Estrutura e Propriedades dos Materiais

Ligaes Atmicas

LIGAES ATMICAS

2.1 A Estrutura do tomo (Reviso)

Um tomo composto de um ncleo circundado por eltrons. O ncleo formado
por nutrons e prtons. Como os prtons so carregados positivamente e os nutrons so
eletricamente neutros, ento a carga lquida do ncleo positiva.
Os eltrons so carregados negativamente e so ligados ao ncleo por uma atrao
eletrosttica.
A carga eltrica dos prtons e dos eltrons, q, igual a 1,60x10-19 C (coulomb).
Como o nmero de eltrons e o nmero de prtons so iguais, o tomo eletricamente
neutro.
O nmero atmico de um elemento (Z) igual ao nmero de eltrons ou de prtons
em cada tomo. O tomo de ferro, por exemplo, contm 26 eltrons e 26 prtons, o seu
nmero atmico, portanto, igual a 26 (Z = 26).
A maior parte da massa do tomo est contida em seu ncleo, pois a massa de cada
prton e de cada nutron igual a 1,67x10-24 g, mas a massa de cada eltron somente
9,11x10-28 g.
A massa atmica de um material (M ou A) a massa em gramas da Constante de
Avogadro (NA) de tomos. A quantidade NA = 6,02x1023 tomos/mol o nmero de tomos
ou molculas em um mol; portanto, a unidade de massa atmica g/mol.
Uma unidade alternativa para a massa atmica a unidade de massa atmica (u.m.a),
a qual vale 1/12 da massa do carbono 12 (carbono com 12 prtons). Um mol de ferro (Fe),
por exemplo, contm 6,02x1023 tomos e tem uma massa de 55,847 g ou 55,847 u.m.a.
2.2 A Estrutura Eletrnica do tomo (Reviso)
Os eltrons ocupam nveis de energia discretos dentro do tomo. Cada eltron possui
uma energia particular, sendo que no mais que dois eltrons em cada tomo tm a mesma
energia. Isto tambm implica que h uma diferena discreta de energia entre dois nveis
energticos.

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2.2.1 Nmeros qunticos

O nvel de energia ocupado por cada eltron determinado por quatro nmeros
qunticos, assim denominados e representados: nmero quntico principal (n), nmero
quntico azimutal (l), nmero quntico magntico (ml) e nmero quntico de spins (ms).
O nmero de nveis de energia possvel determinado pelos trs primeiros nmeros
qunticos.
O nmero quntico principal (n) designado pelos valores 1, 2, 3, 4, 5, 6 e 7, que
correspondem s camadas qunticas nas quais os eltrons esto posicionados. As camadas
qunticas so tambm designadas por letras: K (n = 1), L (n = 2), M (n = 3), N (n = 4), O
(n = 5), P (n = 6) e Q (n = 7). A Figura 2.1 ilustra a estrutura atmica do elemento sdio (Z
= 11), mostrando os eltrons nas camadas qunticas K, L e M.

Figura 2.1 Estrutura atmica do sdio (Na).

Cada eltron na camada quntica caracterizado por quatro nmeros qunticos. O
nmero de nveis de energia em cada camada quntica determinado pelo nmero
quntico azimutal (l) e pelo nmero quntico magntico (ml).
Os nmeros qunticos azimutais so designados por l = 0, 1, 2, ..., n 1. Se n = 2,
por exemplo, h dois nmeros qunticos azimutais, l = 0 e l = 1. Os nmeros qunticos
azimutais tambm so designados por letras minsculas1: s (l = 0), p (l = 1), d (l = 2) e f (l
= 3).

As letras s, p, d e f so as iniciais das palavras inglesas sharp, principal, diffuse e fundamental,

respectivamente.
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O nmero quntico magntico (ms) fornece o nmero de nveis de energia, ou

orbitais, para cada nmero quntico azimutal. O total de nmeros qunticos magnticos
para cada l dado por 2l + 1, e corresponde a todos os valores inteiros entre l e +l. Para l
= 2, por exemplo, h 5 nmeros qunticos magnticos (-2, -1, 0, +1, +2).

