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Consideraes gerais
Dispositivo com trs terminais. Usados em mltiplas aplicaes: amplificao de sinais, dispositivos digitais. Princpio bsico: Uso de uma tenso entre dois terminais para controlar a corrente no terceiro terminal. Uso do sinal de controlo de modo a permitir que a corrente no terceiro terminal varie de zero a um valor elevado (dispositivo actuando como interruptor). FET Field Effect Transistor
Fig.1
Fig. 2 5
Por um lado, origina que as lacunas (cargas positivas) sejam repelidas da regio do substrato situada por baixo da gate (a regio do canal). Estas lacunas so empurradas para baixo, deixando atrs uma regio esvaziada de portadores. Esta regio de depleo contm ies negativos correspondentes aos tomos aceitadores que perderam as lacunas que foram repelidas. Por outro lado, a tenso positiva da gate atrai electres das regies n+ da source e do dreno (onde existem em abundncia) para a regio do canal. Quando o nmero de electres acumulado junto da superfcie do substrato por baixo da gate suficiente, constitui-se, de facto, uma regio n ligando a source e o dreno, como se indica na Fig. 2. Aplicando uma tenso positiva entre o dreno e a source, fli corrente nesta regio n induzida, transportada pelos electres mveis. A regio n induzida forma, assim, um canal por onde a corrente fli do dreno para a source, pelo que essa designao apropriada. O MOSFET da fig. 2 chamado MOSFET de canal n ou, alternativamente, transstor NMOS. Note-se que um MOSFET de canal n formado num substrato do tipo p e o canal criado invertendo a superfcie do substrato do tipo p para o tipo n. Por esta razo, o canal induzido , tambm, designado por camada de inverso.
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Fig.3
Concretamente, para vGS =Vt o canal est limiarmente induzido pelo que a corrente ainda muito pequena. Para vGS > Vt mais electres so atrados para o canal (aumento da profundidade) dando origem a uma reduo da resistncia ou aumento da condutncia. A condutncia do canal proporcional tenso da gate em excesso (vGS - Vt) ou tenso de overdrive (VOV) (VOV= vGS Vt) A corrente iD ser proporcional a vGS - Vt e, obviamente, tenso vDS que origina iD.
CONCLUSES IMPORTANTES A descrio anterior indica que para o MOSFET conduzir, necessrio induzir um canal. O aumento de vGS acima da tenso limiar Vt enriquece o canal, e da as designaes funcionamento em modo de enriquecimento e MOSFET de enriquecimento. Finalmente, notemos que a corrente que sai do terminal da source (iS) igual corrente que entra pelo terminal do dreno (iD) e que a corrente da gate iG = 0.
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Note-se que vDS aparece como uma queda de tenso ao longo do canal, i.e., se percorrermos o canal desde a source at ao dreno, a tenso (medida em relao source) aumenta de 0 at vDS. Assim, a tenso entre a gate e pontos ao longo do canal diminui desde o valor vGS, na extremidade da source, at ao valor vGS - vDS, na extremidade do dreno. Fig. 5
Uma vez que a profundidade do canal depende desta tenso, conclumos que o canal no tem, agora, profundidade uniforme; pelo contrrio, exibe a forma afunilada que se v na Fig. 5, com maior profundidade do lado da source e menor do lado do dreno.
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Fig. 6
Note-se que medida que vDS aumenta, a tenso vGD = vGS - vDS, diminui, i.e., a tenso entre a gate e o canal na extremidade do dreno. Quando vDS atinge o valor que reduz a tenso vGD ao valor Vt, i.e., vGS - vDS = Vt ou vDS = vGS Vt, a profundidade do canal do lado do dreno diminui para zero, dizendo-se ento que o canal est estrangulado (pinched off).
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v DSsat = v GS V t
A regio das caractersticas iD-vDS obtidas para vDS < vDS,sat chamada regio de trodo, uma designao herdada do tempo das vlvulas. Esta regio tambm designada como regio hmica. Evoluo do canal medida que vDS aumenta enquanto vGS permanece constante.
Fig. 7
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Cox =
ox
tox
Fig. 8
ox
14
Exemplo
Para tox = 10 nm
Considere-se, agora, a faixa infinitesimal da gate a uma distncia x da fonte. A capacidade desta faixa Cox W dx. Para o clculo da carga armazenada nesta faixa infinitesimal da gate, multiplica-se a capacidade pela tenso efectiva entre a gate e o canal no ponto x (Q=CV), onde esta tenso a tenso que responsvel pela induo do canal no ponto x (dada por, vGS v(x) Vt ) onde v(x) a tenso no canal no ponto x. A carga do electro dq na poro infinitesimal do canal, no ponto x, :
dq = Cox (Wdx)[vGS v( x) Vt ]
O sinal negativo, refere-se ao facto da carga ser negativa.
