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Camargos Lopes, Ricardo de; Leal Lima, Rafael; Pereira Gomes, Vanessa; Destro Filho, Joo Batista; Coutinho Filho, Ubirajara Simulao do campo eltrico e magntico de um canal inico utilizando o software FEMM Exacta, vol. 8, nm. 3, 2010, pp. 331-344 Universidade Nove de Julho So Paulo, Brasil
Disponible en: http://redalyc.uaemex.mx/src/inicio/ArtPdfRed.jsp?iCve=81016924008

Exacta ISSN (Versin impresa): 1678-5428 exacta@uninove.br Universidade Nove de Julho Brasil

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Simulao do campo eltrico e magntico de um canal inico utilizando o software FEMM

Simulation of electrical and magnetic fields of a calcium ion channel using FEMM software

Ricardo de Camargos Lopes

Graduando em Engenharia Biomdica Faculdade de Engenharia Eltrica Universidade Federal de Uberlndia. FEELT/UFU. Uberlndia (MG) [Brasil] r_camargos@hotmail.com

Rafael Leal Lima

Graduando em Engenharia Mecnica Faculdade de Engenharia Mecnica Universidade Federal de Uberlndia. FEELT/UFU. Uberlndia, MG Brasil rafael_leal_lima@hotmail.com

Vanessa Pereira Gomes

Graduanda em Engenharia Biomdica Faculdade de Engenharia Eltrica Universidade Federal de Uberlndia. FEELT/UFU. Uberlndia, MG Brasil vanessa.pgomes@hotmail.com

Resumo O objetivo neste trabalho apresentar um estudo de simulao demonstrando o comportamento de campos eltricos e magnticos em canais inicos de clcio, por meio de um modelo simples. No estudo, considera-se uma situao de potencial de repouso nos canais da bomba ativa de sdio e potssio, envolvendo simulaes computacionais, utilizando o software Finite Element Magnetics Method (FEMM), que calcula tais campos pela tcnica de elementos finitos. Com essas simulaes, pode-se visualizar a maneira pela qual esses campos se comportam ao longo do canal, e futuramente entender melhor seu funcionamento normal e patolgico. Concluiu-se que o campo eltrico aproximadamente constante ao longo do canal, com magnitude da ordem de 107 [volts/metro], enquanto que o potencial eltrico variou linearmente conforme a altura. Em termos do campo magntico, ele cresce exponencialmente na direo radial at a extremidade do poro, atingindo seu mximo (aproximadamente 4.10 -9 [tesla]), e decresce rapidamente a partir desse ponto. Palavras-chave: Bioeletromagnetismo. Campo eltrico. Campo magntico. Elementos finitos. Potencial de repouso.

Joo Batista Destro Filho

Professor da Faculdade de Engenharia Eltrica Universidade Federal de Uberlndia. FEELT/UFU. Uberlndia, MG Brasil jbdestrof@yahoo.com

Ubirajara Coutinho Filho

Professor da Faculdade de Engenharia Qumica Universidade Federal de Uberlndia. FEQ/UFU. Uberlndia, MG Brasil ucfilho@feq.ufu.br

Abstract This work presents a simulation study of the behavior of electric and magnetic fields on calcium ion channels through a simple model. The study considers a situation of resting potential at the ion channel, involving computer simulations, using the software Finite Element Method Magnetics (FEMM), which calculates these fields by finite element technique. On these simulations we can see how these fields behave along the channels, and from that understand better its normal and pathological behavior in the future. From these simulations it was concluded that the electric field is approximately constant along the channel, with a magnitude of at about 107[volts/meter], while the electrical potential varied linearly with the height. In terms of the magnetic field, it grows exponentially in the radial direction until the end of the pore, reaching its maximum (about 4.10 -9[tesla]), and decreases rapidly from this point. Key words: Bioelectromagnetism. Electric field. Magnetic field. Finite elements. Resting potential.

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Introduo
Existe uma grande dificuldade em obter me-

de potencial. Os canais e a membrana podem ser vistos na Figura 1.

