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Universidade Federal do Cear Eletrnica de Potncia

Professor Fernando Antunes


Semestre
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2007.2
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Programa da Disciplina
Unidade I Introduo
Objetivo, histrico e aplicaes da Eletrnica de potncia ; Semicondutores de potncia: diodos, Transistor Bipolar e Tiristores; Classificao dos conversores estticos; Clculo trmico. Principio de operao; Regulador CC-CC Abaixador (Conversor Buck); Regulador CC-CC Elevador (Conversor Boost); Regulador CC-CC Abaixador / Elevador (Conversor Buck / Boost); Operao com cargas RLE.

Unidade II Conversores CC-CC Abaixadores e Elevadores


Unidade III Retificadores Monofsicos a Diodo


Retificadores monofsicos de meia onda; Retificadores Monofsicos de onda completa.

Unidade IV Retificadores Trifsicos no controlados


Retificadores em Meia Ponte e Ponte Completa; Comutao

Unidade V Retificadores Controlados Monofsicos e Trifsicos


Retificadores em Meia ponte e Ponte Completa; Fator de potncia Comutao Pontes mista
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Programa da Disciplina
Unidade VI Transistor para Alta Freqncia
MOSFET; IGBT.

Unidade VII Conversores CC-CA


Estrutura Bsica VSI; Principio de modulao por largura de pulso PWM; Estruturas monofsica Estrutura trifsicas

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Programa da Disciplina

Aulas de Laboratrio
Caracterstica de chaveamento de diodos e tiristores; Conversores ca-cc monofsicos a diodo; Conversores ca-cc trifsicos a diodo; Conversores ca-cc de monofsico controlado a tiristor; Conversores ca-cc trifsico controlado a tiristor; Conversores ca-cc de 12 pulsos; Conversor Buck a MOSFET/IGBT; Conversor Boost a MOSFET/IGBT; Inversor monofsico; Inversor trifsico .

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Unidade I - Introduo
Definio de Eletrnica de Potncia uma nova tecnologia que trata da aplicao de dispositivos eletrnicos e componentes associadas para converso, controle e condicionamento da energia eltrica; Controle da Energia Eltrica, meio usado para se obter controle de grandezas no eltricas como: velocidade de maquinas girantes, controles de temperatura de fornos, processo eletromecnicos, intensidades de iluminamento, etc.

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Unidade I - Introduo
Definio de Eletrnica de Potncia De uma maneira geral pode ser considerada como uma tecnologia multidisciplinar que envolve: Dispositivos Semicondutores de Potncia; Circuitos Conversores; Mquinas Eltricas; Teoria de Controle; Microprocessadores; Sistemas Eltricos.

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Unidade I - Introduo
Histrico Retificador a Arco de Mercrio inicio do sculo passado; Estrutura Retificadoras Anos 30; Tiristor Grande evoluo:
Laboratrio Bell, 1956; Comercializado pela GE, 1958;

Anos 70 diodos, Transistores de potncia e GTO; Anos 80 MOSFET e IGBT; Anos 90 Encapsulamento de Potncia.

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Unidade I - Introduo
Aplicaes Fontes Estabilizadas Controles de Motores Equipamentos de soldagem Veculos Eltricos Trao Eltrica Controle de Trnsito Utilizao de fontes no Convencionais de Energias Utilizao Aeroespacial Carregadores de bateria Alimentao de Emergncia (UPS) Sistema Eltricas de Potncia
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Unidade I - Introduo
Conversores Estticos Circuito projetados para processamento da energia; Convertem energia eltrica da forma como fornecida por uma fonte, na forma requerida por uma carga; Alto rendimento (99% em grandes conversores); Usam semicondutores como chaves; Estrutura formada basicamente por chaves, capacitores e indutores.

