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Associao Educacional Evanglica Luterana AEEL ESCOLA TCNICA RURAL LUTERANA ETRL

Montagem e Manuteno

A evoluo dos microprocessadores

Jssica Caroline de Almeida Leal II Mdulo- Noturno

A Evoluo dos Circuitos Integrados

Um circuito integrado um dispositivo micro eletrnico que consiste de muitos transistores e outros componentes interligados capazes de desempenhar muitas funes. Suas dimenses so extremamente reduzidas, os componentes so formados em pastilhas de material semicondutor. A importncia da integrao est no baixo custo e alto desempenho, alm do tamanho reduzido dos circuitos aliado alta confiabilidade e estabilidade de funcionamento. Uma vez que os componentes so formados ao invs de montados, a resistncia mecnica destes permitiu montagens cada vez mais robustas a choques e impactos mecnicos, permitindo a concepo de portabilidade dos dispositivos eletrnicos. No final da dcada de sessenta, incio da dcada de setenta, comearam os circuitos integrados em silcio, elemento de mais fcil manipulao, integrao e menos sensvel aos efeitos de avalanche trmica. Sua construo passou a ocupar espao cada vez menor devido s novas tcnicas de dopagem desenvolvidas pela indstria aeroespacial. O dimetro das pastilhas comeou a chegar em torno de um milmetro e sua espessura no mais que alguns centsimos. A integrao se tornou necessria para aumentar a confiabilidade dos circuitos que estavam ficando cada vez mais complexos. Com o aumento da complexidade, comearam a elevar os custos dos aparelhos eletrnicos, e isto no era compatvel com a acelerao das tecnologias, pois ganhava mais dinheiro quem construsse equipamentos menores que executassem mais tarefas e fossem mais baratos. O componente bsico dos circuitos integrados o transistor, este substituiu com vantagens as vlvulas terminicas. J na dcada de cinqenta o transistor era um componente muito utilizado para a amplificao de sinal e chaveamento de circuitos pr-lgicos. Na dcada de setenta, j com vinte anos de avano tecnolgico em sua miniaturizao, este j estava pronto para passar a fazer parte de circuitos mais complexos. Miniaturizao

Devido ao avano da eletrnica, na dcada de oitenta foram desenvolvidas exponencialmente novas tecnologias para dopagem dos semicondutores e a fabricao seriada em alta velocidade. O grande salto se deu quando se desenvolveu a tcnica de micro gravidade para purificao do semicondutor, neste caso o silcio deve estar, em estado lquido, em alta temperatura. Depois de cristalizado e purificado, o silcio passa por um processo de corte e polimento, onde so removidas suas contaminaes superficiais e impurezas.

Este um diagrama esquemtico hipottico de um Circuito Integrado composto de um transistor NPN, um capacitor e um resistor, em cima est representada a Mesa Epitaxial onde o circuito foi formado, embaixo o diagrama esquemtico. A melhora em se conseguir uma dopagem

mais perfeita, levou para a tcnica de confeco via mesa epitaxial, com maximizao na exposio fotogrfica para revelao do circuito eletrnico no microchip. A dopagem se d quando se controlam pequenas quantidades de impurezas agregadas mesa. O boro e o fsforo so utilizados para se ligarem estrutura cristalina do silcio, de forma a sobrar ou faltar eltrons na camada de valncia do elemento dopado. A estrutura do cristal quando contm uma camada de silcio em que a impureza o boro, estando esta entre duas cuja impureza o fsforo, forma o tripolo primordial. As projees e revelaes se do de forma ordenada e precisa, assim a lmina de cristal usada vai recebendo constantes dopagens e re-dopagens, formando camadas, subcamadas e regies condutivas e isolantes conforme a necessidade para a confeco do circuito integrado. No circuito integrado completo ficam presentes os transistores, condutores de interligao, componentes de polarizao, e as camadas e regies isolantes ou condutoras obedecendo ao seu projeto de arquitetura. No processo de formao do chip, fundamental que todos os componentes sejam implantados nas regies apropriadas da pastilha. necessrio que a isolao seja perfeita, quando for o caso. Isto obtido por um processo chamado difuso, que se d entre os componentes formados e as camadas com o material dopado com fsforo, e separadas por um material dopado com boro, e assim por diante. Aps sucessivas interconexes, por boro e fsforo, os componentes formados ainda so interconectados externamente por uma camada extremamente fina de alumnio, depositada sobre a superfcie e isolada por uma camada de dixido de silcio. Arquitetura interna de um microprocessador dedicado para processamento de imagens de ressonncia magntica, a fotografia foi aumentada 600 vezes, sob luz ultravioleta para se enxergar os detalhes. Escala de Integrao e Nanotecnologia

