UNIVERSIDADE DE UBERABA

MATIAS SANTOS PEREIRA

MATERIAIS SEMICONDUTORES

UBERABA - MG
2011

MATIAS SANTOS PEREIRA

MATERIAIS SEMICONDUTORES

Trabalho apresentado Universidade

Uberaba como parte das exigncias
concluso do componente curricular
Materiais Eltricos do 4 perodo/2011 do
Curso de Engenharia Eltrica.
Orientador (a): Prof.() Manoel Ferreira

UBERABA - MG
2011

Resumo
Os semicondutores so slidos cristalinos de condutividade eltrica intermediria
entre condutores e isolantes. Os elementos semicondutores podem ser tratados
quimicamente para transmitir e controlar uma corrente eltrica.
Possuem em sua composio o silcio e o germnico, alm do glio, do cdmio,
arsnio e telrio, que formam ligaes covalentes semelhantes a dos materiais
cermicos, podendo ser considerados como uma subclasse da cermica. Possuem
propiedades eltricas que so intermediarias entre aquelas apresentadas pelos
condutores eltricos e pelos isolantes.
importante na fabricao de componentes eletrnicos tais como diodos,
transstores

outros

microprocessadores,

de

diversos

nanocircuitos

graus
usados

de
em

complexidade

tecnolgica,

nanotecnologia.

Portanto

atualmente o elemento semicondutor primordial na indstria eletrnica e confeco

de seus componentes.

Figuras
Figura 01 - Bandas de energia

10

Figura 02 - Impurezas no material tipo P

16

Figura 03 - Demonstrao de ons negativos.

17

Figura 04 - A corrente de buracos

17

Figura 05 - A transferncia de cargas

18

Figura 06 - Formao do elemento N

19

Figura 07 - Demonstrao dos ons positivos

20

Figura 08 - Trajetria de eltron e aparente do on.

21

Figura 09 - Movimento dos eletrons e das lacunas nos semicondutores

25

Figura 10 - Juno PN em aberto mostrando as duas

correntes (difuso e de deriva).

27

Figura 11 - Juno PN com polarizao reversa

28

Figura 12 - Juno PN com polarizao direta

29

Figura 13 - Curva tenso e corrente no diodo.

32

Figura 14 - Sentido de fluxo de corrente no diodo

33

Figura 15 - Curva de tenso e corrente no diodo

34

Abreviaturas
K Temperatura Kelvin
P-N Juno Positivo e Negativo
Sb antimnio
holes buraco
Ge Germnio
Si Silcio
Cis Circuitos integrados
CC Corrente Continua.

Sumrio
1. Introduo

2. Objetivos

3. Justificativa

4. Caracterizao dos principais materiais semicondutores

10

5. Silcio

11

5.1 Principais caractersticas

11

5.2 Aplicaes

12

6. Germnio

12

7. Semicondutor Extrnseco

13

8. Semicondutor Intrnseco

14.

9. Formao dos elementos tipo P e N

15

9.1 Formao do material tipo P

15

9.2 Formao do elemento tipo N

18

10. Conceito de lacuna ou vacncia

21

11. Mecanismo de conduo nos semicondutores

22

12. Mobilidade de carga em semicondutores

23

13. Portadores majoritrios e portadores minoritrios.

23

14. Movimento dos eltrons e das lacunas nos semicondutores dopados.

24

15. Difuso

25

16. Juno PN

26

16.1 Juno PN com Polarizao Reversa

27

16.2 Juno PN com Polarizao Direta

27

17. Aplicaes dos Materiais Semicondutores

29

18. Dispositivo semicondutor

30

19. Diodos

31

19.1 Diodos retificadores

34

19.2 Diodos de sinais

35

19.3 Diodos de comutao

35

19.4 Diodos de alta freqncia

35

19.5 Diodos estabilizadores de tenso

36

20. Concluso

37

21. Referncias

38

1. Introduo

Esse trabalho destaca os dispositivos semicondutores, que so componentes

muito importantes nos circuitos eletrnicos. Basicamente, controlam o fluxo da
corrente eltrica, podendo atuar como simples retificadores ou chaves interruptoras;
mas o fundamental desses dispositivos e a variao de fluxo de corrente
proporcionalmente a pequenos sinais de controle, fornecendo dessa maneira,
amplificao. Essa propriedade de controle de conduo de corrente explica o
grande uso dos materiais semicondutores nos circuitos diversos na eletrnica.

2. Objetivos

Atravs desse trabalho, buscam-se as principais caractersticas dos materiais

semicondutores. Mostrando a estrutura dos principais elementos silcio e germnio,
bem como o processo de dopagem dos semicondutores.
O comportamento dos semicondutores eletricamente ser mostrado de forma a
esclarecer ao leitor o que realmente a juno PN e como se do as polarizaes
desses materiais.
Por fim apresenta-se a alguns dispositivos semicondutores, e tambm
algumas aplicaes desses dispositivos, na rea da eletrnica.

3. Justificativa

Este trabalho foi desenvolvido como parte de estudo das matrias

fundamentais na disciplina Materiais eltricos do 4 perodo do curso de engenharia
eltrica da Universidade de Uberaba.
No desenvolvimento observa-se que para conhecer a fundo as particularidades
dos dispositivos semicondutores, necessrio um estudo detalhado desde a
estrutura atmica desses materiais at os diversos processos que envolvem a
confeco dos mesmos.
Na busca de evidenciar a importncia desses materiais, houve um ampla
pesquisa para demonstrar de forma objetiva uma sntese, que propicie uma
compreenso de como funcionam os materiais semicondutores.