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Unidade I - Introduo
Conversores Estticos

Conversores ca-cc (Retificadores) Conversores cc-cc (Choppers e fontes cc chaveadas) Conversores cc-ca (Inversores) Conversores ca-ca (Chaves ca)
Vantagens : Espao fsico Resposta rpida Baixa manuteno Desvantagens : Harmnicos Interferncias
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Unidade I - Introduo
Chaves Semicondutoras

Idealmente possuem apenas dois estados: Apresentam completo bloqueio ou oferecem irrestrita conduo passagem de corrente. Podem ser:
Diodos; Tiristores; Chaves controladas:
BJT 1kV, 300A, 20kHz, 200kVA; MOSFET 1kV, 100A, 50kHz; IGBT 1,7kV e 2kA, 20kHz; 6,5kV, 600A, 800Hz MCT. IGCT

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Unidade I - Introduo
IGBT de alta potncia
IGBT
FZ2400R17KE3 FZ3600R17KE3 CM2400HC-34H 5SNA 2400E170100 5SNA 3600E170300 DS_FZ1500R33HE3* DS_FZ1500R33HL3* CM1200HA-66H 5SNA 1500E330300* FZ 600 R 65 KF1 VCE [V] 1700 1700 1700 1700 1700 3300 3300 3300 3300 6500 ICE [A] 2400 3600 2400 2400 3600 1500 1500 1200 1500 600 Switching frequency [Hz] 2000 2000 2000 2000 2000 1500 1500 1500 1500 800

No. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

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Unidade I - Introduo
Aplicaes tpicas da Eletrnica de Potncia
10 00 FO N T E S CHAVEADA S 10 0 Corrente de Conduo, A TRAO E L T R IC A AUTOMAO IN D U S T R IA L A C IO N A M E N T O DE MOTO RES 10 HVDC

B A L LA S T S D E ILU M IN A O 1 E LE T R N IC A EMBA RCADA (A U T O M O T IV A ) 0.1 10 10 0 10 00 1 0 0 00 T ens o d e B loq u eio, V

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Unidade I - Introduo
Caractersticas Potncia x Tenso e Potncia x Freqncia
VA
10 7

VA 7 10 GTO 6 10 BJT IGBT 105 MOSFET 104 103


3 4

10

GTO

10 5 4

Transistor Bipolar BJT

Tiristor IGBT

10

10

MOSFET

10

10

10

102

103

104

105

Hz
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Unidade I - Introduo
Formam a base para o estudo dos diodos transistores e tiristores de potncia.
+4 +4 +4

Juno PN

+4

+4

+4

+4

+4

+4

Cristal de Silcio:

Cristal de Silcio e Eltrons de Valncia

Pureza em 10 9 tomos de silcio h apenas um tomo estranho; Isolante em baixas temperaturas; Apresentam eltrons livres em altas temperaturas; Condutividade natural temperatura ambiente, cerca de 2 x 1010eltrons livres(Buracos) por cm 3 ; Quando sujeito a campo eltrico os buracos movimentam se na direo do campo comportando-se como portadores de carga positiva.
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Unidade I - Introduo
Dopagem
tomos estranhos substituem os de silcio em varias posies da cadeia do cristal alterando enormemente a habilidade de conduo do cristal. A dopagem no deve alterar a estrutura original do cristal.
+4 +4 +4 +4 +4 +4

+4

+5

+4

+4

+3

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

Cristal Tipo N

Cristal Tipo P

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Unidade I - Introduo
Unio do Cristal P com o Cristal N Na juno os eltrons do cristal N se difundem no cristal P ocupando os buracos formando uma regio de depleo na juno. Campo eltrico na juno:
Fica mais forte medida que mais cargas atravessam a juno; Atrasa o processo de formao da camada de depleo; Age no sentido de empurrar os eltrons na regio de depleo de volta para a camada N. P N
+ + + + +

Camada de depleo

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Unidade I - Introduo
Unio do Cristal P com o Cristal N Juno PN inversamente polarizada
Aumento da camada de depleo; Ausncia de portadores majoritrios na juno; Tenso reversa mxima determinada pela camada de depleo.
+ p n

Reversamente Polarizada

Juno PN diretamente polarizada


Portadores majoritrios saturam a juno; Colapso de camada de depleo cristal conduz; Condutividade consideravelmente menor que dos metais; Perdas causam aquecimento excessivo para o tamanho do cristal.
+ p n -

