MOSFET

Operação Fı́sica, Circuitos, como Amplificador e Configurações

Básicas em CIs
Igor Almeida, 06080003701 Luiz Felipe Soares, 06080006301
Patric Pereira Lima, 04080005301
18 de dezembro de 2008

1 Introdução
Esse trabalho versa sobre transistores de efeito de campo (field effect transistor - FET, do inglês), mais
especificamente, os do tipo metal-óxido-semicondutor-MOS que da junção das siglas inglesas, é
conhecido por MOSFET.
O trabalho começa com uma descrição comparativa detalhada da construção fı́sica e das caracterı́sticas
do MOSFET, comparando seus dois tipos: de enriquecimento e de depleção. Em seguida apresenta
circuitos que se utilizam de MOSFETs e discute suas aplicações como amplificador. Finalmente, aborda
as aplicações básicas em CIs.
A aplicabilidade atual dos MOSFETs é muito grande, já que podem ser fabricados em tamanhos
diminutos, integrando pastilhas de CIs. Como no TJB (Transistor Bipolar de Junção) o MOSFET
controla a corrente entre dois terminais variando a tensão em um terceiro terminal. No caso do MOSFET
isso é feito através da variação de um campo elétrico, propriedade que origina seu nome.

2 Estudo Comparado: MOSFET tipo Enriquecimento e tipo

Depleção
2.1 Estrutura
Em estrutura fı́sica, ambos os tipos de MOSFET são muito semelhantes: substrato formado por
substância do tipo 1 (que pode ser “n” ou “p”), com fendas simétricas preenchidas por substância
do tipo 2 (complementar ao substrato) fortemente dopada (n+ ou p+ ).
Acima da região do canal (espaço entre as duas fendas preenchidas) deposita-se uma camada de
material isolante (SiO2 ), e sobre ela, metal para o contato. Metal também é depositado sobre as duas
fossas e a face inferior do substrato.
Os quatro terminais do MOSFET são denominados: Fonte (Source), Dreno (Drain), Porta (Gate) e
Corpo (Body).
O tipo do substrato define o tipo do MOSFET. Se o substrato é do tipo P, temos um PMOS (MOSFET
tipo P), caso tipo N, temos um NMOS (MOSFET tipo N). Na Figura 1 podemos observar a estrutura de
um MOSFET tipo “n” (NMOS) de enriquecimento, com sua camada “n” induzida. No caso do MOSFET
tipo “n” de depleção, terı́amos como única diferença que o canal teria sido construı́do, e não induzido.
Para o MOSFET tipo enriquecimento, um canal deve ser induzido através de uma tensão de indução
VGS , caso contrário, não será possı́vel obter corrente entre os terminais Fonte(S) e Dreno(D). Para que
haja a criação do canal, VGS deve ser maior do que a tensão de limiar (representado por Vt ).
A porta e o corpo formam um capacitor de placas paralelas, portanto gerando um campo elétrico,
responsável pela condutância do canal, uma vez aplicado VDS .
Para um pequeno valor de VDS , forma-se um canal paralelo. Obviamente, a altura desse canal é
proporcional a tensão VGS aplicada.

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 Figura 1: Estrutura fı́sica do NMOS

Na medida em que VDS aumenta, e se aproxima de VGS , a tensão do canal sofrerá variação de VGS até
a diferença VGS − VDS . Assim não apresentando mais uniformidade no canal, e sim, um estreitamento,
conforme a Figura 2.

Figura 2: Estreitamento do canal por diferença de tensão

Na medida em que aumentamos a tensão VDS o estreitamento do canal do dreno aumenta. Quanto
VDS = VGS −Vt , o canal no dreno torna-se muito superficial, e diz-se que o canal encontra-se estrangulado.
A situação descrita pode ser observada também no gráfico da Figura 3, que apresenta a relação iD versus
VDS .
Um breve comentário deve ser feito sobre o PMOS. Para esse tipo de MOSFET, como já explicado,
ocorre a inversão das posições dos materiais no dispositivo, e consequentemente, a inversão da tensão
para seu correto funcionamento.
Comparamos agora o exposto com o MOSFET tipo Depleção.

