Captulo 7.

Tcnicas de Caracterizao de Materiais Autor: Herman Sander Mansur

7.1. Introduo crescente o interesse pela rea de anlise e caracterizao de materiais devido necessidade de seleo adequada do material baseado no desempenho do sistema em estudo. Dependendo das solicitaes a que este material ou sistema ser submetido, a caracterizao poder abranger a avaliao de propriedades mecnicas, eltricas, bioatividade, imunogenicidade, eletrnicas, magnticas, pticas, qumicas, trmicas e at mesmos a combinao de 2 ou mais destas propriedades. Esta caracterizao de propriedades visa principalmente estimar o desempenho no perodo de vida til do material, minimizando a possibilidade de degradao e falhas indesejveis durante a utilizao do produto.

Existem vrias definies para caracterizao na literatura, dependendo basicamente do enfoque adotado pelo autor. Sob a ptica da Engenharia e Cincias de Materiais podemos conceituar A caracterizao descreve os aspectos de composio e estrutura (incluindo defeitos) dos materiais, dentro de um contexto de relevncia para um processo, produto ou propriedade em particular (Materials Advisory Board of National Research Council USA).

Assumindo-se que os sistemas so compostos de materiais, onde encontramos muitas vezes recobrimentos e filmes, o processo de caracterizao pode-se tornar extenso e complexo. Por clareza e abordagem didtica, divide-se o material sob anlise tem 4

entidades, superfcie, recobrimento (ou filme), interface e volume (bulk). A Fig.7.1 ilustra o sistema detalhado com as 4 entidades a serem caracterizadas.

Solicitaes Propriedades

Superfcie Recobrimento Interface Volume (Bulk)

Figura.7.1. Ilustrao das entidades que compem um material

No procedimento de caracterizao de materiais, podemos definir os seguintes aspectos importantes, a serem avaliados, no necessariamente na seqncia apresentada:

Composio qumica Tamanho, forma e distribuio Fases e estruturas (cristalino, amorfo, etc) Microestrutura Superfcies, interfaces e recobrimentos

7.1.2. Superfcies e Interfaces Existem diversos conceitos de superfcie e interface apresentados na literatura, mas a maioria deles converge para o proposto por J. B. Hudson, 1992: Uma superfcie ou interface existe em um sistema em qualquer caso que houver uma mudana abrupta nas propriedades do sistema com a distncia Podemos entender ento que, uma vez que estamos avaliando uma propriedade do sistema, quando houver uma descontinuidade na medida desta propriedade, estaremos em uma interface ou tambm denominada fronteira deste sistema. Como exemplos de propriedades de um sistema podemos citar: . Densidade . Estrutura Cristalina . Orientao Cristalina . Composio Qumica . Ferromagntica . Porosidade

Cabe ressaltar que, neste conceito, existem diferentes nveis ou graus de descontinuidades. Um caso de mudana abrupta extrema, seria a presena de um slido cristalino em contato com seu prprio vapor baixa temperatura, conforme ilustrado na Fig.7.2. Neste caso, a superfcie de um material enquadra-se em um caso particular de fronteira, onde existe uma interface slido-gs. A Fig.7.3, ilustra algumas superfcies possveis com diferentes graus de organizao.

No desenvolvimento de biomateriais ns devemos estar atentos s diversas solicitaes dos sistemas vivos. Esses biomateriais estaro em contato direto, seja atravs de funes estruturais de sustentao, seja atravs de respostas complexas bioqumicas e fsicoqumicas, tais como resposta imunolgica, trombogenicidade, adsoro de

macromolculas,

resposta

inflamatria,

histocompatibilidade,

osteoconduo,

osteoconduo, dentre outras.

Pvapor

Figura.7.2. Representao esquemtica da interface slido-gs.

Figura.7.3. Diagrama representativo de superfcies com diferentes graus de organizao

Em ambiente biolgico, um grande nmero de reaes bioqumicas ocorrem, muitas vezes simultaneamente, com a presena de catalisadores, inibidores, o que requer um processo de caracterizao da superfcie do biomaterial de extrema relevncia no entendimento do seu comportamento nos organismos vivos. Portanto, a caracterizao adequada das interaes do sistema biomaterial-tecido, requer as avaliaes das quatro entidades distintas: superfcie, recobrimento, interface e volume (bulk), conforme apresentadas na Fig.7.1. Estas quatro entidades compem o sistema de biomaterialtecido, com condies termodinmicas de energia particular de cada uma, associadas disposio tridimensional dos tomos e molculas e ao nmero de ligaes qumicas. Como conseqncia imediata, os comportamentos de reatividade, tais como a bioatividade e a biocompatibilidade, sero diferentes para a superfcie, recobrimentos e

