia para uma amostra
de multi-poos qunticos construda segundo a seqncia de Fibonacci, com unidade bsica de
barreira com largura de 5 nm e poos com largura de 7 nm.

A amostra da Figura (3.6) foi projetada com a restrio de que a largura mnima da
barreira deveria ser de 5 nm, para garantir o regime de tunelamento seqencial. O resultado
uma distncia em energia entre os nveis auto-similares de (8 2) meV, para uma
amostra com unidade bsica da barreira com largura nominal de 5 nm e poos com largura
de 7 nm.
As medidas em amostras com essas caractersticas sero feitas a posteriori, numa
seqncia deste trabalho. Sero preparadas, tambm, amostras peridicas e aperidicas
para comparao dos dados. Pretendemos, com isso, obter as informaes sobre o
comportamento auto-similar das amostras quase-peridicas tipo Fibonacci.
No prximo captulo, analisaremos o tunelamento seqencial ressonante sob a ao
de um campo magntico perpendicular corrente eltrica e veremos que os fenmenos
observados podem ser explicados pelo rearranjo dos domnios de campo eltrico alto e
baixo devido a ao do campo magntico nos nveis de energia dos poos de potencial.
Trataremos, agora, dos resultados das medidas de corrente versus tenso na
ausncia de campo magntico.

CAPTULO - 03

21

3.4 - TUNELAMENTO SEQENCIAL RESSONANTE

Quando as barreiras de uma super-rede so suficientemente estreitas, as funes de
onda nos poos interagem de forma significativa, produzindo minibandas de energia que se
estendem por toda a estrutura. Os estados eletrnicos so delocalizados e so os mesmos
em todos os poos. Dessa forma, os eltrons podem atravessar toda a amostra com o
mesmo vetor de onda. Esse caso geralmente conhecido como Tunelamento por

Minibandas ou Tunelamento Coerente.

No caso em que temos barreiras largas (que aceitamos como sendo 5 nm), de
forma que podemos negligenciar a interao entre funes de ondas de poos adjacentes
para nveis de menor energia, a probabilidade de espalhamento grande em relao
probabilidade de tunelamento. O eltron sofre espalhamento durante o processo de
tunelamento e este dito incoerente ou seqencial, nesse caso podemos ter duas situaes:
I)

Conduo Assistido por Fnons ou Tunelamento Seqencial No-Ressonante:

Devido ao campo eltrico aplicado na estrutura, os nveis dos poos esto
desacoplados e o eltron precisa absorver ou emitir um fnon para tunelar de
um poo para o outro.

II)

Tunelamento Seqencial Ressonante: O eltron tunela de um poo para o outro

sem perda ou ganho de energia, sofrendo um espalhamento elstico durante o
processo de tunelamento. Esse caso ocorre quando temos os nveis de energia
dos poos vizinhos acoplados ressonantemente.
As estruturas com barreiras largas so conhecidas como Estruturas de Multi-Poos

Qunticos (MPQ) e podem ser modeladas a partir de um poo quntico isolado.

No existe um valor fixo de largura da barreira de forma que possamos dizer que
esse o limite em que passamos de um regime de tunelamento coerente para outro regime
de tunelamento. Para se ter uma idia, Maan (1987) sugere que uma barreira pode ser
considerada fina quando o comprimento de penetrao da funo de onda do eltron nesta,
estimado por (2m*Vb/2)1/2, menor que o perodo da super-rede. Segundo esse critrio,
um perodo com comprimento menor que 10 nm j suficiente para ser observado
conduo por minibandas. J Grahn et al. (1991) observaram conduo por tunelamento
seqencial em uma estrutura com barreiras de 4 nm enquanto que Aguado e Platero (1998)
calcularam o tunelamento seqencial em uma estrutura com espessura de barreiras iguais a
5 nm.

CAPTULO - 03

22

No entanto, mesmo em estruturas com barreiras finas podemos ter tunelamento

seqencial, incoerente, quando o campo eltrico aplicado na estrutura forte o suficiente
para desacoplar os nveis de energia de poos vizinhos. Nesse caso, as minibandas quasetridimensionais se tornam sub-bandas bidimensionais localizadas nos poos de potencial.
Quando a estrutura dopada, a curva caracterstica corrente-tenso de tunelamento
seqencial ressonante na ausncia de campo magntico mostra uma seqncia de degraus e
plats. O surgimento desses degraus e plats se deve formao de domnios de campo
eltrico na estrutura devido ao acmulo de cargas, provenientes da dopagem e da tenso
aplicada na amostra, nos poos de potencial. Nos plats, observam-se saltos de
condutividade diferencial negativa que correspondem ao rearranjo do campo eltrico na
estrutura quando a tenso aplicada aumenta.
A Figura (3.7), retirada de Grahn (1991), mostra a curva caracterstica corrente

versus tenso de uma super-rede peridica. Na parte (a) dessa figura vemos a medida feita
em uma super-rede no dopada e em (b) a medida feita em uma super-rede dopada com Si
a 3 x 1017 cm-3. O suplemento da figura mostra o esquema da configurao do potencial da
estrutura sob os regimes dos campos eltricos alto e baixo.

Figura 3.7 Caracterstica corrente-tenso de uma super-rede peridica de GaAs/AlAs (a) no dopada
e (b) de uma super-rede peridica dopada com Si a 3 x 1017 cm-3 [Grahn (1991)].

Essa figura mostra que, na ausncia de dopagem, o nvel de Fermi se encontra

muito abaixo do nvel fundamental dos poos de potencial, dessa forma, o campo eltrico

CAPTULO - 03

23

aplicado na amostra, necessrio para que a estrutura comece a conduzir, deve ser alto o
suficiente de forma que o nvel de Fermi se iguale ao nvel fundamental. Porm, quando
esses dois nveis de energia se iqualam a estrutura de multi-poos qunticos j est toda no
domnio de campo eltrico alto.
Para entendermos melhor esse grfico, vamos utilizar o esquema da Figura (3.8).
Esse desenho mostra uma sucesso de poos qunticos de largura L, igualmente espaados
por barreiras de largura h por simplicidade de desenho.
Cada um dos grficos, de (a) at (e), da Figura (3.8) tm como eixo vertical a
energia e como eixo horizontal a direo de crescimento.