10

4. Caracterizao dos principais materiais semicondutores

Em qumica sabe-se, que em condies normais, os tomos que possuem 4
eltrons na ltima camada de valncia no so estveis.
Os semicondutores se enquadram nesse grupo, mas por causa da forma com
que agrupam seus tomos (cada tomo fica equidistante e, relao a quatro outros
tomos, ou seja, uma estrutura cristalina) eles conseguem alcanar a estabilidade
fazendo quatro ligaes qumicas covalentes, conseguindo 8 eltrons na ltima
camada, e por consequncia ficam estveis quimicamente.
Mas qual so as caractersticas dos semicondutores que os tornam to
importantes para a eletrnica?
Os

semicondutores

formam

Bandas

de

Energia,

com

as

seguintes

caractersticas:

Figura 01 Bandas de energia

Fonte: Infoescola

So formadas bandas, separadas por Lacunas. A ltima banda chamada de

Banda de Conduo. Logo abaixo existe a Banda de Valncia, e em baixo as outras
camadas. Na temperatura 0 K, a banda de conduo vai estar totalmente vazia, e a
banda de valncia totalmente preenchida (Na imagem acima a temperatura est
mais elevada).
Quando o material aquecido, alguns eltrons saem da banda de valncia e
passam para a banda de conduo. Isso somente possvel devido ao ganho de

11

energia no eltron, pois para passar uma banda superior, deve ter energia o
suficiente (representado por E).
Concluso parcial: Sob temperatura 0 K os semicondutores possuem a camada de
valncia totalmente preenchida e um E relativamente baixo (entre o E dos
condutores e dos isolantes), o que possibilita controlar a condutividade deles
variando a temperatura.
5. Silcio
O silcio (latim: silex, pedra dura, ingls: silicon) um elemento qumico de
smbolo Si de nmero atmico 14 (14 prtons e 14 eltrons) com massa atmica
igual a 28 u. temperatura ambiente, o silcio encontra-se no estado slido. Foi
descoberto por Jns Jacob Berzelius, em 1823. O silcio o segundo elemento mais
abundante da face da terra, perfazendo 25.7% do seu peso. Aparece na argila,
feldspato, granito, quartzo e areia, normalmente na forma de dixido de silcio (
tambm conhecido como slica ) e silicatos ( compostos contendo silcio, oxignio e
metais). O silcio o principal componente do vidro, cimento, cermica, da maioria
dos componentes semicondutores e dos silicones, que so substncias plsticas
muitas vezes confundidas com o silcio.

Pertence ao grupo 14 (4A) da Classificao Peridica dos Elementos.

Apresenta-se na forma amorfa e cristalina; o primeiro na forma de um p pardo mais
reativo que a variante cristalina, que se apresenta na forma octadrica de colorao
azul grisceo e brilho metlico.
5.1 Principais caractersticas
Suas propriedades so intermedirias entre as do carbono e o germnio. Na
forma cristalina muito duro e pouco solvel, apresentando um brilho metlico e
uma colorao griscea. um elemento relativamente inerte e resistente ao da
maioria dos cidos; reage com os halognios e lcalis. O silcio transmite mais de
95% dos comprimentos de onda das radiaes infravermelhas.

12

5.2 Aplicaes
utilizado para a produo de ligas metlicas, na preparao de silicones, na
indstria cermica e, por ser um material semicondutor muito abundante, tem um
interesse muito especial na indstria eletrnica e microeletrnica, como material
bsico para a produo de chips para transistores, pilhas solares e, em diversas
variedades de circuitos eletrnicos.

O silcio um elemento vital em numerosas indstrias. O dixido de silcio, areia e

argila so importantes constituintes do concreto armado e azulejos (ladrilhos).
.
Outros importantes usos do silcio so:

Como material refratrio, sendo usado em cermicas e esmaltado.

Como elemento de liga em fundies.

Fabricao de vidro e cristais para janelas e isolantes, entre outros usos.

O carboneto de silcio um dos abrasivos mais importantes.

Usa-se em lasers para a obteno de luz com um comprimento de onda de

456 nm.

O silicone se usa em medicina para implantes em seios e produo de lentes

de contato.

O silicone usado para fabricao de Chupetas.

6. Germnio
O germnio um elemento qumico de smbolo Ge , nmero atmico 32 (32
prtons e 32 eltrons ) com massa atmica 72,6 uma. temperatura ambiente, o
germnio encontra-se no estado slido. um semi-metal pertencente ao grupo 14( 4
A) da Classificao Peridica dos Elementos.Foi descoberto em 1886 pelo alemo
Clemens Winkler. As aplicaes do germnio esto limitadas ao seu alto custo e em
muitos casos estuda-se a sua substituio por materiais mais econmicos. Sua
aplicao principal como semicondutor em eletrnica, produo de fibras pticas e
equipamentos de viso noturna.

13

6.1 Principais caractersticas

O germnio um semi-metal slido, duro, cristalino, de colorao branco
acinzentada, lustroso, quebradio, que conserva o brilho em temperaturas
ordinrias. Apresenta a mesma estrutura cristalina do diamante e resiste ao dos
cidos e lcalis. Forma grande nmero de compostos organolpticos e um
importante material semicondutor utilizado em transstores e fotodetetores.
Diferentemente da maioria dos semicondutores, o germnio tem uma pequena
banda proibida (band gap) respondendo de forma eficaz a radiao infravermelha e
pode ser usado em amplificadores de baixa intensidade.
6.2 Aplicaes
As aplicaes do germnio esto limitadas ao seu alto custo e em muitos casos
estuda-se a sua substituio por materiais mais econmicos. Os principais usos so:

Fibra ptica.

Eletrnica: Radares, amplificadores de guitarras eltricas, ligas metlicas de

SiGe em circuitos integrados de alta velocidade.

ptica de infravermelhos: espectroscpios, sistemas de viso noturna e

outros equipamentos.

Lentes, com alto ndice de refrao, de ngulo amplo e para microscpios.

Em jias usado uma liga metlica de Au com 12% de germnio.

Como elemento endurecedor do alumnio, magnsio e estanho.

Em quimioterapia.

O tetracloreto de germnio usado como catalisador na sntese de

polmeros.

Foi usado enquanto germanato de bismuto no tipo de camera gama utilizada

nos anos 80, em medicina nuclear.