2.2.2 Princpio da Excluso de Pauli

O princpio da excluso de Pauli especifica que em um orbital encontra-se no mais
que dois eltrons e eles possuem spins eletrnicos opostos. O conjunto dos nmeros
qunticos para os 11 eltrons do sdio (Na) mostrado na Figura 2.2.

2
1

Figura 2.2 Conjunto dos nmeros qunticos para o sdio (Z = 11).

A notao freqentemente usada para descrever a estrutura eletrnica de um tomo
combina o nmero quntico principal, a letra minscula do nmero quntico azimutal e o
valor sobrescrito mostrando o nmero de eltrons em cada orbital (subnveis de energia). A
configurao eletrnica do germnio (Z = 32), por exemplo, dada por:
1s22s22p63s23p63d104s24p2
A Tabela 2.1 mostra o padro usado para determinar a quantidade de eltrons nos
nveis de energia, e a Tabela 2.2 resume a distribuio dos nmeros qunticos.
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Tabela 2.1 Padro usado para determinar a quantidade de eltrons nos nveis
de energia
Camadas
l=0
l=1
l=2
l=3
Mximo de
n
(s)
(p)
(d)
(f)
eltrons
Qunticas
K
1
2
2
L

10

10

14

32

10

14

32

10

18

18

Q
7
2
6
2
Nota: Os valores 2, 6, 10 e 14 referem-se ao n de eltrons no nvel de energia.
Tabela 2.2 Resumo da distribuio dos nmeros qunticos.
N quntico N quntico Subnveis
N de
Camada
principal
azimutal
de energia orbitais
K
n=1
l=0
1s
1
L
n=2
l=0
2s
4
l=1
2p
M
n=3
l=0
3s
9
l=1
3p
l=2
3d
N
n=4
l=0
4s
16
l=1
4p
l=2
4d
l=3
4f
O
n=5
l=0
5s
16
l=1
5p
l=2
5d
l=3
5f
P
n=6
l=0
6s
9
l=1
6p
l=2
6d
Q
n=7
l=0
7s
1

mximo
de eltrons
2
8
18
32

32

18
2

Desvios na estrutura eletrnica

O ordenamento na formao da estrutura eletrnica nem sempre seguido,
particularmente quando o nmero atmico do elemento grande e os nveis d e f comeam
a ser preenchidos, como no caso dos elementos de transio. O Fe (Z = 26), por exemplo,
mostra um desvio entre a estrutura eletrnica esperada e a observada, como segue:

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Esperada 1s22s22p63s23p6

3d8

Observada 1s22s22p63s23p6

3d64s2

O no preenchimento do nvel 3d causa o comportamento magntico do ferro.

2.2.3 Valncia
A valncia de um tomo o nmero de eltrons que participa na ligao ou reaes
qumicas; habitualmente, a valncia de um tomo o nmero de eltrons nos nveis de
energia s e p mais externos. Alguns exemplos so mostrados a seguir:
Mg 1s22s22p6 3s2

valncia = 2

Al 1s22s22p6 3s23p1

valncia = 3

Ge 1s22s22p63s23p63d10

4s24p2

valncia = 4

A valncia tambm depende do meio em torno do tomo ou dos tomos vizinhos

disponveis para a ligao. O fsforo (P), por exemplo, tem valncia 3 (possui 3 eltrons no
nvel p), mas quando se combina com o oxignio (O) passa a ter valncia 5. O mangans
(Mn), por outro lado, pode ter valncia 2, 3, 4, 6 ou 7, dependendo do elemento a que vai
se ligar.
Se um tomo de um elemento tem valncia zero, o elemento inerte (no-reativo). O
argnio (Ar), por exemplo, apresenta estrutura eletrnica 1s22s22p63s23p6; portanto possui
valncia igual a 0.
2.2.4 Regra do Octeto
Um tomo adquirir estabilidade qumica quando possuir oito eltrons na camada
perifrica ou, se constitudo somente pela camada K, esta possuir dois eltrons; ou seja,
quando apresentar configurao eletrnica semelhante a dos gases nobres, conforme
mostrado na Tabela 2.3.

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Tabela 2.3 Configurao eletrnica dos gases nobres.