Diretamente Polarizada
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Unidade I - Introduo
Diodo de Potncia Regio de arrasto:
Camada n- no encontrada nos diodos se sinal; Estabelece a tenso reversa mxima suportada pelo diodo; Alta resistividade devido baixa dopagem; Onde se estabelece a camada de depleo Resistividade reduz quando em polarizao direta devido saturao da regio por portadores majoritrios; Esta modulao da condutividade reduz bastante a perda por conduo.
Anodo
19 -3 p+ Nd=1 cm nNd=10 14 -3 cm
10 m

Regio de arrasto m 250

n+

-3 Nd=1019cm

Catodo

Seo Transversal de um Diodo de Potncia

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Unidade I - Introduo
Caracterstica V x I de um diodo de potencia
i
D

- V

RM 0 ,7 V v AK

Com altas correntes a caracterstica hmica mascara a exponencial; Quando polarizado inversamente, apenas uma pequena corrente de fuga circula; Requer tempo finito para mudar estado bloqueio / conduo; Tempo de transio e formas de ondas so afetadas pela caracteristica intrnseca do diodo.
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Unidade I - Introduo
Caracterstica de chaveamento de um diodo de potncia
+

I0

Carga indutiva

Comando da chave
-

Ic

Circuito para anlise na caracterstica de chaveamento do diodo de potncia

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Unidade I - Introduo
Caracterstica de chaveamento de um diodo de potencia
Conduo: da carga armazenada na t1 Remoo camada de depleo com o aumento da conduo. Camada de depleo ainda presente, queda hmica na regio de arrasto e indutncias presentes no circuito so causas da sobretenso; t2 Saturao da juno (neutralizao da camada de depleo) e da regio de arrasto e estabelecimento da corrente em regime fazem a tenso cair para Von.
i(t)
I0

Q rr

v(t)
t3 t4 trr t5

Irr

Von
t V

t1

t2

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Unidade I - Introduo
Caracterstica de chaveamento de um diodo de potncia
Bloqueio: A carga em excesso na regio arrasto passa a ser t3 de removida por recombinao e arrasto. Cessada a recombinao i(t) reduz a zero; Fluxo de minoritrios na de t4 formao da camada - As - + + i(t). depleo inverte junes p n n n permanecem polarizadas diretamente devido excesso de portadores nas junes; Retirados os portadores em t5 excesso da juno, esta polariza inversamente e logo adquire substancial valor negativo. Os minoritrios passam a ter crescimento negativo reduzindo a corrente reversa a zero.
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i(t)
I0

Q rr

v(t)
t3 t4 trr t5

Irr

Von
t V

t1

t2

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Unidade I - Introduo
Transistor de potncia
Base Emissor
19 n+ Nd=10 cm -3

C
10 m 520 m 50200 m 250 m

p nn+

16 -3 Nd=10 cm -3 Nd=10 14cm -3 Nd=10 19cm

B E

Ic

B E

Ic

NPN

PNP

Coletor

Nvel de dopagem influencia as caractersticas do dispositivos; Regio de arrasto possui dopagem leve e determina a tenso de ruptura do transistor; A espessura da base feita menor possvel, para maior ganho de corrente; Uma menor espessura de base limita a tenso reversa mxima que pode ser aplicada ao transistor.
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Unidade I - Introduo
Transistor de potncia Junes PNP e NPN
Emissor cristal de alta dopagem; Base cristal de media dopagem; Coletor - cristal de alta dopagem.
p n p

Processo de conduo:
Pequena corrente introduzida na base atravs de circuito de controle; Algumas cargas alcanam a camada de depleo (ausente de carga) coletor-base e so arrastados para o circuito externo atravs do coletor, iniciando se uma conduo; A corrente de base satura a juno coletor-base tornando o transistor condutor; Para um certo valor de corrente de base o transistor comporta-se como uma chave fechada, para corrente de base nula comporta-se com uma alta resistncia .