7. Semicondutor Extrnseco
H diversas maneiras de se provocar o aparecimento de eltrons e lacunas
livres no interior de um cristal semicondutor. Uma delas atravs da energia trmica
(ou calor), e a sua produo de pares, eletro-lacuna, recebe o nome de gerao
trmica de portadores. Outra maneira consiste em fazer com que um feixe de luz

14

incida sobre o material semicondutor, baseando-se este fenmeno no princpio de

funcionamento dos dispositivos fotossensveis. Na prtica, contudo, necessitamos
de um cristal semicondutor em que o nmero de eltrons livres seja bem superior ao
nmero de lacunas, ou de um cristal onde o nmero de lacunas seja bem superior
ao nmero de eltrons livres. Isto e conseguido tomando-se um cristal semicondutor
puro (intrnseco) e adicionando-se a ele, por meio de tcnicas especiais, uma
determinada quantidade de outros tipos de tomos, aos quais chamamos de
impurezas. Tais impurezas, propositadamente adicionadas ao cristal, tm uma
concentrao de cerca de um tomo par cada 1.000.000 tomos do material
semicondutor. Este processo tem o nome de dopagem, termo proveniente da
palavra inglesa "Doping", (substncia estimulante, excitante, muito usada nos meios
desportivos).
Quando so adicionadas impurezas a um cristal puro, este passa a ser impuro,
sendo denominado, ento, semicondutor extrnseco. Por extrnseco compreendemos
que as caractersticas eltricas do cristal se devem s impurezas a ele adicionadas,
e no aos caracteres do prprio material.
Por que, no incio, o cristal submetido a um rigoroso processo de purificao
se, logo em seguida, so adicionadas impurezas?

A resposta simples: As

impurezas eliminadas inicialmente eram indesejveis, porque no sabamos o tipo e

a quantidade das mesmas, no apresentando o cristal nenhuma aplicao til.
Contudo, aps o processo de purificao, as impurezas adicionadas so do tipo
conhecido e de quantidade bem detalhada, o que permite a fabricao de cristais
semicondutores

com

caractersticas,

para

as

mais

diversas

aplicaes.

As impurezas utilizadas na "dopagem" de um cristal semicondutor podem ser de

dois tipos: impurezas doadoras e impurezas aceitadoras.
8. Semicondutor Intrnseco.

O termo cristais semicondutores puros e uma verdade terica, na prtica no se

conseguem

purezas

absolutas

(100%).

O Silcio e o Germnio so encontrados na prpria Natureza, O Germnio

obtido de um p branco, o Dixido de Germnio, e o Silcio so extrados do xido
de Silcio. Aquecendo-se o Dixido de Germnio durante algumas horas, em uma
atmosfera de Hidrognio, obtm-se o Germnio metlico, j bastante puro, sob o

15

ponto de vista qumico.

Entretanto, para a fabricao de dispositivos semicondutores, exige-se um grau

de pureza extremamente elevado (da ordem de 99,99999999%), que equivale a um
grama de impurezas, no mximo, em cada 10.000 toneladas de material
semicondutor. Portanto, quando nos referimos a um material semicondutor, estamos
supondo que as impurezas contidas no cristal praticamente no interferem em seu
comportamento eltrico. A esse tipo de semicondutor, em que as impurezas nele
existentes so apenas as que no puderam ser eliminadas durante o processo de
purificao do cristal, damos o nome de semicondutor intrnseco. Este termo
significa que as caractersticas eltricas do cristal so devidas ao prprio material
semicondutor, e no s suas impurezas.
9. Formao dos elementos tipo P e N
Devido a tendncia de transformar-se em uma estrutura simtrica, um material
semicondutor quase no possui eltrons livres. Para se utilizar efetivamente os
materiais semicondutores, so introduzidos elementos adicionais, nas estruturas
cristalinas denominadas impurezas, atravs de processos de injeo ou difuso.
Estas impurezas so elementos cujos tomos possuem trs ou cinco eltrons na
camada de valncia. Estas impurezas so introduzidas dentro do material
semicondutor em pequenas quantidades.
A tendncia de formar uma estrutura simtrica faz com que os tomos de
impurezas se acomodem de tal maneira que produzam eltrons livres, portanto que
podem ser deslocados com facilidade (o quinto eltron de cada tomo da impureza).
Ou a falta de eltrons no caso da adio de elementos com trs eltrons na ltima
camada.
9.1 Formao do material tipo P
Se a dopagem do cristal ns, ao invs de utilizar um elemento com 5 eltrons
na sua camada de valncia, utilizar-se um elemento com 3 eltrons na sua camada
de valncia, como o ndio, boro ou glio, ir formar um outro tipo de material
semicondutor.
Utilizando-se o ndio como impureza, na mesma proporo que foi usada com o
antimnio (um para dez milhes de tomos de silcio ou germnio), o ndio vai

16

formar ligaes covalentes com os quatro tomos vizinhos do silcio ou do germnio.

O tomo de ndio vai aceitar os quatro eltrons dos tomos vizinhos, mas pode doar
apenas os trs eltrons da sua camada de Valencia. Dessa forma, trs pares de
eltrons so completados, formando ligaes covalentes. A quarta ligao vai ficar
incompleta, apenas com um eltron, fornecido pelo silcio ou o germnio. A falta
desse eltron nesta ligao chamada de buraco ou lacuna. Atua como uma carga
eltrica positiva, atraindo qualquer eltron que esteja por perto, para completar a sua
ligao. Por esta razo, o ndio chamado de receptor. O cristal do tipo P,
representando a carga eltrica provocada pelo buraco.

ndio como impureza

Figura 02: Impurezas no material tipo P
Fonte: Instituto Padre Reus

O eltron do silcio que no forma ligao covalente com o ndio por sua vez,
estar preso ao ncleo do silcio apenas pela atrao inica, e pela agitao trmica
pode se liberar e sair da sua rbita, circulando por dentro da estrutura cristalina, e
preenchendo um buraco. Sempre que um eltron se liberta do seu tomo, deixa
outro buraco, e o resultado disso ser um movimento desordenado de buracos
dentro do material. Dizemos, ento, que um material do tipo P tem buracos livres,
assim como a matria do tipo N tem eltrons livres.
Sempre que um eltron completa a quarta ligao do tomo de ndio, ele se
torna um on negativo. Pela agitao trmica, que ocorre j em temperaturas
normais, um cristal do tipo P possui buracos livres e ons negativos.

17

tomo de ndio (neutro)

on de ndio (negativo)

Figura 03: Demonstrao de ons negativos.

Fonte: Instituto Padre Reus.