Camadas qunticas
Gases
Nobres
K
L
M
N

Hlio

Nenio

Argnio

Kriptnio

18

Xennio

18

18

Radnio

18

32

18

O tomo de sdio (Na), por exemplo, possui nmero atmico 11 (Z = 11) e sua
configurao eletrnica (2, 8, 1); para adquirir estabilidade ele perde um eltron, ou seja,
passa a ter a configurao eletrnica do tomo de nenio (2, 8).
tomos no estveis adquirem estabilidade completando, com oito eltrons, os seus
nveis s e p mais externos, ou esvaziando-os totalmente. O alumnio (Al) tem trs eltrons
em seus nveis s e p mais externos; ele facilmente cede esses eltrons para esvaziar os
nveis 3s e 3p e ficar estvel (a ligao atmica e o comportamento do Al so determinados
pelo mecanismo por meio do qual esses trs eltrons interagem com os tomos vizinhos).
O cloro (Cl), como possui nmero atmico 35 (Z = 35), contm sete eltrons em seus
nveis mais externos 3s e 3p (2, 8, 18, 7); sua reatividade causada pela capacidade que
tem de completar o nvel de energia mais externo aceitando um eltron e ficando com a
configurao eletrnica do kriptnio (2, 8, 18, 8).
Existem compostos onde os tomos tornam-se estveis com 4, 6, 12, 18 ou outro
valor de eltrons na camada perifrica, constituindo-se excees Regra do Octeto.
- Exemplos:
Zn++, Ag+, Cu+ estveis com 18 eltrons na camada externa;
Fe++ estvel com 14 eltrons na camada externa;
Fe+++ estvel com 13 eltrons na camada externa.
2.2.5 Eletronegatividade
A eletronegatividade descreve a tendncia de um tomo ganhar eltrons. tomos
com seus nveis mais externos quase completos, tal como o cloro (Cl), so fortemente
eletronegativos e, portanto, facilmente aceitam eltrons. tomos com seus nveis mais

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externos quase vazios, tal como o sdio (Na), facilmente cedem eltrons e apresentam
baixa eletronegatividade.
Elementos que possuem nmeros atmicos elevados, tambm apresentam baixa
eletronegatividade, devido os seus eltrons mais externos estarem a uma distncia muito
maior do ncleo (positivo), no sendo, desta forma, fortemente atrados para o tomo.
A Tabela 2.4 lista a eletronegatividade de vrios elementos.
Tabela 2.4 - Eletronegatividade de alguns elementos relativa ao nmero de eltrons
nos nveis s e p mais externos.
Distribuio eletrnica
Eletronegatividade
tomo
F

1s22s22p5

4,0

Cl

1s22s22p63s23p5

3,0

Br

1s22s22p63s23p63d104s24p5

2,8

1s22s22p63s23p63d104s24p64d104f145s25p5

2,5

1s22s22p63s23p63d104s24p64d104f145s25p65d105f146s26p5

2,2

I
At

Os elementos com baixa eletronegatividade (< 2,0) so algumas vezes definidos

como eletropositivos, que o caso dos metais, por exemplo.
2.3

Ligaes Atmicas
Existem quatro mecanismos mais importantes pelos quais os tomos so ligados para

formar os materiais de engenharia: ligao inica, ligao covalente, ligao metlica e

foras de Van der Walls.
Nos trs primeiros mecanismos, a ligao ocorre quando os tomos completam os
nveis de energia s e p mais externos. Esses trs tipos de ligaes so relativamente fortes e
recebem a denominao de ligaes primrias.
As foras de Van der Walls originam-se de diferentes mecanismos e so
relativamente mais fracas, da serem denominadas de ligaes secundrias.