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Introduo Transistor NPN

Conduo no transistor NPN (O mais usado): Inicio de conduo - os eltrons fluem do emissor para base (sentido real de corrente). A grande maioria dos eltrons atingem a camada de depleo base-coletor (inversamente polarizada). O campo eltrico da tenso de polarizao externa atrai os eltrons para camada de depleo, saturando-a. Inicia-se um fluxo de eltrons no sentido emissor coletor, isto corrente eltrica no sentido coletor emissor.
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Coletor

+ n Base p n

Emissor

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Unidade I - Introduo
Caracterstica V x I do transistor de potncia
saturao plena quasisaturao ruptura secundria

C
I B4 I B3 I B2 I B1 I 0 B0 IB=0 ruptura primria

Coletor
n-

+ n

Base
p n

V Vsus VBCE0 CE

Emissor

Vsus: tenso mxima emissor-coletor quando o dispositivo esta conduzindo; Ruptura primria: avalanche convencional na juno; Ruptura secundria: alta dissipao de potncia em pontos localizados no cristal
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Unidade I - Introduo
Caracterstica de chaveamento de um transistor de potncia
+ D I0

Carga indutiva

C
circuito de base

Ic

Circuito para anlise na caracterstica de chaveamento do transistor bipolar

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Unidade I - Introduo
Caracterstica de chaveamento de um transistor de potncia
Conduo:
Inicio do processo de retirada da camada de depleo. Vce no alterada; Vce na se altera pois o diodo em paralelo com a carga esta conduzindo; O diodo em paralelo deixa de conduzir; O ganho do transistor diminui reduzindo a taxa de queda de Vce. td(on) ts tf1 tf2
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iB(t) 0 t VBE(on) vBE(t) 0 VBE(off) IB(on)

iC(t) 0

I0

t
vCE(t) Vd 0 VCE(sat)

t d(on) t=0

t s t f1 t f2

Unidade I - Introduo
Caracterstica de chaveamento de um transistor de potncia
i B(t) 0 t vBE(t) 0 IB(on)

VBE(on) VBE(off) t i C(t)

I0 t

vCE(t) VCE(sat) 0 ts t f2 t f1 td(on)

Vd

Bloqueio:

t=0

Para bloquear um transistor tem se que remover toda carga armazenada na juno; Aps ts o transistor deixa a regio de saturao e passa a de quase saturao; Reduo de carga na regio de arrasto
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Unidade I - Introduo
catodo gatilho

Tiristor
Anodo
n+
19 -3 10 cm 10 m 30 - 100 m

n+ p n-

19 -3 10 cm 17 -3 10 cm 17 14 -3 10 -5 x 10 cm

+
catodo

p n p n

J1 J2 J3

50 - 1000 m 30-50 m 30-50 m

gatilho

Gatilho
+

p p+

17 -3 10 cm 19 -3 10 cm

Anodo

Catodo

Anodo
(a)

(b)

Tambm chamado de SCR; Mais antigo dispositivo de potncia em estado slido um dispositivo de quatro camadas
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Unidade I - Introduo
Junes PNPN
+ p n p n Gatilho p n
g

Anodo

a
E C B B C

v ak

v gk

Catodo

NPN inicia a conduo; Circula corrente pela juno base-emissor do transistor PNP; H uma realimentao positiva; Corrente atravs do dispositivo autosustentada.

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Unidade I - Introduo
Junes PNPN J1 e J3 so polarizadas diretamente e J2 inversamente; A ao dos dois emissores saturam a juno J2; A camada n absorve a camada de depleo; Logo J2 determina a tenso mxima aplicvel ao tiristor.

Anodo
+ p n p n J1 J2 J3

Gatilho
+

Catodo
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Unidade I - Introduo
Caracterstica V x I de um tiristor Sob tenso inversa o tiristor comporta-se similarmente a um diodo polarizado inversamente, que conduz pouca corrente at que avalanche ocorra. A regio de alta tenso e baixa corrente a regio de bloqueio em polarizao direta
i

Estado de conduo direta

-V

RM

IH IB0

i g>0

i g=0

de bloqueio V V v H Estado em polarizao B0 AK direta

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Unidade I - Introduo
Caracterstica de chaveamento Conduo:
i g(t)=0 Durante td(on) a corrente de gatilho injeta portadores na di/dt I camada p2; 0 Conduo inicia se em torno de iK (t)=0 gatilho devido excesso de portadores na regio; Excesso de portadores na regio do gatilho reduz sensivelmente a vAK(t)=0 td (on) capacidade de bloqueio do tiristor; di/dt em torno do gatilho pode ter efeito destruidor; Finalmente o plama se espalha por toda seco transversal do tiristor; Grande quantidade de energia liberada nas adjacncias do gatilho; Deve se controlar a taxa de crescimento da corrente de anodo. t

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Unidade I - Introduo
Caracterstica de chaveamento Bloqueio:
Bloquear um tiristor requer a aplicao de uma tenso negativa entre anodo e catodo por um perodo de tempo mnimo; Processo similar ao de um diodo; Dispositivo bloqueia quando J1 ou J3 ficar inversamente polarizada.