didas do campo eletromagntico em neurnios por causa das pequenas amplitudes de corrente observadas nos canais inicos, o que possibilita medidas apenas em culturas de clulas, e no na clula considerada isoladamente (MALMIVUO, 1995). Do conhecimento destes autores, na literatura, o nico trabalho que realiza tal estudo em nvel celular consiste em um artigo (SAKATANI, 2002), em que o autor se vale de uma abordagem de neurocincia computacional, resolvendo as equaes de campo magntico estacionrio com base em modelo neurocomputacional de neurnios piramidais humanos, estimando no repouso celular amplitudes da ordem de 1 pT. Neste trabalho, implementa-se um estudo de simulao computacional para obter estimativas da distribuio do campo eletromagntico por meio de um nico canal de clcio neuronal, considerando a clula em repouso. A simulao prov um modelo simples de um canal que pode ser estendido para vrios outros, levando-se em conta toda a superfcie do neurnio. Os canais inicos apresentam trs propriedades importantes: conduo, reconhecimento e seleo de ons. E em resposta a sinais especficos, se abrem ou fecham. Esses canais s permitem a passagem de determinados tipos inicos, denominada permeabilidade seletiva. Sendo ela uma das chaves para a grande versatilidade da sinalizao neuronal. Diferentes classes de canais ao serem ativadas, tornam-se seletivas para certos tipos inicos. Alm disso, os canais abrem e fecham ativamente em resposta a diversos estmulos, por apresentarem comportas, e so regulados pela tenso, por transmissores qumicos, por presso ou estiramento. No entanto, alguns ficam abertos para contribuir para o potencial de repouso, um estado em que o neurnio no est sinalizando. Uma das principais propriedades dos canais a seletividade, que consiste na passagem de apenas ons especficos atravs de um canal. Essa permeabilidade obtida por meio das interaes fsicoqumicas entre os ons e os diferentes compostos presentes nas paredes dos canais, como por exemplo, tamanho do on e do poro do canal. Os canais atuam como filtros moleculares, em que um on perde a maior parte de sua gua
Figura 1: Canais inicos
Fonte: Kandel, 2000.

1.1 Propriedades fisiolgicas dos canais inicos (KANDEL, 2000)

Os canais inicos so protenas que atravessam toda a membrana celular, e possibilitam a sinalizao neuronal, que depende das rpidas variaes de potencial atravs da membrana celular (a estrutura que delimita todas as clulas vivas, que estabelece fronteira entre o meio intracelular, o citoplasma, e o extracelular, e que permite a troca de elementos entre esses dois meios), pela conduo de ons, que ocorre devido plasmalema nas clulas neuronais e musculares, podendo passar at 100 milhes de ons por segundo em um s canal, o que produz uma variao rpida

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de hidratao e forma em seu lugar fracas ligaes qumicas com radicais aminocidos polares que revestiriam as paredes do canal, como mostrado na Figura 2. Em consequncia disso, um on perderia energia e s passaria pelo canal caso o filtro de seletividade compensasse a perda de energia resultada pela perda de gua de hidratao. Mas, esses ons s se ligam ao filtro por um tempo muito pequeno de menos de um microssegundo, depois disso as foras eletrostticas e difusivas propelem o on ao longo do restante do canal.

alguns canais. Alm disso, os canais podem ser ativados por estiramento e por presso, como mostrado na Figura 3. Existem tambm alguns mecanismos que inativam os canais, para um estado em que o canal no abre em resposta a nenhum estmulo.

Figura 3: Diferentes tipos de canais: (a) Canal ligando-dependente; (b) Canal voltagemdependente; (c) Canal mecano-dependente
Fonte: Adaptado de Kandel, 2000.

Ao estudar as diferentes propriedades dos canais inicos, so observados ainda diversos fatores, tais como a velocidade de transio entre os estados aberto e fechado do canal, tempo de permanncia em determinado estado e a corrente
Figura 2: Seletividade para Na em canal inico
Fonte: Adaptado de Kandel, 2000.

circulante.

Existem trs modos de abertura e fechamento dos canais: quando ocorre alterao conformacional em uma regio do canal, quando se d uma alterao conformacional generalizada por toda a extenso do canal, e quando uma partcula bloqueadora entra e sai da boca do canal. H diversos tipos de estmulos que controlam a abertura e o fechamento dos canais. Os canais ligando-dependentes abrem quando ocorre a ligao do ligando ao seu receptor. A fosforilao, ou desfosforilao, de protenas regula a abertura e o fechamento de alguns canais. As variaes do potencial de membrana podem abrir ou fechar

1.2 Potenciais da membrana (KANDEL, 2000)

O envoltrio celular denominado membrana plasmtica, responsvel pela forma da clula e pelas trocas de substncias entre os meios intra e extracelulares. Todas as clulas apresentam membrana com espessura ente 6 e 8 nanmetros (nm) e consiste em um mosaico de lipdeos e protenas, com uma superfcie formada por dupla camada de fosfolipdios, em que ficam embebidas vrias molculas de protena, como os canais inicos. Os lipdios da membrana so hidrofbicos, e os ons, tanto no interior quanto no exterior,

