Dissertacao

Simulador de Receptor ptico Digital
de Modulao de Intensidade e Deteco Directa

Manuel Vtor Martingo Coelho

Dissertao para obteno de Grau Mestre em
Engenharia Electrotcnica e de Computadores

Jri

Presidente: Prof. Doutor Jos Manuel Bioucas Dias
Orientador: Prof. Doutora Maria Joo Marques Martins
Acompanhante: Prof. Doutor Jos Lus Gonalves Correia da Mata
Vogais: Prof. Doutor Antnio Carlos de Campos Simes Baptista

Prof. Doutor Antnio Joaquim dos Santos Romo Serralheiro

Outubro 2009
ii

iii

Agradecimentos

A presente dissertao representa o culminar de todo um percurso acadmico.
Gostaria agradecer a todos aqueles que de uma forma directa ou indirecta contriburam para
a finalizao do trabalho apresentado, em especial:
Professora Doutora Maria Joo Marques Martins, professora orientadora, por me ter
proporcionado a realizao desta dissertao, pela sua confiana e disponibilidade para esclarecer
dvidas, reviso da dissertao, assim como pela sua competente direco e perspiccia na
superao dos diversos obstculos que surgiram.
Ao Professor Doutor Jos Lus Gonalves Correia da Mata, professor acompanhante, pelas
preciosas crticas, conhecimentos e sugestes transmitidas durante a elaborao e reviso da
dissertao.
A todos os docentes da Academia Militar e do Instituto Superior Tcnico, pela sabedoria e
conhecimentos transmitidos, sem os quais no poderia chegar a esta fase.
Aos meus pais e irmos, por me incutirem a importncia do estudo e por me terem
proporcionado todas as condies para eu chegar at aqui.
minha esposa pelo apoio constante, carinho, encorajamento e fora para continuar.

A todos, muito obrigado!

iv

Resumo
A crescente concorrncia mundial no campo das comunicaes pticas tornou necessria a
criao de ferramentas que sustentem e incentivem o progresso desta tecnologia. As vantagens das
comunicaes por fibra ptica em relao aos meios metlicos, tambm tm despertado interesse em
determinadas aplicaes militares.
A presente dissertao descreve a implementao de um software interactivo, que integra os
vrios blocos funcionais de um receptor ptico de modulao de intensidade e deteco directa (IM-
DD), com modulao digital OOK (on-off keying) e impulsos de formato NRZ (non-return-to-zero).
O software permite a simulao isolada de cada bloco, bem como a simulao completa do sistema.
Dos resultados apresentados pelo simulador destacam-se: o diagrama de olho, as funes de
densidade de probabilidade das amostras, diagrama de Bode, largura de banda, ganho de
transimpedncia, relao sinal-rudo, potncias das diferentes fontes rudo e a probabilidade de erro
de bit do sistema simulado.
Ao longo da dissertao so apresentados diversos exemplos prticos que, alm de
proporcionarem uma melhor compreenso acerca do funcionamento do presente simulador, permitem
analisar o desempenho dos blocos e do sistema completo de recepo, onde se retiram importantes
concluses.
As simulaes e os exemplos prticos apresentados so sempre precedidos de uma anlise
terica do funcionamento de cada um dos blocos.

Palavras-chave: Simulador interactivo, Receptor ptico, Amplificador ptico, Fotodetector, Pr-
Amplificador Elctrico, IM-DD.
v

Abstract
The increasing global competition in the field of optical communications has become
necessary to create tools to sustain and encourage the progress of this technology. The advantages
of optic fiber communications in relation to metallic support have also drawn the attention to certain
military applications.
This thesis presents the implementation of an interactive software that integrates various
functional blocks of an optical receiver of intensity modulation and direct detection (IM-DD), with OOK
(on-off keying) digital modulation and NRZ (non-return-to-zero) pulse format. The software allows the
isolated simulation of each block, as well as the complete simulation of the whole system. We
underline the following results presented by the simulator: the eye diagram, the probability density
functions of the samples, Bode diagram, bandwidth, transimpedance gain, signal-to-noise ratio, power
of the different noise sources and the bit error probability of the simulated system.
During the essay, some practical examples were displayed which, in addition to providing a
better understanding as to the operation of the present simulator, also allow the performance of the
blocks and the complete receiver system to be analysed and from which important conclusions can be
extracted.
The simulations and practical examples set forth are always preceded by a theoretical
analysis of the operation of each one of the blocks.

Keywords: Interactive simulator, Optical receiver, Optical amplifier, Photodetector, Electrical
preamplifier, IM-DD
vi

ndice

Agradecimentos ....................................................................................................................................... iii
Resumo ................................................................................................................................................... iv
Abstract.....................................................................................................................................................v
ndice ....................................................................................................................................................... vi
Lista de Tabelas .................................................................................................................................... viii
Lista de Figuras ....................................................................................................................................... ix
Lista de Acrnimos ................................................................................................................................ xiii
Lista de Smbolos .................................................................................................................................. xiv
1. Introduo ............................................................................................................................................ 1
1.1 Motivaes e Objectivos ............................................................................................................. 1
1.2 Estado da Arte ............................................................................................................................ 2
1.3 Estrutura da Dissertao ............................................................................................................ 3
2. Simulador ............................................................................................................................................ 5
2.1 Desenvolvimento do Simulador .................................................................................................. 5
2.2 Funcionamento do Simulador ..................................................................................................... 5
3. Pr-Amplificao ptica ...................................................................................................................... 8
3.1 - Descrio do dispositivo .............................................................................................................. 8
3.1.1 Amplificador ptico .............................................................................................................. 8
3.1.2 Amplificador ptico - EDFA ................................................................................................. 9
3.1.3 Filtro ptico ........................................................................................................................ 14
3.2 Simulao do Pr-Amplificador EDFA e Filtro ptico .............................................................. 16
3.2.1 - Exemplo Prtico de Simulao ........................................................................................... 18
3.2.2 - Anlise de Resultados e Concluses ................................................................................. 20
4. Fotodetector ...................................................................................................................................... 21
4.1 - Descrio do dispositivo ............................................................................................................ 21
4.1.1 Fotododo PIN .................................................................................................................... 21
4.1.2 Fotododo de Avalanche (APD) ......................................................................................... 23
4.1.3 Rudo na Fotodeteco sem Pr-Amplificao ptica ...................................................... 25
vii

4.1.4 Rudo na Fotodeteco com Pr-Amplificao ptica ...................................................... 27
4.1.5 Tempo de Resposta ........................................................................................................... 29
4.2 Simulao do Fotodetector ....................................................................................................... 30
4.2.1 - Exemplos Prticos de Simulao ....................................................................................... 32
5. Pr-Amplificador Elctrico ................................................................................................................. 39
5.1 - Descrio do dispositivo ............................................................................................................ 39
5.1.1 Pr-Amplificador de Tenso ............................................................................................... 39
5.1.2 Pr-Amplificador de Alta-Impedncia ................................................................................ 42
5.1.3 Pr-Amplificador de Transimpedncia ............................................................................... 44
5.2 Simulao do Pr-Amplificador Elctrico.................................................................................. 47
6. Receptor ptico Completo ................................................................................................................ 56
6.1 Probabilidade de erro de Bit ..................................................................................................... 56
6.2 Simulao do Receptor ptico ................................................................................................. 62
7. Concluses Finais, Perspectivas de Trabalho Futuro e Contribuies Originais ............................. 75
7.1 Concluses Finais ..................................................................................................................... 75
7.2 Perspectivas de Trabalho Futuro .............................................................................................. 78
7.3 Contribuies Originais ............................................................................................................. 79
Referncias ........................................................................................................................................... 80
Bibliografia ............................................................................................................................................. 82
Anexo A ................................................................................................................................................. 85
Anexo B ................................................................................................................................................. 88
Anexo C ................................................................................................................................................. 92
Anexo D ................................................................................................................................................. 96

viii

Lista de Tabelas

N Tabela Ttulo

Pgina
Tabela 3.1 Resultados do exemplo prtico de simulao do pr-amplificador ptico

20
Tabela 4.1 Relao entre o tipo de material do fotodetector e o comprimento de onda
do sinal ptico incidente

31
Tabela 4.2 Principais resultados em funo da variao de C
d

36
Tabela 4.3 Principais resultados em funo da variao de R
b
e C
d
, para fotododo
PIN, APD e Pr-amp ptica +PIN

37
Tabela 5.1 Principais resultados para o pr-amplificador de tenso, em funo da
variao de R
b

53
Tabela 5.2 Comparao de desempenho dos trs tipos de pr-amplificadores

54
Tabela 6.1 Resultados do receptor ptico em funo da variao do ganho ptico

70
Tabela 6.2 Resultados do receptor ptico em funo da variao do ganho de
avalanche

71
Tabela 6.3 Resultados do receptor ptico em funo da variao do dbito binrio

73

ix

Lista de Figuras
N Figura Ttulo

Pgina
Figura 2.1 Menu principal do simulador

6
Figura 2.2 Estrutura grfica comum das simulaes

7
Figura 3.1 Exemplos de pr-amplificadores pticos:
(a) EDFA-PA da AOC Technologies
(b) PG1600 da Avanex

8
Figura 3.2 Esquema de um EDFA

9
Figura 3.3 Nveis de energia do EDFA para: (a) laser bomba a 980nm
(b) laser bomba a 1480nm

10
Figura 3.4 Ganho tpico do EDFA para trs valores de potncia de entrada, em funo
do comprimento de onda do sinal a amplificar

12
Figura 3.5 Esquema do filtro Fabry-Perot

15
Figura 3.6 Resposta do filtro Fabry-Perot

15
Figura 3.7 Interface de simulao do pr-amplificador EDFA com filtro ptico

16
Figura 3.8 Exemplo de aviso de violao de limites impostos

18
Figura 3.9 Parmetros do sinal ptico e conector

18
Figura 3.10 Parmetros do amplificador EDFA e filtro ptico

18
Figura 3.11 Potncia ptica sem distoro para a sequncia lgica 01010 em NRZ

19
Figura 3.12 Resultados do sinal aps ter passado pelo EDFA e filtro ptico

20
Figura 4.1 Exemplos de Fotodetectores

21
Figura 4.2 Esquema de um Fotododo PIN polarizado inversamente

22
x

Figura 4.3 Respostividade e eficincia quntica em funo do comprimento de onda,
para fotododos tipo PIN de diferentes materiais

23
Figura 4.4 Representao da distribuio do campo elctrico ao longo da estrutura do
APD

24
Figura 4.5 Circuito de polarizao do Fotododo

27
Figura 4.6 Tempo de subida (Rise Time)

29
Figura 4.7 Interface de simulao do Fotodetector

30
Figura 4.8 Exemplo de aviso de violao da relao entre tipo de material e
comprimento de onda

32
Figura 4.9 Configurao do sinal ptico incidente no fotodetector

32
Figura 4.10 Configurao do fotodetector

33
Figura 4.11 Potncia incidente e resposta do fotodetector

33
Figura 4.12 Resultados da simulao descrita no texto

34
Figura 5.1 Exemplo de mdulo de fotodetector e pr-amplificador elctrico da Edmund
Optics

39
Figura 5.2 Estrutura do pr-amplificador de tenso ou de baixa-impedncia

39
Figura 5.3 Esquema equivalente do pr-amplificador de tenso

40
Figura 5.4 Aproximao assimpttica da funo de transferncia para o pr-amplificador
de tenso

41
Figura 5.5 Estrutura do pr-amplificador de alta-impedncia

42
Figura 5.6 Aproximao assimpttica da funo de transferncia do igualador

43
Figura 5.7 Largura de banda resultante do receptor com igualao perfeita

43
Figura 5.8 Estrutura do pr-amplificador de transimpedncia 45
xi

Figura 5.9 Esquema equivalente do pr-amplificador de transimpedncia para
pequenos sinais

45
Figura 5.10 Aproximao assimpttica da funo de transferncia para o pr-amplificador
de transimpedncia

46
Figura 5.11 Interface de simulao do Pr-Amplificador Elctrico

47
Figura 5.12 Configurao do sinal elctrico sada do fotodetector

49

49
Figura 5.14 Diagrama de Bode do pr-amplificador sem igualador

50
Figura 5.15 Diagrama de Bode do igualador

50
Figura 5.16 Diagrama de Bode resultante do pr-amplificador com igualador

50
Figura 5.17 Fotocorrente sada do fotodetector e resposta do pr-amplificador com
igualador

50
Figura 5.18 Resultados da simulao

51
Figura 6.1 Exemplo de receptor ptico: BEST-OR-4007 da Zibo Best Optical
Communications

56
Figura 6.2 Estrutura blocos simplificada de receptor ptico com pr-amplificao ptica

56
Figura 6.3 Funes de densidade de probabilidade das amostras de tenso para os
valores lgicos 1 e 0, p(v|1) e p(v|0) respectivamente

57
Figura 6.4 Probabilidade de erro de bit em funo do factor Q

62
Figura 6.5 Interface de simulao do Receptor ptico

62
Figura 6.6 Exemplo de aviso de um controlador implementado de simulao

64
Figura 6.7 Configurao do sinal ptico na entrada do receptor ptico

65
xii

Figura 6.8 Configurao pr-amplificador ptico e filtro ptico

65

65
Figura 6.10 Configurao do amplificador elctrico e igualador

66
Figura 6.11 Diagrama de Bode do amplificador elctrico e igualador

66
Figura 6.12 Sinal elctrico sada do amplificador elctrico e igualador:
(a) Sinal ao longo do tempo para a sequncia lgica 01010
(b) Diagrama de olho.

66
Figura 6.13 Tenso das amostras recolhidas no instante ptimo de amostragem:
(a) Tenso das amostras para os valores lgicos 0 e 1
(b) Funes de densidade de probabilidade para os diferentes nveis
lgicos (p(v|1) e p(v|0)) e tenso ptima de deciso (VDec)

67
Figura 6.14 Resultados numricos da simulao

68
Figura 6.15 Grfico do desempenho do receptor ptico em funo do ganho do pr-
amplificador ptico

70
Figura 6.16 Grfico do desempenho do receptor ptico em funo do ganho de
avalanche do APD

71
Figura 6.17 Grfico de comparao do desempenho do receptor ptico com fotododo do
tipo PIN, APD e com Pr-amplificao ptica e fotododo PIN (Pr-
Amp+PIN), em funo do dbito binrio

73
Figura A.1 Simulao isolada do Pr-amplificador EDFA com Filtro ptico

85
Figura B.1 Simulao isolada do Fotodetector

87
Figura C.1 Simulao isolada do Pr-Amplificador Elctrico e Igualador

92
Figura D.1 Simulao do Receptor ptico Completo

96
xiii

Lista de Acrnimos
APD Avalanche Photo-Diode
ASE Amplified Spontaneous Emission
ASK Amplitude-Shift Keying
BER Bit Error Ratio
DFA Doped Fiber Amplifier
EDFA Erbium Doped Fibre Amplifier
EEA Emisso Espontnea Amplificada
FSK Frequency-Shift Keying
FSR Free Spectral Range
FTTH Fiber To The Home
FWHM Full Width at Half Maximum
IIS Interferncia Inter-Simblica
IM-DD Intensity Modulated - Direct detection
ISI InterSymbol Interference
ITU International Telecommunications Union
NRZ Non-Return-to-Zero
OOK On-Off keying
OSNR Optical Signal-Noise Ratio
PON Passive Optical Network
ppm partes por milho
PSK Phase-Shift Keying
RZ Return-to-Zero
SNR Signal-Noise Ratio
SOA Semiconductor Optical Amplifier
WDM Wavelength-Division Multiplexing

xiv

Lista de Smbolos
A Ganho do amplificador elctrico em malha aberta
a Probabilidade de ser enviado um 0
A
c
Atenuao do conector
b Probabilidade de ser enviado um 1
B
e
Largura de banda elctrica
B
e,3dB
Largura de banda elctrica a -3 dB
B
e,n
Largura equivalente de rudo
B
o
Largura de banda ptica
c Velocidade da luz
C
1
Capacidade do condensador do igualador
C
a
Capacidade do amplificador operacional
C
d
Capacidade do fotododo
D
b
Dbito binrio
E
1
Primeiro nvel de energia dos ies (estado fundamental)
E
2
Segundo nvel de energia dos ies (estado meta-estvel)
E
3
Terceiro nvel de energia dos ies
E
g
Diferena energtica entre as bandas de valncia e conduo
Er rbio
F(M) Factor de excesso de rudo do fotododo tipo APD
F
e
Factor de rudo do amplificador elctrico
F
o
Factor de rudo do amplificador ptico
f
polo
Frequncia do plo
Ge Germnio
G
e
Ganho do amplificador elctrico em malha fechada
G
o
Ganho ptico do amplificador
G
trans
Ganho de transimpedncia
h Constante de Planck
i(t) Corrente elctrica

xv

I
0
Corrente mdia para o nvel lgico 0
I
1
Corrente mdia para o nvel lgico 1
i
APD
Corrente do sinal gerada pelo APD

I
APD
Corrente mdia do sinal gerada pelo APD

i
c
(t) Corrente de rudo de circuito
I
d
Corrente escura (Dark Current)
i
EEA-EEA
(t) Corrente de rudo de batimento EEA-EEA
i
n
Corrente de rudo total
InGaAs Arsenieto de ndio-glio
i
p
Corrente primria do sinal gerada no fotodetector (sem ganho de avalanche)

I
p
Corrente mdia primria gerada no fotodetector (sem ganho de avalanche)

i
q
(t) Corrente de rudo quntico
i
s-EEA
(t) Corrente de rudo de batimento sinal-EEA
M Ganho de avalanche
n

Material semi-condutor dopado de impurezas com 5 electres de valncia
N
1
Populao de ies no primeiro nvel de energia
N
2
Populao de ies no segundo nvel de energia
N
3
Populao de ies no terceiro nvel de energia
Nd Neodmio
N
e
Nmero de bits errados
N
t
Nmero total de bits recebidos
p

Material semi-condutor dopado de impurezas com 3 electres de valncia
p(v|0) Funo de densidade de probabilidade das amostras de tenso para o valore
lgico 0
p(v|1) Funo de densidade de probabilidade das amostras de tenso para o valore
lgico 1
P
e
Probabilidade de erro de bit
P
EEA
Potncia mdia do rudo de EEA, por cada modo de polarizao
P
i
Potncia mdia do sinal entrada do fotodetector
p
i
Potncia do sinal entrada do fotodetector
xvi

P
i,0
Potncia mdia entrada do fotodetector para o nvel lgico 0
P
i,1
Potncia mdia entrada do fotodetector para o nvel lgico 1
P
p,in
Potncia mdia do laser bomba
Pr Praseodmio
Prob(0|1) Probabilidade de o circuito de deciso se decidir pelo valor lgico 0 quando foi
enviado 1.
Prob(1|0) Probabilidade de o circuito de deciso se decidir pelo valor lgico 1 quando foi
enviado 0.
P
s,in
Potncia mdia do sinal na entrada do pr-amplificador ptico
P
s,in,0
Potncia ptica mdia para o nvel lgico 0 na entrada do receptor ptico
P
s,in,1
Potncia ptica mdia para o nvel lgico 1 na entrada do receptor ptico
P
s,out
Potncia mdia do sinal sada do EDFA
P
s,tot
Potncia ptica mdia total do sinal que chega ao receptor ptico
p
s+n
Potncia entrada do fotodetector contemplando o sinal e o rudo de EEA
q Carga de um electro
r Razo de extino
R
0
Respostividade sem ganho de avalanche (M=1)
R
1
Resistncia de igualao
R
2
Resistncia de carga do igualador
R
a
Resistncia de entrada do amplificador operacional
R
APD
Respostividade APD
R
b
Resistncia de carga
R
f
Resistncia de transimpedncia
S
EEA
Densidade espectral de potncia de EEA, por cada modo de polarizao
) ( f S
c

Raz quadrada da densidade espectral de potncia do rudo de circuito
Si Silcio
T Perodo do bit
V
0
Tenso mdia das amostras para o nvel lgico 0
V
1
Tenso mdia das amostras para o nvel lgico 1
V
amostra_0
Valor da tenso de uma amostra, na entrada do circuito de deciso, para o nvel
xvii

lgico 0
V
amostra_1
Valor da tenso de uma amostra, na entrada do circuito de deciso, para o nvel
lgico 1
v
c
Tenso de rudo de circuito
V
Dec
Tenso de deciso
v
EEA-EEA
Tenso de rudo de batimento EEA-EEA
v
n
Tenso de rudo total
t
Dec
Instante de amostragem
v
q
Tenso de rudo quntico
v
s-EEA
Tenso de rudo de batimento sinal-EEA
Yb Ytrbio
E Diferena de energia entre os nveis envolvidos
P
i
(D
y
L) Penalidade de potncia devido transmisso
Eficincia quntica
Comprimento de onda

c
Comprimento de onda mximo ou crtico dos fotes
p
Comprimento de onda do laser bomba
s
Comprimento de onda central do sinal
2
0
Varincia do rudo para o nvel lgico 0
2
1
Varincia do rudo para o nvel lgico 1
2
c
Varincia do rudo de circuito
2
EEA
Varincia total do rudo de EEA
2
EEA-EEA
Varincia do rudo de batimento EEA-EEA
2
n
Varincia total do rudo
2
q
Varincia do rudo quntico
2
q,0
Varincia do rudo quntico para o nvel lgico 0
2
q,1
Varincia do rudo quntico para o nvel lgico 1
2
s-EEA
Varincia do rudo de batimento sinal-EEA
2
s-EEA,0
Varincia do rudo de batimento sinal-EEA para o nvel lgico 0
2
s-EEA,1
Varincia do rudo de batimento sinal-EEA para o nvel lgico 1
1

Captulo 1
1. Introduo
1.1 Motivaes e Objectivos
Os primeiros sistemas comerciais de transmisso por fibra ptica entraram em operao nos
finais da dcada de setenta [1], tendo sofrido uma evoluo exponencial at aos dias de hoje. Nos
ltimos anos tem havido uma instalao massiva de cabos pticos por todo o mundo, como forma de
satisfazer as necessidades de comunicao cada vez mais exigentes da sociedade actual.
As razes do enorme sucesso da transmisso por fibra ptica tm a ver com o seguinte [2],
[3], [4], [5]:
- Grande largura de banda a fibra ptica disponibiliza larguras banda vrias ordens de
grandeza superiores ao cabo coaxial.
- Imunidade a interferncias electromagnticas actualmente a fibra ptica constituda
essencialmente pelo vidro de slica (SiO
2
) que um material dielctrico. Assim, a fibra ptica
imune a interferncias electromagnticas.
- Reduzida atenuao as perdas de transmisso introduzidas pelas fibras pticas so
diminutas, quando comparadas com o cabo coaxial ou par simtrico, o que leva a que a
distncia entre regeneradores ou amplificadores possa ser francamente superior.
- Baixo custo o principal material constituinte da fibra ptica o dixido de silcio tambm
designado por slica (SiO
2
), que um dos materiais mais abundantes na crosta terrestre e o
principal componente da areia. Assim, com a crescente utilizao da fibra ptica, que implica
a produo em massa da mesma, os custos tm baixado significativamente. Actualmente,
para longas distncias, os sistemas de transmisso por fibra ptica j se tornaram mais
econmicos que os sistemas empregando meios metlicos.
- Dimenses e peso reduzidos - a fibra ptica tem um dimetro e um peso menor do que
qualquer outro meio de transmisso metlico, permitindo uma instalao mais fcil e em
locais de pouco espao disponvel.
- Maior fiabilidade e vida til dada a sua composio, a fibra ptica tm uma boa tolerncia s
variaes de temperatura, sendo tambm menos vulnervel aco de lquidos e gases
corrosivos.
- Segurana - as fibras pticas no radiam energia electromagntica, o que as torna
importantes em determinadas aplicaes que necessitem de um alto nvel de segurana
(como so os casos das aplicaes bancrias ou aplicaes militares).
A crescente importncia deste tipo de sistemas de transmisso implica um investimento
proporcional na educao, investigao e desenvolvimento da tecnologia em causa. Neste contexto
2

indispensvel a existncia de simuladores que constituam uma soluo alternativa ou complementar
aos testes em sistemas reais, de forma econmica, rpida, porttil e de fcil acesso.
Assim, a presente dissertao tem como objectivo o desenvolvimento de um software
interactivo, que integre os vrios blocos funcionais de um receptor ptico de modulao de
intensidade e deteco directa (IM-DD), com modulao digital OOK (on-off keying) e impulsos de
formato NRZ (non-return-to-zero). Os sistemas IM-DD so os mais usados nos sistemas pticos
comerciais [6]. Para alm da simulao isolada de cada um dos blocos do receptor referido, o
software deve permitir tambm a simulao completa do sistema.
1.2 Estado da Arte
Graas ao avano tecnolgico e produo em massa, o custo das ligaes por fibra ptica
tem baixado significativamente, fazendo com que, actualmente, os projectos de fibra ptica at casa
(FTTH- fiber to the home) sejam economicamente viveis e ao alcance de cada vez mais pessoas.
Estima-se que em 2015 existiro mais de 100 milhes de casas particulares com acesso a uma
ligao com fibra ptica [7].
As comunicaes por fibra ptica tambm tm ganho grande importncia em aplicaes
militares [8]. A substituio dos meios metlicos de comunicao de voz e dados pela fibra ptica,
tendo em conta as motivaes gerais j apresentadas neste captulo, permitem uma instalao de
redes mais fcil e rpida (dada a respectiva reduo de volume e peso do cabo) que, em cenrios de
campanha, pode ser crucial [9]. O facto da fibra ptica no radiar ondas electromagnticas confere-
lhe uma segurana superior, quer a nvel de deteco, quer a nvel de violao da informao
transmitida. A imunidade a interferncias electromagnticas das redes pticas passivas (PON
passive optical network), alm de melhorar a performance das mesmas, torna-as tambm
resistentes a ataques electromagnticos (E-Bomb electromagnetic bomb) que destroem os
sistemas elctricos e electrnicos. De realar, ainda, que a menor atenuao da fibra ptica permite
conexes remotas a maiores distncias, como por exemplo entre um radar e a respectiva estao de
processamento de sinais; possibilitando uma maior segurana da estao e dos homens afectos
mesma, uma vez que o radar facilmente detectado e localizado pelas foras inimigas [10].
No entanto, para se usufruir de um sistema de comunicao por fibra ptica, so necessrios
dispositivos que, na emisso, faam a converso do sinal do domnio elctrico para o ptico e, na
recepo, do domnio ptico para o domnio elctrico. So os componentes electrnicos destes
dispositivos que muitas vezes limitam o desempenho de toda a rede, sendo, por isso, vulgarmente
designados barreira electrnica do sistema. Assim, estes dispositivos devem ser cuidadosamente
dimensionados e projectados de forma a maximizar o desempenho da rede.
Os receptores pticos podem ser baseados na deteco directa ou na deteco coerente.
Na deteco directa o fotodetector do receptor ptico gera uma corrente proporcional
potncia ptica incidente no mesmo, sendo que, neste caso, a informao est codificada na
3

intensidade do sinal, podendo ser analgica ou digital. Na transmisso digital a modulao mais
utilizada a OOK, em que idealmente o bit 0 corresponde ausncia de luz e o bit 1 corresponde
presena de luz. Neste caso, os impulsos tero que ser obrigatoriamente unipolares, na forma NRZ
(non-return-to-zero- o impulso ocupa todo o perodo do bit) ou RZ (return-to-zero- o impulso ocupa
apenas uma fraco do perodo do bit). Os impulsos NRZ so mais utilizados uma vez que
necessitam de uma menor largura de banda elctrica do receptor, como ser desenvolvido no
captulo 4. No entanto, no caso da propagao no-linear de solites na fibra ptica, os impulsos no
podem ser na forma NRZ, devido s caractersticas de largura do impulso do tipo solito; assim,
neste caso utiliza-se a codificao RZ com os impulsos de luz a no poderem ocupar mais do que
20% a 25% do perodo do bit [11].
Na deteco coerente a informao chega ao receptor ptico modulada numa portadora
atravs da sua amplitude ASK, frequncia FSK ou fase PSK. A deteco coerente pode ainda
ser heterodina ou homodina. Em ambos os casos o receptor necessita de um oscilador ptico local
(dodo laser), cuja sada devidamente misturada com o sinal ptico recebido de forma a obter-se a
informao contida na portadora ptica. No entanto, no caso do receptor ptico heterodino, a
frequncia do oscilador local diferente da frequncia do sinal, resultando num sinal de frequncia
intermdia, que corresponde diferena entre as frequncias iniciais. No caso do receptor ptico
homodino, a frequncia do oscilador local controlada de modo a que esta permanea igual
frequncia do sinal, resultando numa frequncia intermdia igual a zero.
Apesar de se obterem bons resultados atravs da deteco coerente, a deteco directa a
mais utilizada devido sua simplicidade. A opo pela deteco directa foi ainda impulsionada com o
aparecimento dos amplificadores pticos, que vieram colmatar algumas das fraquezas deste tipo de
deteco [12].
Actualmente, existem alguns simuladores conceituados para sistemas de comunicao
ptica, e.g. os simuladores da Optiwave, da VPIphotonics e o simulador OptSim da RSoft. No
entanto, o desenvolvimento de novas ferramentas facilmente acessveis e que se concentrem em
determinados aspectos mais especficos de estudo, so sempre uma mais-valia para a educao,
investigao e desenvolvimento nesta rea.
1.3 Estrutura da Dissertao
A presente dissertao encontra-se estruturada em sete captulos: Captulo 1 - Introduo,
Captulo 2 - Simulador, Captulo 3 - Pr-Amplificador ptico, Captulo 4 - Fotodetector, Captulo 5 -
Pr-Amplificador Elctrico, Captulo 6 - Receptor ptico Completo e, por fim, Captulo 7 - Concluso
Final.
No Captulo 1 feita a introduo da dissertao tendo em ateno os objectivos, a
motivao, o estado da arte e a estrutura da mesma.
4