Aplicando-se um potencial eltrico num cristal do tipo P, haver uma corrente

de buracos dentro da estrutura cristalina do material.Os eltrons de valncia tambm
esto se movendo mas sempre que um eltron abandona a rbita do silcio ou do
germnio, provoca outro buraco, e como existem mais buracos que eltrons,
chamamos aos buracos de portadores majoritrios de corrente em um material do
tipo P. Os ons negativos no podem se mover porque pertencem estrutura
cristalina.

Figura 04: Demonstrao da corrente de buracos

Fonte: Instituto Padre Reus.

Durante a circulao da corrente, poder ocorrer que um buraco venha a

neutralizar um on negativo, enquanto que mais prximo do terminal positivo, um
tomo adquire um eltron, se tornando um on negativo. A impresso que se tem
que os ons esto se dirigindo para uma direo oposta ao fluxo de buracos, mas

18

numa proporo muito menor, porque o nmero de tomos de silcio ou germnio e

muito maior do que os tomos das impurezas. Dessa forma, a maioria dos buracos
atravessa o cristal sem anular um on negativo. Tais ons so imveis.

Figura 05: Demonstrao transferncia de cargas

Fonte: Instituto Padre Reus.

9.2 Formao do elemento tipo N

Um dos processos de dopagem do material consiste em usar elementos que
contenham cinco eltrons na sua camada de Valncia, como o antimnio ou o
arsnio. So colocados na estrutura cristalina do silcio ou do germnio na
proporo de um para cada dez milhes de tomos.
Usando-se como impureza o antimnio (Sb) durante o processo de fabricao
do semicondutor, o antimnio forado a participar das ligaes covalentes do
silcio ou germnio, doando quatro eltrons para os tomos que esto ao seu lado.
Os tomos vizinhos vo ficar completos com esses 4 tomos de antimnio e estes
eltrons estaro firmemente presos.O quinto eltron do antimnio, no pertencendo
estrutura cristalina, preso ao ncleo do antimnio apenas pela fora inica.Mas
mesmo temperatura ambiental normal, a agitao trmica (que o movimento

19

desordenado do eltron provocado pelo calor) vai fornecer energia cintica a este
eltron suficiente para que se liberte do seu ncleo e fique vagando, completamente
sem destino, dentro da estrutura cristalina do material.Este eltron e chamado de
eltron livre.Este cristal chamado do tipo N, representando a carga negativa do
eltron livre. O antimnio chamado de elemento doador de impureza.

Figura 06: Demonstrao formao do elemento N

Fonte: Instituto Padre Reus.

O tomo de antimnio possuindo mesmo nmero de prtons e eltrons neutro

eletricamente. No momento em que o eltron que no esta participando das ligaes
covalentes se liberta, pela agitao trmica, o antimnio fica com uma carga positiva
em excesso.
Dessa forma diz-se, ento que o antimnio um on positivo. Ao cristal
contendo ons, dizemos que est ionizado. Ento, dentro de um cristal do tipo N, ns
vamos ter ons positivos e eltrons livres.
Quando aplicamos uma tenso num cristal do tipo N, os eltrons livres
presentes na estrutura do cristal vo permitir o fluxo de uma corrente eltrica. Aos
eltrons livres chamamos de portadores majoritrios da corrente eltrica, num cristal
do tipo N. Observe que os ons positivos no podem mover-se porque fazem parte
da estrutura cristalina do material.

20

Figura 07: Demonstrao dos ons positivos

Fonte: Instituto Padre Reus.

Durante o fluxo de eltrons dentro do material do tipo N, devido tenso

eltrica aplicada, pode ocorrer que um dos eltrons venha a voltar para a sua
posio original dentro do tomo de antimnio, anulando o on positivo representado
pelo antimnio desfalcado de um eltron. O efeito de que os ons parecem estar se
deslocando dentro da estrutura cristalina no sentido oposto ao do fluxo de eltrons.
O deslocamento de ons, que na verdade no existe, muito pequeno, porque o
cristal apresenta apenas um on para cada dez milhes de tomos de silcio ou
germnio, por esta razo que a maioria dos eltrons passa pelo cristal sem
encontrar e anular os ons positivos. Os ons nesse caso no se movem. Eles
podem parecer se mover devido ao efeito de um eltron anular um on, e ser criado
outro on dentro da estrutura do material, parecendo deste modo fluir, em sentido
contrrio aos dos eltrons.

21

Figura 08: Trajetria de eltron e aparente do on.

Fonte: Instituto Padre Reus.

10. Conceito de lacuna ou vacncia

Lacunas referem-se a estados da banda de valncia vazios, no preenchidos

por eltrons. Elas so tambm chamadas por buracos ou holes em Ingls. A
lacuna pode ser tratada como uma partcula de carga positiva, e que esta sua
caracterstica deve-se ao comportamento estranho dos demais eltrons da banda de
valncia onde se encontra a lacuna. Na realidade a lacuna no existe como partcula
ou como entidade isolada, mas ela uma conseqncia do movimento de eltrons
num potencial peridico. Assim, a lacuna livre no existe. No possvel criar um
canho de lacunas como existe para eltrons. Lacunas resultam de um artifcio
matemtico.

Quando um eltron adquire energia suficiente para passar da banda

de valncia para a banda de conduo, ele deixa atrs de si um estado vacante no

topo da banda de valncia (novamente devemos lembrar que isto significa que um
eltron foi arrancado de uma ligao, e a falta desse eltron produz esse estado
vacante). Esta lacuna pode ser ocupada por um eltron de um estado prximo (ou
seja, o eltron de uma ligao vizinha), j que pouca energia requerida para essa
transio. Dessa maneira, tudo se passa como se a lacuna se movesse dentro do
cristal na banda de valncia do mesmo modo como o eltron na banda de conduo.
Na verdade, muitos eltrons so envolvidos no movimento de uma nica lacuna,
porm, ao invs de considerarmos o comportamento dos eltrons consideraremos o
da lacuna.
As lacunas comportam-se como as partculas com carga igual em magnitude a
do eltron, porm, de sinal oposto. Sob a ao de um campo eltrico, elas movemse na direo oposta quela dos eltrons. O mecanismo qualitativo pelo qual a