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so hidroflicos. Enquanto os ctions so fortemente atrados pelo oxignio da gua, os nions so atrados pelo hidrognio. Como resultado os ons ficam circundados pela gua de hidratao. Em razo dessa gua de hidratao os ons teriam de sofrer alto gasto energtico para atravessar a camada lipdica. Como consequncia, bastante improvvel que eles atravessem a camada lipdica. Dessa maneira, atravessam a membrana pelos poros ou por condutos, como os canais inicos. As comunicaes intra e inter-neuronal podem acontecer de duas formas: via sinais eltricos ou qumicos. A primeira forma importante para a transferncia de informaes com rapidez e por longas distncias, os sinais eltricos so, em sua totalidade, produzidos por variaes transientes de fluxo de corrente para dentro e para fora da clula, gerando o potencial eltrico entre as duas faces da membrana da clula, afastando-o do seu valor de repouso. Os canais inicos embutidos na membrana celular controlam o fluxo de corrente para dentro e para fora da clula. Existem canais inicos de repouso e os regulados. Normalmente, os de repouso ficam abertos e no influenciados por fatores extrnsecos e tm importncia na manuteno do potencial da membrana em repouso. Enquanto os canais regulados abrem e fecham em resposta a diversos sinais, ficando a maioria desses canais fechados enquanto a membrana est em repouso. O potencial da membrana em repouso resultado da separao de cargas atravs da membrana celular. Uma clula neural no repouso tem excesso de cargas negativas na face interna, e excesso de positivas, na externa. Isso mantido pelo fato de os ons no poderem se deslocar livremente na bicamada lipdica da membrana, sendo o potencial da membrana definido pela diferena do potencial interno pelo externo, como mostra a equao (1), em que Vint o potencial celular interno e Vext o potencial celular externo.

Vm = Vint Vext
(1)

O potencial exterior clula foi convencionado como zero, o que torna o potencial de repouso (V R) negativo (usualmente de -60 a -70 milivolts (mV)). A direo do fluxo da corrente foi convencionada como a direo efetiva da carga positiva. Sendo assim, os ctions se movem na direo da corrente, e os nions, contra ela, em que a reduo da separao de cargas levada a um potencial de membrana menos negativo chamada de despolarizao, e o inverso denominado hiperpolarizao. As respostas hiperpolarizantes ou as despolarizaes pequenas so passivas, contudo no momento em que a clula atinge ou ultrapassa o seu limiar de despolarizao haver resposta de forma ativa, com abertura de canais inicos voltagem-dependentes, em um nmero suficiente para produzir um potencial de ao. Existem vrios ons que so permeveis membrana celular. Os quatro mais abundantes nas clulas neurais so o sdio (Na+) e o cloro (Cl-), na face externa, e o potssio (K+) e nions orgnicos (A-), na interna, sendo que estes so representados principalmente por aminocidos e protenas. Considerando hipoteticamente uma membrana celular composta apenas de canais seletivos ao potssio, com uma alta concentrao de K+ em seu interior, por causa do gradiente de concentrao, os ons K+ tendem a se mover em direo ao exterior da clula. Dessa maneira, ocorre um excesso de cargas positivas no exterior da membrana celular, e, por consequncia, de cargas negativas no interior da membrana, devido reduo de cargas positivas. Em decorrncia do fenmeno da atrao de cargas opostas, essas tendem a se posicionar nas faces interna e externa da membrana. Em consequncia a essa distribuio de cargas produzida pelo gradiente de concentrao, gerada

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uma diferena de potencial atravs da membrana, sendo sua face externa mais positiva eletricamente do que a interna. Quanto maior o deslocamento de cargas positivas para fora da clula, maior a diferena de potencial (V0). Devido a V0, aparece uma fora eltrica sobre as cargas, em sentido oposto ao do gradiente de concentrao, dificultando assim o efluxo de K+, como mostrado na Figura 4. Ao atingir o potencial de equilbrio do potssio, a fora eltrica anula a fora qumica (gradiente de concentrao), impedindo qualquer efluxo de K+. Atravs da equao de Nernst, mostrada na equao (2), pode ser calculado esse potencial de equilbrio, em que E A o potencial de equilbrio do on A, Z a valncia de A, (A)e a concentrao de A fora da clula e (A)i a concentrao de A dentro da clula.
EA = 58 [A] log e [A]i Z
(2)

Entretanto, as clulas neurais so permeveis a outros ons, como o Na+ e Cl-. Considerando a presena de canais seletivos ao Na+, em menor nmero que os seletivos ao K+, e uma concentrao de Na+ maior na parte exterior da clula, tanto o gradiente de concentrao quanto a diferena de potencial por meio da membrana tendem a deslocar os ons Na+ para o interior da clula. Uma pequena despolarizao causada na clula por causa do influxo de carga positiva (Na+), causando um desequilbrio no fluxo de K+ atravs da membrana. Quanto maior a despolarizao, maior a fora eletroqumica que impulsiona K+ para fora da clula e maior o efluxo de K+, at que este contrabalanceie o influxo de Na+ e a um novo valor para o potencial de repouso do Na+, pouco mais positivo que o potencial de equilbrio para o K+. O fluxo de um on atravs da membrana celular dado pelo produto de sua fora propulsora eletroqumica, que a fora eltrica somada fora do gradiente de concentrao, pela condutncia da membrana a este on. Como a clula neural tem relativamente poucos canais seletivos ao Na+, o potencial de repouso da membrana determinado majoritariamente pelo potencial de repouso do K+. A bomba de sdio-potssio move o Na+ e o K+ contra seus gradientes eletroqumicos. Extrai-se Na+ da clula, enquanto capta-se o K+,, com o consumo de energia na forma de adenosina trifosfato (ATP), a qual essencial para que a clula tenha um potencial de membrana em repouso estvel, tornando constante a separao de cargas atravs da membrana. O balano inico alterado quando a membrana despolarizada at alm do limiar para a gerao de um potencial de ao. O aumento resultante da permeabilidade da membrana ao Na+ faz com que o influxo deste exceda o efluxo de K+. Isso produz um aumento da despolarizao, fazendo com que os canais voltagem-dependentes