No Captulo 2 feita uma primeira abordagem ao software desenvolvido. Na seco 2.1 so
apresentadas e explicadas as fases adoptadas para o desenvolvimento do simulador, seguindo-se a
seco 2.2, onde feita uma explicao do funcionamento em geral do mesmo. Este captulo
importante para o primeiro contacto entre o utilizador e o simulador, uma vez que explica desde a
respectiva instalao at s funes dos principais botes de simulao.
O Captulo 3 incide no estudo do pr-amplificador ptico e filtro ptico. Na seco 3.1 feita
uma anlise do EDFA (Erbium Doped Fibre Amplifier), dando especial destaque ao ganho e ao
rudo por este introduzidos. , ainda, descrito o funcionamento e aplicao do filtro ptico Fabry-
Perot. Na seco 3.2 exposta a simulao do pr-amplificador EDFA com filtro ptico, atravs do
simulador desenvolvido. Nesta seco ainda feito um exemplo prtico de simulao para
demonstrar as capacidades do simulador e, simultaneamente, analisar o funcionamento do pr-
amplificador ptico.
No Captulo 4 so apresentados os diferentes tipos de fotodetector, onde se destacam o
fotododo PIN (Positive-Intrinsic-Negative) e o APD (Avalanche PhotoDetector), uma vez que so
os fotodetectores os mais utilizados nos sistemas de comunicao ptica. Na seco 4.1 so feitas as
descries dos mesmos, bem como dos diferentes tipos de rudo introduzidos na fotodeteco com e
sem pr-amplificao ptica. Na seco 4.2 apresentada a simulao do fotodetector, onde
exposta a janela do simulador desenvolvida para esse efeito. So ainda apresentados trs exemplos
prticos de simulao do fotodetector, sendo, de seguida, analisados os resultados e retiradas as
principais concluses.
O Captulo 5 recai sobre o estudo do pr-amplificador elctrico, onde so apresentadas as
trs configuraes mais usuais: pr-amplificador de tenso (ou baixa-impedncia), amplificador de
alta-impedncia e amplificador de transimpedncia. Ao longo da seco 5.1 so descritas as
diferentes configuraes e apresentadas as respectivas funes de transferncia. Na seco 5.2
exposta a simulao do pr-amplificador elctrico, onde so apresentados trs exemplos prticos e
retiradas as principais concluses.
No Captulo 6 feita uma anlise do receptor ptico completo, onde so unidos os blocos dos
captulos anteriores. Na seco 6.1, apresentado o modelo matemtico de clculo da probabilidade
de erro de bit do receptor. Por sua vez, a seco 6.2 apresenta a simulao completa do receptor
ptico, onde so explicadas as potencialidades do simulador. So ainda efectuados alguns exemplos
prticos, que permitem retirar algumas concluses acerca do funcionamento do receptor ptico.
Por fim, no Captulo 7 feita a concluso final da presente dissertao, abordando as
principais concluses a retirar, perspectivas de trabalhos futuros e contribuies originais.

5

Captulo 2
2. Simulador
2.1 Desenvolvimento do Simulador
O desenvolvimento do simulador foi feito em quatro fases distintas: Anlise, Projecto,
Implementao e Teste.
A anlise iniciou-se com um estudo sobre o funcionamento dos receptores pticos e dos seus
principais blocos constituintes. Assim, ficaram desde logo definidos os blocos do receptor a simular
(pr-amplificador ptico, fotodetector e pr-amplificador elctrico), bem como as variveis, grficos e
opes de simulao que o utilizador poderia manipular. Houve ainda que apurar qual o tipo de
interface grfica mais adequada, de modo a que o simulador se tornasse funcional e,
simultaneamente, atractivo e de fcil manuseamento.
De seguida iniciou-se a fase do projecto, onde estrutura central do simulador foi desenhada.
Nesta fase foram planeados e desenvolvidos os algoritmos necessrios para executar o software
requerido.
Na fase da implementao foi escolhido o tipo de linguagem a utilizar e foi feita a codificao
dos algoritmos obtidos na fase anterior. O simulador foi desenvolvido em linguagem Matlab, tambm
designada por M-cdigo, por ser uma linguagem simples e de uso frequente nas reas da educao
e da investigao.
Por fim, a fase de teste em que, a partir de resultados esperados, foram efectuadas vrias
simulaes com o objectivo de verificar se o simulador estava a funcionar correctamente. Claro que, o
desenvolvimento de software, um processo iterativo, no qual, quando algo no corre conforme o
esperado, necessrio voltar s fases anteriores para proceder s respectivas alteraes. Assim, as
fases de desenvolvimento do simulador expostas tiveram vrias iteraes at obteno do produto
final apresentado.
2.2 Funcionamento do Simulador
O simulador pode ser executado em computadores com diferentes sistemas operacionais
(Windows, Linux, Solaris e Mac). Para isso, basta instalar a ferramenta MCR (Matlab Compiler
Runtime). Aps a referida instalao, o computador no precisa de nenhuma verso do Matlab para
executar o simulador.
6

O simulador est escrito em duas verses: verso portuguesa e verso inglesa. A troca de
verso pode ser efectuada em qualquer uma das janelas do simulador.
O programa iniciado com uma janela de apresentao (Fig. 2.1), que representa o menu
principal do simulador.

Figura 2.1 Menu principal do simulador
Nesse mesmo menu esto disponveis cinco botes, que na Fig. 2.1 se encontram
numerados de 1 a 5 para, mais facilmente, serem referenciados:
- Boto 1 Mudana de verso (neste caso para a verso portuguesa);
- Boto 2 Simulao isolada do pr-amplificador EDFA com filtro ptico;
- Boto 3 Simulao isolada do fotodetector;
- Boto 4 Simulao isolada do pr-amplificador elctrico e igualador;
- Boto 5 Simulao completa do receptor ptico.
O utilizador ao premir qualquer um dos botes (excepto o boto de mudana de verso) vai
entrar numa nova janela, onde poder efectuar a simulao pretendida.
Todas as janelas das diferentes simulaes seguem uma estrutura grfica comum (Fig. 2.2),
de modo a facilitar a interaco com o utilizador.
Como se pode ver na Fig. 2.2, existem sempre dois painis principais:

7

Figura 2.2 Estrutura grfica comum das simulaes
- Painel A o painel de configurao, onde so introduzidos, pelo utilizador, todos os
valores e opes de simulao.
- Painel B o painel de resultados, onde aparecem alguns dos grficos e valores
resultantes da simulao requerida.
Ainda na Fig. 2.2, so visveis cinco botes diferentes. Nos cantos superiores das janelas de
simulao esto sempre disponveis dois botes:
- Boto 1 Apresenta o tutorial da respectiva simulao, que serve de ajuda de navegao ao
utilizador.
- Boto 2 Serve para mudar de verso de lngua, tal como j acontecia na janela do menu
principal.
Os restantes trs botes, situados entre os dois painis principais, so botes de comando de
simulao, em que:
- Boto 3 Tal como o prprio boto indica Reset - Repor Valores Iniciais, serve para repor
os valores iniciais. Poder ser til entre duas simulaes diferentes, evitando a necessidade
da reposio manual dos valores das variveis.
- Boto 4 Executa ou actualiza os resultados de uma simulao, aps a introduo ou
alterao de dados das variveis.
- Boto 5 Serve para o utilizador regressar ao menu principal, aps ter efectuado as
simulaes pretendidas na respectiva janela.
Recorde-se que neste captulo foram apenas apresentadas as caractersticas grficas gerais e
comuns aos diversos tipos de simulao. No entanto, as especificidades das simulaes de cada
bloco e do receptor completo sero apresentadas ao longo da dissertao em cada captulo prprio,
bem como nos Anexos A, B, C e D.
8

Captulo 3
3. Pr-Amplificao ptica
Os pr-amplificadores pticos so uma das solues possveis a implementar no receptor
ptico, como forma de compensar a atenuao causada pela fibra ptica.

(a)

(b)
Figura 3.1 Exemplos de pr-amplificadores pticos:
(a) EDFA-PA da AOC Technologies [13]
(b) PG1600 da Avanex [14]
3.1 - Descrio do dispositivo
3.1.1 Amplificador ptico
Os primeiros sistemas de comunicao ptica digital utilizavam regeneradores de sinal, como
forma de compensar a atenuao causada pela fibra ptica. A regenerao era realizada
electricamente, havendo necessidade de converso opto-elctrica e elctro-ptica, respectivamente,
entrada e sada do regenerador. Este mtodo, para alm de ser muito dispendioso, apresentava
uma grande limitao pelo facto de funcionar apenas para um dado dbito binrio e cdigo de linha.
Ou seja, o aumento do dbito binrio ou alterao do cdigo de linha implicava a substituio de
todos os regeneradores.
Com o aparecimento dos amplificadores pticos, que actuam directamente no domnio ptico,
tornou-se fcil a adaptao dos amplificadores a possveis alteraes no dbito binrio ou cdigo de
linha. Dentro de certos limites, pode dizer-se que o amplificador ptico insensvel ao dbito binrio
e ao cdigo de sinal que por ele passa. Os amplificadores pticos podem, ainda, ter ganhos
considerveis em grandes larguras de banda (cerca de 30nm), permitindo a amplificao de vrios
canais simultneos num sistema WDM (Wavelength-Division Multiplexing) [2]. Porm, o ganho dos
amplificadores pticos depende do comprimento de onda do sinal, bem como da potncia do mesmo.
Idealmente um amplificador ptico deve apresentar um ganho constante numa elevada gama
de comprimentos de onda e ser o mais insensvel possvel potncia de entrada do sinal a amplificar,
para que no haja a necessidade de compensaes de diferenas de ganho.
9

Os dois principais tipos de amplificadores pticos so: amplificadores pticos de
semicondutor (SOA - Semiconductor Optical Amplifier) e amplificadores pticos de fibras dopadas
(DFA Doped - Fiber Amplifier) [15].
Os amplificadores pticos de semicondutor tm um funcionamento idntico aos lasers de
semicondutor e apresentam piores caractersticas de amplificao que os de fibra dopada.
Precisamente por essa razo encontraram outras aplicaes, como o caso de dispositivos de
converso de comprimento de onda e comutadores pticos [2].
Os amplificadores pticos de fibras dopadas so obtidos a partir da dopagem de uma fibra
ptica com elementos qumicos pertencentes ao grupo das terras raras. Para comprimentos de
onda da terceira janela (
0

[1530, 1565] nm) so utilizados elementos qumicos tais como o rbio
(Er) e o itrbio (Yb); para comprimentos de onda da segunda janela (
0

[1260, 1360] nm) so
utilizados o neodmio (Nd) e o praseodmio (Pr). Nos ltimos anos o amplificador ptico mais utilizado
o EDFA (Erbium Doped Fibre Amplifier) [16], devido sua simplicidade de fabrico, facilidade de
acoplamento fibra e ainda devido ao facto do seu espectro de amplificao coincidir com o mnimo
de atenuao das fibras pticas, que corresponde a 1550nm [17]. O EDFA utiliza o rbio na forma
inica (Er
+3
) na dopagem da fibra.
3.1.2 Amplificador ptico - EDFA
O amplificador EDFA consiste num troo de fibra de slica com um comprimento nominal
entre os 10m e os 30m, dopada com ies de rbio (e.g. 1000 ppm). A fibra dopada bombeada
atravs de um laser bomba, com um comprimento de onda de 980nm ou de 1480nm.

Figura 3.2 Esquema de um EDFA [2]
O EDFA utiliza um acoplador ptico selectivo no comprimento de onda para combinar a sada
do laser bomba com o sinal entrada da fibra dopada. No final da fibra dopada poder ser utilizado
outro acoplador ptico selectivo no comprimento de onda, com a finalidade de separar o sinal
amplificado de resduos do laser bomba. O EDFA, normalmente, ainda constitudo por um ou dois
isoladores, para evitar que o funcionamento normal do amplificador seja alterado por reflexes do
sinal.
O processo de amplificao pode ser explicado atravs do diagrama de nveis de energia do
io de rbio (Er
3+
) em slica, da Fig. 3.3.
10

(a) (b)
Figura 3.3 Nveis de energia do EDFA [18] para: (a) laser bomba a 980nm e (b) laser bomba a 1480nm
O io de rbio (Er
3+
) tem uma grande eficincia de absoro de energia para os
comprimentos de onda de 980nm e 1480nm. Nestes comprimentos de onda, o rbio consegue
absorver uma quantidade de fotes superior que absorveria noutras faixas de comprimento de
onda.
Como se pode ver na Fig. 3.3, no mecanismo de amplificao do EDFA, consideraram-se trs
nveis de energia diferentes para os ies de rbio: E
1
, E
2
e E
3
(designados respectivamente por
fundamental, meta-estvel e de bombeamento). Por sua vez, N
1
, N
2
e N
3
representam a populao de
portadores em cada um dos nveis de energia, respectivamente no primeiro, segundo e terceiro nveis
de energia. Quando o sistema est em repouso, ou seja, com o laser bomba desligado, a populao
de portadores encontra-se numa situao de equilbrio, em que N
1
> N
2
e N
1
> N
3.
Nesta circunstncia
no h amplificao.
Porm, quando estamos na presena de bombeamento, a situao de equilbrio alterada.
Parte da populao do nvel energtico E
1
, ao absorver fotes de bombeamento, passa para os nveis
energticos mais altos (E
2
e E
3
), atravs da energia absorvida. A energia de cada foto de
bombeamento dada pela seguinte expresso:
hc
E = (3.1)
onde E representa a energia de um foto, h a constante de Planck, c a velocidade da luz e o
comprimento de onda.
Na Fig. 3.3 (a), para um bombeamento a 980nm, a absoro de fotes pelos ies provoca
transies de E
1
para E
3
. Isto deve-se ao facto da energia dos fotes obedecer relao quntica
(3.1), onde =980nm. Como h6,626*10
-34
J.s e c2,998*10
8
m/s, resulta em E1.265 ev, sendo
que esta corresponde energia necessria para o io de rbio transitar de E
1
para E
3
.
No entanto, a tendncia do sistema retornar ao seu estado fundamental. Neste processo os
portadores que se encontram no nvel E
3
tendem a libertar a sua energia e retornar ao nvel E
1
. Parte
dos portadores de rbio passam pelo nvel E
2
antes de atingirem o nvel E
1
. Na transio de E
3
E
2

11

os portadores perdem energia em emisses espontneas no radiativas, que podem tomar a forma
de vibraes da rede cristalina. Essa onda mecnica pode ser associada a uma partcula equivalente,
denominada de fono. Porm, a transio E
2
E
1
radiativa com fotes resultantes desta transio
com comprimento de onda em torno dos 1550nm.
Como as transies E
3
E
2
so mais rpidas do que as transies E
2
E
1
, na ordem de 10
4

vezes (~1s e ~10ms, respectivamente), teremos uma acumulao de portadores no nvel E
2
. Como
consequncia desta acumulao, o nmero o nmero de portadores no estado fundamental ser
reduzido (N
1
<N
2
). Este processo designa-se inverso da populao, e garante as condies para a
amplificao. A amplificao ocorre ao acoplarmos um sinal na entrada do amplificador, que por sua
vez vai estimular a populao N
2
, fazendo com que estes transitem para o seu estado fundamental
E
1
, produzindo uma emisso coerente de fotes ao longo da fibra dopada.
Uma outra opo a utilizao de um laser bomba a 1480nm, como se pode ver na Fig. 3.3
(b). Tendo em conta a relao quntica (3.1), para =1480nm, resulta em E0,8376 ev, que
corresponde energia necessria para um portador transitar directamente de E
1
para os sub-nveis
superiores de E
2
. Portanto, neste caso, a absoro de fotes pelos ies provoca transies
directamente para o nvel meta-estvel. O nvel E
2
constitudo por vrios sub-nveis, sendo que os
portadores quando so excitados pelos fotes de 1480nm, atingem os sub-nveis de maior energia
deste nvel. Estes portadores tendem a perder energia na forma no radiativa dentro do prprio nvel
E
2
, decaindo para sub-nveis de menor energia onde estaro em condies de proporcionar
transies radiativas no comprimento de onda do sinal. Portanto, uma potncia de bombeamento
suficiente resultar na inverso da populao (N
1
<N
2
), garantindo as condies de amplificao j
descritas para o caso do laser bomba a 980nm [18].
O laser bomba de 980nm permite uma melhor inverso da populao (maior nmero de ies
no estado excitado), relativamente ao laser bomba a 1480nm. Tendo em conta que, quanto maior for
o nmero de ies no estado excitado menor ser a potncia de rudo introduzida pelo amplificador, a
utilizao dos 980nm prefervel no fabrico de amplificadores de baixo rudo.
Por sua vez, os lasers bomba de 1480nm apresentam uma eficincia energtica de
converso mais elevada, pelo que este comprimento de onda prefervel para o fabrico de
amplificadores de elevadas potncias de sada. A utilizao dos 1480nm tem ainda menores perdas
ao longo da fibra, permitindo que o laser bomba possa estar mais distante do EDFA, evitando a
introduo de componentes activos no meio da ligao [2].
No entanto, em qualquer dos comprimentos de onda a 980nm ou 1480nm, alguns fotes so
emitidos sem a estimulao do sinal na entrada, quando os portadores transitam espontaneamente
para o seu nvel fundamental E
1
. Estes fotes so considerados um rudo adicional indesejado na
amplificao ptica. Acresce ainda que, a emisso espontnea de fotes estimula o aparecimento de
outros (processo anlogo estimulao por parte do sinal a amplificar). Deste modo, a amplificao
12

no se restringe apenas ao sinal de entrada, como seria o ideal, mas tambm ao rudo. O rudo
amplificado pelo EDFA designado emisso espontnea amplificada (EEA) [2].
3.1.2.1 Ganho do EDFA
A maior limitao dos EDFAs deve-se ao facto de s possibilitarem a amplificao para os
comprimentos de onda da terceira janela (1530-1565 [nm]), por serem os comprimentos de onda
correspondentes aos fotes libertados durante a transio dos ies de rbio para o seu estado
fundamental, como j foi visto anteriormente. Porm, este tipo de amplificador ptico apresenta ainda
outras limitaes, como o caso do ganho depender do comprimento de onda e da potncia do sinal
de entrada (P
in
), como se pode ver na Fig. 3.4.

Figura 3.4 Ganho tpico do EDFA para trs valores de potncia de entrada, em funo do comprimento de onda do sinal a
amplificar [2].
Tal como se pode ver na Fig. 3.4, a curva do ganho no constante ao longo do
comprimento de onda, tendo um pico em torno dos 1530nm. Segundo a Unio Internacional das
Telecomunicaes (ITU - International Telecommunications Union) considera-se uma faixa til de
amplificao de cerca de 35nm (de 1530nm a 1565nm) [18]. Por outro lado, com o aumento da
potncia do sinal de entrada o ganho do EDFA diminui. Este efeito denominado saturao do
ganho, ocorrendo quando a inverso da populao significativamente reduzida pelo elevado
nmero de fotes do sinal de entrada.
A relao entre a potncia do sinal de entrada e a potncia do sinal na sada de um EDFA
pode ser expressa atravs do princpio da conservao da energia [15]:
in p
s
p
in s out s
P P P
, , ,
+ s (3.2)
onde P
s,out
representa a potncia do sinal sada do EDFA, P
s,in
a potncia do sinal na entrada
do EDFA,
p
o comprimento de onda do laser bomba,
s
o comprimento de onda do sinal e
P
p,in
a potncia do laser bomba. O princpio fsico fundamental, presente na equao, que a
diferena entre a energia do sinal de sada e do sinal de entrada do EDFA, no pode ser superior
energia total fornecida pelo laser bomba ao dispositivo. Normalmente inferior, devido a efeitos
indesejados, tais como a perda de fotes de bombeamento causada por interaces com impurezas,
ou pela perda de energia de bombeamento durante a emisso espontnea.
Tendo em conta que:
13

in s
out s
o
P
P
G
,
,
= (3.3)
em que G
o
representa o ganho ptico do amplificador. Substituindo (3.3) em (3.2) e
assumindo que no h emisso espontnea, obtm-se:
in s
in p
s
p
o
P
P
G
,
,
1
+ s (3.4)
A expresso (3.4) mostra uma importante relao entre a potncia do sinal de entrada e
ganho do EDFA. Se a potncia do sinal de entrada for muito elevada, P
s,in
>>(
p
/
s
)P
p,in
, ento o
mximo ganho do EDFA ser aproximadamente igual a 1. Nestas circunstncias o EDFA
praticamente transparente ao sinal [15].
3.1.2.2 Rudo do EDFA
Durante o processo de amplificao do EDFA d-se a emisso espontnea amplificada
(EEA), j explicada anteriormente, que aparece como rudo sada do amplificador. A densidade
espectral de potncia de rudo por cada modo de polarizao dada por [2]:
v v h G n S
o sp EEA
) 1 ( ) ( = (3.5)
onde S
EEA
representa a densidade espectral de potncia de rudo, n
sp
o factor de emisso
espontnea, G
o
o ganho ptico do amplificador, h a constante de Planck e v a frequncia.
O valor de n
sp
depende do nvel de inverso de populao e definido por:
1 2
2
N N
N
n
sp
= (3.6)
Normalmente o valor do n
sp
varia entre 1,4 e 4, dependendo da inverso da populao. No caso
de um EDFA ideal, com inverso completa da populao (N
1
=0), o valor de n
sp
ser igual a 1.
A potncia de rudo por cada modo de polarizao sada do amplificador ser ento:
o o sp o EEA EEA
B h G n B S P v v ) 1 ( ) ( = ~

(3.7)
onde P
EEA
a potncia de rudo por cada modo de polarizao e B
o
a largura de banda ptica do
EDFA. Como existem dois modos de polarizao fundamentais na fibra ptica e, admitindo que a
potncia de rudo se distribui equitativamente pelos dois modos, a potncia total de rudo ser dada
por [2]:
o o sp o EEA EEA
B h G n B S P v v ) 1 ( 2 ) ( 2 2 = ~

(3.8)
Normalmente o rudo introduzido pelo amplificador ptico especificado atravs do parmetro
factor de rudo. Os prprios fabricantes utilizam o factor de rudo para quantificar o rudo introduzido
pelos amplificadores. Porm, o factor de rudo de um amplificador ptico determinado aps a
deteco, ou seja, no domnio elctrico. Assim sendo:
14

o
i
o
SNR
SNR
F = (3.9)
onde F
o
designa o factor de rudo de um amplificador ptico, SNR
i
a relao sinal rudo elctrico
entrada do amplificador ptico e SNR
o
a relao sinal rudo elctrico sada do amplificador
ptico. Para clculo de SNR
i
e SNR
o
utilizado um mesmo fotodetector para medir as relaes
sinal rudo elctrico para os sinais pticos entrada e sada do amplificador ptico. Tendo em conta a
expresso (3.9) e as especificidades da deteco (transformao de um sinal ptico num sinal
elctrico que ser abordada detalhadamente no captulo 4) resulta [15]:
o
o sp
o
G
G n
F
) 1 ( 2 1 +
~ (3.10)
Quando o ganho do amplificador ptico elevado, a expresso (3.10) pode ainda ser
simplificada para:
sp o
n F 2 ~ (3.11)
Substituindo a expresso (3.11) em (3.8) obtm-se:
o o o EEA
B h G F P v ) 1 ( 2 ~ (3.12)
Uma vez que o amplificador ptico ideal tem n
sp
igual a 1 (inverso completa da
populao), o factor de rudo mnimo ser de 2, o que equivale a aproximadamente a 3 dB. Nos
EDFA reais, o factor de rudo varia normalmente entre 4 dB e os 6 dB.
A relao sinal rudo ptico sada do amplificador ptico pode ser definida por:
EEA
out s
P
P
OSNR
2
,
= (3.13)
onde OSNR representa a relao sinal rudo ptico (Optical Signal-to-Noise Ratio). Substituindo
agora as expresses (3.3) e (3.12) em (3.13), obtm-se finalmente:
o o o
in s o
B h G F
P G
OSNR
v ) 1 (
.
,
~ (3.14)
3.1.3 Filtro ptico
Na pr-amplificao ptica, como forma de reduzir a potncia de rudo ptico inserido pelo
amplificador ptico, normalmente utilizado um filtro ptico entre o amplificador e o fotodetector. O
filtro ptico reduz a largura de banda ptica e, consequentemente, reduz a potncia de rudo ptico.
Um dos filtros pticos mais utilizado nas comunicaes pticas o filtro de Fabry-Perot. Este
filtro constitudo por uma cavidade ressonante entre dois espelhos paralelos com uma determinada
reflectividade (semi-transparentes) e colocados a uma distncia pr-determinada. O sinal ptico
incide numa das faces, entra na cavidade onde sofre mltiplas reflexes, em que os sinais reflectidos
15

interferem com o sinal incidente construtiva ou destrutivamente. Quando o sinal ptico incidente tem
um comprimento de onda que seja mltiplo inteiro da distncia entre espelhos, o sinal sofre uma
interferncia construtiva e transmitido para fora da cavidade atravs do segundo espelho. Caso
contrrio, a interferncia destrutiva e o sinal atenuado.