Figura 3.8 Desenho esquemtico do rearranjo do campo eltrico numa super-rede peridica.

medida que a tenso aplicada na super-rede aumenta a partir de zero (a), o

potencial da estrutura passa a depender linearmente, em primeira aproximao, do campo
eltrico e da coordenada z. O Hamiltoniano do sistema passa a ser escrito da forma:

H = H0 + eFz, onde H0 o Hamiltoniano do sistema na ausncia de campo eltrico e F

o campo eltrico aplicado. Nesse momento, mostrado esquematicamente em (b), os
eltrons comeam a tunelar do nvel fundamental de um poo para o nvel fundamental do
poo adjacente ficando um certo tempo em cada poo de forma que o vetor de onda do
eltron no mais o mesmo que ele possua quando estava no poo anterior.
Eventualmente, essa corrente de tunelamento, do nvel fundamental de um poo
para o nvel fundamental do poo vizinho, satura e inicia-se a formao de um domnio de
campo eltrico alto, como mostrado em (c). Nos poos de potencial dentro do domnio de

CAPTULO - 03

24

campo eltrico alto, a conduo eltrica ocorre via tunelamento do nvel fundamental de
um poo para o primeiro nvel excitado do poo seguinte relaxando a energia para o nvel
fundamental deste e seguindo em frente com o processo de tunelamento.
Quanto mais o campo eltrico aplicado aumenta, mais poos entram para o domnio
de campo eltrico alto, como mostrado em (d) e (e). A corrente no aumenta, dando origem
a um plat de corrente constante, porque o ponto onde ocorre a transio de regio de
campo eltrico baixo para a regio de campo eltrico alto se comporta como uma barreira
limitando a corrente mxima que percorre a estrutura [Grahn (1991)]. Cada poo que muda
de regime provoca um salto de condutividade diferencial negativa no grfico corrente

versus tenso. Esses saltos de condutividade podem ser vistos claramente na Figura (3.7).
Por fim, toda a super-rede est conduzindo no regime de campo eltrico alto e a corrente de
tunelamento pode crescer novamente sem que haja saltos na corrente, at que o processo de
tunelamento comece a envolver o segundo nvel excitado de cada poo.
A Figura (3.9) mostra a curva caracterstica para a amostra BH9916, descrita no
captulo 2, na qual a largura nominal dos poos L = 6 nm, as barreiras tm unidade bsica
A de largura nominal igual a 10 nm, e concentrao de alumnio x = 0,3 no AlxGa1-xAs.

25

CAPTULO - 03

Figura 3.9 Caracterstica corrente-tenso da amostra investigada neste trabalho.

Aumentando a resoluo da medida de corrente e limitando a varredura da tenso,

podemos observar claramente o plat de corrente e os saltos de condutividade diferencial
negativa, como pode ser observado na Figura (3.10).

CAPTULO - 03

26

Figura 3.10 Caracterstica corrente-tenso da amostra de multi-poos qunticos de GaAs/AlGaAs

investigada neste trabalho, mostrando o plat de corrente e os saltos de condutividade diferencial
negativa.

No grfico da Figura (3.10) a regio (b) corresponde regio de tunelamento de

nvel fundamental para nvel fundamental. No ponto (c) ocorre a primeira transio de um
poo para domnio de campo eltrico alto.
Cada trecho entre dois saltos de condutividade diferencial negativa, vide
Figura (3.7 e 3.10), corresponde a uma diferena de energia equivalente diferena em
energia do primeiro estado excitado com o nvel fundamental. No nosso caso, esse valor
de E = (137 8) meV e foi determinado a partir dos dados apresentados na Figura (3.10),
ou seja, pela distncia, em tenso, entre dois saltos de condutividade diferencial negativa.
O clculo terico para a aproximao de estrutura peridica, realizado conforme descrito
na seo 3.2 para uma estrutura tipo multi-poos qunticos infinita, nos d um valor de
E = (140 5) meV. Para esse clculo, consideramos uma estrutura com largura nominal
dos poos igual a 6 nm e largura nominal das barreiras igual a 16 nm, que uma mdia

CAPTULO - 03

27

ponderada da largura das barreiras da amostra BH9916. A pequena diferena entre o valor
calculado e o valor experimental pode ser atribuda incerteza nos parmetros de
crescimento da amostra.
Os dois saltos de condutividade diferencial negativa indicados pelas setas verticais
(1) e (2) na Figura (3.10) destoam dos outros saltos de corrente da curva caracterstica da
amostra, devido aos seus tamanhos diminutos. Esses dois saltos correspondem a uma
diferena de energia de, aproximadamente, (30 5) meV ao invs de um valor em torno de
140 meV. A princpio, esses saltos de pequena energia poderiam ser atribudos a
tunelamento assistido por fnons pticos, cujas energias, so 35 meV para o GaAs e
40 meV para o AlGaAs, conforme Adachi (1985). Porm, devido repetio desses saltos
de pequena energia sempre, e apenas, nos mesmos valores de tenso, conforme mostra a
Figura (3.11), podemos supor que, na verdade, se tratam de dois poos com espessura
maior que a espessura nominal.

Figura 3.11 Caracterstica corrente-tenso da amostra investigada mostrando a ocorrncia dos saltos
equivalentes a dois poos de 22 nm, indicados pelas setas. Os grficos esto deslocados de 50 e 100 nA,
respectivamente, para melhor visualizao.