Figura 4: Em condio de equilbrio, as foras eltrica e qumica so iguais e opostas

Fonte: Adaptado de Kandel, 2000.

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se abram, modificando o potencial da membrana para um prximo de +55 mV. medida que se prossegue a despolarizao, os canais de Na+ voltagem-dependentes so gradualmente inativados, e a abertura retardada de canais voltagem-dependentes de K+ faz com que o efluxo aumente de forma gradual, fazendo com que a membrana retorne ao seu potencial de repouso. A sinalizao eltrica das clulas neurais pode ser representada por um modelo eltrico simples, constitudo de fontes de tenso, resistncias e capacitncias, como mostrado na Figura 5.
Figura 6: Modelo eltrico da membrana e dos canais inicos
Fonte: Adaptado de Kandel, 2000.

1.3. Conceitos da teoria do eletromagnetismo (HAYT, 1994)

A fora eltrica F uma fora exercida por pequenas cargas. Tal fora, entre dois pequenos objetos separados pelo vcuo ou espao livre, a
Figura 5: Representao de um canal inico por uma condutncia
O smbolo O no centro da figura representa um on de potssio (K). Fonte: Adaptado de Kandel, 2000.

uma distncia grande em relao a suas dimenses, diretamente proporcional carga de cada um e inversamente proporcional ao quadrado da distncia entres eles, segundo a equao (3):

Os neurnios podem ser representados por um circuito eltrico equivalente, em que cada canal de K+ pode ser representado por uma resistncia, e o fluxo de corrente pelos canais de K+, Na+ e Cl- podem ser calculados usando a lei de Ohm. J a difuso de ons nos canais inicos abertos pode ser representada como uma bateria. A bomba de sdio e potssio compara-se carga da bateria inica, e pode ser adicionada ao circuito como um gerador de corrente. Enquanto isso, a bicamada lipdica, devido dificuldade que os ons apresentam para atravess-la, pode ser representada por um capacitor. A representao da membrana por um circuito eltrico equivalente torna-se bastante eficiente quando desejamos efetuar a anlise quantitativa de algumas propriedades neuronais, como mostrado na Figura 6. Em que , Q1 e Q2 so cargas pontuais e R a distncia entre as cargas, e aR o vetor unitrio na direo do raio. O campo eltrico E um campo de fora provocado por cargas eltricas ou por um sistema de cargas. Ele pode ser obtido dividindo a fora eltrica pela carga que originou essa fora, como mostrado na equao (4):
(3)

E=

F Q
(4)

A densidade de fluxo eltrico D corresponde ao fluxo eltrico que atravessa uma superfcie

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fechada qualquer e igual carga total envolvida por essa superfcie, por unidade de rea, como mostra a equao (5). Essa densidade pode tambm ser analisada pelo produto entre o campo eltrico E e a permissividade eltrica o no vcuo, exposto na equao (6), em que representa o Fluxo Eltrico e dS a unidade diferencial de rea.

dos meios so consideradas, como mostra a equao (9).

B= H
(9)

Para encontrar o potencial eltrico em um ponto, pode ser utilizada a equao (10), conhecida como equao de Poisson, uma operao matemtica pela qual possvel relacionar o potencial

= S DS dS = Qenvolvida
(5)

Eltrico V com a densidade volumtrica de carga rv, segundo a frmula:

D = oE
(6)

2V = v /
(10)

A diferena de potencial eltrico VAB corresponde ao trabalho realizado ao se deslocar uma unidade de carga positiva de um ponto a outro em um campo eltrico, sendo W o trabalho, e dL, a unidade de distncia diferencial entre os dois pontos, como descrito na equao (7).
A W VAB = = E .dL = VA VB Q B

Por meio da operao de rotacional, utilizada na equao (11), possvel encontrar o valor da intensidade do campo magntico H a partir da densidade de corrente J.

H = J
(11)

(7)

Com auxlio dos conceitos de eletromagnetismo e utilizando parmetros biofsicos de membranas celulares, possvel realizar uma simulao computacional acerca dos fenmenos eletromagnticos que ocorrem nos canais inicos em clulas neuronais.