Figura 3.5 Esquema do filtro Fabry-Perot [16]
A funo de transferncia em potncia do filtro ptico designada por transmitncia. No caso
do filtro de Fabry-Perot de cavidade simples a transmitncia, T
FP
(f), dada por [19]:
2
.
sin
1
2
1
1
) (
|
|
.
|
\
|
|
.
|
\
|
+
=
FSR
f
R
R
f T
FP
t
(3.15)
onde R representa a reflectividade dos espelhos e FSR a regio espectral livre (Free Spectral
Range), que corresponde ao espectro ptico existente entre um dado comprimento de onda e o seu
mltiplo. A funo de transferncia do filtro ptico uma funo peridica na frequncia, com perodo
igual regio espectral livre, como se pode ver na Fig. 3.6.

Figura 3.6 Resposta do filtro Fabry-Perot [16]
A regio espectral livre pode ser definida por:
F FWHM FSR = (3.16)
onde "FWHM a largura de banda a -3dB (Full Width at Half Maximum) e F representa a
selectividade (finesse) do filtro ptico.
Por sua vez, a selectividade, ou finesse, pode escrever-se em funo da reflectividade:
R
R
F
=
1
t
(3.17)
16

Como se pode ver pela expresso (3.17), quanto maior for a reflectividade (0<R<1) maior
ser a selectividade e, consequentemente, menor ser a largura de banda para a mesma FSR.
A utilizao do filtro na pr-amplificao ptica tem como objectivo diminuir a potncia de
rudo ptico atravs da diminuio da largura de banda. Porm, este tipo de filtro pode ter outras
aplicaes, como o caso da fabricao de multiplexers e desmultiplexers WDM (wavelength-
division multiplexing).
3.2 Simulao do Pr-Amplificador EDFA e Filtro ptico
A simulao do dispositivo neste captulo feita isoladamente dos restantes blocos do
receptor ptico, onde a partir das caractersticas do sinal de entrada e do prprio dispositivo, se
obtm o sinal resultante sada do mesmo.
A simulao individual do pr-amplificador ptico, constitudo por um EDFA e um filtro ptico,
permite dimensionar o sinal na entrada, o conector usado, os parmetros intrnsecos do EDFA e o
filtro ptico. Na Fig. 3.7 pode visualizar-se a respectiva janela de simulao, que se encontra
detalhadamente apresentada no Anexo A.

Figura 3.7 Interface de simulao do pr-amplificador EDFA com filtro ptico
17

Os parmetros variveis do sinal ptico incidente e conector so constitudos pela potncia
ptica mdia que chega ao conector, pela penalidade de potncia devido transmisso, pelo
comprimento de onda, pelo dbito binrio, pela razo de extino e pela atenuao do conector
ptico. O valor da razo de extino, r, corresponde razo entre a potncia ptica do nvel lgico
0 e a potncia ptica do nvel lgico 1:

1 ,
0 ,
o
o
P
P
r = (3.18)
como na modulao digital OOK considera-se P
o,0
< P
o,1
, logo a razo de extino varia entre 0 < r
< 1.
Por sua vez, a penalidade de potncia devido transmisso (na literatura inglesa referida
como path penalty), quantifica o afastamento do sinal em relao s suas condies ideais em
termos de distoro, representando o acrscimo de potncia necessrio para se possa tratar o sinal
real que chega ao receptor, como se tratasse de um sinal ideal. Segundo a ITU (International
Telecommunications Union), 2 dB representa a distoro mxima que o sistema pode tolerar [2].
De realar que, nesta simulao, o comprimento de onda est limitado terceira janela ou
banda C (entre 1530nm e 1565nm), pelas limitaes do amplificador EDFA j mencionadas
anteriormente neste captulo.
Em relao ao EDFA e filtro ptico, o simulador individual permite dimensionar o seu ganho,
o factor de rudo, a largura de banda do filtro ptico, a potncia do laser bomba e o
comprimento de onda utilizado no bombeamento.
Nos resultados apresentados, o simulador permite visualizar graficamente o sinal ptico
NRZ entrada do amplificador ptico (de acordo com parmetros definidos), bem como a potncia
do sinal e potncia de rudo sada do filtro ptico. So ainda apresentados os valores resultantes
da relao sinal rudo ptico, potncia mdia do sinal, potncia do nvel lgico 1, potncia do
nvel lgico 0 e potncia de rudo de emisso espontnea amplificada introduzido pelo EDFA.
A simulao individual do fotodetector inclui alguns controladores que, de acordo com
limitaes fsicas e consideraes tericas, impedem que certas opes sejam tomadas pelo
utilizador do simulador.
Um dos controladores do simulador no permite que as expresses (3.2) e (3.4) sejam
violadas, aparecendo um aviso que possibilita a correco automtica do ganho do amplificador de
acordo com as expresses referenciadas.
Nesta simulao considera-se que o filtro ptico ideal, no sendo permitido introduzir uma
largura de banda em Hz que seja inferior ao dbito binrio em bit/s. Esta limitao deve-se ao
facto da largura espectral do sinal ptico ser, no mnimo, aproximadamente igual ao dbito binrio,
tendo em conta o tipo de fonte ptica e tipo de modulao utilizada [2]. O simulador tambm tem um
18

controlador para evitar que esta considerao terica seja violada, aparecendo um aviso que
possibilita a correco da largura de banda ptica introduzida, tal como se pode ver na Fig. 3.8.

Figura 3.8 Exemplo de aviso de violao de limites impostos
3.2.1 - Exemplo Prtico de Simulao
Como exemplo prtico sero atribudos valores aos diferentes parmetros do simulador,
sendo posteriormente analisados os resultados.
Neste exemplo imposta uma potncia ptica mdia de P
s,tot
|
dBm
= -27dBm, uma penalidade
de potncia devida transmisso de P
i
(D
y
L)|
dB

= 2dB, comprimento de onda de
s
= 1550nm,
com um dbito binrio de D
b

= 10Gbit/s, uma razo de extino de r

= 0,152 e com uma atenuao
no conector de A
c
|
dB
= 0,25dB, tal como se pode ver na Fig. 3.9.

Figura 3.9 Parmetros do sinal ptico e conector
No que respeita ao amplificador EDFA e filtro ptico (Fig. 3.10), introduzido um ganho ptico
de G
o
|
dB
= 20 dB, um factor de rudo de F
o
|
dB
= 8 dB, uma largura de banda ptica de B
o

= 5nm,
uma potncia do laser bomba de P
p,in
|
dBm
= 10dBm e, por fim, um comprimento de onda de
bombeamento de
p

= 980nm.

Figura 3.10 Parmetros do amplificador EDFA e filtro ptico
19

A partir dos valores supra-referenciados o simulador devolve os consequentes sinais na
entrada do EDFA e na sada do filtro ptico.
O sinal na entrada do EDFA (Fig. 3.11) obtido tendo em conta que a potncia mdia do
sinal sem distoro na entrada do EDFA, P
s,in
, resulta da seguinte expresso:
dB c dB i dB tot s dB in s
A L D P P P | | ) ( | |
, ,
A =

(3.19)
Neste exemplo resulta que P
s,in
|
dB
= -29.25 dBm ou P
s,in
= 1,189*10
-6
W. Como se est a
utilizar o cdigo binrio NRZ, a potncia ptica mdia para os valores lgicos 1 e 0 obtida
respectivamente a partir de:
r
P
P
in s
in s
+
=
1
2
,
1 , ,
e r
r
P
P
in s
in s

+
=
1
2
,
0 , ,
(3.20)
Resultando em P
s,in,1
= 2,064*10
-6
W e P
s,in,0

= 3,138*10
-7
W. O perodo de cada bit para este
exemplo, T=1*10
-10
s, obtido a partir de:
b
D
T
1
= (3.21)

Figura 3.11 Potncia ptica sem distoro para a sequncia lgica 01010 no cdigo NRZ
Em relao ao sinal sada do amplificador EDFA e filtro ptico, este caracterizado pela
potncia de sinal e pela potncia de rudo introduzida pelo EDFA. Na Fig. 3.12 pode ver-se a
apresentao dos resultados do simulador, onde exposto um grfico (correspondente s potncias
de sinal e rudo) e um painel direita (onde esto presentes os principais valores resultantes).
A potncia do sinal sada do EDFA e filtro ptico obtida pelo simulador a partir da
expresso (3.3), resultando numa potncia mdia de sinal de P
s,out
= 1,189*10
-4
W, onde a potncia
para os nveis lgicos 1 e 0 so, respectivamente, P
s,out,1
= 2,064*10
-4
W e P
s,out,0
= 3,138*10
-5
W.
A potncia de rudo resultante do amplificador e filtro ptico obtida a partir da expresso
(3.12), tendo em conta os valores estipulados para o factor de rudo do EDFA, ganho ptico,
comprimento de onda do sinal e largura de banda do filtro ptico ideal, resultando em 2PEEA=
4,935*10
-5
W.
Por fim a relao sinal rudo ptica obtida a partir da expresso (3.14) de onde resulta
OSNR= 2,408 ou OSNR|
dB
= 3,817 dB.
20

Figura 3.12 Resultados do sinal aps ter passado pelo EDFA e filtro ptico
3.2.2 - Anlise de Resultados e Concluses
Na Tab. 3.1 pode visualizar-se os valores resultantes para o sinal entrada e sada do pr-
amplificador ptico constitudo por um amplificador EDFA e por um filtro ptico ideal. Os valores
apresentados para o sinal na entrada do EDFA j tm em conta a penalidade de potncia devido
transmisso e a atenuao do conector.
Tabela 3.1 Resultados do exemplo prtico de simulao do pr-amplificador ptico

Entrada no pr-
amplificador ptico
Sada do pr-amplificador
ptico
Potncia do nvel lgico 1 [dBm] -26,85 -6,85
Potncia do nvel lgico 0 [dBm] -35,04 -15,04
Potncia mdia do sinal [dBm]

-29,25 -9,25
Potncia de rudo [dBm] - -13,07
OSNR [dB] 3,82

Nos resultados obtidos pode constatar-se que o sinal sada do pr-amplificador tem uma
potncia mdia superior em 20dB relativamente entrada do mesmo, correspondente ao ganho do
amplificador ptico. Este acrscimo de potncia pode ser necessrio para possibilitar a deteco de
um determinado receptor ptico, cuja potncia anterior amplificao seria insuficiente, ou seja, seria
menor que a sensibilidade do receptor ptico em causa.
No entanto, o sinal sada do pr-amplificador ptico apresenta uma relao sinal rudo
ptico pior do que na entrada do mesmo, uma vez que o sinal fica corrompido pelo rudo introduzido
pelo amplificador. Aquando da deteco, este rudo de emisso espontnea amplificada (EEA),
origina o aparecimento de rudos de batimento (sinal-EEA e EEA-EEA), que sero analisados no
captulo seguinte.

21

Captulo 4
4. Fotodetector
O fotodetector o elemento do receptor ptico responsvel pela converso do sinal do
domnio ptico para o domnio elctrico, atravs do efeito foto-elctrico. Existem vrias caractersticas
desejveis no fotodetector, tais como: largura de banda e tempo de resposta adequados aos dbitos
binrios em causa, elevada sensibilidade para os comprimentos de onda de interesse, baixa
sensibilidade a alteraes de temperatura, baixo nvel de rudo, dimenses compatveis com o
dimetro do ncleo das fibras pticas, tempo de vida longo e baixo custo [19].

Figura 4.1 Exemplos de Fotodetectores [20]
Apesar da diversidade de fotodetectores existentes (fotomultiplicadores, detectores
piroelctricos, fotocondutores, fototransstores e fotododos [15]), nas comunicaes pticas so
utilizados, quase exclusivamente, os fotododos. Estes apresentam melhores caractersticas, devido
ao seu tamanho reduzido, alta sensibilidade, resposta rpida no tempo e baixo custo.
Os dois tipos de fotododos mais utilizados nas comunicaes pticas so o fotododo PIN
(Positive-Intrinsic-Negative) e o APD (Avalanche PhotoDiode).
4.1.1 Fotododo PIN
O fotododo PIN consiste numa juno de materiais p-n, separados por um material
intrnseco. O fotododo polarizado inversamente, assim, as lacunas so atradas para o plo
negativo da tenso de polarizao e os electres para o plo positivo. As lacunas e electres
afastam-se do centro alargando a regio de depleco, contribuindo para um aumento da barreira de
potencial at que esta seja igual tenso aplicada. Neste processo, o material intrnseco garante o
alargamento da regio de depleco por toda a sua extenso, mesmo com tenses de polarizao
moderadas. Uma largura da regio de depleco adequada essencial para a eficincia do PIN, uma
vez que toda a potncia ptica absorvida fora desta no contribuir para a corrente gerada no
fotododo.
22

Figura 4.2 Esquema de um Fotododo PIN polarizado inversamente [15]
Como se pode visualizar na Fig. 4.2, quando um foto incide na regio de depleco com
uma energia igual ou superior ao intervalo energtico entre as bandas do semicondutor utilizado, este
ir excitar um electro da banda de valncia para a banda de conduo. Como consequncia, so
gerados pares electro-lacuna livres. Como a regio de depleco est sob um intenso campo
elctrico, os electres livres deslocam-se para a regio n e as lacunas deslocam-se para a regio
p, antes de ocorrer a sua recombinao. Este fluxo de cargas provoca o aparecimento da corrente
i
p
(t), usualmente designada por fotocorrente, no circuito de polarizao.
Tal como j foi referido, a energia do foto tem de ser superior diferena energtica entre as
bandas de valncia e conduo:
g
E
hc
v h > =
. (4.1)
onde h a constante de Planck, v a frequncia, c a velocidade da luz, o comprimento de
onda do foto incidente e E
g
diferena energtica entre as bandas de valncia e conduo do
material semicondutor.
Assim, a partir da expresso (4.1) pode definir-se o comprimento de onda mximo ou crtico
dos fotes
c
, a partir do qual o material semicondutor deixa de absorver [21]:
] [
24 , 1
] [
eV E
m
E
hc
g
c
g
c
~ = (4.2)
Idealmente, o fotododo PIN origina um par de electro-lacuna por cada foto incidente.
Porm, na realidade nem todos os fotes incidentes no material semi-condutor so absorvidos e,
consequentemente, no podem gerar pares electres-lacunas. A eficincia de converso opto-
elctrica designa-se por eficincia quntica, , e pode ser obtida pela seguinte expresso [15]:
) /(
/
hv p
q i
incidentes fotes de nmero
gerados lacuna electro pares de nmero
i
p
= = q (4.3)
onde i
p
a corrente elctrica sada do fotododo PIN, q a carga de um electro, p
i
a
potncia ptica do sinal incidente no fotodetector e hv a energia de cada foto. A eficincia quntica
depende do comprimento de onda do sinal ptico incidente, bem como do tipo de material utilizado no
fabrico do fotodetector.
23

Outra grandeza habitual e bastante til que caracteriza o fotododo a sua respostividade,
R
0
, que traduz a relao entre a corrente gerada e a potncia incidente no fotododo PIN [22]:
i
p
p
i
R =
0
(4.4)
Substituindo a expresso (4.3) em (4.4), obtm-se a relao entre a eficincia quntica e a
respostividade:
24 , 1
] [
0
m
hv
q
R

q
q
~ = (4.5)
Pela anlise da expresso (4.5), pode constatar-se que a respostividade aumenta com o
comprimento de onda, uma vez que existem mais fotes para uma mesma potncia ptica incidente.
Porm, tendo em conta as expresses (4.1) e (4.2), a partir do comprimento de onda crtico,
c
, a
eficincia quntica e a respostividade baixam para zero, uma vez que material deixa de absorver a
potncia ptica incidente.

Figura 4.3 Respostividade e eficincia quntica em funo do comprimento de onda, para fotododos tipo PIN de diferentes
materiais [15].

Na Fig. 4.3 podem ver-se alguns valores caractersticos da respostividade e eficincia
quntica em funo do comprimento de onda do sinal ptico incidente, para fotododos do tipo PIN
constitudos por diferentes materiais: silcio Si, germnio Ge e arsenieto de ndio-glio InGaAs.
4.1.2 Fotododo de Avalanche (APD)
O APD um fotododo com capacidade para amplificar internamente a corrente gerada no
processo de fotodeteco. Este difere do fotododo PIN pelas elevadas tenses de polarizao e pelo
acrscimo de mais uma camada tipo p na sua estrutura. O APD construdo e dimensionado para
ter uma regio de campo elctrico muito elevado, designada regio de avalanche.
Na Fig. 4.4 pode observar-se a estrutura de um APD, bem como, a distribuio do campo
elctrico ao longo do mesmo. O APD , normalmente, constitudo por uma camada fortemente
dopada n
+
, uma camada levemente dopada p, uma camada de material intrnseco (que no caso do
24

APD designada de ) e uma camada fortemente dopada p
+
. As camadas tm diferentes tipos e
intensidades de dopagem, para modificarem a distribuio do campo elctrico ao longo do fotododo.
A regio de avalanche corresponde zona onde o campo elctrico superior ao mnimo requerido,
E
m
, para provocar a amplificao interna.

Figura 4.4 Representao da distribuio do campo elctrico ao longo da estrutura do APD [15]
O seu funcionamento baseia-se na ionizao por impacto. Os pares electro-lacuna primrios
(obtidos a partir da absoro dos fotes do sinal incidente na regio ) deslocam-se para as
respectivas regies, tal como acontecia para o fotododo PIN. Porm, os electres, que se deslocam
para a regio n
+
(devido polarizao inversa), ao atingirem a juno p-n
+
ficam sob o efeito de um
elevado campo elctrico. Este vai provocar uma acelerao nos electres, que adquirem energia
cintica suficiente, para que, ao colidirem com tomos, consigam produzir novos portadores. Por sua
vez, os novos portadores gerados por impacto, so tambm acelerados e, consequentemente e pelo
mesmo processo, geram outros novos portadores. Esta cadeia de reaces designada efeito de
avalanche.
Como consequncia, a corrente do sinal sada do APD, i
APD
,

aparece amplificada por um
factor M, em relao corrente primria i
p
(corrente correspondente aos portadores primrios):

p APD
Mi i = (4.6)
Na prtica, o efeito de avalanche no constante, uma vez que os portadores primrios no
originam sempre o mesmo nmero de novos portadores. Assim, o factor M expressa o valor mdio
do efeito de avalanche.
Substituindo a expresso (4.4) em (4.6), obtm-se:
i APD
p MR i
0
= (4.7)
Nos catlogos de fabricante aparece muitas vezes a designao de respostividade APD,
R
APD
,

que corresponde razo entre a corrente sada do APD, e a potncia ptica incidente no
mesmo. Tendo em conta a expresso (4.7), obtm-se a relao entre a respostividade APD e a
respostividade para a corrente primria R
0
:
25

0
MR R
APD
=

(4.8)
4.1.3 Rudo na Fotodeteco sem Pr-Amplificao ptica
Idealmente, a corrente elctrica gerada no fotodetector directamente proporcional
potncia ptica incidente, como foi explicado anteriormente. Contudo, na prtica, a corrente gerada
tem flutuaes, mesmo quando a potncia incidente constante. Estas flutuaes so causadas por
diferentes formas de rudo que, no caso do receptor sem pr-amplificao ptica, se restringem ao
rudo quntico e rudo de circuito.
4.1.3.1 Rudo Quntico
Um sinal ptico incidente no fotodetector, com uma determinada potncia ptica, corresponde
a um determinado nmero mdio de fotes por unidade de tempo. Porm, o intervalo de tempo entre
fotes uma grandeza aleatria, seguindo uma distribuio de Poisson. Como consequncia, a
fotocorrente gerada apresenta uma componente aleatria, i
q
(t), designada por rudo quntico (na
literatura inglesa shot noise ou quantum noise). Normalmente, para a anlise do desempenho de
um receptor ptico, aproxima-se a distribuio do rudo quntico a uma distribuio Gaussiana de
mdia nula [22].
Os fotododos geram tambm uma pequena corrente, mesmo sem qualquer sinal ptico
incidente. Essa corrente designa-se por corrente escura (do ingls dark current), tendo origem na
gerao de pares electro-lacuna por efeito trmico. Este tipo de corrente tende a ser maior nos
materiais onde a diferena energtica entre as bandas de valncia e conduo menor. A
contribuio desta corrente pode ser includa no rudo quntico do fotododo.
Assim, a varincia da corrente de rudo quntico,
q
2
, que corresponde ao valor quadrtico
mdio da respectiva corrente, i
q
2
, sada do fotodetector PIN, dada por [22]:
n e d p q q
B I i q i
,
2 2
) ( 2 + = = o

(4.9)
onde q a carga do electro, i
p
a corrente primria sada do fotodetector, I
d
a corrente
escura do fotododo e B
e,n
a largura de banda equivalente de rudo da parte elctrica do receptor
ptico.
A largura de banda equivalente de rudo depende da resposta em frequncia da parte
elctrica do receptor ptico:
df
H
f H
B
T
T
n e
}
+
=
0
2
,
) 0 (
) (
(4.10)
No caso de um filtro ideal, a largura equivalente de rudo igual largura de banda a -3dB.
26

O rudo quntico no caso do APD substancialmente superior ao do PIN, uma vez que o
prprio efeito de avalanche presente no APD um processo eminentemente aleatrio. Assim, a
varincia da corrente de rudo quntico para o APD dada por [22]:

n e d p q q
B M F M I i q i
,
2 2 2
) ( ) ( 2 + = = o

(4.11)
onde F(M) o factor de rudo de excesso do APD, que se obtm a partir de [23]:
|
.
|
\
|
+ =
M
k kM M F
1
2 ) 1 ( ) (
(4.12)
em que k um parmetro adimensional para os diferentes tipos de materiais semi-condutores, que
representa a razo entre coeficientes de ionizao por impacto dos electres e das lacunas, ou, vice-
versa, de modo a que 0<k<1. O melhor desempenho corresponde a valores de k o mais prximo
possvel de zero.
A partir de resultados experimentais, pode ter-se uma aproximao razovel do factor de
rudo de excesso, utilizando a seguinte expresso [15]:
x
M M F ~ ) (

(4.13)
onde x representa um parmetro caracterstico do tipo de material do fotododo, com valores
compreendidos entre 0 e 1. Os valores tpicos para o silcio Si, germnio Ge e arsenieto de
ndio-glio InGaAs so, respectivamente, 0,3 a 0,5, 1 e 0.5 a 0.8 [3].
A expresso (4.11) para clculo do rudo quntico do APD, pode ser particularizada para o
fotododo PIN, desde que se considere M=1. Resultando na expresso (4.9).
Tendo em conta a expresso (4.4) e substituindo-a na expresso (4.11), obtm-se a varincia
da corrente de rudo quntico em funo da potncia ptica incidente no fotodetector p
i
:
n e d i q q
B M F M I p R q i
,
2
0
2 2
) ( ) ( 2 + = = o

(4.14)
4.1.3.2 Rudo de Circuito
O rudo de circuito provm dos elementos resistivos e activos presentes no receptor ptico.
Assim, o seu valor depende do tipo de amplificao elctrica utilizada, como ser visto no prximo
captulo que ser dedicado a esse tema. No presente captulo apenas contemplada uma resistncia
de carga, R
b
, necessria para analisar a fotocorrente sada do fotodetector:
27

Figura 4.5 Circuito de polarizao do fotododo
Neste caso, o rudo de circuito depende unicamente da resistncia R
b
. O rudo gerado pelas
resistncias designa-se rudo trmico (por vezes referido como rudo de Johnson ou Nyquist), tendo
origem na agitao trmica de cargas no interior do elemento resistivo. Este tipo de rudo tem uma
distribuio Gaussiana de mdia nula e independente do valor da corrente aplicada.
Assim, a varincia da corrente de rudo de circuito da Fig. 4.5,
c
2
, que corresponde ao valor
quadrtico mdio da corrente de rudo de circuito, i
c
2
, dada por [24]:
b
n e B
c c
R
TB k
i
, 2 2
4
= = o (4.15)
onde k
B
a constante de Boltzmann e T a temperatura absoluta (Kelvin).
4.1.4 Rudo na Fotodeteco com Pr-Amplificao ptica
A pr-amplificao ptica uma das alternativas para compensar a atenuao causada pela
fibra ptica. No entanto, quando o sinal ptico amplificado antes de ser detectado, este chega ao
fotodetector j corrompido pelo rudo de emisso espontnea amplificada (EEA), introduzido pelo
amplificador ptico. Na fotodeteco a potncia ptica de rudo de EEA convertida para o domnio
elctrico paralelamente com a potncia ptica do sinal. Como consequncia aparecem novas formas
de rudo: batimento sinal-EEA e batimento EEA-EEA.
A fotodeteco de um sinal com pr-amplificao ptica realizada atravs de um fotododo
sem ganho interno do tipo PIN. Apesar do APD ter uma melhor sensibilidade, apresenta um factor de
rudo de excesso F(M) que degrada o desempenho do receptor. Por sua vez, o fotododo PIN tem
uma pior sensibilidade, mas apresenta melhores caractersticas a nvel de rudo. Assim, utiliza-se
uma combinao entre o pr-amplificador ptico (para uma melhor sensibilidade) e o fotododo PIN
(para um baixo rudo).
4.1.4.1 Rudo Quntico
A pr-amplificao ptica provoca um aumento do rudo quntico gerado no fotodetector,
devido presena da potncia de rudo de EEA. Assim, a varincia da corrente de rudo quntico
sada do fotodetector PIN, na presena de pr-amplificao ptica, dada por [23]:
28

n e d EEA i q q
B I P p R q i
, 0
2 2
] ) 2 ( [ 2 + + = = o

(4.16)
onde 2.P
EEA
o rudo total de EEA dado pela expresso (3.13).
4.1.4.2 Rudo de Circuito
Pela expresso (4.15) pode constatar-se que o rudo de circuito no influenciado pelo sinal
incidente no fotodetector. O rudo de circuito mantm-se constante com ou sem pr-amplificao
ptica, que para o circuito da Fig. 4.5, pode ser sempre calculado pela expresso (4.15).
4.1.4.3 Rudos de Batimento da EEA da Amplificao ptica
A pr-amplificao ptica introduz rudo de EEA, sendo este convertido para o domnio
elctrico juntamente com a potncia ptica do sinal. Assim, a fotocorrente gerada sada fotodetector
tipo PIN, i(t), pode ser escrita como [16]:
) ( ) ( ) (
2
0
t i t i E E R t i
c q EEA s
+ + + = (4.17)
onde E
s
representa o campo elctrico associado potncia ptica do sinal entrada do
fotodetector, E
EEA
o campo elctrico associado ao rudo de EEA, i
q
(t) a corrente de rudo
quntico e i
c
(t) a corrente de rudo de circuito.
Como se pode ver pela expresso (4.17), existe um processo de batimento entre o campo
elctrico do sinal e campo elctrico da EEA, que resulta no aparecimento de diferentes componentes
designadas de rudos de batimento:
) ( ) ( ) ( ) ( ) (
0
t i t i t i t i p R t i
c q EEA EEA EEA s i
+ + + + =

(4.18)
onde p
i
representa a potncia do sinal incidente no fotodetector sem rudo, i
s-EEA
(t) representa o
valor da corrente de rudo de batimento sinal-EEA e i
EEA-EEA
(t) a corrente de batimento EEA-EEA.