Com componentes de larga escala de integrao, (LSI), nos anos oitenta, e, a extra larga escala de integrao, (ELSI), nos anos noventa, vieram os microprocessadores de alta velocidade de tecnologia MOS, que nada mais so que muitos circuitos integrados numa s mesa epitaxial. Atualmente a Eletrnica est entrando na era da nanotecnologia. Os componentes eletrnicos se comportam de maneiras diferentes do que na eletrnica convencional e microeletrnica, nestes a passagem de corrente eltrica praticamente no altera o seu estado de funcionamento. Nos nano componentes, a alterao de seu estado em funo da passagem de corrente deve ser controlada, pois existe uma sensibilidade maior s variaes de temperatura, e principalmente variaes dimensionais. Estas causam alteraes nas medidas fsicas do componente de tal forma, que podem vir a danific-lo. Por isso a nanotecnologia to sensvel sob o ponto de vista de estabilidade de temperatura e presso.

Alguns exemplos de hardware que utilizam a tecnologia multi-core.


AMD Athlon 64, Athlon 64 FX e Athlon 64 X2, processadores AMD Athlon para desktops. Athlon II, processador AMD Athlon II Dual-Core para desktops.

Phenom, processador AMD Phenom X4 de quatro ncleos e AMD Phenom X3 de trs ncleos para desktops.

Phenom II, processador multi-core. Oferece uma melhor experincia visual para entretenimento de alta definio, desempenho avanado em multitarefa e inovaes de economia de energia, proporcionando mquinas menores e mais refrigeradas, com uso eficiente da energia.

Sempron, processador AMD Sempron para desktops. Turion 64 X2, processador dual-core para laptop. IBM POWER5, processador dual-core, lanado em 2004. POWER6, processador dual-core, lanado em 2007. POWER7, processadores 4,6,8-core, lanados em 2010. PowerPC 970MP, processador dual-core usado na Apple Power Mac G5. Xenon, processador triple-core, usado pela Microsoft no Xbox 360. Intel Celeron Dual-Core, primeiro processador dual-core comercializado. Core Duo, processador dual-core. Core 2 Duo, processador dual-core. Core 2 Quad, 2 processadores dual-core embutido em um multi-chip.

Core i3, Core i5 e Core i7, famlia de processadores multi-core. So os sucessores do Core 2 Duo e do Core 2 Quad.

Itanium 2, processador dual-core. Pentium D, 2 single-core embutido em um multi-chip. Pentium Extreme Edition, 2 single-core embutido em um multi-chip. Pentium Dual-Core, processador dual-core. Xeon processadores dual-, quad-, hexa-, octo- e 12-core. Nvidia

GeForce 9 Series multi-core, a Unidade de processamento grfico possui 8 cores e 16 Scalar processor/Stream processing por core.

GeForce 200 Series multi-core, a Unidade de processamento grfico possui 10 cores e 24 Scalar processor/Stream processing por core.

Tesla multi-core, a GPGPU possui 10 cores e 24 Scalar processor/Stream processing por core. Free: OpenSPARC

Oscilador de deslocamento de fase, um circuito simples que convertia CC em CA. Ao invs de utilizar vrios componentes discretos, ele o fabricou em uma fina tira de germnio com quatro terminais de contato, mais o terminal de terra e sendo composto por um transistor, um capacitor e trs resistores. Tudo foi mantido junto por meio de uma cera.

(Primeiro

Circuito

Integrado

Oscilador

de

Deslocamento de fase.)