22

lacuna contribui para a condutividade o seguinte: quando uma ligao

incompleta (tal que existe uma lacuna) relativamente fcil de ser preenchida por
um eltron de valncia que deixa uma ligao covalente de um tomo vizinho, este
eltron ao sair da ligao covalente, deixa outra lacuna. Esta lacuna, nesta nova
posio, pode agora ser preenchida por um eltron oriundo de outra ligao
covalente, e a lacuna se mover na direo oposta ao movimento do eltron. Assim,
efetivamente, a lacuna se move na direo oposta direo do eltron. Temos
assim, um mecanismo de conduo de eletricidade que no envolve eltrons livres.
transporte de carga positiva. Portanto, para o fluxo de portadores, a lacuna
comporta-se como uma carga positiva, igual em magnitude da carga do eltron.
Podemos ento considerar, que as lacunas so entidades fsicas cujo movimento
constitui uma corrente eltrica.
As propriedades das lacunas podem ser resumidas:

a) Comportam-se como partculas de igual carga quela do eltron, porm de sinal

oposto;
b) Sob a ao de um campo E, se movem a favor do campo eltrico (direo oposta
a dos eltrons);
c) Existem s no topo da banda de valncia, enquanto que os eltrons se movem
em sentido contrrio com energia no p da banda de conduo.
Entretanto, no devemos esquecer que, fisicamente, somente os eltrons se
movem na direo oposta ao campo. Um grupo deles, livres, e outro grupo, preso
pelas ligaes qumicas, saltando de lacuna em lacuna disponvel. Temos assim,
dois processos de conduo distintos, e como veremos isto resultar em mobilidade
diferente para cada um deles.

11. Mecanismo de conduo nos semicondutores

Consideremos um semicondutor com certa populao de eltrons na banda de

conduo. Essa populao depende, logicamente, da impureza existente no material
e da temperatura. Esses eltrons ocupam os nveis mais baixos da banda de
conduo, sujeito s condies restritivas de que no mais de dois eltrons podem
ocupar o mesmo nvel simultaneamente. Tal restrio na realidade no tem sentido
prtico, como analisaremos a seguir. Suponhamos que essa populao de eltrons

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seja de 10 eltrons/m3. Eles se encontram nos estados permitidos de energia

localizados numa faixa de aproximadamente 0,04 eV (3/2 kT a 300 K) de energia a
partir do extremo inferior da banda. Porm, nessa faixa de energia, existem nveis
suficientes para acomodar 104 vezes esse nmero de eltrons. Deste modo, os
eltrons presentes na banda de conduo tm um nmero muito grande de nveis
desocupados para os quais podem se transferir, quando suas energias forem
modificadas por um campo eltrico aplicado. Muito raramente a ao de um eltron
ficar limitada pela presena dos demais. O mesmo raciocnio vlido para a
populao de lacunas na banda de valncia do material. Entretanto, nesse caso a
faixa de energia ocupada medida no sentido descendente, iniciando no topo da
banda de valncia e terminando em torno de 0,04 eV abaixo desse topo.Podemos,
ento, considerar esses eltrons e essas lacunas como praticamente livres no
material. So esses portadores os responsveis pelo transporte de corrente no
semicondutor quando sujeito a um campo eltrico, e, portanto, que determinam a
condutividade do material a uma dada temperatura.

12. Mobilidade de carga em semicondutores

Um semicondutor tem transportadores de carga negativos e positivos. Os

eltrons que saltam para a banda de conduo so transportadores do tipo negativo
e a condutividade, que eles produzem depende de sua mobilidade atravs da BC do
semicondutor. Os buracos (lacunas) eletrnicos que so formados na banda de
valncia so transportadores do tipo positivo. A condutividade por eles produzida
depende da sua mobilidade atravs da BV do semicondutor.
A mobilidade de deslocamento sendo a relao entre a velocidade de
deslocamento por unidade de campo eltrico. Esta grandeza fornece uma medida da
maior ou menor facilidade com que o eltron pode deslocar-se atravs de um dado
material e depende da T e do tipo de impureza presente nesse material (depende da
natureza do processo de espalhamento).
13. Portadores majoritrios e portadores minoritrios.

Num cristal semicondutor puro (cristal intrnseco) temperatura ambiente,

aparecero eltrons e lacunas livres em igual nmero, devido gerao trmica de
portadores. Suponhamos que existam 100 pares de electres-lacunas (100 eltrons

24

e 100 lacunas livres), e que sejam adicionados tomos pentavalentes (1.000, por
exemplo). Como as impurezas doadoras (tomos pentavalentes) fazem aparecer
eltrons livres no interior do cristal, cada tomo de impureza doadora contribuindo
com um eltron, teremos ento 1000 electres livres, devido a tais impurezas. O
cristal N, assim formado ter 100 lacunas e 1.100 eltrons livres, na temperatura de
20C, como portadores de corrente eltrica. Notaremos, ento, que teremos dois
tipos de portadores nesse cristal. Entretanto, devido ao fato de termos adicionado
impurezas doadoras, fizemos com que a maior parte dos portadores se
transformassem em eltrons. Desta forma, num cristal semicondutor tipo N, os
eltrons so portadores em maioria ou portadores majoritrios de corrente eltrica.
As lacunas, por sua vez, so portadores em minoria ou portadores minoritrios de
corrente

eltrica.

Se no cristal intrnseco forem adicionados tomos trivalentes (1.000, por

exemplo), cada um desses tomos (impureza aceitadora) contribuir com uma
lacuna; teremos, ento, 1.000 lacunas livres provocadas por tais impurezas. O cristal
tipo P, assim formado, ter 100 eltrons e 1.100 lacunas livres como portadores da
corrente eltrica, temperatura de 20C. Assim sendo no cristal P os portadores
majoritrios so lacunas, pois esto em rnaioria os portadores minoritrios so os
eltrons, que constituem a minoria.
Para finalizar, suponhamos que o cristal tipo N ou o tipo P sejam submetidos
temperatura de zero grau absoluto (-273C). Quando os 100 eltrons e as 100
lacunas, gerados termicamente, iro desaparecer (fenmeno da recombinao),
ficando apenas os 1.000 electres livres e as 1.000 lacunas produzidas pelas
impurezas. Isto permite concluir que, enquanto o cristal puro (intrnseco) um
isolante perfeito, temperatura de -273C, o cristal impuro (extrnseco) no
apresenta esse isolamento mesma temperatura.
14. Movimento dos eltrons e das lacunas nos semicondutores dopados.
Vimos que no cristal puro, quando submetidos a uma diferena de potencial
(tenso eltrica), os eltrons e as lacunas livres se movimentam em sentido
contrrio, e que, nesse cristal, o nmero de lacunas igual ao numero de eltrons
livres. Nos cristais semicondutores dopados (tipos N e P), os eltrons e as lacunas
tambm se movimentam em sentido contrrio.