Por sua vez, as varincias das correntes de rudo de batimento sinal-EEA,
2
s-EEA
, e
batimento EEA-EEA,
2
EEA-EEA
, que correspondem aos valores quadrticos mdios das respectivas
correntes, i
2
s-EEA
e i
2
EEA-EEA
, so dadas por [16]:
n e EEA i EEA s EEA s
B S p R i
,
2
0
2 2
4 = =

o (4.19)
n e n e o EEA EEA EEA EEA EEA
B B B S R i
, ,
2 2
0
2 2
) . 2 ( 2 = =

o (4.20)
onde R
0
a respostividade, S
EEA
a densidade espectral de potncia de rudo de EEA por cada
modo de polarizao, B
o
a largura de banda ptica entrada do fotodetector e B
e,n
a largura de
banda equivalente de rudo da parte elctrica do receptor ptico.
29

Assume-se que os rudos de batimento tambm tm uma distribuio Gaussiana de mdia
nula. Como os diferentes tipos de rudo so incorrelacionados, a varincia da corrente total do rudo,
n
2
, que corresponde ao valor quadrtico mdio da corrente de rudo total, obtida a partir da soma
das diferentes varincias de rudo mencionadas:
2 2 2 2 2 2
EEA EEA EEA s c q n n
i

+ + + = = o o o o o (4.21)
De realar que
n
2
depende da potncia do sinal incidente, uma vez que p
i
influencia o valor do
rudo quntico
q
2
e rudo de batimento sinal-EEA
s-EEA
2
, como se ver pelas expresses (4.16) e
(4.19), respectivamente.
4.1.5 Tempo de Resposta
A largura de banda do receptor ptico determinante na velocidade de resposta do
fotodetector a variaes do sinal ptico incidente. O perodo de tempo que o fotodetector necessita
para traduzir um sinal incidente abrupto entre 10% e 90% do seu valor final, designado por tempo
de subida (rise time), T
r
.

Figura 4.6 Tempo de subida (Rise Time)
O tempo de subida da resposta do fotodetector, para um receptor que possa ser modelado como um
filtro passa baixo de 1ordem, pode ser calculado aproximadamente a partir de [22] :
dB e dB e
r
B B
T
3 , 3 ,
35 , 0
2
9 ln
~ =
t
(4.22)
onde B
e,3dB
a largura de banda elctrica a -3dB do receptor ptico.
Para que a interferncia inter-simblica (IIS) no se torne restritiva na comunicao, o tempo
de subida no pode exceder 70% do perodo do impulso para o cdigo NRZ (non return to zero) e
35% do impulso para o cdigo RZ (return to zero) [22]:
NRZ r
T T 7 , 0 s
(4.23)
RZ r
T T 35 , 0 s
(4.24)
30

Substituindo agora a expresso (4.22) em (4.23) e (4.24), tendo em conta que o perodo do
impulso corresponde ao inverso do dbito binrio T=1/D
b
, chega-se s seguintes expresses:
NRZ b dB e
D B
, 3 ,
5 , 0 >
(4.25)
RZ b dB e
D B
, 3 ,
>
(4.26)
As expresses anteriores traduzem a largura de banda elctrica mnima do receptor ptico
necessria para um dado dbito binrio, sem interferncia inter-simblica (primeiro critrio de Nyquist
para sistemas em banda de base).
4.2 Simulao do Fotodetector
A simulao do dispositivo neste captulo feita isoladamente, onde a partir das
caractersticas do sinal incidente no fotodetector e do prprio fotodetector se obtm a fotocorrente
resultante sada do mesmo.
A simulao individual do fotodetector permite dimensionar o sinal ptico incidente no
fotodetector, bem como os parmetros intrnsecos do fotodetector e resistncia de carga. Na Fig. 4.7
pode visualizar-se a respectiva janela de simulao, que se encontra detalhadamente apresentada no
Anexo B.

Figura 4.7 Interface de simulao do Fotodetector
31

Os parmetros variveis do sinal ptico incidente so constitudos pela potncia ptica
mdia, pelo comprimento de onda, pelo dbito binrio, pela razo de extino e, caso o sinal
tenha sofrido pr-amplificao ptica, pela potncia mdia de rudo introduzida pelo amplificador
e largura de banda ptica do amplificador ou filtro ptico.
Em relao ao fotodetector, o simulador individual permite escolher o tipo de fotododo,
dimensionar a sua respostividade, o seu ganho de avalanche (no caso do APD), a respectiva
corrente escura, o tipo de material, a capacidade do fotododo e a resistncia de carga. O
simulador apresenta desde logo a largura de banda a -3dB e a largura de banda equivalente de rudo.
Nos resultados apresentados, o simulador permite visualizar graficamente o sinal ptico NRZ
entrada do fotodetector (de acordo com parmetros definidos), a estrutura do circuito de polarizao
do fotododo, bem como o grfico da fotocorrente gerada pelo mesmo ao longo do tempo. So ainda
apresentados os valores resultantes da fotocorrente, onde indicado se est ocorrer ou no
interferncia inter-simblica (IIS), apresentado o valor da relao sinal-rudo tendo em conta a
penalidade de potncia devido razo de extino, o valor das potncias dos diferentes tipos de
rudo (circuito, quntico, batimento sinal-EEA e batimento EEA-EEA), as potncias pticas dos
nveis lgicos 0 e 1 e as respectivas fotocorrentes geradas.
Tal como acontecia com o simulador do pr-amplificador ptico, o simulador do fotodetector
tambm tem implementado alguns controladores, impedindo que certas opes sejam tomadas pelo
utilizador do simulador.
Um dos controladores implementados neste simulador tem a funo de verificar se o tipo de
material do fotododo escolhido adequado ao comprimento de onda estipulado e vice-versa. Esta
dependncia deve-se diferena energtica entre as bandas de valncia e conduo e coeficiente de
absoro dos diferentes materiais, j mencionados ao longo deste captulo. Os valores permitidos
pelo controlador so de acordo com a Tabela 4.1.
Tabela 4.1 Relao entre o tipo de material do fotodetector e o comprimento de onda do sinal ptico incidente [15]
Si Ge InGaAs
Comprimento de onda [nm] 400-1100 800-1650 1100-1800

Caso o sinal incidente no fotodetector tenha sofrido pr-amplificao ptica, existe um
controlador que verifica se o utilizador est a introduzir um comprimento de onda da terceira janela
compatvel com a pr-amplificao ptica do EDFA, entre 1530 nm e 1565 nm. Um outro
controlador verifica se o fotododo utilizado com pr-amplificao ptica do tipo PIN, uma vez que o
APD no se utiliza com pr-amplificao ptica por conduzir a piores resultados, por razes j
apresentadas ao longo deste captulo. Existe ainda um outro controlador, que, tal como acontecia no
simulador individual do pr-amplificador ptico, no permite introduzir uma largura de banda ptica
em Hz que seja inferior ao dbito binrio em bit/s, pelas razes explicadas no captulo 3.
32

Figura 4.8 Exemplo de aviso de violao da relao entre tipo de material e comprimento de onda
4.2.1 - Exemplos Prticos de Simulao
Para uma melhor compreenso do funcionamento do presente simulador ser apresentado
um exemplo prtico, onde sero atribudos valores aos diferentes parmetros do simulador, sendo
posteriormente observados os resultados, bem como as expresses utilizadas pelo simulador.
Numa segunda fase o objectivo ser mais amplo. Analisar-se- o comportamento do
fotodetector para vrias alteraes dos valores e parmetros introduzidos. Os resultados sero
registados em tabelas, para facilitar a anlise posterior.
4.2.1.1 1 Exemplo Prtico
- Simulao exemplificativa do funcionamento do simulador do fotodetector
No painel dos parmetros do sinal ptico incidente no fotodetector, introduz-se uma potncia
ptica mdia de P
i
|
dB
=-20dBm, um comprimento de onda de =1550nm, um dbito binrio de
D
b
=1000 Mbit/s, uma razo de extino de r=0,152 e assume-se que o sinal no sofreu pr-
amplificao ptica. Tal como se pode ver na Fig. 4.9.

Figura 4.9 Configurao do sinal ptico incidente no fotodetector
No que respeita ao fotodetector (Fig. 4.10), numa primeira fase escolhido o APD com uma
respostividade de R
0
=0,7 e um ganho de avalanche de M=40, uma corrente escura de I
d
=5nA,
tipo de material do fotododo de InGaAs, uma capacidade parasita de C
d
=5pF e uma resistncia de
carga de R
b
=50 .
Ainda no mesmo painel surge desde logo a largura de banda a -3dB e a largura de banda
equivalente de rudo, resultantes dos valores introduzidos. A largura de banda a -3dB B
e,3dB
, dada
por:
33

d b
dB e
C R
B
t 2
1
3 ,
= (4.27)
Por sua vez, a largura de banda equivalente de rudo B
e,n
, para o circuito considerado da
Fig. 4.5 (circuito RC passa-baixo de primeira ordem), dada por:
dB e
T
T
n e
B df
H
f H
B
3 ,
0
2
,
2 ) 0 (
) ( t
= =
}
+
(4.28)

Assim, para os valores introduzidos de R
b

e

C
d
, resulta em B
e,3dB
=636,62 MHz e
B
e,n
=1000 MHz.

Como resultados a partir dos valores supra-referenciados, o simulador representa
graficamente a potncia ptica incidente no fotodetector sem distoro para sequncia lgica 01010
no cdigo NRZ, bem como a resposta do fotodetector a este tipo de sinal, ou seja, a fotocorrente
gerada. O simulador apresenta ainda o circuito considerado, tal como se pode ver na Fig. 4.11.

Figura 4.11 Potncia incidente e resposta do fotodetector

O grfico da potncia ptica incidente construdo a partir dos valores introduzidos da
potncia mdia P
i
, da razo de extino r e do dbito binrio D
b
. Como estamos na presena de
impulsos NRZ, a potncia para os nveis lgicos 1 e 0 obtida, respectivamente, pelas
expresses:
r
P
P
i
i
+
=
1
2
1 ,
e r
r
P
P
i
i

+
=
1
2
0 ,
(4.29)
34

Neste exemplo os valores obtidos so P
i,1
=1,74*10
-5
W e P
i,0
=2,64*10
-6
W. O perodo de bit T
b

obtido a partir do inverso do dbito binrio, neste caso T
b
=1/D
b
=1*10
-9
s.
A resposta do fotodetector, i(t), obtida tendo em conta a funo de transferncia do
circuito, em que:
) ( ) ( * ) ( ) (
0
t i t h t p MR t i
n i
+ = (4.30)
onde h(t) a resposta impulsiva do circuito e i
n
(t) a corrente total de rudo. A resposta impulsiva
obtida a partir da transformada inversa de Fourier da funo de transferncia do circuito:
}
+

= = df e f H f H F t h
ft j t 2 1
) ( )] ( [ ) (
(4.31)
A funo de transferncia, H(f), para o circuito adoptado neste captulo (que consiste apenas num
fotododo inversamente polarizado e numa resistncia de carga) consiste em:
b d
R fC j
f H
t 2 1
1
) (
+
= (4.32)
onde C
d
representa a capacidade do fotododo e R
b
a resistncia de carga.
A corrente de rudo i
n
(t) assume valores aleatrios descritos por uma distribuio Gaussiana
de mdia nula e varincia
n
2
dada pela expresso (4.21).

O simulador apresenta tambm um painel com os principais resultados, como se pode ver
na Fig. 4.12.

Figura 4.12 Resultados da simulao descrita no texto
Os resultados apresentados caracterizam o sinal resultante sob vrios aspectos:
- O campo IIS representa a interferncia inter-simblica segundo o primeiro critrio de
Nyquist para sistemas de banda de base (expresso (4.25)). Se este campo estiver assinalado com
35

um Sim, quer dizer que a largura de banda resultante no suficiente para o dbito binrio em
causa, logo existe interferncia inter-simblica comprometedora. Se o campo estiver assinalado com
um No, como o caso, quer dizer que a largura de banda resultante suficiente para o dbito
binrio estipulado, no existindo interferncia inter-simblica que comprometa a comunicao.
- O campo SNR [dB] representa a relao sinal-rudo obtida sada do fotodetector, tendo
em conta a penalidade de potncia devido razo de extino entre o nvel lgico 0 e o nvel lgico
1. A SNR em unidades lineares obtida a partir de:
2
2
2
2
1
1
) (
1
1
'
|
.
|
\
|
+
=
|
.
|
\
|
+
=
r
r
Mi
r
r
SNR SNR
n
p
o
(4.33)
onde a corrente i
p
obtida a partir da expresso (4.4) e
n
2
a partir da expresso (4.21). A
penalidade de potncia devido razo de extino indispensvel para que se tenha uma boa
percepo da qualidade do sinal obtido. Neste exemplo, o valor obtido, em unidades logartmicas, foi
de 29,49 dB.
- O campo Rudo de Circuito [A^2] traduz a varincia da corrente de rudo de circuito
obtida a partir da expresso (4.15), que para os valores introduzidos resulta em 3,31*10
-13
A
2
.
- O campo Rudo Quntico [A^2] resulta da varincia da corrente de rudo quntico obtida
a partir da expresso (4.16). Neste exemplo o valor obtido de 4,75*10
-11
A
2
.
- O campo Rudo bat. Sinal-EEA [A^2] traduz a varincia da corrente de rudo de
batimento sinal-EEA obtida a partir da expresso (4.19). Neste exemplo, como no se considera que
o sinal tenha sido pr-amplificado opticamente, este tipo de rudo nulo.
- O campo Rudo bat. EEA-EEA [A^2] resulta da varincia da corrente de rudo de
batimento EEA-EEA obtida a partir da expresso (4.20). Tal como rudo anterior, uma vez que no se
considera que o sinal tenha sido pr-amplificado opticamente, este tipo de rudo tambm nulo.
- Os campos Potncia ptica do valor lgico 1 [W] e Potncia ptica do valor lgico
0 [W], traduzem a potncia ptica na entrada do fotodetector para os diferentes nveis lgicos.
Como estamos na presena de impulsos NRZ, as potncias mdias dos nveis lgicos P
i,1
e P
i,0

so obtidas pelas expresses (4.29). Neste exemplo os valores obtidos so P
i,1
=1,74*10
-5
W e
P
i,0
=2,64*10
-6
W.
- Por ltimo, os campos Corrente do valor lgico 1 [A] e Corrente do valor lgico 0
[A], devolvem os valores da corrente gerada no fotodetector para os diferentes nveis lgicos no
instante ptimo de amostragem e sem interferncia inter-simblica. Estes valores so obtidos a partir
da expresso (4.7), substituindo p
i
pelas potncias dos valores lgicos obtidas a partir das
expresses (4.29). Para os valores introduzidos neste exemplo, a correntes obtidas so I
i,1
=4,86*10
-4

A e I
i,0
=7,39*10
-5
A.
36

- Comportamento do fotodetector com a variao da sua capacidade elctrica
Neste segundo exemplo a capacidade do fotododo, C
d
, alterada, mantendo os restantes
parmetros constantes com valores iguais aos apresentados no primeiro exemplo. Na Tabela 4.2 so
registados os valores resultantes para a largura de banda B
e,3dB
, para a interferncia inter-simblica
IIS, relao sinal-rudo tendo em conta a penalidade de potncia devido razo de extino SNR
e ainda a resposta do fotodetector ao sinal NRZ incidente para a sequncia lgica 01010.
Tabela 4.2 Principais resultados em funo da variao de Cd
Parmetros do fotodetector
e sinal de entrada
Resultados para sinal ptico incidente no fotodetector sem distoro
D
b
[Mbit/s] C
d
[pF]
B
e,3dB

[MHz]
IIS SNR [dB] i(t) para a sequncia 01010
1000 0,1 31830,99 No 12,50

1000 3 1061,03 No 27,27

1000 6 530,52 No 30,28

1000 9 353,68 Sim -

1000 90 35,37 Sim -

Pelos resultados obtidos, constata-se que, quanto maior for a capacidade do fotododo, C
d
,
menor ser a largura de banda do mesmo. Uma menor largura de banda pode melhorar a relao
sinal-rudo, uma vez que as potncias de rudo diminuem. Porm, como se pode ver pelos grficos do
sinal resultante, com a diminuio da largura de banda, o sinal vai ficando mais distorcido e com um
tempo de resposta superior.
Para C
d
=9 pF resulta numa largura de banda B
e,3dB
=353,68 MHz, como o dbito binrio
considerado de 1000 Mbit/s, tem-se uma largura de banda abaixo do limite do primeiro critrio de
Nyquist (B
e,3dB
<D
b
/2). Neste caso existe interferncia inter-simblica, como se pode ver pelo grfico
respectivo, onde bits se comeam a sobrepor causando dificuldades na recepo.
37

Para o caso extremo, em que C
d
=90 pF, a largura de banda excessivamente pequena
para o dbito binrio considerado. Neste caso, a grande interferncia inter-simblica presente,
impossibilita qualquer tipo de distino entre diferentes nveis lgicos, conduzindo a uma elevada taxa
de erros na recepo.
- Comportamento do fotodetector com as variaes da sua capacidade elctrica e
resistncia de carga, mantendo a largura de banda elctrica constante
Neste terceiro exemplo, considera-se que para uma determinada comunicao
necessria uma largura de banda de B
e,3dB
=636,62 MHz. Pela expresso (4.27) sabe-se que, para o
circuito considerado neste captulo, a largura de banda depende apenas do valor da capacidade do
fotododo C
d
e da resistncia de carga R
b
. Assim, no presente exemplo, so alterados os valores
da resistncia de carga e da capacidade do fotododo, de forma a manter o valor da largura de banda
elctrica constante. Nas simulaes efectuadas , ainda, alterado o tipo de fotododo e, tambm,
considerada a pr-amplificao ptica com fotododo PIN. Na Tabela 4.3. so registados os valores
resultantes para a largura de banda B
e,3dB
, para as varincias das correntes dos diferentes tipos de
rudo (circuito
c
2
, quntico
q
2
, batimento sinal-EEA
2
s-EEA
e batimento EEA-EEA
2
EEA-EEA
) e
da relao sinal-rudo tendo em conta a penalidade de potncia devido razo de extino SNR .
Tabela 4.3 Principais resultados em funo da variao de Rb e Cd, para fotododo PIN, APD e Pr-amp ptica +PIN
Parmetro do fotodetector e sinal
de entrada
Resultados para sinal ptico incidente no fotodetector sem
distoro
Tipo de
deteco
C
d
[pF] R
b
[]
B
e,3dB

[MHz]
c
2
[A
2
]
q
2
[A
2
]
2
s-EEA

[A
2
]
2
EEA-EEA

[A
2
]
SNR
[dB]
PIN 250 1 636,62 1,657*10
-11
2,244*10
-15
0 0 2,05
PIN 2,5 100 636,62 1,657*10
-13
2,244*10
-15
0 0 21,99
PIN 0,5 500 636,62 3,314*10
-14
2,244*10
-15
0 0 28,75
APD 250 1 636,62 1,657*10
-11
4,750*10
-11
0 0 28,22
APD 2,5 100 636,62 1,657*10
-13
4,750*10
-11
0 0 29,50
APD 0,5 500 636,62 3,314*10
-14
4,750*10
-11
0 0 29,51
Pr-Amp+PIN* 250 1 636,62 1,657*10
-11
6,718*10
-14
3,153*10
-11
7,895*10
-12
20,01
Pr-Amp+PIN* 2,5 100 636,62 1,657*10
-13
6,718*10
-14
3,153*10
-11
7,895*10
-12
24,20
Pr-Amp+PIN* 0,5 500 636,62 3,314*10
-14
6,718*10
-14
3,153*10
-11
7,895*10
-12
24,25
* Com pr-amplificao ptica considera-se Pi|dB=-7 dBm, 2PEEA|dB =-10 dBm e Bo=5nm.
Pelos resultados apresentados neste exemplo, constata-se que, com o aumento da
resistncia R
b
e a diminuio da capacidade do fotododo C
d
(mantendo a largura de banda
constante), o rudo de circuito diminui consideravelmente e os restantes tipos de rudo mantm-se
constantes. Consequentemente, verifica-se uma melhoria na relao sinal-rudo, como pode
constatar-se pelos resultados apresentados. Porm, essa melhoria varia com o tipo de fotodeteco
utilizada (PIN, APD ou Pr-Amp+PIN), uma vez que o rudo gerado apresenta valores diferentes.
No caso da utilizao do fotododo tipo PIN, d-se uma grande melhoria da relao sinal-
rudo. Esta grande melhoria deve-se ao facto da relao sinal-rudo estar condicionada sobretudo
38

pelo rudo de circuito, cujo valor muito superior aos valores dos restantes rudos. Assim, a
diminuio no rudo de circuito reflecte-se de imediato na relao sinal-rudo.
No caso da utilizao do APD, a melhoria pouco expressiva. O APD tem como principal
condicionante da relao sinal-rudo o rudo quntico, logo a diminuio do rudo de circuito tem
pouca expresso no valor da relao sinal-rudo.
Para o caso da utilizao de pr-amplificao ptica com fotododo PIN, a melhoria tambm
pouco expressiva. Com pr-amplificao ptica os rudos de batimento sinal-EEA e EEA-EEA, so
normalmente muito superiores aos restantes rudos, logo a diminuio do rudo de circuito tambm
tem pouca expresso no valor da relao sinal-rudo.
No primeiro exemplo prtico foram expostas as potencialidades do simulador, bem como o
seu funcionamento. Foram apresentados os diversos painis da interface grfica de introduo de
dados e de apresentao de resultados. Foram ainda apresentadas as expresses implementadas no
simulador, pelas quais este processa a informao introduzida e devolve os resultados.
No segundo exemplo apresentado verifica-se a importncia da largura de banda do
fotodetector no valor da relao sinal-rudo obtida, bem como na distoro e tempo de resposta do
sinal gerado. Uma menor largura de banda tem a vantagem de diminuir a potncia de rudo, mas tem
a desvantagem de aumentar o tempo de resposta e a distoro do sinal obtido, provocando
interferncia inter-simblica. Quando a largura de banda inferior ao limite do primeiro critrio de
Nyquist, ou seja, menor que metade do dbito binrio, a interferncia inter-simblica comea a causar
dificuldades na recepo. Portanto, necessrio conjugar estes dois factores (potncia de rudo e
interferncia inter-simblica) no sentido de encontrar a largura de banda ptima que maximize a
relao sinal-rudo, sem causar interferncia inter-simblica. De realar ainda, que para altos dbitos
os fotododos utilizados devem ter baixas capacidades parasitas, de forma a terem uma largura de
banda suficiente para o respectivo dbito binrio.
A partir do terceiro exemplo prtico apresentado, pode afirmar-se que, quanto menor for a
capacidade do fotododo utilizado, melhor se comporta o circuito, uma vez que, para uma mesma
largura de banda, poder ser utilizada uma resistncia de carga superior, diminuindo o rudo de
circuito. Verifica-se, tambm, que os quatro tipos de rudo (circuito, quntico, batimento sinal-EEA e
batimento EEA-EEA) tm potncias diferentes conforme o tipo de fotododo utilizado. Normalmente,
no caso da utilizao de um fotododo PIN, o tipo de rudo dominante o rudo de circuito, no caso do
APD o rudo quntico e, na utilizao de pr-amplificao ptica com fotododo PIN, o rudo de
batimento. Nos resultados do terceiro exemplo prtico, ainda evidenciado que, para melhorar de
uma forma significativa a relao sinal-rudo resultante, deve diminuir-se o tipo de rudo dominante do
sinal resultante. Caso contrrio a melhoria pode ser insignificante.
39

Captulo 5
5. Pr-Amplificador Elctrico
Normalmente, o sinal sada do fotodetector muito fraco. Necessita, por isso, de uma
amplificao de baixo rudo para que possa ser devidamente processado. O primeiro estgio de
amplificao crucial no desempenho do receptor ptico, sendo designado de pr-amplificador.

Figura 5.1 Exemplo de mdulo de fotodetector com pr-amplificador elctrico, da Edmund Optics [25]
O pr-amplificador transforma a pequena fotocorrente gerada pelo fotododo em tenso. As
especificaes requeridas para o pr-amplificador incluem simultaneamente baixo rudo de circuito,
alto ganho e uma largura banda adequada. Como o rudo aumenta com a largura de banda, ter que
haver um compromisso entre os dois, de maneira a optimizar a performance do receptor.
Trs configuraes do pr-amplificador so frequentemente usadas: pr-amplificador de
tenso (tambm designado por amplificador de baixa-impedncia), amplificador de alta-impedncia e
amplificador de transimpedncia.
5.1.1 Pr-Amplificador de Tenso
O pr-amplificador de tenso, ou de baixa-impedncia, tem a estrutura apresentada na
seguinte figura.

Figura 5.2 Estrutura do pr-amplificador de tenso ou de baixa-impedncia
Neste tipo de configurao a corrente gerada no fotodetector origina uma tenso aos
terminais da resistncia R
b
(com valores tpicos na ordem dos 50). Essa tenso amplificada pelo
40

amplificador operacional com um ganho em malha aberta de A. Portanto, a tenso ideal sada do
amplificador, v
ideal
(t), seria dada por:
A R t i t v
b ideal
) ( ) ( =
(5.1)
Na prtica, o fotodetector tem uma capacidade parasita associada sua juno e o
amplificador tem uma determinada impedncia de entrada dada pelo paralelo entre C
a
e R
a
.
Assim, o circuito equivalente pode ser desenhado tal como apresentado na Fig. 5.3.

