TRANSISTOR

Sumrio
1 Introduo ............................................................................................................................... 3 2 Transistor bipolar .................................................................................................................... 3 2.1 Transistor NPN.................................................................................................................. 3 2.1.1 Operao do transistor NPN no modo ativo ............................................................. 4 2.1.2 Configuraes bsicas dos tbj ................................................................................... 4 2.2 Transistor PNP; ................................................................................................................. 7 2.3 Aplicaes ......................................................................................................................... 7 2.3.1 Chave ......................................................................................................................... 7 2.3.2 Amplificador .............................................................................................................. 8 3 Transistor MOSFET .................................................................................................................. 9 3.1 Canal N (NMOS) tipo enriquecimento.............................................................................. 9 3.1.1 Distribuio de cargas ............................................................................................... 9 3.1.2 Curva caracterstica ................................................................................................. 12 3.1.3 Expresses ............................................................................................................... 13 3.2 Canal N (NMOS) tipo depleo;...................................................................................... 14 3.2.1 Curva Caracterstica................................................................................................. 14 3.3 Canal P (PMOS) tipo enriquecimento;............................................................................ 14 3.3.1 Curva Caracterstica................................................................................................. 15 3.3.2 Equaes.................................................................................................................. 15 3.4 Canal P (PMOS) tipo depleo;....................................................................................... 15 3.4.1 Curva caracterstica ................................................................................................. 16 3.5 Aplicaes ....................................................................................................................... 16 3.5.1 Chave (tft) ................................................................................................................ 16 3.5.2 Amplificador digital (Classe D)................................................................................. 16 3.5.3 Inversor CMOS......................................................................................................... 17 3.5.4 Outras aplicaes .................................................................................................... 17 3.6 Novidades ....................................................................................................................... 17 4 IGBT (Insullated Gate Bipolar Transistor): ............................................................................. 18 5 Tabela comparativa ............................................................................................................... 19 6 Concluso .............................................................................................................................. 19

1 Introduo
Dispositivo semicondutor de trs terminais usado em circuitos para amplificar os sinais eltricos, para funcionar como uma chave para fornecer funes digitais, etc. Neste trabalho veremos neste trabalho os transistores mais importantes e as mais variadas aplicaes. Os transistores so tradicionalmente so divididos em: Transistor bipolar de juno (TBJ); Transistor de efeito de campo (FET) que podem ser divididos em: o Transistores de efeito de campo de juno (JFET - Junction Field Effect transistor); o Transistores de efeito de campo de xido metlico (MOSFET). o IGBT; Neste estudo abordaremos os transistores mais comumente utilizados, so eles: bipolares (por serem os primeiros), os mosfets (por ser o mais importante) e o IGBT (por unir a tecnologia do bipolar e do mosfet). Abaixo um breve explicativo de alguns destes transistores.

2 Transistor bipolar
Podem ser divididos em duas categorias, veja a seguir as categorias, simbologia e estruturas de cada transistor mencionado: A diferena entre eles est relacionada ao tipo de dopagem de cada terminal (base, coletor e emissor). Atente-se a assimetria existente. 1. A base a mais estreita e menos dopada das trs ( extremamente fina !!). 2. O emissor que emitir os portadores de carga (eltrons no caso de transistor NPN ou lacunas no caso de transistor PNP) a mais dopada das trs (maior concentrao de impureza). 3. O coletor a mais extensa, pois ai que ser dissipada potncia.

2.1 Transistor NPN

Para movermos os eltrons e as lacunas nos materiais, necessria a colocao de baterias dependendo da condio de polarizao de cada juno, so obtidos diferentes modos de operao para o transistor, vistos abaixo:

2.1.1 Operao do transistor NPN no modo ativo

Neste caso, circula corrente pelas duas junes apesar da polarizao reversa, pois aqui ocorre o fenmeno denominado de efeito transistor. No transistor NPN, os eltrons, que so portadores majoritrios do material tipo N corresponde ao emissor, so injetados na regio de base, devido polarizao direta baseemissor. Como a juno base coletor possui polarizao reversa, os eltrons injetados no interior da base, proveniente do emissor, so atrados para o coletor, devido a tenso positiva presente neste terminal. Portanto, temos passando pela juno base-coletor uma corrente de eltrons, praticamente igual quela passando pela juno base-emissor, ou seja, temos um ganho de corrente, pois a juno base-coletor est reversamente polarizada.
2.1.2 Configuraes bsicas dos tbj

Existem trs configuraes bsicas de operao para o transistor bipolar:

Abaixo uma breve descrio de cada configurao:

2.1.2.1 Base comum

Curva caracterstica de entrada (emissor):

Curva caracterstica de sada (coletor):

Regio de operao

2.1.2.2 Emissor comum

Curva caracterstica de entrada (base):

Curva caracterstica de sada (coletor):

2.1.2.3 Coletor comum

2.2 Transistor PNP;

O transistor PNP anlogo ao NPN (basta inverter o sentido das tenses e correntes):

2.3 Aplicaes
2.3.1 Chave

A forma mais simples de se usar um transistor como uma chave significando uma operao na saturao ou no corte e em nenhum outro lugar. Quando um transistor est saturado, como se houvesse uma chave fechada do coletor para o emissor. Quando o transistor est cortado, como uma chave aberta.