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2.3.1

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Ligao inica
Quando mais de um tipo de tomo est presente em um material, um deles pode

ceder seus eltrons de valncia para o outro, preenchendo a camada de energia mais
externa daquele. Ambos os tomos, ento, passam a apresentar os seus nveis de energia
mais externos completos (ou vazios), adquirindo uma carga eltrica e, portanto,
comportando-se como ons.
O tomo que contribui com os eltrons fica com carga eltrica lquida positiva e
chamado de ction; enquanto o tomo que recebe os eltrons passar a possuir carga
eltrica lquida negativa e ser chamado de nion.
Os ons com cargas opostas se atraem mutuamente e produzem uma ligao inica.
Por exemplo, a atrao entre os ons sdio (Na+) e cloro (Cl) produzem o cloreto de sdio
(NaCl). Esse processo est ilustrado na Figura 2.3.

tomo Na

on Na+

tomo Cl

Cl

on Cl

Na+ Cl

Na+ Cl Na+
Cl

Na+ Cl

Figura 2.3 Esquema ilustrativo da ligao inica entre o cloro e o sdio.

Nas ligaes inicas, a atrao eletrosttica age em todas as direes, da (ligaes
no-direcionais), tendo-se assim, foras de coeso que geram arranjos tridimensionais.

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2.3.2

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Ligao covalente
So ligaes formadas pelo compartilhamento dos eltrons de valncia entre dois ou

mais tomos, de tal forma que cada tomo complete a sua camada sp mais externa. Por
exemplo, o tomo de silcio (Si), que tem valncia quatro, obtm oito eltrons em sua
camada de energia mais externa pelo compartilhamento de seus eltrons com outros quatro
tomos de silcio vizinhos. Esse tipo de ligao atmica est ilustrado esquematicamente
na Figura 2.4.

Si

Si

Si

Si

Ligao
covalente

Si

tomo de Silcio
Si

Figura 2.4 Esquema ilustrativo da ligao covalente entre tomos de silcio

(adaptada de ASKELAND & PHUL, 2003).
Esse tipo de ligao primria muito forte e, como resultado, os materiais ligados
covalentemente so muito duros, como tambm exibem elevado ponto de fuso. O
diamante, por exemplo, constitudo de tomos de carbono ligados somente por ligaes
covalentes, conseqentemente, esse material apresenta alta dureza e elevado ponto de
fuso (> 3300oC).
A ligao covalente apresenta carter direcional, ou seja, cada ligao s ocorre com
um nico tomo; no silcio (Si), por exemplo, cada tomo ligado a quatro tomos
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vizinhos por quatro ligaes covalentes. Por causa desse carter direcional, os materiais
ligados covalentemente possuem ductilidade limitada.
Muitos materiais formados por ligaes covalentes possuem pssima condutibilidade
eltrica (silcio, diamante e muitos materiais cermicos), pois os eltrons de valncia so
utilizados nas ligaes entre os tomos e, portanto, no esto disponveis para conduzirem
eletricidade.
Em alguns desses materiais (no Si, por exemplo), a introduo deliberada de
pequenas quantidades de outros elementos, denominados dopantes, permite a obteno de
nveis controlados de condutividade eltrica, formando os materiais semicondutores.
As ligaes covalentes podem ser simples, duplas ou triplas; quanto maior o nmero
de eltrons compartilhados, menores distncias interatmicas e energias de ligao mais
elevadas so produzidas, conforme pode ser verificado na Tabela 2.5.
Tabela 2.5 Alguns valores de comprimento de ligao e de energia
de ligao (VAN VLACK, 1977)
Ligaes
Comprimento de ligao
Energia de ligao
aprox.* ()
Aprox.* (kcal/mol)
CC

1,5

83

C=C

1,3

146

CC

1,2

185

CO

1,5

86

C=O

1,2

179

Obs.: Estes valores apresentam pequenas variaes, de acordo com

as com as ligaes adjacentes; 1 = 10-8cm; 1nm = 10-9m.

Ligaes covalentes dativas

Em alguns casos, apenas um dos tomos envolvidos na ligao contribui com o par
eletrnico na formao da ligao covalente; nesses casos, a ligao covalente recebe o
nome de ligao coordenada ou dativa. Por exemplo, no radical SO4--, o enxofre (S), j
com a sua camada externa completa, se liga com os dois tomos de oxignio por ligao
covalente; porm, os dois eltrons do par compartilhado so fornecidos somente pelo
enxofre. A Figura 2.5 ilustra esquematicamente esse tipo de ligao.

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O
O

Ligaes dativas

Figura 2.5 Esquema da ligao coordenada ou dativa.