CAPTULO - 03

28

De acordo com o relato de Rodrigues (2003), na ocasio do crescimento da amostra

BH9916, o obturador do forno de alumnio do equipamento de MBE utilizado, em alguns
momentos no abria. Caso isso tenha acontecido realmente em algum momento durante o
crescimento da amostra BH9916, uma barreira deixaria de ser crescida entre dois poos,
gerando em conseqncia um nico poo com 22 nm de largura, ao invs de dois poos de
6 nm de largura cada um separados por uma barreira de 10 nm de largura.
A Figura (3.12) mostra o grfico para o clculo dos nveis de energia de um poo
com 22 nm de largura. A diferena de energia do primeiro estado excitado para o nvel
fundamental nesse caso de 30 meV, em excelente concordncia com as medidas
experimentais. Nossa hiptese , portanto, que a amostra BH9916 possui dois poos de
potencial com largura de 22 nm, devido aos problemas ocorridos durante o seu
crescimento.
1

0.5

F()

0.5

0.05

0.1

0.15

(eV)

0.2

Vb

Figura 3.12 Grfico da equao 3.23 para uma estrutura de multi-poos qunticos peridica com
largura dos poos de 22 nm.

CAPTULO 04
TRANSPORTE ELETRNICO NA PRESENA DE CAMPO
MAGNTICO

4.1 CAMPO MAGNTICO PERPENDICULAR DIREO DE CRESCIMENTO

Veremos agora a soluo da equao de Schrdinger em um material volumtrico
na presena de um campo magntico e estenderemos esse resultado para o caso do campo
aplicado em uma seqncia de multi-poos qunticos. Essa ser a base terica necessria
para construirmos a explicao das medidas com campo magntico aplicado na direo
perpendicular direo de crescimento da amostra.
Vamos, primeiramente, considerar o campo magntico aplicado na direo z de um
cristal volumtrico como, por exemplo, GaAs. Assim, ele pode ser escrito na forma:
B = (0, 0, B). O potencial vetor, A = x B, pode ser escolhido para ser da forma:
A = (-yB, 0, 0). Na aproximao de massa efetiva, o Hamiltoniano em tal situao fica:
H = (P eA)2/2m* = [(Px + yeB)2 + Py2 + Pz2]/2m*

ou

H=

(eyB)2 ie!yB
!2
2 +

,
2m *
2m *
m * x

(4.1)

(4.2)

que o Hamiltoniano do eltron livre sob influncia de um campo magntico.

Partindo da expresso (4.1) podemos mostrar que Px e Pz comutam com H. Dessa
forma podemos construir um conjunto completo de autovetores comuns a H, Px e Pz
[Ballentine (2000)]. Assim podemos escrever a equao de autovalor H = E, onde a
autofuno (x, y, z) tambm autofuno de Px e Pz e da forma:

CAPTULO - 04

30
(x, y, z) = exp[i(kxx + kzz)](y).

(4.3)

Substituindo a expresso (4.3) na equao de autovalor, obtemos uma equao

diferencial para (y):

e 2 B2 2

! 2 d 2 (y) !eBk x
!2

y
k 2x + k 2z E (y) = 0 .
+
y
(y)
+
+

2
2m *
2m * dy
m*
2m *

(4.4)

Fazendo uma translao em y = y + y0, onde y0 = -kx/eB, chegamos a:

! 2 d 2 (y' ) m * c2 2

+
y' (y' ) = E' (y' ) ,
2m * dy 2
2

(4.5)

onde chamamos c = eB/m*, a freqncia de cclotron, e E = E - 2kz/2m*.

A equao (4.5) a equao para o oscilador harmnico [Cohen-Tannoudji (1977)]
cujas autoenergias so dadas por E = (n + ) c. Dessa forma, as energias permitidas
para o eltron sob a ao de um campo magntico so:

E=

! 2 k 2z
+ (n + 1 2)! c .
2m *

(4.6)

e as autofunes so dadas por [Neves (1996)]:

(x, y, z) = e i (k x x +k z z) 4

eB 2
y'
2!

eB
H n
y' ,
n
!
2 n!

eB
!

(4.7)

onde Hn (x) so os polinmios de Hermite dados por:

dnex
H n (x ) = (1) e
dx n
x

x2

(4.8)

e centrados em y0 = -kx/eB.
Podemos ver atravs de (4.6) que o campo magntico quantiza o movimento do
eltron no plano perpendicular direo em que est sendo aplicado, enquanto que nesta
direo o eltron se comporta como um eltron livre. Classicamente falando, o eltron
descreve rbitas circulares no plano xy.

CAPTULO - 04

31

Para entendermos a viso quntica do fenmeno vamos utilizar os operadores das

coordenadas do centro das rbitas, que podem ser escritas em termos dos operadores
posio do centro da rbita e velocidade, como [Ballentine (2000)]:

X0 = Qx + Vy/c e Y0 = Qy - Vx/c.

(4.9)

Podemos verificar, utilizando a relao de comutao entre os operadores posio e

velocidade, [Q,V] = i!/m*, e a relao de comutao entre os operadores velocidade,
[V,V] = 0, que o comutador dos operadores (4.9) com o Hamiltoniano (4.2) igual a
zero, enquanto que os operadores X0 e Y0 no comutam entre si. Ou seja, s podemos
construir autofunes que definam os centros das rbitas apenas para uma das
coordenadas.
Estendendo esse resultado para o caso em que o eltron est sob a ao de um
potencial confinante V(z), do tipo de multi-poos qunticos dado por (3.10), as
autoenergias passam a ser dadas por:
Ei,N = i + (N + )c, com N = 0, 1, 2, ....