Corte conhecido como o ponto onde Ib=0. Nesse ponto a corrente de base zero e corrente do coletor muito pequena (Iceo). Saturao o ponte onde existe a interseo da reta de carga e a curva Ib=Ib(sat). Nesse ponto a corrente de coletor mxima. a unio destes pontos traa a chamada reta de carga, que tem o ponto Q (quiescente) se deslocando sobre ela.

2.3.2 Amplificador

2.3.2.1 Classe A: Neste caso o ponto quiescente do transistor est localizado no meio da reta de carga, funcionando apenas na regio linear (ativa). max= 25%

2.3.2.2 Classe B: Neste caso o ponto quiescente do transistor est localizado prximo regio de corte da reta de carga, amplificando somente um semi-ciclo do sinal de entrada.

2.3.2.3 Classe AB: Neste caso o ponto quiescente do transistor est localizado entre o centro (classe A) e regio de corte (classe B) da reta de carga. max= 78,5% 2.3.2.4 Classe C: Neste caso o ponto quiescente do transistor est localizado dentro da regio de corte da reta de carga, logo o transistor conduz menos que um semi-ciclo.

3 Transistor MOSFET
Constitui atualmente um dos dispositivos eletrnicos mais importantes, seno o mais importante. A tecnologia MOS permitiu a gigante miniaturizao dos circuitos, ampliando a capacidade de processamento de informaes. O princpio de funcionamento do transistor MOS baseia-se no controle capacitivo das cargas no substrato. A tecnologia em mosfets determinada em funo do comprimento mnimo do canal (L) capaz de fazer o transistor funcionar dentro das expectativas. Podem ser divididos em quatro categorias, a diferena entre eles est relacionada ao portador de carga predominante (eltron ou lacuna) e ao modo de funcionamento (enriquecimento ou depleo). A seguir as categorias, simbologia e estruturas de perfil de cada transistor mencionado:

3.1 Canal N (NMOS) tipo enriquecimento

A seguir um resumo do modo de funcionamento do transistor NMOS tipo enriquecimento

3.1.1 Distribuio de cargas

3.1.1.1 Situao 1:

Aplicando-se as ddps citadas acima no haver passagem de corrente entre dreno e fonte. A corrente (IDS) ser praticamente nula, pois a juno dreno-substrato constitui em um diodo reversamente polarizado. As lacunas so atradas para a regio da superfcie do substrato. Transistor em corte e superfcie em acumulao.

3.1.1.2 Situao 2:

Aplicando-se as ddps citadas acima ser induzida na superfcie do silcio tipo P (substrato) cargas negativas. Inicialmente haver formao de uma regio de depleo no silcio tipo P, decorrente do afastamento das lacunas da regio superficial por efeito de campo eltrico, permanecendo os ons fixos negativos que esto presos na rede cristalina. Quanto maior a tenso na porta, maior ser a regio de depleo e maior ser o campo eltrico nesta regio. Nesta situao a corrente IDS ainda desprezvel. Transistor em corte e superfcie em depleo.

3.1.1.3 Situao 3:

Elevando-se ainda mais a tenso aplicada porta, atinge-se a tenso de limiar (VT Threshold Voltage), formando uma camada quase superficial de eltrons livres (portadores minoritrios) que possibilitar a conduo de corrente entre dreno e fonte. Inverso da superfcie (inverso fraca) e pequena capacidade de passagem de corrente entre dreno e fonte.

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3.1.1.4 Situao 4:

Aplicando-se as ddps citadas acima ser induzida uma passagem de corrente atravs do canal do transistor. Enquanto Vds<Vgs-Vt, as diferenas de potenciais em ambos os lados da regio de canal do transistor (Vg-Vs e Vg-Vd) sero superiores a Vt, estabelecendo, portanto, a presena de uma camada de inverso desde a fonte at o dreno. A camada de inverso maior no lado do dreno, pois, geralmente, o potencial aplicado ao dreno superior ao da fonte. Nestas condies o transistor opera na regio de trodo.