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 Figura 3: Caracterı́stica iD versusVDS

Considere um NMOS de depleção. Dadas as caracterı́sticas estruturais desse dispositivo, ele não
necessita de uma tensão na porta para a geração do canal, que já existe de fábrica. A questão aqui é
que a condutância do canal pode ser aumentada ou reduzida pela atuação de uma tensão na porta.
Caso apliquemos VGS positivo, o canal tornar-se-á mais condutivo. Caso contrário, mais resistivo,
podendo atingir um valor tal que a corrente iD atinge zero. Essa caracterı́stica é importante para a
utilização do NMOS de depleção como chave. As caracterı́sticas iD versus VDS são similares as do
dispositivo de enriquecimento, exceto que Vt para o dispositivo de depleção NMOS é negativo.

2.2 Caracterı́sticas de Corrente e Tensão

Suponha um NMOS Enriquecimento, com VGS > Vt aplicado entre a porta e a fonte, e uma tensão VDS
aplicada entre o dreno e a fonte. Para que esse dispositivo trabalhe na região de triodo, é necessário que
VDS < VGS − Vt .
Aqui é importante lembrar que o contato da porta e o substrato (corpo) formam um capacitor, cujo
dielétrico é o óxido, com capacitância:
εox
Cox =
tox
As curvas caracterı́sticas na Figura 4 explicitam três regiões de operação de um MOSFET: região de
corte, região do triodo e região de saturação. A região de saturação está intimamente relacionada
com o funcionamento do MOSFET como amplificador (tópico abordado mais a diante).
É possı́vel provar que iD na região do triodo é determinada por:
" #
W 1 2
iD = Kn′ (VGS − Vt )VDS − VDS
L 2

onde Kn′ é:

Kn′ = µn Cox
Com µ sendo a mobilidade de elétrons no canal e Cox definido anteriormente.
E que iD para a região de saturação é dado por:
1 ′W
iD = K (VGS − Vt )2
2 nL
A corrente de dreno é proporcional à razão entre a largura (W) e o comprimento (L). Razão essa
conhecida como razão de aspecto do MOSFET. Os valores de W e de L podem ser escolhidos pelo
projetista para que o dispositivo apresente as caracterı́sticas iD versus VDS desejadas.

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 Figura 4: Curvas caracterı́sticas de um NMOS Enriquecimento

Como já mencionado, as caracterı́sticas iD versus VDS para os dispositivos do tipo depleção são
semelhantes às do tipo enriquecimento, com a simples exceção de que o valor Vt é negativo.
A Figura 5 apresentam as caracterı́sticas para um NMOS de depleção para o qual Vt = −4V e
Kn′ (W/L) = 2mA/V 2 . Apesar de não explicitada a relação de dependência de iD em relação a VDS , essa
existe e é idêntica à apresentada para o dispositivo tipo enriquecimento.

Figura 5: Curvas caracterı́sticas MOSFET depleção

A Figura 6 mostra as caracterı́sticas iD versus VDS na saturação, indicando os dois modos de operação
(depleção e enriquecimento) que o NMOS de depleção pode assumir..

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 Figura 6: Curva caracterı́stica e os modos de funcionamento do dispositivo

3 O MOSFET como amplificador

3.1 Funcionamento básico
Para que o MOSFET atue como um amplificador, é necessário que sua operação seja realizada somente
na região de saturação. Uma vez que essa exigência é cumprida, o transistor se comporta uma fonte de
corrente controlada pela tensão vGS . Entretanto, a região de saturação apresenta uma curva caracterı́stica
não-linear, e uma primeira solução para esse problema é fixar, no MOSFET, uma tensão DC, sobre a
qual será feita a superposição do sinal a ser amplificado.

3.2 Amplificador common-source

A configuração básica para o MOSFET como amplificador é o circuito de ”fonte-comum”(common-source,
no original em inglês), como na Figura 7a.

(a) Amplificador de (b) Curva caracterı́stica do amplificador

fonte-comum

Figura 7: Amplificador fonte-comum

Note que o sinal será aplicado no terminal gate do MOSFET.