(4.10)

onde i so os nveis quase-ligados dados pela soluo de (3.23). Nesse caso o movimento
do eltron totalmente quantizado. Na direo z, pelo potencial V(z), e no plano xy, pelo
campo magntico aplicado.
Para o caso de uma estrutura de multi-poos qunticos descrita pelo potencial V(z)
da equao (3.10), sob a ao de um campo magntico aplicado perpendicular direo de
crescimento da amostra, ou seja, a direo do campo magntico paralela ao plano dos
poos de potencial, direo x por exemplo, a equao de Schrdinger no possui soluo
analtica. Podemos usar uma aproximao de campo magntico pequeno e resolver o
problema tratando o campo magntico como uma perturbao em cada poo isoladamente.
Essa aproximao vlida quando a energia de confinamento do eltron muito maior que
a energia de cclotron. Ando (1975) e Beinvogl et al. (1976), usando esse formalismo,
encontraram os valores para as autoenergias, em primeira ordem. Considerando o campo
magntico ao longo da direo x, B = (B, 0, 0), com o potencial vetor no calibre de
Landau, A = (0, -zB, 0) e chamando o potencial dos poos qunticos V(z), as autoenergias
do Hamiltoniano H = (P eA)2/2m* + V(z) so

CAPTULO - 04

32

E i (B) = i (0) +

e 2 B2 2
z z
i
2m *

2
i

)+ 2m1 * (!k

+ eB z

! 2 k 2x
,
2m *

(4.11)

onde <z2>i o valor mdio de z2 e <z>i o valor mdio de z para a funo de onda no
perturbada da i-sima subbanda dos poos. Dessa forma, o campo magntico, que est na
direo x, afeta os nveis de energia gerados pelo potencial confinante V(z). O primeiro
termo do lado direito da equao (4.11) o nvel de energia i devido ao confinamento das
barreiras de potencial. O segundo termo, chamado usualmente de desvio diamagntico,
desvia cada nvel de energia, no eixo da energia, por um fator proporcional a B2 e a
<z2>i, n = <z2>i, n - <z>2i, n. O terceiro termo introduz uma dependncia parablica em ky,
com o centro das parbolas deslocadas por -eB<zi>/ na direo de ky.

i=2

i=1

ky
Figura 4.1 Relao de disperso dos dois primeiros nveis de energia na ausncia de campo
magntico (pontilhado) e com um campo magntico aplicado na direo x (linhas slidas). Repare no
deslocamento em ky devido presena do campo magntico. A energia de Fermi est indicada por Ef.
Figura baseada em Beinvogl et al. (1974).

A Figura (4.1) mostra o deslocamento com o campo magntico do nvel

fundamental de um poo em relao ao primeiro nvel excitado do mesmo ou de outro
poo, de acordo com a equao (4.11).

CAPTULO - 04

33

4.2 RESULTADOS EXPERIMENTAIS

Agora que vimos na teoria o comportamento da estrutura de multi-poos sob a ao
do campo magntico, vamos partir para os resultados experimentais. Na Figura (4.2)
vemos as medidas de corrente de tunelamento para o campo magntico de intensidade de
5 T, aplicado perpendicularmente direo de crescimento, atravs da estrutura de multipoos qunticos estudada neste trabalho.

dir. cresc.

Figura 4.2 Corrente de tunelamento versus tenso aplicada para a amostra BH9916, na ausncia de
campo magntico e com um campo de 5 T perpendicular direo de crescimento.

Podemos ver na Figura (4.2) a ao do campo magntico no sentido de aumentar a

corrente mxima antes que cada poo de potencial entre no regime de campo eltrico alto e
de deslocar cada salto de condutividade diferencial negativa para tenses mais altas.
Como indicado na equao (4.11), o campo magntico desloca os nveis de energia.
A Figura (4.3) pode nos mostrar melhor o que ocorre na estrutura de multi-poos qunticos
na presena do campo magntico. O campo magntico na direo x introduz a regra de
seleo que, no processo de tunelamento, o eltron deve conservar o momento linear !kx.

CAPTULO - 04

34

Dessa forma, os eltrons tunelam com momento na direo y dado por !(ky + k), onde
k = eBd/! e d o perodo da estrutura de multi-poos qunticos.

b)

c)

d)

i =1 do
poo B
i =1 do
poo A

Figura 4.3 Relao de disperso dos nveis fundamentais dos poos vizinhos A e B, respectivamente.
Em (a) sem campo magntico e em (b), (c) e (d) com um campo magntico na direo x, constante. Em
(a) e (b) temos um mesmo potencial eltrico aplicado, o qual responsvel pela diferena de energia
entre os nveis i=1 dos poos A e B. Em (c) o potencial eltrico maior, levando ressonncia entre os
dois nveis de energia. Em (d) o potencial eltrico aumentou ainda mais, tirando novamente os nveis de
energia da condio de ressonncia. Detalhe retirado de Neves (1996).

De acordo com a equao (4.11), na presena do campo magntico o nvel

fundamental de um poo est deslocado de k do nvel fundamental do poo anterior,
como mostrado na Figura (4.3 b), comparado com a situao em que no temos campo
magntico, Figura (4.3 a). O aumento da tenso aplicada na amostra faz com que a
parbola que representa o nvel fundamental do poo B se aproxime da parbola que
representa o nvel fundamental do poo A. Conforme a Figura (4.3 c) a superposio entre
os parabolides pequena implicando em um menor nmero de eltrons participando do
tunelamento. Por isso, a corrente inicial, na Figura (4.2), menor do que no caso em que
no temos campo magntico aplicado, onde a superposio dos parabolides mxima.
Porm, a superposio entre eles permanece por valores de tenso maiores, fazendo com
que a tenso e a corrente mximas em que ocorrem as transies de campo eltrico baixo
para alto sejam superiores s tenses e correntes mximas observadas na ausncia de
campo magntico.
Aumentando ainda mais o campo magntico aplicado verificamos outro tipo de
comportamento na curva caracterstica corrente versus tenso, como pode ser visto na
Figura (4.4).

CAPTULO - 04

35

dir. cresc.

Figura 4.4 Corrente de tunelamento versus tenso aplicada para a amostra BH9916, com campos
magnticos perpendiculares direo de crescimento de at 15 T.