Assim como o campo eltrico, o campo Magntico H medido em termos de fora por unidade de carga. A fonte de campo magntico estacionrio pode ser um im, um campo eltrico variando linearmente com o tempo ou uma corrente contnua. O campo magntico inversamente proporcional ao quadrado da distncia do elemento diferencial a um ponto P, ou seja, ao raio, sendo I a corrente eltrica, R o raio e aR o vetor unitrio na direo do raio, assim como expressa a equao (8).

Materiais e mtodos
No estudo, utilizado o software Finite

Elements Method Magnetics (FEMM), que uma ferramenta para resoluo de problemas magnticos e eletrostticos (URL1). O software composto de uma interface grfica que inclui um pr e um ps-processador, um gerador de malhas, um simulador grfico e utiliza o script Lua, uma ferramenta de programao rpida e leve, que combina uma sintaxe procedural com construo de dados baseado em matrizes associativas. O script

IdLxaR H = 4R 2
(8)

A densidade de fluxo magntico B corresponde variao da intensidade campo magntico, quando as permeabilidades magnticas (m)

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integrado ao programa, e permite ao usurio descrever a geometria dos problemas parametricamente, alm de possibilitar otimizao dos problemas simulados. O script tambm integrado a cada caixa de edio do programa, permitindo que frmulas sejam colocadas no lugar de valores numricos, o que no possvel utilizando apenas a interface grfica do software. Embora as equaes diferenciais de interesse para a resoluo de problemas paream ser relativamente compactas, h certa dificuldade em determinar essas resolues, exceto nas geometrias mais simples (MEEKER, 2009). A ideia de elementos finitos, que possibilita a anlise de qualquer problema, divide a geometria em um grande nmero de regies, cada qual com uma geometria simples, como um tringulo, por exemplo. Se um nmero suficiente de regies usado, o potencial aproximado se torna muito prximo da soluo exata. O problema que contm uma nica geometria de difcil resoluo se divide em um grande nmero de pequenas geometrias de resoluo relativamente fcil, sendo assim vantajoso dividir o domnio em pequenos elementos. O FEMM torna o domnio do problema discreto utilizando elementos triangulares, sendo a soluo, em cada elemento, aproximadamente uma interpolao linear de valores de potencial nos trs vrtices do tringulo. O pr-processador do software usado para desenhar a geometria do problema, definir as propriedades do material ou sistema considerado e definir condies de contorno. J o ps-processador utilizado aps a resoluo do problema, e inclui ferramentas para anlise, tais como mapeamento de densidade, de vetores e grficos. Para criar uma geometria vlida para problemas eletromagnticos, necessrio definir os pontos que delimitaro o contorno e conect-los, de maneira que seja possvel adicionar-lhes rtulos de bloco, que definem as propriedades pr-programadas que sero aplicadas ao longo da geometria,

alm de determinar o tamanho mnimo das malhas para posterior triangulao do problema. E por fim, aplicam-se as condies de contorno para as bordas da geometria.

2.1 Definio do problema

Para definir o problema, pode-se optar por resolv-lo em coordenadas cartesianas ou polares, ambas em duas dimenses. A unidade de comprimento padro para medidas no software definida para nanmetros, que a medida mais prxima das dimenses de um canal inico. A altura e o dimetro do canal foram fixados em 1,8 nm e 0,33 nm, respectivamente (KANDELL, 2000). Para resoluo do problema, considerando apenas o campo magntico, a frequncia definida como zero, na medida em que o canal est sendo simulado em repouso. O valor da profundidade, considerado na resoluo da parte magnetosttica, na direo para dentro da pgina, tambm definido para resolver computacionalmente a integral no ps-processador. Para definir o problema, tambm so colocadas as condies de contorno e as propriedades do sistema considerado. Para a resoluo do problema magntico, so definidas as propriedades do ponto vetor potencial A, dado em [webers/metro], ou pode ser prescrita a corrente I em um dado ponto, mensurada em amperes, sendo as duas propriedades mutuamente exclusivas. As propriedades de contorno so escolhidas entre um vetor potencial magntico A, prescrito ao longo do contorno, profundidade ou espessura da borda de contorno, contorno peridico, em que a condio aplicada em dois segmentos para forar o vetor potencial magntico a ser idntico ao longo do contorno, ou contorno antiperidico, em que aplicado em uma maneira similar, mas forando os dois contornos apresentarem seus valores opostos entre si. As propriedades de contorno so tambm definidas para a parte eletrosttica do problema, que