2.3.3

Ligao metlica
So assim denominadas por serem ligaes caractersticas dos metais.
Os eltrons de valncia dos metais esto fracamente ligados ao ncleo (so

eletropositivos); atrados por ncleos de tomos vizinhos se libertam, compondo uma

nuvem que envolve os ons positivos formados, proporcionando, dessa forma, o
aparecimento de foras de atrao eletrosttica entre os eltrons da nuvem e os ons
positivos.
Conforme pode ser observado na Figura 2.6, o tomo de alumnio (Al) cede os seus
trs eltrons de valncia, tornando-se um on com carga lquida positiva +3; os eltrons de
valncia movem-se livremente pela nuvem de eltrons e comeam a se associar com os
outros ons positivos formados; esses ons so mantidos coesos pela atrao mtua com os
eltrons da nuvem, produzindo, portanto, fortes ligaes metlicas.

Figura 2.6 Esquema ilustrativo da ligao metlica do alumnio.

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Na ligao metlica, os eltrons no se ligam permanentemente a nenhum tomo,

proporcionando grande mobilidade, o que explica a alta condutibilidade trmica e eltrica
dos metais. A grande mobilidade dos eltrons na ligao metlica tambm explica o fato
dos metais serem bons refletores de radiao visvel.
Sob a influncia de uma carga eltrica aplicada no metal, os eltrons se movem
causando um fluxo de corrente eltrica, conforme mostrado na Figura 2.7.

Figura 2.7 Fluxo de corrente eltrica em um metal.

A ligao metlica possui carter no-direcional, da os metais apresentarem boa
ductilidade.
Como a ligao metlica forte, geralmente os metais possuem pontos de fuso
relativamente altos.
Vale ressaltar, que esse tipo de ligao apenas um dos fatores que explicam as
propriedades dos materiais metlicos, pois existem outros relacionados microestrutura
que tambm tm um papel crucial na determinao das propriedades dos materiais
metlicos.
2.3.4

Foras de Van der Walls

Em um gs nobre (Hlio, Nenio, Argnio, Criptnio, Xennio e Radnio) a camada

mais externa est completa (dois eltrons para o He e oito para os demais); nestas situaes
de estabilidade, nenhum dos tipos de ligao j estudados pode ser efetivo; como
conseqncia, os tomos desses gases tm pouca atrao uns pelos outros, permanecendo
monoatmicos nas temperaturas ordinrias; somente em temperaturas muito baixas,
quando as vibraes trmicas so drasticamente reduzidas, eles se condensam.
Se inexistisse atrao atmica entre os tomos dos gases nobres, esses elementos
deveriam passar diretamente do estado gasoso para o slido quando a energia cintica
fosse nula (Zero Absoluto 273C); entretanto, o gs passa ao estado lquido e depois ao

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estado slido antes do zero absoluto. A Tabela 2.6 fornece as temperaturas de fuso e de
ebulio dos gases nobres.
Tabela 2.6 - Temperaturas de fuso e ebulio
dos gases nobres.
Gs
Ponto de fuso Ponto de ebulio
(C)
(C)
He
272,2
Ne
248,7
Ar
189,2
Kr
157,0
Xe
112,0
Ra
71,0
Fonte: VAN VLACK, 1977.

268,9
245,9
185,7
152,9
107,1
61,8

a) Polarizao induzida
A maior parte das foras das ligaes de Van der Walls se originam de dipolos
eltricos. A formao de um dipolo eltrico ocorre quando o centro das cargas positivas
no coincide com o centro das cargas negativas nos tomos ou molculas, dando origens a
regies positivas e negativas.
medida que os tomos vo se aglomerando, os seus eltrons no se apresentaro
distribudos simetricamente a todo instante. Essa deslocalizao de certos eltrons no
tomo causa uma pequena polarizao no mesmo. Por outro lado, os eltrons de um tomo
repelem os eltrons de outros tomos e atraem ncleos vizinhos.
Um tomo j desbalanceado eletricamente causa indues eltricas mais sensveis
nos tomos vizinhos; diz-se, nesse caso, que os tomos sofreram uma polarizao
induzida.
As foras que unem os tomos por meio das polarizaes induzidas so denominadas
de foras de van der Walls, e so as mais fracas em relao s outras ligaes.
Essas ligaes so responsveis pela liquefao e solidificao dos gases nobres e
pelas atraes intermoleculares nos lquidos e slidos constitudos de molculas apolares.
Por exemplo, a ligao entre os tomos de cloro para formar a molcula de cloro slido,
ClCl, a ligao covalente normal, mas as ligaes que mantm as molculas unidas
entre si so as ligaes de foras de van der Walls, conforme ilustrado na Figura 2.8.