Podemos ver claramente que, para campos magnticos elevados, o deslocamento

k dos nveis de energia em poos vizinhos, como representado na Figura (4.3), se torna
to grande que s ocorrer superposio aprecivel dos parabolides de energia, em
energias abaixo do nvel de Fermi, e portanto, uma corrente de tunelamento significativa,
para valores de tenso elevados. A estrutura de plats e saltos de condutividade diferencial
negativa assim eventualmente destruda pelo campo magntico.
Uma outra maneira simplificada de se explicar a destruio dos saltos e plat de
corrente com o aumento do campo magntico considerar o efeito de confinamento
magntico, que prevalece na estrutura para campos magnticos elevados. Para se ter uma
idia da ordem de grandeza do campo magntico no qual o confinamento magntico deve
se tornar importante, podemos utilizar a frmula para o clculo dos raios das rbitas de
cclotron:

R 2N =

(2N + 1)!
,
eB

(4.12)

CAPTULO - 04

36

onde N = 0, 1, 2, ... o nmero quntico dos nveis de Landau. Ou seja, para que os
eltrons descrevam uma rbita com um raio de 22 nm, de forma que a primeira rbita de
cclotron esteja confinada em um perodo da amostra BH9916, precisamos de um campo
magntico de 6 T.
Dessa forma, quando aplicamos campos magnticos muito intensos, o eltron fica
localizado por esse campo nos poos de potencial, diminuindo a probabilidade de
tunelamento para o poo seguinte e, conseqentemente, diminuindo o valor da corrente de
tunelamento.
As medidas mostradas nas Figuras (4.2 e 4.4) so difceis de serem analisadas pois
foram feitas variando a tenso e o camo magntico aplicados. Para visualizarmos melhor
os fenmenos que ocorrem na amostra quando aplicamos um campo magntico
perpendicular direo de crescimento da amostra, fizemos medidas de corrente versus
campo magntico com tenso aplicada constante.

dir. cresc.

Figura 4.5 Corrente de tunelamento versus campo magntico para trs valores fixos de polarizao
eltrica na amostra BH9916. Todos os trs valores de potencial eltrico apresentados esto na regio
precedente ao plat da curva corrente versus tenso, Figura (3.10).

CAPTULO - 04

37

A Figura (4.5) mostra a curva de corrente versus campo magntico na regio de

tenso em que a estrutura conduz apenas de nvel fundamental para nvel fundamental dos
poos qunticos e no h domnio de campo eltrico alto, ou seja, estamos abaixo da regio
do plat de corrente. Podemos observar a ao do campo magntico levando a corrente de
tunelamento a zero devido ao aumento do confinamento magntico.
Por outro lado, quando fazemos as medidas com tenses no interior do plat,
podemos observar um regime de instabilidade da corrente, como mostra a Figura (4.7).

dir. cresc.

Figura 4.6 Corrente de tunelamento versus campo magntico para tenses na regio no interior do
plat da curva corrente versus tenso, Figura (3.10).

CAPTULO - 04

38

dir. cresc.

Figura 4.7 Corrente de tunelamento versus campo magntico para dois valores de tenso no interior
do plat e um valor de tenso depois do plat da curva corrente versus tenso, Figura (3.10).

A Figura (4.7) apresenta um grfico com trs curvas de corrente versus campo
magntico, sendo dois deles na regio do interior do plat da curva corrente versus tenso,
Figura (3.10) e um terceiro depois de terminado o plat.
O grfico da Figura (4.6) pode ser dividido em duas partes. Para os campos
magnticos mais baixos, vemos a corrente subindo, com saltos para certos valores de
campo magntico. Na regio de campos magnticos mais altos, a corrente decresce sem a
ocorrncia de saltos. Esses saltos na corrente de tunelamento ocorrem apenas no interior da
regio do plat na curva da Figura (3.10).
Para entender o aumento da corrente eltrica na regio de campo magntico baixo,
vamos voltar equao (4.11). Nessa equao, podemos observar que o termo de disperso
diamagntica depende do valor mdio da coordenada z no estado quntico i, <z>i, do valor
mdio do quadrado de z no estado quntico i, <z2>i e do quadrado do campo magntico,
B2. Dessa forma, a perturbao no sistema causada pelo campo magntico um
deslocamento dos nveis de energia do poo para uma energia maior, a medida que o
campo magntico cresce. Como o valor da disperso (<z2>2 - <z>22) para o primeiro nvel

CAPTULO - 04

39

excitado de um poo no regime de campo eltrico alto maior que a disperso

(<z2>1 - <z>21) para o nvel fundamental de um poo no regime de campo eltrico baixo, o
nvel (2) sofre um deslocamento para energias mais altas maior que o nvel (1) com o
aumento do campo magntico aplicado perpendicular direo de crescimento.
Ao aplicarmos uma tenso na amostra a ponto de gerarmos domnios de campo
eltrico alto e baixo e observarmos a regio limite onde ocorre a mudana nos regimes de
campo eltrico, veremos que os nveis de energia do ltimo poo no domnio de campo
eltrico baixo e do primeiro poo no domnio de campo eltrico alto esto desacoplados. A
aplicao de um campo magntico perpendicular direo de crescimento da amostra
desloca esses nveis de energia at que eles acoplem novamente. Essa regio limite entre os
dois domnios de campo eltrico se comporta como uma barreira onde ocorre tunelamento
seqencial no-ressonante e o que limita a corrente no plat [Grahn (1991) e Luo
(2000-b)].

eV
eV

eV

(A)
(B)

Figura 4.8 Desenho esquemtico do fundo da banda de conduo na regio limite entre os dois
domnios de campo eltrico. O valor V indica o desacoplamento entre o nvel fundamental do ltimo
poo no regime de campo eltrico baixo e o primeiro nvel excitado do primeiro poo no regime de
campo eltrico alto.