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pode ser uma voltagem fixa ou densidade superficial de carga. A diferena de potencial entre a extremidade superior e inferior da membrana de um neurnio, quando esse est em repouso, de aproximadamente -70 mV (KANDEL, 2000), sendo o sinal negativo indicao de que o meio intracelular da clula est negativo em relao ao extracelular. Propriedades associadas aos rtulos de blocos, como por exemplo, o material que compe o bloco, so tambm especificadas. Primeiro adicionado o nome do material, e logo aps, a curva Densidade x Intensidade de fluxo magntico (Curva B-H), em materiais no-lineares, alm da permeabilidade relativa nas direes horizontal ( x) e vertical (y). O estudo em questo aborda um material biolgico de natureza diamagntica. Sendo assim, foi adotada a permeabilidade relativa =1, em ambas as direes, o que coerente, pois em se tratando de tecidos que apresentam natureza diamagntica, a relao entre densidade e intensidade de fluxo magntico ocorre de forma linear (MALMIVUO, 1995). A densidade de corrente J, dada em amperes por metro quadrado, denota a corrente em regime contnuo no bloco. Em frequncias diferentes de zero, devem ser consideradas tambm as correntes parasitas, conhecidas como correntes de Foucault, sendo neste estudo considerado que as correntes que atravessam os canais de clcio operam em corrente contnua. Por fim, propriedades como laminao e tipo de fios tambm foram definidas com valores nulos, por no se aplicarem ao objeto de estudo. Alm da altura do canal (h) e dimetro do canal (dn), para fazer a simulao do campo magntico so necessrios parmetros como o dimetro do canal, fixado em 0,33 nm (KANDELL, 2000), a corrente que passa pelo poro (ICa), a condutividade do canal (sCa) e a permeabilidade magntica relativa do meio (mr). Foi considerado ainda que a condutncia do canal (GCa) possui aproximadamente 15 picosiemens (pS) (IUPHAR, 2002).

Para encontrar a condutividade, foi utilizada a equao (12):

GCa =

Ca.h d 2 n 2
(12)

Ao substituir os valores, foi encontrado o valor da condutividade GCa = 9,075.10 -22 . Para se calcular a corrente, utilizado o nmero de ons de clcio que passam por um canal por segundo, sabendo que cada on de clcio possui uma carga de 2e, em que e a carga elementar, que possui valor igual a 1,60217.10 -19 couloms (C). Multiplicando o nmero de ons que passa por um canal em um determinado tempo, possvel encontrar a carga que passou por esse canal nesse tempo. Por meio disso, a corrente calculada, segundo a relao apresentada na equao (13):

I=

Q [Coulombs/segundo] t
(13)

Considerando que fluem 107 ons por segundo, em mdia, em um canal inico (KANDELL, 2000), foi encontrada uma corrente I = 3,20434.10 -12 A. Para a resoluo do problema eltrico, utilizou-se como condio de contorno a diferena de potencial de -70 mV entre a extremidade superior e inferior da membrana de um neurnio. Enquanto que para a magntica foi criada uma circunferncia em volta do canal com 20 angstroms de raio, sendo o potencial magntico (A) dessa circunferncia definido como zero, escolhendo assim arbitrariamente a regio onde o campo magntico ser simulado.

2.2 Propriedades do circuito

O propsito das propriedades do circuito aplicar restries ao fluxo de corrente em um ou mais blocos. Os circuitos podem ser definidos

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tanto como conectados em paralelo quanto em srie. Se for selecionada conexo em paralelo, considerado que a corrente dividida entre todas as regies delimitadas, utilizando o conceito de impedncia, em que a corrente dividida entre os circuitos, ao passo que a queda de tenso permanece igual ao longo de todas as sees conectadas em paralelo (IRWIN, 2000). Se selecionada conexo em srie, a corrente especificada aplicada em cada bloco que compartilha as propriedades de um mesmo circuito. O problema inicial considera apenas um canal de clcio, mas o modelo pode ser facilmente estendido para vrios canais, usando circuitos em paralelo, levando-se em conta que a corrente total que atravessa a membrana do neurnio a soma das correntes individuais em cada um dos canais presentes.
Figura 7: Vista lateral da membrana em corte
Fonte: Os autores.

2.3 Anlise do problema

O modelo de geometria dividido em malhas de tringulos, e para isso, executado o gerador de malhas, que automaticamente divide a geometria do problema em vrios elementos finitos, exibidos juntamente com os ns, segmentos e rtulos do bloco. Aps gerar a malha, executado o programa que analisa o problema. Para um nico canal de clcio, foram gerados 65 elementos finitos e 46 ns, valor utilizado por fornecer ao mesmo uma boa preciso para o problema, e um pequeno gasto computacional. A malha de elementos finitos mostrada na Figura 7. Para fazer a simulao no FEMM, foi utilizada uma geometria circular, com uma circunferncia menor, no interior, que representa o canal. A circunferncia maior representa a regio exterior influenciada pelo canal. Foram utilizados os valores de 3,3 Angstroms e 8 nanmetros, para o dimetro do canal e o dimetro da regio externa, respectivamente, e 18 Angstroms para a profundidade do canal, representando assim a geometria cilndrica de um canal inico, como mostra a Figura 8. A resoluo numrica da equao do rotacional, apresentado na equao (11), para o problema tratado resulta na densidade de corrente (HAYT, O modelo matemtico utilizado no software de simulao computacional baseado no modelo apresentado no livro de Silvester (1990).
Figura 8: Vista superior do canal para simulao do campo magntico
Fonte: Os autores.