para

o volume do slido. Em sntese, as tcnicas de caracterizao devero ser

selecionadas de modo a alcanar a avaliao completa do sistema biomaterial-organismo vivo. No est dentro do objetivo deste captulo uma abordagem profunda dos aspectos termodinmicos e cinticos das interfaces. Existem boas referncias na literatura no campo da engenharia e cincias de materiais. O tema de caracterizao de um material ou sistema pode ser descrito pela perturbao causada por um feixe incidente de radiao, partculas (eltrons, nutrons etc) ou ons, e a avaliao da resposta do objeto ao estmulo. Deve-se incluir tambm as interaes fsicas e mecnicas utilizadas na avaliao de topografias e perfilometria. A Fig.7.4 mostra um diagrama representativo da caracterizao de um material composto pelas quatro entidades bsicas, isto , superfcie, recobrimento, interface e volume.

on Eltron Eltron Fton

on

Eltron

Fton

Superfcie Recobrimento Interface Volume (Bulk)

Figura.7.4. Diagrama representativo da caracterizao de um material

Este captulo divide, por razes didticas, as tcnicas de caracterizao de materiais em 3 grandes grupos: Microscopia, Espectroscopia e anlises complementares. Cabe ressaltar que esta classificao meramente didtica e no define uma forma especifica, mas to somente busca facilitar a reteno dos conceitos, fundamentos e aplicaes das diversas tcnicas de anlise de materiais. Atualmente, diversas tcnicas utilizadas nas pesquisas acadmicas e nas industrias so o resultados da combinao de 2 ou mais das tcnicas que iremos abordar ao longo deste captulo.

7.2. Microscopia

A necessidade histrica do homem de observao da natureza e dos materiais, possibilitou o aparecimento de equipamentos para auxiliar a viso humana ao longo de mais de 10 sculos. Os campos de observao dos objetos com ampliaes de algumas dezenas at milhes de vezes foi possvel com o desenvolvimento de equipamentos extremamente sofisticados, que utilizam feixes de radiao eletromagntica ou feixes de eltrons na construo das imagens. Um aspecto fundamental na obteno das imagens reside na capacidade de resolver dimenses bastante reduzidas, em elevadas ampliaes. A Tabela-7.1 mostra as resolues tpicas obtidas com ampliaes dos objetos por diversas tcnicas de microscopia.

Tabela-7.1 Resolues tpicas obtidas por diversas tcnicas de microscopia e olho humano.

Microscopia Microscpios Olho Humano Microscpio de Luz (Light Microscope) Microscpio eletrnico de varredura -MEV (Scanning electron microscope - SEM). Microscpio eletrnico de transmisso MET (Transmission electron microscope TEM). Microscpio eletrnico de transmisso de alta resoluo MET (High Resolution Transmission electron microscope HREM) mm = 0.001 m
(a) -3

Resoluo aproximada(a) 100m 100nm

Ampliao --5~1500x

Fonte Luz Luz

Requisito Cristalografia amostra Material (Volume) Material (Superfcie) polida No No Sim/No dependendo modelo

10nm

100~200,000x

Feixe Material eletrnico (Volume)

0.5nm

Filmes Feixe finos 1,000~300,000x eletrnico (espessura ~100 nm) Filmes Feixe finos 3,000~1,000,000x eletrnico (espessura ~100 nm)

Sim

0.1nm

Sim

m = 0.000001 m nm = 0.000000001 m -6 -9 -10 mm = 10 m ; m = 10 m; nm = 10 m; = 10 m

Basicamente, as tcnicas de microscopia tm como objetivo a construo de imagens ampliadas dos objetos e sistemas observados. Tanto os microscpios quanto os olhos humanos podem observar objetos at um certo limite de detalhes. A partir deste limite, denominado resoluo, teremos ampliao vazia. Portanto, nenhum equipamento de microscopia poder cobrir todas as escalas de observao, na faixa de macroestrutura at nanoestrutura.

7.2.1. Microscopia ptica

A Microscopia ptica, tambm denominada microscopia de luz, consiste em uma tcnica de observao de objetos e sistemas com ampliaes de algumas dezenas at milhares de vezes das dimenses fsicas, tipicamente 10X a 1500X. Os equipamentos de anlise de microscopia ptica, foram desenvolvidos h mais de 5 sculos, com evoluo histrica conforme ilustrada na Fig.7.5. O microscpio ptico mais simples consiste de duas lentes, uma objetiva e outra ocular, montadas em uma estrutura, com um suporte para anteparo do material a ser observado, denominada porta-amostra. A distncia entre as lentes e a amostras, pode ser alterada atravs de um sistema de engrenagem, permitindo o ajuste do foco pelo observador. O equipamento conta ainda com um sistema de iluminao, filtros, colimadores, e outras partes, no sentido de otimizar a qualidade da imagem obtida.