No final dos anos 50, fabricar um transistor j era um processo industrial de grandes volumes, utilizando uma tcnica de litografia conhecida como processo mesa. Esse processo, no entanto, tinha inconveniente. A mesa estava sujeita tanto a contaminao como acidentes e este processo no permitiria a fabricao de resistores. Foi ento que Jean Hoerni, um fsico suo e um dos fundadores da Fairchild, inventou um processo onde ao invs de montar-se a mesa no topo do substrato de silcio, ele simplesmente a difundia na base, e a seguir o emissor nesta, cobrindo o dispositivo com uma camada protetora. O resultado foi o processo planar, durvel e confivel, o marco que tornou possvel a produo comercial de circuitos integrados. Enquanto isso, Robert Noice, tambm da Fairchild, dava um passo importante na forma de interconectar os microcomponentes do circuito integrado. Ele inspirou-se nas tcnicas que empregavam dixido de silcio como barreira para a difuso de impurezas. Dessa forma, enquanto o processo de Jack Kilby utilizava pequeninos fios nas conexes entre os componentes do circuito, o processo desenvolvido por Robert Noyce empregava trilhas de alumnio ou ouro, que podiam ser aplicadas com a ajuda de mscaras e fotolitografia. O primeiro circuito integrado lgico foi anunciado em maro de 1961 pela Fairchild, e consistia de um flip-flop de dimetro de 1,5 mm.

Logo o primeiro amplificador operacional em uma pastilha, o A 702, projetado por Robert Widlar, foi uma pedra de toque na histria dos circuitos integrados e um sucesso comercial para a Fairchild. Ele constitudo de 12 transistores e 5 resistores .

O A 702 deu origem a um dos maiores sucessos da indstria de microeletrnica, o 709 tambm projetado por Robert Widlar, talvez o amplificador operacional mais utilizado na eletrnica. Milhes de A709 foram vendidos e sua composio era de 14 transistores e 15 resistores. Ele muito mais eficiente que o A 702 (que tinha ,ganho de 7000),possuindo ganho de 70.000. Antes de Widlar cri-lo, isso era tido como impossvel. Ele foi o carro chefe do setor at 1968, quando Fairchild introduziu o A 741, uma pastilha que continha seus prprios capacitores.

Em 1970, a Fairchild produziu a primeira memria RAM esttica de capacidade razovel, a SRAM de 256 bits de dimenses de 2,5mm x 3,2mm. Projetada por H.T. Chua, esse dispositivo podia reter no espao de um nico ncleo de ferrite (elemento utilizado anteriormente para armazenar 1 bit), muito mais informao. Ela foi usada no ILLIAC IV, um dos primeiros mainframes com memrias de estado slido.

Em 1968, Robert Noyce, Gordon Moore e Andrew Groove saram da Fairchild e montaram sua imprpria firma, a Integraded Electronics (Intel). Em 1970, a Intel suplantou suas duas verdadeiras competidoras (Texas Instruments, Fairchild) anunciando a primeira memria RAM dinmica (DRAM) de 1Kbit (1103), projetada por Joel Karp e Bill Regitz . Ela provou a viabilidade das memrias semicondutoras e aumentou significativamente o poder dos computadores..

O primeiro microprocessador (Intel 4004) nasceu de um projeto de um fabricante de calculadoras encomendado Intel em 1969. Era um computador de uso geral constitudo de 4 pastilhas; uma ROM de 256 bits, uma RAM de 32 bits, um registrador de deslocamento de 10 bits e um microprocessador de 4 bits. Ao invs de distribuir as funes lgicas e aritmticas por vrias pastilhas, Marcian e Holf, propuseram coloc-las todas em um nico circuito integrado. Alguns meses aps, outra firma pediu Intel para projetar um conjunto de CIs para um terminal inteligente. A Intel sugeriu um microprocessador, s que deveria ser mais poderoso que o 4004, precisando de 8 bits. Assim surgiu o Intel 8008, projetado por Hal Feeney, Ted Holf, Frederico Faggin e Stan Mazer, com aproximadamente 3.300 transistores MOS. Curiosamente ele foi rejeitado pela firma por ser muito lento, e a Intel colocou-o no mercado aberto, onde foi um grande sucesso. As dimenses da pastilha do 8008 era de 3mm x 4,3mm.

Concluso

A revoluo tecnolgica provocada pela inveno do circuito integrado extraordinria e influencia a vida cotidiana em todos os nveis. A capacidade de construir circuitos cada vez menores requer pesquisas multidisciplinares, envolvendo praticamente todas as reas das cincias exatas. Desta forma pode-se desenvolver processos de fabricao, projetos de dispositivos/circuitos, caracterizao eltrica e modelagem de componentes integrados de dimenses micromtricas e nanomtricas. O Brasil tem desenvolvido pesquisas de alto nvel nessa rea, principalmente em centros de pesquisas e universidades. Mas um pas com dimenses continentais, precisa de mais massa crtica para dar conta da infinidade de aplicaes relacionadas s reas de microeletrnica e nanoeletrnica.