Conduo acidental do tiristor:


O tempo que o tiristor mantido sob tenso reversa deve ser suficientemente longo para garantir um real bloqueio; A taxa de crescimento dv/dt da tenso de polarizao direta deve ser mantida abaixo de um mximo valor especificado pelo fabricante.

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Unidade I - Introduo
Transistor MOSFET

Metal Oxide Semiconductor Fiel- Effect Transistor; Acionados por tenso; Operam em altas freqncias.

S
n +

G
---------++++++ ----------

D n+

Canal Tipo n

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Unidade I - Introduo
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor - MOSFET
Tipo e caracterstica de conduo
D I I D V V DS V G V =12V =7V =5V D

GS GS GS

V S

GS

=3V

V DS

Essencialmente resistivo em conduo; Resistncia de conduo relativamente alta.


(a) (b)

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Unidade I - Introduo
Caracterstica de chaveamento
D I C

VD I0 D
C DS

DF

GD

C GD RDR VDR G CGS S

G C GS

Capacitncias parasitas

Modelo para anlise de chaveamento

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Unidade I - Introduo
Caracterstica de chaveamento
V DR

GS

(t) V DR V

V GS,Io V th

GS

(t)

GS,Io

th t

(t) t

0 i G (t)

V D v DS (t) i Io t V DS(ON) (t)

v i
G

(t) Io V d

DS

(t)

Forma de onda durante o bloqueio

Forma de onda durante a conduo

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Unidade I - Introduo
Isolated Gate Bipolar Transistor - IGBT
C

Transistor Bipolar de Gatilho Isolado; Atuao rpida (transitrio efeito de campo); Alta capacidade de potncia (Transistor Bi-polar); Controle por tenso;
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Unidade I - Introduo
Caracterstica I-V

VGS-4

VGS-3 VGS-2 VRM VGS-1 VnsS

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Unidade I - Introduo
Caracterstica de chaveamento

Formas de onda da Corrente e da Tenso no IGBT em Conduo

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Unidade I - Introduo
Caracterstica de chaveamento

Formas de onda da Corrente e da Tenso no IGBT em Bloqueio

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Unidade I - Introduo
Futuro das chaves Dispositivos a base de carbono de silcio; Suportam altos gradientes de tenso; Reduzida queda de tenso em conduo.

Evoluo
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Unidade I - Introduo
Especificao de chaves semicondutoras Corrente mdia de conduo direta, Id
Valor mdio da corrente que o dispositivo pode conduzir continuamente repetidas as condioes de resfriamento.

Corrente eficaz de conduo direta, Irms


Valor mximo permitido para corrente eficaz. Isto limita a potncia mxima dissipada devido i.R.

Corrente de pico repetitiva, Ifrm


Valor mximo da corrente que pode ser aplicada repetitivamente, geralmente especificada para um pico a cada meia senoide.

Corrente de pico no repetitiva, Ifsm


Valor mximo da corrente que pode ser aplicada, a repetio permitida apenas aps um intervalo de tempo que permita resfriar a juno.
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Unidade I - Introduo
Especificao de chaves semicondutoras Tenso de pico inversa, Vrpm
Valor instantneo de tenso mxima permitida da direo positiva ou negativa do dispositivo.

Queda de tenso em conduo direta, Vf


Queda de tenso apresentada pelo dispositivo quando em conduo direta.

Temperatura da juno, Tj(max)


Valor mximo de temperatura que o dispositivo pode operar, acima deste valor o dispositivo pode danificar se por avalanche trmica.

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Unidade I - Introduo
Perdas e Clculo Trmico A perda total de um dispositivo dada por:
Perda durante a conduo; Perda no chaveamento; Perda no estado de bloqueio.