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Cl Cl

Cl Cl

Cl Cl
Cl Cl

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Ligao covalente

Cl Cl

Cl Cl

Ligao de Van der Walls

Figura 2.8 Ligaes existentes na estrutura molecular do cloro slido.

A polarizao induzida depende de dois fatores: a quantidade de eltrons da
molcula e a massa molecular. Quanto mais eltrons a molcula possuir, maior ser a
intensidade de polarizao induzida e mais acentuadas sero as foras de Van der Walls.
Quanto maior a massa molecular do material, maior ser a energia cintica (maior
temperatura) necessria para que o mesmo passe para o estado gasoso. Esses fatos podem
ser verificados por meio da Tabela 2.7.
Tabela 2.7 - Comparao entre os pontos de ebulio de algumas substncias
com as massas moleculares e nmero de eltrons por molcula.
Substncias Massa molecular Eltrons por molcula Pontos de ebulio
(g)
(C)
H2
2,016
2
252,0
N2
28,016
14
195,0
O2
32,000
16
183,0
70,910
34
34,0
Cl2
38,000
18
187,0
F2
CH4
CF4
CCl4

16,040
88,010
153,830

10
42
74

161,0
128,0
+76,0

He
4,003
2
Ne
20,18
10
Ar
39,94
18
Fontes: VAN VLACK, 1977 e FELTRE & YOSHINAGA, 1979.

268,9
245,9
185,7

b) Polarizao permanente
As molculas que apresentam pontes de hidrognio possuem uma polarizao
permanente. A ponte de hidrognio conseqncia da atrao entre os ncleos expostos
de hidrognio de uma molcula pelos eltrons no compartilhados da outra (o pequeno

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ncleo do hidrognio, que um prton, atrado por eltrons no compartilhados de uma

molcula prxima).
O metano (CH4) e o silano (SiH4) so molculas apolares e no apresentam pontes de
hidrognio.
Cada molcula da gua (H2O) apresenta duas pontes de hidrognio no tomo de
oxignio; enquanto que na amnia (NH3) e no cido fluordrico (HF), tanto o nitrognio
(N) como o flor (F) apresentam uma ponte de hidrognio. A Figura 2.9 mostra exemplos
de pontes de hidrognio.

Figura 2.9 Formao de pontes de hidrognio nas molculas da gua

e do cido fluordrico.

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Na gua, o nmero de pontes de hidrognio aliado ao fato do oxignio ser muito

eletronegativo proporciona o elevado ponto de ebulio dessa substncia.

c) Combinao de ligaes
Em muitos materiais, as ligaes entre os tomos que os formam so de dois ou mais
tipos. No sulfato de clcio (CaSO4), por exemplo, as ligaes entre os tomos do radical
SO4-- so covalentes, mas a ligao entre este e o tomo de clcio (Ca) do tipo inica
(Figura 2.10).

O
Ca

O
++

S O

Ca

S O
O

Figura 2.10 Esquema das ligaes existente no sulfato de clcio.

O clcio (Ca) cede os seus dois eltrons de valncia para completar o grupo SO4-- e,
como resultado, origina-se uma ligao inica entre os ons Ca++ e SO4--.
2.4

Distncia Interatmica e Energia de Ligao

As foras de atrao entre os tomos os mantm prximos entre si, mas existe um

limite para essa proximidade, chamado distncia de equilbrio (ao ou ro) , de tal forma, que
no volume que cerca o ncleo de um tomo h um espao vazio. Esse espao causado
por foras de repulso interatmicas, as quais existem paralelamente s foras de atrao.
Portanto, a distncia de equilbrio entre tomos ocorre em funo de um balano
entre foras de atrao e de repulso. Independentemente do tipo de ligao existente entre
dois tomos do agregado atmico em questo (inica, metlica ou covalente), os pontos de
equilbrio sempre resultam da interao desses dois tipos de fora. A fora de atrao
resulta da ligao existente e responsvel pela agregao atmica; a fora de repulso
resultante da proximidade acentuada das nuvens eletrnicas dos tomos.