A Figura (4.8) mostra a regio limite entre o domnio de campo eltrico alto e
baixo, sob uma tenso aplicada V. O valor eV indicado na figura a diferena entre o
centro do nvel fundamental do poo no regime de campo eltrico baixo (poo A) e o
centro do primeiro nvel excitado do poo no regime de campo eltrico alto (poo B).
Na ausncia de campo magntico, temos:
eV = eV [2(0) 1(0)],

(4.13)

CAPTULO - 04

40

onde V a queda de tenso entre esses dois poos e 2(0) e 1(0) as energias do primeiro
nvel excitado e do nvel fundamental respectivamente, ambas a campo magntico zero.
As equaes que regem as posies dos nveis de energia na presena de um campo
magntico paralelo aos poos qunticos podem ser encontradas utilizando a equao
(4.11):
EB2 = 2(0) + C2B2 eV

(4.14)

EA1 = 1(0) + C1B2

(4.15)

onde EB2 e EA1 correspondem ao primeiro nvel excitado do poo B e ao nvel fundamental
do poo A, respectivamente, na presena do campo magntico B, e C2 e C1 so duas
constantes que dependem do valor mdio desvio quadrtico das funes de onda no centro
dos poos.
A diferena entre EB2 e EA1 dada por:
EB2 - EA1 = [2(0) - 1(0)] + (C2 - C1)B2 eV.

(4.16)

Quando EB2 - EA1 = 0, o primeiro estado excitado do poo B e o nvel fundamental

do poo A esto em ressonncia. O tunelamento passa a ser ressonante e a partir desse
ponto, o aumento de B far com que a corrente comece a diminuir na curva da corrente em
funo do campo magntico, para uma dada tenso fixa. Ou seja, a corrente mudar de
direo nas curvas corrente versus campo magntico para os campos Bmax dados por
eV = [2(0) - 1(0)] + (C2 - C1)B2max.

(4.17)

Porm, no sabemos a parcela V da tenso total aplicada na amostra que est distribuda
na regio da fronteira entre os domnios de campo eltrico alto e baixo, mas razovel
supor que V proporcional tenso total Vt aplicada na estrutura. Dessa forma, podemos
escrever V = Vt, onde a constante de proporcionalidade. Em termos da tenso total a
equao (4.17) toma a forma:
Vt =

2 (0) 1 (0) C 2 C1 2
+
B max .
e
e

(4.18)

A equao (4.18) nos fornece uma relao quadrtica entre a tenso total aplicada
na amostra e o campo magntico onde a inclinao da corrente muda de sentido.

CAPTULO - 04

41

Figura 4.9 Relao entre a tenso total aplicada na amostra BH9916 e o campo magntico,
perpendicular direo de crescimento, onde a curva corrente versus campo magntico, para cada
valor fixo de tenso, muda a inclinao.

A Figura (4.9) mostra a relao entre a tenso aplicada na amostra e o valor

quadrtico do campo magntico no qual a inclinao da curva corrente-campo magntico
muda de direo. Esse grfico est em boa concordncia com o modelo proposto para a
explicao da curva corrente-campo magntico. O ponto fora da curva, que corresponde
medida feita a V = 0,07 V, no segue o mesmo comportamento dos outros pontos, pois o
mximo da curva corrente-campo magntico ocorre quando temos conduo somente de
nvel fundamental para nvel fundamental.
Comparando os valores obtidos pela regresso linear do grfico da Figura (4.9)
com as equaes (4.18 e 4.11), observamos que o termo do valor mdio do desvio
quadrtico das funes de onda para o primeiro nvel excitado (C2) maior que o termo do
valor mdio do desvio quadrtico das funes de onda para o nvel fundamental (C1),

CAPTULO - 04

42

sendo esta a causa do deslocamento do primeiro nvel excitado ser maior que o
deslocamento do nvel fundamental quando em presena do campo magntico.
Em resumo, ao aplicarmos uma tenso na amostra, os nveis, inicialmente, se
desacoplam, sendo que, na regio de campo eltrico alto, o nvel fundamental est numa
energia maior que o primeiro nvel excitado do poo seguinte. Porm, o campo magntico
atua nos nveis de energia levando-os para energias mais altas. Como a disperso maior
para o primeiro nvel excitado, comparado com o nvel fundamental, o deslocamento em
energia do primeiro estado excitado com o campo magntico maior do que o
deslocamento do nvel fundamental, para o mesmo campo magntico. Portanto, a ao do
campo magntico leva ao acoplamento dos nveis de energia e a corrente de tunelamento
cresce com o campo magntico at um valor mximo. Da o sentido ascendente da curva
corrente versus campo magntico em campos magnticos baixos. Continuando a aumentar
o campo magntico aps a condio de ressonncia, a diferena entre as taxas de
crescimento com o campo das energias do estado fundamental e do primeiro estado
excitado leva, novamente, ao desacoplamento entre esses nveis de energia (o primeiro
nvel excitado de um poo ultrapassa o nvel fundamental do poo anterior) e a corrente
eltrica diminui com o campo magntico.
importante notar que a aplicao da equao (4.11) para campos magnticos
elevados deve ser feita com cuidado, j que essa equao deriva do clculo de perturbao,
onde se supe que os efeitos de campo magntico so pequenos se comparados com os
efeitos devidos a outros campos. Nossos resultados indicam que a teoria de perturbao
funciona bem para estruturas de multi-poos qunticos como a que estudamos, at campos
magnticos da ordem de 10 T.
Para valores de tenso no plat de corrente, ou seja, na situao em que existem
dois domnios de campo eltrico co-existindo na amostra, observa-se uma metaestabilidade no grfico corrente versus campo magntico, caracterizada por saltos no valor
da corrente, na regio de campo onde a corrente cresce com o campo magntico (Figuras
4.6, 4.7 e 4.10). Esses saltos, de condutividade eltrica com a variao do campo
magntico, s so observados para valores de tenso dentro do plat de corrente.

CAPTULO - 04

43

dir. cresc.

Figura 4.10 Corrente de tunelamento versus campo magntico para duas tenses na regio no
interior do plat da curva corrente versus tenso, Figura (3.7).

Essa meta-estabilidade na corrente devida no-estabilidade no dimensionamento

dos domnios de campo eltrico alto e baixo sob a ao de um campo magntico aplicado.
Ou seja, ao ser aplicado um campo eltrico F na direo de crescimento da amostra o
potencial sofre uma inclinao dada por eFz e dentro desse valor podemos ter outras
configuraes possveis de regimes de campo eltrico alto e baixo dependendo do campo
magntico aplicado. Por exemplo, se a amostra possui cinco poos de potencial dentro do
regime de campo eltrico alto e quatro dentro do regime de campo eltrico baixo num valor
de campo magntico, essa configurao pode passar para quatro poos no regime de campo
eltrico alto e cinco no regime de campo eltrico baixo em outro valor de campo magntico
maior.
Podemos entender melhor essa instabilidade na configurao de campo eltrico
baixo e alto voltando curva caracterstica corrente versus tenso.

