Eletronica de Potencia Eletronica de Pot

ELETRÔNICA DE POTÊNCIA:
CONCEITOS IMPORTANTES
FERNANDO LESSA TOFOLI, DR. ENG.
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PARTE 1:
INTRODUÇÃO À ELETRÔNICA DE POTÊNCIA
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INTRODUÇÃO GERAL DEFINIÇÕES
Eletrônica de Potência: ciência que se dedica a processar e controlar o

fluxo de energia elétrica por meio do uso dos conversores estáticos de
potência.
Eletrônica de Potência é a tecnologia associada com conversão

eficiente, controle e condicionamento de potência elétrica através de
interruptores estáticos a partir de uma fonte disponível na entrada para
uma saída desejada.
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INTRODUÇÃO GERAL DEFINIÇÕES
A eletrônica de potência é uma área de atuação interdisciplinar. Para

projetar com propriedade um conversor estático, deve-se possuir um
conhecimento adequado de várias subáreas do conhecimento da
Engenharia Elétrica.
Eletrônica
Máquinas Elétricas e Acionamentos
de Potência
Qualidade da Energia Elétrica
Sistemas de Controle
Sistemas de Potência
Física de Semicondutores
Eletrônica Analógica e Digital

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INTRODUÇÃO GERAL IMPORTÂNCIA DA ELETRÔNICA
DE POTÊNCIA
“A eletrônica de potência desenvolve atualmente um impacto relevante em
nossa sociedade, o qual, em minha opinião, é tão grande quanto (senão
maior) que aquele da tecnologia da informação. Em essência, a roda da
civilização industrial é movida pela eletrônica de potência. A produtividade e
qualidade da produção das indústrias modernas dependem da eletrônica de
potência, que possibilita a existência de sistemas energéticos ultraeficientes,
que são tão vitais para nossas indústrias. O problema do aquecimento global
que ameaça a civilização humana pode ser solucionado ou mitigado com a
ajuda da eletrônica de potência. A maior parte das fontes de energias limpas e
renováveis, que têm sido intensamente exploradas, dependem unicamente da
eletrônica de potência para seu aproveitamento e utilização. Nossos veículos
elétricos e híbridos são baseados na eletrônica de potência. A eficiência
energética de aparelhos elétricos e eletrônicos, a qual tem sido enfaticamente
destacada, é altamente dependente da eletrônica de potência. À medida em
que o custo da energia elétrica tender a aumentar sensivelmente em um futuro
próximo, o impacto da eletrônica de potência se tornará mais visível.”
(Dr. Bimal K. Bose, IEEE Industrial Electronics Magazine, Junho de 2009). 5/106
SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA CLASSIFICAÇÃO
Interruptor Ideal
(“Chave”)
- Sinal
Dispositivos
- Diodos
Semicondutores
- Potência - Tiristores
- Interruptores totalmente controlados
- Tiristores
Semicondutores - Transistores Bipolares

Controlados - Transistores MOS
- Transistores Híbridos
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SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA ESPECIFICAÇÕES TÍPICAS
Tensão Corrente Freqüência Potência

Componente
(V) (A) (kHz) (kVA)
Tiristor 10.000 5.000 2 10.000
Transistor Bipolar 1.000 300 20 200
MOSFET 1.000 100 50 50
IGBT 3.000 1.000 20 3.000
Potência  tensão Potência  freqüência
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SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA APLICAÇÕES TÍPICAS
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SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA APLICAÇÕES TÍPICAS
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PARTE 2:
SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA
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SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA JUNÇÕES PN
Cristal tipo N (-) Cristal tipo P (+)
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SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA JUNÇÕES PN

E
Polarização direta Polarização reversa
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SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA DIODOS DE POTÊNCIA
Dopagem leve
Absorve a camada de depleção
t1  Polarização direta
t2  Injeção de portadores em N-
t3  Polarização reversa
t4  Camada de depleção
t5  Não há portadores majoritários
Característica IV Formas de onda
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SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA DIODOS DE POTÊNCIA
70A 100A
600V 600V
US$90
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SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA FOLHA DE DADOS DE UM DIODO
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SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA FOLHA DE DADOS DE UM DIODO
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SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA TRANSISTOR BIPOLAR
Região de arrasto
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SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA TRANSISTOR BIPOLAR
300A
600V
US$187
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SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA FOLHA DE DADOS DE UM BJT
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SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA FOLHA DE DADOS DE UM BJT
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SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA TIRISTOR
Característica IV Formas de onda
21/106
SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA TIRISTOR
200A 1500A
1200V 6500V
US$180
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SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA FOLHA DE DADOS DE UM TIRISTOR
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SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA FOLHA DE DADOS DE UM TIRISTOR
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SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA MOSFET
Característica IV Acionamento
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SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA MOSFET
8A 36A
1000V 1000V
26/106
SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA FOLHA DE DADOS DE UM MOSFET
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SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA FOLHA DE DADOS DE UM MOSFET
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SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA IGBT
Parâmetro de controle
Característica IV
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SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA IGBT
1200A
3300V
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SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA FOLHA DE DADOS DE UM IGBT
31/106
SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA FOLHA DE DADOS DE UM IGBT
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SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA OUTROS DISPOSITIVOS
(+) Altos gradientes de tensão