Figura 5.3 Esquema equivalente do pr-amplificador de tenso
Na Fig. 5.3 i(t) representa a corrente gerada pelo fotododo, C
d
a capacidade do
fotodetector, R
b
a resistncia de carga, C
a
a capacidade do amplificador, R
a
a resistncia de
entrada do amplificador e A o ganho do amplificador ideal.
Assim, a resistncia total R
T
e a

capacidade total C
T
do circuito, so obtidas a partir das
seguintes expresses:
a b
a b
a b T
R R
R R
R R R
+
= = //
(5.2)
a d a d T
C C C C C + = = //
(5.3)
A funo de transferncia do circuito da Fig. 5.3 dada pela seguinte expresso:
T T
T
PA
C fR j
A R
f H
t 2 1
) (
+
=

(5.4)
em que a largura de banda a -3dB, B
e,3dB
que, neste caso, corresponde frequncia do plo,
f
polo,PA
, dada por:
T T
PA polo dB e
C R
f B
t 2
1
, 3 ,
= =

(5.5)
A Fig. 5.4 representa a aproximao assimpttica da funo de transferncia para o pr-
amplificador de tenso.
41

Figura 5.4 Aproximao assimpttica da funo de transferncia para o pr-amplificador de tenso
Por sua vez, a largura de banda equivalente de rudo B
e,n
, para o circuito considerado
(circuito RC passa baixo de primeira ordem), dada por:
dB e n e
B df
H
f H
B
3 ,
0
2
,
2 ) 0 (
) ( t
= =
}
+
(5.6)
O valor da resistncia R
b
fundamental para o rudo de circuito proveniente deste tipo de
configurao de pr-amplificador. O rudo gerado pela resistncia designado por rudo trmico (por
vezes referido como rudo de Johnson ou Nyquist), tendo origem na agitao trmica de cargas no
interior do elemento resistivo, tal como j foi referido no captulo anterior. O valor quadrtico mdio da
corrente de rudo de trmico, i
T
2
, gerado pela resistncia R
b
, dada por [24]:
b
n e B
T
R
TB k
i
, 2
4
= (5.7)
onde k
B
a constante de Boltzmann e T a temperatura absoluta (Kelvin).
Os componentes elctricos presentes no amplificador operacional, tambm contribuem para o
rudo de circuito. Para quantificar o rudo introduzido pelo amplificador utiliza-se o factor de rudo do
amplificador, F
n
. Assim, o valor quadrtico mdio da corrente de rudo de circuito, i
c
2
, para este
tipo de configurao pode ser obtida a partir de [22]:
n e n
b
B
c
B F
R
T k
i
,
2
4
= (5.8)
Este tipo de rudo tem uma distribuio Gaussiana de mdia nula e independente do valor
da intensidade da fotocorrente gerada pelo fotodetector.
A corrente de rudo de circuito ao passar pelo pr-amplificador elctrico traduzida numa
tenso de rudo, atravs do ganho de transimpedncia do pr-amplificador elctrico, obtido a partir da
funo de transferncia para baixas frequncias. Assim, a varincia da tenso de rudo de circuito,
c
2
, que corresponde ao valor quadrtico mdio da tenso de rudo de circuito, v
c
2
, sada do
pr-amplificador de tenso obtida a partir de:
42

n e T n
b
B
PA c c c
B A R F
R
T k
f H i v
,
2 2 2 2 2
) (
4
)] 0 ( [ = = = = o (5.9)
onde R
T
A o ganho de transimpedncia do pr-amplificador de tenso, obtido a partir da expresso
(5.4) para f=0.

Como se pode ver pela expresso (5.5), para originar uma largura de banda elevada
necessria uma baixa resistncia R
b
; o que torna esta configurao muito ruidosa, como se pode
ver pela expresso (5.8). Assim, este tipo de configurao de pr-amplificador pouco utilizado, uma
vez que no permite obter simultaneamente baixo rudo e uma largura de banda elevada.
5.1.2 Pr-Amplificador de Alta-Impedncia
O pr-amplificador de alta-impedncia, tem a estrutura muito semelhante configurao do
pr-amplificador de tenso apresentada anteriormente. No entanto, esta configurao contm ainda
um igualador, como se pode ver na Fig. 5.5.

Figura 5.5 Estrutura do pr-amplificador de alta-impedncia
O pr-amplificador de alta-impedncia baseia-se no mesmo princpio do pr-amplificador de
tenso. Porm, neste caso a resistncia R
b
tem valores elevados (na ordem dos k), garantindo um
baixo rudo trmico gerado pela mesma. Contudo, este tipo de configurao exige a utilizao de um
igualador para compensar a diminuio de largura de banda, originada pelo aumento da resistncia
R
b
.
Este tipo de configurao sem igualador, segue exactamente as mesmas expresses
apresentadas para o pr-amplificador de tenso.
Um dos circuitos mais utilizados para o igualador passivo o apresentado na Fig. 5.5, cuja
funo transferncia dada por [26]:
|
|
.
|
\
|
+
+
+
+
=
2 1
1 2 1
1 1
2 1
2
2 1
2 1
) (
R R
C R R
f j
C fR j
R R
R
f H
ig
t
t

(5.10)
Como se pode ver pela funo de transferncia apresentada, esta contm um zero e um plo:
43

1 1
,
2
1
C R
f
ig zero
t
= (5.11)
1 2 1
2 1
,
2 C R R
R R
f
ig polo
t
+
= (5.12)
A Fig. 5.6 representa a aproximao assimpttica da funo de transferncia do igualador:

Figura 5.6 Aproximao assimpttica da funo de transferncia do igualador
No dimensionamento do igualador deve ter-se em ateno que, para se obter uma igualao
perfeita, necessrio que o zero do igualador corresponda ao plo do pr-amplificador, obtidos,
respectivamente, pelas expresses (5.11) e (5.5). Ou seja, R
1
=R
T
e C
1
=C
T
, em que R
T
e C
T
so
obtidas a partir das expresses (5.2) e (5.3), respectivamente. Assim, a largura de banda do receptor
passa a ser determinada pela frequncia do plo do igualador, como se pode ver na Fig. 5.7.

Figura 5.7 Largura de banda resultante do receptor com igualao perfeita
44

A funo de transferncia, resultante da associao em srie do pr-amplificador com o
igualador, dada pelo produto das mesmas:
|
|
.
|
\
|
+
+
+
+ +
= =
2 1
1 2 1
1 1
2 1
2
2 1
2 1
2 1
) ( ) ( ) (
R R
C R R
f j
C fR j
R R
R
C fR j
A R
f H f H f H
T T
T
ig PA
t
t
t
(5.13)
em que na presena de uma igualao perfeita (R
1
=R
T
e C
1
=C
T
), a expresso (5.13) simplificada
para:
|
|
.
|
\
|
+
+
+
= =
2 1
1 2 1
2 1
2
1
2 1
) ( ) ( ) (
R R
C R R
f j
R R
R
A R
f H f H f H
ig PA
t
(5.14)
A utilizao do igualador aumenta a largura de banda, mas provoca uma diminuio no ganho
do receptor correspondente ao factor R
2
/(R
1
+R
2
). Esta atenuao pode ser compensada atravs de
um aumento do ganho A do amplificador, ou atravs do aumento da resistncia R
b
. Porm, estes
procedimentos reduzem a gama dinmica do receptor, uma vez que este satura mais facilmente para
determinados valores da fotocorrente gerada pelo fotodetector. A diminuio da gama dinmica do
receptor a principal desvantagem deste tipo de configurao.

O pr-amplificador de alta-impedncia com igualador menos ruidoso do que o pr-
amplificador de tenso, uma vez que a resistncia R
b
tem valores superiores. O rudo introduzido
pelos elementos resistivos do igualador desprezvel, uma vez que o sinal quando chega ao
igualador j se encontra amplificado. Assim, a varincia da tenso de rudo de circuito,
c
2
, que
corresponde ao valor quadrtico mdio da tenso de rudo de circuito, v
c
2
, sada do igualador
obtida a partir de:
| |
n e T n
b
B
c c c
B
R R
R
A R F
R
T k
f H i v
,
2
2 1
2
2 2 2 2
4
) 0 (
|
|
.
|
\
|
+
= = = = o (5.15)
onde R
T
A[R
2
/(R
1
+R
2
)] o ganho de transimpedncia do pr-amplificador de alta-impedncia com
igualador, obtido a partir da expresso (5.13) para f=0.

5.1.3 Pr-Amplificador de Transimpedncia
O pr-amplificador de transimpedncia tem a estrutura apresentada na Fig. 5.8.
45

Figura 5.8 Estrutura do pr-amplificador de transimpedncia
Este tipo de configurao foi desenvolvido para se obter uma grande largura de banda com
baixo rudo.
Tendo em conta a capacidade do fotododo, C
d
, bem como a resistncia de entrada, R
a
, e
capacidade do amplificador, C
a
, o circuito equivalente para o pr-amplificador de transimpedncia
pode ser desenhado como apresentado na Fig. 5.9.

Figura 5.9 Esquema equivalente do pr-amplificador de transimpedncia para pequenos sinais
A funo de transferncia para este tipo de configurao, dada por [26]:
|
|
.
|
\
|
+
+
+
=
A
R C
f j
R
A
A
f H
eq T
eq
1
2 1
1
) (
t
(5.16)
onde C
T
a capacidade total obtida a partir da expresso (5.3), enquanto que a resistncia
equivalente R
eq
obtida a partir de:
1 +
+
=
A
R
R
R R
R
f
a
f a
eq
(5.17)
Pela expresso anterior constata-se que se o ganho do amplificador A for elevado, ento R
eq
R
f
.
A largura de banda a -3dB, B
e,3dB
, que corresponde frequncia do plo da respectiva
funo de transferncia, f
polo
, dada por:
eq T
polo dB e
R C
A
f B
t 2
1
3 ,
+
= =

(5.18)
46

Figura 5.10 Aproximao assimpttica da funo de transferncia para o pr-amplificador de transimpedncia
Como pode constatar-se atravs da Fig. 5.10, quanto maior for o ganho do amplificador A,
maior ser a largura de banda do receptor. Assim, pode obter-se a largura de banda necessria para
um determinado dbito binrio, atravs do dimensionamento adequado do ganho do amplificador.
Portanto, neste tipo de configurao, no existe a necessidade da utilizao de um igualador para
aumentar a largura de banda.
Uma das causas do rudo gerado pelo pr-amplificador de transimpedncia, deve-se ao rudo
trmico gerado pela resistncia R
f
. O valor quadrtico mdio da corrente de rudo de trmico, i
T
2
,
gerado pela resistncia R
f
dado por:
f
n e B
T
R
TB k
i
, 2
4
= (5.19)
A largura de banda equivalente de rudo, B
e,n
, dada pela expresso (5.6).

Tal como acontecia nas configuraes anteriores, os componentes elctricos presentes no
amplificador operacional, tambm contribuem para o rudo de circuito. Utiliza-se o factor de rudo do
amplificador, F
n
, para quantificar esse rudo. Assim, o valor quadrtico mdio da corrente de rudo
de circuito, i
c
2
, para este tipo de configurao pode ser obtida a partir de [22]:
n e n
f
B
c
B F
R
T k
i
,
2
4
= (5.20)
O rudo tem uma distribuio Gaussiana de mdia nula e independente do valor da
intensidade da fotocorrente gerada pelo fotodetector.
A corrente de rudo de circuito ao passar pelo pr-amplificador elctrico traduzida numa
tenso de rudo, atravs do seu ganho de transimpedncia. Assim, a varincia da tenso de rudo de
circuito
c
2
(que corresponde ao valor quadrtico mdio da tenso de rudo de circuito v
c
2
),
sada do pr-amplificador de transimpedncia obtida a partir de:
| |
n e eq n
f
B
c c c
B R
A
A
F
R
T k
f H i v
,
2
2 2 2 2
1
4
) 0 (
|
.
|
\
|
+
= = = = o (5.21)
47

onde -A/(A+1)R
eq
o ganho de transimpedncia, obtido a partir da expresso (5.16) para f=0.

Como se pode ver pela expresso (5.20), para diminuir o rudo de circuito pode aumentar-se
o valor da resistncia de realimentao R
f
. Porm para valores muitos elevados da mesma, a malha
de realimentao torna-se instvel. Contudo, o pr-amplificador de transimpedncia , normalmente,
ainda menos ruidoso que o pr-amplificador de alta-impedncia.
5.2 Simulao do Pr-Amplificador Elctrico
A simulao do dispositivo neste captulo feita isoladamente. Nesta, a partir das
caractersticas do sinal sada do fotodetector e do prprio pr-amplificador elctrico, obtm-se a
tenso sada do deste. Para uma melhor visualizao dos efeitos provocados pelos diferentes pr-
amplificadores elctricos, considera-se que a fotocorrente gerada pelo fotodetector no tem rudo
nem distoro.
A simulao isolada do pr-amplificador elctrico permite dimensionar a fotocorrente sada
fotodetector, bem como os parmetros intrnsecos do pr-amplificador elctrico e igualador. Na Fig.
5.11 pode visualizar-se a respectiva janela de simulao, que se encontra detalhadamente
apresentada no Anexo C.

Figura 5.11 Interface de simulao do Pr-Amplificador Elctrico
48

Os parmetros variveis do sinal sada do fotodetector so constitudos pelo valor da
fotocorrente para os nveis lgicos 1 e 0 e pelo respectivo dbito binrio.
Em relao aos parmetros do pr-amplificador elctrico, o simulador individual permite
escolher o tipo de amplificador (tenso, alta-impedncia ou transimpedncia), a capacidade da
juno do fotododo, a resistncia de carga, resistncia de realimentao, a capacidade de
entrada do amplificador, resistncia de entrada do amplificador, o ganho em malha aberta do
amplificador, o factor de rudo do amplificador e os valores dos componentes do igualador (R
1
,
R
2
e C
1
). O simulador permite o ajuste automtico dos valores do igualador para uma igualao
perfeita e possibilita a visualizao do diagrama de Bode, de acordo com a funo de transferncia
resultante do tipo de amplificador escolhido e dos valores introduzidos.
Nos resultados apresentados, o simulador permite visualizar graficamente a sinal elctrico
NRZ entrada do pr-amplificador elctrico (de acordo com parmetros definidos), a estrutura do
circuito de acordo com o tipo de configurao escolhida, bem como o grfico da tenso resultante
sada do pr-amplificador ou igualador. So ainda apresentados os valores resultantes da largura
de banda a -3dB, largura de banda equivalente de rudo, a indicao se est ocorrer ou no
interferncia inter-simblica (IIS), o valor da relao sinal-rudo tendo em conta a penalidade
devida razo de extino, o ganho de transimpedncia e as tenses geradas para os nveis
lgicos 0 e 1.
semelhana do captulo anterior, ser feito um primeiro exemplo prtico com o objectivo de
uma melhor compreenso do funcionamento do presente simulador, onde sero atribudos valores
aos diferentes parmetros do simulador, sendo posteriormente observados os resultados, bem como
as expresses utilizadas pelo simulador.
Numa segunda fase, sero analisados os comportamentos dos diferentes pr-amplificadores
elctricos para determinados parmetros introduzidos. Os resultados sero registados em tabelas,
para uma posterior anlise.
- Simulao exemplificativa do funcionamento do simulador do pr-amplificador
elctrico
No painel dos parmetros do sinal elctrico sada do fotodetector, introduz-se a corrente
elctrica para os nveis lgicos 1 e 0, respectivamente I
1
=1*10
-6
A e I
0
=1*10
-7
A; e o dbito
binrio pretendido, neste caso, D
b
=1000 Mbit/s. Tal como se pode ver na Fig. 5.12.
49

Figura 5.12 Configurao do sinal elctrico sada do fotodetector
No que respeita ao painel de introduo de dados para o amplificador e igualador (Fig. 5.13),
numa primeira fase escolhe-se o amplificador de alta-impedncia, uma capacidade parasita do
fotodetector de C
d
=5pF, uma resistncia de carga R
b
=2000, em relao ao amplificador
operacional considera-se de C
a
=10pF, uma resistncia de entrada R
a
=10 M, um ganho em malha
aberta de A=10000 e um factor de rudo de F
n,e
=3dB. Para o igualador introduzem-se valores
correspondentes a uma igualao perfeita, em que a capacidade C
1
=15pF e com resistncias de
R
1
=1999,6 e R
2
=20 . O simulador tem uma opo que possibilita a introduo automtica dos
valores de C
1
e R
1
, de forma a obter-se uma igualao perfeita; ou seja R
1
=R
T
e C
1
=C
T
, em que
R
T
e C
T
so obtidas a partir das expresses (5.2) e (5.3), respectivamente. Note-se que, o
utilizador, para saber a referncia de determinado componente, tem sempre disponvel o esquema do
circuito seleccionado, que se encontra no centro do painel dos resultados.


O simulador permite a visualizao dos diagramas de Bode resultantes para o pr-
amplificador sem igualador, do igualador e do pr amplificador com igualador; como se pode ver,
respectivamente, na Fig. 5.14, Fig. 5.15 e Fig. 5.16.
50

Figura 5.14 Diagrama de Bode do pr-
amplificador sem igualador
Figura 5.15 Diagrama de Bode do
igualador
Figura 5.16 Diagrama de Bode
resultante do pr-amplificador com
igualador
Os diagramas de Bode apresentados so obtidos a partir das respectivas funes de
transferncia dadas pelas expresses (5.4), (5.10) e (5.13).
Como resultados a partir dos valores introduzidos, o simulador representa graficamente a
corrente sada do fotodetector sem rudo e sem distoro para sequncia lgica 01010 no cdigo
NRZ, construdo a partir dos valores introduzidos para as correntes dos nveis lgicos 0 e 1 e do
dbito binrio D
b
introduzido. O simulador apresenta ainda o circuito considerado, tal como se pode
ver na Fig. 5.17, bem como o grfico da tenso resultante sada do pr-amplificador com igualador.

Figura 5.17 Fotocorrente sada do fotodetector e resposta do pr-amplificador com igualador
A tenso resultante sada do pr-amplificador com igualador, v(t), obtida tendo em conta
a funo transferncia do circuito, em que:
) ( ) ( * ) ( ) ( t v t h t i t v
c ideal
+ = (5.22)
onde i
ideal
(t) o sinal ideal definido sada do fotodetector sem rudo e sem distoro, h(t) a
resposta impulsiva do circuito e v
c
(t) a tenso de rudo de circuito gerada pelo pr-amplificador.
A resposta impulsiva obtida a partir transformada de Fourier inversa da funo de
transferncia do circuito (expresso (4.31)). Para o presente exemplo, a funo de transferncia,
H(f), obtida partir da expresso (5.13).
A tenso de rudo v
c
(t) assume valores aleatrios descritos por uma distribuio Gaussiana
de mdia nula e varincia
c
2
dada pela expresso (5.15), uma vez que o pr-amplificador escolhido
para este exemplo prtico foi o de alta-impedncia com igualador.

51

O simulador apresenta tambm um painel com os principais resultados, como se pode ver
na Fig. 5.18.

Os resultados apresentados caracterizam o sinal resultante sob vrios aspectos:
- O campo Largura de banda a -3dB [MHz], traduz a prpria largura de banda a -3dB, que
neste exemplo corresponde frequncia do plo do igualador obtida a partir da expresso (5.12),
uma vez que, neste exemplo, a igualao perfeita. Assim, para os valores introduzidos de R
1
,

R
2

e

C
1
, o resultado B
e,3dB
=535,823 MHz.
- O campo Largura de banda de rudo [MHz], traduz a largura de banda equivalente de
rudo obtida a partir da expresso (5.6). Neste exemplo, corresponde a B
e,n
=841,668 MHz.
- O campo Interferncia Inter-Simblica representa a interferncia inter-simblica segundo
o primeiro critrio de Nyquist para sistemas de banda de base (expresso (4.25)), tal como acontecia
no captulo anterior. Como o campo est assinalado com um No, quer dizer que a largura de
banda resultante suficiente para o dbito binrio estipulado, no existindo interferncia inter-
simblica que comprometa a comunicao.
- O campo SNR [dB] representa a relao sinal-rudo obtida sada do pr-amplificador ou
igualador, tendo em conta a penalidade de potncia devido razo de extino entre o nvel lgico
0 e o nvel lgico 1. Assim, a SNR sada do pr-amplificador pode ser obtida a partir de:
2
2
2
2
1
1 ) (
1
1
'
|
.
|
\
|
+
> <
=
|
.
|
\
|
+
=
r
r t v
r
r
SNR SNR
n
o
(5.23)
onde a razo de extino r obtida a partir da razo entre as correntes dos nveis lgico 0 e 1:
1
0
I
I
r = (5.24)
Na expresso (5.23),
n
2
representa a varincia total da tenso de rudo. Como neste captulo s
considerado o rudo de circuito, ento
n
2
=
c
2
, cujo valor no respectivo exemplo prtico obtm-se a
partir da expresso (5.15). Neste caso, o valor obtido, em unidades logartmicas, foi de 11,11 dB.
52

- O campo Ganho de Transimpedncia [dB-Ohm] traduz a razo entre a tenso obtida e a
corrente do fotodetector, para baixas frequncias. O ganho de transimpedncia, G
trans
, obtido a
partir da funo de transferncia do pr-amplificador:
) 0 (
) 0 (
) 0 (
I
V
f H G
trans
= = = (5.25)
Como neste exemplo foi escolhido o pr-amplificador de alta-impedncia com igualador, o ganho de
transimpedncia obtido a partir da expresso (5.13) para f=0. Assim, de acordo com os valores
introduzidos, o ganho de transimpedncia obtido em unidades logartmicas foi de 105,93 dB.
- Por ltimo, os campos Tenso do valor lgico 1 [V] e Tenso do valor lgico 0
[V], devolvem os valores mdios das amostras de tenso geradas para os diferentes nveis lgicos,
retiradas no instante ptimo de amostragem e sem interferncia inter-simblica. Estes valores so
obtidos, respectivamente a partir das expresses:
) 0 (
1 1
= = f H I V e ) 0 (
0 0
= = f H I V (5.26)
onde I
1
e I
0
so as correntes sada do fotodetector para os nveis lgicos 1 e 0 e H(f=0)
corresponde ao ganho de transimpedncia do receptor. Para os valores introduzidos neste exemplo,
as tenses obtidas so V
1
=0,198 V e V
0
=0,030 V.
- Comportamento do pr-amplificador elctrico com a variao da resistncia de carga
Neste segundo exemplo, considera-se uma corrente para o nvel lgico 1 de I
1
=1*10
-5
A e
para o nvel lgico 0 de I
0
=1,52*10
-6
A, um dbito binrio de Db=500 Mbit/s, escolhe-se o pr-
amplificador de tenso e um ganho em malha aberta do amplificador de A=1000. Os restantes
parmetros so mantidos com os valores do exemplo anterior, excepo da resistncia R
b
, cujo
valor alterado conforme apresentado na Tabela 5.1. Na mesma tabela so ainda registados os
valores resultantes para a largura de banda B
e,3dB
, diagrama de Bode, interferncia inter-simblica
IIS, ganho de transimpedncia G
trans
, relao sinal-rudo tendo em conta a penalidade de potncia
devido razo de extino SNR e ainda o grfico da tenso resultante sada do pr-amplificador
elctrico, para a sequncia lgica 01010.
Atravs da Tabela 5.1, pode visualizar-se que o aumento da resistncia de carga R
b
tem
algumas vantagens, tais como: a diminuio do rudo de circuito, aumento da relao sinal-rudo e um
aumento do ganho de transimpedncia. Porm, o aumento da resistncia de carga R
b
diminui a
largura de banda, que, a partir de determinado limite (1 critrio de Nyquist), faz com que exista
interferncia inter-simblica.

53

Tabela 5.1 Principais resultados para o pr-amplificador de tenso, em funo da variao de Rb
Parmetros Resultados
R
b
[]

B
e,3dB

[MHz]
Diagrama de Bode IIS
G
trans

[dB]

SNR
[dB]
v(t) para a sequncia
01010
4 2652,583

No 72,04 -2,82

30 353,679

No 89,54 14,68

40 265,259

No 92,04 17,18

50 212,208

Sim - -

100 106,104

Sim - -

- Comparao de desempenho entre os trs tipos de pr-amplificadores elctricos
Neste exemplo, feita uma comparao de desempenho entre os trs tipos de pr-
amplificadores, para um dbito binrio de 1000Mbit/s e com uma largura de banda a -3dB de cerca de
70% do dbito binrio, ou seja, aproximadamente 700MHz. Os valores dos parmetros da
fotocorrente e do pr-amplificador elctrico so mantidos em relao ao primeiro exemplo,
excepo das alteraes necessrias para proporcionar a mesma largura de banda nos trs tipos de
pr-amplificadores. Portanto, so considerados os seguintes valores:
54

- No caso do pr-amplificador de tenso, a resistncia de carga assume um valor de
R
b
=15,1;
- No caso do pr-amplificador de alta-impedncia, considerado uma resistncia de carga
com R
b
=2000. Considera-se, ainda, uma igualao perfeita, com uma resistncia R
2
=15;
- Por ltimo, para o pr-amplificador de transimpedncia, considera-se uma resistncia de
realimentao de R
f
=151k.
Na Tabela 5.2 so registados os valores resultantes para o ganho de transimpedncia G
trans
,
a relao sinal-rudo tendo em conta a penalidade de potncia devido razo de extino SNR e
ainda o grfico da tenso resultante sada do pr-amplificador elctrico, para a sequncia lgica
01010.
Tabela 5.2 Comparao de desempenho dos trs tipos de pr-amplificadores
Tipo de Pr-Amplificador
Resultados
G
trans
[dB]

SNR [dB] v(t) para a sequncia 01010
Tenso 103,58 -11,28

Alta-Impedncia com Igualador 103,46 9,87

Transimpedncia 103,58 28,72

O pr-amplificador de tenso apresenta uma relao sinal-rudo muito baixa, tornando a
tarefa de distino dos valores lgicos do sinal resultante quase impossvel. Neste tipo de
configurao necessrio que a resistncia de carga R
b
tenha um valor relativamente pequeno
(neste caso R
b
=15,1 ), para que se obtenha a largura de banda pretendida; o que torna este tipo
de configurao muito ruidosa.
No caso do pr-amplificador de alta-impedncia com igualador, os resultados so mais
satisfatrios. A relao sinal-rudo obtida tem uma melhoria de 21,15dB em relao obtida com o
pr-amplificador de tenso. Esta melhoria deve-se ao facto da resistncia de carga R
b
ter um valor
superior (neste caso R
b
=2000), tornando o respectivo circuito menos ruidoso. O dfice de largura
de banda compensado pela presena do igualador, cujo rudo desprezvel uma vez que o sinal j
se encontra amplificado. Atravs dos resultados apresentados, tambm se pode constatar que o
ganho de transimpedncia, do conjunto pr-amplificador de alta-impedncia com igualador,
55

aproximadamente igual ao ganho de transimpedncia do pr-amplificador de tenso. O ganho de
transimpedncia mantm-se aproximadamente constante nas duas configuraes, uma vez que no
caso do pr-amplificador de alta-impedncia, a atenuao do igualador compensada pelo aumento
do ganho do pr-amplificador, consequente do acrscimo da resistncia R
b
.
Por ltimo, o pr-amplificador de transimpedncia apresenta os melhores resultados para os
valores introduzidos. O ganho de transimpedncia mantm-se em relao s configuraes
anteriores. Porm, obtm-se uma melhoria a nvel da relao sinal-rudo de 18,85 dB em relao ao
pr-amplificador de alta-impedncia e de 40 dB em relao ao pr-amplificador de tenso. Tendo em
conta que o factor de rudo do amplificador operacional utilizado o mesmo para as trs
configuraes, a melhoria da relao sinal-rudo deve-se ao facto do rudo trmico gerado pela
resistncia de realimentao, R
f
, ser muito inferior ao gerado pelas resistncias de carga, R
b
, das
configuraes anteriores.