(1)
15
E ( x) =
dv( x) dx
(2)
O campo elctrico E(x) leva a que a carga se movimente em direco ao dreno, com uma velocidade dx/dt
dx dv( x) = n E ( x) = n dt dx
Mobilidade dos electres A corrente resultante i pode ser obtida por Usando as equaes (1) e (3), vem:
(3)
i=
dq dq dx = dt dx dt
(4)
i = nCoxW [vGS v( x) Vt ]
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dv( x) dx
(5) 16
iD = i = nCoxW [vGS v( x) Vt ]
ou
dv( x) dx
(6)
i
0
dx =
v DS
C
n 0
ox
W [vGS v( x) Vt ] dv( x)
1 2 (vGS Vt )vDS vDS 2
W iD = nCox L
iD =
1 W ( n Cox ) (vGS Vt ) 2 2 L
(8)
Para um dado valor de vGS, obtm-se o correspondente valor de saturao iD nCox uma constante determinada pelo processo tecnolgico usado para fabricar o MOSFET canal n. designado por parmetro de transcondutncia do processo. Este parmetro determina o valor da transcondutncia do MOSFET, designado por kn e tem as dimenses de A/V2:
' kn = n Cox
W iD = k L
' n
iD =
1 'W k n (vGS Vt ) 2 2 L
18
EXEMPLO 1 Considere um processo tecnolgico, tal que: Lmin = 0.4 m, tox= 8 nm, n=450 cm2/(Vs) e Vt = 0.7 V. a) b) Determine Cox e kn. Para um mosfet com W/L = 8 m / 0.8 m, calcule os valores de VGS e de VDSmin, necessrios para operar o transstor na regio de saturao com uma corrente dc ID= 100A. c) Para o dispositivo em (b), determine o valor de VGS necessrio para que o dispositivo opere como uma resistncia de 1000 para um valor muito pequeno de vDS.
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20
Um MOSFET de enriquecimento de canal p (transstor PMOS) fabricado num substrato do tipo n com regies p+ para o dreno e a source, e usa lacunas como portadores de carga. O dispositivo funciona da mesma maneira que o de canal n, excepto que vGS e vDS so negativas e a tenso limiar Vt negativa. A corrente iD entra pelo terminal da source e sai pelo terminal do dreno. De facto, como os portadores de carga nos NMOS so electres, e estes tm uma mobilidade cerca de trs vezes maior do que as lacunas, no silcio, os transstores NMOS podem ocupar uma rea menor e, assim, serem mais rpidos, alm de requererem menores tenses de alimentao. Todavia, no se deve ignorar os PMOS por duas razes: os PMOS continuam a ser fabricados para circuitos discretos, e principalmente porque os circuitos CMOS (MOS complementar) que so actualmente a tecnologia dominante, utilizam os dois tipos de transstores, NMOS e PMOS.
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A Fig. 9 temos uma seco transversal duma pastilha CMOS ilustrando como os transstores PMOS e NMOS so fabricados.
Fig. 9 Note-se que enquanto o transstor NMOS implementado directamente no substrato do tipo p, o transstor PMOS fabricado numa regio n especialmente criada, conhecida como um poo n. Os dois dispositivos so isolados um do outro por uma espessa regio de xido que funciona como um isolante.
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Fig. 10 23
Caractersticas iD - vDS
MOSFET de canal n enriquecido com tenses vGS e vDS aplicadas e indicando os sentidos normais das correntes (Fig.11 (a)). Fig. 11
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Fig. 11
Fig. 11
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Para operar o MOSFET na regio de trodo, precisamos primeiro de induzir o canal, tenso gate-dreno :
(10)
e manter vDS suficientemente pequeno para que o canal permanea contnuo. Isto consegue-se assegurando que a
(11)
Assim,
ou (12)
As Eqs. (11) e (12) constituem as duas condies necessrias para assegurar o funcionamento da regio de trodo. Isto , o MOSFET de canal n enriquecido funciona na regio de trodo quando vGS maior do que Vt e a tenso de dreno menor do que a tenso da gate pelo menos de Vt volt. Na regio de trodo, as caractersticas iD-vDS podem ser aproximadamente descritas pela relao.