(+) Menor queda de tensão
(-) Alto custo
- Altas potências
- Acionamento por tensão
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SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA OUTROS DISPOSITIVOS
MCT (Tiristor Controlado MOS)
- Três terminais (anodo, catodo e gatilho);
- Baixa queda de tensão;
- Ótima capacidade de condução de corrente;
- Possui dimensões menores;
- Podem ser encontrados em valores de tensão até 10 kV;
- Suporta somente tensão positiva, ou somente tensão negativa.
 “MOS-Controlled Thyristors -A New Class of Power Devices”, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. ED-
33, No. 10, Oct. 1986, Victor A. K. Temple, pp. 1609-1618.
34/106
SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA MECANISMO DE PERDAS
Perdas em Diodos:
- No diodo de potência, a região N intermediária com baixa dopagem, responsável por alargar a
região de depleção e diminuir seu campo elétrico, permite que o diodo suporte maiores tensões
reversas sem entrar em ruptura.
- Por outro lado, essa região intermediária levemente dopada aumentará a característica resistiva
do diodo quando este estiver em condução, aumentando, portanto, as perdas por condução.
- Durante t1, a região de depleção ainda não foi anulada, portanto o diodo ainda oferece uma
grande resistência à passagem de corrente direta o que, juntamente com as indutâncias parasitas
do componente e das conexões, causa uma sobretensão. Simultaneamente, a corrente cresce até
atingir o valor da corrente que deve ser suprida à carga.
35/106
Perdas em Diodos:
- Durante t2, com a anulação da região de depleção, a tensão cai até atingir o valor de operação
do diodo (> 0,7 V). Estes tempos são, tipicamente, da ordem de centenas de ns e podem ser
obtidos nos datasheets dos componentes.
- No desligamento, continuará a circular corrente até que a região de depleção seja restabelecida,
o que só ocorre no pico de corrente na fronteira entre t4 e t5. A queda de tensão que ocorre nos
intervalos t3 e t4 se deve a diminuição da queda ôhmica. Em t4, a taxa de variação da corrente,
associada às indutâncias parasitas, provoca uma sobretensão negativa.
- O tempo de recuperação reversa trr é um parâmetro importante e determina quão rápido um
diodo passa do estado de condução para o estado de bloqueio.
36/106
Perdas em Diodos:
- As perdas por condução podem ser obtidas por: Pcond  diodo   VF  I F  méd .  rd  I F  ef .
2
VF  queda de tensão existente no diodo durante a condução [V];

IF(méd.)  corrente média no diodo [A];
rd  resistência intrínseca do diodo [Ω];
IF(ef.)  corrente eficaz no diodo [A].
- As perdas por comutação dividem-se em perdas no momento em que o diodo entra em

condução (Pturnon) e perdas no momento em que o mesmo bloqueia (Pturnoff), sendo definidas por:
Pturnon diodo    VFP  VF   I F  t1  f s Pturnoff  diodo   Q rr  V r  f s

1
2
t1  tempo necessário para o diodo entrar em condução [s];
VFP  tensão máxima durante o tempo t1 [V];
Qrr  carga armazenada na capacitância intrínseca do diodo [C];
Vr  tensão reversa no diodo [V].
- As perdas totais em um diodo são:
Pcomut  diodo   Pturnon diodo   Pturnoff  diodo 
Ptotais diodo   Pcond  diodo   Pcomut  diodo 

37/106
Perdas em Transistores MOSFET:
- As perdas por condução podem ser obtidas por: Pcond  MOSFET   rDS ( on )  I D ef .
2
rDS(on)  resistência de condução do MOSFET [];

ID(ef.)  corrente de dreno eficaz no MOSFET [A].
As perdas por comutação são dadas por:

Entrada em Condução Bloqueio
Pturnon ( MOS )   VCC  I D  tr  f s Pturnoff ( MOS )   VCC  I D  t f  f s

1 1
2 2
VCC  tensão máxima de bloqueio do MOSFET [V];
ID  corrente no momento em que o MOSFET está conduzindo [A];
tr  tempo necessário para o MOSFET entrar em condução [s];
tf  tempo necessário para o MOSFET entrar em bloqueio [s].
38/106
Perdas em Transistores MOSFET:
- As perdas totais em um MOSFET podem ser obtidas por:
Pcomut  MOS   Pturnon ( MOS )  Pturnoff ( MOS )
Ptotais MOS   Pcond  MOS   Pcomut  MOS 
Exemplo: Conversor Boost CC-CC
- O rendimento do conversor é dado por:

P P
 100  i totais 100 Ptotais  Ptotais diodo   Ptotais  MOS 
Po
Pi Pi
39/106
PARTE 3:
CONVERSORES CA-CC
40/106
CLASSIFICAÇÃO DOS CONVERSORES ESTÁTICOS
41/106
CONVERSORES CA-CC
Retificador Monofásico de Meia Onda a Diodo com Carga Resistiva
Vo
Vi
Vi – valor eficaz da tensão de entrada ou de alimentação senoidal [V];

Vo – valor da tensão na carga.
42/106
CONVERSORES CA-CC
Retificador Monofásico de Meia Onda a Diodo com Carga Resistiva
43/106
CONVERSORES CA-CC
Retificador Monofásico de Meia Onda a Diodo com Carga Indutiva
44/106
CONVERSORES CA-CC
45/106
CONVERSORES CA-CC
46/106
CONVERSORES CA-CC
47/106
CONVERSORES CA-CC
48/106
CONVERSORES CA-CC
49/106
CONVERSORES CA-CC
Retificador Monofásico de Meia Onda a Diodo com Carga Indutiva e Diodo

de “Roda Livre”
50/106
CONVERSORES CA-CC

de “Roda Livre”
51/106
CONVERSORES CA-CC

de “Roda Livre”
52/106
CONVERSORES CA-CC
Uso do Transformador em Retificadores
Funções do Transformador:
- adaptação da tensão da fonte;

- isolamento galvânico entre a rede e a carga.
Considerações de Análise:
- a corrente de carga é livre de harmônicas (indutância infinita);

- o transformador possui relação de transformação unitária. 53/106
CONVERSORES CA-CC
- A componente I2CC não apresenta reflexos no primário, mas pode ocasionar

a saturação do transformador.
- A aplicação desta topologia é restrita para pequenas potências.
54/106
CONVERSORES CA-CC
55/106
CONVERSORES CA-CC
Constata-se o mau aproveitamento do transformador.

 Topologia restrita à utilização em baixas potências;
 Principais vantagens: simplicidade e custo reduzido.
56/106
CONVERSORES CA-CC
Retificador Monofásico de Onda Completa a Diodos com Ponto Médio
(Carga R)
57/106
CONVERSORES CA-CC
(Carga R)
58/106
CONVERSORES CA-CC
(Carga R)
59/106
CONVERSORES CA-CC
(Carga RL)
60/106
CONVERSORES CA-CC
(Carga RL)
61/106
CONVERSORES CA-CC
(Carga RL)
62/106
CONVERSORES CA-CC
Retificador Monofásico de Onda Completa a Diodos com Ponto Médio –
Estudo do Comportamento do Transformador
63/106
CONVERSORES CA-CC
Retificador Monofásico de Onda Completa a Diodos com Ponto Médio –
Estudo do Comportamento do Transformador
64/106
CONVERSORES CA-CC
Retificador Monofásico de Onda Completa a Diodos em Ponte (Carga R)
65/106
CONVERSORES CA-CC
Retificador Monofásico de Onda Completa a Diodos em Ponte (Carga R)
- Para carga RL, tem-se as mesmas etapas de funcionamento válidas para

carga R. As formas de onda da corrente e da tensão de carga são idênticas
àquelas válidas para o retificador com ponto médio. 66/106
CONVERSORES CA-CC
Retificador Monofásico de Onda Completa a Diodos em Ponte – Estudo do

Transformador
67/106
CONVERSORES CA-CC
Retificador Monofásico de Onda Completa a Diodos em Ponte – Estudo do