No primeiro exemplo prtico foi utilizado o pr-amplificador de alta-impedncia com igualador
para apresentar as diferentes potencialidades deste simulador. Foram expostos os diversos painis
da interface grfica de introduo de dados e de resultados. Foram ainda apresentadas as
expresses implementadas no simulador, pelas quais este processa a informao introduzida e
devolve os resultados.
No segundo exemplo apresentado para o pr-amplificador de tenso, pode visualizar-se a
importncia do valor da resistncia de carga R
b
na relao sinal-rudo obtida, no ganho de
transimpedncia e na largura de banda do receptor. Este tipo de configurao de pr-amplificador
pouco utilizado, uma vez que no permite ter simultaneamente baixo rudo e uma largura de banda
elevada.
No terceiro exemplo prtico foi feita uma comparao de desempenho entre os trs tipos de
pr-amplificadores, em iguais condies (mesmo dbito binrio, mesma intensidade de sinal de
entrada e mesma largura de banda). O pr-amplificador de tenso apresentou os piores resultados.
Apresentou-se como uma configurao muito ruidosa, devido necessidade de uma baixa resistncia
de carga para se obter a largura de banda pretendida. O pr-amplificador de alta-impedncia com
igualador apresentou melhorias em relao ao pr-amplificador de tenso. O contributo do igualador
na largura de banda final do receptor, permite que a resistncia de carga do pr-amplificador seja
superior, originando menos rudo. No entanto, neste tipo de configurao, a tenso sada do
amplificador tem que ser suficientemente grande para compensar a atenuao do igualador,
provocando uma reduo na gama dinmica do receptor. O pr-amplificador de transimpedncia
exibe o melhor desempenho dos trs tipos apresentados. O facto da largura de banda, neste tipo de
configurao, depender tambm do ganho do amplificador em malha aberta (expresso (5.18)),
permite que o valor da resistncia de realimentao seja bastante elevado, diminuindo o rudo de
circuito. O pr-amplificador de transimpedncia , ainda, de fcil implementao.
56

Captulo 6
6. Receptor ptico Completo
Existem dois tipos de receptor ptico: com pr-amplificao ptica e sem pr-amplificao
ptica. O receptor ptico sem pr-amplificao ptica constitudo pelo fotodetector, pr-amplificador
elctrico e outros elementos apropriados para o processamento do sinal elctrico. O receptor ptico
com pr-amplificao ptica, alm dos elementos anteriores, contm ainda o pr-amplificador ptico e
um possvel filtro ptico colocado antes do fotodetector.

Figura 6.1 Exemplo de receptor ptico: BEST-OR-4007 da Zibo Best Optical Communications [27]
O receptor ptico digital, para alm de converter a informao do domnio ptico para o
domnio elctrico, tem ainda a funo de processar devidamente o sinal elctrico de forma a
recuperar a informao digital transmitida com o mnimo de erros possvel.
Na Fig. 6.2 apresentada a estrutura de blocos simplificada de um receptor ptico digital de
deteco directa, com pr-amplificao ptica.

Figura 6.2 Estrutura blocos simplificada de um receptor ptico digital com pr-amplificao ptica
O desempenho do receptor ptico, em sistemas de transmisso digital, como o caso,
avaliado pela probabilidade de erro de bit, P
e
, que corresponde probabilidade de deciso ou
identificao incorrecta de um bit por parte receptor ptico. As probabilidades de erro de bit tpicas
dos receptores pticos em sistemas de telecomunicaes so entre 10
-9
e 10
-12
[15].
6.1 Probabilidade de erro de Bit
Na anlise que se segue, considera-se que cada bit de informao corresponde a um smbolo
binrio.
Na prtica, a probabilidade de erro de bit pode ser obtida atravs da razo de erros binrios,
BER (bit error ratio), definida pela razo entre o nmero de bits errados sada do receptor ptico
57

e nmero de bits recebidos num determinado perodo de tempo. Quanto maior for o nmero de bits
recebidos e considerados na determinao do BER, mais o seu valor se aproxima do valor exacto
da probabilidade de erro de bit. Assim, para um elevado nmero de bits pode considerar-se que
BERP
e
:
e
t
e
P
N
N
BER ~ = (6.1)
onde N
e
representa o nmero de bits errados e N
t
corresponde ao nmero total de bits recebidos.
No entanto, o valor da probabilidade de erro pode ser calculado, a partir das funes de
densidade de probabilidade das amostras de tenso dos diferentes valores lgicos, entrada do
circuito de deciso.

Figura 6.3 Funes de densidade de probabilidade das amostras de tenso para os valores lgicos 1 e 0, p(v|1) e p(v|0)
respectivamente.
Na Fig. 6.3 pode visualizar-se as flutuaes dos valores das amostras de tenso para os
diferentes nveis lgicos. O circuito de deciso responsvel por comparar o valor de cada amostra
do sinal com um determinado valor de referncia, designado tenso de deciso, V
Dec
. Quando o
valor da amostra superior ao valor da tenso de deciso, o circuito decide pelo valor lgico 1; caso
contrrio, se o valor da amostra for inferior, este decide pelo valor lgico 0. Os erros de deciso
ocorrem quando, e.g., tendo sido enviado o valor lgico 1 e, no entanto devido s flutuaes
provocadas pelo rudo, o valor da amostra correspondente na entrada do circuito de deciso tem um
valor inferior ao valor de referncia, consequentemente o circuito de deciso vai decidir pelo valor
lgico 0. Da mesma forma, ocorre tambm um erro para o processo inverso, ou seja, quando
enviado o valor lgico 0, mas o valor da amostra correspondente superior ao valor de referncia e,
consequentemente, o circuito de deciso opta pelo nvel lgico 1.
Ainda na Fig. 6.3, pode visualizar-se a probabilidade de o circuito de deciso cometer erros.
Em que Prob(1|0) representa a probabilidade de o circuito de deciso se decidir pelo valor lgico 1
quando foi enviado 0 e, por sua vez, Prob(0|1) representa a probabilidade de o circuito de deciso
se decidir pelo valor lgico 0, quando foi enviado 1. Assim, considerando que a a probabilidade
de ser enviado um 0 e b a probabilidade de ser enviado um 1, a probabilidade de erro de bit
dada por:
) 1 | 0 ( Pr ) 0 | 1 ( Pr ob b ob a P
e
+ = (6.2)
58

Se os smbolos enviados forem equiprovveis (a=b=1/2), ento a expresso anterior simplifica-se
para:
)] 1 | 0 ( Pr ) 0 | 1 ( [Pr
2
1
ob ob P
e
+ = (6.3)
As probabilidades Prob(1|0) e Prob(0|1) podem ser obtidas a partir de:
) ( Pr ) 0 | 1 ( Pr
0 _ Dec amostra
V V ob ob > = (6.4)
) ( Pr ) 1 | 0 ( Pr
1 _ Dec amostra
V V ob ob < = (6.5)
onde V
amostra_0
e V
amostra_1
so os valores das tenses de amostra para os nveis lgicos 0 e 1
respectivamente. Por sua vez, as tenses de amostra obtidas para os diferentes nveis lgicos so
dadas por:
) (
0 0 _ Dec n amostra
t v V V + = e ) (
1 1 _ Dec n amostra
t v V V + = (6.6)
onde V
0
e V
1
so os valores mdios das amostras e v
n
(t
Dec
) corresponde a uma amostra da
tenso de rudo no instante de amostragem.
Considerando que as amostras de tenso foram retiradas no instante ptimo de amostragem
do sinal e sem interferncia inter-simblica, os valores mdios das amostras so dados por:
trans in s o
G P MR G V
0 , , 0 0
=

e

trans in s o
G P MR G V
1 , , 0 1
=
(6.7)
onde G
o
corresponde ao ganho do pr-amplificador ptico (caso no exista considera-se G
o
=1),
M corresponde ao ganho de avalanche do fotododo (no caso do fotododo PIN considera-se M=1),
R
0
corresponde respostividade do fotododo, P
s,in,0
e P
s,in,1
correspondem s potncias pticas
incidentes no receptor ptico para os diferentes valores lgicos e G
trans
que corresponde ao ganho
de transimpedncia do receptor ptico.
A tenso de rudo v
n
(t) presente na entrada do circuito de deciso, resulta das vrias fontes
de rudo j apresentadas ao longo dos captulos anteriores: tenso de rudo quntico v
q
(t), tenso de
rudo de circuito v
c
(t) e tenso de rudos de batimento (sinal-EEA v
s-EEA
(t) e EEA-EEA v
EEA-EEA
(t))
no caso da presena de pr-amplificao ptica.
) ( ) ( ) ( ) ( ) ( t v t v t v t v t v
EEA EEA EEA s c q n
+ + + = (6.8)
A tenso de rudo gerada descrita por uma distribuio Gaussiana com mdia nula e
varincia,
n
2
, obtida atravs da expresso:
2 2 2 2 2
EEA EEA EEA s c q n
+ + + = o o o o o (6.9)
59

onde
q
2
representa a varincia da tenso do rudo quntico,
c
2
representa a varincia da tenso
do rudo de circuito,
2
s-EEA
representa a varincia da tenso do rudo de batimento sinal-EEA e
2
EEA-EEA
representa a varincia da tenso do rudo de batimento EEA-EEA.
Tal como foi visto no captulo 4, o rudo quntico e rudo de batimento sinal-EEA dependem
da potncia ptica incidente no fotodetector. Como a potncia ptica incidente no fotodetector varia
conforme o nvel lgico enviado, ento a tenso de rudo das amostras presentes na entrada do
circuito de deciso tem diferentes valores para os nveis lgicos 1 e 0. Assim, as varincias das
tenses de rudo para os diferentes nveis lgicos,
1
2
e
0
2
, so obtidas atravs das seguintes
expresses:
2 2
1 ,
2 2
1 ,
2
1 EEA EEA EEA s c q
+ + + = o o o o o (6.10)
2 2
0 ,
2 2
0 ,
2
0 EEA EEA EEA s c q
+ + + = o o o o o (6.11)
As varincias dos rudos de circuito e de batimento EEA-EEA no dependem da potncia ptica
incidente, logo mantm-se constantes para os diferentes nveis lgicos.
Por sua vez, a varincia da tenso dos diferentes tipos de rudo, de acordo com a teoria
apresentada nos captulos anteriores, pode ser obtida atravs das expresses que em seguida sero
apresentadas.
A varincia da tenso do rudo quntico para os diferentes nveis lgicos 1 e 0,
respectivamente,
q,1
2
e
q,0
2
, obtida atravs de:
2
,
2
1 , , 0
2 2
1 ,
2
1 ,
2
1 ,
) ( ) ( ] ) 2 ( [ 2 ) (
trans n e d EEA in s o trans q q q
G B M F M I P P G R q G i v + + = = = o (6.12)
2
,
2
0 , , 0
2 2
0 ,
2
0 ,
2
0 ,
) ( ) ( ] ) 2 ( [ 2 ) (
trans n e d EEA in s o trans q q q
G B M F M I P P G R q G i v + + = = = o (6.13)
onde q representa a carga de um electro, R
0
representa a respostividade sem ganho de
avalanche, G
o
representa o ganho do pr-amplificador ptico (se o receptor ptico no tiver pr-
amplificao ptica tem-se G
o
=1), P
s,in,1
e P
s,in,0
so as potncias pticas recebidas dos nveis
lgicos 1 e 0, 2P
EEA
representa a potncia mdia do rudo de EEA dos dois modos de polarizao
(se o receptor ptico no tiver pr-amplificao ptica tem-se 2P
EEA
=0 W), I
d
a corrente escura
do receptor, M representa o ganho de avalanche do fotododo (no caso da utilizao do fotododo
PIN tem-se M=1), F(M) representa o factor de excesso de rudo do fotododo tipo APD (no caso da
utilizao do PIN F(M)=1), B
e,n
representa a largura de banda elctrica equivalente de rudo do
receptor e, por ltimo, o G
trans
que representa o ganho de transimpedncia do receptor.
Por sua vez, a varincia da tenso do rudo de circuito pode ser dada por:
( )
2
,
2
2 2 2 2
) ( ) ( ) (
trans n e c trans c c c
G B f S G i v = = = o

(6.14)
60

onde ) ( f S
c
representa a raiz quadrada da densidade espectral de potncia de rudo de circuito
em A/Hz. Como foi visto, no captulo 5, o rudo de circuito calculado de maneira diferente conforme
o tipo de configurao elctrica utilizada no receptor. Normalmente, os fabricantes utilizam a raiz
quadrada da densidade espectral de potncia de rudo de circuito em A/Hz, para quantificarem o
rudo de circuito introduzido pelo receptor ptico [2].
A varincia da tenso do rudo de batimento sinal-EEA para os diferentes nveis lgicos 1 e
0, respectivamente,
2
s-EEA,1
e
2
s-EEA,0
, obtida atravs de:
2
, 1 , ,
2
0
2 2 2
1 ,
) ( 4 ) (
trans n e EEA in s o trans EEA s EEA s
G B S P G R G i = =

o (6.15)
2
, 0 , ,
2
0
2 2 2
0 ,
) ( 4 ) (
trans n e EEA in s o trans EEA s EEA s
G B S P G R G i = =

o (6.16)
onde S
EEA
a densidade espectral de potncia de rudo de EEA gerada pelo pr-
amplificador ptico, por cada modo de polarizao. Se o receptor ptico no tiver pr-amplificao
ptica S
EEA
=0 W/Hz.
Por sua vez, a varincia da tenso do rudo de batimento EEA-EEA dada por:
2
, ,
2 2
0
2 2 2
) ( ) . 2 ( 2 ) (
trans n e n e o EEA trans EEA EEA EEA EEA
G B B B S R G i = =

o (6.17)
onde B
o
corresponde largura de banda ptica resultante do pr-amplificador ptico e filtro ptico.
Voltando, agora, probabilidade de deciso incorrecta dos smbolos de deciso e
substituindo a expresso (6.6) em (6.5) e (6.4) obtm-se:
] ) ( [ Pr ) 0 | 1 ( Pr
0 Dec Dec n
V t v V ob ob > + = (6.18)
] ) ( [ Pr ) 1 | 0 ( Pr
1 Dec Dec n
V t v V ob ob < + = (6.19)
Tendo em conta as funes de densidade de probabilidade p(v|0) e p(v|1) da Fig. 6.3 e assumindo
que os smbolos lgicos so equiprovveis, pode calcular-se as probabilidades condicionais de erro
atravs das seguinte expresses:

}
+
=
D
V
dv v p ob ) 0 | ( ) 0 | 1 ( Pr (6.20)
}

=
D
V
dv v p ob ) 1 | ( ) 1 | 0 ( Pr (6.21)
Tendo em conta a expresso (6.6) e como a tenso de rudo gerada v
n
(t) descrita por uma
distribuio Gaussiana com mdia nula e varincia
0
2
para o nvel lgico 0 e
1
2
para o nvel
lgico 1 (obtidas atravs das expresses (6.10) e (6.11)), as funes de densidade de probabilidade
condicionais p(v|0) e p(v|1) so descritas da seguinte forma:
61

|
|
.
|
\
|
=
2
0
2
0
0
2
) (
exp
2
1
) 0 | (
o t o
V v
v p (6.22)
|
|
.
|
\
|
=
2
1
2
1
1
2
) (
exp
2
1
) 1 | (
o t o
V v
v p (6.23)

Substituindo as expresses (6.22) e (6.23) nas expresses (6.20) e (6.21) respectivamente,
as probabilidades condicionais de erro podem, ento, serem reescritas da seguinte forma:
|
|
.
|
\
|

=
|
|
.
|
\
|
=
}
+
2
2
1
2
) (
exp
2
1
) 0 | 1 ( Pr
0
0
2
0
2
0
0
o o t o
V V
erfc dv
V v
ob
Dec
V
Dec
(6.24)
|
|
.
|
\
|

=
|
|
.
|
\
|
=
}

2
2
1
2
) (
exp
2
1
) 1 | 0 ( Pr
1
1
2
1
2
1
1
o o t o
Dec
V
V V
erfc dv
V v
ob
Dec
(6.25)
onde erfc a funo complementar de erro.
Substituindo, agora, as expresses (6.24) e (6.25) na expresso (6.3) obtm-se:
(
(
|
|
.
|
\
|

+
|
|
.
|
\
|

=
2 2 4
1
1
1
0
0
o o
Dec Dec
e
V V
erfc
V V
erfc P (6.26)
A tenso de deciso, V
Dec
, deve ser dimensionada de forma a minimizar a probabilidade de
erro de bit do sistema. Assim, o valor adequado da tenso de deciso corresponde ao valor que
conduza a expresso (6.26) a um mnimo absoluto. Este mnimo ocorre para a tenso ptima de
deciso, que pode ser obtida a partir de:
1 0
0 1 1 0
o o
o o
+
+
=
V V
V
Dec
(6.27)
Nestas condies, pode determinar-se o factor de qualidade, Q, atravs da seguinte
expresso:
1 0
0 1
o o +
=
V V
Q (6.28)
Substituindo, agora, a expresso (6.27) e (6.28) na expresso (6.26), obtm-se a
probabilidade de erro de bit do receptor ptico em funo do factor Q [23]:
|
.
|
\
|
=
2 2
1 Q
erfc P
e
(6.29)
62

Figura 6.4 Probabilidade de erro de bit em funo do factor Q
Pela Fig.6.4 pode visualizar-se que a probabilidade de erro de bit diminui medida que o
factor Q aumenta. Para se obter probabilidades de erro de bit entre 10
-9
e 10
-12
(valores tpicos dos
receptores pticos nas telecomunicaes) necessrio um factor Q compreendido entre,
aproximadamente, 6 e 7.
6.2 Simulao do Receptor ptico
Neste captulo ser analisado o funcionamento do simulador do receptor ptico completo,
onde a partir das caractersticas do sinal ptico incidente no receptor e dos parmetros definidos para
o prprio receptor ptico, se obter o sinal resultante.
A simulao do receptor ptico permite configurar o sinal ptico incidente no receptor, o pr-
amplificador ptico e filtro ptico (caso sejam considerados), o fotodetector, o amplificador elctrico e
o igualador. Na Fig. 6.5 pode visualizar-se a respectiva janela de simulao, que se encontra
detalhadamente apresentada no Anexo D.

Figura 6.5 Interface de simulao do Receptor ptico
63

Os parmetros variveis do sinal ptico incidente e conector so constitudos pela potncia
ptica mdia que chega ao receptor, pela penalidade de potncia devido transmisso, pelo seu
comprimento de onda, pelo dbito binrio, pela razo de extino e pela atenuao do conector
ptico.
Em relao ao pr-amplificador ptico e filtro ptico, o simulador permite dimensionar o seu
ganho, o factor de rudo e a largura de banda do filtro ptico.
No que respeita ao fotodetector, o simulador permite escolher o tipo de fotododo,
dimensionar a sua respostividade, o seu ganho de avalanche (no caso do APD), escolher o tipo de
material pelo qual este constitudo e quantificar a corrente escura presente no fotododo.
Em relao aos parmetros do amplificador elctrico e igualador, o simulador permite
dimensionar a largura de banda, a raiz quadrada da densidade espectral de potncia de rudo
introduzida (medida que normalmente est presente nos catlogos dos receptores pticos) e o ganho
de transimpedncia do conjunto. O simulador possibilita, desde logo, a visualizao do diagrama de
Bode da funo de transferncia do amplificador elctrico e igualador de acordo com os parmetros
introduzidos.
Nos resultados apresentados, o simulador permite visualizar graficamente o sinal resultante
ao longo do tempo na entrada do circuito de deciso, bem como, o respectivo diagrama de olho.
So apresentadas as amostras de tenso, retiradas no instante ptimo de amostragem do sinal,
para os diferentes nveis lgicos. possvel, tambm, visualizar as funes de densidade de
probabilidade das amostras de tenso, bem como a tenso ptima de deciso. So ainda
apresentados os valores resultantes da probabilidade de erro de bit, o valor da relao sinal-rudo
tendo em conta a penalidade devido razo de extino e os valores dos diferentes tipos de rudo
presentes no sinal obtido (rudo de circuito, quntico, batimento sinal-EEA e batimento EEA-EEA).
Este simulador tambm tem implementado alguns controladores que impedem que certas
opes sejam tomadas pelo utilizador do mesmo, de acordo com limitaes fsicas e consideraes
tericas adoptadas ao longo da dissertao.
Um dos controladores implementados neste simulador verifica, no caso de se considerar pr-
amplificao ptica, se o comprimento de onda inserido adequado (3janela ou banda C), pelas
razes mencionadas ao longo do captulo 3.
Um outro controlador verifica se o fotododo utilizado com pr-amplificao ptica do tipo
PIN, uma vez que o APD no se utiliza com pr-amplificao ptica por conduzir a piores resultados,
tal como foi explicado no captulo 4.
Existe ainda um outro controlador, que, tal como acontecia no simulador individual do pr-
amplificador ptico, no permite introduzir uma largura de banda ptica em Hz que seja inferior ao
dbito binrio em bit/s. Esta considerao terica baseia-se na largura espectral mnima do sinal
ptico, tal como foi explicado no captulo 3.
64

Outro controlador tem a funo de verificar se o tipo de material do fotododo escolhido (Si,
Ge ou InGaAs) adequado ao comprimento de onda estipulado e vice-versa. Esta dependncia
deve-se diferena energtica entre as bandas de valncia e conduo e coeficiente de absoro
dos diferentes materiais, j mencionados ao longo captulo 4. Os valores permitidos pelo controlador
esto de acordo com os valores apresentados na Tabela 4.1.
Por fim, apresenta ainda um controlador que verifica se o primeiro critrio de Nyquist est a
ser violado, ou seja, se a largura de banda elctrica a -3dB em Hz inferior a menos de metade do
dbito binrio em bit/s, o que necessariamente levaria a que houvesse interferncia inter-simblica.
Este controlador permite a correco automtica do valor da largura de banda elctrica conforme o
dbito binrio considerado, de forma a no haver interferncia inter-simblica no instante ptimo de
amostragem.

Figura 6.6 Exemplo de aviso de um controlador implementado de simulao
semelhana dos captulos anteriores, ser feito um primeiro exemplo prtico com o
objectivo de uma melhor compreenso do funcionamento do simulador, onde sero atribudos valores
aos diferentes parmetros, sendo posteriormente observados os resultados, bem como as
expresses utilizadas pelo simulador para processamento de dados.
Numa segunda fase, ser analisado e comparado o desempenho do receptor ptico em
diferentes situaes. Os resultados sero registados em tabelas, para uma posterior anlise.
- Simulao exemplificativa do funcionamento do simulador do receptor ptico completo
No painel de configurao dos parmetros do sinal ptico e conector (Fig. 6.7), introduz-se
uma potncia ptica mdia de P
s,tot
|
dBm
= -25 dBm, uma penalidade de potncia devida transmisso
de P
i
(D
L)|
dB
=2dB, um comprimento de onda de
s
=1550nm, um dbito binrio de D
b
= 10Gbit/s,
uma razo de extino de r= 0,152 e uma atenuao no conector de A
c
|
dB
= 0,25dB.

65

Figura 6.7 Configurao do sinal ptico na entrada do receptor ptico
No que respeita ao painel de introduo de dados para pr-amplificador ptico e filtro ptico
(Fig. 6.8), considera-se a presena dos mesmos no receptor ptico, com um ganho de G
o
|
dB
=20dB,
um factor de rudo de F
o
|
dB
=8dB e uma largura de banda ptica de B
o
=2 nm.

Figura 6.8 Configurao pr-amplificador ptico e filtro ptico
No que respeita ao fotodetector (Fig. 6.9), numa primeira fase escolhido o fotododo tipo
PIN, uma respostividade de R
0
=0,7, tipo de material do fotododo de InGaAs e uma corrente
escura de I
d
=5nA.

No painel de introduo de dados para o amplificador elctrico e igualador (Fig. 6.10),
introduz-se uma largura de banda equivalente de rudo de B
e,n
=10 GHz, quantifica-se a raiz
66

quadrada da densidade espectral de potncia de rudo introduzido em ) ( f S
c
=5 pA/Hz e atribui-
se um ganho de transimpedncia de G
Trans
|
dB
=50 dB.

Figura 6.10 Configurao do amplificador elctrico e igualador
O simulador permite a visualizao do diagrama de Bode resultante para os valores
introduzidos, tal como se pode ver na Fig. 6.11.

Figura 6.11 Diagrama de Bode do amplificador elctrico e igualador
Como resultados a partir dos valores introduzidos, o simulador apresenta graficamente o sinal
elctrico sada do amplificador elctrico e igualador, para sequncia lgica 01010(Fig. 6.12(a)),
assim como o respectivo diagrama de olho (Fig. 6.12(b)).

(a)

(b)
Figura 6.12 Sinal sada do amplificador elctrico e igualador: (a) Sinal ao longo do tempo para a sequncia lgica 01010;
(b) Diagrama de olho.
67

A tenso resultante sada do pr-amplificador com igualador, v(t), obtida tendo em conta
a funo transferncia do circuito, em que:
) ( ) ( * ) (
, 0
t v t h p MR G t v
n in s o
+ = (6.30)
onde h(t) a resposta impulsiva do amplificador elctrico e igualador utilizado e v
n
(t) a tenso de
rudo do receptor ptico, que tem uma distribuio Gaussiana de mdia nula e varincia obtida a
partir da expresso (6.9).
A resposta impulsiva do amplificador elctrico e igualador obtida a partir da transformada de
Fourier inversa da respectiva funo de transferncia (expresso (4.31)). Por sua vez, a funo de
transferncia (H(f)) obtida a partir do ganho de transimpedncia (G
trans
) introduzido e
considerando que o amplificador elctrico com igualador corresponde a uma funo passa-baixo de
1 ordem. Assim, a funo de transferncia contm apenas um plo, que corresponde sua largura
de banda a -3dB, B
e,3dB
=f
plo
:
|
|
.
|
\
|
+
=
plo
trans
f
f
j
G
f H
1
) ( (6.31)
O simulador apresenta tambm o diagrama de olho respectivo, onde vrios impulsos so
apresentados simultaneamente no mesmo grfico, permitindo uma avaliao rpida do desempenho
do receptor ptico. A abertura do olho determina a facilidade com que o circuito de deciso opta pelos
valores lgicos 0 ou 1. Quanto maior for a abertura do olho menor ser a probabilidade de erro por
parte do circuito de deciso do receptor ptico. A partir do diagrama de olho resultante para o
presente exemplo (Fig. 6.12(b)), pode depreender-se que o circuito de deciso cometer poucos
erros.
O simulador permite tambm visualizar as tenses resultantes das amostras para cada nvel
lgico, bem como as funes de densidade de probabilidade respectivas (considerando que as
amostras foram retiradas no instante ptimo de amostragem e sem interferncia inter-simblica).