3.1.2.5 Situao 5

Elevando-se a tenso Vds at esta igualar-se a Vgs-Vt, a camada de inverso est na iminncia de desaparecer, ocorrendo o chamado pinamento da camada de inverso (pinch-off). Esta tenso especfica denominada tenso de saturao (Vds=Vgs-Vt=Vdssat) e marca a transio entre as regies de trodo e saturao no funcionamento do transistor. Nessa condio o transistor atinge o mximo valor da corrente entre dreno e fonte.

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3.1.2.6 Situao 6

Para tenses de dreno superiores a Vdssat, o ponto de pinamento do canal desloca-se na direo da fonte. Para valores maiores de tenso de dreno, praticamente nenhum aumento da corrente de dreno ser observado. Os portadores minoritrios atravessam a regio que separa o final da camada de inverso da regio do dreno, em razo do elevado campo eltrico, o qual pode levar os portadores sua velocidade limite no silcio, principalmente em transistores de pequenas dimenses. Na regio de saturao, o aumento de tenso de dreno proporcional ao aumento da resistncia entre fonte e dreno, resultando em uma corrente constante.
3.1.2 Curva caracterstica

A primeira curva trata-se da curva Ids medida em funo de Vgs para pequeno valor de Vds (tipicamente na ordem de 100mV) 12

A segunda curva trata-se da corrente Ids medida em funo de Vds, parametrizada para vrias tenses de porta (Vgs) constantes, maiores que a tenso de limiar.
3.1.3 Expresses

Considerando o transistor NMOS abaixo:

Podemos chegar s seguintes equaes de primeira ordem da corrente do dreno:

, onde: N: mobilidade dos eltrons, ox: permissividade do xido de porta. Podemos observar que uma parte dos elementos que compem o fator de ganho dependente do processo de fabricao como: mobilidade dos eltrons, permissividade do xido de porta, espessura do xido de porta, comprimento e largura do canal.

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3.2 Canal N (NMOS) tipo depleo;

O transistor NMOS tipo depleo apresenta uma canal N previamente existente, realizado durante o processo de fabricao, graas a este canal no necessria a aplicao de um potencial de porta para induzir a camada de portadores de inverso, logo, possuem tenso de limiar negativa.
3.2.1 Curva Caracterstica

3.3 Canal P (PMOS) tipo enriquecimento;

O funcionamento do transistor PMOS tipo enriquecimento anlogo ao NMOS o que difere que devemos aplicar uma diferena negativa entre porta e substrato de modo a induzir a formao de uma camada de lacunas que permitir o aparecimento de IDS.

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3.3.1 Curva Caracterstica

3.3.2 Equaes

O transistor PMOS possui equaes similares, apenas com sinal oposto nas tenses e corrente envolvidas.Assim, de forma anloga, tem-se para o PMOS:

3.4 Canal P (PMOS) tipo depleo;

Os transistores PMOS tipo depleo so similares ao PMOS tipo enriquecimento com uma camada de dopantes tipo P fabricada assim, a nica diferena em relao s curvas o deslocamento da curva Ids x Vgs decorrente da variao da tenso de limiar, que nesse caso passa a ser positiva.

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3.4.1 Curva caracterstica

3.5 Aplicaes
3.5.1 Chave (tft)

Transistores MOS podem ser utilizadas como chaves controladas por tenso. Abaixo um breve explicativo do funcionamento do transistor de filme fino (tft) como chave. O transistor de filme fino (tft) um transistor montado num substrato de vidro, utilizado em painis LCD, Led empregado em televisores, monitores, celulares, etc. O monitor LCD possui milhes de transistores mosfets TFT num vidro localizado entre o polarizador e o bloco de cristal lquido. O fechamento e a abertura da chave controlada pela tenso VGS. Se associarmos o nvel lgico "1" a VDD e o nvel lgico "0" a 0V , quando o gate e o source recebem nvel 1 (tenso), o TFT conduz e deixa a luz passar pelo sub-pixel, este aparecendo verde, vermelho ou azul bem claro na frente da tela. Quando o gate e o source recebem nvel 0 (sem tenso), o TFT no conduz e o sub-pixel fica apagado.

3.5.2 Amplificador digital (Classe D)

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Os amplificadores classe D tambm so conhecidos como "amplificadores chaveados" e isso se deve ao fato de que os transistores de sada no operam continuamente, mas "chaves", comutando a tenso de alimentao (+ e VDD) carga.

Essa classe de operao tem um rendimento bastante alto, que fica na casa dos 90%, mas no tem a qualidade de baixa distoro, relativa, que um amplificador contnuo (classe A e AB) tem.
3.5.3 Inversor CMOS

Um inversor pode ser construdo utilizando um NMOS e um PMOS. A sada deve ser alta quando a entrada for baixa e vice versa. Como podemos verificar a tenso de entrada (Ve) aplicada simultaneamente aos dois gates dos transistores MOS-FET. Para que a sada seja VDD, o transistor PMOS deve conduzir e isto obtido fazendo Ve = 0 V. Para a sada assumir 0 V,devemos aplicar Ve = Vdd ,desta forma o transistor NMOS deve conduzir enquanto o PMOS deve estar cortado.