' iD = k n
W L
1 2 ( v V ) v vDS GS t DS 2
(13) 26
Se vDS for suficientemente pequena, por forma a podermos desprezar o termo vDS2, obtemos para as caractersticas iD-vDS junto da origem, a seguinte relao:
' iD k n
W [(vGS Vt )vDS ] L
(14)
Esta relao linear representa o funcionamento do transstor MOS como uma resistncia linear rDS, cujo valor controlado por vGS. Mais especificamente, para um valor em particular vGS = VGS, rDS dado por:
rDS
v = DS iD
DS
small
v GS = VGS
'W = k n (vGS Vt ) L
-1
(15)
Operao na regio de saturao Para operar o MOSFET na regio de saturao, o canal tem de ser induzido, (16)
e estrangulado na extremidade do dreno, elevando vDS a um valor que faa com que a tenso gate-dreno se torne inferior a Vt, (17)
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(Canal estrangulado)
(18)
Isto , o MOSFET de canal n enriquecido funciona na regio de saturao quando vGS maior do que Vt e a tenso de dreno no inferior tenso da gate mais do que Vt volt. A fronteira entre a regio de trodo e a regio de saturao caracterizada por (Fronteira) Substituindo este valor de vDS em (19)
W iD = k L
' n
1 2 v V v vDS ( ) GS t DS 2
iD =
1 'W k n (vGS Vt ) 2 2 L
(20)
28
Operao na regio de saturao Como a corrente de dreno independente da tenso de dreno, o MOSFET saturado comporta-se como uma fonte de corrente ideal cujo valor controlado por vGS de acordo com a relao no linear da Eq. (20). A fig. 13 mostra uma representao do circuito em funcionamento na regio de saturao. Fig. 12
Assim, em saturao, o MOSFET fornece uma corrente de dreno cujo valor independente da tenso de dreno vDS e determinado pela tenso da gate vGS de acordo com a relao quadrtica da Eq. (20). Um esboo mostrado na fig. 12.
Fig.13
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iD =
1 'W 2 k n vDS 2 L
Deve notar-se que as caractersticas representadas nas Figs. 4, 11 e 12 so para um MOSFET com kn(W/L) = 1.0 mA/V2 e Vt = 1 V. O diagrama da fig. 14 mostra os nveis relativos que as tenses terminais do transstor NMOS de enriquecimento devem ter para o funcionamento nas regies de trodo e de saturao.
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Exerccio 1 Um transstor NMOS de enriquecimento com Vt=0,7 V tem a source ligada massa e uma tenso de 1,5 V aplicada gate. Quais as regies de funcionamento para: (a) VD=0,5 V; (b) VD=0,9 V; (b) VD=3 V. Exerccio 2 Se o transstor NMOS do Exerccio 2 tiver mnCox=100mA/V2, W=10mm e L=1mm, determine o valor da corrente de dreno para as trs situaes indicadas (a), (b) e (c).
31
A equao (14) e o circuito equivalente correspondente da Fig. 13, indicam que na saturao iD independente de vDS. A variao vDS na tenso dreno-source causa uma variao nula em iD, o que implica que a resistncia incremental na direco do dreno de um MOSFET saturado infinita. Isto no entanto uma idealizao baseada na premissa de que, uma vez o canal estrangulado na extremidade do dreno, posteriores aumentos de vDS no tm qualquer efeito sobre a forma do canal. Na prtica o aumento de vDS para alm de vDS,sat afecta um pouco o canal. Concretamente, medida que vDS aumenta, o ponto de estrangulamento do canal move-se ligeiramente do dreno em direco source. Tal ilustrado na Fig. 15, da qual se nota que a tenso ao longo do canal permanece constante:
vDSat = vGS Vt
e a tenso adicional aplicada ao dreno, surge como uma queda de tenso atravs da regio de depleo estreita, entre o fim do canal e a regio do dreno. 32
Esta tenso acelera os electres que atingem o fim do dreno do canal, varrendo-os para o dreno atravs da regio de depleo.
Com a largura da camada de depleo, o comprimento do canal reduzido de L para L-L Este fenmeno designado por modulao do comprimento do canal. Visto que iD inversamente proporcional ao comprimento do canal (eq. 20), com a diminuio deste, iD aumenta com o aumento de vDS. Fig. 15
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L = 'vDS
Usualmente /L designado por (21)
um parmetro relacionado com o processo tecnolgico, com dimenses de m/V. Substituindo na expresso de iD:
1 'W iD = k n 2 L
=
34
'
L
vDS = 1 /
1
VA =
Fig. 16 35
36
' kn W (vGS Vt ) 2 ro = 2 L
(23)
ro =
1 I D
(24)
ou
ro =
VA ID
(25)
ID =
1 'W kn (vGS Vt ) 2 2 L
Assim a resistncia de sada inversamente proporcional corrente de dreno. Modelo de circuito equivalente, incorporando ro.
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Fig. 17 37