Figura.7.5. Histrico evolutivo da microscopia ptica.

A Fig.7.6 ilustra um equipamento de microscopia ptica tpico. Deve-se ressaltar que existem diversas variaes de modelos, com imagem por luz refletida (materiais opacos), luz transmitida (materiais translcidos), imagem por fluorescncia, dentre outras.

Figura.7.6. Ilustrao de um equipamento de microscopia ptica.

A ampliao final de um microscpio ptico ser o resultado do produto obtido pela ampliao da lente ocular pela objetiva. As ampliaes das lentes objetivas situam-se na faixa de 4X a 100X. As lentes oculares geralmente oferecem aumentos de 8X a12X, sendo 10X as mais comuns. Portanto, ampliaes tpicas de microscopia ptica situam-se na faixa de ~40X a ~1000X.

Os princpios fsicos fundamentais da ptica de radiaes eletromagnticas regem os processos de construo das imagens. A microscopia ptica utiliza as propriedades ondulatrias da radiao eletromagntica, principalmente na faixa de energia da luz visvel. As ondas eletromagnticas tm caractersticas prprias com alguns parmetros importantes, tais como comprimento de onda, freqncia, amplitude de oscilao, velocidade de propagao dentre outros. A Fig.7.7 mostra a representao da onda de radiao eletromagntica.

Figure 7.7. Diagrama esquemtico de uma onda eletromagntica.

A Fig.7.7a ilustra a propagao de radiao eletromagntica na direo z, sendo vetores campo eltrico (Ey) e campo magntico (Hx)

A Figura.7.7a. Representao especial da propagao de radiao eletromagntica.

A relao da velocidade de propagao da onda (c) com sua freqncia de oscilao () e o comprimento de onda () dado por:

c = .
Alm desta relao, a energia associada a um feixe de radiao propagante, de importncia fundamental para estudo do comportamento desta radiao com a matria. A energia de uma radiao (E), esta relacionada com a freqncia de vibrao () e um constante de Planck (h):

E= h.

A variao da freqncia permite a variao da energia do feixe de radiao eletromagntica. Uma faixa do espectro da radiao muito importante a faixa do visvel.

Esta faixa de comprimento de onda que abrange deste ~400 nm (violeta) at ~750 nm (vermelho). A Fig.7.8 representa o espectro da radiao visvel.
violeta azul vermelho

Comprimento de onda (nm)

Figura.7.8. Representao do espectro da radiao visvel.

Alguns fenmenos de interao da radiao com a matria so importantes, tais como: a) Absoro Quando a radiao atravessa um objeto sua intensidade atenuada. Este fenmeno decorre da absoro desta radiao provocada por transies energticas no material, sejam estas nucleares, eletrnicas, vibracionais ou rotacionais (Fig.7.9). b) Refrao Alterao na direo de propagao de um feixe incidente ao passar de um meio de densidade ptica para outro de densidade diferente. Este desvio da direo de propagao depende da diferenas de ndice de refrao dos meios e do comprimento de onda da radiao (Fig.7.10). c) Difrao Mudana na direo de propagao de um feixe de radiao incidente decorrente da presena de obstculo no caminho ptico. Esta mudana de direo depende das dimenses fsicas do obstculo, do comprimento de onda da radiao incidente e do ngulo de incidncia. Este fenmeno promove a formao de interferncias construtivas e destrutivas.

Fig.7.9. Ilustrao do fenmeno de Absoro.

Fig.7.10. Ilustrao do fenmeno de Refrao.

A anlise por microscopia requer o controle de parmetros fundamentais da ampliao do objeto observado, no sentido de atribuir qualidade a imagem construda. Os aspectos mais importantes de serem abordados so: Resoluo, contraste, profundidade de campo e distoro. Resoluo definida como capacidade de perceber os detalhes do objeto observado, com ou sem ampliao. Todo sistema ptico tem um limite finito de resoluo, a partir do qual, uma ampliao alm deste limite perder a capacidade de definir os detalhes do objeto. Tipicamente, a resoluo expressa em uma dimenso

linear. Para microscopia ptica o valor de resoluo est na ordem de 100 nm (0,1 m). A Fig.7.11 ilustra a resoluo de um sistema ptico na percepo da detalhada do objeto, dos seus contornos e fronteiras, conforme descrito por Lord Rayleigh em 1896.