25

Num cristal tipo N, o fluxo de eltrons ser muito mais intenso que o fluxo de
lacunas (figura A e B), porque o nmero de eltrons livres (portadores
majoritrios) muito maior que o nmero de lacunas livres (portadores minoritrios).
Entretanto, num cristal tipo P, onde o nmero de lacunas (portadores majoritrios)
maior que o nmero de eletrons livres (portadores minoritrios), o fluxo de lacunas
ser muito mais intenso que o de electres livres (figuras C e D).

Figura 09: Movimento dos eletrons e das lacunas nos semicondutores

Fonte: Alchemist Engenharia

Em ambos os casos, evidente que a corrente eltrica 1, pelo circuito eltrico,

ser formada apenas por electres. Na realidade, um fluxo de lacunas da direita
para a esquerda equivale a um fluxo de electres da esquerda para a direita, do
mesmo modo que um fluxo de lacunas da esquerda para a direita cor responde a um
fluxo de eletrons da direita para a esquerda. Desta forma, as correntes de lacunas e
eletrons somam-se no interior do cristal, produzindo a corrente externa 1.
15. Difuso
Imagine uma gota de tinta sendo colocada em um copo com gua. O que
acontecer? A tinta ir se difundir pela gua em uma tentativa de uniformizar a
concentrao. Esse fenmeno de difuso usado para explicar a corrente em uma

26

juno PN. Quando existir uma diferena de concentrao de portadores entre dois
pontos de um condutor, esses portadores se deslocaro entre os dois pontos
fazendo aparecer uma corrente chamada de corrente de difuso.
16. Juno PN
obtida conectando, de forma adequada, material P ao material N. Como
existe uma diferena de concentrao de portadores de ambos os lados da juno,
inicialmente haver uma difuso de eltrons livres do lado N indo para o lado P e
ao mesmo tempo lacunas se difundiro do lado P para o lado N. A conseqncia
disso que do lado N aparecero ons positivos no neutralizados e do lado P ons
negativos no neutralizados fazendo aparecer uma regio que no tem cargas
livres, por isso chamada de regio de depleo.
Essa distribuio de cargas cria uma barreira a qual se opor difuso de mais
portadores majoritrios lacunas no lado P e eltrons livres no lado N. Essa corrente
representada por IDifuso.

..

Caso algum portador minoritrio (aqueles gerados pela temperatura), eltron

livre do lado P ou lacuna do lado N, se aproxime desta regio, sero acelerados
pelo campo ai existente e passar para a outra regio. Esse fluxo representado na
figura abaixo por IDeriva. Na figura a seguir, aps o equilbrio, a soma das correntes
atravs da juno zero. Isto , IDeriva= IDifuso .

27

Figura 10: Juno PN em aberto mostrando as duas correntes (difuso e de deriva).

Fonte: Facstaff

16.1 Juno PN com Polarizao Reversa

Quando for aplicada uma tenso com a polaridade indicada na figura 11, a
largura da regio de depleo aumentar. Aumentado a altura da barreira de
potencial dificultando mais ainda a passagem dos portadores majoritrios de um
lado da juno para o outro. A nica corrente existente a corrente devido aos
portadores minoritrios os quais dependem unicamente da temperatura, desta
forma esta corrente tambm chamada de corrente reversa de saturao (Is) s
depender da temperatura sendo da ordem de nA (Si) ou uA (Ge). Observe que
essa corrente ajudada pelo campo eltrico que se estabelece na regio de carga
espacial.

Figura 11: Juno PN com polarizao reversa

Fonte: Facstaff

16.2 Juno PN com Polarizao Direta

Quando for aplicada uma tenso com a polaridade indicada na figura 12, a
largura da regio de depleo diminuir, diminuindo a altura da barreira de potencial
facilitando o deslocamento dos portadores majoritrios de um lado da juno para o
outro. Inicialmente toda a tenso estar aplicada diretamente na regio da juno,

28

baixando a barreira de potencial, e a queda de tenso no material N e P

desprezvel. A corrente controlada pela variao da altura da barreira.
A medida que a corrente aumenta, a tenso externa se distribui entre o
material e a barreira. A partir desse ponto a corrente passa a ser controlada pela
resistncia direta do material (a corrente no diodo passa a ter um comportamento
aproximadamente linear com a tenso). Colocando adequadamente terminais de
contato em ambas as extremidades teremos um componente chamado de diodo de
juno. Para limitar a corrente no circuito necessrio colocar em serie com o diodo
uma resistncia hmica, caso contrrio a corrente pode aumentar em demasia
destruindo o componente por efeito Joule.

A corrente s aumentar efetivamente quando a tenso aplicada entre os

terminais exceder aproximadamente de 0,6V a 0,7V (para diodo de Si), quando a
barreira de potencial ser vencida.

Figura 12: Juno PN com polarizao direta

Fonte: Facstaff

Observe que a corrente total atravs da juno (I) ser constituda de duas
componentes, a corrente de saturao mais a corrente de difuso, sendo que a de
difuso muito maior que a de saturao. Desta forma:
I= ID - IS = ID
A equao da corrente atravs da juno dada por:

29

Onde Is a corrente reversa de saturao, V a tenso aplicada na juno, n vale

aproximadamente 1 para Ge e 2 para Si e VT uma constante que depende da
temperatura valendo 26mV na temperatura ambiente (T=300 Kelvin).
Se V for positivo e muito maior que 26 mV, o diodo estar polarizado diretamente.
Se V for negativo e muito maior que 26 mV (em modulo) o diodo estar polarizado
17. Aplicaes dos Materiais Semicondutores

O semicondutor um material-chave na indstria eletrnica. Os dispositivos

que utilizam o semicondutor so hoje utilizados em todo tipo de circuitos.