(a)

(b)
Figura 6.13 Tenso das amostras recolhidas no instante ptimo de amostragem
(a) Tenso das amostras para os valores lgicos 0 e 1
(b) Funes de densidade de probabilidade para os diferentes nveis lgicos (p(v|1) e p(v|0)) e tenso ptima de
deciso (VDec)
68

Na Fig. 6.13 (a) apresentada a tenso resultante de 200 amostras, em que as primeiras 100
amostras correspondem s tenses obtidas na entrada do circuito de deciso, quando foi enviado
valor lgico 0; enquanto que as restantes amostras correspondem s tenses obtidas na mesma
situao, mas agora, para quando foi enviado o valor lgico 1. Para isso, o simulador utiliza a
expresso (6.6) em 100 instantes de tempo diferentes para cada valor lgico.
Por sua vez, a Fig. 6.13 (b) mostra graficamente as funes de densidade de probabilidade
condicionais p(v|0) e p(v|1), obtidas atravs das expresses (6.22) e (6.23), respectivamente. Na
mesma figura ainda apresentada a tenso ptima de deciso, V
Dec
, obtida atravs da expresso
(6.27).
O simulador ostenta, ainda, o painel da Fig. 6.14 com os principais resultados:

Os resultados apresentados caracterizam o receptor ptico sob vrios aspectos:
- O campo Probabilidade de erro Bit traduz a probabilidade de deciso ou identificao
incorrecta de um bit por parte receptor ptico para os parmetros definidos. O simulador, depois de
calcular o factor de qualidade do receptor, utiliza a expresso (6.29) para determinar a probabilidade
de erro de bit do mesmo. No presente exemplo resulta numa probabilidade de erro de bit de
P
e
=1,9742*10
-17
.
- O campo SNR [dB] representa a relao sinal-rudo obtida no instante ptimo de
amostragem, tendo em conta a penalidade de potncia devido razo de extino entre o nvel
lgico 0 e o nvel lgico 1. Assim, tendo em conta que r=P
s,in,0
/P
s,in,1
=I
0
/I
1
=V
0
/V
1
, a SNR
obtida pelo simulador atravs da expresso:
2
2
1
1
2
2
1
1
'
2
0
2
1
2
0 1
2
2
0
2
1
2
0 1
2
o o o o +
|
.
|
\
|
=
|
.
|
\
|
+
+
|
.
|
\
| +
=
|
.
|
\
|
+
=
V V
r
r
V V
r
r
SNR SNR (6.32)
Neste primeiro exemplo prtico o valor obtido, em unidades logartmicas, foi de SNR|
dB
=17,83 dB.
- O campo Rudo de Circuito [V^2] traduz a varincia da tenso de rudo de circuito obtida
a partir da expresso (6.14). Para os valores introduzidos resulta em
c
2
=2,5*10
-8
V
2
.
69

- O campo Rudo Quntico [V^2], nos instantes ptimos de deciso e para smbolos
equiprovveis, corresponde mdia entre a varincia da tenso de rudo quntico para o nvel lgico
1 e a varincia da tenso de rudo quntico para o nvel lgico 0. Assim, o rudo quntico mdio
obtido a partir de:
2
2
0 ,
2
1 , 2 q q
q
o o
o
+
>= < (6.33)
onde
q,1
2
obtm-se a partir da expresso (6.12) e
q,0
2
a partir da expresso (6.13). O valor obtido
no presente exemplo de <
q
2
>=4,67*10
-8
V
2
.
- O campo Rudo bat. Sinal-EEA [V^2] traduz a mdia da varincia da tenso de rudo de
batimento sinal-EEA para os diferentes nveis lgicos. Assim, obtido a partir de:
2
2
0 ,
2
1 , 2 EEA s EEA s
EEA s

+
>= <
o o
o (6.34)
onde
2
s-EEA,1
obtm-se a partir da expresso (6.15) e
2
s-EEA,0
a partir da expresso (6.16). O valor
obtido no presente exemplo de <
2
s-EEA
>=1,47*10
-5
V
2
.
- O campo Rudo bat. EEA-EEA [V^2], tal como o rudo de circuito, no depende da
potncia do sinal ptico incidente, mantendo-se constante para os diferentes nveis lgicos. A
varincia da tenso de rudo de batimento EEA-EEA obtida a partir da expresso (6.17). No
presente exemplo resulta num valor de
2
EEA-EEA
=7,54*10
-7
V
2
.
- Simulao do aumento do ganho do pr-amplificador ptico
Neste segundo exemplo consideram-se os mesmos parmetros e valores do primeiro
exemplo, excepo do ganho ptico do pr-amplificador ptico, G
o
, cujo valor alterado conforme
apresentado na Tabela 6.1. Na mesma tabela so ainda registados os valores resultantes para a
probabilidade de erro de bit do receptor P
e
, a relao sinal-rudo tendo em conta a penalidade de
potncia devido razo de extino SNR e as varincias das tenses dos diferentes tipos de rudo
(circuito
c
2
, quntico
q
2
2
s-EEA
e batimento EEA-EEA
2
EEA-EEA
). Para
uma melhor percepo da evoluo da probabilidade de erro de bit ainda apresentado o grfico da
Fig. 6.15, construdo a partir dos valores da Tabela 6.1.
Atravs dos resultados obtidos na tabela supra referenciada e pela anlise do grfico da Fig.
6.15, pode visualizar-se que, para os valores introduzidos neste exemplo, h uma significativa
melhoria da probabilidade de erro de bit P
e
com o aumento do ganho do pr-amplificador ptico de
0dB para 10dB. A melhoria da probabilidade de erro de bit vai diminuindo com o aumento do
ganho ptico, sendo que, a partir dos 20dB, a melhoria praticamente nula, mantendo-se a
probabilidade de erro de bit constante.

70

Tabela 6.1 Resultados do receptor ptico em funo da variao do ganho ptico
G
o
[dB]

P
e
SNR [dB]
c
2
[V
2
]
q
2
[V
2
]
2
s-EEA
[V
2
]
2
EEA-EEA
[V
2
]
0 2,7*10
-2
5,69 2,5*10
-8
4,2*10
-10
0 0
10 1,9*10
-15
17,45 2,5*10
-8
4,6*10
-9
1,3*10
-7
6,2*10
-9

20 2,0*10
-17
17,83 2,5*10
-8
4,7*10
-8
1,5*10
-5
7,5*10
-7

30 2,3*10
-17
17,81 2,5*10
-8
4,7*10
-7
1,5*10
-3
7,7*10
-5

40 2,4*10
-17
17,81 2,5*10
-8
4,7*10
-6
1,5*10
-1
7,7*10
-3

50 2,4*10
-17
17,81 2,5*10
-8
4,7*10
-5
1,5*10
1
7,7*10
-1

60 2,4*10
-17
17,81 2,5*10
-8
4,7*10
-4
1,5*10
3
7,7*10
1

70 2,4*10
-17
17,81 2,5*10
-8
4,7*10
-3
1,5*10
5
7,7*10
3

80 2,4*10
-17
17,81 2,5*10
-8
4,7*10
-2
1,5*10
7
7,7*10
5

Figura 6.15 Grfico do desempenho do receptor ptico em funo do ganho do pr-amplificador ptico
Apesar do rudo de circuito
c
2
se manter constante, o rudo quntico
q
2
aumenta, uma
vez que depende da potncia ptica incidente no fotodetector que, por sua vez, proporcional ao
ganho implementado pelo pr-amplificador ptico.
Os rudos de EEA (batimento sinal-EEA
2
s-EEA
e batimento EEA-EEA
2
EEA-EEA
) aumentam
expressivamente com a elevao do ganho ptico, tornando-se, a partir de determinado valor do
ganho ptico, nos principais rudos condicionantes do desempenho do receptor. No presente exemplo
os rudos de batimento tornam-se dominantes para valores do ganho ptico superiores a cerca de
20dB, sendo que os restantes tipos de rudo passam a ser praticamente desprezveis.

71

- Simulao do aumento do ganho de avalanche
Neste terceiro exemplo considera-se um receptor ptico sem pr-amplificao ptica e com
um fotodetector do tipo APD. Neste caso, o fotodetector tem um ganho de avalanche M varivel,
conforme apresentado na Tabela 6.2. Os restantes parmetros e valores so mantidos em relao
ao primeiro exemplo. Tal como no segundo exemplo, so registados os valores resultantes para: a
e
(circuito
c
2
, quntico
q
2
2
s-EEA
e batimento EEA-EEA
2
EEA-EEA
). Para
uma melhor percepo da evoluo da probabilidade de erro de bit ainda apresentado o grfico da
Fig. 6.16, construdo a partir dos valores da Tabela 6.2.
Tabela 6.2 Resultados do receptor ptico em funo da variao do ganho de avalanche
M

P
e
SNR [dB]
c
2
[V
2
]
q
2
[V
2
]
2
s-EEA
[V
2
]
2
EEA-EEA
[V
2
]
1 2,7*10
-2
5,69 2,5*10
-8
4,2*10
-10
0 0
3 2,0*10
-7
14,07 2,5*10
-8
8,2*10
-9
0 0
5 3,1*10
-11
16,11 2,5*10
-8
3,3*10
-8
0 0
7 2,6*10
-12
16,38 2,5*10
-8
8,1*10
-8
0 0
9 4,5*10
-12
16,16 2,5*10
-8
1,6*10
-7
0 0
11 1,9*10
-11
15,80 2,5*10
-8
2,7*10
-7
0 0
20 9,2*10
-9
14,28 2,5*10
-8
1,4*10
-6
0

0

40 4,0*10
-6
12,24 2,5*10
-8
9,0*10
-6
0 0
80 2,3*10
-4
10,14 2,5*10
-8
5,8*10
-5
0 0

Figura 6.16 Grfico do desempenho do receptor ptico em funo do ganho de avalanche do APD
Atravs dos resultados obtidos da Tabela 6.2 e pelo grfico da Fig. 6.16, pode visualizar-se
que, para um receptor com um fotododo do tipo APD, existe um determinado valor para o ganho de
72

avalanche que conduz menor probabilidade de erro de bit possvel. Para o receptor ptico definido
neste exemplo, o ganho de avalanche ptimo do APD de aproximadamente M=7.
Tal como acontecia no exemplo anterior, o rudo de circuito
c
2
mantm-se constante, uma
vez que no depende da potncia do sinal. Por sua vez, o rudo quntico aumenta com a elevao do
ganho de avalanche, tal como se pode visualizar na Tabela 6.2.
Os rudos de EEA (batimento sinal-EEA
2
s-EEA
e batimento EEA-EEA
2
EEA-EEA
) so nulos,
uma vez que no presente exemplo no se considera a pr-amplificao ptica do sinal.
- Simulao do aumento do Dbito Binrio
Neste ltimo exemplo so analisados e comparados os comportamentos do receptor ptico
com o aumento do dbito binrio D
b
, quando este utiliza um fotododo tipo PIN, APD e pr-
amplificao ptica com fotododo PIN (Pr-Amp+PIN). Considera-se que a largura de banda elctrica
a -3dB do receptor assume sempre o valor mnimo, mas de modo a no provocar interferncia inter-
simblica que prejudique o desempenho do mesmo (1 critrio de Nyquist para sistemas de banda de
base). Para os resultados apresentados na Tabela 6.3, foram considerados os seguintes valores:
uma potncia ptica mdia de P
s,tot
|
dBm
= -30 dBm, largura de banda elctrica a -3dB igual a metade
do dbito binrio B
e3dB
=D
b
/2, no caso do fotododo PIN uma respostividade de R
0
=0,7, para o
fotododo APD um ganho de avalanche de M=40 e uma respostividade tambm de R
0
=0,7, no
caso do Pr-Amp+PIN foi considerado um ganho ptico de G
o
|
dB
=20dB, um factor de rudo de
F
o
|
dB
=8dB, uma largura de banda ptica de B
o
=2 nm e uma respostividade igualmente de
R
0
=0,7. Os restantes parmetros e valores so mantidos em relao ao primeiro exemplo,
excepo do dbito binrio, D
b
, cujo valor varia conforme apresentado na Tabela 6.3 e Fig. 6.17.

Tal como nos exemplos anteriores, so registados os valores resultantes para: a
e
(circuito
c
2
, quntico
q
2
2
s-EEA
e batimento EEA-EEA
2
EEA-EEA
).
Atravs dos valores apresentados na Tabela 6.3 e pelo grfico da Fig. 6.17, pode-se
constatar que a probabilidade de erro de bit P
e
aumenta com o incremento do dbito binrio D
b
.
Esta deteriorao do desempenho do receptor ptico deve-se ao necessrio aumento da largura de
banda (de modo a que o sinal para o dbito binrio respectivo no sofra interferncia inter-simblica),
o que provoca o agravamento da potncia dos diferentes rudos, diminuindo a relao sinal-rudo
resultante.

73

Tabela 6.3 Resultados do receptor ptico em funo da variao do dbito binrio
Tipo de
deteco

D
b
[Mbit/s]

P
e
SNR [dB]
c
2
[V
2
]
q
2
[V
2
]
2
s-EEA
[V
2
]
2
EEA-EEA

[V
2
]
PIN 100 2,5*10
-12
16,79 2,0*10
-10
1,1*10
-12
0 0
PIN 1 000 1,4*10
-2
6,79 2,0*10
-9
1,1*10
-11
0 0
PIN 10 000 0,24 -3,21 2,0*10
-8
1,1*10
-10
0 0
PIN 100 000 0,41 -13,21 2,0*10
-7
1,1*10
-9
0 0
APD 100 3,6*10
-173
28,23 2,0*10
-10
2,2*10
-8
0 0
APD 1 000 3,9*10
-19
18,23 2,0*10
-9
2,2*10
-7
0 0
APD 10 000 2,5*10
-3
8,23 2,0*10
-8
2,2*10
-6
0 0
APD 100 000 0,19 -1,77 2,0*10
-7
2,2*10
-5
0 0
Pr-Amp+PIN 100 1,0*10
-600
33,42 2,0*10
-10
1,4*10
-10
3,6*10
-8
6,0*10
-9

Pr-Amp+PIN 1 000 5,0*10
-56
23,42 2,0*10
-9
1,4*10
-9
3,6*10
-7
6,0*10
-8

Pr-Amp+PIN 10 000 3,2*10
-7
13,43 2,0*10
-8
1,4*10
-8
3,6*10
-6
5,9*10
-7

Pr-Amp+PIN 100 000 5,5*10
-2
3,52 2,0*10
-7
1,4*10
-7
3,6*10
-5
5,1*10
-6

Figura 6.17 Grfico de comparao do desempenho do receptor ptico com fotododo do tipo PIN, APD e com Pr-
amplificao ptica e fotododo PIN (Pr-Amp+PIN), em funo do dbito binrio.
Para os valores introduzidos, a utilizao de um simples fotododo PIN apresenta os piores
resultados, cujo desempenho limitado pelo rudo de circuito presente. A utilizao do fotododo APD
com um ganho de avalanche adequado (como foi o caso) melhora substancialmente o desempenho
do receptor, apesar do substancial aumento da potncia de rudo quntico, que passa a ser
74

dominante. No caso da utilizao do pr-amplificador ptico com fotododo PIN, obtm-se os
melhores resultados. A melhoria da potncia sinal, imposta pelo ganho do pr-amplificador ptico,
compensa o aparecimento dos rudos de batimento sinal-EEA e EEA-EEA, que passam a ser
predominantes.
O primeiro exemplo prtico exposto serviu para apresentar as diferentes potencialidades do
simulador do receptor ptico completo. Alm dos diversos painis da interface grfica de introduo
de dados e de resultados, foram ainda apresentadas as expresses implementadas no simulador,
pelas quais este processa a informao introduzida e apresenta os resultados.
No segundo exemplo, apresentado para um receptor ptico com pr-amplificao ptica e
fotododo do tipo PIN, notria a melhoria da relao sinal-rudo e da probabilidade de erro de bit
com o aumento do ganho do pr-amplificador ptico. Porm, essa melhoria s significativa
enquanto as potncias de rudo de batimento (sinal-EEA e EEA-EEA) no so predominantes em
relao aos restantes rudos. Caso no se verifique o anterior, o aumento do ganho do pr-
amplificador ptico infrutfero, uma vez que a melhoria da potncia do sinal incidente no fotodetector
anulada pelo aumento das potncias de rudo de batimento, sendo que a relao sinal-rudo e
probabilidade de erro de bit, neste caso, no comportam melhorias significativas.
No terceiro exemplo foi considerado um receptor ptico sem pr-amplificao ptica,
constitudo por um fotododo do tipo APD com um ganho de avalanche varivel. Neste caso no
existem rudos de EEA, uma vez que estes so consequentes da utilizao da amplificao ptica.
Tal como foi visto, a escolha adequada do valor do ganho de avalanche do APD fundamental para o
bom desempenho do receptor. Existe um valor ptimo para o ganho de avalanche que depende do
valor potncia do rudo de circuito e das caractersticas do APD. Quando a potncia de rudo de
circuito predominante, de todo o interesse aumentar o ganho de avalanche, uma vez que a
potncia do sinal detectado aumenta com M
2
e o respectivo aumento da potncia de rudo quntico
passa praticamente despercebida no valor da relao sinal-rudo resultante. Porm, se o ganho de
avalanche for muito elevado, o desempenho do receptor vai deteriorar-se, uma vez que rudo
quntico passa a ser predominante e consequentemente a relao sinal-rudo passa a degradar-se
aproximadamente com um factor de 1/F(M), onde F(M) representa o factor de excesso de rudo do
APD.
No quarto exemplo foi analisado o desempenho de diferentes configuraes do receptor
ptico (PIN, APD e Pr-Amp+PIN) com o aumento do dbito binrio. O incremento do dbito binrio
implica um correspondente aumento da largura de banda, que, por sua vez, origina uma potncia de
rudo superior. No exemplo apresentado o receptor ptico com pr-amplificao ptica apresenta os
melhores resultados, sendo a soluo mais indicada para as ligaes mais exigentes (longas
distncias e elevados dbitos binrios).
75

Captulo 7
7. Concluses Finais, Perspectivas de Trabalho Futuro e
Contribuies Originais
7.1 Concluses Finais
Tendo em conta a crescente importncia das comunicaes pticas a nvel comercial e
militar, a presente dissertao teve como objectivo a criao e desenvolvimento de um software
interactivo, que tornasse possvel a integrao dos vrios blocos funcionais de um receptor ptico
digital IM-DD e permitisse a simulao isolada de cada um desses blocos, bem como a simulao
completa do sistema.
Durante a dissertao, as simulaes e os exemplos prticos apresentados, foram sempre
precedidos de uma anlise terica do funcionamento de cada um dos blocos.
No captulo 2 foram explicadas as vrias fases de implementao do software desenvolvido.
Foi feita ainda uma abordagem geral ao funcionamento e utilizao do simulador, numa perspectiva
de instruo e ajuda ao potencial utilizador.
O captulo 3 incidiu na anlise dos amplificadores pticos, que apresentam algumas
vantagens em relao aos regeneradores de sinal, como forma de compensar a atenuao causada
pela fibra ptica. Nos regeneradores de sinal havia a necessidade da converso opto-elctrica e
elctro-ptica, o que para alm de ficar muito dispendioso, apresentava uma grande limitao pelo
facto de funcionar apenas para um dado dbito binrio e cdigo de linha. Com o aparecimento dos
amplificadores pticos, que actuam directamente no domnio ptico, tornou-se fcil a adaptao dos
amplificadores a possveis alteraes no dbito binrio ou cdigo de linha.
O amplificador ptico mais utilizado nos ltimos anos o EDFA (Erbium Doped Fibre
Amplifier), devido sua simplicidade de fabrico, facilidade de acoplamento fibra e ao facto do seu
espectro de amplificao coincidir com o mnimo de atenuao das fibras pticas (cerca de 1550nm).
Associado pr-amplificao ptica, como forma de reduzir a potncia de rudo ptico
inserido pelo amplificador ptico, normalmente utilizado um filtro ptico entre o amplificador e o
fotodetector. O filtro ptico visa a reduo da largura de banda ptica e a consequente reduo da
potncia de rudo ptico. Um dos filtros pticos mais utilizado nas comunicaes pticas o Fabry-
Perot.
A partir da simulao individual do pr-amplificador ptico e do exemplo apresentado, pode
constatar-se que o sinal sada do pr-amplificador apresenta uma potncia mdia superior
relativamente entrada do mesmo, correspondente ao ganho do amplificador ptico. No entanto,
apresenta uma relao sinal-rudo ptico pior, uma vez que o sinal fica corrompido pelo rudo de
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emisso espontnea amplificada, introduzido pelo amplificador. Apesar desta degradao da relao
sinal-rudo ptico, o acrscimo de potncia do sinal introduzido pelo amplificador pode ser necessrio
para possibilitar a deteco de um determinado receptor ptico, cuja potncia anterior amplificao
seria insuficiente, ou seja, seria menor que a sensibilidade do receptor ptico em causa.
No captulo 4 foi abordado o fotodetector, elemento responsvel pela converso opto-
elctrica. Nas comunicaes pticas os fotodetectores mais utilizados so os fotododos do tipo PIN e
APD. Estes so preferveis pelo seu tamanho reduzido, alta sensibilidade, resposta rpida no tempo e
baixo custo. O APD apresenta um ganho interno, baseado na ionizao por impacto e designado
ganho de avalanche.
Foram apresentados os diferentes tipos de rudo presentes na fotodeteco: rudo de circuito,
rudo quntico, rudo de batimento sinal-EEA e rudo de batimento EEA-EEA. Para a anlise do
desempenho do receptor ptico, aproximaram-se as distribuies dos rudos por distribuies
Gaussianas de mdia nula.
A partir dos exemplos prticos foi demonstrado que a menor largura de banda tem a
vantagem de diminuir a potncia de rudo, mas tem a desvantagem de aumentar o tempo de resposta
e provocar a distoro do sinal obtido, originando interferncia inter-simblica. Portanto, necessrio
conjugar estes dois factores (potncia de rudo e interferncia inter-simblica) no sentido de encontrar
a largura de banda ptima que maximize a relao sinal-rudo, sem causar interferncia inter-
simblica. Verifica-se, tambm, que os tipos de rudo apresentados tm potncias diferentes
conforme o tipo de fotodeteco utilizada. Normalmente, no caso da utilizao de um fotododo PIN, o
tipo de rudo dominante o rudo de circuito. No caso do fotododo APD o rudo dominante o rudo
quntico e, na utilizao de pr-amplificao ptica com fotododo PIN, o rudo dominante j o rudo
de batimento (sinal-EEA e EEA-EEA). ainda evidenciado que, para melhorar de uma forma
significativa a relao sinal-rudo resultante, deve-se diminuir o tipo de rudo predominante do sinal
resultante. Caso contrrio a melhoria pode ser insignificante.
O captulo 5 centrou-se no pr-amplificador elctrico do receptor ptico. Normalmente o sinal
sada do fotodetector muito fraco, necessitando de uma amplificao de baixo rudo para que
possa ser processado devidamente.
As configuraes do pr-amplificador mais utilizadas so: pr-amplificador de tenso
(tambm designado amplificador de baixa-impedncia), amplificador de alta-impedncia e
amplificador de transimpedncia.
O pr-amplificador de tenso, para originar uma largura de banda elevada, necessita de uma
resistncia de carga muito pequena, o que torna este tipo de configurao muito ruidosa.
No caso do amplificador de alta-impedncia, a resistncia de carga tem valores elevados (na
ordem dos k), garantindo um baixo rudo trmico gerado pela mesma. Contudo, este tipo de
configurao exige a utilizao de um igualador, para compensar a diminuio de largura de banda
originada pelo aumento da resistncia de carga. No dimensionamento do igualador deve-se ter em
ateno que, para se obter uma igualao perfeita, necessrio que o zero do igualador corresponda
ao plo do pr-amplificador. De realar, ainda, que neste tipo de configurao, a tenso sada do
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amplificador tem que ser suficientemente grande para compensar a atenuao do igualador, o que
provoca uma reduo na gama dinmica do receptor.
O amplificador de transimpedncia foi desenvolvido para se obter, simultaneamente, uma
grande largura de banda e um baixo rudo. Nas simulaes efectuadas, este apresentou o melhor
desempenho dos trs tipos expostos. O pr-amplificador de transimpedncia , ainda, de fcil
implementao.

No captulo 6 foi abordado o receptor ptico completo e o clculo do seu desempenho, que
em sistemas de transmisso digital, como o caso, avaliado pela probabilidade de erro de bit do
receptor.
O valor da probabilidade de erro pode ser calculado a partir das funes de densidade de
probabilidade das amostras de tenso dos diferentes valores lgicos, na entrada do circuito de
deciso.
A partir das simulaes e exemplos prticos apresentados, verifica-se que, quando o rudo de
circuito predominante, a introduo do pr-amplificador ptico ou a utilizao do fotododo APD, so
benficas para a diminuio da probabilidade de erro de bit do receptor ptico. Porm, quer o ganho
do pr-amplificador ptico, quer o ganho de avalanche do APD, devem ser dimensionados de acordo
com o rudo de circuito existente e com as caractersticas dos mesmos, para que o receptor ptico
atinja o melhor desempenho possvel (menor probabilidade de erro).
Em relao ao software desenvolvido, de realar que este totalmente original. Houve uma
grande preocupao de criar uma interface grfica amigvel (user-frendly), e, simultaneamente,
uma interface funcional.
Foram implementados controladores que, de acordo com limitaes fsicas e consideraes
tericas, impedem que certas opes sejam tomadas pelo utilizador do simulador, mostrando avisos
e possibilitando a correco automtica dessas mesmas opes. Os resultados so apresentados
numericamente e graficamente para uma melhor e mais rpida anlise dos mesmos.
Para aumentar o universo dos potenciais utilizadores, o simulador foi desenvolvido em duas
verses: portuguesa e inglesa. Dado que as duas verses esto integradas no simulador, a troca de
verso pode ser efectuada em qualquer uma das janelas apresentadas.
O presente simulador tem uma vertente pedaggica muito importante, uma vez que, atravs
da variao dos parmetros de entrada, permite a visualizao do respectivo sinal de sada,
possibilitando uma slida aprendizagem acerca do funcionamento deste tipo de dispositivo.