2 objetos visualizados com baixa resoluo

2 objetos visualizados com alta resoluo

Fig.7.11. representao da resoluo de um sistema com 2 objetos observados;

imagem obtida com baixa resoluo (esquerda) e uma imagem com alta resoluo (direita)

Ernst Abbe juntamente com Carl Zeiss publicaram um artigo em 1877 definindo as leis da fsica para obter o valor de resoluo, denominada lei de Abbe (Abbes Law)

D= 2.n.sen()

Sendo D= resoluo; n= ndice de refrao; =comprimento de onda da radiao; = ngulo da radiao incidente;

A grandeza n.sen() geralmente denominada de N.A. (do ingls Numerical Aperture), ou ndice de concentrao da radiao. As lentes trazem escritos os valores de N.A. medidos pelos seus fabricantes. Quanto maior o valor de N.A. da lente, melhor sua qualidade, e melhor ser a resoluo obtida para uma mesma ampliao.

Outro parmetro fundamental na qualidade da imagem obtida por microscopia o contraste. O contraste o nmero de tons presentes em uma imagem. Uma imagem de alto contraste apresenta poucos tons, geralmente 2 tons, branco e preto. Ou seja, quanto maior o nmero de tons percebidos em uma imagem menor o contraste. Pode ser definido como a diferena entre o ponto mais claro e o mais escuro da imagem observada. Contraste considerado em termos da relao claro e escuro do objeto observado, isto , um contraste de 100 refere-se a uma relao de 100 vezes do ponto brilhante para o ponto escuro da imagem. Geralmente as amostras biolgicas apresentam um baixo contraste, requerendo portanto uma preparao adequada utilizando agentes corantes, para visualizao em microscopia ptica.

Um aspecto importante a ser considerado nas anlises por microscopia refere-se a profundidade de campo. A Profundidade de Campo definida como a dimenso linear mxima entre um plano acima (+) ou abaixo (-) e o plano de foco do espcime observado (pf ou plano focal). Um exemplo de profundidade de campo, seria a obteno de uma fotografia de uma pessoa muito prxima da cmera fotogrfica, geralmente provoca o fundo da imagem fora de foco (close-up).

7.2.2. Microscopia Eletrnica de Varredura (MEV)

O princpio da microscopia eletrnica de varredura consiste na emisso de um feixe de eltrons por um filamento de tungstnio, que concentrado, controlado e reduzido por um sistema de lentes eletromagnticas, diafragmas e bobinas, conforme a Fig.7.12, incide sobre a amostra, provocando uma srie de emisses de sinais relacionados com a interao do feixe de eltrons incidente e a amostra. Os sinais emitidos encontram-se sob a forma de eltrons (secundrios, retroespalhados, absorvidos, transmitidos, difratados, etc.) e de ftons (fotoluminescentes e raios-X), os quais so captados por detectores apropriados, sendo amplificados e processados num sistema analisador especfico para cada tipo de sinal.

A tcnica de microscopia eletrnica de varredura (MEV) permite a obteno de uma imagem ampliada e tri-dimensional da amostra a partir da interao de um feixe de eltrons com o material, desde que este seja no transparente aos eltrons. O feixe de eltrons (eltrons primrios) gerado por efeito termo-inico acelerado atravs de uma diferena de potencial e colimado atravs de uma coluna tico-eletrnica sendo conduzido cmara que contm a amostra. Este feixe de eltrons ao focalizar um ponto da amostra gera sinais que so captados e amplificados fornecendo um sinal eltrico que gera a imagem. Conforme o feixe varre a rea em anlise, uma imagem virtual vai sendo formada ponto a ponto.

Figura.7.12. Diagrama representativo de funcionamento do microscpio eletrnico de varredura convencional.

Para a garantia do livre caminho mdio dos eltrons, necessrio um sistema de alto vcuo (933 - 1333 Pa) nas partes que compem o equipamento. A interao do feixe de eltrons com a amostra gera uma variedade de sinais conforme pode ser observado na Fig.7.13. Na microscopia eletrnica de varredura para a obteno da imagem so captados eltrons secundrios, eltrons retroespalhados e raios-X caractersticos. A Fig.7.14 ilustra os processos decorrentes da interao feixe eletrnico com a matria.

Feixe primrio
Eltrons Auger Eltrons secundrios

Luminescncia Catdica Raios X caractersticos

Material

Raios X contnuos

Raios X fluorescentes

Figura.7.13 - Sinais resultantes da interao do feixe de eltrons primrios com a amostra. Diagrama esquemtico mostrando vrios dos efeitos causados pela interao de um feixe de eltrons com um alvo slido (adaptado de [50]).

Eltrons Primrios (EP Primary Beam), so os eltrons gerados pelo prprio Microscpio Eletrnico de Varredura (MEV) e que incidem sobre a amostra. Estes eltrons so gerados por um filamento aquecido, acelerados por um forte campo eltrico e colimados (focalizados) na superfcie do material a ser analisado.