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A distncia interatmica o resultado da interao entre essas foras, dando origem a

uma distncia de equilbrio entre os tomos (ou ons), que o ponto onde ambas as foras
se igualam.
Em termos de energia, a distncia de equilbrio conseguida quando a energia
potencial total do par de tomos (ou ons) atinge um mnimo, ou quando nenhuma fora
lquida est atuando, tanto para atrair como para repelir tomos.
Na ligao inica, tais foras podem ser compreendidas e determinadas mais
facilmente, com o auxlio da Figura 2.11.

Energia

Atrao
Fora lquida

0
Repulso

Fora

Atrao

r = ction
R = nion
ao = r + R

Distncia interatmica (a)

Repulso

Distncia interatmica (a)

Umin

Distncia de equilbrio (ao)

Figura 2.11 Foras e energia de ligao em funo da distncia interatmica.

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A fora de atrao (FA) dada pela ao de duas cargas pontuais e determinada pela
equao:

FA =

( Z 1e ) ( Z 2 e )
4 o a 2

onde Z1 e Z2 so os nmeros de eltrons removidos ou adicionados aos tomos na

formao do on, e a carga do eltron (1,6 x 10-19 C), o a permissividade do espao
vazio (8,85 x 10-12C/Nm2) e a a distncia interatmica.
A fora de repulso (FR) encontrada experimentalmente como sendo inversamente
proporcional distncia de separao entre os ons, conforme a equao:

FR =

nb
a n +1

onde b e n so constantes (para slidos inicos n 9).

A fora resultante (FTotal) dada pela soma das foras de atrao e repulso, como:

FTotal =

( Z 1 Z 2 )e 2 nb
n+1
4 o a 2
a

A fora resultante est associada tenso necessria para separar dois tomos
(energia de ligao); portanto, materiais que tm foras interatmicas elevadas, tambm
apresentam

energias

de

ligao

bastante

elevadas

no

ponto

de

equilbrio.

Conseqentemente, esses materiais tm alta resistncia mecnica e elevadas temperaturas

de fuso (materiais geralmente duros, como o diamante e o silcio). A Tabela 2.8 fornece
os valores de energia para cada tipo de ligao.
Tabela 2.8 - Energias de ligao para
os quatro mecanismos de ligao
Energia de ligao
Ligaes
(kcal/mol)
Inica
150 - 370
Covalente
125 - 300
Metlica
25 - 200
Van der Walls
< 10
Fonte: (ASKELAND & PHUL, 2003).

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Particularmente, materiais ligados ionicamente tm grande energia de ligao, em

virtude da grande diferena na eletronegatividade entre os ons.
Os metais tm baixas energias de ligao, em funo da eletronegatividade dos
tomos serem semelhantes.
O mdulo de elasticidade (E) do material, que mede a sua rigidez, pode ser obtido
pela derivao de FTotal em relao distncia, em posies prximas ao ponto de
equilbrio.
As ligaes atmicas permitem que os tomos exibam o estado de agregao slido.
Em funo da natureza dessas ligaes e da forma com que os tomos so arranjados no
espao, possvel prever as propriedades, as caractersticas e o comportamento do
material.
A energia associada (U ou E) a uma ligao inica dada pela soma das energias
envolvidas com a atrao e a repulso dos ons. Como energia dada pelo produto fora x
distncia, tem-se:
a