3.5.4 Outras aplicaes

Podemos ver os transistores mosfets em Acopladores pticos, portas lgicas NOR e NAND, reguladores de tenso aplicados em memrias, processadores, fonte chaveada, etc.

3.6 Novidades
Como dito anteriormente o que determina a tecnologia nos mosfets comprimento do canal, que hoje de 32nm, mas a Intel anunciou que lanar at o final do ano processadores com transistores 3D Tri-gate de 22nm. Este componente utiliza 50% menos energia. Alm disso, a novidade diminui o custo por transistor ao mesmo tempo em que melhora o desempenho (a Intel afirmou que a melhora ser de 37%, em aplicaes de baixa tenso). Feito com arquitetura 3D, o transistor Tri-Gate de 22 nm da Intel pode ser utilizado na construo de processadores de dispositivos como smartphones, tablets, computadores e 17

televisores inteligentes. Com um menor uso de energia na capacidade de processamento, possvel at que os componentes possam aumentar a durao da bateria.

Os transistores 3D Tri-Gate representam a reinveno do transistor. A porta bidimensional tradicionalmente plana substituda por um silcio tridimensional em forma de quilha, incrivelmente fino que sobe verticalmente desde o substrato do silcio. O controle da corrente feito por meio da incluso de uma porta em cada um dos trs lados - uma em cada lado e uma em cima - em vez de apenas uma em cima, como acontece com os transistores planos 2D. Esse controle adicional possibilita que o fluxo da corrente no transistor seja o mximo possvel quando o transistor estiver em estado ligado (para desempenho), e perto de zero quando ele estiver em estado desligado (para minimizar o consumo), alm de possibilitar uma troca muito rpida entre os dois estados (para desempenho).

4 IGBT (Insullated Gate Bipolar Transistor):

Este componente associa as vantagens do transistor bipolar (baixa perda durante a conduo), com as do MOSFET (alta impedncia de entrada). Devido a sua estrutura, a resistncia entre dreno e fonte (RDS) do IGBT controlada de forma que o mesmo se comporte como um transistor bipolar. O IGBT um componente controlado por tenso, semelhante ao MOSFET. Apresenta baixas perdas tanto no chaveamento quanto durante a conduo, apresentando caractersticas semelhantes ao MOSFET, tais como: facilidade de acionamento, capacidade e ruggedness. 18

Em termos de velocidade, o IGBT mais rpido que o transistor bipolar, mas mais lento que o MOSFET. A especificao de corrente mxima para um IGBT de 400A em 1200V, e sua frequncia de chaveamento pode ser superior a 20kHz. Os IGBTs so utilizados em aplicaes de mdia potncia: acionamento de motores CA e CC; fontes de potncia; rels estticos; etc.

5 Tabela comparativa

6 Concluso
O transistor um componente importantssimo na eletrnica, sua inveno veio revolucionar a eletrnica e a sua tecnologia est em constante evoluo com a capacidade de continuar a revolucionar a eletrnica. O transistor, em geral, utilizado como chave, amplificador o que vai influenciar na escolha do transistor so os custos, as aplicaes e baseado na aplicao devemos levar em considerao: os nveis de tenso e corrente encontrados, a complexidade do circuito de comando e a frequncia com que o dispositivo ir operar. O transistor bipolar ainda muito utilizado atualmente devido ao custo apesar de sua tecnologia ser ultrapassada. um componente que no permite a mesma miniaturizao do mosfet, pois o coletor necessita se grande para dissipao do calor, complexidade e custo do circuito de comando e limitao na velocidade de comutao. O mosfet componente que permite a miniaturizao dos circuitos eletrnicos produzindo processadores mais rpidos, com menor dissipao de calor e de menor custo, opera muito bem em altas frequncias e necessita de um simples circuito de comando. A resistncia de conduo dos Mosfets cresce muito com o aumento da mxima tenso suportvel, o que leva a uma reduo da capacidade de corrente. Apresenta alta impedncia de entrada, entre gate e source. Desse modo a potncia consumida muito menor; O mais recente dos semicondutores desenvolvidos - o IGBT vem se destacando pela sua capacidade de conduo de altas correntes e de suportar elevadas tenses (500A/1500V), alm da simplicidade de seu circuito de comando. Embora mais lentos que os Mosfets, os IGBTs so mais rpidos que os BJTs. Trata-se de uma tecnologia em crescente desenvolvimento e muito utilizado na indstria. 19