Os eltrons secundrios (SE Secondary electrons) so resultantes da interao inelstica do feixe primrio com a amostra. Nestas colises inelsticas os eltrons do feixe perdem energia que transferida para os eltrons da amostra que em se tratando de eltrons das ltimas camadas (fracamente ligados ao ncleo) podem ser removidos do tomo e passarem a se movimentar atravs do material.

Figura.7.14 Modelos representativos das interaes atmicas decorrentes da perturbao do material com o feixe primrio.

Quando estes eltrons so removidos prximos superfcie podem ser ejetados da amostra, sendo os demais absorvidos pelos tomos adjacentes. Normalmente estes so eltrons de baixa energia (por conveno, inferior a 50 eV) e por causa disso a sua origem est prxima superfcie (de modo geral, menor que 10 nm de profundidade). A conseqncia direta disto que, em se tratando dos SE, o contraste nas imagens resulta da topografia da amostra, sendo os picos brilhantes e os vales escuros.

Os eltrons retroespalhados (BSE Backscattered electrons) so eltrons do feixe primrio que, aps choques aproximadamente elsticos (interaes com mudana de direo sem perda acentuada de energia) com o ncleo dos tomos da amostra, escaparam do material. Estes eltrons de alta energia (por conveno 50 eV at a voltagem de acelerao do feixe primrio) resultam em um elevado volume especfico de interao e em uma imagem com menor resoluo que a originada pelo SE. O contraste nas imagens obtidas por BSE decorre das diferenas de nmero atmico dos elementos que compem a amostra: nmeros atmicos mais elevados retroespalham mais eltrons resultando em pontos mais brilhantes na amostra. Desta forma, a imagem virtual resultando d idia da heterogeneidade da composio da amostra.

Nas Fig.7.15a e Fig.7.15b so mostradas micrografias de um mesmo material analisado no microscpio eletrnico de varredura com eltrons secundrios e com eltrons retroespalhados, respectivamente.

(a)

(b)

Figura.7.15 Fotomicrografias de ouro em carbono observadas no MEV utilizando (a) SE e (b) BSE.

A profundidade de campo uma caracterstica de elevada importncia associada tcnica de MEV. A Fig.7.16 mostra uma ilustrao relativa profundidade de campo obtida em MEV.

Feixe eletrnico

Superfcie
Profundidade de campo Plano de foco

Regio em foco

A Figura.7.16. Ilustrao relativa profundidade de campo obtida em MEV.

Os microscpios eletrnicos de varredura apresentam, atualmente, resolues de at 0,5 nm (SE, 30kV e aumento 600.000X), possibilidade de aumento de at 2.000.000X e so extensivamente utilizados nas pesquisas das reas biomdicas e de materiais, nas indstrias de semicondutores, em laboratrios de pesquisas avanadas e em muitas outras aplicaes.

7.2.2.1. Aspectos Importantes na Execuo e Interpretao de Resultados de MEV

Na execuo de avaliaes utilizando MEV/EDS importante que alguns aspectos sejam observados e considerados, a saber:

o A acelerao dos eltrons do feixe primrio determinada pela diferena de potencial entre o catodo e o anodo no gerador de eltrons, sendo a energia (E) do feixe gerado medido em eltron-volts (eV). Nos equipamentos disponveis, normalmente, se observa a possibilidade de variar a diferenas de potencial entre 0,5 30 kV. Quanto maior for esta tenso aplicada maior ser a acelerao e a energia do feixe de eltrons. A conseqncia disto uma maior profundidade de penetrao do feixe e um maior volume de interao, que tambm depende de outros fatores, como por exemplo do nmero atmico dos elementos (Fig.7.17). De modo geral, o aumento da energia do feixe conduz a uma maior resoluo da imagem, mas contribui de forma negativa aumentando o carregamento eletrosttico da superfcie, os danos superfcie da amostra e o efeito de borda alm de deixar as imagens das superfcies menos claras. Para determinar a melhor voltagem a ser aplicada, recomenda-se que sejam avaliadas tenses ao longo da faixa do equipamento de modo a identificar aquela que conduz melhor imagem;

Aumento de E

Profundidade de penetrao Volume de interao Aumento de Z

Figura.7.17 Variao do volume de interao e profundidade de penetrao do feixe de eltrons da amostra com o aumento da energia do feixe (E) e com o aumento do nmero atmico (Z) dos elementos que compem a amostra.