Os dispositivos semicondutores mais comuns so o diodo, o transistor e os

dispositivos fotossensveis, conforme discriminamos abaixo:

Diodo semicondutor: formado pela juno p e n e tem como utilidade bsica

permitir o fluxo de corrente eltrica apenas em um sentido (o sentido de
polarizao direta)

Transistor: formado pela insero de um semicondutor tipo p entre dois

semicondutores tipo n ou vice-versa. O material do meio chamado base e
os outros, emissor e coletor. O transistor funciona basicamente como um
amplificador de corrente se esta for alta (ligeiramente alta) ou como um
interruptor de corrente se esta for prxima de zero.

Dispositivos

fotossensveis:

dividem-se

em

Clulas

fotocondutivas:

fotoresistores, fotodiodos e fototransistores; e Clulas fotovoltaicas.

As Clulas fotocondutivas funcionam da seguinte forma: Quando um fluxo
luminoso incide sobre o material semicondutor, os ftons podem fornecer aos
eltrons energia suficiente para produzir a ruptura de ligaes covalentes. A ao
dos ftons ocasiona a produo de par eltron-lacuna, o que provoca um aumento
da

condutividade

fotocondutividade.

do

semicondutor.

Esse

fenmeno

conhecido

como

30

Quanto s Clulas fotovoltaicas, conforme o nome indica, tais clulas produzem

uma tenso eltrica quando submetidas ao de um fluxo luminoso. Sua utilidade
se estende na busca por energia alternativa.

Microeletrnica: O advento da Microeletrnica foi um dos mais notveis

avanos tecnolgicos no campo da eletrnica, sendo fundamentalmente oriunda das
necessidades inerentes ao programa espacial americano com relao a peso,
dimenses, potncia consumida e confiabilidade. As restries impostas nestes
casos eram impossveis de serem satisfeitas com os circuitos convencionais, usando
componentes discretos.

Um dos setores da Microeletrnica responsvel pelos Circuitos Integrados

(CIs). Os circuitos integrados ou chips so uma fina pastilha de silcio, onde esto
agrupados circuitos microscpicos que podem conter milhes de componentes
eletrnicos como resistores, capacitores, transistores, etc.

18. Dispositivo semicondutor

So componentes eletrnicos que exploram as propriedades eletrnicas de
materiais semicondutores, principalmente silcio, germnio, e arseneto de glio,
assim como semicondutores orgnicos. Dispositivos semicondutores tem substitudo
dispisitivos terminicos (tubos de vcuo) na maioria das aplicaes. Eles usam
conduo no estado slido em oposio ao estado gasoso ou emisso terminica no
alto vcuo.
Dispositivos semicondutores so manufaturados tanto em dispositivos nicos
disccretos como em circuitos integrados (CIs), os quais consistem de um nmero
variando de uns poucos (to baixo quanto dois) a bilhes de dispositivos fabricados
e interconectados sobre um substrato semicondutor nico.
A principal razo porque materiais semicondutores so to teis que o
comportamento de um semicondutor pode ser facilmente manipulado pela adio de
impurezas, o que conhecido como "dopagem (a adio de um "dopante"). A

31

condutividade de semicondutores pode ser controlada pela introduo de um campo

eltrico, pela exposio luz, e tambm presso e calor; ento, semicondutores
podem produzir excelentes sensores. A conduo de corrente em um semicondutor
ocorre via eltrons mveis ou "livres" e buracos electrnicos, coletivamente
conhecidos como portadores de carga.
19. Diodos
Os diodos so diferentes e teis componentes eltricos. Os diodos so usados em
muitas aplicaes, como a seguir.
Convertendo energia AC a partir da linha de 60Hz em energia CC para
rdios, televisores, mquinas de atendimento telefnico, computadores e muitos
outros aparelhos eletrnicos.
A converso de sinais de radiofreqncia em sinais sonoros em rdios.
Os Diodos tm as seguintes caractersticas.
Os diodos so dois aparelhos de terminal, como resistores e capacitores.
Eles no tm muitos terminais como transistores ou circuitos integrados.
Em diodos atuais est diretamente relacionada tenso, como em um
resistor. Eles no so como condensadores onde a corrente est relacionada com o
tempo de derivados de tenso ou indutores onde a derivada da corrente est
relacionada com a tenso.
Nos diodos a corrente no est linearmente relacionada tenso, como em
um resistor.
Diodos s consomem energia.

Eles no produzem energia como uma

bateria. Eles so considerados dispositivos passivos.

Os diodos so no-lineares, dois terminais, dispositivos eltricos passivos.
Em geral, os diodos tendem a permitir o fluxo de corrente em uma direo, mas
tendem a inibir o fluxo de corrente na direo oposta. O grfico abaixo mostra como
o atual pode depender da tenso de um diodo.

32

Figura 13: Curva tenso e corrente no diodo.

Fonte: Facstaff
Observe o seguinte.
Quando a tenso sobre o diodo positivo, uma grande quantidade de corrente
pode fluir uma vez que a tenso se torna grande o suficiente.
Quando a tenso sobre o diodo negativo, praticamente nenhuma corrente
flui.
O smbolo de circuito de um diodo projetado para lembrar que a corrente flui
facilmente atravs de um diodo em uma direo. O smbolo de circuito de um diodo
mostrada abaixo, juntamente com as convenes comuns para a corrente atravs
do diodo e a tenso atravs do diodo.

Figura 14: Sentido de fluxo de corrente no diodo

Fonte: Facstaff

33

Os diodos:
Deixam uma grande quantidade de fluxo de corrente atravs deles,
s vezes, eles dificilmente permitem qualquer fluxo de corrente atravs
deles.
Esse comportamento nos d uma maneira de pensar o que acontece nos
circuitos de diodos.
Ns vamos adotar um modelo simplificado para o diodo. Em vez da tenso de
corrente curva real para o diodo mostrado na mais leve, vermelho fino, linha curva
abaixo, vamos imaginar que o diodo tem a curva de tenso de corrente mostrado no
mais espesso, escuro linhas vermelhas abaixo.