Transformador
68/106
CONVERSORES CA-CC
Retificador Trifásico a Diodos com Ponto Médio (Carga R)
va t   v1 t   2  Vi  sen t 

vb t   v2 t   2  Vi  sen t  120 
vc t   v3 t   2  Vi  sen t  120 
onde Vi é o valor eficaz das tensões fase-neutro equilibradas.
69/106
CONVERSORES CA-CC
Retificador Trifásico a Diodos com Ponto Médio (Carga R)
VD1 max   V2 max   V1 max 

VD1 max   2  Vi 120  Vi 0
VD1 max   2  3  Vi 150

va t   v1 t   2  Vi  sen t 
vb t   v2 t   2  Vi  sen t  120 
vc  t   v3 t   2  Vi  sen  t  120  70/106
CONVERSORES CA-CC
Retificador Trifásico a Diodos com Ponto Médio (Carga RL)
71/106
CONVERSORES CA-CC
Retificador Trifásico a Diodos com Ponto Médio (Carga RL)
72/106
CONVERSORES CA-CC
Retificador Trifásico de Onda Completa a Diodos (Carga R) – Ponte de

Graetz
va t   v1 t   2  Vi  sen t 
vb t   v2 t   2  Vi  sen t  120 
vc t   v3 t   2  Vi  sen t  120 
onde Vi é o valor eficaz das tensões fase-neutro equilibradas.
73/106
CONVERSORES CA-CC
Retificador Trifásico de Onda Completa a Diodos (Carga R)
vab vac vbc vba vca vcb
74/106
CONVERSORES CA-CC
Retificador Trifásico de Onda Completa a Diodos (Carga RL)
75/106
CONVERSORES CA-CC
76/106
CONVERSORES CA-CC
77/106
CONVERSORES CA-CC
Retificador Monofásico de Meia Onda a Tiristor com Carga Resistiva
78/106
CONVERSORES CA-CC
Retificador Monofásico de Meia Onda a Tiristor com Carga Indutiva
79/106
CONVERSORES CA-CC
80/106
CONVERSORES CA-CC
81/106
CONVERSORES CA-CC
Retificador Monofásico de Meia Onda a Tiristor com Carga LE
82/106
CONVERSORES CA-CC
Retificador Monofásico de Meia Onda a Tiristor com Carga Indutiva e

Diodo de Roda Livre
83/106
CONVERSORES CA-CC
Retificadores Monofásicos de Onda Completa a Tiristores
Estrutura Semi- Estrutura Semi- Estrutura Totalmente

Controlada Simétrica Controlada Assimétrica Controlada
Estrutura com Ponto

Médio
84/106
CONVERSORES CA-CC
Retificadores Monofásicos de Onda Completa a Tiristores: Carga Resistiva
Para todas as estruturas anteriores:
85/106
CONVERSORES CA-CC
Retificador Monofásico de Onda Completa a Tiristores: Carga Indutiva
Para a estrutura totalmente controlada:
86/106
CONVERSORES CA-CC
87/106
CONVERSORES CA-CC
válido para =crít.
(Equação Geral)
88/106
CONVERSORES CA-CC
- No limite da condução contínua (crítica):     

Vo  méd   0, 45  Vi   cos    cos     

Vo  méd   0, 45  Vi   cos     cos    cos    sen    sen    
Vo  méd   0, 45  Vi   cos     cos     1  sen    0  
Vo méd   0,9  Vi  cos  
- Em condução descontínua: Vo  méd   0, 45  Vi  cos    cos    

O ângulo  , por sua vez,dependerá da condição de carga.
89/106
CONVERSORES CA-CC
90/106
CONVERSORES CA-CC
Retificador Monofásico de Onda Completa a Tiristores: Carga RLE
91/106
CONVERSORES CA-CC
92/106
CONVERSORES CA-CC
93/106
CONVERSORES CA-CC
94/106
CONVERSORES CA-CC
Retificador Monofásico de Onda Completa em Ponte Mista: Carga RL
95/106
CONVERSORES CA-CC
Retificador Trifásico de Meia Onda a Tiristores: Carga Resistiva
96/106
CONVERSORES CA-CC
Retificador Trifásico de Meia Onda a Tiristores: Carga Resistiva
97/106
CONVERSORES CA-CC
Retificador Trifásico de Meia Onda a Tiristores: Carga Indutiva
98/106
CONVERSORES CA-CC
Retificador Trifásico de Onda Completa a Tiristores: Carga Resistiva
99/106
CONVERSORES CA-CC
Retificador Trifásico de Onda Completa a Tiristores: Carga Resistiva
100/106
CONVERSORES CA-CC
Retificador Trifásico de Onda Completa a Tiristores: Carga Indutiva
101/106
CONVERSORES CA-CC
Retificador Trifásico de Onda Completa Semicontrolado: Carga Resistiva
102/106
CONVERSORES CA-CC
Retificador Trifásico de Onda Completa Semicontrolado: Carga Resistiva
103/106
CONVERSORES CA-CC
Ábaco de Puschlowski:
104/106
CONVERSORES CA-CC
105/106
CONVERSORES CA-CC
106/106

Eletronica de Potencia Eletronica de Pot

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ELETRÔNICA DE POTÊNCIA:

FERNANDO LESSA TOFOLI, DR. ENG.