o As amostras a serem analisadas devem estar limpas e secas. Em funo da necessidade de alto-vcuo nos equipamentos de MEV amostras que contenham gua devem ser primeiramente desidratadas. Em situaes em que a estrutura seja deformada ou destruda pela remoo da gua, as amostras devem ser estruturadas por vias qumicas (agentes quelantes, por exemplo); o Quando amostras no condutoras so submetidas a ao do feixe de eltrons ocorre o carregamento eletrosttico da superfcie do material. Esta situao atrapalha a emisso dos eltrons secundrios e pode desviar o feixe primrio da rea em estudo. Como conseqncia disto podem ocorrer contrastes irregulares, deformao e

deslocamento da imagem e micro-anlises de regies diferentes das consideradas. A alternativa para a observao de amostras isolantes o recobrimento destas com um filme fino (10 50 nm) de material condutor. De modo geral, utilizam-se duas categorias de materiais: carbono ou metais preciosos (Au, Au/Pd, Pt). Quando da execuo do recobrimento deve-se garantir que este siga o contorno do material para no resultar em imagens no verdadeiras da topografia da amostra. Uma opo para no recobrimento da amostra a diminuio da energia do feixe de eltrons; o O feixe de eltrons pode danificar a amostra. A situao mais comum corresponde gerao de calor na rea de incidncia do feixe de eltrons. Para evitar este tipo de dano deve-se usar voltagens de acelerao mais baixas, diminuir a intensidade do feixe, diminuir o tempo de exposio da amostra, controlar a espessura do recobrimento e fotografar reas maiores com menor aumento. Uma outra situao de prejuzo para a amostra a ocorrncia de fenmenos de desgaseificao e retrao decorrente do alto-vcuo.

7.2.3. Espectroscopia de Energia Dispersiva (EDS)

Apesar da tcnica EDS ser uma analise de espectroscopia, ela usualmente apresentada juntamente com a microscopia eletrnica de varredura pela sua disponibilidade nestes equipamentos. Os microscpios eletrnicos de varredura podem possuir equipamento de microanlise acoplado permitindo a obteno de informaes qumicas em reas da ordem de micrometros. As informaes, qualitativas e quantitativas, sobre os elementos presentes so obtidas pela captao dos raios-X caractersticos resultantes da interao do feixe primrio com a amostra (ver item 3.3.1).

Este tipo de anlise, denominado espectroscopia de energia dispersiva (EDS), usa um material semicondutor, para detectar os raios-X, e um analisador multicanal e converte a energia de raios-X em uma contagem eletrnica. A partir do valor acumulado destas contagens criado um espectro que representa a anlise qumica da amostra. Para a anlise quantitativa dos elementos, deve-se utilizar padres com concentraes conhecidas dos elementos a serem analisados.

Os raios-X caractersticos permitem a obteno de um mapa de imagem da distribuio de um elemento em uma amostra no-homognea. Quando um eltron, geralmente do feixe primrio, interage inelasticamente com a amostra removendo um eltron de uma camada interna (K, L, M, N) deixa o tomo em um estado excitado de energia permitindo que um eltron de uma camada mais energtica decaia para preencher o vazio. Este decaimento ocorre com emisso de energia na forma de um fton de raios-X. Como as

diferenas de energia so bem definidas e especficas dos elementos estes ftons so denominados raios-X caractersticos e permitem identificar o elemento que est emitindo a radiao. Nesta aplicao, um determinado elemento inicialmente selecionado para ser detectado e ter sua posio identificada. Quando o elemento detectado, enquanto o feixe primrio varre a rea em anlise, um ponto brilhante mostrado na tela do CRT e a sua localizao est relacionada com o local de deteco na amostra. Aps vrias passagens do feixe de eltrons sobre a rea, gerado um mapa de regies brilhantes que representa a distribuio relativa do elemento previamente selecionado.

7.2.3.1. Aplicaes de Microscopia Eletrnica de Varredura e EDS

(a)

(b)

Figura.7.18. a)Fratura frgil de ao (500x); b) Imagem madeira da planta Switenia macrophylla.

Figura.7.19. Fotomicrografia de Inseto

(a)

(b)

Figura.7.20. Olhos compostos de mosca, a) sem danificar; b) danificado pelo feixe (5 kV x 1, 100).

Figura.7.21. Papel de filtro, a) 5 kV ; b) 25 kV (x 1400)

Figura.7.22. Micrografia de P sinterizado, a) 5 kV ; b) 25 kV (x 7200)

Figura.7.23. Fotomicrografia de Inseto.

Figura.7.23. Fotomicrografia dos vulos de acaro de carpete Hymenolepis dimunata.

Figura.7.24. Imagem de eltrons secundrios de espuma de poliestireno

(a)

(b)

Figura.7.25. Micrografia de sistemas biolgicos; a) hemcias; b) caro; c) Streptococcus

(c)

A Fig.7.26 mostra um exemplo de espectro de EDS para avaliao de composio qumica de liga metlica. A principal desvantagem do EDS a impossibilidade de distino entre espcies inicas, no-inicas e isotrpicas, bem como de deteco de elementos de baixo nmero atmico (Z < 6).