O simulador desenvolvido constitui uma alternativa aos sistemas de componentes reais, de
uma forma:
- Econmica - a concepo e manuteno de laboratrios de sistemas reais muito
dispendiosa;
- Rpida - uma simulao feita em poucos segundos, poderia demorar dias em sistemas reais;
- Porttil - as simulaes podem ser feitas em qualquer local com recurso a apenas a um
computador e respectivo software;
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- Fcil acesso - no necessita de restries de acesso relacionadas com a segurana e
preservao da integridade dos laboratrios de sistemas reais.
Tendo em conta os objectivos propostos para a presente dissertao, pode concluir-se que
estes foram plenamente atingidos.
7.2 Perspectivas de Trabalho Futuro
Este trabalho pode servir de base para trabalhos futuros nesta rea to promissora.
O presente simulador poderia ainda ser aperfeioado, num desenvolvimento futuro, em
alguns aspectos:
- No caso da simulao do pr-amplificador ptico, alm da simulao do amplificador
de fibra dopada a rbio, poderia permitir tambm a simulao dos amplificadores
pticos a semicondutor (apesar destes apresentarem piores caractersticas de
amplificao e por essa razo serem actualmente pouco utilizados).
- Relativamente ao fotodetector, seria interessante implementar a simulao do efeito
de avalanche do APD. Neste ter-se-ia em conta a tenso de polarizao aplicada, as
intensidades de dopagem e as dimenses de cada camada de material, que
resultariam numa dada distribuio do campo elctrico ao longo do APD. A
visualizao animada da ionizao por impacto no interior do APD, aps a absoro
dos fotes do sinal incidente, seria tambm bastante atractiva. Nesta matria, poderia
ainda ser feita uma anlise relativamente s variaes do efeito de avalanche, tendo
em conta que os portadores primrios no originam sempre o mesmo nmero de
novos portadores.
- Quanto ao pr-amplificador elctrico, seria curioso ter em conta os efeitos no
lineares dos amplificadores utilizados, provocados pela aproximao do sinal aos
limites de saturao dos mesmos.
Um outro trabalho interessante seria o desenvolvimento de um simulador para sistemas
pticos coerentes, em que a informao modulada numa portadora atravs da sua amplitude ASK,
frequncia FSK ou fase PSK. Neste caso, o receptor ptico torna-se mais complexo, necessitando
de um oscilador ptico local (dodo laser), cuja sada seria devidamente misturada com o sinal
ptico recebido, de forma a obter-se a informao contida na portadora ptica.
Dada a crescente importncia das comunicaes pticas no mundo, imprescindvel a
existncia deste tipo de simuladores, uma vez que aceleram o progresso desta rea cientfica na
educao, investigao e desenvolvimento.
79

7.3 Contribuies Originais
O simulador desenvolvido para o receptor ptico IM-DD contm vrias contribuies originais,
das quais se destacam:
- A interface grfica do simulador foi projectada e implementada originalmente, seguindo as
estratgias de Ben Shneiderman [28] e utilizando as ferramentas disponveis da linguagem
utilizada [29]. Resultando, assim, numa interface grfica funcional e muito amigvel (user-
frendly).
- Na simulao do pr-amplificador ptico foi implementado um grfico que permite visualizar
simultaneamente a potncia do sinal e a potncia do rudo sada do pr-amplificador. Este
grfico permite uma percepo rpida da qualidade do sinal pelo utilizador.
- Na simulao do fotodetector destaca-se a implementao do grfico de resposta do
fotodetector potncia ptica incidente ao longo do tempo. O grfico tem em conta o rudo e
a resposta impulsiva do fotodetector, de acordo com os parmetros introduzidos para
simulao.
- A simulao do pr-amplificador elctrico permite visualizar os diagramas de Bode dos
diferentes tipos de pr-amplificadores seleccionados e dimensionados. Foi implementada
ainda uma opo de dimensionamento automtico do igualador, caso o utilizador pretenda
uma igualao perfeita.
- Na simulao do receptor ptico completo, para alm do sinal resultante ao longo do tempo
na entrada do circuito de deciso e respectivo diagrama de olho, destaca-se a implementao
do grfico que permite visualizar a distribuio das funes de densidade de probabilidade
das amostras dos diferentes nveis lgicos e, simultaneamente, o valor ptimo de deciso.
Evidencia-se, ainda, a implementao do clculo da probabilidade de erro de bit do receptor,
a partir das funes de densidade de probabilidade das amostras; bem como a obteno
descriminada da potncia de cada uma das diferentes fontes de rudo.

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Referncias
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- ZAPPE, Hans P., Introduction to Semiconductor Integrated Optics, Artech House, USA,
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85

Anexo A
- Descrio da interface grfica de simulao do Pr-amplificador
EDFA com Filtro ptico
A Fig. A.1 corresponde janela de simulao do pr-amplificador EDFA com filtro ptico.

Figura A.1 Simulao isolada do Pr-amplificador EDFA com Filtro ptico
86

Na Fig. A.1 os elementos numerados tm as seguintes funes:

P
a
r
m
e
t
r
o
s

v
a
r
i
v
e
i
s

d
o

s
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p
r
-
a
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p
l
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f
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c
a
d
o
r

p
t
i
c
o

- Slider 1 Definio do valor da potncia ptica mdia medida na entrada do
conector que liga a fibra ao pr-amplificador ptico. O slider permite variar o seu
valor entre -100 dBm e os 30 dBm, tendo em conta os limites de sensibilidade e de
saturao dos receptores pticos [30].

- Slider 2 Definio do valor da penalidade de potncia devido transmisso
(na literatura inglesa referida como path penalty), que quantifica o afastamento do
sinal em relao s suas condies ideais em termos de distoro, representando o
acrscimo de potncia necessrio para se possa tratar o sinal real que chega ao
receptor, como se tratasse de um sinal ideal. No simulador possvel variar o seu
valor entre 0 dB e 2 dB, uma vez que segundo a ITU-T, 2 dB representa a
distoro mxima que o sistema pode tolerar [2].

- Slider 3 Definio do valor do comprimento de onda central do sinal, que para
o simulador do amplificador EDFA, est limitado entre 1530 nm e os 1565 nm.
Estes limites so impostos pelas caractersticas fsicas do EDFA, tal como est
detalhado no captulo 3.

- Slider 4 Definio do valor do dbito binrio, em que se pode variar o seu valor
entre 1 Mbps e 100 Gbps, tendo em conta o limite mximo dos receptores pticos
actualmente disponveis [31].

-
Slider 5 Definio do valor da razo de extino, que corresponde razo entre
a potncia ptica do nvel lgico 0 e a potncia ptica do nvel lgico 1 do sinal
ptico incidente:

1 ,
0 ,
o
o
P
P
r =

Como P
o,1
>P
o,0
, logo a razo de extino varia entre 0 e 1.

- Slider 6 Definio do valor da atenuao do conector, que depende da
qualidade do conector, mas que normalmente assume valores inferiores a 1 dB [1].
O simulador permite variar o valor da atenuao do conector entre 0 dB (que
corresponde a no considerar o atenuador) e 1 dB.

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P
a
r
m
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t
r
o
s

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o

E
D
F
A

e

f
i
l
t
r
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p
t
i
c
o

- Slider 7 Definio do valor do ganho ptico do EDFA, pode ter valores elevados
desde que os factores de que depende sejam adequados (potncia do laser bomba,
comprimento da fibra dopada, potncia do sinal a amplificar e comprimentos de onda do
sinal e de bombeamento). Os valores tpicos deste tipo de ganho situam-se entre 17 dB
e 45 dB [16]. No entanto, o simulador permite a introduo de um ganho ptico
compreendido entre 0 dB e 60 dB.

- Slider 8 Definio do valor do factor de rudo do amplificador ptico, que depende
essencialmente do nvel de inverso da populao da fibra dopada, sendo igual a 3 dB
quando a inverso da populao completa (caso ideal). Normalmente tem valores
tpicos de 5 dB a 7 dB [16]. Porm o simulador permite a introduo de valores entre
3 dB e 20 dB.

- Slider 9 Definio do valor da largura de banda ptica, que no caso do EDFA tem
cerca de 30 nm [2]. No entanto, a utilizao de um filtro ptico entre o amplificador
ptico e o fotodetector, pode reduzir a largura de banda e consequentemente o rudo
introduzido pelo amplificador. Tendo em conta que a largura banda pode ser na ordem
das centsimas de nm, o simulador permite variar a largura de banda ptica entre 0,01
nm e 30 nm.

- Slider 10 Definio do valor da potncia do laser bomba, que deve ser suficiente
para proporcionar o ganho do EDFA pretendido, tendo valores tpicos na ordem dos 10
dBm a 20dBm. Neste caso, o simulador permite variar o deu valor entre os -10 dBm
e os 35dBm.

- Popup 11 Definio do valor do comprimento de onda do laser bomba, em que o
simulador permite optar pelos comprimentos de onda de 980 nm e 1480 nm. Estes
so os comprimentos de onda utilizados para bombeamento do EDFA, devido grande
eficincia de absoro de energia nestes comprimentos de onda por parte dos ies de
rbio (Er
3+
) utilizados para dopar a fibra [15].

R
e
s
u
l
t
a
d
o
s

- Grfico 12 Visualizao da potncia do sinal ptico NRZ ao longo do tempo na
entrada do EDFA, j tendo em conta a penalidade de potncia devido transmisso
(para se poder tratar como um sinal ideal, tal como apresentado) e a atenuao do
conector.

- Figura 13 Imagem alusiva respectiva simulao.

- Grfico 14 Visualizao da potncia do sinal e potncia de rudo sada do filtro
ptico, permitindo comparar os dois.

- Painel 15 Apresentao dos resultados numricos para a relao sinal rudo ptico,
potncia do sinal, potncia do nvel lgico 1, potncia do nvel lgico 0 e
potncia de rudo de emisso espontnea amplificada introduzido pelo EDFA.

88

Anexo B
- Descrio da interface grfica de simulao do Fotodetector
A Fig. B.1 corresponde janela de simulao do Fotodetector.

Figura B.1 Simulao isolada do Fotodetector

89

Na Fig. B.1 os elementos numerados tm as seguintes funes:

P
a
r
m
e
t
r
o
s

v
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r
i
v
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i
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s
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n
o

f
o
t
o
d
e
t
e
c
t
o
r

- Slider 1 Definio do valor da potncia ptica mdia medida na entrada do
fotodetector. O slider permite variar o seu valor entre -100 dBm e os 30 dBm,
tendo em conta os limites de sensibilidade e de saturao dos receptores pticos [30].

- Slider 2 Definio do valor do comprimento de onda central do sinal, que est
limitado entre 600 nm e os 1800 nm. Estes limites so impostos tendo em conta os
valores de respostividade dos materiais e a atenuao da fibra em funo do
comprimento de onda [12].


-
Slider 4 Definio do valor da razo de extino, que corresponde razo entre
a potncia ptica do nvel lgico 0 e a potncia ptica do nvel lgico 1:

1 ,
0 ,
o
o
P
P
r =

Como P
o,1
>P
o,0

- Radio Button 5 Determinao se o sinal que chega ao fotodetector sofreu, ou
no, pr-amplificao ptica.

- Slider 6 Definio do valor da potncia mdia de rudo de EEA (no caso do
sinal ter sofrido pr-amplificao ptica). O seu valor depende do factor de rudo e
ganho do amplificador ptico, bem como da frequncia central do sinal e da largura
de banda imposta pelo amplificador ou pelo filtro ptico. Tendo em conta os valores
tpicos destas grandezas, o simulador permite variar a potncia mdia de rudo EEA
entre -100dBm e 30dBm.

- Slider 7 Definio do valor da largura de banda ptica, que no caso do EDFA
tem cerca de 30 nm [2]. No entanto, a utilizao de um filtro ptico entre o
amplificador ptico e o fotodetector, pode reduzir a largura de banda e
consequentemente o rudo introduzido pelo amplificador. Tendo em conta que a
largura banda ser na ordem das centsimas de nm, o simulador permite variar a
largura de banda ptica entre 0,01 nm e 30 nm.

90

P
a
r
m
e
t
r
o
s

d
o

f
o
t
o
d
e
t
e
c
t
o
r

- Radio Button 8 Determinao do tipo de fotodetector a utilizar: PIN ou APD.

- Slider 9 e 10 Definio do valor da respostividade da corrente primria gerada
no fotodetector, respectivamente, PIN e APD. A respostividade depende da eficincia
quntica do fotodetector e do comprimento de onda do sinal ptico. Normalmente tem
valores compreendidos entre 0,4 e 0,95 [15]. O presente simulador permite variar o
valor da respostividade entre 0 e 1, permitindo, assim, a simulao de uma vasta
gama fotodetectores, desde os menos eficientes at aos mais eficientes.

- Slider 11 Definio do valor do ganho de avalanche originado no interior do APD
por ionizao por impacto. Este tem valores tpicos entre 10 e 400 [15], no entanto
o simulador permite variar entre 1 e 600.

- Slider 12 Definio do valor da corrente escura, que est presente no
fotodetector mesmo sem qualquer sinal ptico incidente. Idealmente seria nula, mas
na realidade tem valores tpicos na ordem dos nA [30]. O simulador permite
introduzir valores entre 0,01 nA e 500 nA.

- Radio Button 13 Determinao do tipo de material de que o fotodetector
constitudo: silcio Si, germnio Ge e arsenieto de ndio-glio InGaAs. Estes so
os materiais mais utilizados no fabrico dos fotododos utilizados nas comunicaes
pticas [22].

- Slider 14 Definio do valor capacidade do fotododo, Cd, que depende das
caractersticas fsicas do mesmo. Quanto menor for a capacidade do fotododo, maior
poder ser a largura de banda do respectivo receptor ptico e menor ser o tempo de
resposta do mesmo. Estas especificidades so necessrias para os dbitos mais
elevados. Porm, os fotododos de capacidade muito pequena, normalmente tm uma
baixa eficincia quntica, pelo que ter que haver um compromisso entre estes
valores. Os valores tpicos so na ordem dos pF [30]. Neste simulador possvel
variar o seu valor entre 0,01pF e 1000pF.

- Slider 15 Definio do valor resistncia de carga, Rb, do fotodetector. Neste
caso, o simulador permite variar o seu valor entre 0,1 e os 500 , que um
intervalo adequado para a simulao isolada do fotodetector.

91

R
e
s
u
l
t
a
d
o
s

- Painel 16 Apresentao do valor largura de banda a -3dB e a largura de banda
equivalente de rudo, do fotodetector (a partir dos valores introduzidos para a
capacidade parasita do mesmo e resistncia de carga).

- Grfico 17 Visualizao da potncia do sinal ptico NRZ incidente no
fotodetector, sem distoro.


- Grfico 19 Visualizao da corrente gerada pelo fotodetector ao longo do tempo,
em resposta potncia ptica nele incidente.

- Painel 20 Apresentao dos resultados da simulao: ocorrncia ou no de
interferncia inter-simblica, a relao sinal-rudo obtida sada do fotodetector
(tendo em conta a penalidade de potncia devido razo de extino entre o nvel
lgico 0 e o nvel lgico 1), a varincia da corrente de rudo de circuito, a
varincia da corrente de rudo quntico, varincia da corrente de rudo de
batimento sinal-EEA, a varincia da corrente de rudo de batimento EEA-EEA, a
potncia ptica na entrada do fotodetector para os diferentes nveis lgicos e, por
ltimo, os valores da corrente gerada no fotodetector para os diferentes nveis
lgicos (no instante ptimo de amostragem e sem interferncia inter-simblica).

92

Anexo C
- Descrio da interface grfica de simulao do Pr-Amplificador
Elctrico e Igualador
A Fig. C.1 corresponde janela de simulao do Pr-Amplificador Elctrico e Igualador.

Figura C.1 Simulao isolada do Pr-Amplificador Elctrico e Igualador

93

Na Fig. C.1 os elementos numerados tm as seguintes funes:

P
a
r
m
e
t
r
o
s

v
a
r
i
v
e
i
s

d
a

c
o
r
r
e
n
t
e

e
l
c
t
r
i
c
a

s
a
d
a

d
o

f
o
t
o
d
e
t
e
c
t
o
r

- Slider e lista 1 Definio do valor da corrente elctrica do nvel lgico 1,
sada do fotodetector. O simulador permite variar o seu valor entre 1*10
-9
A e os
9,99*10
-1
A.

- Slider e lista 2 Definio do valor da corrente elctrica do nvel lgico 0, sada
do fotodetector. O simulador permite variar o seu valor entre 1*10
-9
A e os 9,99*10
-1
A.


94

P
a
r
m
e
t
r
o
s

d
o

p
r
-
a
m
p
l
i
f
i
c
a
d
o
r

e
l
c
t
r
i
c
o

e

i
g
u
a
l
a
d
o
r

- Radio Button 4 Determinao do tipo de pr-amplificador elctrico a utilizar na
simulao: de tenso, de alta impedncia ou de transimpedncia.

- Slider 5 Definio do valor capacidade parasita do fotododo C
d
. Os valores
tpicos so na ordem dos pF [30]. Neste simulador possvel variar o seu valor entre
0,01pF e 1000pF.

- Slider 6 Definio do valor resistncia de carga R
b
do fotodetector, em que o
simulador impe diferentes limites, conforme o tipo de pr-amplificador elctrico escolhido
para simulao. No caso do pr-amplificador de tenso, o simulador permite variar o seu
valor entre 0,1 e os 500 ; no caso do pr-amplificador de alta-impedncia, o
simulador permite variar entre 500 e os 10 k .

- Slider 7 Definio do valor resistncia de realimentao R
f
do fotodetector, no
caso da escolha do pr-amplificador de transimpedncia para simulao. O simulador
permite variar o seu valor entre 1 k e 1 G.

- Slider 8 Definio do valor da capacidade de entrada do amplificador operacional
C
a
,, que, de acordo com os seus valores tpicos, o simulador permite variar o seu valor
entre 1 pF e os 10 nF.

- Slider 9 Definio do valor da resistncia de entrada do amplificador operacional
R
a
. Tendo em conta os valores tpicos, o simulador permite variar o seu valor entre 1
M e 1 G.

- Slider 10 Definio do ganho em malha aberta do amplificador operacional A,
que, de acordo com os valores tpicos, o simulador permite variar o seu valor entre 100 e
1*10
5
.

- Slider 11 Definio do factor de rudo F
ne
do amplificador operacional, em que o
simulador permite variar o seu valor entre 0 dB e os 20 dB.

- Slider 12 Definio do valor da capacidade C
1
do igualador que, de acordo com os
valores caractersticos, o simulador permite variar o seu valor entre 1 pF e os 10 nF.

- Slider 13 Definio do valor da resistncia R
1
do igualador, em que o simulador
permite variar o seu valor entre 100 e os 10 k.

- Slider 14 Definio do valor da resistncia R
2
do igualador que, de acordo com os
valores tpicos, o simulador permite variar o seu valor entre 1 e 1 k.

- Boto 15 Ao ser premido executa o ajuste automtico dos valores de "C1" e "R1"
para uma igualao perfeita.

95

R
e
s
u
l
t
a
d
o
s

- Boto 16 Ao ser premido, o simulador apresenta o diagrama de Bode da funo de
transferncia resultante para o pr-amlificador dimensionado sem igualador.

transferncia resultante para o igualador isolado.

transferncia resultante para o pr-amlificador com igualador (no caso da simulao do
pr-amplificador de alta-impedncia).

- Grfico 19 Visualizao do sinal elctrico NRZ entrada do pr-amplificador elctrico
sem rudo e sem distoro.


- Grfico 21 Visualizao da tenso obtida sada do pr-amplificador elctrico ao
longo do tempo.

- Painel 22 Apresentao dos resultados da simulao: largura de banda a -3dB, a
largura de banda equivalente de rudo, ocorrncia ou no de interferncia inter-
simblica, a relao sinal-rudo obtida sada do pr-amplificador ou igualador (tendo
em conta a penalidade de potncia devido razo de extino entre o nvel lgico 0 e o
nvel lgico 1), o ganho de transimpedncia em [dB-Ohm] (que traduz a razo entre a
tenso obtida e a corrente do fotodetector, para baixas frequncias), a tenso do valor
lgico 1 e a tenso do valor lgico 0 resultante.

96

Anexo D
- Descrio da interface grfica de simulao do Receptor ptico
Completo
A Fig. D.1 corresponde janela de simulao do Receptor ptico Completo.

Figura D.1 Simulao do Receptor ptico Completo

97

Na Fig D.1 os elementos numerados tm as seguintes funes:

P
a
r
m
e
t
r
o
s

v
a
r
i
v
e
i
s

d
o

s
i
n
a
l

p
t
i
c
o

i
n
c
i
d
e
n
t
e

e

c
o
n
e
c
t
o
r

- Slider 1 Definio do valor da potncia ptica mdia medida na entrada do conector
que liga a fibra ao receptor ptico. O respectivo slider permite variar o seu valor entre -
100 dBm e os 30 dBm, tendo em conta os limites de sensibilidade e de saturao dos
receptores pticos [30].

- Slider 2 Definio do valor da penalidade de potncia devido transmisso (na
literatura inglesa referida como path penalty), que quantifica o afastamento do sinal em
relao s suas condies ideais em termos de distoro, representando o acrscimo de
potncia necessrio para se possa tratar o sinal real que chega ao receptor, como se
tratasse de um sinal ideal. No simulador possvel variar o seu valor entre 0 dB e 2 dB,
uma vez que segundo a ITU-T, 2 dB representa a distoro mxima que o sistema pode
tolerar [2].

- Slider 3 Definio do valor do comprimento de onda central do sinal, que est
limitado entre 600 nm e os 1800 nm. Estes limites so impostos tendo em conta os
valores de respostividade dos materiais e a atenuao da fibra em funo do comprimento
de onda [12].

- Slider 4 Definio do valor do dbito binrio, em que o seu valor pode variar entre 1
Mbps e 100 Gbps, tendo em conta o limite mximo dos receptores pticos actualmente
disponveis [31].

-
Slider 5 Definio do valor da razo de extino, que corresponde razo entre a
potncia ptica do nvel lgico 0 e a potncia ptica do nvel lgico 1:

1 ,
0 ,
o
o
P
P
r =

Como P
o,1
>P
o,0

- Slider 6 Definio do valor da atenuao do conector, que depende da qualidade do
conector, mas que, normalmente assume valores inferiores a 1 dB [1]. O simulador
permite variar o valor da atenuao do conector entre 0 dB (que corresponde a no
considerar o atenuador) e 1 dB.

98

P
a
r
m
e
t
r
o
s

d
o

p
r
-
a
m
p
l
i
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c
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p
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i
c
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f
i
l
t
r
o

p
t
i
c
o

- Radio Button 7 Determinao se o receptor ptico tem, ou no, pr-amplificao
ptica.

- Slider 8 Definio do valor do ganho do amplificador ptico. Pode ter valores
elevados desde que os factores de que depende sejam adequados (potncia do laser
bomba, comprimento da fibra dopada, potncia do sinal a amplificar e comprimentos de
onda do sinal e de bombeamento). Os valores tpicos deste tipo de ganho situam-se entre
17 dB e 45 dB [16]. No entanto, o simulador permite a introduo de um ganho ptico
compreendido entre 0 dB e 60 dB.

- Slider 9 Definio do valor do factor de rudo do amplificador ptico, que depende
essencialmente do nvel de inverso da populao da fibra dopada, sendo igual a 3 dB
quando a inverso da populao completa (caso ideal). Normalmente tem valores tpicos
de 5 dB a 7 dB [16]. Porm o simulador permite a introduo de valores entre 3 dB e
20 dB.

- Slider 10 Definio do valor da largura de banda ptica, que no caso do EDFA tem
cerca de 30 nm [2]. No entanto, a utilizao de um filtro ptico entre o amplificador ptico e
o fotodetector, pode reduzir a largura de banda e, consequentemente, o rudo introduzido
pelo amplificador. Tendo em conta que a largura banda pode ser na ordem das centsimas
de nm, o simulador permite variar a largura de banda ptica entre 0,01 nm e 30 nm.

P
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r
m
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r
o
s

d
o

f
o
t
o
d
e
t
e
c
t
o
r

- Radio Button 11 Determinao do tipo de fotodetector a utilizar: PIN ou APD.

- Slider 12 e 13 Definio do valor da respostividade para a corrente primria gerada no
fotodetector. A respostividade depende da eficincia quntica do fotodetector e do
comprimento de onda do sinal ptico. Normalmente, tem valores compreendidos entre 0,4
e 0,95 [15]. O presente simulador permite variar o valor da respostividade entre 0 e 1,
permitindo, assim, a simulao de uma vasta gama fotodetectores desde os menos
eficientes at aos mais eficientes.

- Slider 14 Definio do valor do ganho de avalanche originado no interior do APD por
ionizao por impacto. Este tem valores tpicos entre 10 e 400 [15]. No entanto o
simulador permite variar entre 1 e 600.
- Radio Button 15 Determinao do tipo de material de que o fotodetector constitudo:
silcio Si, germnio Ge e arsenieto de ndio-glio InGaAs. Estes so os materiais mais
utilizados no fabrico dos fotododos utilizados nas comunicaes pticas [22].

- Slider 16 Definio do valor da corrente escura, que est presente no fotodetector
mesmo sem qualquer sinal ptico incidente. Idealmente seria nula, mas na realidade tem
valores tpicos na ordem dos nA [30]. O simulador permite introduzir valores entre 0,01
nA e os 500 nA.
99

P
a
r
m
e
t
r
o
s

d
o

a
m
p
l
i
f
i
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e
l
c
t
r
i
c
o

e

i
g
u
a
l
a
d
o
r

- Slider 17 Definio do valor da largura de banda equivalente de rudo do pr-
amplificador elctrico. Tendo em conta os dbitos binrios permitidos pelo simulador e a
relao que estes tm com a largura de banda equivalente de rudo, o simulador permite
introduzir valores entre 0,5 MHz e os 100 GHz.

- Slider 18 Definio do valor da raiz quadrada da densidade espectral de potncia de
rudo introduzida pelo pr-amplificador elctrico (medida que normalmente est presente
nos catlogos dos receptores pticos), com valores tpicos na ordem dos pA/Hz [30]. O
simulador permite introduzir valores entre 1 fA/Hz e 1 nA/Hz.

- Slider 19 Definio do valor do ganho de transimpedncia do pr-amplificador
elctrico. Este pode assumir uma gama elevada de valores. O simulador permite introduzir
valores entre 0 dB e os 140 dB.

R
e
s
u
l
t
a
d
o
s

transferncia resultante para o pr-amplificador dimensionado.

- Boto 21 Ao ser premido apresenta o grfico da tenso obtida sada do pr-
amplificador elctrico ao longo do tempo, para a sequncia lgica 01010.

- Boto 22 Ao ser premido apresenta o diagrama de olho da tenso obtida sada do
pr-amplificador elctrico.

- Grfico 23 Visualizao das tenses resultantes de 200 amostras, em que as
primeiras 100 amostras correspondem s tenses obtidas na entrada do circuito de
deciso, quando foi enviado valor lgico 0; enquanto que as restantes amostras
correspondem s tenses obtidas na mesma situao, mas, neste caso, para quando foi
enviado o valor lgico 1 (considerando que as amostras foram retiradas no instante ptimo
de amostragem e sem interferncia inter-simblica).

- Grfico 24 Visualizaes das funes de densidade de probabilidade condicionais
da tenso das amostras, para quando foi enviado um 0 p(v|0) e para quando foi enviado
um 1 p(v|1). No mesmo grfico ainda apresentada a tenso ptima de deciso.

- Painel 25 Visualizao dos valores numricos resultantes para a probabilidade de erro
bit, a relao sinal-rudo obtida no instante ptimo de amostragem (tendo em conta a
penalidade de potncia devido razo de extino entre o nvel lgico 0 e o nvel lgico
1), a varincia da tenso de rudo de circuito, a varincia da tenso de rudo quntico, a
varincia da tenso de rudo de batimento sinal-EEA e a varincia da tenso de rudo de
batimento EEA-EEA.

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