Analisando o circuito da Figura 7a, obtemos a curva caracterı́stica, para várias situações de vGS , do
transistor. Na figura 7b, está presente também a relação tensão-corrente para o resistor de carga RD .
Para a operação do MOSFET como amplificador, a região de interesse está compreendida entre os pontos
A e B. A resposta (vO ) para a entrada vI é apresentada na Figura 8.

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 Figura 8: Curva de transferência para o amplificador, com operação em Q

Nela, podemos notar a operação virtualmente linear do circuito para uma estreita faixa nas proxim-
idades do ponto de operação Q, fora da qual a não-linearidade do circuito é acentuada. É importante
notar também a inversão da saı́da em relação à entrada. Quando a amplitude do sinal de entrada atinge
valores muito próximos de VIB ou Vt , ocorrem respectivamente distorção na saı́da (diz-se que o circuito
não tem legroom suficiente) e corte dos picos para um valor constante (o circuito não tem headroom
suficiente). É dever do projetista do circuito escolher um ponto de operação Q intermediário, a uma
distância segura de VDD e de Vt .
O ganho pode ser calculado pelas seguintes equações
W
Av = −RD µn Cox (VIQ − Vt ) (1)
L
VRD
Av = −2 (2)
VOV
onde VRD é a tensão no resistor RD , VIQ é o componente DC do sinal de entrada e VOV é a tensão
de overdrive do transistor.

3.3 Amplificador com tensão de porta fixa

Devido às imperfeições no processo de fabricação, é muito comum encontrar transistores com curvas
caracterı́sticas excessivamente dı́spares, o que se traduz em problemas quando se utiliza o método descrito
acima. Um esquema mais eficiente para contornar essa situação está em fixar VG e conectar um resistor
ao terminal source, como na figura 9.
Temos, para o circuito da figura 9, a seguinte equação:

VG = VGS + RS ID

O resistor age como um estabilizador da corrente ID , razão pela qual chama-se RS de degeneration
resistance. As figuras 10a e 10b mostram um comparativo para o erro cometido pelas duas estratégias
quando os dispositivos têm parâmetros diferentes.

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 Figura 9: Operação com tensão de porta fixa

(a) Operação com VGS fixo (b) Operação com VG e resistor

Figura 10: Erro cometido com parâmetros diferentes

3.4 Amplificador com resistor de realimentação

Outra estratégia eficaz, embora limitada, é fixar um resistor entre os terminais gate e source do MOSFET,
como na figura 11.

Figura 11: Operação com resistor de realimentação

A resistência RG , chamada de resistência de feedback, deve ser alta (da ordem dos M Ω), permitindo
que a tensão no gate seja igual à tensão no drain, uma vez que a corrente IG é nula. Analisando o
circuito, chegamos a
VGS = VDS = VDD − RD ID

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ou

VDD = VGS + RD ID
isso significa que o aumento de ID provoca uma queda de VGS , que por sua vez provoca uma queda de
ID . A influência de RG está no fato de manter ID o mais constante possı́vel. Esse princı́pio assemelha-se
à configuração de feedback negativo no amplificador operacional. Essa configuração pode ser utilizada
como amplificador desde que o sinal de entrada seja aplicado no gate, lembrando que ajustes devem
ser feitos para que as tensões DC (bias do circuito) sejam mantidas, por exemplo, pelo acoplamento
capacitivo da entrada.

3.5 Amplificador com fonte de corrente

A melhor forma de usar um MOSFET como amplificador é conectá-lo a uma fonte de corrente. Com
um RG na casa dos M Ω, a tensão no gate se mantém em zero, por não haver passagem de corrente; o
sinal pode então ser acoplado ao gate para uma tensão DC configurada pelo resistor RD . A figura 12
mostra o amplificador e uma implementação da fonte de corrente utilizando dois transistores, um circuito
conhecido como “espelho de corrente”. A relação abaixo é válida:

(W/L)2
I = IREF
(W/L)1
indicando que a corrente de saı́da depende das caracterı́sticas dos transistores.

Figura 12: Espelho de corrente

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4 Configurações básicas do MOSFET em circuitos integrados
A implementação de resistores em circuitos integrados requer uma área grande do chip. Por esse motivo,
os resistores são, sempre que possı́vel, substituı́dos por fontes de corrente. A essa configuração dá-se o
nome “carga ativa”. As figuras 13a e 13b mostram fontes e sumidouros de corrente.