Figura.7.26. Espectro de EDS de liga Nd-Fe-B utilizado na fabricao de imas permanentes.

7.2.4. Microscopia Eletrnica de Varredura Ambiental (MEV-Ambiental)

O princpio da microscopia eletrnica de varredura ambiental bastante similar ao denominado microscpio eletrnico de varredura convencional (C-MEV) descrito no item 7.2.2. A diferena significativa est no sistema da coluna de acelerao do feixe eletrnico. No equipamento MEV necessria uma elevada tenso de acelerao do feixe associada alto vcuo na coluna e na cmara onde esta posicionada a amostra. No equipamento MEV ambiental, existem sistemas de controle de presso ao longo da coluna de acelerao que permite existir um gradiente de presso no interior da coluna de acelerao do feixe, sendo alto vcuo na regio do filamento (10-7 torr) e presso de 50 torr na regio de anlise da amostra. O desenho esquemtico de construo do MEV ambiental est mostrado na Fig.7.27.

A Fig.7.27a ilustra em detalhe do sistema de controle de presso que permite o gradiente na coluna do feixe eletrnico. Em resumo, este sistema permite a anlise de materiais condutores ou isolantes, sem a necessidade de recobrimentos, bem como materiais hidratados ou com volteis nas presses de operao do equipamento de MEV ambiental. Este equipamento possibilita uma excelente ferramenta para anlise de biomateriais e sistemas biolgicos, sem a necessidade de preparao requerida para a tcnica convencional (C-MEV).

Figura.7.27. Representao esquemtica de um microscpio eletrnico de varredura ambiental.

Figura.7.27a. Detalhe do sistema de presso do MEV ambiental.

7.2.4.1. Aplicaes de Microscopia Eletrnica de Varredura Ambiental

Alguns exemplos de imagens obtidas por microscopia eletrnica de varredura ambiental esto mostradas nas Fig.7.28, Fig.7.29 e Fig.7.30. Conforme descrito, as vantagens principais da tcnica de MEV-ambiental (em ingls Environment Scanning Electron Microscopy-ESEM) em comparao com o MEV-convencional so as possibilidades de anlise de amostras no-condutoras e hidratadas.

a) Amostras no-condutoras

Figura.7.28. Imagens de Nitreto de silcio (esquerda) e cermica convencional (direita)

b) Amostras hidratadas

Figura.7.29. Imagens de gros de plen

Figura.7.30. Imagens de cabelo humano com gotculas de gua (esquerda) e papel mido (direita)

7.2.5. Microscopia Eletrnica de Transmisso (MET)

A tcnica de caracterizao por microscopia eletrnica de transmisso (MET ou em ingls transmission electron microscopy TEM) oferece a possibilidade e ampliao com resoluo que so da ordem de 1000X superiores ao da microscopia ptica. Foi uma tcnica desenvolvida na dcada de 1930. O princpio de funcionamento do MET semelhante ao sistema apresentado no item 7.2.2 para MEV. Um filamento de tungstnio aquecido promove a emisso termo-inica de eltrons que so acelerados em um tubo sob alto vcuo em direo amostra. A tenso aplicada varia entre 60 keV e 400 keV, sendo valores tpicos na faixa de 75-100 keV. Um requisito bsico para as amostras, alm da estabilidade em alto vcuo, a espessura reduzida, geralmente inferior a 200 nm. Este valor pode variar dependendo do material, uma vez que o feixe eletrnico dever ser transmitido atravs da amostra. O feixe eletrnico transmitido incide sobre uma tela fluorescente, um filme fotogrfico ou uma cmera de vdeo, gerando a imagem da amostra (Fig.7.31). A resoluo do MET est da ordem de 0,2 nm para equipamentos com tenses da ordem de 300 keV, com ampliaes de 1.000.000X.

Esta resoluo obtida, com elevada ampliao, resultante do feixe coerente, em foco e com alta energia. Teoricamente, um feixe eletrnico com tenso de acelerao de 100 keV, possui um comprimento de onda de 0,0037 nm, muito inferior ao comprimento de onda da radiao eletromagntica ultravioleta ou mesmo raios-X. A anlise requer o posicionamento da amostra preparada sobre um reticulado de cobre, ouro ou carbono, onde o feixe eletrnico dever incidir e gerar a imagem na tela. O sistema de colimao e

alinhamento do feixe eletrnico construdo por lentes eletromagnticas.