Resultados e discusso

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1994), gerando os resultados da Figura 9, que mostra o resultado suavizado e no suavizado, respectivamente. O software realiza uma suavizao da geometria do problema, sendo o comando aplicado por padro soluo da densidade de fluxo. Pelo fato dos tringulos utilizados na simulao serem usados como funes do vetor potencial, a densidade de fluxo resultante e distribuio de intensidade de campo so constantes em cada elemento. O algoritmo de suavizao provoca uma interpolao com o elemento finito mais prximo para obter a densidade e a intensidade de campo magntico linear em cada elemento. A densidade de fluxo magntico, dada em tesla (T), representada por meio de uma escala de cores que indica faixa de valores de densidade. Por meio da resoluo da equao de Poisson, equao (10), obtm-se o potencial eltrico (HAYT, 1994), gerando os resultados visualizados na Figura 10, que mensura a diferena de potencial por uma escala de cores ou de tons em escala de cinza, dependendo de como for configurado o software. Pode-se observar que a tenso

varia uniformemente do potencial zero (na parte inferior da figura) at o valor de -70 mV.

Figura 10: Visualizao do potencial eltrico ao longo do canal

Fonte: Os autores.

3.1 Mapas de contorno

A soluo do problema mais bem visualizada quando so mostradas as linhas de fluxo. Podese observar na Figura 11(a) que quanto mais prximas as linhas de fluxo estejam umas das outras,

Figura 9: Visualizao da densidade de fluxo magntico B. (a) Geometria do problema suavizada; (b) Geometria no suavizada
Fonte: Os autores.

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maior a densidade de fluxo magntico obtida, e analogamente, quanto mais afastadas, menor a densidade de fluxo. A Figura 11(b) mostra as linhas equipotenciais do campo eltrico ao longo do canal. Ao longo de uma linha equipotencial existe um mesmo valor de potencial eltrico, isso significa que a diferena de potencial entre dois pontos, pertencentes a essa linha, nula. Observando as Figuras 11(a) e 11(b), pode-se concluir que o fluxo magntico possui linhas de fluxo simtricas em relao ao raio, ao passo que o potencial eltrico aumenta linearmente medida que sai do interior da clula neuronal rumo ao final da membrana.

vetor. Examinando a Figura 12, pode-se concluir que o campo magntico mais concentrado no centro do canal, e diminui sua intensidade medida que se aproxima das bordas da membrana.

Figura 12: Traado da intensidade de campo magntico H e dos vetores de campo magntico
Fonte: Os autores.

Na Figura 13, mostrado o traado da intensidade do campo eltrico, medido em volts por metro, que representado analogamente ao mapeamento da intensidade de campo magntico. Os
Figura 11: (a) Linhas de fluxo do campo magntico (Vista superior); (b) Linhas equipotenciais do campo eltrico (Vista lateral)
Fonte: Os autores.

vetores de campo associados intensidade de campo eltrico tambm so representados na figura. Pode-se observar que o campo eltrico possui vetores de igual mdulo, direo e sentido, tendo origem na parte inferior do canal, prxima ao meio

3.2 Mapas de densidade e vetores de campo

Para observar a intensidade de campo magntico, medido em amperes por metro quadrado, traado o mapa de densidade mostrado na Figura 12. As cores de tom mais claro indicam uma menor intensidade de campo, enquanto as de tom mais escuro mostram maior intensidade. Para ter uma ideia da direo e magnitude do campo magntico, tambm so traados os vetores de campo, que indicam a direo, dada pela inclinao do vetor, o sentido, indicado pela seta, e a magnitude do campo, observado atravs do comprimento do

intracelular, em direo parte superior, o que indica que o campo eltrico uniforme ao longo do canal e se direciona para fora do neurnio. Sabendo-se que o dimetro da membrana de 5nm (KANDEL, 2000), e tendo o potencial 70mV, pode-se calcular o campo eltrico total na membrana pela relao:

E=

V 70mV 70103 = = = 1.4 107 9 510 L 5nm

(14)

A soluo numrica encontra-se de acordo com a soluo obtida para a intensidade de cam-

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3.3 Grficos
Por meio dos grficos mostrados nas Figuras 14(a) e 14(b), pode-se observar o comportamento da densidade de fluxo magntico e do potencial eltrico ao longo do canal. A Figura 14(a) mostra a variao da densidade de fluxo magntico com o raio do canal, partindo do centro em direo borda da membrana. Observa-se que quanto mais prximo do centro, maior a intensidade de B. A Figura 14(b) apresenta a variao do potencial eltrico medida que se varia a altura do canal, partindo do interior da clula rumo ao exterior, podendo-se notar que o potencial decresce linearmente proporo que varia a altura do canal, em direo externa ao neurnio.