CAPTULO - 04

44

dir. cresc.

Figura 4.11 Comparao do grfico da corrente versus tenso em campo zero e com o campo
magntico de 6 T aplicado paralelo corrente. As trs retas traadas no grfico indicam as tenses
iguais a 0,19 V, 0,32 V e 0,58 V respectivamente.

O valor da corrente, quando no aplicamos campo magntico, nas trs tenses

indicadas, na Figura 4.11 (0,19 V; 0,32 V e 0,58 V), pelas retas no grfico, fica em torno
de 35 a 45 nA. Porm, quando aplicamos o campo magntico de 6 T, a corrente pula para
um valor entre 90 e 110 nA nesses mesmos valores de tenso.
Sabendo que cada salto de condutividade diferencial negativa corresponde
transio de um poo do regime de campo eltrico baixo para o regime de campo eltrico
alto, podemos ver, por exemplo, que no caso de V = 0,19 V a estrutura deixa de ter dois
poos conduzindo no regime de campo eltrico alto, na ausncia de campo magntico, e
passa a conduzir com todos os poos no regime baixo, quando estamos com campo
magntico aplicado de 6 T. Essa transio corresponde a dois saltos na curva corrente
versus campo magntico. Aps isso ter acontecido, no existe mais a possibilidade de
haver transio entre regimes de campo eltrico alto e baixo e os saltos cessam na curva
corrente versus campo magntico.

CAPTULO - 04

45

O mesmo acontece nos outros valores de tenso na regio do interior do plat na

curva caracterstica corrente versus tenso. Entretanto, para valores de tenso no incio do
plat a transio de poos no regime de campo eltrico alto para o regime de campo
eltrico baixo ocorre de forma que, para um campo magntico suficientemente alto,
podemos ter todos os poos conduzindo no regime de campo eltrico baixo e o nmero de
saltos na curva corrente versus campo magntico igual ao nmero de saltos de
condutividade diferencial negativa (CDN), na curva corrente versus tenso, at aquele
valor de tenso. Sendo que o nmero de saltos na curva corrente versus tenso corresponde
ao nmero de poos da estrutura no regime de campo eltrico alto.
Por isso o ponto fora da curva, na Figura (4.9), se comporta diferentemente dos
outros pontos, pois ele corresponde medida feita em V = 0,07 V e nesse valor de tenso a
corrente mxima ocorre para um campo magntico no qual todos os poos conduzem no
regime de campo eltrico baixo. Como o modelo simples que desenvolvemos acima
(equao 4.18) supunha que existisse dois domnios de campo eltrico para o campo
magntico onde a corrente mxima, a expresso (4.18) no pode ser aplicada para a
tenso de 0,07 V.
Quando observamos o comportamento da corrente em funo do campo magntico,
em valores de tenso prximos do final do plat de corrente, podemos notar que o nmero
de saltos na curva corrente versus campo magntico menor que o nmero de poos no
regime de campo eltrico alto. Isso acontece porque o valor de tenso nesses casos muito
alto e a queda do potencial da amostra no permite que todos os poos sofram a transio
para regime de campo eltrico baixo, ou seja, no possvel manter essa diferena de
potencial alta sem ter ao menos alguns poos no regime de campo eltrico alto.
Retornando equao (4.11) e Figura (4.8), podemos ver, como j foi discutido
antes, que o termo de desvio diamagntico depende do valor mdio do quadrado do centro
do poo e do ndice (i) do nvel de energia. Portanto, o deslocamento do primeiro nvel
excitado de energia diferente do deslocamento do nvel fundamental, assim como o
deslocamento dos nveis de energia de um poo no regime de campo eltrico alto
diferente do deslocamento dos nveis de energia de um poo no regime de campo eltrico
baixo. Sendo assim, o deslocamento dos nveis de energia dentro do poos desacopla os
nveis fundamental do poo A e excitado do poo B, chegando a uma situao em que
energeticamente mais favorvel alinhar o nvel fundamental de A com o fundamental de B,

CAPTULO - 04

46

redistribuindo a queda de potencial nos domnios de campo eltrico alto e baixo. Pois, de
outra forma a estrutura deixaria de conduzir e a corrente de tunelamento iria a zero.
Outro fato curioso no que concerne o rearranjo de domnios de campo eltrico alto
e baixo o fato de que a configurao de domnios induzida pelo campo magntico pode
permanecer estvel mesmo depois do campo magntico retornar a zero. Ao elevarmos o
campo magntico at 15 T e retornarmos a 0 T novamente a corrente se estabiliza no
penltimo degrau da curva de corrente versus tenso, como pode ser observado nas Figuras
(4.12), (4.13) e (4.14) que so mostradas a seguir.

dir. cresc.

Figura 4.12 Grfico da corrente versus campo magntico aplicado numa tenso igual a 0,3 V. O
grfico cheio corresponde situao em que o campo magntico varia de 0 T a 15 T e o grfico vazio
corresponde situao em que o campo magntico varia de 15 T a 0 T.

CAPTULO - 04

47

dir. cresc.

Figura 4.13 Grfico da corrente versus campo magntico aplicado numa tenso igual a 0,32 V. O
grfico cheio corresponde situao em que o campo magntico varia de 0 T a 15 T e o grfico vazio
corresponde situao em que o campo magntico varia de 15 T a 0 T.

CAPTULO - 04

48

dir. cresc.

Figura 4.14 Grfico da corrente versus campo magntico aplicado numa tenso igual a 0,58 V. O
grfico cheio corresponde situao em que o campo magntico varia de 0 T a 15 T e o grfico vazio
corresponde situao em que o campo magntico varia de 15 T a 0 T.