(a) Circuito MOSFET com fonte de corrente (b) Circuito MOSFET

como sumidouro de cor-
rente

Figura 13: Circuitos MOSFET em configurações distintas

As três configurações básicas do MOSFET são o amplificador de fonte-comum, porta-comum e dreno-

comum. A primeira é representada na figura 14, onde observamos que se trata de um amplificador de
tensão ou transcondutância.

Figura 14: Amplificador de fonte-comum

As outras duas configurações são conhecidas, respectivamente, por ”seguidor de tensão”e ”seguidor
de corrente”, vistas nas figuras 15 e 16.
Os circuitos seguidores de tensão são utilizados como buffers de tensão, permitindo a adição de
cargas sem implicar em queda de tensão e/ou corrente para o aparato posicionado antes do seguidor. Os
seguidores de corrente, por sua vez, agem como buffers de corrente, mantendo o mais constante possı́vel
a corrente no evento de um aumento da carga.

5 Aplicações do MOSFET em Circuitos

5.1 Amplificador CASCODE
O amplificador CASCODE é um amplificador fonte-comum que alimenta um amplificador porta-comum.
Encontra aplicação em circuitos de RF pois apresenta capacitância de entrada mais baixa do que outros
amplificadores. A figura 17 um amplificador CASCODE utilizando um MOSFET de porta dupla.
O FET RF 3N201 tem um gm de 10000µS. Então, o ganho de tensão sem carga é

A = −10000µS ∗ 1.8K = −18

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 Figura 15: Amplificador de porta-comum

Figura 16: Amplificador de dreno-comum

Figura 17: Circuito amplificador CASCODE

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 (A resistência de saı́da é aproximadamente o valor do resistor de Dreno)

5.2 Amplificador CC
Um amplificador CC é aquele que pode operar até a freqüência zero, sem perda de ganho. A figura 18
apresenta uma das formas de se construir um amplificador deste tipo. Observa-se que o primeiro estágio
é formado por um MOSFET do tipo depleção.

Figura 18: Circuito amplificador CC

Se neste projeto os MOSFETs tiverem corrente de Dreno de 3mA, cada Dreno fica com +10V . A
tensão de saı́da quiescente é 0V .

5.3 Amplificador Classe C

É um amplificador que encontra aplicação em RF (acima de 20KHz). Acompanhado de um circuito
tanque, sintonizado na freqüência do sinal de entrada, pois é na freqüência de ressonância que o ganho
de tensão é máximo.
A figura 19a esquematiza um amplificador classe C que poderia estar utilizando um transistor VMOS
(Vertical MOS).

(a) Circuito Amplificador Classe C, utilizando VMOS (b) Circuito de acionamento de motor DC, utilizando
VMOS

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5.4 Circuito Acionador Sensı́vel ao Toque com FET de potência
No circuito da figura 19 temos o acionamento de um relé, ou mesmo outro tipo de carga com um MOSFET
de potência.

Figura 19: Circuito sensor de toque utilizando RF640

A elevadı́ssima resistência de entrada desse dispositivo possibilita seu acionamento diretamente pelo
toque no sensor. O resistor R1 determina a sensibilidade do circuito.
O relé empregado depende apenas da alimentação, que deve ser de pelo menos 12V , pois os MOSFETs
de potência operam melhor com tensões mais altas.
Para o acionamento direto de uma carga de potência, o MOSFET deve ser montado em um radiador
de calor.

Referências
[1] Alceu Alves. Apostila de Eletrônica II. Departamento de Engenharia Elétrica, Universidade Estadual
Paulista, 2006.

[2] Doug Gingrich. Notas de aula. http://www.phys.ualberta.ca/~gingrich/phys395/notes/

node74.html, dezembro 2008.

[3] Yifeng Jiang. Notas pessoais. http://www.ee.cuhk.edu.hk/~yfjiang/ele2110a/, dezembro

13/12/2008.
[4] Adel Sedra and Kenneth Smith. Microelectronic Circuits. Macron Books, 2004.

[4, 1, 3, 2]

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