Uma

particularidade que torna a caracterizao por MET extremamente interessante a possibilidade de obter imagens, padres de difrao e outras tcnicas de anlise espectroscpicas no mesmo equipamento.

imagem

Lentes de projeo

Lentes objetivas amostra

iluminao

Figura.7.31. Diagrama representativo do equipamento de microscopia eletrnica de transmisso (MET)

A interao do feixe eletrnico de alta energia com a matria promove diversos efeitos tais como radiao (raios-X caractersticos) utilizada na espectroscopia EDS, eltrons secundrios, eltrons retroespalhados e eltrons transmitidos, utilizados na formao das imagens, eltrons difratados que geram informaes cristalogrficas da amostra, difrao de eltrons (ED). Pode-se enumerar diversas aplicaes em todas as reas da cincia para a caracterizao por microscopia eletrnica de transmisso, como exemplo:

. Imagens da superfcie do material com resoluo da ordem de 0,2 nm. . Anlise de defeitos, degraus ; . Anlise de nanopartculas; . Avaliao de filmes finos e contornos de gro; . Anlise de precipitao e recristalizao "in situ"; . Identificao de composio de fases.

So basicamente 2 os modos de operao do MET. O primeiro consiste na obteno da imagem e o segundo permite observar os padres de difrao dos eltrons. O primeiro possibilita analises estruturais e morfolgicas e o segundo avaliao de fases cristalinas, tais como monocristais, policristais e materiais amorfos. As Fig. 7.32 a Fig.7.35 so exemplos de aplicaes em reas de cincias de materiais, cincias biolgicas e alguns campos multidisciplinares.

(a)

(b)

Figura.7.32. Imagem por MET de: a) ultra-estrutura de partculas polimricas-Ltex; b) detalhe ampliao superior (30.000x)

Figura.7.33. Imagens de Ultra-estrutura de Tecidos e Clulas: fibroblasto

Figura.7.34. Capilares vasculares Clulas sanguneas vermelhas (vermelho), clulas endoteliais (azul) e colgeno (laranja)

Figura.7.35. Fotomicrografias de microscopia eletrnica de transmisso de interface esmalte, dentina com sistema restaurador composto de polmero (resina) e partculas inorgnicas (carga ou reforo)

7.2.5.1. Preparao de Amostras para Microscopia Eletrnica de Transmisso (MET)

Um dos grandes obstculos para avaliar amostras biolgicas, materiais orgnicos e biocompsitos est relacionado com a instabilidade destes sistemas quando submetidos s condies de anlise em alto vcuo e o aquecimento por feixe eletrnico. A tcnica de caracterizao por MET requer que as amostras sejam estveis em alto vcuo (10-5 a 10-8 Torr), suportem a incidncia do feixe de eltrons com alta energia (> 70 keV) e possuam espessuras extremamente delgadas, geralmente inferiores a 100 nm (50 200 nm). O contraste das imagens de MET depende do nmero atmico dos elementos presentes na amostra. No caso de amostras orgnicas, tais como as biolgicas, estas so compostas de elementos leves como carbono, hidrognio, nitrognio, oxignio, fsforo e enxofre, que

dificulta o espalhamento eletrnico e portanto o contraste no MET. A preparao de amostras biolgicas requer geralmente a utilizao de agentes de contraste ou pigmentos de sais de metais pesados (acetatos, citratos e outros) de chumbo, smio e urnio que so eltron-opacos. Algumas etapas devem ser cumpridas no sentido de obter amostras (biolgicas, polimricas e compsitos) orgnicas estveis para observao por MET, a saber: Fixao do material, geralmente utilizando glutaraldedo (agente reticulante de molculas de protena) e tetrxido de smio (estabilizador de membranas). Desidratao da amostra; Permeao com resina para polimerizao em um bloco slido. Sem esta estrutura a amostra colapsaria em alto vcuo; Corte da amostra: utilizao de um equipamento ultramicrtomo, para produzir amostras com seo de 15 100 nm de espessura. O ultramicrtomo consiste de finas laminas de vidro ou diamante; As amostras delgadas obtidas so colocadas em reticulados metlicos e recobertas com filme fino polimrico (formvar) para observao no microscpio; Existem dois mtodos de intensificao do contraste: recobrimento e impregnao com metais pesados. O recobrimento obtido pela deposio na amostra delgada de metais como platina, platina/carbono, ouro, vandio, chumbo e outros metais em uma cmara de alto vcuo. A impregnao com metais pesados realizada pela imerso da amostra em solues de acetato de uranila ou citrato de chumbo. Estes sais so absorvidos de modo diferenciado pelas estruturas presentes, possibilitando melhor

contraste para observao em microscopia. Podem tambm ser utilizadas outras solues de contraste, tais como cido fosfrico tungstnico e formiato de uranila.