Figura 15: Curva de tenso e corrente no diodo

Fonte: Facstaff

A tenso de corrente da curva aproximada nos d uma maneira de analisar circuitos

que contm diodos, e ter em conta o seu comportamento esquizofrnico.
Quando a corrente est fluindo, este modelo prev aproximado sem tenso
atravs do diodo. Nesta situao, dizemos que o diodo est ligado.

34

Quando a tenso sobre o diodo negativa, este modelo aproximado prev

nenhuma corrente flui atravs do diodo. Nesta situao, dizemos que o diodo
OFF.
Agora, considera este tipo de modelo simplificado para o diodo.
Quando o diodo ligado, ele no tem voltagem, assim que age como um
curto-circuito! Quando o diodo ligado, a corrente atravs do diodo positivo, e a
tenso sobre o diodo zero.
Quando o diodo est desligado, a corrente zero, portanto, ele age como
um circuito aberto.

Quando o diodo est desligado, a tenso sobre o diodo

negativa, a corrente atravs do diodo zero.

Este modelo para o diodo muitas vezes referido como o modelo de diodo ideal.
19.1 Diodos retificadores
A estrutura das cpsulas destes diodos depende, assim como a rea de sua
juno, da potncia que eles devem dissipar e da corrente que devem conduzir.
Para os de baixa e mdia potncia (at o valor Mximo de 1 watt), usam-se cpsulas
de plstico.Os que tem potenciais superiores a esse valor exigem cpsulas
metlicas. No caso de potenciais muito elevadas, essas cpsulas devem ser
construdas de maneira a permitir a montagem do diodo em um dissipador de calor
com um sistema de fixao por parafuso ou por presso.
Em alguns circuitos de alimentao usam-se como alternativa para a ponte os
circuitos de retificao de onda completa. Esses circuitos aproveitam os dois
semiciclos (positivo e negativo) da tenso alternada aplicada na entrada.
Os retificadores em ponte monofsicos so formados por quatro diodos ligados
entre si de modo que ficam com dois terminais de entrada para a tenso alternada e
com dois terminais de sada para a tenso retificada. Naturalmente, um dos dois
terminais positivo e outro, negativo.

35

Como a procura de retificadores em ponte tornou-se bastante grande, os

fabricantes resolveram oferecer aos consumidores esse tipo de montagem j pronto,
ligando os quatro diodos e envolvendo-os em uma cpsula, como se fossem um
nico componente: a ponte retificadora.
Em razo disso, h no mercado vrios tipos de pontes. Elas se diferenciam
pela

intensidade mxima

de

corrente dos

diodos

que as

compem e,

conseqentemente, pela menor ou maior potncia dissipada, como ocorre com os

diodos isoladamente.
19.2 Diodos de sinais
Os diodos para sinais so utilizados para o tratamento dos sinais comuns num
circuito. Tambm podem ser empregados na elaborao de sinais digitais. Os
diodos para sinais so normalmente de baixa potncia.

19.3 Diodos de comutao

Os diodos de comutao diodos rpidos distinguem-se pela capacidade de
trabalhar com sinais digitais utilizados em circuitos lgicos. O parmetro que
caracteriza estes diodos o tempo de comutao. Ele depende do atraso que um
juno P-N estabelece quando est conduzindo corrente.
So considerados rpidos os diodos com tempo de comutao inferior a 100
nanosegundos, nos modelos de media e alta potncia. Nos de baixa potncia, o
tempo de comutao deve ser da ordem de 1 nanossegundo. Para que eles sejam
considerados rpidos.
19.4 Diodos de alta freqncia
Os diodos de alta so usados nos circuitos que trabalham com freqncias
superiores a 1 megahertz . Estes diodos diferenciam-se dos demais por
apresentarem uma baixa capacitncia de difuso ente s duas regies
semicondutoras de uma juno P-N, quando esto polarizados no sentido de
conduo.

36

19.5 Diodos estabilizadores de tenso

Os diodos estabilizadores de tenso, tambm chamados diodos Zener, so
usados para se obter, entre seus terminais, uma tenso constante e relativamente
independente da corrente que os atravessa.

37

20. Concluso

Identificou-se nesse trabalho as principais propriedades dos elementos

semicondutores, bem como, as tcnicas de dopagem para poder utilizar os
materiais. Os mtodos de purificao e as suas principais aplicaes.
Os semicondutores so

elementos de suma importncia para a eletrnica

digital bem como para a eletrotcnica, onde utilizamos em retificadores de corrente,

reguladores de tenses e muitas outras aplicaes.
Contudo o foco de buscar o conhecimento sobre o comportamento de corrente
e tenso nos semicondutores, foi satisfatrio. Esse esclarecimento define que os
materiais ou dispositivos semicondutores possuem caractersticas eltricas que
propiciam o controle de corrente e tenso, sendo que tais dissipam pequena
quantidade de calor, facilitando sua aplicao em larga escala.

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21. Referncias
Disponvel em:<http://www.foz.unioeste.br/~lamat/downmateriais/materiaiscap15.pdf
>.Acesso em: 04. jun. 2011.
Disponvel em:<http://www.radioamadores.net/semicond.htm>.Acesso em: 04. jun.
2011.
Disponvel em:
<http://www.facstaff.bucknell.edu/mastascu/elessonshtml/Diodes/Diode1.html
>.Acesso em: 04. jun. 2011.
Disponvel em:< http://www.infoescola.com/fisica/semicondutores/ >.Acesso em: 04.
jun. 2011.
Disponvel em:
<http://www.eletronica24h.com.br/cursoeletronica/cursoEN1/aulas/Aula002.htm
>.Acesso em: 5. jun. 2011.
Disponvel em:<http://www.teleco.com.br/tutoriais/tutorialsemicon/pagina_5.asp
>.Acesso em: 05. jun. 2011.
Disponvel em: <
http://www.mundofisico.joinville.udesc.br/index.php?idSecao=110&idSubSecao=&idT
exto=49 >. Acesso em: 05. jun. 2011.

Reus, Padre; Instituto de aprendizagem, curso Radiotcnico e TV (P&B) e a cores.

V. 04. 2006.