Mesmo em medidas de corrente versus campo magntico, com este aplicado

paralelamente direo de crescimento, podemos observar a meta-estabilidade no arranjo
de domnios de campo eltrico. As medidas com o campo magntico paralelo direo de
crescimento no sero discutidas em detalhe neste trabalho e sero deixadas para um
trabalho posterior. Os dois grficos expostos a seguir so apenas para mostrar o
comportamento oscilatrio da corrente e a sua instabilidade.

CAPTULO - 04

49

B // dir. cresc.

Figura 4.15 Grfico da corrente versus campo magntico aplicado paralelo corrente a uma tenso
de 0,24 V.

A medida mostrada no grfico da Figura (4.15) foi feita aplicando-se uma tenso
igual a 0,24 V, ou seja, numa regio entre dois saltos de condutividade diferencial negativa
perto do centro do plat. Ela mostra que existem pelo menos duas configuraes possveis
de energia para a conduo eletrnica na estrutura. Esse mesmo tipo de comportamento
observado em qualquer valor de tenso desde que estejamos na regio dentro do plat
apesar de grficos sem a bi-estabilidade terem sido observados. Para valores de tenso
abaixo ou acima do plat de corrente no observamos esse comportamento oscilatrio da
corrente. O valor de campo magntico, onde ocorrem os saltos de corrente no sempre o
mesmo, podendo ocorrer mais de um salto, como mostrado na Figura (4.15).
A Figura (4.16) mostra outro exemplo da bi-estabilidade da corrente no plat, desta
vez numa tenso aplicada de 0,32 V, mostrando apenas dois saltos de corrente no intervalo
em que o campo magntico saiu de 0 T, foi at 15 T e retornou a 0 T novamente.

CAPTULO - 04

50

B // dir. cresc.

Figura 4.16 Grfico da corrente versus campo magntico aplicado paralelo corrente a uma tenso
de 0,32 V.

CONCLUSO

Da descrio dos detalhes da amostra estudada, vide Captulo 02, e dos resultados
experimentais de medidas da corrente de tunelamento na presena e ausncia de campo
magntico, apresentados nos Captulos 03 e 04, podemos classificar os fenmenos que
ocorrem nessa estrutura como sendo os mesmos de uma estrutura peridica, apesar da
estrutura estudada ser quasi-peridica, no sendo, portanto, possvel verificar os efeitos de
quasi-periodicidade.
De fato, os efeitos de auto-similaridade da amostra estudada requeriam uma
resoluo experimental de cerca de 1 meV. Isso se devia, principalmente, ao fato de termos
a quasi-periodicidade nas barreiras e no nos poos e de que a largura dessas possuia
comprimento nominal mnimo de 10 nm, fazendo com que a interao entre os poos fosse
muito pequena e a largura dos nveis de energia quasi-peridicos fosse muito pequena.
Porm, dos resultados apresentados aqui, alguns ainda no haviam sido
completamente explicados na literatura, em particular, o comportamento da estrutura na
presena de um campo magntico perpendicular direo de crescimento da amostra.
As medidas da corrente de tunelamento como funo do campo magntico revelou
um grfico com sentido crescente e saltos de corrente para valores de campo magntico
baixos e sentido monotonicamente decrescente para campos magnticos altos.
Resolvendo a equao de Schrdinger para um sistema de multi-poos qunticos
sob a ao de um campo magntico perpendicular direo de crescimento da amostra,
levando em conta o campo magntico como uma perturbao, obtivemos os valores das
autoenergias do poo simples adicionado a um termo proporcional ao quadrado do campo
magntico e ao valor mdio do desvio quadrtico da coordenada do eixo de crescimento da
amostra. Esse resultado nos mostra que os nveis de energia quasi-ligados se deslocam para

CONCLUSO

52

valores mais altos em energia com o aumento do campo magntico e que o deslocamento
do primeiro nvel excitado maior que o do nvel fundamental.
esse deslocamento dos nveis de energia causado pelo campo magntico que
produz os fenmenos observados no grfico corrente de tunelamento versus campo
magntico. O aumento progressivo do campo magntico faz com que os nveis de energia,
que em campo magntico nulo esto ligeiramente desacoplados devido ao campo eltrico,
voltem a se acoplar, levando a um aumento no valor da corrente. Depois que a corrente
atinge um mximo, o aumento no valor do campo magntico leva ao novo desacoplamento
dos nveis de energia e conseqentemente diminuio da corrente de tunelamento.
Para determinados valores de campo magntico, o desacoplamento entre os nveis
de energia de dois poos vizinhos na interface das regies de domnios de campo eltrico
baixo e alto se torna to elevado que a situao energticamente mais favorvel que um
poo no regime de campo eltrico alto passe para o regime de campo eltrico baixo e a
tenso aplicada na amostra se redistribua em toda a estrutura. Essa transio de um poo no
regime de campo eltrico alto para o regime de campo eltrico baixo e a consequente
redistribuio do campo eltrico na estrutura origina os saltos observados no grfico
corrente versus campo magntico.
Como proposta para trabalhos futuros, pretendemos fazer novas medidas visando a
observao de efeitos de quasi-periodicidade. Utilizando o programa feito pelo Prof.
L. A. Cury, que calcula os nveis de energia em uma estrutura de multi-poos qunticos
utilizando o formalismo de matriz transferncia, determinamos que em uma estrutura
crescida de acordo com a srie Fibonacci com poos de 7 nm de espessura e barreiras com
unidade bsica de 5 nm de espessura o levantamento da degenerescncia dos nveis de
energia devido quasi-periodicidade ser da ordem de 8 meV. Amostras com esses
parmetros esto sendo preparadas no Departamento de Fsica da UFMG. Esto sendo
tambm crescidas outras duas amostras, uma peridica e outra no-peridica, porm com
os mesmos parmetros de crescimento (concentrao de alumnio, espessuras de poos e
barreiras) da amostra quasi-peridica otimizada. Essas duas amostras serviro de referncia
e controle para as medidas.

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