Estas perdas que se transforma em calor, devem ser liberadas par ao meio ambiente, caso contrrio a temperatura da juno se elava acima do limite permitido, provocando destruio de dispositivo. A elevao de temperatura na juno provoca mudanas qumicas e metlicas no dispositivos. Estas mudanas variam exponencialmente com a temperatura.

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Unidade I - Introduo
Perda durante a conduo Seja uma juno de um dispositivo qualquer, aqui representada por um diodo
1 Pon = iv.dt To
T T

v = rd i + E0
a i rd Eo k

1 Pon = i (rd i + E0 )dt To 1 2 1 Pon = i rd dt + E0 .i.dt To To


2 Pon = ief rd + E0 imed T T

Para no danificar o semicondutor, Pon deve ser transferida para o ambiente. Como que esta potncia transferida?
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Unidade I - Introduo
Perdas nos dispositivos semicondutores Quando duas superfcies slidas paralelas a temperaturas uniformes, Tj e To, so justapostas, uma certa quantidade de calor Q (joules/s-m) fluir por unidade de rea da superfcie de maior temperatura (Tj) para a de menor temperatura (To). Q = 1/K (Tj - To) [Joules/s-m] No caso de um dispositivo semicondutor, a corrente atravs da juno inversamente polarizada produz calor quando os portadores majoritrios perdem energia ao atravessar a barreira de potencial. A energia eltrica na juno se transforma em energia trmica no cristal.
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Unidade I - Introduo
Perdas nos dispositivos semicondutores
A potncia dissipada na juno por segundo fluir para o ambiente segundo a equao abaixo: Pon = 1/Rja (Tj - Ta) [joules/s] - Tj Temperatura na juno - Tj Temperatura ambiente - Rja resistncia trmica entra a juno e o ambiente Fazendo se uma analogia com um circuito eltrico:
Rja

Pon

Ta

0C

Quando o semicondutor no est conduzindo, Pon = 0, logo Tj=Ta. A temperatura da juno se eleva acima da ambiente e h um fluxo de calor para o ambiente. Quando menor Rja, menor ser T
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Unidade I - Introduo
Perdas nos dispositivos semicondutores Para uma certa resistncia trmica Rja e temperatura ambiente Ta, h uma mxima potncia Pon que pode ser dissipada, Pon max. sem que se exceda mxima temperatura admissvel na juno, Tjmax. Desprezando se a influncia da resistncia interna. Pon = I.Von
I Pon 1 > Pon max

Pon max

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Unidade I - Introduo
Hiprbole de dissipao de potncia
I
Pon Rja

Pon 1 > Pon max

Ta

Pon max
0C

Von

Para a temperatura ambiente Ta, qualquer combinao de Von e I que fique de Pon max no danificar o dispositivo. Um ventilador ou qualquer refrigerao que venha a reduzir a temperatura ambiente Ta nas proximidades do dispositivo, uma potncia Pon 1 maior que Pon max pode ser dissipada sem risco para p dispositivo.
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Unidade I - Introduo
Dissipao do calor Falha na operao de um dispositivo semicondutor est, quase que sempre, ligada elevao de temperatura do dispositivo. O fabricante normalmente especifica a mxima temperatura para a juno, mesmo nos piores transitrios. A dissipao de calor nos semicondutores est diretamente ligada aos trocadores de calor. Um trocador de calor um metal irradiador de calor projetado para retirar do dispositivo o excesso de calor por conveco. O calor flui da juno para a carcaa do semicondutor, da carcaa para o trocador de calor atravs de uma pasta trmica, e do trocador de calor para o ambiente.
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Unidade I - Introduo
Dissipao do calor A transferncia de calor pode ser representada pelo circuito eltrica ao lado. A temperatura da juno depender da potncia dissipada e das resistncias trmicas associadas ao dispositivos. Um clculo adequando do trocador de calor permitir ao projetista determinar a mxima potncia que poder ser dissipada pelo dispositivo, e, ainda conservar a temperatura mxima na juno a baixo de um valor escolhido
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Rjc

Pon

Rch Rja Rha

Ta

0C

T j Ta = R ja .Pon R ja = R jc + R ch + R ha R ha = R ja R jc R ch
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