Eletrônica de Potência: ciência que se dedica a processar e controlar o

Eletrônica de Potência é a tecnologia associada com conversão

A eletrônica de potência é uma área de atuação interdisciplinar. Para

Eletrônica Analógica e Digital

Semicondutores - Transistores Bipolares

Tensão Corrente Freqüência Potência

Potência  tensão Potência  freqüência

Cristal tipo N (-) Cristal tipo P (+)

Polarização direta Polarização reversa

Característica IV Formas de onda

Característica IV Formas de onda

Característica IV Acionamento

(+) Altos gradientes de tensão

VF  queda de tensão existente no diodo durante a condução [V];

- As perdas por comutação dividem-se em perdas no momento em que o diodo entra em

Pturnon diodo    VFP  VF   I F  t1  f s Pturnoff  diodo   Q rr  V r  f s

Ptotais diodo   Pcond  diodo   Pcomut  diodo 

rDS(on)  resistência de condução do MOSFET [];

As perdas por comutação são dadas por:

Pturnon ( MOS )   VCC  I D  tr  f s Pturnoff ( MOS )   VCC  I D  t f  f s

Pcomut  MOS   Pturnon ( MOS )  Pturnoff ( MOS )

Ptotais MOS   Pcond  MOS   Pcomut  MOS 

Exemplo: Conversor Boost CC-CC

- O rendimento do conversor é dado por:

Retificador Monofásico de Meia Onda a Diodo com Carga Resistiva

Vi – valor eficaz da tensão de entrada ou de alimentação senoidal [V];

Retificador Monofásico de Meia Onda a Diodo com Carga Resistiva

Retificador Monofásico de Meia Onda a Diodo com Carga Indutiva

Retificador Monofásico de Meia Onda a Diodo com Carga Indutiva

Retificador Monofásico de Meia Onda a Diodo com Carga Indutiva

Retificador Monofásico de Meia Onda a Diodo com Carga Indutiva

Retificador Monofásico de Meia Onda a Diodo com Carga Indutiva

Retificador Monofásico de Meia Onda a Diodo com Carga Indutiva

Retificador Monofásico de Meia Onda a Diodo com Carga Indutiva e Diodo

Retificador Monofásico de Meia Onda a Diodo com Carga Indutiva e Diodo

Retificador Monofásico de Meia Onda a Diodo com Carga Indutiva e Diodo

Uso do Transformador em Retificadores

- adaptação da tensão da fonte;

- a corrente de carga é livre de harmônicas (indutância infinita);

Uso do Transformador em Retificadores

- A componente I2CC não apresenta reflexos no primário, mas pode ocasionar

Uso do Transformador em Retificadores

Uso do Transformador em Retificadores

Constata-se o mau aproveitamento do transformador.

Retificador Monofásico de Onda Completa a Diodos em Ponte (Carga R)

Retificador Monofásico de Onda Completa a Diodos em Ponte (Carga R)

- Para carga RL, tem-se as mesmas etapas de funcionamento válidas para

Retificador Monofásico de Onda Completa a Diodos em Ponte – Estudo do

Retificador Monofásico de Onda Completa a Diodos em Ponte – Estudo do

Retificador Trifásico a Diodos com Ponto Médio (Carga R)

va t   v1 t   2  Vi  sen t 

Retificador Trifásico a Diodos com Ponto Médio (Carga R)

VD1 max   V2 max   V1 max 

VD1 max   2  3  Vi 150

Retificador Trifásico a Diodos com Ponto Médio (Carga RL)

Retificador Trifásico a Diodos com Ponto Médio (Carga RL)

Retificador Trifásico de Onda Completa a Diodos (Carga R) – Ponte de

Retificador Trifásico de Onda Completa a Diodos (Carga R)

vab vac vbc vba vca vcb

Retificador Trifásico de Onda Completa a Diodos (Carga RL)