Figura 13: Traado da intensidade do campo eltrico E e dos vetores de campo eltrico
Fonte: Os autores.

po eltrico atravs da membrana do axnio na simulao. Ao se multiplicar a ordem de grandeza do campo em cada canal (102 ou 103 volts/ metro) pelo nmero de canais inicos de um neurnio do crtex, da ordem de 200000 ou 105 (KANDEL, 2000), tem-se a ordem de grandeza da intensidade do campo por meio da membrana, 107 V/m. Comparando os resultados obtidos da densidade de fluxo magntico do canal de Clcio (Figura 9) com os para Sdio e para Potssio, de ordem de 10 -10 ou 10 -11 T (VIEIRA, 2008), nota-se que a densidade de fluxo magntico gerada pelo influxo de clcio atravs dos canais, da ordem de 10
-10

e 10 T, so muito prximos queles ge-9

Figura 14: (a) Grfico da densidade de fluxo magntico; (b) Grfico do potencial eltrico
Fonte: Os autores.

rados por outros canais, sendo assim, estes ltimos possuem grandes semelhanas em relao s propriedades eletromagnticas. Por sua vez, tais valores so maiores que aqueles estimados em Sakatani (2002), o qual no se valeu das equaes de Maxwell, conforme abordado aqui.

Concluso
Por meio do estudo da simulao do campo eltrico e magntico presente em canais inicos

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na membrana do neurnio possvel obter um melhor entendimento acerca dos fenmenos que ocorrem dentro desses canais, que sofrem alteraes na presena de campos. Torna-se ento essencial entender a maneira pela qual esses campos se comportam nos neurnios, levando em conta que a transio de um estado de repouso para um de ao dependente do potencial que os separa, visto que esse potencial sofre forte influncia desses campos. possvel concluir que o campo magntico observado do canal varia simetricamente em relao ao raio. Pelo grfico de densidade e pelos vetores de campo, pode-se observar que a maior parte do fluxo magntico se concentra na parte central do canal. Examinando os grficos de potencial eltrico e intensidade de campo eltrico, possvel constatar tambm, que semelhantemente ao campo magntico, o campo eltrico possui caractersticas lineares, aumentando gradualmente medida que se descola ao longo da altura do canal. Isso fica bem evidente ao observar as linhas equipontenciais, os vetores de campo e o grfico do potencial eltrico. Esta pesquisa ilustrou a maneira como os campos magntico e eltrico se comportam em canais inicos em repouso, a partir de uma anlise bidimensional do problema. Prope-se para trabalhos futuros a sequncia deste estudo, que serve como ponto de partida para situaes envolvendo o potencial de ao.

balho, e UFU pelo apoio financeiro fornecido por meio do programa de bolsas PIBEG.

Referencias
HAYT JUNIOR, W. H. Eletromagnetismo. 4. ed. Rio de Janeiro: LTC Editora, 1994. 406 p. IRWIN J. D. Anlise de circuitos em engenharia. 4. ed. So Paulo: Makron Books, 2000. 866 p. IUPHAR International Union of Pharmacology. Dados do canal de clcio voltagem dependente. Disponvel em: <http://www.iuphar-db.org/iuphar-ic/calcium.html>. Acesso em: 31 mar 2010. KANDEL, E. R.; SCHWARTZ, J. H.; JESSELL, T. M. Fundamentos da neurocincia e do comportamento. Rio de janeiro: Guanabara Koogan, 2000, p. 97-131. MALMIVUO, J.; Plonsey R.; Bioelectromagnetism: principles and applications of bioelectrical and biomagnetic fields. New York: Oxford University Press, 1995. p. 1-75. MEEKER, D. Finite Element Method Magnetics Users Manual (URL1). Disponvel em: <http://femm. foster-miller.com>. Acesso em: 31 mar. 2010. SAKATANI, S.; OKADA, Y. C.; HIROSE, A. A quantitative evaluation of dominant membrane potential in generation of magnetic field using a pyramidal cell model at hippocampus CA3. Neurocomputing, v. 44-46, p. 153-160, 2002. SILVESTER, P. P.; Ferrari, R. L. Finite elements for electrical engineers. 2. ed. Cambridge: University Press, 1990. VIEIRA, R. F. DESTRO FILHO, J. B.; GUIMARES, G. C.; FANYAO, Q. Clculo do campo magntico em um canal inico. In: 21 CONGRESSO BRASILEIRO DE ENGENHARIA BIOMDICA, 2008, p. 275-278.

Agradecimentos
Os sinceros agradecimentos ao estudante Raphael Vieira, que previamente iniciou este traRecebido em 1 jun. 2010 / aprovado em 22 set. 2010
Para referenciar este texto

LOPES, R. de C. et al. Simulao do campo eltrico e magntico de um canal inico utilizando o software FEMM. Exacta, So Paulo, v. 8, n. 3, p. 331-344, 2010.

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