( Z e ) ( Z 2 e ) nb
U = 1
n+1 da
4 o a 2
a

ou
U =+

( Z 1 Z 2 )e 2 b
+ n
4 o a
a

O termo relativo energia de atrao corresponde energia liberada quando os ons

aproximam-se, e negativa devido ao produto de uma carga positiva por um negativa
(+Z1).(Z2). O termo correspondente energia de repulso representa a energia absorvida
quando os ons aproximam-se, e positiva.
A soma destas duas energias tem o seu ponto mnimo quando os ons apresentam
distncia de separao igual de equilbrio.
A distncia de equilbrio pode ser alterada pelos seguintes fatores: temperatura,
valncia do on, nmero de tomos adjacentes e ligaes covalentes.
Temperatura: Qualquer aumento de energia acima do mnimo aumentar a distncia
interatmica (expanso trmica).
Valncia inica: Ao serem retirados eltrons da camada de valncia de um tomo o seu
raio diminui, pois os eltrons restantes so atrados mais fortemente pelo ncleo, em

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virtude da diminuio da repulso eletrnica provenientes dos eltrons vizinhos;

contrariamente, se eltrons foram adicionados camada de valncia de um tomo, o seu
raio ir aumentar. Por exemplo, os raios dos ctions de ferro (Fe) so menores que o do
seu tomo neutro:
- Raio do tomo do ferro (Fe) = 1,241
- Raio do on ferroso (Fe+2)

= 0,83

- Raio do on frrico (Fe+3)

= 0,67

tomos adjacentes: Quanto maior o nmero de tomos adjacentes, maior o raio do

elemento, pois a repulso eletrnica proveniente dos tomos vizinhos aumenta. Por
exemplo:
- Raio do Fe = 1,241, quando em contato com 8 tomos de Fe adjacentes (arranjo
normal em temperatura ambiente - estrutura CCC);
- Raio do Fe = 1,269, quando em contato com 12 tomos adjacentes (estrutura CFC).
Nmero de ligaes covalentes: Quanto maior for o nmero de ligaes covalentes,

menor ser a distncia interatmica, pois os tomos ficam mais fortemente ligados
(Tabela 2.5).
2.5

Nmero de Coordenao
O nmero de coordenao (NC) representa o nmero de vizinhos mais prximos que

um dado tomo (ou on) possui na estrutura. A molcula H2, por exemplo, apresenta NC =
1, pois o tomo de hidrognio se liga a somente outro tomo de hidrognio.
O nmero de coordenao depende de dois fatores: covalncia e empacotamento
atmico.

A Covalncia determina o nmero de ligaes covalentes possveis. O tomo de

carbono pode ter at quatro ligaes covalentes (covalncia 4); portanto possui um nmero
de coordenao mximo de 4. No metano (CH4), tem-se NCC = 4 e NCH = 1.
Com relao ao empacotamento atmico, a estrutura ser mais estvel se os tomos
(ou ons) se arranjarem de forma mais compacta, pois h libertao de energia quando os
tomos se aproximam da distncia de equilbrio; portanto, quanto maior o NC, mais
compacta ser a estrutura.
Com base somente em consideraes geomtricas, o NC pode ser relacionado com a
razo entre os tamanhos dos tomos (ou ons) envolvidos na estrutura, conforme mostrado
no Quadro 2.1.

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Quadro 2.1 Nmero de coordenao e empilhamento atmico relacionados com

os tamanhos dos tomos envolvidos na estrutura.
Relao entre os raios onde
se espera um NC estvel
NC
Empilhamento
Representao
(r/R)
0 a 0,155

Linear

0,155 a 0,225

Triangular

0,225 a 0,414

Tetradrico

0,414 a 0,732

Octadrico

0,732 a 1,0

CCC

1,0

12

CFC/HC

- Observaes:
i) Podem ocorrer excees onde o NC previsto difere do NC observado;
ii) Nos metais e slidos inicos, o NC governado pelo empacotamento atmico;
iii) Nos slidos covalentes, o NC governado pelos limites de compartilhamento.
2.6

Referncias Bibliogrficas

ASKELAND, Donald R.; PHUL, Pradeep P. The science and engineering of materials.
4.ed. California: Brooks/Cole-Thomson Learning, 2003.
FELTRE, R.; YOSHINAGA, S. Atomstica: teoria e exerccios. So Paulo: Editora
Moderna, 1979.
VAN VLACK, L.H. Princpios de cincia dos materiais. 3.d. So Paulo: Edgard Blcher,
1977.

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